DE69112882T2 - Zellstruktur mit niedriger Kapazität und mit hoher Durchbruchspannung programmiert für Festwertspeicherschaltungen. - Google Patents

Zellstruktur mit niedriger Kapazität und mit hoher Durchbruchspannung programmiert für Festwertspeicherschaltungen.

Info

Publication number
DE69112882T2
DE69112882T2 DE69112882T DE69112882T DE69112882T2 DE 69112882 T2 DE69112882 T2 DE 69112882T2 DE 69112882 T DE69112882 T DE 69112882T DE 69112882 T DE69112882 T DE 69112882T DE 69112882 T2 DE69112882 T2 DE 69112882T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
cell structure
read
breakdown voltage
region
memory circuits
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69112882T
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE69112882D1 (de
Inventor
Giancarlo Ginami
Enrico Laurin
Silvia Lucherini
Bruno Vajana
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics lnc USA
Original Assignee
SGS Thomson Microelectronics Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SGS Thomson Microelectronics Inc filed Critical SGS Thomson Microelectronics Inc
Publication of DE69112882D1 publication Critical patent/DE69112882D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69112882T2 publication Critical patent/DE69112882T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C17/00Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • G11C17/08Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements
    • G11C17/10Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM
    • G11C17/12Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards using semiconductor devices, e.g. bipolar elements in which contents are determined during manufacturing by a predetermined arrangement of coupling elements, e.g. mask-programmable ROM using field-effect devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10BELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B20/00Read-only memory [ROM] devices

Landscapes

  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)
DE69112882T 1990-03-30 1991-03-19 Zellstruktur mit niedriger Kapazität und mit hoher Durchbruchspannung programmiert für Festwertspeicherschaltungen. Expired - Fee Related DE69112882T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT19903A IT1239989B (it) 1990-03-30 1990-03-30 Struttura di cella programmata,a bassa capacita' e ad elevata tensione di rottura, per circuiti di memoria a sola lettura

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69112882D1 DE69112882D1 (de) 1995-10-19
DE69112882T2 true DE69112882T2 (de) 1996-02-15

Family

ID=11162207

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69112882T Expired - Fee Related DE69112882T2 (de) 1990-03-30 1991-03-19 Zellstruktur mit niedriger Kapazität und mit hoher Durchbruchspannung programmiert für Festwertspeicherschaltungen.

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0450389B1 (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html)
JP (1) JPH0582758A (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html)
DE (1) DE69112882T2 (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html)
IT (1) IT1239989B (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5291435A (en) * 1993-01-07 1994-03-01 Yu Shih Chiang Read-only memory cell

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4268950A (en) * 1978-06-05 1981-05-26 Texas Instruments Incorporated Post-metal ion implant programmable MOS read only memory
US4359817A (en) * 1981-05-28 1982-11-23 General Motors Corporation Method for making late programmable read-only memory devices
JPS5830154A (ja) * 1981-08-17 1983-02-22 Toshiba Corp 固定記憶半導体装置およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
IT1239989B (it) 1993-11-27
EP0450389A2 (en) 1991-10-09
DE69112882D1 (de) 1995-10-19
IT9019903A0 (it) 1990-03-30
IT9019903A1 (it) 1991-09-30
JPH0582758A (ja) 1993-04-02
EP0450389A3 (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) 1994-02-23
EP0450389B1 (en) 1995-09-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0103043B1 (de) CMOS-Speicherzelle mit potentialmässig schwebendem Speichergate
DE4241457B4 (de) P-leitendes floatendes Gate aus Poly-Silizium zur Verwendung bei einem Halbleiterbautransistorelement und daraus hergestelltes Flash-E2PROM
DE69330564T2 (de) Integrierte Schaltung die eine EEPROM-Zelle und einen MOS-Transistor enthält
DE69130163T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer MOS-EEPROM-Transistorzelle mit schwebendem Gate
DE112009000642B4 (de) LDMOS Vorrichtungen mit verbesserten Architekturen und Herstellungsverfahren dafür
DE3650624T2 (de) EPROM mit selbstausgerichtetem, unterteiltem Gate
EP0025130B1 (de) Hochintegrierter Festwertspeicher
EP0024311B1 (de) Verfahren zum Herstellen eines hochintegrierten Festwertspeichers
DE69615995T2 (de) Elektrisch löschbarer und programmierbarer festwertspeicher mit nichtuniformer dieelektrischer dicke
DE2552644C2 (de) Integrierter Halbleiter-Festspeicher und Verfahren zu seiner Herstellung
DE19611438A1 (de) EEPROM Flashzelle sowie Verfahren zu deren Herstellung
DE3033333A1 (de) Elektrisch programmierbare halbleiterspeichervorrichtung
DE68909350T2 (de) Hochintegrierte EPROM-Speicheranordnung mit einer quadratischen Gitterorganisation und mit einem verbesserten Kopplungsfaktor.
DE2347424A1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleitereinrichtungen
DE68905487T2 (de) Verfahren zur herstellung einer integrierten schaltung mit bauelementen, die gates auf zwei ebenen enthalten.
DE3139846C2 (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html)
DE69030544T2 (de) Verfahren zur Herstellung von EEPROM-Speicherzellen mit einer einzigen Polysiliziumebene und dünnem Oxyd mittels differenzierter Oxydation
DE2758161A1 (de) Elektrisch programmierbare halbleiter-dauerspeichermatrix
DE69200540T2 (de) Elektrisch programmierbarer integrierter Eintransistorspeicher.
DE3780298T2 (de) Nichtfluechtiger speicher mit isoliertem gate ohne dickes oxid.
DE2729657A1 (de) Feldeffekttransistor mit extrem kurzer kanallaenge
DE69131390T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen Drain- oder Kollektorzone für monolythische Halbleiteranordnungen
DE69112882T2 (de) Zellstruktur mit niedriger Kapazität und mit hoher Durchbruchspannung programmiert für Festwertspeicherschaltungen.
DE69007961T2 (de) Verfahren zum herstellen eines nur-lese-halbleiterspeichers.
DE69212897T2 (de) Herstellungsverfahren für MIS-Halbleiterbauelement

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee