DE69028300T2 - Glasartige siliciumdioxidprodukte - Google Patents
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 185
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 53
- 239000004071 soot Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims abstract description 8
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 claims abstract description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 20
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 19
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 claims description 18
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 17
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 16
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 8
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 7
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 6
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 5
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 5
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 5
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 4
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XMSXQFUHVRWGNA-UHFFFAOYSA-N Decamethylcyclopentasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 XMSXQFUHVRWGNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 238000000280 densification Methods 0.000 claims description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 3
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000003636 chemical group Chemical group 0.000 claims description 2
- 150000004678 hydrides Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims 3
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 3
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 claims 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 abstract description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 2
- 239000003517 fume Substances 0.000 abstract 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 29
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 9
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- SNOJPWLNAMAYSX-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropan-1-ol;titanium Chemical compound [Ti].CC(C)CO.CC(C)CO.CC(C)CO.CC(C)CO SNOJPWLNAMAYSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZMGYPLQYOPHEL-UHFFFAOYSA-N Boron trifluoride etherate Chemical compound FB(F)F.CCOCC KZMGYPLQYOPHEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 2
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 238000001089 thermophoresis Methods 0.000 description 2
- FYSNRJHAOHDILO-UHFFFAOYSA-N thionyl chloride Chemical compound ClS(Cl)=O FYSNRJHAOHDILO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- JKGITWJSGDFJKO-UHFFFAOYSA-N ethoxy(trihydroxy)silane Chemical class CCO[Si](O)(O)O JKGITWJSGDFJKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N heavy water Substances [2H]O[2H] XLYOFNOQVPJJNP-ZSJDYOACSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- VUZPPFZMUPKLLV-UHFFFAOYSA-N methane;hydrate Chemical compound C.O VUZPPFZMUPKLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
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- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
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- C01B33/183—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof by a dry process by oxidation or hydrolysis in the vapour phase of silicon compounds such as halides, trichlorosilane, monosilane
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/50—Solid solutions
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
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- C01P2004/10—Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
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- C01P2004/10—Particle morphology extending in one dimension, e.g. needle-like
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- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
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Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft die Herstellung eines Produkts aus reinem oder dotiertem synthetischem Quarzglas durch Dampfphasenreaktion einer flüchtigen Siliciumverbindung. Das Endprodukt kann in Form einer aggiomerierten Masse aus porösem Siliciumdioxid- "Soot", die sich zur anschließenden Verdichtung eignet, oder eines voliverdichteten Körpers aus Quarzglas vorliegen. Bei manchen Anwendungen kann das Siliciumdioxid auf einem seinerseits möglicherweise aus Siliciumdioxid bestehenden Substrat abgeschieden werden. Das abgeschiedene Siliciumdioxid kann dabei während oder nach der Abscheidung mit anderen Elementen dotiert werden.
- Die Verwendung von flüchtigen Siliciumverbindungen bei diesem Verfahrenstyp ist hinreichend bekannt. Aus der US-A-4038370 ist bekannt, daß sich Silan (SiH&sub4;) zu Siliciumdioxid-Dampf oxidieren läßt, der sich dann auf einem Substrat unter Erhalt eines Produkts aus Quarzglas abscheiden läßt.
- Silan ist jedoch teuer und wegen seiner Pyrophorität gefährlich. Daher verwendet man üblicherweise eher ein Halogenid als flüchtigen Einsatzstoff, wobei Siliciumtetrachlorid heutzutage in der Lichtleitfaser- und Quarzglasindustrie umfangreiche Anwendung findet. So läßt sich Siliciumtetrachlorid, beispielsweise in einem thermischen Plasma, zu Siliciumdioxid-Dampf oxidieren, der sich dann auf einem Substrat zu reinem Quarzglas mit einem niedrigen Hydroxyl(OH)-Gehalt abscheiden läßt, wie es in der eigenen GB-A-1061042 beschrieben ist. Dabei verläuft die Reaktion wie folgt:
- SiCl&sub4; + O&sub2; T SiO&sub2; + 2 Cl&sub2;.
- Diese Reaktion wird bei der Herstellung des von uns selbst unter dem eingetragenen Warenzeichen "WF Spectrosil" vertriebenen "wasserfreien" synthetischen Quarzglases, das in der Regel unter 2 ppm OH enthält, technisch genutzt.
- Alternativ dazu kann man das Siliciumtetrachlorid einer Knallgasflamme zuführen. Unter diesen Umständen beschreibt man die Reaktion als Flammenhydrolyse, d.h.
- SiCl&sub4; + 2H&sub2;O T SiO&sub2; + 4 HCl.
- Dabei kann das Siliciumdioxid als Dampf erzeugt werden, der dann als Körper aus porösem Soot zur Aufsinterung auf ein porenfreies glasartiges Produkt in einem nachfolgenden Verfahren, das in den US-A-2272342, US-A-3806570 und US-A-4224046 beschrieben ist, gewonnen werden kann. Alternativ dazu kann man den Dampf bei einer solchen Temperatur abscheiden, daß er direkt auf ein porenfreies glasartiges Produkt aufsintert. In diesem Fall findet man in der Regel bei dem glasartigen Produkt einen höheren Hydroxylgehalt, jedoch ist es ansonsten hochrein. Dies bildet die Grundlage für die Herstellung des von uns unter dem eingetragenen Warenzeichen "Spectrosil" vertriebenen, optisch hochwertigen Quarzglases, das in der Regel etwa 1000 ppm OH enthält.
