DE69101469T2 - Halbleiterlaser mit SiGe-Einkristallsubstrat. - Google Patents

Halbleiterlaser mit SiGe-Einkristallsubstrat.

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Description

  • Diese Erfindung bezieht sich auf eine Licht emittierende Vorrichtung und insbesondere auf eine Halbleiterlaservorrichtung.
  • Eines der bekannten typischen Materialien für sichtbares Licht emittierende Halbleiterlaservorrichtungen ist (AlGa)0,5In0,5P. Wenn dieses Halbleiterlasermaterial für eine Halbleiterlaservorrichtung verwendet wird, wird es epitaktisch auf ein Substrat aufgewachsen, das üblicherweise aus GaAs gemacht ist. Außer den Nitriden haben (AlGa)0,5In0,5P-Verbindungen unter den Verbindungen der Elemente der Gruppe III-V des Periodensystems die höchste Bandlückenenergie. Dementsprechend werden sie im allgemeinen für eine Halbleiterlaservorrichtung verwendet, die im roten Farbbereich Laserstrahlen aussenden kann. Im allgemeinen beinhalten die Substrate, auf denen Verbindungshalbleiter mittels Epitaxie abgelagert werden, neben GaAs noch InP, GaP, GaSb, Si und Ge. JP-A-59-086 281 offenbart einen GaInP/AlInP- Halbleiterlaser auf einem SiGe-Substrat. Es ist allgemein anerkannt, daß für das epitaktische Aufwachsen von (AlGa)InP-Materialien das Substrat vom Standpunkt der Anpassung der Gitterkonstanten aus gesehen aus GaAs gemacht werden sollte. Wenn (AlGa)InP epitaktisch auf das GaAs-Substrat aufgewachsen wird, beträgt die kleinste Bandlückenenergie 1 ,91 eV für Ga0,5In0,5P und die größte Bandlückenenergie 2,35 eV für Al0,5In0,5P.
  • Bei Halbleiterlaservorrichtungen geht eine jüngste Tendenz zu einer kürzeren Wellenlänge der Lasertätigkeit. Zur Realisierung der kurzen Laserwellenlänge sollte die Bandlückenenergie einer als Licht emittierender Abschnitt dienenden aktiven Schicht groß sein. Die aktive Schicht sollte für die Erzeugung eines Laserstrahls aus einem Material mit direktem Übergang sein und sollte eine Heterostruktur aufweisen, um Licht und einen Ladungsstrom innerhalb eines schmalen Bereichs zu halten. Darüberhinaus haben Mantelschichten, zwischen denen die aktive Schicht eingebettet ist, Bandlückenenergien, die um mindestens 0,25 eV größer als die der aktiven Schicht sind.
  • Aus den vorgenannten Gründen wurde jetzt bei den Halbleiterlaservorrichtungen, die das GaAs-Substrat verwenden, eine kurze Wellenlänge der Lasertätigkeit durch Erhöhen des Al-Gehaltes in der aktiven Schicht und den Mantelschichten und eine damit verbundene Erhöhung der Bandlückenenergien realisiert.
  • Jedoch ist die auf der Zunahme des Al-Gehalts beruhende Zunahme der Bandlückenenergien begrenzt: die maximale Bandlückenenergie beträgt nur 2,35 eV für Al0,5In0,5P, wobei die Bandlückenenergie der aktiven Schicht 2,10 eV ist. Die Wellenlänge der Lasertätigkeit beträgt 590 nm.
  • Wenn der zunehmende Al-Gehalt gemäß der vorangehenden Beschreibung auch zum Erreichen einer kurzen Wellenlänge wirksam ist, so tritt andererseits das Problem auf, daß in der Halbleiterlaservorrichtung während des Betreibens Oxidation stattfindet, was zu einer beträchtlichen Verschlechterung der Charakteristik führt. Daher ist die Vorrichtung nicht zuverlässig.
  • Deshalb soll die Erfindung eine Halbleiterlaservorrichtung schaffen, die zum Realisieren einer kurzen Wellenlänge der Lasertätigkeit ausgestaltet ist, ohne die Probleme zu verursachen, wie sie beim Stand der Technik auftreten, wie beispielsweise die Oxidation von Verbindungshalbleiterschichten, und die daher zuverlässig ist.
