DE69113075T2

DE69113075T2 - Flüssigkristallzusammensetzung, Flüssigkristallvorrichtung, Anzeigevorrichtung und diese verwendende Anzeigemethode.

Info

Publication number: DE69113075T2
Application number: DE69113075T
Authority: DE
Inventors: Junko Sato; Takeshi Togano; Akio Yoshida
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1990-02-15
Filing date: 1991-02-14
Publication date: 1996-03-28
Anticipated expiration: 2011-02-15
Also published as: US5217643A; EP0442499A3; JPH04211492A; JP3143483B2; DE69113075D1; ATE128172T1; EP0442499A2; EP0442499B1

Description

FACHGEBIET DER ERFINDUNG UND VERWANDTER STAND DER TECHNIK

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Flüssigkristallmischung, eine Flüssigkristallvorrichtung, ein Anzeigegerät und ein Anzeigeverfahren und vor allem eine Flüssigkristallmischung, die ein bestimmtes Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes enthält, mit dem das Anzeigeverhalten verbessejrt wird, eine Flüssigkristallvorrichtung, bei der die Mischung verwendet wird, ein Anzeigegerät, bei dem die Vorrichtung angewendet wird, und ein Anzeigeverfahren, bei dem die Mischung, die Vorrichtung und das Gerät angewandt werden.
Bisher sind bei elektrooptischen Vorrichtungen, bei denen Flüssigkristallvorrichtungen angewendet werden, die nematische Flüssigkristalle umfassen, mehrere Vorschläge zur Erzielung eines verbesserten Anzeigeverhaltens durch Verminderung des elektrischen Widerstandes oder des spezifischen elektrischen Widerstandes einer Flüssigkristallschicht gemacht worden. Typische Beispiele für solche Flüssigkristallvorrichtungen schließen eine Flüssigkristallvorrichtung mit dynamischer Streuung (DS-Flüssigkristallvorrichtung) und eine verdrillte nematische Flüssigkristallvorrichtung (TN-Flüssigkristallvorrichtung; TN = twisted nematic) ein.
Die DS-Flüssigkristallvorrichtung erforderte eine Verminderung des spezifischen Widerstandes ihrer Flüssigkristallschicht, weil Schwierigkeiten derart auftreten, daß einfallendes Licht nicht gestreut wird und daß eine Schwellenspannung für die Ansteuerung der Vorrichtung erhöht wird, wenn der spezifische Widerstand der Flüssigkristallschicht bei einem hohen Wert bleibt.
Die meisten Flüssigkristallmaterialien, die für die DS-Flüssigkristallvorrichtung verwendet werden, umfassen im allgemeinen einen Flüssigkristall, der eine negative dielektrische Anisotropie (-Δ&epsi;) hat (nachstehend als "N-Flüssigkristall" bezeichnet) und keine funktionellen Gruppen wie z.B. eine Cyangruppe enthält, die in Flüssigkristallmolekülen in vielen Fällen eine starke Elektronenanziehung zeigt. Andererseits kann im Fall von Flüssigkristallen, die eine positive dielektrische Anisotropie (+A&epsi;) haben (nachstehend als "P-Flüssigkristall" bezeichnet) und in der Endstellung ihres Flüssigkristallmoleküls eine Cyangruppe enthalten, der spezifische Widerstand leicht vermindert werden, indem nur eine geringe Menge von quartären Ammoniumsalzen wie z .B. Tetrabutylammoniumbromid {[CH&sub3;(CH&sub2;)&sub3;]&sub4;N&spplus; Br&supmin;, als TBAB abgekürzt zugesetzt wird. Es ist jedoch nicht einfach, den spezifischen Widerstand bei dem N-Flüssigkristall zu vermindern. Dies liegt möglicherweise daran, daß eine Verminderung des spezifischen Widerstandes bei dem P-Flüssigkristall nicht nur aus einer elektrolytischen Dissoziation von TBAB, sondern auch aus einer Komplexbildung zwischen TBAB und einer Cyangruppe resultiert, die auf eine Wechselwirkung zwischen ihnen zurückzuführen ist. Infolgedessen ist ein Verfahren zur leichten Verminderung des spezifischen Widerstandes bei dem N-Flüssigkristall erwünscht gewesen.
Für die TN-Flüssigkristallvorrichtung sind im allgemeinen Flüssigkristallmaterialien mit hohem spezifischem Widerstand verwendet worden. Bei der TN-Flüssigkristallvorrichtung kann an die Vorrichtung in einigen Fällen wegen einer Störung eines Netzschalters eine Gleichspannung angelegt werden. Die Gleichspannung verschwindet nicht leicht, so daß mehrere zehn Sekunden lang ein Nicht-Anzeigezustand anhalten kann. Die Dauer des Nicht- Anzeigezustands kann verkürzt werden, indem bei der TN-Flüssigkristallvorrichtung der spezifische Widerstand der Flüssigkristallschicht vermindert wird. Zu diesem Zweck kann dem TN-Flüssigkristall eine geringe Menge von TBAB wie vorstehend beschrieben zugesetzt werden. TBAB hat jedoch in einer langen Zeit eine schlechte elektrochemische Beständigkeit, wodurch der spezifische Widerstand, der einmal vermindert worden ist, nach und nach auf einen hohen Wert zunimmt, was zu Nachteilen wie z.B. einer Änderung des Schwellenverhaltens des Flüssigkristalls führt.
Eine ferroelektrische Flüssigkristallvorrichtung, die einen Flüssigkristall umfaßt, der eine chirale smektische Phase und Ferroelektrizität zeigt, hat ein besonderes Problem, wie nachstehend beschrieben wird.
Bei der herkömmlichen ferroelektrischen Flüssigkristallvorrichtung [der sogenannten SSFLCD (oberflächenstabilisierten ferroelektrischen Flüssigkristallvorrichtung; SSFLCD = Surface Stabilized Ferroelectric Liquid Crystal Device)], die von Clark und Lagerwall vorgeschlagen worden ist, sind die Dipolmomente von Flüssigkristallmolekülen in der Flüssigkristallschicht alle gleichmäßig in der Richtung orientiert, die einem schwarzen oder weißen Zustand entspricht, so daß ein Ungleichgewicht bzw. eine Unsymmetrie (nach oben oder nach unten) der spontanen Polarisation (Ps) verursacht wird, wie in Figur 2 gezeigt ist. Das Vorhandensein der spontanen Polarisation ist eine notwendige Bedingung für ein Umschaltvermögen der ferroelektrischen Flüssigkristallvorrichtung, so daß das Ungleichgewicht der spontanen Polarisation bei der vorstehend erwähnten SSFLCD unvermeidlich ist. Wir haben schon über das Vorhandensein eines inneren elektrischen Feldes berichtet, das in der SSFLCD durch die spontane Polarisation induziert wird [Japanische Offengelegte Patentanmeldung Nr. (JP-A) 63-135922]. In der JP-A 63-135922 wird beschrieben, daß die Ionenlokalisierung durch eine Wanderung von Ionenverunreinigungen in einer Flüssigkristallschicht als Reaktion auf ein elektrisches Feld verursacht wird, das durch Polarisation von Flüssigkristallmolekülen hervorgerufen wird. Als Folge wird in einem Speicherzustand der SSFLC-Zelle ein elektrisch stabiler Zustand geliefert, indem ein auf die Ionenlokalisierung zurückzuführendes elektrisches Gegenfeld erzeugt wird, das dem elektrischen Feld, das durch die Polarisation der Flüssigkristallmoleküle verursacht wird, entgegengesetzt ist.
Wir haben ferner durch Weiterentwickeln der vorstehend erwähnten Überlegung ein allgemeines Verfahren zur Realisierung von Bistabilität bei der vorstehend erwähnten SSFLC-Zelle vorgeschlagen, bei dem auf Elektrodenplatten isolierende Schichten angeordnet werden, wie es in der JP-A 64-78235 offenbart ist. Im einzelnen wird bei der SSFLC-Zelle, die isolierende Schichten hat, in der Richtung, die einem elektrischen Feld, das auf die spontanen Polarisationen Ps von Flüssigkristallinolekülen zurückzuführen ist, entgegengesetzt ist, ein elektrisches Gegenfeld erzeugt, das auf die vorstehend erwähnte Ionenlokalisierung zurückzuführen ist. Wenn die Richtung der spontanen Polarisationen in solch einem Zustand durch Anlegen von Spannung aus einer äußeren Treiberschaltung sofort umgekehrt wird, können die Ionen als Reaktion auf die Umkehrung nicht schnell wandern, so daß das vorstehend beschriebene elektrische Gegenfeld in der Zelle bleibt und eine instabile Spannung verursacht.
Wir haben solch eine instabile Spannung als "Gegenspannung" bezeichnet, worüber in "13-th Liguid Crystal Forum" [Preprint, S. 142 (1987)] berichtet worden ist.
In der JP-A 63-135922 wird die aus der Umschaltung eines äußeren elektrischen Feldes resultierende Gegenspannung durch Verminderung des spezifischen Widerstandes einer Flüssigkristallschicht verringert. Andererseits wird in der JP-A 64-78235 eine Lösung durch Beeinflussung bzw. Einstellung der Werte der spontanen Polarisation Ps, der Kapazität Ci der isolierenden Schicht, des spezifischen Widerstandes Ri der isolierenden Schichtund der Kapazität CLC der Flüssigkristallschicht vorgeschlagen.
In der EP-A 0 011 002 sind mesomorphe Mischungen offenbart, die 4-Alkoxytetrafluorbenzoesäure umfassen.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Flüssigkristallmischung bereitzustellen, die ein Mittel (eine Verbindung) zur Änderung des spezifischen Widerstandes enthält, das den spezifischen Widerstand (RLC) einer Flüssigkristallschicht mit guter Reproduzierbarkeit und Haltbarkeit beständig vermindern kann.
Es ist eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Flüssigkristallmischung bereitzustellen, die ein Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes enthält, das angesichts der Schwierigkeit, daß ein Salz wie z.B. Tetrabutylaminoniumbromid (TBAB) in einem Flüssigkristall im allgemeinen schlecht löslich ist, so daß seine Kristalle vor allem bei niedrigen Temperaturen ausfallen, eine gute Löslichkeit in der Mischung hat.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine Flüssigkristallmischung bereitgestellt, die mindestens eine Verbindung zur Änderung bzw. Modifizierung des spezifischen Widerstandes enthält, die durch die folgenden Formeln (I) bis (IV) wiedergegeben wird:
Formel (I):
worin R Wasserstoff oder eine lineare oder verzweigte Alkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen bezeichnet und X -O-, - O- oder -O - bezeichnet;
Formel (II):
worin R&sub1; eine lineare oder verzweigte Alkyl- oder Alkoxygruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen bezeichnet und X&sub1; - O- oder -CH&sub2;O- bezeichnet;
Formel (III):
worin R&sub2; Wasserstoff oder eine lineare oder verzweigte Alkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen bezeichnet; X&sub2; eine Einfachbindung, -O-, - O- oder -O - bezeichnet; Y&sub1;, Y&sub2;, Y&sub3; und Y&sub4; jeweils Wasserstoff, Fluor oder -CF&sub3; bezeichnen, wobei vorausgesetzt ist, daß mindestens eines von Y&sub1;, Y&sub2;, Y&sub3; und Y&sub4; Fluor oder -CF&sub3; ist; und n 0 oder 1 ist, wobei vorausgesetzt ist, daß Y&sub1; bis Y&sub4; nicht gleichzeitig F sind, wenn n = 1, R&sub2; = Alkyl und X&sub2; = -O-, wenn die Verbindung der Formel (III) allein verwendet wird; und
Formel (IV):
worin R&sub3; eine lineare oder verzweigte Alkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen bezeichnet; -A--
bezeichnet; x&sub3; -O-, - O-, -O - oder eine Einfachbindung bezeichnet; X&sub4; -O-, -CO- oder -CH&sub2;O- bezeichnet und m 0 oder 1 ist.
Durch die vorliegende Erfindung wird eine Flüssigkristallvorrichtung mit einem Paar Elektrodenplatten und der vorstehend beschriebenen Flüssigkristallmischung, die zwischen den Elektrodenplatten angeordnet ist, bereitgestellt.
Durch die vorliegende Erfindung wird ferner ein Anzeigegerät bereitgestellt, das die Flüssigkristallvorrichtung umfaßt.
Durch die vorliegende Erfindung wird des weiteren ein Anzeigeverfahren bereitgestellt, bei dem die Flüssigkristallmischung, die Flüssigkristallvorrichtung oder das Anzeigegerät angewendet wird.
Diese und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden bei einer Berücksichtigung der folgenden Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen klarer werden.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Figur 1 ist eine schematische Schnittzeichnung einer Ausführungsform einer ferroelektrischen Flüssigkristallvorrichtung, bei der die Flüssigkristallmischung gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird;
Figur 2 ist eine schematische Schnittzeichnung einer Vorrichtungszellen-Ausführungsform zur Erläuterung des Arbeitsprinzips der herkömmlichen oberflächenstabilisierten ferroelektrischen Flüssigkristallvorrichtung (SSFLCD) mit einer merklichen Lokalisierung von Ionen;
Figur 3A ist ein Meßschaltplan des Widerstandes (RLC) einer Flüssigkristallschicht;
Figur 3B ist ein Diagramm, das den Abfall einer Zellenspannung zeigt;
Figuren 4A und 4B sind Diagramme zur Erläuterung des optischen Ansprechverhaltens für den Fall, daß die Orientierung von Flüssigkristallmolekülen durch Anlegen einer Impulsspannung von einem B-Zustand (schwarzen Zustand) zu einem W-Zustand (weißen Zustand) umgeschaltet wird;
Figur 5 ist ein Blockdiagramm und zeigt ein Anzeigegerät, das eine Flüssigkristallvorrichtung, bei der die Ferroelektrizität einer Flüssigkristallmischung ausgenutzt wird, und eine Graphik- Steuereinrichtung umfaßt;
Figur 6 ist ein Zeitdiagramm einer Bilddatenübertragung, das die zeitliche Korrelation zwischen Signalübertragung und Ansteuerung in bezug auf ein Flüssigkristall-Anzeigegerät und eine Graphik-Steuereinrichtung zeigt; und
Figur 7 ist eine graphische Darstellung, die Ergebnisse des nachstehenden Beispiels 28 zeigt.