- Wird von einem Flammenhydrolyseprodukt ein geringer OH-Gehalt verlangt, so ist es allgemein üblich, den Siliciumdioxid-Dampf als Körper aus porösem Soot zu gewinnen und diesen Körper anschließend in einer beispielsweise Chlor oder Thionylchlorid enthaltenden dehydratisierenden Atmosphäre zu erhitzen, bevor er, beispielsweise in einer Heliumatmosphäre, zu einem porenfreien glasartigen Produkt gesintert wird. Dies bildet die Grundlage für die zur Herstellung von Vorformlingen für Lichtleitfasern weit verbreiteten Verfahren OVD (Outside Vapour Deposition; Dampfabscheidung auf der Außenfläche) und VAD (Vapour-phase Axial Deposition; axiale Abscheidung in der Gasphase).
- Bei diesen Verfahren ist der Erhalt eines grobteiligen Dampfes und somit die Herstellung eines hochdichten Soots mit hoher Porengröße erwünscht. Bei der Verwendung von Siliciumtetrachlorid als Einsatzstoff erhält man Siliciumdioxid-Dampfteilchen, deren Größe von der Konzentration der Dampfspezies, der Flammentemperatur und der Verweilzeit, d.h. der Zeit, die die wachsenden Teilchen in der Flamme des Synthesebrenners verbringen, abhängig ist. Ein herkömmlicher Mehrringbrenner, wie er beim VAD-Verfahren verwendet wird, ergibt Siliciumdioxidteilchen mit einem typischen Durchmesser von etwa 0,08 µm. H. Suda et al. beschreiben in Proc. 10th Euro. Conf. Opt. Comm. (E.C.O.C.), 3.-6. Sept., 1984, Stuttgart, S. 296/7, 1984, wie man die typische Teilchengröße des Dampfprodukts mittels eines "Doppelflammen"-Brenners auf 0,21 µm erhöhen kann. Dieser Brenner hat eine längere Flamme und damit auch eine längere Verweilzeit der Siliciumdioxidteilchen. Man nimmt an, daß die Teilchen in der Flamme durch Brownsche Zusammenstöße und anschließendes Zusammenwachsen wachsen. Je länger die Teilchen dabei in der Flamme verbleiben, desto größer ist die Wahrscheinlichkeit eines Zusammenstoßes zwischen den Teilchen und desto größer werden sie. Dabei wachsen die Teilchen so lange zusammen, wie die Temperatur für einen derartigen Vorgang hoch genug bleibt; danach bilden die zusammengeballten Mikroteilchen nur noch eine offene Kettenstruktur aus. Somit ist es von Vorteil, einen hochexothermen Einsatzstoff zu verwenden, da dies die Aufrechterhaltung einer hohen Flammentemperatur unterstützt und so das Teilchenwachstum über einen längeren Zeitraum hinweg fördert.
- Einer der Hauptnachteile bei der Verwendung von Siliciumtetrachlorid oder einer beliebigen chlorhaltigen Siliciumverbindung als Vorläufer zur Herstellung von synthetischem Siliciumdioxid besteht darin, daß bei der Oxidation Chlor und bei der Hydrolyse Chlorwasserstoff als Nebenprodukte freigesetzt werden. Diese beiden Chemikalien sind giftig und ätzend, so daß bei jedem Verfahren, bei dem Siliciumtetrachlorid verwendet wird, aus Umweltschutzgründen umfangreiche Vorkehrungen zur Gasextraktion und -wäsche erforderlich sind.
- Trotz der mit derartigen Waschverfahren einhergehenden Schwierigkeiten und Kosten setzt man als Einsatzstoffe bei den obengenannten Verfahren zur Herstellung von Siliciumdioxid-Dampf und synthetischem Quarzglas praktisch ausschließlich Siliciumtetrachlorid und bestimmte andere Chlorsilane ein. Die Verwendung von Silan (SiH&sub4;) ist unüblich, kostenaufwendig und risikoreich. Die Verwendung alternativer Siliciumverbindungen ist nur wenig beschrieben, jedoch wurden in der DE-A 3500080 zur Herstellung von Siliciumdioxid-Pulvern und in der japanischen Offenlegungsschrift 85 108338 zur Herstellung von glasartigen Produkten Methyl- und Ethylorthosilikate vorgeschlagen.
- Die praktisch ausschließliche Verwendung von chlorhaltigen Einsatzstoffen ist um so bemerkenswerter, als es nicht möglich ist, dadurch ein Siliciumdioxid- Produkt herzustellen, das nicht mit dem bei einigen Anwendungen unerwünschten Chlor verunreinigt ist.
- In der DE-A-2909815 und der DE-A-3016010 ist die Herstellung von Siliciumdioxid-Dampf aus flüchtigen Siliciumverbindungen bekannt, jedoch wird darin die Herstellung eines transparenten Quarzglasprodukts weder beschrieben noch vorgeschlagen.
