DE69033563T2

DE69033563T2 - Magnetooptische Medien

Info

Publication number: DE69033563T2
Application number: DE69033563T
Authority: DE
Inventors: Takeo Kawase; Hiromu Miyazawa; Satoshi Nebashi; Shinya Ootsuki
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1989-03-28
Filing date: 1990-03-28
Publication date: 2000-10-12
Anticipated expiration: 2010-03-29
Also published as: WO1990011602A1; JPH02254648A; US5667887A; EP0762413B1; EP0426864A1; DE69030991T2; EP0762413A1; DE69033563D1; EP0426864A4; EP0426864B1; DE69030991D1

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf magnetooptische Medien zum Durchführen des Auslesens von Signalen unter Verwendung des magnetooptischen Effektes (Kerr- Effekt).
Bei einem üblichen magnetooptischen Medium, wie es der Offenbarung der japanischen Patentanmeldung 27 458/87 zu entnehmen ist, findet sich die Betrachtungsweise, daß bei einem auf dem Kerr-Effekt beruhenden Lesesystem unter Verwendung des reflektierten Lichtes von einem magnetooptischen Medium das Signal-/Rauschverhältnis (S/N-Verhältnis) proportional zu log (Θ · R) ist (worin Θ einen Kerr-Drehwinkel bezeichnet und R die Rate des reflektierten Lichtes ist) und die Optimierung des Brechungsindex und der Filmdicke jeder Dünnfilmschicht wurde im Hinblick auf das vorstehend beschriebene S/N-Verhältnis, die Schutzeigenschaften, die Wärmeleiteigenschaften usw. durchgeführt.
Weil die Phasendifferenz zwischen P-polarisiertem Licht und S-polarisiertem Licht im Schlimmstfall bei einem in Massenproduktion hergestellten magnetooptischen Kopf eine Schwankung von ungefähr 5 ± 15º hat, ergeben sich jedoch Fälle, bei denen ein geeignetes S/N-Verhältnis nicht erreicht werden kann, wenn das Lesen auf der Grundlage des Kerr-Effektes durchgeführt wird, selbst bei magnetooptischen Medien, die in der bestmöglichen Weise mit der üblichen Technologie entwickelt wurden. Daher ist die vorliegende Erfindung auf die Lösung des vorstehend angegebenen Problems gerichtet und ihr Ziel besteht darin, ein magnetooptisches Medium zu schaffen, das in einer bestmöglichen Weise derart gebildet ist, daß ein S/N-Verhältnis erreicht wird, das eine Aufzeichnung mit hoher Dichte und ein Lesen bei der Temperatur in einem Laufwerk in praktischem Gebrauch ermöglicht.
Die deutsche Patentanmeldung DE 36 23 285 beschreibt ein magnetooptisches Aufzeichnungsmedium mit einer Schutzschicht, die aus S/N und einem senkrecht magnetisierten amorphen Film aus einer Legierung mit der Formel (R1-xMx)a (Fe1-yCOy)100-a besteht, worin R zumindest eines von La, Ce, Pr, Nd, Sm, Ho, Er und Yb ist, M zumindest eines von Tb, Gd und Dy ist und 0 ≤ x < 0,5, 0 < y < 1 und 10 ≤ a ≤ 40 ist. Diese Anmeldung befaßt sich jedoch nicht mit dem Problem, das durch die Phasendifferenzschwankung hervorgerufen wird. Alternative Schutzschichten, die aus SiO&sub2; und AlSiN bestehen, sind in der japanischen Patentanmeldung 63 031 049 und dem Journal of Applied Physics, Band 57, Nr. 1, April 1985 beschrieben.
Durch die vorliegende Erfindung wird ein magnetooptisches Medium zur Verwendung in einem magnetooptischen Laufwerk geschaffen, wobei das Medium die in den beigefügten Ansprüchen angegebenen Merkmale aufweist.
Fig. 1 ist eine seitliche Oberflächenschnittdarstellung einer Ausführungsform des magnetooptischen Mediums gemäß der vorliegenden Erfindung,
Fig. 2 ist ein Diagramm, das die Änderung des Brechwertes gegenüber der Filmdicke von AlSiN zeigt,
Fig. 3 ist ein Diagramm, das die Änderung des Brechwertes gegenüber der Filmdicke von Al zeigt,
Fig. 4 ist ein Diagramm zur Darstellung einer Ausführungsform der am besten geeigneten Berechnung der Filmkonstruktion,
Fig. 5 ist ein Diagramm zur Darstellung der Änderung des S/N-Verhältnisses des magnetooptischen Mediums gemäß der vorliegenden Erfindung gegenüber der Schwankung der Phasendifferenz bei der Verwendung von in Massenproduktion hergestellten magnetooptischen Köpfen,
Fig. 6 ist ein Diagramm, das die Änderung des S/N-Verhältnisses des magnetooptischen Mediums gemäß der üblichen Technologie gegenüber der Schwankung der Phasendifferenz bei der Verwendung von in Massenproduktion hergestellten magnetooptischen Köpfen zeigt,
Fig. 7 ist ein Diagramm, das die Änderung des S/N-Verhältnisses in dem Fall zeigt, bei dem das mit üblicher Technologie hergestelltes magnetooptisches Medium unter Änderung der Phasendifferenz des magnetooptischen Kopfes bei einer Umgebungstemperatur von 25ºC und 55ºC gelesen wurde,
