JPS63317945A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS63317945A JPS63317945A JP15268687A JP15268687A JPS63317945A JP S63317945 A JPS63317945 A JP S63317945A JP 15268687 A JP15268687 A JP 15268687A JP 15268687 A JP15268687 A JP 15268687A JP S63317945 A JPS63317945 A JP S63317945A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording layer
- recording
- magnetic field
- magneto
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 16
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光により情報を記録、再生及び消去が可能な
光磁気記録媒体に関する。
光磁気記録媒体に関する。
レーザー光のスポットで、記録層を加熱しながら、バイ
アス磁界を印加して反転磁区を形成、消失させることに
より情報を記録、消去し、記録時より低パワーの直線偏
光した前記レーザー光を照射し、カー効果あるいはファ
ラデー効果を利用して情報を再生する光磁気記録におい
て、その記録層である磁性薄膜は少なくとも次の性質を
満たすことが必要である。
アス磁界を印加して反転磁区を形成、消失させることに
より情報を記録、消去し、記録時より低パワーの直線偏
光した前記レーザー光を照射し、カー効果あるいはファ
ラデー効果を利用して情報を再生する光磁気記録におい
て、その記録層である磁性薄膜は少なくとも次の性質を
満たすことが必要である。
（り 垂直磁化膜である。
（２） 半導体レーザーで記録、消去を行なえる程度
にキュリー温度が低く、通常の使用環境温度に比べてキ
ュリー温度が充分高いこと。
にキュリー温度が低く、通常の使用環境温度に比べてキ
ュリー温度が充分高いこと。
（３） 媒体ノイズが低いこと。
（４） 磁気光学効果が高いこと。
これらを満たすものとして、例えば、特開昭５７−９４
９４８のように重希土類金属’ｒｂ％Ｄｙ。
９４８のように重希土類金属’ｒｂ％Ｄｙ。
Ｇｄのうち１種類およびＦｅ１Ｃｏのうち１種類以上で
形成された非晶質合金が用いられてきた。
形成された非晶質合金が用いられてきた。
光磁気記録は、 レーザーを照射することによって記録
膜の一部をキューリ一温度以上まで昇温し、同時にバイ
アス磁界を印加することにより反転磁区を形成、あるい
は消失させることで情報の記録、消去を行なう。重希土
類金属・遷移金属を主たる成分とする非晶質合金におい
て、室温で見かけ上磁化が消失する補償組成よりも遷移
金属が多い組成系では、磁区を形成する際に反転させる
磁区及びその周囲が持つ磁化が作る磁界（浮遊磁界）が
反転磁区の形成を助ける方向に働く。そのため、反転磁
区を形成するために印加するバイアス磁界は小さくてす
む。一方、磁区を消失させる際に浮遊磁界は反転磁区の
形成を妨げるために働くため、反転磁区を消失させるた
めのバイアス磁界は大きくならなければならない。また
、補償組成より重希土類金属が多い組成系では、補償組
成より遷移金属が多い組成系と逆向きの浮遊磁界が働く
ため、反転磁区を形成するために大きなバイアス磁界が
必要であり、消失させるためには小さなバイアス磁界で
済む。
膜の一部をキューリ一温度以上まで昇温し、同時にバイ
アス磁界を印加することにより反転磁区を形成、あるい
は消失させることで情報の記録、消去を行なう。重希土
類金属・遷移金属を主たる成分とする非晶質合金におい
て、室温で見かけ上磁化が消失する補償組成よりも遷移
金属が多い組成系では、磁区を形成する際に反転させる
磁区及びその周囲が持つ磁化が作る磁界（浮遊磁界）が
反転磁区の形成を助ける方向に働く。そのため、反転磁
区を形成するために印加するバイアス磁界は小さくてす
む。一方、磁区を消失させる際に浮遊磁界は反転磁区の
形成を妨げるために働くため、反転磁区を消失させるた
めのバイアス磁界は大きくならなければならない。また
、補償組成より重希土類金属が多い組成系では、補償組
成より遷移金属が多い組成系と逆向きの浮遊磁界が働く
ため、反転磁区を形成するために大きなバイアス磁界が
必要であり、消失させるためには小さなバイアス磁界で
済む。