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines transparenten Produkts aus synthetischem Quarzglas durch Dampfphasenoxidation eines Siliciumdioxidvorläufermaterials in einer Flamme und Gewinnung des Siliciumdioxids aus dem Fluß der Verbrennungsprodukte durch Abscheidung entweder als agglomerierte Masse aus porösem Siliciumdioxid-"Soot", die sich zur anschließenden Verdichtung eignet, oder als vollverdichteter Körper, dadurch gekennzeichnet, daß in dem abgeschiedenen Produkt mindestens 60% des Siliciumdioxids aus der Oxidation
- (A) einer oder mehrerer geradkettiger, flüchtiger, chlorfreier Polysiloxanverbindungen der allgemeinen Formel
- R&sub3;Si . O(SiR&sub2;O)n . SiR&sub3;,
- worin n für eine ganze Zahl einschließlich Null steht und R jeweils unabhängig ausgewählt ist unter
- (i) einer oder mehreren Alkylgruppen der allgemeinen Formel
- Cm . H2m+1,
- worin m für eine ganze Zahl größer als Null steht,
- und
- (ii) der Hydridgruppe H-,
- und/oder
- (B) einer oder mehrerer cyclischer, flüchtiger, chlorfreier Polysiloxanverbindungen der allgemeinen Formel
- SipOp(R) 2p,
- worin p für eine ganze Zahl größer als 2 steht und R jeweils unter den oben unter (i) und (ii) definierten chemischen Gruppen ausgewählt ist, oder
- (C) eines Gemischs von (A) und (B) stammen.
- Dabei kann im gleichen Molekül auch mehr als eine Art von Substituentengruppen vorhanden sein.
- Die Erfindung umfaßt cyclische Moleküle der allgemeinen Formel
- SinOn(R)2n,
- worin n für eine ganze Zahl größer als 2, bevorzugt größer als 3, steht und R für eine wie oben definierte Substituentengruppe oder eine Mischung derartiger Gruppen steht.
- Die Erfindung schließt auch die Verwendung von Gemischen von wie oben definierten geradkettigen Molekülen, Gemischen von derartigen cyclischen Molekülen und Gemischen von geradkettigen und cyclischen Molekülen sowie andere Spezies enthaltenden Einsatzstoffen, bei denen jedoch mindestens 60% der darin enthaltenen oxidierbaren Siliciumspezies von den obengenannten Molekülen gestellt werden, ein.
- Wie oben bereits ausgeführt, wird die Endgröße der Teilchen aus Siliciumdioxid-Dampf sowohl durch Nükleierungsals auch durch Wachstumsvorgänge bestimmt. Um große Teilchen zu erhalten, ist dabei das Molekulargewicht des verdampften Siliciumdioxidvorläufers vorzugsweise hoch, wobei die bevorzugten erfindungsgemäßen Vorläuferverbindungen den besonderen Vorteil aufweisen, daß das Grundgerüst des Quarzglases bereits vorgegeben ist und die Spezies bereits die polymere (SiO)n-Ketten- oder -Ringstruktur enthalten. So kann man eine kleinere Anzahl von Primärkeimen und eine höhere Durchschnittsgröße der schließlichen Dampfteilchen erhalten.
- Bei den Verbrennungsreaktionen zur Erzeugung von reinem Silciumdioxid ist überschüssiger Kohlenstoff unerwünscht, da bei unvollständiger Verbrennung Kohlenstoff oder Siliciumcarbid entstehen können. Daher ist als Alkylgruppe die Methylgruppe CH&sub3; bevorzugt. Aus dem gleichen Grund können hochmolekulare Silikonspezies und cyclische Moleküle bevorzugt sein, da diese ebenfalls einen geringen Anteil an Kohlenstoffatomen enthalten. Selbstverständlich können auch Verfügbarkeit, Preis und Reinheit bei der Wahl der bevorzugten Spezies eine Rolle spielen.
- Alle erfindungsgemäßen Vorläuferverbindungen verbrennen in Gegenwart eines Sauerstoffüberschusses zu Kohlendioxid, Wasser und Dampf aus synthetischem Siliciumdioxid. Dieser Dampf kann entweder als porenfreies Material oder als poröser Soot auf einem Substrat abgeschieden werden, bei dem es sich u.a. um ein beliebiges geeignet feuerfestes und nichtverunreinigendes Material handeln kann, einschließlich Kohlenstoff/Graphit, Aluminiumoxid oder Quarzglas, bei dem es sich wiederum um ein porenfreies Material oder einen Körper aus porösem Soot handeln kann. Dieses Verfahren wird durch die Abwesenheit korrosiv wirkender Gase, z.B. HCl, Cl&sub2;, in den heißen Dämpfen im Vergleich zur Gewinnung von Siliciumdioxid aus einem chlorhaltigen Einsatzstoff wesentlich erleichtert und verbilligt, wobei auch durch Korrosion hervorgerufene Kontamination in dem abgeschiedenen Produkt leichter zu vermeiden ist. Schließlich ist das abgeschiedene Produkt selbst selbstverständlich frei von Chlorverunreinigungen.
- Die als Vorläufer oder Einsatzstoff verwendete(n) Verbindung(en) können einem geeigneten Synthesebrenner zugeführt werden, dessen Energieeinspeisung durch weiteres brennbares Gas, beispielsweise Wasserstoff oder Methan zusammen mit zur Verbrennung der enthaltenen Spezies ausreichendem Sauerstoff, unterstützt werden kann. Im Gegensatz zum üblichen Einsatzstoff Siliciumtetrachlorid setzen die erfindungsgemäßen als Einsatzstoff verwendeten Verbindungen selbst eine beträchtliche Verbrennungswärme frei. So erreicht man sowohl höhere Temperaturen im Reaktionskern des Brenners als auch höhere Konzentrationen von Si/O-Dampfspezies. Diese beiden wünschenswerten Anforderungen ergeben in einem Synthesebrenner geeigneter Ausführung größere Dampfteilchen als bei der Verwendung von Siliciumtetrachlorid als Einsatzstoff möglich ist.
- Aus der hohen Verbrennungswärme der bevorzugten erfindungsgemäßen Einsatzstoff folgt, daß in einem mit Vorläufer, Oxidationsmittel, beispielsweise Sauerstoff, und Wasserstoff oder Methan zur Unterstützung versorgten Siliciumdioxd-Synthesebrenner geeigneter Ausführung mindestens ein Drittel und vorzugsweise über die Hälfte der Verbrennungsenergie der Syntheseflamme aus der Verbrennung des Vorläufers bezogen werden kann. Tatsächlich kann man Synthesebrenner konstruieren, bei denen die Verbrennungsenergie des Brenners praktisch vollständig (d.h. zu 90% und mehr) durch die Verbrennung der Vorläuferverbindung geliefert wird, wobei diese neuen Merkmale der Synthese von Siliciumdioxid weitere Erfindungsgedanken darstellen.
- Zweckmäßig stammt mindestens die Hälfte der beim Verbrennungsvorgang freigesetzten Energie aus der Verbrennung des Siliciumdioxidvorläufermaterials, wobei man das Siliciumdioxid als poröse Masse aus synthetischem Siliciumdioxid gewinnt.
- zweckmäßig stammt mindestens ein Drittel der beim Verbrennungsvorgang freigesetzten Energie aus der Verbrennung des Siliciumdioxidvorläufermaterials, wobei man das Siliciumdioxid als im wesentlichen porenfreies, glasartiges Produkt gewinnt.
- Die Siliciumdioxid-Dampfwolke wird wie oben beschrieben auf ein Substrat gerichtet. Bei der Betrachtung der Wirtschaftlichkeit der Herstellung von synthetischem Siliciumdioxid spielt der Gewinnungsgrad eine wichtige Rolle, wobei sich der Vorgang der Thermophorese, d.h. der Neigung von ultrafeinen Teilchen in einem heißen Gasstrom mit einem thermischen Gradienten, in den Bereich niedrigerer Temperatur zu wandern, als einer der Hauptmechanismen der Gewinnung von heißem Dampf auf einem Substrat erwiesen hat. Somit ist es vorteilhaft, den Dampf in einer heißen, konzentrierten Wolke zu erzeugen und diesen Dampf auf ein kühleres Substrat zu richten. Ein wichtiges Merkaml der erf indungsgemäßen, als Einsatzstoff verwendeten Verbindungen besteht darin, daß sie in einem Synthesebrenner geeigneter Ausführung so verbrennen können, daß sich eine sehr heiße Wolke aus Siliciumdioxid-Dampf ergibt, womit der Thermophorese- Effekt bestmöglich ausgenutzt wird.
- Dabei kann der Gasphasenoxidation zur Modifizierung der Eigenschaften des Produkts aus synthetischem Siliciumdioxid ein Dotierzusatz zugegeben werden. Der Dotierzusatz enthält dabei zweckmäßig den Dampf einer oxidierbaren oder hydrolysierbaren Verbindung, die aus der Gruppe, bestehend aus Aluminium, Titan, Bor und Fluor ausgewählt ist.
- Die Erfindung betrifft auch Produkte aus synthetischem Siliciumdioxid, die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt wurden, d.h. mit Soot überzogene Substrate, gesinterte Gegenstände und vollverdichtete Produkte.
- Die Erfindung wird nun anhand der folgenden Ausführungsbeispiele näher erläutert:
- Einem erhitzten Mehrring-Synthesebrenner, enthaltend eine von einem ersten und einem zweiten Ringkanal umgebene zentrale Zufuhröffnung, wurden wie folgt Dampfund Gasströme zugeführt:
- Zentrale Öffnung: 0,086 m³/h Octamethylcyclotetrasiloxan-Dampf, plus 0,03 m³/h Stickstoff.
- Erster Ringkanal: Wasserstoff
- Zweiter Ringkanal: Sauerstoff.
- Nach dem Entzünden lieferte der Brenner eine stetige Flamme, deren zentraler Teil aus einer hell leuchtenden Wolke aus Siliciumdioxid-Dampf bestand, welcher seitlich auf ein in einer Glasbearbeitungsdrehbank rotierendes zylindrisches Graphitsubstrat mit 100 mm Durchmesser gerichtet war. Der Brenner wurde auf einem parallel zur Achse des zylindrischen Graphitsubstrats beweglichen Schlitten befestigt, so daß die Dampfwolke das Substrat ins Längsrichtung fortschreitend und wiederholt überstrich und sich auf dem Substrat eine radial wachsende weiße Ablagerung aus Soot aus synthetischem Siliciumdioxid abschied. Dabei wurde der Brenner nach jedem Durchgang so weit zurückgezogen, daß sich ein geregelter Abstand Brenner-Substrat ergab. Die Temperatur in der Abscheidungszone wurde bei einem annähernd konstanten Wert im Bereich von 1000-1300ºC gehalten. Die Abscheidung wurde 8 Stunden lang fortgesetzt.