Fig. 8 ist ein Diagramm, das die Änderung des S/N-Verhältnisses in dem Fall zeigt, bei dem das magnetooptische Medium, das unter Herstellung der Aufzeichnungsschicht aus NdDyFeCo auf der Grundlage der vorliegenden Ausführungsform 2 hergestellt wurde, durch Ändern der Phasendifferenz des magnetooptischen Kopfes bei der Umgebungstemperatur von 25ºC, 40ºC und 55ºC gelesen wird,
Fig. 9 ist ein Diagramm, das die Änderung des S/N-Verhältnisses in dem Fall zeigt, bei dem das magnetooptische Medium, das durch Herstellen der Aufzeichnungsschicht aus NdDyTbFeCo auf der Grundlage der vorliegenden Ausführungsform 2 hergestellt wird, durch Ändern der Phasendifferenz des magnetooptischen Kopfes bei der Umgebungstemperatur von 25ºC, 40ºC und 55ºC gelesen wird,
Fig. 10 ist ein Diagramm, das das minimale S/N-Verhältnis Sw bei der Phasendifferenz zwischen ±15º in dem Fall zeigt, bei dem die Spurteilung des magnetooptischen Mediums in der üblichen Technologie und bei der beschriebenen Ausführungsform 2 geändert wird,
Fig. 11 ist ein Diagramm, das die Änderung des minimalen S/N-Verhältnisses Sw bei der Phasendifferenz zwischen ±15º in dem Fall zeigt, wenn das Intervall der kürzesten Pit- oder Vertiefungsteilung des magnetooptischen Mediums in der üblichen Technologie und der beschriebenen Ausführungsform 2 geändert wurde,
Fig. 12 ist ein Diagramm, das die Änderung des minimalen S/N-Verhältnisses Sw bei der Phasendifferenz zwischen ±15º in dem Fall zeigt, bei dem das Zusammensetzungsverhältnis x+y (at%) der Seltenerdmetalle, die in dem Aufzeichnungsfilm enthalten sind, in dem Dünnfilm geändert wird, der die Typen 1, 2 und 3 der beschriebenen Ausführungsform 3 bildet, bei denen NdDyFeCo verwendet wird,
Fig. 13 ist ein Diagramm, das die Änderung des minimalen S/N-Verhältnisses Sw bei der Phasendifferenz zwischen ±15º zeigt und das S/N-Verhältnis Sp bei der Phasendifferenz 0º in dem Fall zeigt, wenn das Zusammensetzungsverhältnis x (at %) von Nd, das in dem Aufzeichnungsfilm enthalten ist, in dem die Typen 1, 2 und 3 der beschriebenen Ausführungsform 3 bildenden Dünnfilm geändert wurde, bei dem NdDyFeCo verwendet wurde,
Fig. 14 ist ein Diagramm, das die Änderung des minimalen S/N-Verhältnisses Sw bei der Phasendifferenz zwischen ±15º in dem Fall zeigt, bei dem das Zusammensetzungsverhältnis x + y (at%) der Seltenerdmetalle, die in dem Aufzeichnungsfilm enthalten sind, in dem die Typen 1, 2 und 3 der beschriebenen Ausführungsform 3 bildenden Dünnfilm geändert wurde, bei denen NdDyFeCo verwendet wurde,
Fig. 15 ist ein Diagramm, das die Änderung des minimalen S/N-Verhältnisses Sw bei der Phasendifferenz zwischen ±15º zeigt und das S/N-Verhältnis Sp bei der Phasendifferenz von 0º in dem Fall zeigt, wenn das Zusammensetzungsverhältnis x (at%) von Nd, das in dem Aufzeichnungsfilm enthalten ist, in dem die Typen 1, 2 und 3 der beschriebenen Ausführungsform 3 bildenden Dünnfilm geändert wird, bei denen NdDyFeCo verwendet wurde,
Fig. 16 ist ein Diagramm, das die Änderung der Phasendifferenz Ph für den Spitzenwert des S/N-Verhältnisses und das minimale S/N-Verhältnis Sw bei der Phasendifferenz zwischen ±15º in dem Fall zeigt, bei dem die Dicke L&sub1; des ersten Schutzfilms bei der beschriebenen Ausführungsform 4 geändert wird,
Fig. 17 ist ein Diagramm, das die Änderung der Phasendifferenz Ph für den Spitzenwert des S/N-Verhältnisses und das das minimale S/N-Verhältnis Sw zwischen ±15º in dem Fall zeigt, bei dem die Dicke L&sub2; des zweiten Schutzfilms bei der beschriebenen Ausführungsform 5 geändert wird,
Fig. 18 ist ein Diagramm, das die Änderung der Laserleistung P&sub1; zeigt, wenn das S/N- Verhältnis 45 dB in dem Fall erreicht, bei dem die Dicke L&sub2; des zweiten Schutzfilms bei der beschriebenen Ausführungsform 5 geändert wurde,
Fig. 19 ist ein Diagramm, das die Änderung der Phasendifferenz Ph für den Spitzenwert des S/N-Verhältnisses und das das minimale S/N-Verhältnis Sw zwischen ±15º in dem Fall zeigt, bei dem die Dicke Lr des reflektierenden Films bei der beschriebenen Ausführungsform 6 geändert wird,
Fig. 20 ist ein Diagramm, das die Änderung der Laserleistung P&sub1; zeigt, wenn das S/N- Verhältnis 45 dB in dem Fall erreicht, bei dem die Dicke Lr des reflektierenden Films bei der beschriebenen Ausführungsform 6 geändert wurde,
Fig. 21 ist ein Diagramm, das die Beziehung zwischen Q und Sw bei der beschriebenen Ausführungsform 7 zeigt.
1. Transparentes Substrat
2. Erste Schutzschicht
3. Zweite Schutzschicht
4. Aufzeichnungsschicht
5. Reflektierende Schicht
6. Haftschicht

Ausführungsform 1

Im folgenden wird eine ausführliche Erläuterung einer Ausführungsform der magnetooptischen Platte gemäß der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen gegeben.
Fig. 1 ist eine seitliche Oberflächenschnittdarstellung einer Ausführungsform der magnetooptischen Platte gemäß der vorliegenden Erfindung.
In Fig. 1 bezeichnet die Bezugsziffer 1 ein transparentes Substrat, das beispielsweise aus Glas, Acrylharz, PC- (Polycarbonat-) Harz und dergleichen hergestellt ist und dessen Dicke ungefähr 1,2 mm beträgt. Die Bezugsziffern 2 und 3 bezeichnen transparente Dünnfilme, die aus AlSiN (Aluminiumsiliziumnitrit) gebildet sind und als eine Schutzschicht verwendet werden. Die Bezugsziffer 4 bezeichnet einen magnetischen Dünnfilm, dessen leicht magnetisierbare Achse senkrecht zur Filmoberfläche verläuft, der aus NdDyFeCo, TbFeCo, DyFeCo und dergleichen hergestellt ist und der als Aufzeichnungsschicht verwendet wird. Die Bezugsziffer 5 bezeichnet eine reflektierende Schicht, die aus Al hergestellt ist. Die Bezugsziffer 6 bezeichnet eine Haftschicht, die aus Epoxyharz, Heißschmelzklebern und dergleichen hergestellt ist, um die einander gegenüberliegenden magnetooptischen Platten miteinander zu verkleben. Der Brechwert des vorstehend beschriebenen Substrates 1 beträgt 1,5, und die aus AlSiN bestehende Schutzschicht weist einen Brechwert in Abhängigkeit von der Filmstärke auf, wie dies in Fig. 2 gezeigt ist. Die reflektierende Schicht 5, die aus Al besteht, hat einen Brechwert, der von der Filmstärke in der in Fig. 3 gezeigten Weise abhängt. Das von dem Substrat 1 aus auftreffende Licht gelangt durch die Schutzschicht 2, und die in der Grenzfläche zur Aufzeichnungsschicht 4 reflektierte Komponente und die Komponente, die die Aufzeichnungsschicht 4 und die Schutzschicht 3 durchläuft und an der reflektierenden Schicht 5 reflektiert wird, treten in Interferenz miteinander, und der Kerr-Drehwinkel steigt an. Die Laserwellenlänge der Lichtquelle bei der beschriebenen Ausführungsform ist 825 nm.
Das Ergebnis der Berechnung der Reflektivität (R), der Phasendifferenz (δ) und des charakteristischen Index (Q) bei den verschiedenen Aufzeichnungsfilmdicken unter den beschriebenen Bedingungen ist in Fig. 4 gezeigt. Obwohl die Optimierung der Filmzusammensetzung durch Wiederholen der Berechnung, wie sie vorstehend beschrieben wurde, ausgeführt wird, muß weiterhin darauf geachtet werden, daß eine ausreichende Reflektivität, Schutzwirkung und Aufzeichnungsempfindlichkeit aufrechterhalten wird.
Als ein Beispiel der Filmzusammensetzung, die entwickelt wurde, um einer solchen Optimierung unterworfen zu werden, wie sie weiter oben beschrieben wurde, wurde ein magnetooptisches Medium gebildet, bei dem die Zusammensetzung derart ist, daß das Substrat 1 aus einem PC-Harz mit einer Dicke von 1,2 mm hergestellt ist, die Dicke der Schutzschicht 2, die aus AlSiN besteht, zwischen 400 Å und 700 Å liegt (1 Å = 10&supmin;¹ nm), wobei die Dicke der Aufzeichnungsschicht, die aus NdDyFeCo besteht, zwischen 250 Å und 300 Å liegt, wobei die Dicke der Schutzschicht 3, die aus AlSiN besteht zwischen 200 Å und 300 Å liegt, und die Dicke der reflektierenden Schicht 5, die aus Al besteht, zwischen 500 Å und 700 Å liegt. Der Grund, warum AlSiN als die Schutzschicht verwendet wird, besteht hier darin, daß sie hinsichtlich der Schutzwirkung und der Wärmeleiteigenschaften ausgezeichneter ist, als SiN und SiO&sub2;. Der Grund, warum NdDyFeCo als Aufzeichnungsschicht verwendet wurde, besteht darin, daß die Leseeigenschaften gleich denen von TbFeCo sind und daß weiterhin die Aufzeichnung bei einem niedrigeren Magnetfeld als bei TbFeCo durchgeführt werden kann und dieses Material billig ist.
Es wird gesagt, daß die magnetooptischen Köpfe die Phasendifferenz zwischen dem polarisierten Licht (Ppolarisiertes Licht) in der gleichen Richtung wie die des auftreffenden polarisierten Lichtes und des polarisierten Lichtes (S-polarisiertes Licht) haben, das senkrecht das P-polarisierte Licht schneidet, und daß diese Phasendifferenz im Schlimmstfall ungefähr +15º beträgt, und selbst im Schwankungsbereich dieses magnetooptischen Kopfes muß das hohe S/N-Verhältnis der magnetooptischen Platte garantiert werden. Daher wurde bei der magnetooptischen Platte mit der vorstehend beschriebenen Konstruktion eine Babinet- Soleil-Platte im Inneren eines praktisch ausgeführten magnetooptischen Kopfes kombiniert, um eine absichtliche Phasendifferenz hervorzurufen und um das S/N- Verhältnis zu messen, und das Ergebnis ist in Fig. 5 gezeigt. In Fig. 5 zeigt die Abszisse die Phasendifferenz aufgrund der Babinet-Soleil-Platte, und die Ordinate zeigt das S/N-Verhältnis in diesem Fall. Die Spitzenposition des S/N-Verhältnisses liegt gerade an der Position vor, an der die Phasendifferenz bei 0º liegt, und selbst wenn die interne Phasendifferenz des in Massenproduktion hergestellten magnetooptischen Kopfes im Bereich von ungefähr ±15º liegt, kann ein ausreichendes S/N-Verhältnis erzielt werden. In Fig. 6 ist das Ergebnis des gleichen Experimentes bei der magnetooptischen Platte gezeigt, die Filmkonstruktion hat, wie sie bei der üblichen Technologie verwendet wird. Wenn in Fig. 6 die interne Phasendifferenz des magnetooptischen Kopfes im Bereich von 0º oder +15º liegt, kann ein ausreichendes S/N-Verhältnis erzielt werden, doch wenn er ein magnetooptischer Kopf mit einer internen Phasendifferenz von -15º ist, so kann ein ausreichendes S/N-Verhältnis nicht erzielt werden.

