JPH01258250A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光磁気記録に用いられる光磁気記録媒体に関す
るもので、特にその光磁気記録層の材料に関わる。

〔従来の技術〕

従来公知である光磁気記録媒体は、案内溝を有するガラ
ス、又は樹脂製の円盤状基板と、その上に製膜した記録
層からなり、記録層としてはＴｂ１ＦｅやＴｂＦｅ０Ｏ
，ＧｄＴｂ？θ等の非晶質の重希土類と遷移金属の非晶
質合金膜が用いられる。これらの膜はキュリー温度が１
００〜２００℃と半導体レーザーの収束光による記録、
消去に適しており、又、非晶質であることから、ＭｎＢ
１等結晶材料の欠点である粒界ノイズがなく光磁気記録
材料としては望ましい特性を備えているしかしながら、
これらの材料には次のよ゛うな欠点がある。即ち、光磁
気記録においては情報の再生はカー効果やファラデー効
果を用いて行われるが、これらの材料においてはこの磁
気光学効果が非常に小さい。一方、磁気光学効果は動作
温度においては記録膜のキ、　ＩＪ−温度と正の相関が
経験的に知られている。したがって、記録膜のキュリー
温度を高めることによって磁気光学効果を太きくするこ
とができる。ところがキュリー温度が高くなると記録、
消去に必要なレーザーパワーが高くなってしまう。そこ
で、このような欠点を改善するために重希土−鉄系合金
に軽希土類元素のＳｍを添加した材料が提案されている
（特開昭５９−１７８６４１　）。この材料によって記
録感度を低下せしめることなく、光再生特性を向上させ
ることができる。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながらこの材料には次に示すような改善すべき問
題点が残されている。

光磁気記録においては情報の記録のためにはバイアス゛
磁界を必要とする。このような材料を記録層に用いた場
合、最低３０００ｅ程度以上のバイアス磁界を記録ピッ
ト周囲に発生させないと、良好な記録を行うことができ
ない。記録、再生装置の小型化、低消費電力化を実現す
るためには、低バイアス磁界での記録、消去が可能な材
料が待望されている。一方、光磁気記録における重ね書
きを実現する方法として、磁界変調記録法が提案されて
いるが、この方式においても磁場感度の高い記録媒体が
望ましい。即ち、従来の光磁気記録媒体を用いた場合、
大きな磁界を高速でスイッチングする必要からフィルに
高電圧をかけることになる。さらに高磁界を高周波で得
るためにコイルを媒体面より数μｍ程度まで近付けると
、光磁気記録の光メモリーとしての利点の大半を失うこ
とになる。

本発明はこのような従来の光磁気記録媒体の課題を解決
するもので、その目的とするところは、低バイアス磁界
でも良好な記録、消去を行うことができる光磁気記録媒
体を提供することにある。

・〔課題を解決するための手段〕 本発明の光磁気記録媒体は、記録層が膜面と垂直な方向
に磁化容易軸を有する非晶質膜薄膜であって、組成を原
子比で （Ｎｄ、Ｐｒ）、（ＳｍｚＴｂ、ｚ）ｙ（Ｆｅ、００．
Ｎｉ）□ｏ。−、。

と表わしたとき、ｏくｘ＜；、１ｏ、、　１５くｘ＋ｙ
＜。

４０　、０（ｚ（α３０であることを特徴とする。

ここで、？ｅ、Ｏｏ、ｌｉｉの比率は媒体の記録、再生
条件によってキエリー温度、補償温度等の物性を所望の
値にするため、任意に設定できる。

ただし、この組成系において、光磁気記録媒体として必
要条件である垂直磁化膜であるためには、ｘ　−１−ｙ
　、即ち、膜中の全希土類の比率を１５αｔ％から４０
αｔ％の範囲にする必要がある。

〔実施例〕

以下実施例に基づいて本発明の詳細な説明する（実施例
１） （Ｍｏ、５Ｐｒｏ、ｓ　）　＆ｏ　（Ｓｍｏ、ｔ　５Ｔ
ｂｏ、ｓ　ｓ　）　２３．０　（ｉＦｅｏ、ｓ　ｓ　０
０Ｇ、１　ｓ　）　？　ｔ、。

なる組成の非晶質膜な記録層とする光磁気記録媒体を、
１．６μｍピッチのスパイラル状の案内溝含有する゛直
径１２０ｍＩＩのポリカーボネート基板を用いて作成し
た。また比較例として（Ｓｍｏ、１ｓＴｂｏ、５ｓ）２
３ＬＯ（ＩＰｅα８５０００．１５）７７．０　　の組
成の記録膜を有する光磁気記録媒体を作成した。

第１図は本実施例のＮｄＰｒＳｍＴｂｌＦｅ０゜（・）
と比較例のＳｍＴｂｌＦｅ０ｏ（會）を記録膜とした光
磁気記録媒体の再生０／Ｎ比の記録バイアス磁界依存性
を示したものである。本実施例の媒体のｏ　／　Ｎ比が
約７０００で飽和するのに対し、比較例のＮｄを含有し
ない媒体は飽和するのに約３０００ｅ　のバイアス磁界
が必要なことがわかる。また、再生ｏ　Ｚ　Ｎ比の値も
本発明の実施例の方が約２ｄＢ高く再生特性も優れてい
る。