- Nach dem Abkühlen und der Entfernung vom Graphitsubstrat wog der Soot-Körper etwa 5 kg und besaß eine mittlere Dichte von 0,4 g/cm³. Der Körper wurde im Vakuum zu einem transparenten Rohr aus hochreinem, chloridfreiem synthetischem Quarzglas mit einem Hydroxyl (OH) -Gehalt von unter 1 ppm gesintert.
- Einem erhitzten Mehrring-Synthesebrenner, enthaltend eine zentrale Zufuhröffnung und vier aufeinanderfolgende Ringkanäle, wurden wie folgt Dampf- und Gasströme zugeführt:
- Zentrale Öffnung: 0,054 m³/h Decamethylcyclopentasiloxan-Dampf plus 0,12 m³/h Wasserstoff
- Erster Ringkanal: Wasserstoff
- Zweiter Ringkanal: Sauerstoff
- Dritter Ringkanal: Wasserstoff
- Vierter Ringkanal: Sauerstoff.
- Die Brennerachse wurde auf die halbkreisförmige, gewölbte Stimseite eines zylindrischen Substrats aus Quarzglas mit einem Durchmesser von 150 mm, dessen Oberfläche bei einer annähernd konstanten Temperatur im Bereich von 1500-1950ºC gehalten wurde, gerichtet.
- So wurde eine blasenfreie, agglomerierte Ablagerung aus hochreinem, chlorfreiem synthetischem Quarzglas mit hoher optischer Transparenz und einem Hydroxyl(OH) - Gehalt von 830 ppm erhalten.
- Einem Mehrring-Synthesebrenner analog Beispiel 1 wurden wie folgt Dampf- und Gasströme zugeführt:
- Zentrale Öffnung: 0,066 m³/h Octamethylcyclotetrasiloxan-Dampf plus 0,014 m³/h Aluminium-2,4-pentandionat-Dampf plus 0,03 m³/h Stickstoff
- Erster Ringkanal: Wasserstoff
- Zweiter Ringkanal: Sauerstoff
- Die Flamme wurde auf die halbkreisförmige, gewölbte Stimseite eines am anderen Ende in einer Glasbearbeitungsdrehbank gehalterten, um seine Achse rotierenden, zylindrischen Siliciumdioxid-Substrats gerichtet. An der Stimseite des Substrats baute sich eine weiße Ablagerung aus Aluminiumoxid-dotiertem Siliciumdioxid- Soot auf, wobei das Substrat zur Aufrechterhaltung eines konstanten Abstands Brenner-Substrat kontinuierlich zurückgezogen wurde. Die Temperatur der Abscheidungszone betrug in der Regel 1140ºC.
- Nach 6 Stunden wurde die Abscheidung beendet und der agglomerierte Soot-Körper unter Vakuum zu einem Körper aus blasenfreiem, Aluminiumoxid-dotiertem, synthetischem Quarzglas mit einem Aluminiumoxidgehalt von etwa 1,5 Mol-% gesintert.
- Es wurde analog Beispiel 3 verfahren, jedoch mit der Abänderung, daß die der zentralen Öffnung des Brenners zugeführten Dampf- und Gasströme zusätzlich noch durch die Zugabe von 0,0052 m³/h Titantetraisobutoxid Dampf ergänzt wurden. Das Soot-Produkt war also sowohl mit Aluminiumoxid als auch mit Titandioxid dotiert. Nach dem Sintern enthielt das Glasprodukt etwa 1,5 Mol-% Aluminiumoxid und 1,5 Mol-% Titandioxid.
- Es wurde analog Beispiel 3 verfahren, jedoch mit der Abänderung, daß der Aluminium-2,4-pentandionat-Strom durch einen Strom von 0,0104 m³/h Titantetraisobutoxid- Dampf ersetzt wurde. Das Soot-Produkt war somit einzig mit Titandioxid dotiert. Nach dem Sintern enthielt das Glasprodukt etwa 3,0 Mol-% Titandioxid.
- Einem Mehrring-Synthesebrenner analog Beispiel 1 wurden wie folgt Dampf- und Gasströme zugeführt:
- Zentrale Öffnung: 0,086 m³/h Octamethylcyclotetrasiloxan-Dampf plus 0,005 m³/h Bortrifluoriddiethyletherat-Dampf plus 0,03 m³/h Stickstoff.
- Erster Ringkanal: Wasserstoff
- Zweiter Ringkanal: Sauerstoff.
- Die Flamme wurde seitlich auf einen in einer Glasbearbeitungsdrehbank rotierenden, runden zylindrischen Stab aus reinem synthetischem Quarzglas mit einem Durchmesser von 75 mm gerichtet. Der Brennerschlitten wurde parallel zur Stabachse bewegt, so daß die Wolke aus dotiertem Siliciumdioxid-Dampf den Substratstab in Längsrichtung fortschreitend und wiederholt überstrich und sich auf dem Substrat eine radial wachsende weiße Ablagerung einer agglomerierten Masse aus Soot aus dotiertem synthetischem Siliciumdioxid abschied. Die Temperatur in der Abscheidungszone betrug etwa 1090ºC. Die Abscheidung wurde 2 Stunden lang fortgesetzt.