Ausführungsform 2

Bei einem praktisch verwendeten magnetooptischen Laufwerk kann die Innentemperatur im Betriebszustand aufgrund der Wärmeentwicklung der Schaltung und der Wicklung des Stellgliedes 50ºC bis 60ºC erreichen. Bei einer derartig hohen Temperatur wie der vorstehend genannten, ändert sich die Phasendifferenz des magnetooptischen Mediums aufgrund des Einflusses der Doppelbrechung des Substrates. Daher sollte ein magnetooptisches Medium optisch so konstruiert sein, daß die Phasendifferenz selbst bei einer hohen Temperatur bei 0º liegt. Fig. 7 zeigt das Ergebnis der Messung des S/N-Verhältnisses des magnetooptischen Mediums, das entsprechend der üblichen Technologie konstruiert ist, wobei eine Babinet-Soleil- Platte im inneren des magnetooptischen Kopfes eingefügt ist, so daß sich absichtlich eine Phasendifferenz ergibt. Obwohl die Spitzenposition des S/N-Verhältnisses bei der Phasendifferenz von 10º bei 25ºC liegt, hat sich der Spitzenwert des S/N-Verhältnisses auf 35º bei 55ºC verschoben. Daher muß ein Film unter Berücksichtigung der Größe der Spitzenwertverschiebung zum Zeitpunkt einer hohen Temperatur ausgelegt werden. D. h., damit der Spitzenwert des S/N-Verhältnisses zum Zeitpunkt einer hohen Temperatur bei der Phasendifferenz von 0º liegt, wird der Spitzenwert des S/N- Verhältnisses bei 25ºC vorher auf die Minusseite der Phasendifferenz derart eingestellt, daß die Verschiebung zum Zeitpunkt der hohen Temperatur ausgeglichen wird. Es ist aus einer Bezugnahme auf Fig. 4 zu erkennen, daß hierzu die Filmdicke des Aufzeichnungsfilms kleiner als 250 Å sein sollte. Aus Fig. 4 ist jedoch zu erkennen, daß dies nicht zweckmäßig ist, weil der charakteristische Index Q deutlich abgesenkt wird, wenn die Filmdicke des Aufzeichnungsfilms kleiner als 125 Å wird. Weiterhin muß die Dicke der jeweiligen Schichten optimiert werden, um ein geeignetes Reflexionsvermögen, eine Schutzwirkung und Aufzeichnungsempfindlichkeit aufrechtzuerhalten.
Als ein Beispiel der Filmkonstitution, die unter Berücksichtigung der Phasendifferenz bei einer hohen Temperatur optimiert wurde, wie dies in Fig. 1 gezeigt ist, wurde ein magnetooptisches Medium gebildet, bei dem die Konstruktion derart ist, daß das Substrat 1 aus PC-Harz mit der Dicke von 1,2 mm bestand, die Dicke der aus AlSiN bestehenden Schutzschicht 2 zwischen 400 Å und 700 Å lag, die Dicke der aus NdDyFeCo bestehenden Aufzeichnungsschicht zwischen 125 Å und 250 Å lag, die Dicke der aus AlSiN bestehenden Schutzschicht 3 zwischen 150 Å und 250 Å lag, und die Dicke der reflektierenden Schicht 5 aus Al zwischen 400 Å und 800 Å lag. In Fig. 8 ist das S/N-Verhältnis beim Lesen des magnetooptischen Mediums der beschriebenen Ausführungsform 2 durch Ändern der Phasendifferenz in dem magnetooptischen Kopf gezeigt. Die Umgebungstemperatur zum Zeitpunkt des Lesens wurde als veränderlich im Bereich von 25ºC bis 55ºC angenommen. Es ist zu erkennen, daß bei 55ºC die Spitzenposition des S/N-Verhältnisses der Phasendifferenz von 0º bei dieser Ausführungsform entspricht. Weiterhin liegt im Bereich von -15º bis +15º, was der Phasendifferenz-Schwankung des in Massenproduktion hergestellten magnetooptischen Kopfes entspricht, das S/N-Verhältnis oberhalb der 45 dB, die für eine ausreichende Signalqualität erforderlich sind. Weiterhin ist zu erkennen, daß wenn die Umgebungstemperatur im Bereich von 25ºC bis 55ºC liegt, mehr als 45 dB immer als S/N-Verhältnis im Bereich von -15º bis +15º für die Phasendifferenz- Schwankung des magnetooptischen Kopfes erreicht werden. Der Grund, warum AlSiN als eine Schutzschicht verwendet wird, besteht hier darin, daß dieses Material hinsichtlich der Schutzwirkung und der Wärmeleiteigenschaften besser als SiN und SiO&sub2; ist. Der Grund dafür, warum NdDyFeCo als die Aufzeichnungsschicht verwendet wurde, besteht darin, daß die gleichen Kerr-Leseeigenschaften wie die von TbFeCo erreicht werden können und daß diese Aufzeichnungsschicht weiterhin eine Aufzeichnung in einem schwächeren Magnetfeld durchführen kann, als TbFeCo, und daß sie außerdem preisgünstig ist.
Selbst wenn die Aufzeichnungsschicht aus NdDyTbFeCo hergestellt ist, kann der gleiche Effekt erzielt werden. Wie dies in Fig. 1 gezeigt ist, wurde ein magnetooptisches Medium gebildet, das eine derartige Konstruktion hatte, daß das Substrat 1 aus dem PC-Harz mit einer Dicke von 1,2 mm hergestellt wurde, daß die Dicke der Schutzschicht 2 aus AlSiN zwischen 400 Å und 700 Å lag, daß die Dicke der aus NdDyTbFeCo bestehenden Aufzeichnungsschicht 4 zwischen 125 Å und 250 Å lag, daß die Dicke der aus AlSiN bestehenden Schutzschicht zwischen 150 Å und 250 Å lag und daß die Dicke der reflektierenden Schicht aus Al zwischen 400 Å und 800 Å lag. In Fig. 9 ist das S/N-Verhältnis in dem Fall gezeigt, bei dem das magnetooptische Medium der beschriebenen Ausführungsform 2 durch Ändern der Phasendifferenz des magnetooptischen Kopfes gelesen wurde. Es ist gezeigt, daß in dem Temperaturbereich von 25ºC bis 55ºC das S/N-Verhältnis von 45 dB im Bereich der Phasendifferenz des magnetooptischen Kopfes von +15º bis -15º erreicht wird.
Weiterhin kann, selbst wenn der magnetooptische Aufzeichnungsfilm aus NdDyFeCo oder aus NdDyTbFeCo hergestellt ist, das gleiche Ergebnis wie bei der beschriebenen Ausführungsform 2 erzielt werden, wenn der reflektierende Film aus einer Aluminiumlegierung, wie z. B. AlTi, AlCr, AlTa usw. hergestellt wurde.
Die maximale Speicherkapazität, die eine Platte aufweisen kann, ist durch die Dichte der Aufzeichnungsbits bestimmt. Wenn daher die Aufzeichnungsdichte vergrößert wurde, so zeigt dies die Überlegenheit der vorstehend beschriebenen Ausführungsform gegenüber der üblichen Technologie.
In Fig. 10 ist die Änderung des S/N-Verhältnisses bei einer Vergrößerung der Aufzeichnungsdichte in Radialrichtung der Platte gezeigt. Die Spursteigung oder Spurteilung wurde verkürzt, um die Aufzeichnungsdichte zu vergrößern. Die Platte ist eine einzelne Platte, um das Überschreiben des Magnetfeld-Modulationssystems zu verwirklichen. Das Intervall der Aufzeichnung von Bits beträgt 0,78 um. Die Aufzeichnung wird mit einer linearen Geschwindigkeit von 20 m/sec mit einer Laserleistung von 7 mW und unter einem Vorspannmagnetfeld von 150 Oe durch die Magnetfeldmodulation durchgeführt. Das Aufzeichnen und Lesen wurde bei einer Umgebungstemperatur von 55ºC ausgeführt. In Fig. 10 ist Sw, das minimale S/N- Verhältnis innerhalb von ±15º auf der Ordinate aufgetragen. Wie dies aus Fig. 10 zu erkennen ist, kann bei dem Medium gemäß der vorliegenden Erfindung selbst bei einer Spurteilung von 1,2 um mehr als 45 dB innerhalb von ±15º der Schwankung der Phasendifferenz aufgrund des Kopfes erreicht werden.
Fig. 11 zeigt die Änderung des S/N-Verhältnisses in dem Fall, bei dem die Aufzeichnungsdichte in der tangentialen Richtung der Platte vergrößert wird. Um die Aufzeichnungsdichte zu vergrößern, ist die Teilung der kürzesten "Pit" oder der Vertiefung verkleinert. Die Spurteilung beträgt in diesem Fall 1,6 um. Die Platte ist eine einzelne Platte, um das Überschreiben des Magnetfeld-Modulationssystems zu verwirklichen. Die Aufzeichnung wird bei einer linearen Geschwindigkeit von 20 m/sec mit einer Laserleistung von 7 mW und unter einem Vorspann-Magnetfeld von 150 Oe durch die Magnetfeld-Modulation durchgeführt. Das Aufzeichnen und Lesen wurde bei einer Umgebungstemperatur von 55ºC ausgeführt. In Fig. 11 ist Sw, das minimale S/N-Verhältnis innerhalb von +15º auf der Ordinate aufgetragen.
Fig. 11 zeigt, daß es das Medium gemäß der vorliegenden Erfindung ermöglicht, ein S/N-Verhältnis von mehr als 45 dB bei einer Pit-Teilung von 0,4 um zu erreichen.
Aus den vorstehend beschriebenen Fig. 10 und 11 ist zu erkennen, daß das Medium gemäß der vorliegenden Erfindung ausgezeichnete Eigenschaften im Vergleich mit den Medien nach der üblichen Technologie im Hinblick auf die Verbesserung der Aufzeichnungsdichte hat.
Bei der hier beschriebenen Ausführungsform 2 hat AlSiN zur Bildung der Schutzschichten 2 und 3 einen Brechwert zwischen 1,95 und 2,05 und wenn es als:
(AlxSi100-x)N
dargestellt ist, so trifft dies zu, wenn die folgende Beziehung erfüllt ist:
0 at% ≤ x ≤ 95 at%.
Ein besonders bevorzugter Zusammensetzungsbereich ist wie folgt:
10 at% ≤ x ≤ 50 at%.