以上のように、浮遊磁界よりも大きなバイアス磁界を印
加することにより反転磁区の形成、消失が行なわれる。
加することにより反転磁区の形成、消失が行なわれる。
光磁気記録方式で記録・消去時に印加されるバイアス磁
界は通常５００〜ｅｏｏ。
界は通常５００〜ｅｏｏ。
ｅを越えることはない。従って、光磁気記録媒体は数百
Ｏｅで飽和記録及び完全消去ができるという特性が不可
欠である。補償組成より遷移金属が多い組成系において
、浮遊磁界が大きければ記録時に飽和記録が出来るが、
消去時に完全消去が出来ないことが起こる。補償組成よ
り重希土類金属が大きければ消去時に完全消去が出来る
が、記録時に飽和記録が出来ないことが起こる。つまり
、浮遊磁界が充分小さくなければ低バイアス磁界での記
録・消去が完全に行われない。
Ｏｅで飽和記録及び完全消去ができるという特性が不可
欠である。補償組成より遷移金属が多い組成系において
、浮遊磁界が大きければ記録時に飽和記録が出来るが、
消去時に完全消去が出来ないことが起こる。補償組成よ
り重希土類金属が大きければ消去時に完全消去が出来る
が、記録時に飽和記録が出来ないことが起こる。つまり
、浮遊磁界が充分小さくなければ低バイアス磁界での記
録・消去が完全に行われない。
また、記録、消去時に照射するレーザー光は強度分布を
持つため、記録層はレーザー光照射部の中央部が最も温
度が高く、外周へ行くに従い温度が低い温度分布を持ち
ながら冷却されていく。このため、キュリー温度以上に
昇温されていた部分の外周部から次第にキュリー温度以
下になり磁化が現われてくる。そのため、反転磁区の周
囲の部分の持つ磁化及び新たに現れた磁化により浮遊磁
界が形成され、この浮遊磁界が大きい時、垂直方時には
これにより反転磁区内に微小な反転磁区が形成され、消
去時には消し残りになる。
持つため、記録層はレーザー光照射部の中央部が最も温
度が高く、外周へ行くに従い温度が低い温度分布を持ち
ながら冷却されていく。このため、キュリー温度以上に
昇温されていた部分の外周部から次第にキュリー温度以
下になり磁化が現われてくる。そのため、反転磁区の周
囲の部分の持つ磁化及び新たに現れた磁化により浮遊磁
界が形成され、この浮遊磁界が大きい時、垂直方時には
これにより反転磁区内に微小な反転磁区が形成され、消
去時には消し残りになる。
従って、浮遊磁界が充分小さければ、反転磁区内に微小
な反転磁区のない一様な記録ビットを形成することが出
来るため、情報を再生する際にキャリアーｅレベルの高
い信号が得られる。また、浮遊磁界が充分小されけば、
完全消去が可能であるため、再生時にノイズ・レベルの
低い信号が得られる。
な反転磁区のない一様な記録ビットを形成することが出
来るため、情報を再生する際にキャリアーｅレベルの高
い信号が得られる。また、浮遊磁界が充分小されけば、
完全消去が可能であるため、再生時にノイズ・レベルの
低い信号が得られる。
そこで、本発明は浮遊磁界の小さな磁性薄膜を記録層と
することにより、記録・再生・消去特性に優れた光磁気
記録媒体を提供することにある。
することにより、記録・再生・消去特性に優れた光磁気
記録媒体を提供することにある。
本発明の光磁気記録媒体は、透明基板上に、膜面に対し
て垂直方向に磁気異方性を有する磁性薄膜を記録層とし
て形成し、光により情報を記録、再生及び消去を行なう
光磁気記録媒体において、前記記録層の組成を原子比で 〔（ＬＲ）ｘ’（ＨＲ）＝−ｘ）ｙＡｌｏｏ−ｙと表わ
すとき（但し、ＬＲは軽希土類金属Ｃｅ。
て垂直方向に磁気異方性を有する磁性薄膜を記録層とし
て形成し、光により情報を記録、再生及び消去を行なう
光磁気記録媒体において、前記記録層の組成を原子比で 〔（ＬＲ）ｘ’（ＨＲ）＝−ｘ）ｙＡｌｏｏ−ｙと表わ
すとき（但し、ＬＲは軽希土類金属Ｃｅ。
Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍのうちの１種類以上、ＨＲは重希土類
金属Ｇｄｚ Ｔｂｓ Ｄｙのうちの、１種類以上、Ａは
Ｆｅ１Ｃｏのうち、いずれかを含む（ＬＲ） 、（ＨＲ
）以外の元素を表わす〕、Ｘ、Ｙが各々 ０．０５≦Ｘ≦０．６０ １５≦Ｙ≦４０ の範囲にあるもののうぢ、２５℃がら前記記録層のキュ
リー湯度までの温度範囲で、前記記録層の膜面に対して
垂直方向の保磁力が１ＫＯｅ以下の温度の時に、前記記
録層の膜面に対して垂直方向の飽和磁化か常に５０ｅｍ
ｕ／ｃｃ以下であると表を特徴とする。
金属Ｇｄｚ Ｔｂｓ Ｄｙのうちの、１種類以上、Ａは
Ｆｅ１Ｃｏのうち、いずれかを含む（ＬＲ） 、（ＨＲ
）以外の元素を表わす〕、Ｘ、Ｙが各々 ０．０５≦Ｘ≦０．６０ １５≦Ｙ≦４０ の範囲にあるもののうぢ、２５℃がら前記記録層のキュ