- Nach dem Abkühlen wurden der Quarzglasstab und die anhaftende Schicht aus dotiertem Soot zonengesintert und der Soot so verglast, was einen Stufenprofil-Lichtleitfaser-Vorformling mit einem Kern aus reinem synthetischem Quarzglas und einem Mantel aus mit Bor und Fluor dotiertem synthetischem Quarzglas ergab. Das Produkt wurde zu einer Stufenprofil-Faser mit einem Durchmesser von 200 µm, einer numerischen Apertur von 0,16 und einer Dämpfung von 7 dB/km bei 820 nm ausgezogen.
- Die folgende Zusammenfassung zeigt die Anwendung der vorliegenden Erfindung.
- Soot-Körper - auf einem Substrat, bei dem es nicht um Siliciumdioxid handeln muß, gewonnen
- - auf einem Quarzglasstab oder -rohr gewonnen, z.B. auf einem Lichtleitfaser- Vorformling
- - auf der Innen- oder Außenfläche eines Tiegels gewonnen
- Glasartiger Körper - auf einem Substrat, bei dem es nicht um Siliciumdioxid handeln muß, gewonnen
- - auf einem Quarzglasstab oder -rohr gewonnen, z.B. auf einem Lichtleitfaser- Vorformling
- - auf der Innen- oder Außenfläche eines Tiegels gewonnen
- Dotiertes Produkt - bei der Erzeugung und/oder Abscheidung des synthetischen Produkts Miteinsatz von Al&sub2;O&sub3;, GeO&sub2;, P&sub2;O&sub5;, beispielsweise zur Erhöhung des Brechungsindex
- - bei der Erzeugung und/oder Abscheidung des synthetischen Produkts Miteinsatz von B&sub2;O&sub3;, F, beispielsweise zur Herabsetzung des Brechungsindex
- Bevorzugte Einsatzstoffe - sind u.a. Hexamethyldisiloxan und die geradkettigen oder cyclischen tetrameren oder pentameren Siloxane. Insbesondere erwiesen sich die Siloxane Octamethylcyclotetrasiloxan und Decamethylcyclopentasiloxan und deren Gemische als besonders gut geeignet.
Claims (35)
1. Verfahren zur Herstellung eines Produkts aus
synthetischem Quarzglas durch Dampfphasenoxidation eines
Siliciumdioxidvorläufermaterials in der Flamme eines
geeigneten Synthesebrenners und Gewinnung des
Siliciumdioxids aus dem Fluß der Verbrennungsprodukte durch
Abscheidung entweder als agglomerierte Masse aus porösem
Siliciumdioxid-"Soot", die sich zur anschließenden
Verdichtung eignet, oder als vollverdichteter Körper,
dadurch gekennzeichnet, daß in dem abgeschiedenen Produkt
mindestens 60% des Siliciumdioxids aus der Oxidation
A) einer oder mehrerer geradkettiger, flüchtiger,
chlorfreier Polysiloxanverbindungen der allgemeinen
Formel
R&sub3;Si . O(SiR&sub2;O)n . SiR&sub3;,
worin n für eine ganze Zahl einschließlich Null steht und
R jeweils unabhängig ausgewählt ist unter
(i) einer oder mehreren Alkylgruppen der
allgemeinen Formel
Cm . H2m+1,
worin m für eine ganze Zahl größer als
Null steht,
(ii) einer oder mehreren aromatischen
Phenylgruppen
C&sub6;H&sub5;-
oder einer substituierten aromatischen
Gruppe
(iii) der Hydroxylgruppe
HO-
(iv) der Vinylgruppe
H&sub2;C=CH-
und
(v) der Hydridgruppe H-,
und/oder
B) einer oder mehrerer cyclischer, flüchtiger,
chlorfreier Polysiloxanverbindungen der allgemeinen
Formel
SipOp(R)2p,
worin p für eine ganze Zahl größer als 2 steht und R
jeweils unter den oben unter (i) und (ii) definierten
chemischen Gruppen ausgewählt ist, oder
C) eines Gemischs von A) und B)
stammen.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß das verdampfte
Siliciumdioxidvorläufermaterial eine polymere (SiO)n-Ketten- und/oder
-Ringstruktur enthält.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß mindestens die Hälfte der bei
dem Verbrennungsvorgang freigesetzten Energie aus der
Verbrennung des Siliciumdioxidvorläufermaterials stammt
und man das Siliciumdioxid als poröse Masse aus
synthetischem Siliciumdioxid gewinnt.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Drittel der
bei dem Verbrennungsvorgang freigesetzten Energie aus der
Verbrennung des Siliciumdioxidvorläufermaterials stammt
und man das Siliciumdioxid als weitgehend porenfreies,
glasartiges Produkt gewinnt.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet, daß man das Substrat in der
Abscheidungszone bei einer Temperatur im Bereich von
1000 - 1300ºC hält und das Produkt als poröse Masse aus
synthetischem Siliciumdioxid gewinnt.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß man das Substrat in der
Abscheidungszone bei einer Temperatur im Bereich von
1500 - 1950ºC hält und das Produkt als porenfreies,
glasartiges Produkt gewinnt.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß der Körper aus synthetischem
Siliciumdioxid nach der Verdichtung einer agglomerierten
Soot-Masse oder der Isolierung als vollverdichteter
Körper transparent ist.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß man als
Siliciumdioxidvorläufermaterial ein Cyclosiloxan der allgemeinen
Formel SinOn(CH&sub3;)2n, worin n gleich 4 oder 5 ist,
einsetzt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7,
dadurch gekennzeichnet, daß man als
Siliciumdioxidvorläufermaterial Hexamethyldisiloxan einsetzt.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß man die
Dampfphasenoxidation zur Modifizierung der Eigenschaften des
Produkts aus synthetischem Siliciumdioxid unter Zugabe
eines Dotierzusatzes durchführt.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch
gekennzeichnet, daß man als Dotierzusatz eine halogenfreie
Verbindung in Form von Dampf einsetzt.