Ausführungsform 3

Die Dünnfilm-Mehrschichtstrukturen der magnetooptischen Medien sind auf 3 Typen gemäß Tabelle 1 festgelegt, und in den jeweiligen Fällen sind die Zusammensetzungen der Aufzeichnungsschichten geändert. Diese Zusammensetzungen sind auf einem transparenten Substrat in einer Reihenfolge aufgeschichtet, bei der zunächst der Schutzfilm und der Aufzeichnungsfilm und als zweites der Schutzfilm und der reflektierende Film aufeinanderfolgend angeordnet sind.
Der erste Schutzfilm und der zweite Schutzfilm sind jedoch beide aus AlSiN hergestellt. Tabelle 1
Die Einheiten sind in Å angegeben.
Signale werden auf die magnetooptischen Medien geschrieben und von diesen gelesen, wobei die Medien in der vorstehend beschriebenen Weise hergestellt werden. Bei dem Lesevorgang wird die auf den Kopf zurückgehende Phasendifferenz absichtlich gegenüber 0º durch die Verwendung der Babinet-Soleil-Platte verschoben, die im Inneren des magnetooptischen Kopfes angeordnet ist. Wenn die Zusammensetzung der Aufzeichnungsschicht wie folgt dargestellt ist:
NdxDyy(FeCo)100-x-y
ist die Beziehung zwischen dem Wert des Zusammensetzungsverhältnisses x + y von Seltenerdmetallen und dem minimalen S/N-Verhältnis Sw innerhalb von ±15º, was die Phasendifferenz des Kopfes bei der Umgebungstemperatur von 55ºC ist, ist in Fig. 12 gezeigt. Wenn die folgende Beziehung erfüllt ist:
25 at% ≤ x + y ≤ 30 at%,
so ist Sw größer als 45 dB, selbst bei einer beliebigen Struktur nach einem der Typen nach Tabelle 1.
Weiterhin ist die Beziehung zwischen dem Wert von x in dem Fall, bei dem x + y 28 at% ist und das S/N-Verhältnis Sp bei der Phasendifferenz des Kopfes von 0º, in Fig. 13 gezeigt. Die Umgebungstemperatur ist 55ºC. In Fig. 13 ist das minimale S/N-Verhältnis Sw innerhalb von ±15º des Kopfes ebenfalls gezeigt. Aus Fig. 13 ist zu erkennen, daß wenn die Beziehung:
0 at% ≤ x ≤ 8 at%
erfüllt ist, ein S/N-Verhältnis von mehr als 45 dB im Bereich von +15º sichergestellt ist. Dieser Bereich von x gilt in dem Bereich, bei dem x + y zwischen 25 at% und 30 at% liegt.
Wenn die Zusammensetzung der Aufzeichnungsschicht wie folgt dargestellt werden kann:
Ndx(Dy 0,74 Tb 0,26)y(FeCo)100-x-y,
so ist die Beziehung zwischen dem Wert des Zusammensetzungsverhältnisses x + y von Seltenerdmetallen und dem minimalen S/N-Verhältnis Sw innerhalb der Phasendifferenz des Kopfes von +15º bei der Umgebungstemperatur von 55ºC in Fig. 14 gezeigt.
Wenn die Beziehung:
25 at% ≤ x + y ≤ 30 at%
bei irgendeinem Typ von Struktur nach Tabelle 1 erfüllt ist, so Sw größer als 45 dB.
Weiterhin ist für den Fall, bei dem x + y bei 28 at% liegt, die Beziehung zwischen dem Wert von x und dem S/N-Verhältnis Sp bei der Phasendifferenz des Kopfes von 0º in Fig. 15 gezeigt. Die Umgebungstemperatur beträgt 55ºC. In Fig. 15 ist weiterhin das minimale S/N-Verhältnis Sw innerhalb von ±15º für die Phasendifferenz des Kopfes ebenfalls gezeigt.
Aus Fig. 15 ist zu erkennen, daß wenn die Beziehung
0 at% ≤ x ≤ 8 at%
erfüllt ist, das S/N-Verhältnis von mehr als 45 dB in dem Bereich von ±15º sichergestellt ist. Dieser Bereich von x gilt für den Bereich von x + y von mehr als 25 at% und weniger als 30 at%. Hierbei kann das Verhältnis zwischen Dy und Tb willkürlich sein.
Wenn hier das Verhältnis von Fe und Co als:
FezCo1-z
dargestellt ist, so gilt die beschriebene Ausführungsform 3, wenn die folgende Beziehung erfüllt ist: 0,07 ≤ z ≤ 0,43.

Ausführungsform 4

Auf einem transparenten Substrat wird ein magnetooptisches Medium durch Aufschichten des ersten Schutzfilms mit L&sub1; Å, eines Aufzeichnungsfilms mit 170 Å, des zweiten Schutzfilms mit 200 Å und eines reflektierenden Films mit 600 Å hergestellt. Die ersten und zweiten Schutzfilme sind jedoch aus AlSiN, SiN oder SiO&sub2; mit einem Brechwert zwischen 1,95 und 2,05 hergestellt. Weiterhin ist der Aufzeichnungsfilm aus NdDyFeCo oder NdDyTbFeCo hergestellt. Weiterhin ist der reflektierende Film aus AlTi, AlCr oder AlTa hergestellt. Die Phase des magnetooptischen Kopfes wird zum Lesen des magnetooptischen Mediums unter Verwendung der Babinet-Soleil-Platte geändert, die im Inneren des magnetooptischen Kopfes angeordnet ist. Die Umgebungstemperatur ist auf 55ºC eingestellt. Die Phase des Kopfes, bei dem das S/N-Verhältnis der Lesesignale den Spitzenwert aufweist, wird als die Phase Ph bezeichnet, die das magnetooptische Medium selbst bei der Umgebungstemperatur aufweist. Weiterhin wird der Wert des niedrigsten S/N-Verhältnisses innerhalb von ±15º als Sw bezeichnet. Die Beziehung zwischen der Dicke L&sub1; des ersten Schutzfilms und Ph und Sw ist in Fig. 16 gezeigt. Aus Fig. 16 ist zu erkennen, daß Ph auf einen Bereich innerhalb von +15º festgelegt werden kann und daß Sw größer als 45 dB wird, wenn L&sub1; zwischen 400 Å und 700 Å liegt.