NÄHERE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG

Die vorliegende Erfindung ist als eine Weiterentwicklung der JP-A 63-135922 gemacht worden und minimiert einen Nachteil einer nachstehend beschriebenen Anzeige, der auf die vorstehend erwähnte durch eine spontane Polarisation verursachte Gegenspannung zurückzuführen ist.
Im einzelnen kann die Umschaltung in dem Fall, daß die spontane Polarisation groß ist, mittels eines äußeren elektrischen Feldes nicht wirksam durchgeführt werden und erfüllt die Vorrichtung grundlegende Eigenschaften nicht. Wenn die spontane Polarisation klein ist, kann Bistabilität erzielt werden, jedoch wirkt die Gegenspannung wie eine Gleichstromvorspannung und verschlechtert die Bildgualität in der Anzeige.
Wenn ein Bildelement in einem bistabilen FLC-Anzeigefeld [FLC (ferroelectric liguid crystal) = ferroelektrischer Flüssigkristall] mit Speicherverhalten in einem "schwarzen" Zustand gewesen ist, sind in der Flüssigkristallschicht vorhandene Ionen polarisiert, so daß sie den Zustand unter Erzeugung eines elektrischen Gegenfeldes stabilisieren, dessen Richtung der eines elektrischen Feldes der spontanen Polarisation entgegengesetzt ist. Wenn dann durch eine äußere Treiberschaltung ein Signal "Weiß" gegeben wird, geht der gesamte Bereich des Bildelements sofort zu einem "weißen" Zustand über. Bei diesem Vorgang tritt die vorstehend erwähnte Gegenspannung auf, wodurch ein Teil des Bildelements, der eine niedrigere Schwellenspannung hat, (z.B. ein Bereich des Bildelements um eine Elektrodenkante oder Abstandshalterperlen herum) nach und nach zu einem ursprünglichen "schwarzen" Zustand zurückkehrt. Obwohl diese Erscheinung durch Abtastung in dem nächsten Bild bzw. Datenübertragungsblock wieder verursacht wird, nimmt der Bereich, der zu dem "schwarzen" Zustand zurückkehrt, entsprechend dem Rückgang der Gegenspannung ab. Die vorstehend erwähnte Erscheinung verschwindet somit, wenn eine stabile Ionenpolarisation hergestellt wird, die dem "weißen" Zustand entspricht. Eine ähnliche Erscheinung tritt auch beim Übergang von einem "weißen" Zustand zu einem "schwarzen" Zustand auf. Diese Erscheinung wird von einem Betrachter als Nachbild aus unscharfem bzw. verschwommenem Schwarz wahrgenommen, wenn das Signal von "Schwarz" zu "Weiß" verändert wird.
Wie vorstehend beschrieben wurde, hängt die Gegenspannung bei einer FLC-Anzeige mit grundlegenden Eigenschaften eines Anzeigefeldes und mit der Bildqualität wie z.B. einem Nachbild zusammen, so daß das Anzeigeverhalten beeinflußt wird.
Wir haben gefunden, daß durch Zusatz mindestens eines Mittels (einer Verbindung) zur Änderung bzw. Modifizierung des spezifischen Widerstandes, das (die) durch die vorstehenden Formeln (I) bis (IV) wiedergegeben wird, der spezifische Widerstand einer Flüssigkristallschicht aus einem nematischen Flüssigkristall oder einem ferroelektrischen Flüssigkristall beständig und dauerhaft vermindert werden kann und die vorstehend erwähnten Probleme gelöst werden können.
In der vorstehend beschriebenen Formel (I) können bevorzugte Beispiele für R die folgenden Gruppen (i) und (ii) einschließen:
(i) eine n-Alkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen und vor allem 4 bis 14 Kohlenstoffatomen und
(ii)
worin p eine ganze Zahl von 0 bis 7 bezeichnet und k eine ganze Zahl von 1 bis 9 bezeichnet (optisch aktiv oder inaktiv, wenn k 2 beträgt oder höher ist).
Ferner kann X in der Formel (I) vorzugsweise -O- sein.
Bestimmte Beispiele für das Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes, das durch die vorstehend erwähnte allgemeine Formel (I) wiedergegeben wird, können die einschließen, die durch die folgenden Strükturformeln bezeichnet sind.
Das Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes, das durch die Formel (I) wiedergegeben wird, kann im allgemeinen durch die folgenden Reaktionsschemas synthetisiert werden.
(Fall, wo X -O- ist)
Im vorstehenden bezeichnet Y -Br, -I oder -OSO&sub2;
CH&sub3; und bezeichnet R dasselbe wie vorstehend definiert.
(Fall, wo X - O- ist)
Im vorstehenden bezeichnet R dasselbe wie vorstehend definiert.

Synthesebeispiel 1

Herstellung von 2,3-Dicyan-4-hexyloxyphenol (Beispielverbindung Nr. 1-7)

27 g (168,8 mmol) 2,3-Dicyanhydrochinon und 22,2 g (337 mmol) 85%iges Kaliumhydroxid wurden in einer Lösungsmittelmischung aus 65 ml Methanol und 302 ml Dimethylformamid gelöst, worauf Erhitzen auf 50 ºC folgte. Der Lösung wurden in 25 Minuten tropfenweise 33,4 g (202,4 mmol) Hexylbromid zugesetzt, worauf Erhitzen auf 100 ºC und 3stündiges Rühren folgten. Die Reaktionsmischung wurde in kaltes Wasser gegossen und mit Ether gewaschen. Die wäßrige Schicht wurde mit 6-n-Salzsäure angesäuert, wobei ein pH-Wert von 1 erhalten wurde, worauf eine Ausfällung von Kristallen folgte. Die Kristalle wurden mit Ether extrahiert, und die Etherschicht wurde mit 5%iger wäßriger Natriumhydrogencarbonatlösung gewaschen und ferner mit Wasser gewaschen, worauf Abdestillieren des Lösungsmittels folgte, wobei ein Rohprodukt erhalten wurde. Das Rohprodukt wurde mit Aktivkohle behandelt und aus Methanol umkristallisiert, wobei 13,1 g 2,3-Dicyan-4-hexyloxyphenol erhalten wurden.
In der vorstehend beschriebenen Formel (II) kann R&sub1; vorzugsweise eine n-Alkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen und insbesondere 3 bis 14 Kohlenstoffatomen sein.
Bestimmte Beispiele für das Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes, das durch die Formel (II) wiedergegeben wird, können die einschließen, die durch die folgenden Strukturformein bezeichnet sind.
Das Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes, das durch die Formel (II) wiedergegeben wird, kann im allgemeinen durch die folgenden Reaktionsschemas synthetisiert werden.
(Fall, wo X&sub1; - O- ist)
(Fall, wo X&sub1; -CH&sub2;O- ist)

Synthesebeispiel 2

4-n-Pentylcyclohexylmethyl-2,3-dicyan-4-hydroxyphenylether (Beispielverbindung Nr. 2-20) wurde durch die folgenden Schritte i) bis iii) synthetisiert.