12. Verfahren nach Anspruch 10 oder Anspruch 11,
dadurch gekennzeichnet, daß der Dotierzusatz den Dampf
einer oxidierbaren oder hydrolysierbaren Verbindung
mindestens eines der Elemente Aluminium, Germanium,
Phosphor, Titan, Bor oder Fluor enthält.
13. Verfahren nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch cekennzeichnet, daß man die
Dampfphasenoxidation unter Verwendung eines mit Sauerstoff und einem
brennbaren Gas gespeisten Synthesebrenners durchführt.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch
gekennzeichnet, daß man als brennbares Gas Wasserstoff, Methan
oder ein Gemisch dieser Gase einsetzt.
15. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, dadurch
gekennzeichnet, daß man einen Synthesebrenner der
Mehrringbauweise verwendet.
16. Verfahren nach Anspruch 13, 14 oder 15, dadurch
gekennzeichnet, daß man eine innere Öffnung des
Synthesebrenners mit Vorläuferdampf, gegebenenfalls zusammen mit
einem Trägergas, und einen äußeren Kanal mit Sauerstoff
speist, wobei die innere Öffnung von dem äußeren Kanal
durch einen weiteren, mit brennbarem Gas gespeisten Kanal
getrennt ist.
17. Verfahren nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß man den
Vorläuferdampf mit einem Wasserstoff oder Stickstoff enthaltenden
Trägergas verdünnt.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 17,
dadurch gekennzeichnet, daß man den Synthesebrenner
erhitzt.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 18,
dadurch gekennzeichnet, daß man zur Regelung des Abstands
Brenner-Substrat den Abstand zwischen Synthesebrenner und
abgeschiedenem Produkt kontrolliert und nachstellt.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5 oder
7 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß man die
agglomerierte Masse aus porösem Siliciumdioxid-Soot (soweit bei
der Abscheidung ein derartiges Produkt entsteht) auf an
sich bekannte Weise zu einem transparenten Glasprodukt
aus synthetischem Siliciumdioxid sintert.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5 oder
7 bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß man die
agglomerierte Masse aus porösem Siliciumdioxid-Soot (soweit bei
der Abscheidung ein derartiges Produkt entsteht) im
Vakuum zu einem transparenten Glasprodukt aus
synthetischem Siliciumdioxid sintert.
22. Verfahren nach Anspruch 21, dadurch
gekennzeichnet, daß das transparente Glasprodukt aus
synthetischem Siliciumdioxid einen sehr niedrigen
Hydroxyl(OH)-Gehalt aufweist.
23. Verfahren nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Körper aus
synthetischem Siliciumdioxid nach dem Verdichten einer
agglomerierten Soot-Masse oder dem Gewinnen als
vollverdichteter Körper weitgehend chlorfrei ist.
24. Verfahren nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Abscheidung auf
einem Substrat aus Kohlenstoff, Graphit, Aluminiumoxid,
porenfreiem Siliciumdioxid oder porösem Siliciumdioxid-
Soot erfolgt.
25. Verfahren nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das abgeschiedene
Produkt die Form eines zylindrischen Körpers, eines
rohrförmigen Körpers, eines Tiegels oder eines
Vorformlings für Lichtleitfasern hat.
26. Verfahren zur Herstellung eines nichtporösen
Körpers aus hochreinem, mit P&sub2;O&sub5; und/oder mindestens
einem Metalloxid aus der Gruppe, bestehend aus Aluminium,
Germanium, Titan und Bor, dotiertem Siliciumdioxid, bei
dem man:
(a) einen Gasstrom erzeugt, der eine verdampfbare,
chlorfreie, siliciumhaltige Verbindung, die durch
thermische Zersetzung unter Oxidation oder durch
Flammenhydrolyse in SiO&sub2; überführbar ist, und eine oder mehrere
verdampfbare Verbindungen, die durch Oxidation oder durch
Flammenhydrolyse in P205 und/oder mindestens ein
Metalloxid aus der Gruppe, bestehend aus Aluminium,
Germanium, Titan und Bor, überführbar sind, enthält,
(b) den Gasstrom zur Bildung von mit P&sub2;O&sub5; und/oder
mindestens einem Metalloxid aus der Gruppe, bestehend aus
Aluminium, Germanium, Titan und Bor, dotiertem SiO&sub2;-Soot
in die Flamme eines geeigneten Synthesebrenners leitet,
(c) den SiO&sub2;-Soot auf einem Substrat abscheidet und
(d) entweder im wesentlichen gleichzeitig mit der
Abscheidung oder daran anschließend die Ablagerung aus
SiO&sub2;-Soot zu einem nichtporösen Körper konsolidiert,
dadurch gekennzeichnet, daß man als verdampfbare,
siliciumhaltige Verbindung ein chlorfreies
Polymethylsiloxan einsetzt.