Ausführungsform 5

Ein magnetooptisches Medium wird dadurch hergestellt, daß auf einem transparenten Substrat der erste Schutzfilm mit 600 Å, ein Aufzeichnungsfilm mit 170 Å, ein zweiter Schutzfilm mit L&sub2; Å und ein reflektierender Film mit 600 Å aufgeschichtet wird. Die ersten und zweiten Schutzfilme sind jedoch aus AlSiN, SiN oder SiO&sub2; mit einem Brechwert zwischen 1,95 und 2,05 hergestellt. Weiterhin ist der Aufzeichnungsfilm aus NdDyFeCo oder NdDyTbFeCo hergestellt. Weiterhin ist der reflektierende Film aus AlTi, AlCr oder AlTa hergestellt. Das magnetooptische Medium wird durch Ändern der Phase des magnetooptischen Kopfes durch die Verwendung der Babinet-Soleil-Platte gelesen, die im Inneren des magnetooptischen Kopfes angeordnet ist. Die Umgebungstemperatur ist auf 55ºC eingestellt. Die Phase des Kopfes, die den Spitzenwert des S/N-Verhältnisses der Lesesignale darstellt, ist als Phase Ph bezeichnet, die das magnetooptische Medium selbst bei dieser Umgebungstemperatur aufweist. Weiterhin wird der Wert des niedrigsten S/N-Verhältnisses innerhalb von ±15º, das der magnetooptische Kopf aufweist, als Sw bezeichnet. Für diesen Fall ist die Beziehung zwischen der Dicke L&sub2; des zweiten Schutzfilms und Ph und Sw in Fig. 17 gezeigt. Aus Fig. 17 ist zu erkennen, daß Ph auf einen Wert von innerhalb von ±15º gehalten werden kann, wenn L&sub2; kleiner als 250 Å ist, und daß Sw größer als 45 dB ist.
Als nächstes wird die Beziehung zwischen der Dicke L&sub2; des zweiten Schutzfilms und der Laserleistung P, in dem Fall betrachtet, bei dem das S/N-Verhältnis 45 dB erreicht. Die lineare Geschwindigkeit zum Zeitpunkt der Aufzeichnung beträgt 15 m/sec. In diesem Fall ist die Phasendifferenz des magnetooptischen Kopfes auf 0º eingestellt, und die Umgebungstemperatur ist auf 55ºC eingestellt. In Fig. 18 ist L&sub2; auf der Abszisse aufgetragen, und P&sub1; ist auf der Ordinate aufgetragen. Aus Fig. 18 ist zu erkennen, daß P&sub1; auf weniger als 6 mW gehalten werden kann, wenn L&sub2; größer als 150 Å ist, und daß die Signale effektiv mit einer niedrigen Laserleistung aufgezeichnet werden können.

Ausführungsform 6

Ein magnetooptisches Medium wird dadurch hergestellt, daß auf einem transparenten Substrat der erste Schutzfilm mit 600 Å, ein Aufzeichnungsfilm mit 170 Å, der zweite Schutzfilm mit 200 Å und ein reflektierender Film mit Lr Å aufgeschichtet wird. Die ersten und zweiten Schutzfilme sind aus AlSiN, SiN oder SiO&sub2; mit einem Brechwert zwischen 1,95 und 2,05 hergestellt. Weiterhin ist der Aufzeichnungsfilm aus NdDyFeCo oder NdDyTaFeCo hergestellt. Weiterhin ist der reflektierende Film aus AlTi, AlCr oder AlTa hergestellt. Das magnetooptische Medium wird unter Änderung der Phase des magnetooptischen Kopfes durch die Verwendung der Babinet-Soleil- Platte gelesen, die im Inneren des magnetooptischen Kopfes angeordnet ist. Die Umgebungstemperatur ist auf 55ºC eingestellt. Die Phase des Kopfes, bei der das S/N-Verhältnis der Lesesignale den Spitzenwert aufweist, ist als die Phase Ph bezeichnet, die das magnetooptische Medium selbst bei seiner Umgebungstemperatur aufweist. Weiterhin ist der Wert des niedrigsten S/N-Verhältnisses innerhalb von ±15º, das sich aufgrund des magnetooptischen Kopfes ergibt als Sw bezeichnet. Die Beziehung zwischen der Dicke Lr des reflektierenden Films und Ph und Sw ist in Fig. 19 gezeigt. Aus Fig. 19 ist zu erkennen, daß Ph auf einen Wert innerhalb von ±15º gehalten werden kann, wenn Lr größer als 400 A ist, und daß Sw größer als 45 dB wird.
Als nächstes ist die Beziehung zwischen der Dicke Lr des reflektierenden Films und der Aufzeichnungs-Laserleistung P&sub1; für den Fall gezeigt, daß das S/N-Verhältnis 45 dB erreicht. Die lineare Geschwindigkeit zum Zeitpunkt der Aufzeichnung beträgt 15 m/sec. In diesem Fall ist die Phasendifferenz des optischen Kopfes auf 0º eingestellt, und die Umgebungstemperatur ist auf 55ºC eingestellt. In Fig. 20 ist Lr auf der Abszisse aufgetragen, und P&sub1; ist auf der Ordinate aufgetragen. Aus Fig. 20 ist zu erkennen, daß P&sub1; unter 6 mW gehalten werden kann, wenn Lr kleiner als 800 A ist, und daß die magnetooptischen Signale effektiv mit einer niedrigen Laserleistung aufgezeichnet werden können.

Ausführungsform 7

Ein magnetooptisches Medium wird dadurch gebildet, daß auf einem transparenten Substrat die erste Schutzschicht, eine magnetooptische Aufzeichnungsschicht, die zweite Schutzschicht und eine reflektierende Schicht aufeinanderfolgend angeordnet werden. Bei der Konstruktion, bei der das Licht von dem vorstehend beschriebenen transparenten Substrat auf die vorstehend beschriebene Aufzeichnungsschicht und die vorstehend beschriebene reflektierende Schicht auftrifft, ist der Kerr-Drehwinkel des durch den Kerr-Effekt reproduzierten Lichtes mit Θ bezeichnet, das Kerr- Ellipsenverhältnis ist mit bezeichnet, das Reflexionsvermögen ist mit R (%) bezeichnet, und die Phasendifferenz zwischen der Ebene des auftreffenden polarisierten Lichtes und dem Licht in der Richtung für ein senkrechtes Schneiden der Ebene des Ebene des auftreffenden polarisierten Lichtes ist mit bezeichnet, wobei die folgende Gleichung angenommen wird:
δ = arctan ( /Θ)
Q = R * sinΘ * cos2δ
Weiterhin wird für den Fall, daß die Phasendifferenz in dem magnetooptischen Kopf um ±15º verändert ist, das niedrigste S/N-Verhältnis mit Sw bezeichnet. Hier entsprechen die ±15º dem maximalen Wert der Phasendifferenz-Schwankung bei einem in Massenproduktion hergestellten Laufwerk.
Fig. 21 ist ein Diagramm, das die Beziehung zwischen Q und Sw zeigt. Aus Fig. 21 ist zu erkennen, daß das S/N-Verhältnis von mehr als 45 dB, das ein stabiles Aufzeichnen und Lesen bei in Massenproduktion hergestellten Laufwerken ermöglicht, auch erreicht werden kann, wenn Q größer als 0,3 ist.