Schritt i)

Einer Dispersion von 1,75 g Lithiumaluminiumhydrid in 40 ml trockenem Ether wurde tropfenweise unter 5 ºC eine Lösung von 10 g 4-n-Pentylcyclohexancarbonylchlorid in 12 ml Ether zugesetzt, worauf Rühren über Nacht bei Raumtemperatur folgte. Nach der Reaktion wurde die Reaktionsmischung mit 5%iger wäßriger Salzsäurelösung angesäuert, bis ein pH-Wert von 1 gezeigt wurde, und einer Extraktion mit Ether unterzogen. Die organische Schicht wurde nacheinander mit Wasser, 5%igem Natriumhydroxid und Wasser gewaschen, worauf Trocknen mit wasserfreiem Magnesiumsulfat folgte. Die resultierende organische Schicht wurde filtriert, worauf Abdestillieren des Lösungsmittels folgte, wobei 8,2 g 4-n-Pentylcyclohexylmethanol erhalten wurden.

Schritt ii)

8,0 g 4-n-Pentylcyclohexylmethanol wurden in einer Lösungsmittelmischung aus 8 ml Pyridin und 8 ml Toluol gelöst. Der Lösung wurden unter 10 ºC tropfenweise 6,0 g Methansulfonylchlorid zugesetzt, worauf Rühren über Nacht bei Raumtemperatur folgte. Nach der Reaktion wurde die Reaktionsmischung in kaltes Wasser gegossen und einer Extraktion mit Toluol unterzogen, worauf nacheinander mit 5%iger wäßriger Salzsäurelösung und Wasser gewaschen und mit wasserfreiem Magnesiumsulfat getrocknet wurde. Die erhaltene organische Schicht wurde filtriert, worauf Abdestillieren des Lösungsmittels folgte, wobei 11,3 g 4-n-Pentylcyclohexylmethylmethansulfonat erhalten wurden.

Schritt iii)

Einer Lösungsmittelmischung aus 15 ml Methanol und 60 ml N,N- Dimethylformamid wurden 5,6 g 2,3-Dicyanhydrochinon und 4,6 g 85%iges Kaliuinhydroxid zugesetzt, worauf Erhitzen auf 50 ºC folgte, wobei eine Lösung erhalten wurde. Der Lösung wurden 11,0 g 4-n-Pentylcyclohexylmethylmethansulfonat zugesetzt, worauf 3stündiges Rühren bei 100 ºC folgte. Nach der Reaktion wurde die Reaktionsmischung in kaltes Wasser gegossen und mit Ether gewaschen. Die wäßrige Schicht wurde mit wäßriger 6-n-Salzsäurelösung angesäuert, bis ein pH-Wert von 1 gezeigt wurde, und einer Extraktion mit Ether unterzogen. Die organische Schicht wurde nacheinander mit 5%iger wäßriger Natriumnydrogencarbonatlösung und Wasser gewaschen, worauf Trocknen mit wasserfreiem Magnesiumsulfat und Abdestillieren des Lösungsmittels folgten, wobei ein Rohprodukt erhalten wurde. Das Rohprodukt wurde durch Kieselsäuregel-Säulenchromatographie (Elutionsmittel: Toluol/Ethylacetat) gereinigt und mit Aktivkohle behandelt, worauf Umkristallisieren aus Methanol folgte, wobei 3,6 g 4-n-Pentylcyclohexylmethyl-2,3-dicyan-4-hydroxyphenylether erhalten wurden.
In der vorstehend beschriebenen Formel (III) kann R&sub2; vorzugsweise irgendeines von Wasserstoff und den folgenden Gruppen (i) und (ii) sein:
(i) einer n-Alkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen und vor allem 4 bis 14 Kohlenstoffatomen und
(ii)
worin p eine ganze Zahl von 0 bis 7 bezeichnet und k eine ganze Zahl von 1 bis 9 bezeichnet (optisch aktiv oder inaktiv, wenn k 2 beträgt oder höher ist).
Ferner können Y&sub1;, Y&sub2;, Y&sub3; und Y&sub4; vorzugsweise die folgenden Kombinationen (iii) bis (xi) einschließen:
(iii) Y&sub1; = Y&sub3; = Y&sub4; = H und Y&sub2; = F;
(iv) Y&sub1; = F und Y&sub2; = Y&sub3; = Y&sub4; = H;
(v) Y&sub1; = Y&sub3; = H und Y&sub2; = Y&sub4; = F;
(vi) Y&sub1; = Y&sub3; = F und Y&sub2; = Y&sub4; = H;
(vii) Y&sub1; = Y&sub4; = F und Y&sub2; = Y&sub3; = H;
(viii) Y&sub1; = Y&sub2; = F und Y&sub3; = Y&sub4; = H;
(ix) Y&sub1; = Y&sub2; = Y&sub3; = Y&sub4; = F;
(x) Y&sub1; = Y&sub3; = H und Y&sub2; = Y&sub4; = CF&sub3;; und
(xi) Y&sub1; = Y&sub3; = CF&sub3; und Y&sub2; = Y&sub4; = H.
Bestimmte Beispiele für das Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes, das durch die Formel (III) wiedergegeben wird, können die einschließen, die durch die folgenden Strukturformein bezeichnet sind.
Das Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes, das durch die Formel (III) wiedergegeben wird, kann im allgemeinen durch die folgenden Reaktionsschemas synthetisiert werden.
(Fall, wo X&sub2; -O- ist)
(Fall, wo X&sub2; - O- ist) DCC (Dicyclohexylcarbodiimid)

Synthesebeispiel 3

Herstellung von 4-Nonanoyloxy-2,3,5,6-tetrafluorphenol (Beispielverbindung Nr. 3-33)

2,0 g (11,0 mmol) 2,3,5,6-Tetrafluorhydrochinon, 0,87 g (5,5 mmol) Pelargonsäure, 1,13 g (5,5 mmol) Dicyclohexylcarbodiimid und eine katalytische Menge von 4-Pyrrolidinopyridin wurden zu 20 ml Tetrahydrofuran hinzugegeben, worauf 3stündiges Rühren bei Raumtemperatur folgte. Nach der Reaktion wurde der unlösliche Rückstand abfiltriert, worauf Abdestillieren des Lösungsmittels folgte, wobei ein Rohprodukt erhalten wurde. Das Rohprodukt wurde durch Kieselsäuregel-Säulenchromatographie (Elutionsmittel: Toluol) gereinigt, wobei 0,57 g eines gewünschten Produkts erhalten wurden (Ausbeute: 32,2 %).

Synthesebeispiel 4

Herstellung von Octyl-4-hydroxy-3-fluorbenzoat (Beispielverbindung Nr. 3-2)

40 ml 1,2-Dichlorethan wurden 2,0 g (12,8 mmol) Fluorbenzoesäure, 5,0 g (38,5 mmol) n-Octanol und 20 ml konzentrierte Schwefelsäure zugesetzt, worauf 8stündiges Erhitzen unter Rückfluß folgte. Nach der Reaktion wurde die Reaktionsmischung in 100 ml Wasser gegossen und dreimal mit 50 ml Dichlormethan extrahiert. Die organische Schicht wurde wiederholt mit Wasser gewaschen, bis die Waschflüssigkeit einen neutralen pH-Wert zeigte, worauf Trocknen mit wasserfreiem Magnesiumsulfat und ferner Filtrieren folgten. Das Lösungsmittel wurde abdestilliert, und das erhaltene Rohprodukt wurde durch Kieselsäuregel-Säulenchromatographie (Elutionsmittel: Toluol/Ethylacetat = 5/1) gereinigt, wobei 1,26 g eines gewünschten Produkts erhalten wurden (Ausbeute: 36,6 %).
In der vorstehend beschriebenen Formel (IV) kann R&sub3; vorzugsweise irgendeine der folgenden Gruppen (i) und (ii) einschließen:
(i) eine n-Alkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen und vor allem 4 bis 14 Kohlenstoffatomen und
(ii)
worin p eine ganze Zahl von 0 bis 7 bezeichnet und k eine ganze Zahl von 1 bis 9 bezeichnet (optisch aktiv oder inaktiv, wenn k 2 beträgt oder höher ist).
Ferner kann X&sub4; vorzugsweise -O- oder - O- sein, wenn m 0 ist, und vorzugsweise - O- sein, wenn m 1 ist.
X&sub3; kann vorzugsweise eine Einfachbindung sein, wenn -A--
ist.
Bestimmte Beispiele für das Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes, das durch die Formel (IV) wiedergegeben wird, können die einschließen, die durch die folgenden Strukturformein bezeichnet sind.
Das Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes, das durch die Formel (IV) wiedergegeben wird, kann im allgemeinen durch die folgenden Reaktionsschemas synthetisiert werden.
(Fall, wo X&sub4; -O- ist)
wenn m 0 oder 1 ist und A ist Alkali
wenn in 1 ist und A ist Alkali
(Fall, wo X&sub4; - O- ist)
(Fall, wo X&sub4; -CH&sub2;O- ist)
Im vorstehenden sind R&sub3;, X&sub3;, A und in dieselben wie vorstehend definiert und bezeichnet Y&sub5; eine Gruppe wie z.B. -Br, -I oder

Synthesebeispiel 5

4-Hexyloxy-2,5-dicyanphenol (Beispielverbindung Nr. 4-3) wurde durch die folgenden Schritte i) bis iv) synthetisiert.