  • Die Erfindung soll außerdem eine Halbleiterlaservorrichtung schaffen, die eine aluminiumfreie aktive Schicht enthält, wodurch gute charakteristische Eigenschaften der Vorrichtung ohne eine oxidationsbedingte Verschlechterung der aktiven Schicht gewährleistet sind.
  • Erfindungsgemäß wird eine Halbleiterlaservorrichtung geschaffen, die ein monokristallines Substrat, das im wesentlichen aus SiaGe1-a, wobei 0 < a < 0,25, besteht, und eine Verbindungshalbleiterschicht enthält, die auf dem Substrat gebildet ist, hinsichtlich des Gitters an das Substrat angepasst ist und eine Al-freie aktive Schicht aus GabIn1-bP, wobei 0,51 < b < 0,64, und eine erste und eine zweite Mantelschicht enthält, zwischen denen die aktive Schicht liegt, wobei die erste Mantelschicht auf dem Substrat gebildet ist, und jede Mantelschicht aus (AlcGa1-c)dIn1-dP, wobei 0,4 < c < 1 und 0,51 < d < 0,64, gemacht ist.
  • Die Erfindung soll im folgenden unter Bezugnahme auf die folgende ausführliche Beschreibung eines zur Veranschaulichung dienenden Ausführungsbeispiels und die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert werden, von denen
  • Fig. 1 eine schematische Schnittansicht einer einem Ausführungsbeispiel der Erfindung entsprechenden Halbleiterlaservorrichtung ist;
  • Fig. 2 eine schematische Schnittansicht einer bekannten Halbleitervorrichtung ist; und
  • Fig. 3 eine graphische Darstellung der Bandlückenenergie in Abhängigkeit von der Änderung der Gitterkonstanten für verschiedene Halbleiterzusammensetzungen ist.
  • Zuerst wird gemäß Fig. 2 eine dem Stand der Technik entsprechende Halbleiterlaservorrichtung beschrieben.
  • In Fig. 2 ist eine Halbleiterlaservorrichtung 20 gezeigt, die ein GaAs-Substrat 21 enthält, das eine n-leitende Pufferschicht 22, eine n-leitende GaInP-Schicht 23, eine n-leitende AlGaInP-Mantelschicht 24, eine aktive Schicht 25, eine p-leitende AlGaInP-Mantelschicht 26, eine p-leitende GaInP-Schicht 27 und eine isolierende Schicht 28 in dieser Reihenfolge aufweist. Bezugszeichen 29 und 30 sind jeweils gemäß der Figur angeordnete n- und p-Elektroden. Ein Bezugszeichen 31 bezeichnet eine Kontaktschicht aus p-GaAs.
  • Die einzelnen Schichten sind auf dem Substrat in üblicher Weise auf der Ebene (001) des Substrates 21 epitaktisch aufgewachsen. Falls die aktive Schicht beispielsweise aus Ga0,5In0,5P gemacht ist, beträgt die Wellenlänge der Lasertätigkeit 650 nm.
  • Nun wird auf Fig. 1 und 3 verwiesen, womit Ausführungsbeispiele der Erfindung beschrieben werden.
  • In Fig. 1 wird allgemein eine erfindungsgemäße Halbleiterlaservorrichtung D gezeigt, die der bekannten Vorrichtung gemäß Fig. 2 vom Aufbau her ähnlich ist.
  • Grundsätzlich enthält die Vorrichtung D der Erfindung ein monokristallines Substrat 1 aus SiGe, das n- oder p-leitend sein kann. Auf dem Substrat 1 sind eine Mantelschicht 2, eine aktive Schicht 3 und eine Mantelschicht 4 in dieser Reihenfolge gebildet. Zur Vervollständigung der Halbleiterlaservorrichtung D ist eine Elektrode 5 auf der anderen Seite des Substrats 1 gebildet und eine Elektrode 6 ist über einer isolierenden Schicht 7 auf der Mantelschicht 4 gebildet. Vorzugsweise ist zwischen dem Substrat 1 und der Mantelschicht 2 eine Pufferschicht 8 vorhanden. Zum Vermindern der Differenz zwischen den Schichten 8 und 2 hinsichtlich der Bandlückenenergie kann eine Zwischenschicht 9 zwischen der Puf ferschicht 8 und der Mantelschicht 2 vorhanden sein. Ein Bezugs Zeichen 10 bezeichnet eine Kontaktschicht zwischen der Elektrode 6 und der Mantelschicht 4.