Betriebsverhalten

Bei dem Signal-Detektionssystem des magnetooptischen Kopfes ist die Phasendifferenz 5 zwischen der Richtung des auftreffenden polarisierten Lichtes (P- polarisiertes Licht) und der Richtung (S-polarisiertes Licht) senkrecht zur Richtung des auftreffenden polarisierten Lichtes ein Betrag, der zu dem Kerr-Drehwinkel Θ und dem Kerr-Ellipsenverhältnis E in Beziehung steht und wie folgt dargestellt werden kann:
δ = arctan ( /Θ).
Je kleiner gegenüber Θ ist, desto mehr nähert sich δ an 0 an. Andererseits ist das reproduzierte S/N-Verhältnis des magnetooptischen Mediums ein Betrag proportional zu log Q, und Q selbst kann wie folgt dargestellt werden:
Q = R * sin * cos 2δ .
D. h., selbst wenn der Kerr-Drehwinkel mit einer bestimmten Größe erreicht wurde, und wenn das Kerr-Ellipsenverhältnis bereits groß geworden ist, die Phasendifferenz δ im Inneren des magnetooptischen Mediums erzeugt wird und den Index Q verringert und weiterhin das S/N-Verhältnis verkleinert.
Um ein hohes S/N-Verhältnis zu erreichen, reicht es damit aus, daß der Brechwert und die Filmdicke der jeweiligen Schichten des mehrschichtigen Dünnfilms des magnetooptischen Mediums optimiert sind, um einen großen Wert von O und einen kleinen Wert von c zu erreichen. Es muß weiterhin berücksichtigt werden, daß jede Schicht optimale Schutzeigenschaften und Wärmeleiteigenschaften haben muß. Insbesondere bei der Aufzeichnung mit hoher Dichte wird zur stabilen Erzielung eines hohen S/N-Verhältnisses selbst bei der Aufzeichnung von Mikro-Pits die vorstehend beschriebene Medium-Konstruktion erforderlich.

Anwendungsmöglichkeit in der Industrie

Wie dies weiter oben beschrieben wurde, kann gemäß der vorliegenden Erfindung selbst bei einem in Massenproduktion hergestellten magnetooptischen Kopf mit einer Schwankung der Phasendifferenz von ungefähr ±15º ein S/N-Verhältnis mit ausreichender Höhe erreicht werden, was praktisch nicht zu einem Problem wird, wenn der Temperaturbereich des Plattenlaufwerkes im Bereich von 25ºC bis 60ºC liegt.
Insbesondere kann bei der vorliegenden Erfindung ein S/N-Verhältnis mit ausreichender Höhe, damit sich in der Praxis keine Probleme ergeben, selbst dann erreicht werden, wenn die Signale mit hoher Dichte aufgezeichnet und gelesen werden.
Weiterhin kann selbst in dem Fall, wenn ein Harzsubstrat, wie z. B. Polycarbonat oder dergleichen, mit einer Phasendifferenz für das transparente Substrat verwendet wird, die Phasendifferenz des magnetooptischen Mediums auf 0º gebracht werden, indem die Filmkonstruktion und die Filmzusammensetzung der vorliegenden Erfindung verwendet wird. Damit ergibt die vorliegenden Erfindung den Vorteil, daß ein magnetooptisches Medium geschaffen werden kann, das preisgünstig ist, ein hohes S/N-Verhältnis aufweist und eine Aufzeichnung mit hoher Dichte ermöglicht.

Claims

1. Ein magnetooptisches Medium, das mit der ersten Schutzschicht, einer Aufzeichnungsschicht, der zweiten Schutzschicht und einer reflektierenden Schicht angeordnet ist, um die Aufzeichnung und das Lesen durch auftreffendes Licht von dem oben beschriebenen transparenten Substrat auf die oben beschriebene Aufzeichnungsschicht und die oben beschriebene reflektierende Schicht durchzuführen, wobei die Aufzeichnungsschicht aus NdDyFeCo gebildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der vorstehend beschriebenen Schutzschicht zwischen 40 und 70 nm (400 Å und 700 Å) liegt, daß die Dicke der vorstehend beschriebenen Aufzeichnungsschicht zwischen 15 und 30 nm (150 Å und 300 Å) liegt, daß die Dicke der vorstehend beschriebenen zweiten Schutzschicht zwischen 15 und 25 nm (150 Å und 250 Å) und die Dicke der vorstehend beschriebenen reflektierenden Schicht zwischen 40 und 80 nm (400 Å und 800 Å) liegt, und daß die vorstehend beschriebene erste Schutzschicht und die vorstehend beschriebene zweite Schutzschicht aus AlSiN mit einem Brechwert zwischen 1,95 und 2,05 bestehen, wobei die Zusammensetzung der Aufzeichnungsschicht durch

NdxDyy(FeZCo1-Z)100-x-y

gegeben ist und die folgenden Beziehungen bestehen:

25 at% ≤ x + y ≤ 30 at%

Oat% ≤ x ≤ 8 at% und

0,07 ≤ z ≤ 0,43.

2. Ein magnetooptisches Medium, das mit der ersten Schutzschicht, einer Aufzeichnungsschicht, der zweiten Schutzschicht und einer reflektierenden Schicht auf einem transparenten Substrat zur Durchführung des Aufzeichnens und Lesens durch auftreffendes Licht von dem vorstehend beschriebenen transparenten Substrat auf die vorstehend beschriebene Aufzeichnungsschicht und die vorstehend beschriebene reflektierende Schicht angeordnet ist und die Aufzeichnungsschicht aus NdDyTbFeCo besteht,

dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der vorstehend beschriebenen Schutzschicht zwischen 40 und 70 nm (400 Å und 700 Å) liegt, daß die Dicke der vorstehend beschriebenen Aufzeichnungsschicht zwischen 15 und 30 nm (150 Å und 300 Å) liegt, daß die Dicke der vorstehend beschriebenen zweiten Schutzschicht zwischen 15 und 25 nm (150 Å und 250 Å) und die Dicke der vorstehend beschriebenen reflektierenden Schicht zwischen 40 und 80 nm (400 Å und 800 Å) liegt, und daß die vorstehend beschriebene erste Schutzschicht und die vorstehend beschriebene zweite Schutzschicht aus AlSiN mit einem Brechwert zwischen 1,95 und 2,05 bestehen, wobei die Zusammensetzung der Aufzeichnungsschicht wie folgt ist:

Ndx(DyTb)y(FezCo1-z)100-x-y

worin die folgenden Beziehungen bestehen:

25 at% ≤ x + y ≤ 30 at%

Oat% ≤ x ≤ 8 at% und

0,07 ≤ z ≤ 0,43.