リー湯度までの温度範囲で、前記記録層の膜面に対して
垂直方向の保磁力が１ＫＯｅ以下の温度の時に、前記記
録層の膜面に対して垂直方向の飽和磁化か常に５０ｅｍ
ｕ／ｃｃ以下であると表を特徴とする。
実施例により本発明の効果を述べる。本実施例に用いた
スパッタリング・ターゲットは特に断わらない限り、す
べて純度９９．０％以上の高純度金属の原料を誘導加熱
炉にて真空中で加熱・溶解とだ後、アルゴン雰囲気中で
鋳造したものを直径１０ｃｍ１厚さ５ｍｍの円盤状に加
工し、さらに銅板からなるバッキングプレートにインジ
ウム系ハンダで接合して用いた。また、以下に示す組成
は原子比である。
スパッタリング・ターゲットは特に断わらない限り、す
べて純度９９．０％以上の高純度金属の原料を誘導加熱
炉にて真空中で加熱・溶解とだ後、アルゴン雰囲気中で
鋳造したものを直径１０ｃｍ１厚さ５ｍｍの円盤状に加
工し、さらに銅板からなるバッキングプレートにインジ
ウム系ハンダで接合して用いた。また、以下に示す組成
は原子比である。
（実施例１）
作成した鋳造ターゲットの組成を、第１表に示す。これ
らのスパッタリング・ターゲットを用いて以下のスパッ
タリング条件において記録膜を作成した。初期真空度５
．０ＸＩＯ−’ Ｔｏｏｒ以下にチャンバー内を排気し
た後、キャリアーガスとして 第１表 第２表 Ａｒを導入し、３ｏｏｗの高周波電力をカソードに印加
して、ガラス基板上に５０ｎｍの膜厚に作成した。磁性
膜の酸化を防止するため真空を破らずに連続して窒化ア
ルミニウムと窒化ケイ素の混合物を１１００ｎ形成した
。作成した記録膜の組成を第２表に示す。 第１図（ａ
）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は各々、試料番号１．２．３．４
の組成の記録膜の膜面に対して垂直方向の磁化、（以下
磁化と記す）と膜面に対して垂直方向の保磁力（以下保
磁力と記す）の温度依存性を示す。 第３表は、試料番
号１．２．３．４の組成の記録膜のファラデー回転角を
示す。
らのスパッタリング・ターゲットを用いて以下のスパッ
タリング条件において記録膜を作成した。初期真空度５
．０ＸＩＯ−’ Ｔｏｏｒ以下にチャンバー内を排気し
た後、キャリアーガスとして 第１表 第２表 Ａｒを導入し、３ｏｏｗの高周波電力をカソードに印加
して、ガラス基板上に５０ｎｍの膜厚に作成した。磁性
膜の酸化を防止するため真空を破らずに連続して窒化ア
ルミニウムと窒化ケイ素の混合物を１１００ｎ形成した
。作成した記録膜の組成を第２表に示す。 第１図（ａ
）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は各々、試料番号１．２．３．４
の組成の記録膜の膜面に対して垂直方向の磁化、（以下
磁化と記す）と膜面に対して垂直方向の保磁力（以下保
磁力と記す）の温度依存性を示す。 第３表は、試料番
号１．２．３．４の組成の記録膜のファラデー回転角を
示す。
第３表
次に、案内溝付きのポリカーボネイト基板に、第一保護
層として窒化アルミニウムと窒化ケイ素の混合物を１１
００ｎの膜厚に形成して、連続して試料番号１．２．３
．４の組成の記録膜を４０ｎｍ０）膜厚に形成して、第
一保護層として第一保護層と同一組成のものを１１００
ｎの膜厚に形成して４種類の光磁気記録媒体を作製した
。 第四表は、４ａ類の記録媒体のファラデ一方式によ
る再生信号のＣＮ比を示す。尚、線廃４．７ｍ／ｓ。
層として窒化アルミニウムと窒化ケイ素の混合物を１１
００ｎの膜厚に形成して、連続して試料番号１．２．３
．４の組成の記録膜を４０ｎｍ０）膜厚に形成して、第
一保護層として第一保護層と同一組成のものを１１００
ｎの膜厚に形成して４種類の光磁気記録媒体を作製した
。 第四表は、４ａ類の記録媒体のファラデ一方式によ
る再生信号のＣＮ比を示す。尚、線廃４．７ｍ／ｓ。
記録周波数Ｉ Ｍ Ｈｚ 、分解能帯域３０ＫＨｚ１バ
イアス磁界３０００ｅの条件にて、評価を行なった。第
１図で明らかなように、保磁力が１ＫＯｅ以下の温度に
おいて磁化が常に５０ ｅ ｍ ｕ ／ ｃ ｃ以下で
あるという条件を満たしていないと試料番号１の記録媒
体は、他の記録媒体と比較したＣＮ比が劣っている。
イアス磁界３０００ｅの条件にて、評価を行なった。第
１図で明らかなように、保磁力が１ＫＯｅ以下の温度に
おいて磁化が常に５０ ｅ ｍ ｕ ／ ｃ ｃ以下で
あるという条件を満たしていないと試料番号１の記録媒
体は、他の記録媒体と比較したＣＮ比が劣っている。
第４表
一方、試料番号４の組成の記録媒体は、保磁力が１ＫＯ