  • Für die Praxis ist es bei der Erfindung wesentlich, daß das Substrat 1 aus SiaGe1-a hergestellt ist, wobei 0 < a < 0,25. Das SiGe-Material für das Substrat kann n- oder p-leitend sein. Falls das n-leitende Material verwendet wird, sollten die Schichten 2, 9 und 8 aus n-leitenden Halbleitermaterialien sein, während die Schichten 4 und 10 aus p-leitenden Halbleitermaterialien gemacht sein sollten. Bei einem p-leitenden Substrat ist es genau umgekehrt. Die vorgenannten Schichten sind epitaktisch auf dem Substrat gebildet, wobei die (001)-Ebene für das epitaktische Aufwachsen verwendet wird.
  • Die Mantelschichten 2 und 4 sind jeweils aus einem Verbindungshalbleiter mit der Formel (AlcGa1-c)dIn1-dP hergestellt, wobei 0,4 < c < 1 und 0,51 < d < 0,64. Vorzugsweise gilt, 0,4 < c < 1. Wie aus der Formel zu ersehen ist, kann AlInP für die Mantelschichten verwendet werden, wenn auch eine Gitteranpassung an das. Substrat zu berücksichtigen ist. Zum Erzeugen von n- und p-Leitfähigkeit sind dem Verbindungshalbleiter im Falle der n-Leitfähigkeit Verunreinigungen, wie zum Beispiel Si, S und ähnliche, in einer Konzentration von 2 x 10¹&sup7; bis 5 x 10¹&sup8; Atomen/cm³ zugesetzt. In gleicher Weise sind dem Verbindungshalbleiter für die p-Leitfähigkeit Verunreinigungen, wie zum Beispiel Be, Mg und ähnliche, in einer Konzentration von 2 x 10¹&sup7; bis 5 x 10¹&sup8; Atomen/cm³ zugesetzt.
  • Für die Bildung der Mantelschicht 2 mittels Epitaxie ist auf die Gitteranpassung an das Substrat zu achten, wie im folgenden erörtert werden soll. Die Mantelschichten 2 und 4 sind im allgemeinen mit einer Dicke von 0,6 bis 1,0 um gebildet.
  • Die aktive Schicht 3 ist aus einem Verbindungshalbleiter mit der Formel GabIn1-bP hergestellt, wobei 0,51 < b < 0 64. Innerhalb dieses Bereichs ist die Gitteranpassung an das Substrat erfüllt und die Bandlückenenergie Eg kann so variiert werden, daß 1,91 eV < Eg < 2,13. Mit anderen Worten, die Wellenlänge &lambda; der Lasertätigkeit kann bei Verwenden eines Verbindungshalbleiters, bei dem kein Al in der aktiven Schicht 3 vorhanden ist, innerhalb eines Bereichs von 650 nm bis 580 nm gesteuert werden. Die aktive Schicht 3 ist im allgemeinen mit einer Dicke von 40 bis 100 nm (400 bis 1000 Å) gebildet.
  • Die Elektroden 5 und 6 sind aus irgendeinem bekannten Material, wie beispielsweise AuGe, AuZn und ähnlichem, hergestellt ünd können mittels irgendeines bekannten Verfahrens hergestellt werden.
  • Falls nötig, kann zwischen der Mantelschicht 4 und der Elektrode 6 die isolierende Schicht 7 vorhanden sein, die, wie gewöhnlich, aus einem Material, wie beispielsweise SiO&sub2;, Si&sub3;N&sub4; und ähnlichem, hergestellt ist.
  • Um ein gleichmäßiges Fortschreiten des epitaktischen Aufwachsens der Schichten 2, 3, 4, 10, 7 und 6 zu bewirken, wird vorzugsweise die Pufferschicht 8 gebildet. Die Pufferschicht 8 kann aus GaAsP, SiGe oder GaInP gebildet sein, wobei deren Zusammensetzung hauptsächlich von der Zusammensetzung des Substrates 1 abhängt. Vorzugsweise wird die Pufferschicht aus SieGe1-e, wobei 0 < e < 0,25, GaAsfP1-f, wobei 0,75 < f < 1 oder GagIn1-gP, wobei 0,51 < g < 0,64, hergestellt. Diese Schicht 8 ist mit einer Dicke von 0,2 bis 0,3 um gebildet.
  • Wenn die Pufferschicht 8 aus einem anderen Material als GaInP hergestellt ist, kann eine Zwischenschicht 9 zwischen der Pufferschicht 8 und der Mantelschicht 2 gebildet sein, um die Energielücke dazwischen zu vermindern. In dieser Hinsicht ist es vorzuziehen, die Pufferschicht 8 aus GaInp, wie vorstehend definiert, herzustellen.