Schritt i)

In einen 2-Liter-Reaktionsbehälter wurden 200 g (1,45 mol) Hydrochinondimethylether und 1 Liter Eisessig eingefüllt. Der Mischung wurde tropfenweise in 3 Stunden unter 10 ºC eine Lösung von 463 g (2,90 mol) Brom in 300 ml Eisessig zugesetzt, worauf 20stündiges Rühren bei Raumtemperatur folgte, wobei Kristalle ausgefällt wurden. Die Kristalle wurden durch Filtrieren gewonnen und nacheinander mit Wasser und Methanol gewaschen, worauf Trocknen folgte, wobei 323 g 2,5-Dibrom-1,4-dimethoxybenzol erhalten wurden (Ausbeute: 75,3 %).

Schritt ii)

In einen 3-Liter-Reaktionsbehälter wurden 300 g (1,01 mol) 2,5- Dibrom-1,4-dimethoxybenzol, 215 g (2,40 mol) Kupfer(I)-cyanid und 1,5 Liter DMF (N,N-Dimethylformamid) eingefüllt, worauf 8stündiges Erhitzen unter Rückfluß folgte. Nach der Reaktion wurde die Reaktionsmischung abgekühlt und in eine Lösung von Eisen(III)-chlorid-Hexahydrat in 1,6-n-Salzsäure gegossen, wobei Kristalle ausgefällt wurden. Die Kristalle wurden durch Filtrieren gewonnen und nacheinander mit 20%igem Ammoniakwasser, Wasser und Methanol gewaschen, worauf Trocknen folgte, wobei 142 g 2,5-Dicyan-1,4-dimethoxybenzol erhalten wurden (Ausbeute: 74,8 %).

Schritt iii)

In einen 5-Liter-Reaktionsbehälter wurden 100 g (5,32 × 10&supmin;¹ mol) 2,5-Dicyan-1,4-dimethoxybenzol, 312,5 g (1,17 mol) wasserfreies Aluminiumtribromid und 2,5 Liter trockenes Benzol eingefüllt, worauf 7stündiges Erhitzen unter Rückfluß folgte. Nach der Reaktion wurde die Reaktionsmischung abgekühlt und in eine Mischung aus 3 kg gestoßenem Eis und 500 ml konzentrierter Salzsäure gegossen, wobei Kristalle ausgefällt wurden. Die Kristalle wurden durch Filtrieren gewonnen und in wäßriger 2-n-Natriumhydroxidlösung gelöst. Der resultierende unlösliche Rückstand wurde abfiltriert, und das Filtrat wurde mit 2-n-Salzsäure angesäuert, wobei Kristalle ausgefällt wurden. Die Kristalle wurden durch Filtrieren gewonnen und mit Wasser gewaschen, worauf Trocknen folgte, wobei 35,5 g 2,5-Dicyannydrochinon erhalten wurden (Ausbeute: 41,7 %).

Schritt iv)

In einen 300-ml-Reaktionsbehälter wurden 35,0 g (2,19 × 10&supmin;¹ mol) 2,5-Dicyanhydrochinon, 23,8 g (1,44 × 10&supmin;¹ mol) n-Hexylbromid, 20,0 g (1,45 × 10&supmin;¹ mol) Kaliumcarbonat und 180 ml DMF eingefüllt, worauf 3stündiges Rühren bei 120 ºC folgte. Nach der Reaktion wurde die Reaktionsmischung abgekühlt und in 500 ml 4-n- Salzsäure gegossen, worauf Extraktion mit Ethylacetat folgte. Die organische Schicht wurde mit Wasser gewaschen und mit wasserfreiem Magnesiumsulfat getrocknet, worauf Abdestillieren des Lösungsmittels folgte. Der erhaltene Rückstand wurde durch Kieselsäuregel-Säulenchromatographie (Elutionsmittel: n-Hexan/Ethylacetat = 2/1) gereinigt, wobei 17,6 g eines Rohprodukts erhalten wurden. Das Rohprodukt wurde in Ethanol gelöst und mit Aktivkohle behandelt, worauf Umkristallisieren aus Ethanol folgte, wobei 8,2 g 4-Hexyloxy-2,5-dicyanphenol erhalten wurden (Ausbeute: 22,9 %).
Wenn eine Flüssigkristallmischung verwendet wird, die eine große Menge mindestens eines Mittels zur Änderung des spezifischen Widerstandes, das durch die Formeln (I) bis (IV) wiedergegeben wird, enthält, treten Schwierigkeiten wie die ein, daß die Temperatur, bei der eine mesomorphe Phase angenommen wird, zu sehr herabgesetzt wird, das Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes bei einer niedrigen Temperatur ausgefällt wird und die Ansprechgeschwindigkeit einer Flüssigkristallvorrichtung durch den Einfluß der Dicyanstruktur, die die Viskosität einer Flüssigkristallschicht erhöht, vermindert wird. Wenn andererseits eine sehr geringe Menge mindestens eines Mittels zur Änderung des spezifischen Widerstandes verwendet wird, kann eine Flüssigkristallmischung, die das Mittel enthält, keine Flüssigkristallschicht liefern, die einen ausreichend niedrigen spezifischen Widerstand hat.
Bei der Formulierung der Flüssigkristallmischung gemäß der vorliegenden Erfindung kann in der Mischung mindestens ein Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes, das durch die Formeln (I) bis (IV) wiedergegeben wird, vorzugsweise in einer Menge von 0,01 bis 5 Masse%, insbesondere 0,05 bis 2 Masse% und vor allem 0,2 bis 1 Masse% enthalten sein. Wenn zwei oder mehr Arten von Mitteln zur Änderung des spezifischen Widerstandes, die durch die Formeln (I) bis (IV) wiedergegeben werden, verwendet werden, können die zwei oder mehr Arten von Mitteln zur Änderung des spezifischen Widerstandes der Formeln (I) bis (IV) in der Mischung vorzugsweise in einer Menge von 0,01 bis 10 Masse%, insbesondere 0,01 bis 4 Masse% und vor allem 0,2 bis 2 Masse% enthalten sein. Ferner können die vorstehend erwähnten zwei oder mehr Arten von Mitteln zur Änderung des spezifischen Widerstandes aus denen ausgewählt werden, die durch mindestens eine der Formeln (I) bis (IV) wiedergegeben werden. Durch Verwendung von zwei oder mehr Arten von Mitteln zur Änderung des spezifischen Widerstandes ist es möglich, die Menge, in der sie der Mischung zugesetzt werden, zu erhöhen, ohne daß sie ausgefällt werden. Wenn der Mischung beispielsweise 3 Masse% eines Mittels zur Änderung des spezifischen Widerstandes, das im Rahmen der vorliegenden Erfindung verwendet wird, zugesetzt werden, kann vor allem bei einer niedrigeren Temperatur wegen schlechter Löslichkeit eine Ausfällung des Mittels zur Änderung des spezifischen Widerstandes eintreten, obwohl der spezifische Widerstand einer Flüssigkristallschicht ausreichend vermindert wird. Wenn der Mischung andererseits zwei Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes, die unterschiedliche Kohlenstoffatome haben und z.B. durch die Formel (I) wiedergegeben werden, in einer Gesamtmenge von 3 Masse% zugesetzt werden, kann die Menge, in der jedes Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes zugesetzt wird, 1,5 Masse% betragen. Als Folge tritt selbst bei einer niedrigeren Temperatur keine Ausfällung ein und kann ein Zustand mit niedrigem spezifischem Widerstand beständig aufrechterhalten werden.
Die Flüssigkristallmischung gemäß der vorliegenden Erfindung, die mindestens ein Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes, das durch die Formeln (I) bis (IV) wiedergegeben wird, enthält, kann eine mesomorphe Phase wie z.B. eine nematische Phase, eine cholesterische Phase, eine smektische Phase oder eine chirale smektische Phase annehmen
Die Flüssigkristallvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung kann vorzugsweise hergestellt werden, indem die Flüssigkristallmischung, die wie vorstehend beschrieben hergestellt worden ist, unter Vakuum zu einer isotropen Flüssigkeit erhitzt wird, eine Leerzelle, die ein Paar Elektrodenplatten, die mit Abstand gegenüberliegend angeordnet sind, umfaßt, mit der Mischung gefüllt wird, die Zelle nach und nach abgekühlt wird, um eine Flüssigkristallschicht zu bilden, und der Normaldruck wiederhergestellt wird.
Figur 1 ist eine schematische Schnittzeichnung einer Ausführungsform der wie vorstehend beschrieben hergestellten Flüssigkristallvorrichtung, bei der die Ferroelektrizität ausgenutzt wird, zur Erläuterung ihrer Struktur.
Unter Bezugnahme auf Figur 1 umfaßt die Flüssigkristallvorrichtung eine Flüssigkristallschicht 18, die eine chirale smektische Phase annimmt und die zwischen einem Paar Glassubstraten 11 angeordnet ist, auf denen sich je eine lichtdurchlässige Elektrode 12, die eine Schicht aus z.B. ITO (Indiumzinnoxid) umfaßt, und eine isolierende Ausrichtungseinstellungsschicht 13 befinden. Die Flüssigkristallschicht 18 umfaßt positive Ionen 14 und negative Ionen 15. In der Flüssigkristallschicht 18 zeigen Flüssigkristallmoleküle zwei stabile Zustände 16 und 17.
Auf Basis des Anordnungs- und Datenformats, das Bilddaten umfaßt, die von Abtastzeilen-Adressendaten begleitet sind, und durch Befolgung der Übertragungssynchronisation unter Anwendung eines Synchronisationssignals (SYNC) wie in Figuren 5 und 6 gezeigt wird ein Flüssigkristall-Anzeigegerät der vorliegenden Erfindung bereitgestellt, bei dem als Anzeigefeldabschnitt die Flüssigkristallvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung angewendet wird.
Unter Bezugnahme auf Figur 5 schließt das ferroelektrische Flüssigkristall-Anzeigegerät 101 eine Graphik-Steuereinrichtung 102, ein Anzeigefeld 103, eine Abtastzeilen-Ansteuerungsschaltung 104, eine Datenzeilen- bzw. Datenleitunqs-Ansteuerungsschaltung 105, einen Decodierer 106, einen Abtastsignalgenerator 107, ein Schieberegister 108, einen Zeilenspeicher 109, einen Datensignalgenerator 110, eine Ansteuerungsschaltung 111, eine Graphik- Zentralverarbeitungseinheit (GZVE) 112, eine Datenanbiete-Zentralverarbeitungseinheit (Datenanbiete-ZVE) 113 und einen Bilddatenspeicher (VRAM) 114 ein.
In Figur 5 umfaßt die Flüssigkristallvorrichtung ferner ein Paar Polarisationsplatten in Form gekreuzter Nicols.
Bilddaten werden in der Graphik-Steuereinrichtung 102 in einem Gerätekörper erzeugt und durch eine in Figuren 5 und 6 gezeigte Signalübertragungseinrichtung zu einem Anzeigefeld 103 übertragen. Die Graphik-Steuereinrichtung 102 umfaßt hauptsächlich eine ZVA (Zentralverarbeitungseinheit, nachstehend als "GZVE" bezeichnet) 112 und einen VRAM (Video-RAM, Schnellzugriffsspeicher für Bilddaten) 114 und ist für Verwaltung und Übertragung von Bilddaten zwischen einer Datenanbiete-ZVA 113 und dem Flüssigkristall-Anzeigegerät (FLCD) 101 zuständig. Die Steuerung des Anzeigegeräts wird hauptsächlich in der Graphik-Steuereinrichtung 102 realisiert. An der Rückseite des Anzeigefeldes 103 ist eine Lichtquelle angeordnet.
Die vorliegende Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf Beispiele näher erläutert.