（実施例２） （Ｎｄ０．ａｐｒｏ、４　）、７（Ｓｍｏ、ｔｏＴｂα
ｓ　ｏ　）　２　ｚｏ　（ＩＦｅｏ、ｓ　ｏ　ＯＯＱ、
２　ｏ　）ｖｓ、ｏ−、ｒなる組成においてＮ　ｄＰ　
ｒ　ｉ　ｘを変化させて光磁気記録媒体を作成した。

第２図はＮｄＰｒＪｉｚに対して、Ｏ／　Ｎ比の飽和に
要する記録バイアス磁界の大きさをプロットしたもので
ある。飽和バイアス磁界はＮｄＰｒ量Ｘの増加に伴い減
少し、３：＝６Ｃαｔ％）で最少となった後、増大する
。一方、第３図に示すように光磁気記録媒体の再生ｏ　
／　Ｎ比はｘ＝８（０６％）程度まで斬増した後、急激
に低下する。このようなことを総合すると、Ｎｄ量とし
ては１０αｔ％以下であれば、Ｎｄ添加の効果であると
ころの記録バイアス磁界の減少を再生信号の劣化を伴わ
ずに実現することができる。

（実施例３） （Ｎｄ４Ｐｒｌ−ａ）　５．０　（Ｓｍ０．１０Ｔｔ１
０．９０　）　２２．０　（ｙｅｏ、ａ　Ｏ０００，２
０）　７３．０なる組成において、ＮｄとＰｒの量比α
を変化させて光磁気記録媒体を作成した。

第４図はＮｄｉαに対して、ａ　／　Ｎ比の飽和に必要
な記録バイアス磁界の大きさをプロットしたものである
。飽和バイアス磁界は全域にわたってＮｄのみの場合や
Ｐｒのみの場合よりも小さく、ＮｄとＰｒの両方の元素
を混合することによって、各々を単独で用いるよりも大
きな効果が得られることが示される。

（実施例４） 本発明の実施例として第１表に示した組成の記録膜を有
する磁性膜を作成した。

第　　１　　表 さらに比較のために第２表に示す組成の記録膜を有する
光磁気記録媒体を作成した。

第　　２　　表 これらの実施例並びに比較例の記録媒体の０／Ｎ比の飽
和に要する記録バイアス磁界と０７Ｈ比を第３表に示す
。

第　　３　　表 本発明の実施例の飽和記録バイアス磁界はいずれも比較
例Ｎｌ１６よりも小さい。またＯ　／　Ｎ比もＮｄの入
らない階６の試料と同等か、それ以上の値が得られる。

さらに、希土類の比率が１５αｔ％未満であったり４０
αｔ％を越えると、或いはＳｍとＴｔ）の比率が３＝７
を越えた場合やＮｄ量が１０αｔ％を越えたとき、いず
れの場合も飽和バイアス磁界の改善は認められるが、大
幅な０／Ｎ比の低下を伴うため好ましくないことがわか
る〔発明の効果〕 以上に述べたように本発明によれば、光磁気記録媒体の
Ｏ／　Ｎ比の低下を伴うことなぐ、Ｏ／　Ｎ比の飽和バ
イアス磁界の低減を行うことができる。従って、低バイ
アス磁界でも良好な記録、消去が可能な高性能な光磁気
記録媒体を供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のＮｄＰｒＳｍＴｂ１ＦｏＯｏ膜（・）
と従来例のＳｍＴｂ１ＰｅＯｏ膜（ＩＩ）を記録膜とす
る光磁気記録媒体のＯ／　Ｎ比と記録バイアス磁界の関
係を示す図である。 第２図は本発明の（Ｎｄｏ、６　Ｐｒｏ、４）、ｒ（Ｓ
ｍｏ、１ｏ　Ｔｂｏ、ｔ　ｏ　）　２２．０（ＩＦＱＯ
，１１００００，２０）７８−ｘ　を用いた光磁気記録
媒体の（ＮｄＰｒ）量Ｘと飽和バイアス磁界の関係を表
わす図である。 第３図は同じ（（ＮｄＰｒ）量Ｘとｏ　／　Ｎ比の関係
を表わす図である。 第４図は、（Ｎａ、ｚｐｒｌ−、ｚ）ａ、ｏ（ｓｍｏ、
ｘｏＴｂｏ、９ｏ）ｚ２．ｏ（ＦｅＯ，８００００，２
０）？３ＬＯなる組成式において、Ｎｄ量αとａ　／　
ｙ比の関係を表わす図である。 以上 、出願人　　セイコーエプソン株式会社代理人　弁理士
　上柳雅誉（他１名） ０　　　　＋ＤＯ２１Ｘ）　　　　ａＯ０４００ノ父・
イＹス琲着ト　（ＯＬ） 第１図 第２図 ０　　　　　ぢ　　　　　１０１５ Ｎノ）χ　＜ｔａ−ｉ、） 第３図 第４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜
   であって、組成を原子比で （Ｎｄ，Ｐｒ）＿ｘ（Ｓｍ＿ｚＴｂ＿１＿−＿ｚ）＿ｙ
   （Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）＿１＿０＿０＿−＿ｘ＿−＿ｙと
   表わしたとき ０＜ｘ＜１０ １５≦ｘ＋ｙ＜４０ ０＜ｚ≦０．３ であることを特徴とする光磁気記録媒体。