  • Die Kontaktschicht 10 ist aus GaInP, wie es für die Pufferschicht 8 verwendet wird, hergestellt.
  • Die Herstellung der erfindungsgemäßen Halbleiterlaservorrichtung erfolgt, ohne auf irgendeine besondere Technik zurückzugreifen und wird hier nicht eigens beschrieben.
  • Wenn das SiGe-Material als das Substrat verwendet wird, sollte ein für die aktive Schicht verwendeter ternärer Halbleiter aus GalnP große Mengen Ga enthalten, um eine Gitteranpassung an das Substrat zu erlauben. Dies ist in Fig. 3 eigens gezeigt, die für verschiedene Verbindungshalbleiter die Beziehung zwischen der Bandlückenenergie und der Gitterkonstante zeigt. Gemäß der Figur vergrößert sich die Gitterkonstante, wenn der In-Gehalt des GaInP-Halbleiters zunimmt. Wenn dagegen der Ga-Gehalt zunimmt, wird die Gitterkonstante kleiner.
  • Werden die Gitteranpassung des Substrats an die Mantelschicht und die aktive Schicht und der Unterschied in der Bandlückenenergie zwischen der Mantelschicht und der aktiven Schicht in Betracht gezogen, sollte die Gitterkonstante des Halbleiters aus SiaGe1-a in dem Bereich von 0,560 bis 0,56575 nm liegen. Das entspricht der Halbleiterzusammensetzung von SiaGe1-a, bei der 0 < a < 0,25 gilt, wie aus Fig. 3 ersichtlich ist. Für a = 0,25 ergibt sich für die Lasertätigkeit die kürzeste Wellenlänge. Daher wird a = 0,25 bevorzugt.
  • Genauso gilt, um die Anforderung hinsichtlich der Gitterkonstante zu erfüllen, 0,51 < b < 0,64 für GabIn1-bP, und 0,4 < c < 1 und 0,51 < d < 0,64 für (AlcGa1-c)dIn1-dP.
  • Dadurch können die aus (AlcGa1-c)dIn1-dP bestehende Mantelschicht und die aus GabIn1-bP bestehende aktive Schicht geeignet auf dem SiGe-Substrat aufgewachsen werden, während die Gitterkonstanten angepasst sind, so daß gleichmäßiges epitaktisches Aufwachsen gewährleistet ist.
  • Die Bandlückenenergie der aktiven Schicht kann innerhalb eines Bereichs von 1,91 eV bis 2,13 eV variiert werden. Der Al-freie Halbleiter wird als die aktive Schicht verwendet, um die Wellenlänge &lambda; der Lasertätigkeit in dem Bereich von 650 nm > &lambda; > 560 nm zu steuern.
  • Die Erfindung wird an einem Beispiel genauer beschrieben.
  • Beispiel
  • Es wurde ein Si0,25Ge0,75-Substrat mit einer Gitterkonstante von 0,56 bereitgestellt, auf dem eine GaAs0,75P0,25-Pufferschicht mit einer Dicke von 2000 Å epitaktisch aufgewachsen wurde, gefolgt von einer weiteren epitaktischen Bildung einer n-leitenden Al0,64In0,36P-Mantelschicht und einer aktiven Schicht aus Ga0,64In0,36P. Danach wurde eine p-leitende Al0,64In0,36P-Mantelschicht gebildet. Eine isolierende Schicht und Elektroden wurden gemäß Fig. 1 gebildet, um eine Halbleiterlaservorrichtung zu erhalten. Die Laserwellenlänge der Vorrichtung betrug 580 nm. Es sei angemerkt, daß die Bandlückenenergie zwischen der aktiven Schicht und der Mantelschicht 0,25 eV war.
  • Das vorstehende Verfahren wurde wiederholt, wobei die Pufferschicht jedoch aus Si0,25Ge0,75 oder Ga0,64In0,36P gemacht wurde, und lieferte ähnliche Ergebnisse.
  • So kann, wenn das Substrat aus monokristallinem SiGe für die AlGaInP-Halbleiterlaservorrichtung verwendet wird, eine Lasertätigkeit bei kurzer Wellenlänge ohne Verwendung von Aluminium in der aktiven Schicht realisiert werden. Die Laservorrichtung ist kaum einer von einer Oxidation während des Betreibens herrührenden Verschlechterung der Leistung ausgesetzt und ist daher äußerst zuverlässig.