Beispiel 1

Eine ferroelektrische Flüssigkristallvorrichtung (-zelle) mit einer 1,5 Mikrometer dicken Flüssigkristallschicht, wie sie in Figur 1 gezeigt ist, wurde in der folgenden Weise hergestellt.
Auf jeder der auf einem Paar Glassubstraten 11 angeordneten lichtdurchlässigen Elektroden (ITO) 12 wurde durch Zerstäubung eine 1000 Å dicke isolierende Schicht 13 aus Ta&sub2;O&sub5; gebildet. Ferner wurde auf der isolierenden Schicht 13 eine 100 Å dicke Ausrichtungseinstellungsschicht 13 aus Polyimid (z.B. SE-100, hergestellt durch Nissan Kagaku K.K.) gebildet. Die Glassubstrate des auf diese Weise hergestellten Paares wurden einander gegenüberliegend angeordnet, um eine Leerzelle herzustellen.
Flüssigkristallmischungen mit verschiedenen Werten der spontanen Polarisation Ps wurden jeweils durch Vermischen der folgenden Bestandteile in vorgeschriebenen Anteilen hergestellt.
(Bestandteile von Flüssigkristallmischungen)
Jeder vorstehend hergestellten Flüssigkristallmischung wurde ein Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes (Beispielverbindung Nr. 1-10), das durch die Formel (I) wiedergegeben wird, in einer Menge von 1 Masse% zugesetzt, und dann wurde jede der erhaltenen Flüssigkristallmischungen in die Leerzelle eingespritzt, um die ferroelektrische Flüssigkristallvorrichtung (-zelle) herzustellen.
Eine Vergleichszelle wurde separat hergestellt, indem die isolierende Schicht weggelassen wurde. An jede Probenzelle wurde ein Sättigungsspannungsimpuls angelegt, der ausreichte, um bei der Vergleichszelle eine 100%ige Umkehrung zu verursachen, und der Flächenanteil des umgekehrten Anteils wurde in Form des Verhältnisses des Durchlaßgrades durch die Probenzelle zu dem durch die Vergleichszelle gemessen. Die Ergebnisse sind nachstehend in Tabelle 1 gezeigt. Tabelle 1 Umgekehrter Anteil (%) (bei 25 ºC) Mittel zur Anderung des spezifischen Widerstandes (1 Masse%) zuesetzt nicht zugesetzt
Wie aus den vorstehenden Ergebnissen ersichtlich ist, wurde durch Verwendung der Flüssigkristallmischung der vorliegenden Erfindung die Gegenspannung schnell abgeschwächt, so daß das bistabile Umschaltverhalten der Flüssigkristallvorrichtung der vorliegenden Erfindung verbessert wurde.

Beispiele 2 bis 7

Ferroelektrische Fiüssigkristallzellen wurden in derselben Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, außer daß das Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes und die Menge, in der es zugesetzt wurde, verändert wurden, wie es in der nachstehenden Tabelle 2 gezeigt ist.
Die vorstehend hergestellten Flüssigkristallmischungen oder Flüssigkristallzellen wurden wie folgt einer Bewertung verschiedener Zelleneigenschaften unterzogen:

Spezifischer Volumenwiderstand ( LC)

Der spezifische Widerstand einer Flüssigkristallschicht (RLC) für die Messung wird durch ein Verfahren gemessen, das in Figur 3A gezeigt ist. Unter Bezugnahme auf Figur 3A wird an eine Zelle 31 für die Messung des spezifischen Widerstandes, an der außen ein Mylar-Kondensator 32 (Kapazität: Ci) angebracht ist, eine Rechteckwelle aus einem Funktionsgenerator angelegt. Die Zelle 31 umfaßt eine Ausrichtungsschicht aus einer dünnen Polyimidschicht (Dicke: < 50 Å), die auf einer ITO-Elektrode angeordnet ist. Es wird eine durch einen Pufferverstärker 34 gemessene Spannungskurve der Zelle 31 vorgegeben, z.B. wie in Figur 38 gezeigt ist. In Figur 38 wird eine maximale Spannung V&sub0; in einer Zeit τ (s), die von der Polaritätsumkehrung einer Rechteckwelle an gerechnet wird, auf V&sub0;/e (e: Basis des natürlichen Logarithmus) abgeschwächt. Zu dieser Zeit wird der spezifische Widerstand RLC durch ein oszilloskop gemessen und durch die folgende Gleichung angegeben: RLC = τ/(ci + CLC) (Ω/cm²). Der spezifische Volumenwiderstand LC wird aus der folgenden Gleichung erhalten: LC = RLC S/dLC, worin S die Elektrodenfläche bezeichnet und dLC die Dicke der Flüssigkristallschicht bezeichnet.

Ansprechverzögerungszeit

Figur 4A zeigt die Änderung der Leuchtdichte (des Durchlaßgrades) auf Basis des Ausgangssignalpegels "Weiß" eines Sekundärelektronenvervielfachers für den Fall, daß an eine Zelle, die unter im rechten Winkel gekreuzten Nicolschen Polarisatoren momentan "Schwarz" zeigt, eine Impulsspannung für die Umschaltung zu "Weiß" angelegt wird. Der Pegel der Leuchtdichte ist einige Sekunden lang niedriger als der Sättigungspegel. Wir bezeichnen diese Erscheinung als "Ausfall oder Verzögerung des Ansprechens". Die Zeit, die vom Anlegen der Impulsspannung vergeht, bis die Leuchtdichte den vorgeschriebenen "weißen" Pegel erreicht, wird als "Ansprechverzögerungszeit" bezeichnet.
Die vorstehend erwähnte Ansprechverzögerung kann der Erscheinung zuzusprechen sein, daß die Gegenspannung eine Rückkehr von Flüssigkristallmolekülen zu "Schwarz" verursacht, wenn ein Impuls für die Umschaltung von "Schwarz" zu "Weiß" angelegt wird, so daß die Leuchtdichte des "weißen" Pegels während des Vorhandenseins der Gegenspannung vermindert wird.
Die Flüssigkristallmischung oder die Flüssigkristallzellen, die wie vorstehend erwähnt hergestellt wurden, wurden jeweils einer Messung des spezifischen Volumenwiderstandes ( LC) und der vorstehend beschriebenen Ansprechverzögerungszeit unterzogen. Die Ergebnisse sind in der nachstehenden Tabelle 2 gezeigt. Tabelle 2 (Ps = 10 nC/cm², bei 25 ºC) Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes (Beisp.verb. Nr.) Zugesetzte Menge (Masse%) Ansprechverzögerungszeit (s) nicht zugesetzt [50/50, auf die Masse bezogen]
Wie aus den vorstehenden Ergebnissen ersichtlich ist, wurde der spezifische Volumenwiderstand der Flüssigkristallschicht durch Zusatz des im Rahmen der vorliegenden Erfindung verwendeten Mittels zur Änderung des spezifischen Widerstandes beständig und sich wiederholend vermindert. Wie in Figur 4 gezeigt ist, verschwand ferner die Ansprechverzögerung im wesentlichen oder vollständig, so daß Anzeigefeld-Nachbilder [Bilder (z.B. "Schwarz"), die in einem Anzeigefeld auf anschließend angezeigten Bildern (z.B. "Weiß") zurückbleiben] in erheblichem Maße verringert wurden.

Beispiel 8

Ferroelektrische Flüssigkristallzellen wurden in derselben Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, außer daß als Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes die Beispielverbindungen Nrn. (1-1), (1-3), (1-6), (1-16), (1-24), (1-25), (1-28) und (1-32) verwendet wurden. Die Flüssigkristallmischungen oder -zellen, die wie vorstehend erwähnt hergestellt wurden, wurden jeweils in derselben Weise wie in Beispielen 2 bis 7 einer Messung des spezifischen Volumenwiderstandes ( LC) und der Ansprechverzögerungszeit unterzogen, wobei ein gutes Anzeigeverhalten mit verringerten Anzeigefeld-Nachbildern erzielt wurde.

Beispiel 9

Ferroelektrische Flüssigkristallzellen wurden in derselben Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, außer daß als Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes die Beispielverbindung Nr. (2-4) anstelle von (1-10) verwendet wurde, und jeweils einer Messung des umgekehrten Anteils unterzogen. Die Ergebnisse sind in der nachstehenden Tabelle 3 gezeigt. Tabelle 3 Umgekehrter Anteil (%) (bei 25 ºC) Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes (1 Masse%) zugesetzt nicht zugesetzt
Anhand der vorstehenden Ergebnisse erkannten wir, daß durch Verwendung der Flüssigkristallmischung der vorliegenden Erfindung die Gegenspannung schnell abgeschwächt wurde, so daß das bistabile Umschaltverhalten verbessert wurde.

Beispiele 10 bis 14

Ferroelektrische Flüssigkristallzellen wurden in derselben Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, wobei die verwendeten Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes in den in der nachstehenden Tabelle 4 gezeigten Mengen zugesetzt wurden. Die wie vorstehend erwähnt hergestellten Flüssigkristallzellen wurden jeweils in derselben Weise wie in Beispielen 2 bis 7 einer Messung des spezifischen Volumenwiderstandes ( LC) und der Ansprechverzögerungszeit unterzogen. Die Ergebnisse sind in der nachstehenden Tabelle 4 gezeigt. Tabelle 4 (Ps = 10 nC/cm², bei 25 ºC) Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes (Beisp.verb. Nr.) Zugesetzte Menge (Masse%) Ansprechverzögerungszeit (s) nicht zugesetzt [50/50, auf die Masse bezogen]
Aus den vorstehenden Ergebnissen ist ersichtlich, daß die Flüssigkristallmischung der vorliegenden Erfindung, die das Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes enthält, einen niedrigeren spezifischen Volumenwiderstand hatte, so daß die Ansprechverzögerungszeit verkürzt wurde, wodurch Anzeigefeld-Nachbilder verringert wurden.

Beispiel 15

Flüssigkristallzellen wurden in derselben Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, wobei handelsübliche Flüssigkristalle verwendet wurden, die in der nachstehenden Tabelle 5 gezeigt sind. Die Flüssigkristallzellen wurden jeweils in derselben Weise wie in Beispielen 2 bis 7 einer Messung des spezifischen Volumenwiderstandes ( LC) und der Ansprechverzögerungszeit unterzogen. Die Ergebnisse sind in der nachstehenden Tabelle 5 gezeigt. Tabelle 5 (bei 30 ºC) Flüssigkristall CS-1014 (hergestellt durch Chisso K.K.) ZLI-3654 (hergestellt durch E. Merck) Vergl.beisp. ... nicht zugesetzt Beisp. 15 ... 1 Masse% zugesetzt (Beisp.verb. Nr. 2-20) Ansprechverzögerungszeit (s)
Selbst als anstelle der Flüssigkristallmischung der vorliegenden Erfindung andere Flüssigkristalle verwendet wurden, konnte das im Rahmen der vorliegenden Erfindung verwendete Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes den spezifischen Volumenwiderstand und die Ansprechverzögerungszeit von jedem solcher unterschiedlichen Flüssigkristalle vermindern.

Beispiel 16

Ferroelektrische Flüssigkristallzellen wurden in derselben Weise wie in Beispiel 10 hergestellt, außer daß als Mittel zur Anderung des spezifischen Widerstandes die Beispielverbindungen Nrn. (2-2), (2-8), (2-9), (2-11), (2-15), (2-23) und (2-27) anstelle von (2-20) verwendet wurden, und jeweils in derselben Weise wie in Beispielen 2 bis 7 einer Messung des spezifischen Volumenwiderstandes ( LC) und der Ansprechverzögerungszeit unterzogen, wobei ähnlich wie in Beispiel 10 ein gutes Anzeigeverhalten mit verringerten Anzeigefeld-Nachbildern erzielt wurde.

Beispiel 17

Ferroelektrische Flüssigkristallzellen wurden in derselben Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, außer daß als Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes die Beispielverbindung Nr. (3-28) anstelle von (1-10) verwendet wurde, und jeweils einer Messung des umgekehrten Anteils unterzogen. Die Ergebnisse sind in der nachstehenden Tabelle 6 gezeigt. Ferner zeigte der spezifische Volumenwiderstand der Flüssigkristallzellen, die in der vorstehend erwähnten Weise hergestellt wurden, die folgenden Werte.
Vor dem Zusatz: LC ≥ 2 × 10¹¹ (Ω cm)
Nach dem Zusatz (1 Masse% zugesetzt): LC 4 × 10¹&sup0; (Ω cm) Tabelle 6 Umgekehrter Anteil (%) (bei 25 ºC) Mittel zur nderung des spezifischen Widerstandes (1 Masse%) zugesetzt nicht zugesetzt
Anhand der vorstehenden Ergebnisse erkannten wir, daß durch Verwendung der Flüssigkristallmischung der vorliegenden Erfindung, die einen verminderten spezifischen Volumenwiderstand hat, die Gegenspannung schnell abgeschwächt wurde, so daß die Bistabilität erhöht wurde.

Beispiele 18 bis 20

Ferroelektrische Flüssigkristallzellen wurden in derselben Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, wobei die verwendeten Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes in den in der nachstehenden Tabelle 7 gezeigten Mengen zugesetzt wurden. Die wie vorstehend erwähnt hergestellten Flüssigkristallzellen wurden jeweils in derselben Weise wie in Beispielen 2 bis 7 einer Messung des spezifischen Volumenwiderstandes ( LC) und der Ansprechverzögerungszeit unterzogen. Die Ergebnisse sind in der nachstehenden Tabelle 7 gezeigt. Tabelle 7 (Ps = 10 nC/cm², bei 25 ºC) Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes (Beisp.verb. Nr.) Zugesetzte Menge (Masse%) Ansprechverzögerungszeit (s) nicht zugesetzt
Aus den vorstehenden Ergebnissen ist ersichtlich, daß die Flüssigkristallmischung der vorliegenden Erfindung, die das Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes enthält, einen niedrigeren spezifischen Volumenwiderstand hatte, so daß die Ansprechverzögerungszeit verkürzt wurde, wodurch Anzeigefeld-Nachbilder verringert wurden.

Beispiel 21

Ferroelektrische Flüssigkristallzellen wurden in derselben Weise wie in Beispiel 18 hergestellt, außer daß als Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes die Beispielverbindungen Nrn. (3-1), (3-5), (3-11), (3-15), (3-42), (3-61) und (3-67) anstelle von (3-28) verwendet wurden, und jeweils in derselben Weise wie in Beispielen 2 bis 7 einer Messung des spezifischen Volumenwiderstandes ( LC) und der Ansprechverzögerungszeit unterzogen, wobei ähnlich wie in Beispiel 18 ein gutes Anzeigeverhalten mit verringerten Anzeigefeld-Nachbildern erzielt wurde.

Beispiele 22 bis 27

Ferroelektrische Flüssigkristallzellen wurden in derselben Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, wobei die verwendeten Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes in den in der nachstehenden Tabelle 8 gezeigten Mengen zugesetzt wurden. Die wie vorstehend erwähnt hergestellten Flüssigkristallzellen wurden jeweils in derselben Weise wie in Beispielen 2 bis 7 einer Messung des spezifischen Volumenwiderstandes (PLC) und der Ansprechverzögerungszeit unterzogen. Die Ergebnisse sind in der nachstehenden Tabelle 8 gezeigt. Tabelle 8 (Ps = 10 nC/cm², bei 25 ºC) Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes (Beisp.verb. Nr.) Zugesetzte Menge (Masse%) Ansprechverzögerungszeit (s) nicht zugesetzt [50/50, auf die Masse bezogen]
Aus den vorstehenden Ergebnissen ist ersichtlich, daß die Flüssigkristallmischung der vorliegenden Erfindung, die das Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes enthält, einen niedrigeren spezifischen Volumenwiderstand hatte, so daß die Ansprechverzögerungszeit verkürzt wurde, wodurch Anzeigefeld-Nachbilder verringert wurden.

Beispiel 28

Flüssigkristallzellen wurden hergestellt, indem ein handelsüblicher ferroelektrischer Flüssigkristall (CS-1014, hergestellt durch Chisso K.K.) mit den nachstehend gezeigten Materialien in vorgeschriebenen Anteilen vermischt wurde, und jeweils in derselben Weise wie in Beispielen 2 bis 7 einer Messung des spezifischen Volumenwiderstandes ( LC) unterzogen. Die Ergebnisse sind in Figur 7 gezeigt.
Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes (a):
(Beisp.verb. Nr. 1-7)
Verbindung (e):
TBAB: (Bu)&sub4;N&spplus; Br&supmin;
Wie in Figur 7 gezeigt ist, konnte das im Rahmen der vorliegenden Erfindung verwendete Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes (a) in einer geringen Menge den spezifischen Widerstand der vorstehend erwähnten Flüssigkristallzelle wirksam vermindern.

Beispiele 29 bis 33

Durch Verwendung mesomorpher Verbindungen, die durch die folgenden Formeln wiedergegeben werden, in angegebenen Anteilen wurde eine nematische N-Flüssigkristallmischung, die keine Cyangruppe enthielt, hergestellt, wobei ein Klärpunkt von 72 ºC gezeigt wurde. Masse%
Die Flüssigkristallzellen wurden hergestellt, indem die vorstehende nematische Flüssigkristallmischung mit den folgenden Ver- bindungen (Mitteln zur Änderung des spezifischen Widerstandes) in angegebenen Anteilen vermischt wurde, und jeweils in derselben Weise wie in Beispielen 2 bis 7 einer Messung des spezifischen Volumenwiderstandes ( LC) unterzogen. Die Ergebnisse sind in der nachstehenden Tabelle 9 gezeigt. Verbindung Nr. Beispielverbindung Nr. Tabelle 9 (bei 25 ºC) Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes (Beisp.verb. Nr.) Zugesetzte Menge (Masse%) nicht zugesetzt [50/50, auf die Masse bezogen]
Eine Leerzelle wurde separat hergestellt, indem zwei Elektrodenplatten verwendet wurden, die je mit einer ITO-Schicht versehen waren, die mit einem homöotropen Ausrichtungsmittel (ODS-E, hergestellt durch Chisso K.K.) beschichtet worden war, und die zwei Elektrodenplatten aneinander angebracht wurden. Der Zellenzwischenraum betrug 10 Mikrometer, und die Ausrichtungsschicht hatte (nach dem Trocknen) eine Dicke von 50 Å.
In die Leerzelle wurde die in Beispiel 29 hergestellte Flüssigkristallmischung eingespritzt, um eine Flüssigkristallvorrichtung herzustellen.
Als an die Flüssigkristallvorrichtung eine Rechteckwellenspannung (etwa 18 V) angelegt wurde, wurde ein dynamischer Streuzustand beobachtet. Ferner war der dynamische Streuzustand unter der Anwendungsspannung von ±15 V oder darüber stabil.