ｅ以下に温度において磁化が常に５０ｅｍＵ／ＣＣ以下
でありながら、同様に保磁力が１ＫＯｅ以下に温度にお
いて磁化が常に５０ ｅｍｕ／ＣＣ以下である試料番号
２及び３と比較してＣＮ比が劣っている。これは、第３
表で示されているように、試料番号１．２．３．４の順
で重希土類金属の占める割合が多くなると、その順で磁
気光学効果が小さくなるためである。 以上のことがら
、キュリー温度付近すなわち保磁力が１ＫＯｅの温度範
囲において、浮遊磁界が小さいことにより、一様で微少
な反転磁区のない記録ビットが形成とれることが高ＣＮ
比の光磁気記録媒体の必要条件であり、その上で磁気光
学効果が大きいことが望ましい。
ｅ以下に温度において磁化が常に５０ｅｍＵ／ＣＣ以下
でありながら、同様に保磁力が１ＫＯｅ以下に温度にお
いて磁化が常に５０ ｅｍｕ／ＣＣ以下である試料番号
２及び３と比較してＣＮ比が劣っている。これは、第３
表で示されているように、試料番号１．２．３．４の順
で重希土類金属の占める割合が多くなると、その順で磁
気光学効果が小さくなるためである。 以上のことがら
、キュリー温度付近すなわち保磁力が１ＫＯｅの温度範
囲において、浮遊磁界が小さいことにより、一様で微少
な反転磁区のない記録ビットが形成とれることが高ＣＮ
比の光磁気記録媒体の必要条件であり、その上で磁気光
学効果が大きいことが望ましい。
（実施例２）
実施例１で用いた４種類の光磁気記録媒体の消去特性を
調べるため、消去時に各バイアス磁界において、レーザ
ーパワーを変えてＣＮ比を測定した。第２図（ａ）（ｂ
）（ｃ）（ｄ）は、試料番号１．２．３．４の組成の記
録媒体についての消去特性の結果である。試料番号１の
組成の記録媒体Ｌｔ５０００ｅのバイアス磁界が消去に
必要なのに対して、試料番号２．３．４においては２０
００ｅのバイアス磁界で消去が可能である。浮遊磁界が
試料番号１に比べて小さな試料番号２．３．４の組成の
記録媒体は、消去時に２０００ｅのバイアス磁界で充分
であり、また実施例１によりバイアス磁界が３０００ｅ
で充分な記録が可能であることから、試料番号２．８．
４の組成の記録媒体は、光磁気記録媒体に望まれる低バ
イアス磁界による記録・再生を実現していると考えられ
る。
調べるため、消去時に各バイアス磁界において、レーザ
ーパワーを変えてＣＮ比を測定した。第２図（ａ）（ｂ
）（ｃ）（ｄ）は、試料番号１．２．３．４の組成の記
録媒体についての消去特性の結果である。試料番号１の
組成の記録媒体Ｌｔ５０００ｅのバイアス磁界が消去に
必要なのに対して、試料番号２．３．４においては２０
００ｅのバイアス磁界で消去が可能である。浮遊磁界が
試料番号１に比べて小さな試料番号２．３．４の組成の
記録媒体は、消去時に２０００ｅのバイアス磁界で充分
であり、また実施例１によりバイアス磁界が３０００ｅ
で充分な記録が可能であることから、試料番号２．８．
４の組成の記録媒体は、光磁気記録媒体に望まれる低バ
イアス磁界による記録・再生を実現していると考えられ
る。
以上述べたように本発明によれば、希土類金属及び遷移
金属を主たる成分とする磁性薄膜を記録層とする光磁気
記録媒体において、低バイアス磁界による記録・消去及
び高ＣＮ比を実現させるという効果を存する。
金属を主たる成分とする磁性薄膜を記録層とする光磁気
記録媒体において、低バイアス磁界による記録・消去及
び高ＣＮ比を実現させるという効果を存する。
第１図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は、各々試料番号１．
２．３．４の組成の磁性膜の磁化と保磁力の温度依存性
を示す図で、尚、 各図において（０）は保磁力の温度
依存性、（Δ）は磁化の温度依存性を示す。 第２図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は、各々試料番号１．
２．３．４の組成の光磁気記録媒体の消去時の各バイア
ス磁界におけるＣＮ比のレーザーパワー依存性を示す図
で、尚、第２図（ａ）において（○）は４０００ｅ、（
△）は４５００ｅ。 （×）は５０００ｅのバイアス磁界を表わす。第２図（
ｂ）において（○）は１５００ｅｓ（Δ）は２０００ｅ
１ （Ｘ）は２５００ｅのバイアス磁界を表わす。第２
図（ｄ）において（○）は１０００ｅｓ （Δ）は１
５００ｅ、（Ｘ）は２０００ｅのバイアス磁界を表わす
。 以 上
２．３．４の組成の磁性膜の磁化と保磁力の温度依存性
を示す図で、尚、 各図において（０）は保磁力の温度
依存性、（Δ）は磁化の温度依存性を示す。 第２図（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は、各々試料番号１．