Claims (7)

1. Halbleiterlaservorrichtung, die ein monokristallines Substrat (1), das im wesentlichen aus SiaGe1-a, wobei 0 < a < 0,25, besteht, und eine auf dem Substrat gebildete Verbindungshalbleiterschicht enthält, wobei die Verbindungshalbleiterschicht hinsichtlich des Gitters an das Substrat angepasst ist und eine Al-freie aktive Schicht (3) aus GabIn1-bP, wobei 0,51 < b < 0,64, und eine erste und eine zweite Mantelschicht (2, 4) enthält, zwischen denen die aktive Schicht liegt, wobei die erste Mantelschicht (2) auf dem Substrat gebildet ist, und jede Mantelschicht aus (AlcGa1-c)dIn1-dP, wobei 0,4 < c < 1 und 0,51 < d < 0,64, gemacht ist.
2. Halbleiterlaservorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Gitterkonstante des Substrats zwischen 0,560 und 0,5675 nm liegt.
3. Halbleiterlaservorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, die außerdem eine zwischen dem Substrat und der ersten Mantelschicht angeordnete Pufferschicht (8) enthält.
4. Halbleiterlaservorrichtung nach Anspruch 3, wobei die Pufferschicht aus einem Halbleiter gemacht ist, der aus der aus SieGe1-e, wobei 0 < e < 0,25, GaAsfP1-f, wobei 0,75 < f < 1 und GagIn1-gP, wobei 0,51 < g < 0,64, bestehenden Gruppe gewählt ist.
5. Halbleiterlaservorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, die außerdem eine Zwischenschicht (9) zwischen der Pufferschicht und der ersten Mantelschicht enthält.
6. Halbleiterlaservorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, die außerdem eine isolierende Schicht (7) und eine erste Elektrode (6), die in dieser Reihenfolge auf der zweiten Mantelschicht gebildet sind, und eine zweite Elektrode (5), die auf der anderen Seite des Substrats gebildet ist, enthält.
7. Halbleiterlaservorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Substrat und die erste Mantelschicht beide einem Leitfähigkeitstyp angehören und die zweite Mantelschicht dem anderen Leitfähigkeitstyp angehört.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4310571A1 (de) * 1993-03-26 1994-09-29 Daimler Benz Ag Leuchtdiode
DE4310569A1 (de) * 1993-03-26 1994-09-29 Daimler Benz Ag Laserdiode
JPH07231142A (ja) * 1994-02-18 1995-08-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体発光素子
JP2001015798A (ja) * 1999-06-29 2001-01-19 Toshiba Corp 半導体発光素子
CN103548220B (zh) * 2011-03-17 2015-12-09 菲尼萨公司 分解减少的具有铟INGaP势垒层和INGaAs(P)量子阱的激光器
CN110165555A (zh) * 2019-04-28 2019-08-23 西安理工大学 一种基于GexSi1-x可变晶格常数基体的红光半导体激光器

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5821320A (ja) * 1981-07-29 1983-02-08 Hitachi Ltd 半導体装置とその製法
JPS58191421A (ja) * 1982-05-04 1983-11-08 Nec Corp 化合物半導体成長用基板と化合物半導体の製造方法
JPS5986281A (ja) * 1982-11-09 1984-05-18 Agency Of Ind Science & Technol 可視光半導体レ−ザ
EP0259026B1 (de) * 1986-08-08 1994-04-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Doppelheterostruktur-Halbleiterlaser mit streifenförmigem Mesa-Wellenleiter
JPS6381990A (ja) * 1986-09-26 1988-04-12 Tokuzo Sukegawa 発光素子用材料
JPS63197391A (ja) * 1987-02-12 1988-08-16 Hitachi Ltd 半導体レ−ザ装置
FR2620863B1 (fr) * 1987-09-22 1989-12-01 Thomson Csf Dispositif optoelectronique a base de composes iii-v sur substrat silicium
JPH0318273A (ja) * 1989-06-15 1991-01-25 Stanley Electric Co Ltd スイッチング電源装置

Also Published As

Publication number Publication date
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EP0460939A3 (en) 1992-07-29
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JPH07120838B2 (ja) 1995-12-20
EP0460939A2 (de) 1991-12-11
DE69101469D1 (de) 1994-04-28
US5164950A (en) 1992-11-17

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