Beispiele 34 bis 38

Flüssigkristallzellen wurden in derselben Weise wie in Beispielen 29 bis 33 hergestellt, außer daß anstelle der nematischen Flüssigkristallmischung ohne Cyangruppe ein nematischer P-Flüssigkristall mit einer Cyangruppe (ZLI-2411, hergestellt durch E. Merck) verwendet wurde und daß in dem Vergleichsbeispiel TBAB verwendet wurde.
Die wie vorstehend erwähnt hergestellten Zellen wurden jeweils in derselben Weise wie in Beispielen 2 bis 7 einer Messung des spezifischen Volumenwiderstandes ( LC) unterzogen. Die Ergebnisse sind in der nachstehenden Tabelle 10 gezeigt. Tabelle 10 (bei 25 ºC) Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes (Verbindung Nr.) Zugesetzte Menge (Masse%) nicht zugesetzt [50/50, auf die Masse bezogen]
Aus den Ergebnissen der Tabellen 9 und 10 ist ersichtlich, daß die im Rahmen der vorliegenden Erfindung verwendeten Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes (a) bis (d) den spezifischen Widerstand der vorstehend erwähnten Flüssigkristalle ganz gleich, ob die Flüssigkristalle eine Cyangruppe hatten oder nicht, wirksam vermindern konnten.
Dann wurden zur Untersuchung der Stabilität einer nematischen Flüssigkristallmischung jeweils Flüssigkristall-Leerzellen hergestellt, indem ein Paar Elektrodensubstrate verwendet wurden, die je eine lichtdurchlässige Elektrode hatten, die mit einer Ausrichtungsschicht [Dicke (nach dem Trocknen): ≤ 50 Å] beschichtet war.
Flüssigkristallmischungen, die die in den Beispielen 34 bis 38 verwendeten Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes (a) bis (d) bzw. das in dem Vergleichsbeispiel verwendete TBAB in den jeweils in Tabelle 10 angegebenen zugesetzten Mengen enthielten, wurden jeweils in die wie vorstehend beschrieben hergestellten Leerzellen eingespritzt, um Flüssigkristallzellen herzustellen.
An die Flüssigkristallzellen wurde eine Gleichspa,nnung (20 V) angelegt, und sie wurden vor und nach Anlegen der Gleichspannung einer Messung des spezifischen Volumenwiderstandes unterzogen.
Als Ergebnis zeigten die Flüssigkristallzellen, die die in den Beispielen 34 bis 38 verwendeten Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes enthielten, selbst nach 30 Stunden jeweils im wesentlichen keine Änderung des spezifischen Volumenwiderstandes im Vergleich zu denen in Tabelle 10. Die Flüssigkristallzelle, die TBAB enthielt, zeigte jedoch nach 30 Stunden im Vergleich zu der in Tabelle 10 eine Zunahme des spezifischen Volumenwiderstandes um 20 %. Das im Rahmen der vorliegenden Erfindung verwendete Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes lieferte eine Flüssigkristallmischung, die selbst nach Ablauf einer langen Zeit eine gute Stabilität des spezifischen Volumenwiderstandes zeigte.
Wie vorstehend beschrieben wurde, kann die Flüssigkristallmischung, die mindestens ein Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes der Formeln (I) bis (IV) gemäß der vorliegenden Erfindung enthält, einen stabil und dauerhaft verminderten spezifischen Widerstand der Flüssigkristallschicht haben. Da das Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes in einer kleinen Menge zugesetzt wird, hat das Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes einen geringen oder keinen Einfluß auf Eigenschaften wie z.B. die Viskosität und die Phasenumwandlungstemperatur der Flüssigkristallmischung.
Ferner können die Flüssigkristallvorrichtung, die die Flüssigkristallmischung umfaßt, und das Anzeigeverfahren, bei dem die Mischung und die Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung angewendet werden, bei einem FLC-Anzeigefeld außergewöhnlich verbesserte Bildqualitäten wie z.B. folgende liefern: die Bistabilität von Flüssigkristallmolekülen in einer Flüssigkristallzelle, die eine isolierende Schicht hat, wird verbessert und die Umschaltung eines Anzeigebildes wird ohne Probleme durchgeführt, weil Nachbilder aus "unscharfem bzw. verschwommenem Schwarz", die durch eine Gegenspannung verursacht werden, wegen eines niedrigen spezifischen Widerstandes schnell abgeschwächt werden, wenn ein "schwarzes" Datensignal in ein "weißes" Datensignal umgewandelt wird.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ferner ein Anzeigegerät bereitgestellt, bei dem die Flüssigkristallvorrichtung der vorliegenden Erfindung als Anzeigeeinheit angewendet wird, die in Verbindung mit einer Lichtquelle, einer Treiberschaltung usw. ein gutes Anzeigeverhalten zeigt.
Eine Flüssigkristallmischung enthält mindestens eine Verbindung, die durch die folgenden Formeln (I) bis (IV) wiedergegeben wird:
Formel (I):
worin R Wasserstoff oder eine lineare oder verzweigte Alkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen, die einen Substituenten haben kann, bezeichnet und X -O-, - O- oder -O - bezeichnet;
Formel (II):
worin R&sub1; eine lineare oder verzweigte Alkyl- oder Alkoxygruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen, die einen Substituenten haben kann, bezeichnet und X&sub1; - O- oder -CH&sub2;O- bezeichnet;
Formel (III):
worin R&sub2; Wasserstoff oder eine lineare oder verzweigte Alkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen, die einen Substituenten haben kann, bezeichnet; X&sub2; eine Einfachbindung, -O-, - O- oder oc- bezeichnet; Y&sub1;, Y&sub2;, Y&sub3; und Y&sub4; jeweils Wasserstoff, Fluor oder -CF&sub3; bezeichnen, wobei vorausgesetzt ist, daß mindestens eines von Y&sub1;, Y&sub2;, Y&sub3; und Y&sub4; Fluor oder -CF&sub3; ist; und n 0 oder 1 ist; und
Formel (IV):
worin R&sub3; eine lineare oder verzweigte Alkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen, die einen Substituenten haben kann, bezeichnet; -A--
bezeichnet; X&sub3; -O-, - O-, -O - oder eine Einfachbindung bezeichnet; X&sub4; -O-, - O- oder -CH&sub2;O- bezeichnet und m 0 oder 1 ist. Die Verbindungen der Formeln (I) bis (IV) liefern eine Flüssigkristallmischung, die einen beständig verminderten spezifischen Widerstand hat, so daß eine Gegenspannung, die durch Lokalisierung von Ladungen in der Flüssigkristallmischung verursacht wird, schnell abgeschwächt wird.

Claims

1. Flüssigkristallmischung, die mindestens eine Verbindung enthält, die durch die folgenden Formeln (I) bis (IV) wiedergegeben wird:

Formel (I):

worin R Wasserstoff oder eine lineare oder verzweigte Alkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen bezeichnet und X -O-, - O- oder -O - bezeichnet;

Formel (II):

worin R&sub1; eine lineare oder verzweigte Alkyl- oder Alkoxygruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen bezeichnet und X&sub1; - O- oder -CH&sub2;O- bezeichnet;

Formel (III):

worin R&sub2; Wasserstoff oder eine lineare oder verzweigte Alkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen bezeichnet und X&sub2; eine Einfachbindung, -O-, - O- oder -O - bezeichnet; Y&sub1;, Y&sub2;, Y&sub3; und Y&sub4; jeweils Wasserstoff, Fluor oder -CF&sub3; bezeichnen, wobei vorausgesetzt ist, daß mindestens eines von Y&sub1;, Y&sub2;, Y&sub3; und Y&sub4; Fluor oder -CF&sub3; ist; und n 0 oder 1 ist, wobei vorausgesetzt ist, daß Y&sub1; bis Y&sub4; nicht gleichzeitig F sind, wenn n = 1, R&sub2; = Alkyl und X&sub2; = -O-, wenn die Verbindung der Formel (III) allein verwendet wird; und

Formel (IV):

worin R&sub3; eine lineare oder verzweigte Alkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen bezeichnet;

bezeichnet; X&sub3; -O-, - O-, -O - oder eine Einfachbindung bezeichnet; X&sub4; -O-, - O- oder -CH&sub2;O- bezeichnet und m 0 oder 1 ist.

2. Flüssigkristallmischung nach Anspruch 1, bei der R in der Formel (I) durch irgendeine der folgenden Gruppen (i) und (ii) wiedergegeben wird:

(i) eine n-Alkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen und

(ii)

worin p eine ganze Zahl von 0 bis 7 bezeichnet und k eine ganze Zahl von 1 bis 9 bezeichnet.

3. Flüssigkristallmischung nach Anspruch 1, bei der X -O- bezeichnet.

4. Flüssigkristallmischung nach Anspruch 1, bei der R&sub1; eine n- Alkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen bezeichnet.

5. Flüssigkristallmischung nach Anspruch 1, bei der R&sub1; eine n- Alkylgruppe mit 3 bis 14 Kohlenstoffatomen bezeichnet.

6. Flüssigkristallmischung nach Anspruch 1, bei der R&sub2; in der Formel (III) durch irgendeines von Wasserstoff und den folgenden Gruppen (i) und (ii) wiedergegeben wird:

(i) einer n-Alkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen und

(ii)

7. Flüssigkristallmischung nach Anspruch 1, bei der Y&sub1;, Y&sub2;, Y&sub3; und Y&sub4; in der Formel (III) durch irgendeine der folgenden Kombinationen (iii) bis (xi) wiedergegeben werden:

(iii) Y&sub1; = Y&sub3; = Y&sub4; = H und Y&sub2; = F;

(iv) Y&sub1; = F und Y&sub2; = Y&sub3; = Y&sub4; = H;

(v) Y&sub1; = Y&sub3; = H und Y&sub2; = Y&sub4; = F;

(vi) Y&sub1; = Y&sub3; = F und Y&sub2; = Y&sub4; = H;

(vii) Y&sub1; = Y&sub4; = F und Y&sub2; = Y&sub3; = H;

(viii) Y&sub1; = Y&sub2; = F und Y&sub3; = Y&sub4; = H;

(ix) Y&sub1; = Y&sub2; = Y&sub3; = Y&sub4; = F;

(x) Y&sub1; = Y&sub3; = H und Y&sub2; = Y&sub4; = CF&sub3;; und

(xi) Y&sub1; = Y&sub3; = CF&sub3; und Y&sub2; = Y&sub4; = H.

8. Flüssigkristallmischung nach Anspruch 1, bei der R&sub3; in der Formel (IV) durch irgendeine der folgenden Gruppen (i) und (ii) wiedergegeben wird:

(i) eine n-Alkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen und

(ii)

9. Flüssigkristallmischung nach Anspruch 1, bei der in der Formel (IV) X&sub4; -O- oder - O- bezeichnet, wenn m 0 ist, und - O- bezeichnet, wenn m 1 ist.