２．３．４の組成の光磁気記録媒体の消去時の各バイア
ス磁界におけるＣＮ比のレーザーパワー依存性を示す図
で、尚、第２図（ａ）において（○）は４０００ｅ、（
△）は４５００ｅ。 （×）は５０００ｅのバイアス磁界を表わす。第２図（
ｂ）において（○）は１５００ｅｓ（Δ）は２０００ｅ
１ （Ｘ）は２５００ｅのバイアス磁界を表わす。第２
図（ｄ）において（○）は１０００ｅｓ （Δ）は１
５００ｅ、（Ｘ）は２０００ｅのバイアス磁界を表わす
。 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 透明基体上に、膜面に対して垂直方向に磁気異方性を有
する磁性薄膜を記録層として形成し、光により情報を記
録・再生、及び消去を行う光磁気記録媒体において、前
記記録層の組成を原子比で〔（ＬＲ）＿ｘ（ＨＲ）＿１
＿−＿ｘ〕＿ｙＡ＿１＿０＿０＿−＿ｙと表わすとき〔
但し、ＬＲは軽希土類金属Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍのう
ちの１種類以上、ＨＲは重希土類金属Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ
のうちの、１種類以上、ＡはＦｅ、Ｃｏのうち、いずれ
かを必ず含む（ＬＲ）、（ＨＲ）以外の元素を表わす〕
、Ｘ、Ｙが各々 ０．０５≦Ｘ≦０．６０ １５≦Ｙ≦４０ の範囲にあるもののうち、２５℃から前記記録層のキュ
リー温度までの温度範囲で、前記記録層の膜面に対して
垂直方向の保磁力が１ＫＯｅ以下の温度の時に、前記記
録層の膜面に対して垂直方向の飽和磁化が常に５０ｅｍ
ｕ／ｃｃ以下であることを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15268687A JPS63317945A (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | 光磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15268687A JPS63317945A (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63317945A true JPS63317945A (ja) | 1988-12-26 |
Family
ID=15545908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15268687A Pending JPS63317945A (ja) | 1987-06-19 | 1987-06-19 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63317945A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990011602A1 (en) * | 1989-03-28 | 1990-10-04 | Seiko Epson Corporation | Magnetooptical medium |
| WO1993010530A1 (en) * | 1991-11-22 | 1993-05-27 | Seiko Epson Corporation | Magnetooptical recording media |
-
1987
- 1987-06-19 JP JP15268687A patent/JPS63317945A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990011602A1 (en) * | 1989-03-28 | 1990-10-04 | Seiko Epson Corporation | Magnetooptical medium |
| US5667887A (en) * | 1989-03-28 | 1997-09-16 | Seiko Epson Corporation | Magneto-optical media |
| WO1993010530A1 (en) * | 1991-11-22 | 1993-05-27 | Seiko Epson Corporation | Magnetooptical recording media |