3. Ein magnetooptisches Medium, das mit der ersten Schutzschicht, einer Aufzeichnungsschicht, der zweiten Schutzschicht und einer reflektierenden Schicht auf einem Substrat angeordnet ist, um das Aufzeichnen und Lesen durch auftreffendes Licht von dem vorstehend beschriebenen transparenten Substrat auf die vorstehend beschriebene Aufzeichnungsschicht und die vorstehend beschriebene reflektierende Schicht durchzuführen, wobei die vorstehend beschriebene erste Schutzschicht und die vorstehend beschriebene zweite Schutzschicht aus SiN bestehen und die vorstehend beschriebene Aufzeichnungsschicht aus NdDyFeCo gebildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der vorstehend beschriebenen Schutzschicht zwischen 40 und 70 nm (400 Å und 700 Å) liegt, daß die Dicke der vorstehend beschriebenen Aufzeichnungsschicht zwischen 15 und 30 nm (150 Å und 300 Å) liegt, daß die Dicke der vorstehend beschriebenen zweiten Schutzschicht zwischen 15 und 25 nm (150 Å und 250 Å) und die Dicke der vorstehend beschriebenen reflektierenden Schicht zwischen 40 und 80 nm (400 Å und 800 Å) liegt, und daß das SiN der vorstehend beschriebenen ersten Schutzschicht und der vorstehend beschriebenen zweiten Schutzschicht einen Brechwert zwischen 1,95 und 2,05 hat, wobei die Zusammensetzung der Aufzeichnungsschicht wie folgt ist:

NdxDyy(FezCo1-z)100-x-y

wobei die folgenden Beziehungen bestehen:

25 at% ≤ x + y ≤ 30 at%

0 at% ≤ x ≤ 8 at% und

0,07 ≤ z ≤ 0,43.

4. Ein magnetooptisches Medium, das mit der ersten Schutzschicht, einer Aufzeichnungsschicht, der zweiten Schutzschicht und einer reflektierenden Schicht auf einem Substrat angeordnet ist, um das Aufzeichnen und Lesen durch auftreffendes Licht von dem vorstehend beschriebenen transparenten Substrat auf die vorstehend beschriebene Aufzeichnungsschicht und die vorstehend beschriebene reflektierende Schicht durchzuführen, wobei die vorstehend beschriebene erste Schutzschicht und die vorstehend beschriebene zweite Schutzschicht aus SiN bestehen und die vorstehend beschriebene Aufzeichnungsschicht aus NdDyTbFeCo gebildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der vorstehend beschriebenen ersten Schutzschicht zwischen 40 und 70 nm (400 Å und 700 Å) liegt, daß die Dicke der vorstehend beschriebenen Aufzeichnungsschicht zwischen 15 und 30 nm (150 Å und 300 Å) liegt, daß die Dicke der vorstehend beschriebenen zweiten Schutzschicht zwischen 15 und 25 nm (150 Å und 250 Å) und die Dicke der vorstehend beschriebenen reflektierenden Schicht zwischen 40 und 80 nm (400 Å und 800 Å) liegt, und daß das SiN der vorstehend beschriebenen ersten Schutzschicht und der vorstehend beschriebenen zweiten Schutzschicht einen Brechwert zwischen 1,95 und 2,05 hat, wobei die Zusammensetzung der Aufzeichnungsschicht wie folgt ist:

Ndx(DyTb)y(FezCo1-z)100-x-y

wobei die folgenden Beziehungen bestehen:

25 at% ≤ x + y ≤ 30 at%

0 at% ≤ x ≤ 8 at% und

0,07 ≤ z ≤ 0,43.

5. Ein magnetooptisches Medium, das mit der ersten Schutzschicht, einer Aufzeichnungsschicht, der zweiten Schutzschicht und einer reflektierenden Schicht auf einem Substrat angeordnet ist, um das Aufzeichnen und Lesen durch auftreffendes Licht von dem vorstehend beschriebenen transparenten Substrat auf die vorstehend beschriebene Aufzeichnungsschicht und die vorstehend beschriebene reflektierende Schicht durchzuführen, wobei die vorstehend beschriebene erste Schutzschicht und die vorstehend beschriebene zweite Schutzschicht aus SiO&sub2; bestehen, während die vorstehend beschriebene Aufzeichnungsschicht aus NdDyFeCo gebildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der vorstehend beschriebenen ersten Schutzschicht zwischen 40 und 70 nm (400 Å und 700 Å) liegt, daß die Dicke der vorstehend beschriebenen Aufzeichnungsschicht zwischen 15 und 30 nm (150 Å und 300 Å) liegt, daß die Dicke der vorstehend beschriebenen zweiten Schutzschicht zwischen 15 und 25 nm (150 Å und 250 Å) und die Dicke der vorstehend beschriebenen reflektierenden Schicht zwischen 40 und 80 nm (400 Å und 800 Å) liegt, und daß das SiO&sub2; der vorstehend beschriebenen ersten Schutzschicht und der vorstehend beschriebenen zweiten Schutzschicht einen Brechwert zwischen 1,95 und 2,05 hat, wobei die Zusammensetzung der Aufzeichnungsschicht wie folgt ist:

NdxDy(FezCo1-z)100-x-y

wobei die folgenden Beziehungen bestehen:

25 at% ≤ x + y ≤ 30 at%

0 at% ≤ x ≤ 8 at% und

0,07 ≤ z ≤ 0,43.

6. Ein magnetooptisches Medium, das mit der ersten Schutzschicht, einer Aufzeichnungsschicht, der zweiten Schutzschicht und einer reflektierenden Schicht auf einem Substrat angeordnet ist, um das Aufzeichnen und Lesen durch auftreffendes Licht von dem vorstehend beschriebenen transparenten Substrat auf die vorstehend beschriebene Aufzeichnungsschicht und die vorstehend beschriebene reflektierende Schicht durchzuführen, wobei die vorstehend beschriebene Aufzeichnungsschicht aus NdDyTbFeCo gebildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der vorstehend beschriebenen ersten Schutzschicht zwischen 40 und 70 nm (400 Å und 700 Å) liegt, daß die Dicke der vorstehend beschriebenen Aufzeichnungsschicht zwischen 15 und 30 nm (150 Å und 300 Å) liegt, daß die Dicke der vorstehend beschriebenen zweiten Schutzschicht zwischen 15 und 25 nm (150 Å und 250 Å) und die Dicke der vorstehend beschriebenen reflektierenden Schicht zwischen 40 und 80 nm (400 Å und 800 Å) liegt, und daß die vorstehend beschriebene erste Schutzschicht und die vorstehend beschriebene zweite Schutzschicht aus SiO&sub2; mit einen Brechwert zwischen 1,95 und 2,05 gebildet ist, wobei die Zusammensetzung der Aufzeichnungsschicht wie folgt ist:

Ndx(DyTb)y(FezCo1-z)100-x-y

wobei die folgenden Beziehungen bestehen:

25 at% ≤ x + y ≤ 30 at%

0 at% ≤ x ≤ 8 at% und

0,07 ≤ z ≤ 0,43.