10. Flüssigkristallmischung nach Anspruch 1, bei der in der Formel (IV) X&sub3; eine Einfachbindung bezeichnet, wenn -A- bezeichnet.

11. Flüssigkristallmischung nach Anspruch 1, die 0,01 bis 5 Masse% einer Verbindung enthält, die durch irgendeine der Formeln (I) bis (IV) wiedergegeben wird.

12. Flüssigkristallmischung nach Anspruch 1, die 0,05 bis 2 Masse% einer Verbindung enthält, die durch irgendeine der Formeln (I) bis (IV) wiedergegeben wird.

13. Flüssigkristallmischung nach Anspruch 1, die 0,2 bis 1 Masse% einer Verbindung enthält, die durch irgendeine der Formeln (I) bis (IV) wiedergegeben wird.

14. Flüssigkristallmischung nach Anspruch 1, die 0,01 bis 10 Masse% von zwei oder mehr Verbindungen enthält, die durch die Formeln (I) bis (IV) wiedergegeben werden.

15. Flüssigkristallmischung nach Anspruch 1, die 0,01 bis 4 Masse% von zwei oder mehr Verbindungen enthält, die durch die Formeln (I) bis (IV) wiedergegeben werden.

16. Flüssigkristallmischung nach Anspruch 1, die 0,2 bis 2 Masse% von zwei oder mehr Verbindungen enthält, die durch die Formeln (I) bis (IV) wiedergegeben werden.

17. Flüssigkristallmischung nach Anspruch 1, die eine chirale smektische Phase annimmt.

18. Flüssigkristallmischung nach Anspruch 1, die eine nematische Phase annimmt.

19. Flüssigkristallmischung nach Anspruch 1, die eine cholesterische Phase annimmt.

20. Flüssigkristallmischung nach Anspruch 1, die eine smektische Phase annimmt.

21. Flüssigkristallvorrichtung mit einem Paar Elektrodenplatten und einer Flüssigkristallmischung nach Anspruch 1, die zwischen den Elektrodenplatten angeordnet ist.

22. Flüssigkristallvorrichtung nach Anspruch 21, die ferner eine isolierende Ausrichtungseinstellungsschicht umfaßt.

23. Anzeigegerät mit einer Flüssigkristallvorrichtung nach Anspruch 21 und einer Einrichtung zum Anlegen einer Spannung für die Ansteuerung der Flüssigkristallvorrichtung.

24. Anzeigegerät nach Anspruch 23, bei dem die Flüssigkristallvorrichtung ein Anzeigefeld bildet, bei dem die Ausrichtungsrichtung von Flüssigkristallmolekülen durch Anwendung der Einrichtung zum Anlegen einer Spannung umgeschaltet wird, um eine Anzeige zu bewirken.

25. Anzeigegerät nach Anspruch 23, das ferner eine Lichtquelle umfaßt.

26. Anzeigeverfahren, bei dem

eine Flüssigkristallmischung bereitgestellt wird, die mindestens ein Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes enthält, das durch die folgenden Formeln (I) bis (IV) wiedergegeben wird:

Formel (I):

Formel (II):

Formel (III):

worin R&sub2; Wasserstoff oder eine lineare oder verzweigte Alkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen bezeichnet; X&sub2; eine Einfachbindung, -O-, - O- oder -O - bezeichnet; Y&sub1;, Y&sub2;, Y&sub3; und Y&sub4; jeweils Wasserstoff, Fluor oder -CF&sub3; bezeichnen, wobei vorausgesetzt ist, daß mindestens eines von Y&sub1;, Y&sub2;, Y&sub3; und Y&sub4; Fluor oder -CF&sub3; ist und n 0 oder 1 ist und daß Y&sub1; bis Y&sub4; nicht gleichzeitig F sind, wenn n = 1, R&sub2; = Alkyl und X&sub2; = -O-, wenn die Verbindung der Formel (III) allein verwendet wird; und

Formel (IV):

worin R&sub3; eine lineare oder verzweigte Alkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen bezeichnet; -A--

bezeichnet; X&sub3; -O-, - O-, -O - oder eine Einfachbindung bezeichnet; X&sub4; -O-, - O- oder -CH&sub2;O- bezeichnet und m 0 oder 1 ist; und

die Ausrichtungsrichtung von Flüssigkristallmolekülen durch Anwendung einer Einrichtung zum Anlegen einer Spannung umgeschaltet wird, um eine Anzeige zu bewirken.

27. Anzeigeverfahren nach Anspruch 26, bei dem R in der Formel (I) durch irgendeine der folgenden Gruppen (i) und (ii) wiedergegeben wird:

(i) eine n-Alkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen und

(ii)

28. Anzeigeverfahren nach Anspruch 26, bei dem X -O- bezeichnet.

29. Anzeigeverfahren nach Anspruch 26, bei dem R&sub1; eine n-Alkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen bezeichnet.

30. Anzeigeverfahren nach Anspruch 26, bei dem R&sub1; eine n-Alkylgruppe mit 3 bis 14 Kohlenstoffatomen bezeichnet.

31. Anzeigeverfahren nach Anspruch 26, bei dem R&sub2; in der Formel (III) durch irgendeines von Wasserstoff und den folgenden Gruppen (i) und (ii) wiedergegeben wird:

(i) einer n-Alkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen und

(ii)

32. Anzeigeverfahren nach Anspruch 26, bei dem Y&sub1;, Y&sub2;, Y&sub3; und Y&sub4; in der Formel (III) durch irgendeine der folgenden Kombinationen (iii) bis (xi) wiedergegeben werden:

(iii) Y&sub1; = Y&sub3; = Y&sub4; = H und Y&sub2; = F;

(iv) Y&sub1; = F und Y&sub2; = Y&sub3; = Y&sub4; = H;

(v) Y&sub1; = Y&sub3; = H und Y&sub2; = Y&sub4; = F;

(vi) Y&sub1; = Y&sub3; = F und Y&sub2; = Y&sub4; = H;

(vii) Y&sub1; = Y&sub4; = F und Y&sub2; = Y&sub3; = H;

(viii) Y&sub1; = Y&sub2; = F und Y&sub3; = Y&sub4; = H;

(ix) Y&sub1; = Y&sub2; = Y&sub3; = Y&sub4; = F;

(x) Y&sub1; = Y&sub3; = H und Y&sub2; = Y&sub4; = CF&sub3;; und

(xi) Y&sub1; = Y&sub3; = CF&sub3; und Y&sub2; = Y&sub4; = H.

33. Anzeigeverfahren nach Anspruch 26, bei dem R&sub3; in der Formel (IV) durch irgendeine der folgenden Gruppen (i) und (ii) wiedergegeben wird:

(i) eine n-Alkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen und

(ii)

34. Anzeigeverfahren nach Anspruch 26, bei dem in der Formel (IV) X&sub4; -O- oder - O- bezeichnet, wenn m 0 ist, und - O- bezeichnet, wenn m 1 ist.

35. Anzeigeverfahren nach Anspruch 26, bei dem in der Formel (IV) X&sub3; eine Einfachbindung bezeichnet, wenn -A--

bezeichnet.

36. Anzeigeverfahren nach Anspruch 26, bei dem die Flüssigkristallmischung 0,01 bis 5 Masse% einer Verbindung enthält, die durch irgendeine der Formeln (I) bis (IV) wiedergegeben wird.

37. Anzeigeverfahren nach Anspruch 26, bei dem die Flüssigkristallmischung 0,05 bis 2 Masse% einer Verbindung enthält, die durch irgendeine der Formeln (I) bis (IV) wiedergegeben wird.

38. Anzeigeverfahren nach Anspruch 26, bei dem die Flüssigkristallmischung 0,2 bis 1 Masse% einer Verbindung enthält, die durch irgendeine der Formeln (I) bis (IV) wiedergegeben wird.

39. Anzeigeverfahren nach Anspruch 26, bei dem die Flüssigkristallmischung 0,01 bis 10 Masse% von zwei oder mehr Verbindungen enthält, die durch die Formeln (I) bis (IV) wiedergegeben werden.

40. Anzeigeverfahren nach Anspruch 26, bei dem die Flüssigkristallmischung 0,01 bis 4 Masse% von zwei oder mehr Verbindungen enthält, die durch die Formeln (I) bis (IV) wiedergegeben werden.

41. Anzeigeverfahren nach Anspruch 26, bei dem die Flüssigkristallmischung 0,2 bis 2 Masse% von zwei oder mehr Verbindungen enthält, die durch die Formeln (I) bis (IV) wiedergegeben werden.

42. Anzeigeverfahren nach Anspruch 26, bei dem die Flüssigkristallmischung eine chirale smektische Phase annimmt.

43. Anzeigeverfahren nach Anspruch 26, bei dem die Flüssigkristallmischung eine nematische Phase annimmt.

44. Anzeigeverfahren nach Anspruch 26, bei dem die Flüssigkristallmischung eine cholesterische Phase annimmt.

45. Anzeigeverfahren nach Anspruch 26, bei dem die Flüssigkristallmischung eine smektische Phase annimmt.

46. Anzeigeverfahren, bei dem

eine Flüssigkristallvorrichtung mit einem Paar Elektrodenplatten und einer dazwischen angeordneten Flüssigkristallmischung, die mindestens ein Mittel zur Änderung des spezifischen Widerstandes enthält, das durch die folgenden Formeln (I) bis (IV) wiedergegeben wird:

Formel (I):

Formel (II):

Formel (III):

Formel (IV):

bezeichnet; X&sub3; -O-, - O-, -O - oder eine Einfachbindung bezeichnet; X&sub4; -O-, - O- oder -CH&sub2;O- bezeichnet und m 0 oder 1 ist;

bereitgestellt wird und

die Ausrichtungsrichtung von Flüssigkristallmolekülen durch Anwendung einer Einrichtung zum Anlegen einem Spannung umgeschaltet wird, um eine Anzeige zu bewirken.

47. Anzeigeverfahren nach Anspruch 46, bei dem die Flüssigkristallvorrichtung ferner eine isolierende Ausrichtungseinstellungsschicht umfaßt.

48. Anzeigeverfahren nach Anspruch 46, das ferner einen Schritt der Beleuchtung der Flüssigkristallvorrichtung mit Licht umfaßt.