| US5648161A (en) * | 1991-11-22 | 1997-07-15 | Seiko Epson Corporation | Magneto-optical recording medium having large kerr rotational angle in short wavelength range |
| US5792571A (en) * | 1991-11-22 | 1998-08-11 | Seiko Epson Corporation | Magneto-optical recording medium having large kerr rotational angle in short wavelength range |
| US5843570A (en) * | 1991-11-22 | 1998-12-01 | Seiko Epson Corporation | Magneto-optical recording medium having large kerr rotational angle in short wavelength range |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4882231A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPH09320134A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH05225627A (ja) | 高密度光磁気ディスク | |
| JPS6122452A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| US4995024A (en) | Magneto-optical recording element | |
| EP0698881A1 (en) | Magnetooptical recording medium and method for reproducing information from the medium | |
| JPS63317945A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS61246946A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| US5100741A (en) | Magneto-optic recording systems | |
| EP0510757A2 (en) | Erasable magneto-optical recording medium and method of simultaneously erasing existing information and recording new information | |
| JPS63179435A (ja) | 磁性薄膜記録媒体 | |
| JPS60187954A (ja) | 磁性薄膜記録媒体 | |
| JPS63316340A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS63317944A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0340246A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH01258250A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JP3010684B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPS6376134A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0536134A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS6348636A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0676380A (ja) | 磁界変調型ガーネット光磁気記録媒体 | |
| JPS63184942A (ja) | 磁性薄膜記録媒体 | |
| JPH02265048A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH08315435A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH01116944A (ja) | 低磁界記録光磁気記録媒体 |