27. Verfahren nach Anspruch 26, dadurch
gekennzeichnet, daß man als Polymethylsiloxan
Hexamethyldisiloxan einsetzt.
28. Verfahren nach Anspruch 26, dadurch
gekennzeichnet, daß man als Polymethylsiloxan ein
Polymethylcyclosiloxan einsetzt.
29. Verfahren nach Anspruch 28, dadurch
gekennzeichnet, daß man das Polymethylcyclosiloxan aus der
Gruppe, bestehend aus Octamethylcyclotetrasiloxan,
Decamethylcyclopentasiloxan und deren Gemischen,
auswählt.
30. Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 29,
dadurch gekennzeichnet, daß man als in P205 und/oder
mindestens ein Metalloxid aus der Gruppe, bestehend aus
Aluminium, Germanium, Titan und Bor, überführbare
verdampfbare Verbindung eine chlorfreie Verbindung einsetzt.
31. Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 30,
dadurch gekennzeichnet, daß man es zur Herstellung von
Lichtleitfasern aus hochreinem Quarzgut nach dem
Verfahren der Dampfabscheidung auf der Außenfläche
(Outside Vapour Deposition) durch Abscheiden von SiO&sub2;-
Soot auf einem Substrat, Konsolidieren der Ablagerung aus
SiO&sub2;-Soot zu einem nichtporösen, transparenten Glaskörper
und Ziehen des Körpers zu Lichtleitfasern anwenden kann.
32. Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 31,
dadurch gekennzeichnet, daß man den SiO&sub2;-Soot durch
axiale Dampfabscheidung (Axial Vapour Deposition) auf
einem Substrat abscheidet.
33. Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 32,
dadurch gekennzeichnet, daß der Gasstrom ein Inertgas
enthält.
34. Verfahren nach einem der Ansprüche 26 bis 30,
dadurch gekennzeichnet, daß der nichtporöse Körper
transparent ist.
35. Verfahren nach Anspruch 26, bei dem man einen
nichtporösen Körper aus hochreinem, mit Titandioxid
dotiertem Quarzglas erzeugt, dadurch gekennzeichnet, daß
man als siliciumhaltige Verbindung ein chlorfreies
Polymethylsiloxan und als Dotierstoff eine chlorfreie
titanhaltige Verbindung einsetzt, so daß während der
Herstellung des nichtporösen Körpers keine chlorhaltigen
Dämpfe freigesetzt werden können.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB898905966A GB8905966D0 (en) | 1989-03-15 | 1989-03-15 | Improved vitreous silica products |
PCT/GB1990/000384 WO1990010596A1 (en) | 1989-03-15 | 1990-03-14 | Improved vitreous silica products |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69028300D1 DE69028300D1 (de) | 1996-10-02 |
DE69028300T2 true DE69028300T2 (de) | 1997-03-06 |
Family
ID=10653383
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69028300T Expired - Lifetime DE69028300T2 (de) | 1989-03-15 | 1990-03-14 | Glasartige siliciumdioxidprodukte |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0463045B1 (de) |
JP (1) | JP2744695B2 (de) |
KR (1) | KR0130007B1 (de) |
AT (1) | ATE141901T1 (de) |
CA (1) | CA2047187C (de) |
DE (1) | DE69028300T2 (de) |
DK (1) | DK0463045T3 (de) |
ES (1) | ES2092505T3 (de) |
FI (1) | FI93822C (de) |
GB (2) | GB8905966D0 (de) |
WO (1) | WO1990010596A1 (de) |
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- 1990-03-14 DE DE69028300T patent/DE69028300T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-14 JP JP2504742A patent/JP2744695B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-14 CA CA002047187A patent/CA2047187C/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-14 ES ES90904872T patent/ES2092505T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-14 EP EP90904872A patent/EP0463045B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-03-14 DK DK90904872.0T patent/DK0463045T3/da active
- 1990-03-14 KR KR1019910701084A patent/KR0130007B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-03-14 AT AT90904872T patent/ATE141901T1/de not_active IP Right Cessation
- 1990-03-14 WO PCT/GB1990/000384 patent/WO1990010596A1/en active IP Right Grant
-
1991
- 1991-08-07 GB GB9117060A patent/GB2245553B/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-13 FI FI914317A patent/FI93822C/fi active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2047187A1 (en) | 1990-09-16 |
JP2744695B2 (ja) | 1998-04-28 |
FI93822B (fi) | 1995-02-28 |
WO1990010596A1 (en) | 1990-09-20 |
FI914317A0 (fi) | 1991-09-13 |
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EP0463045B1 (de) | 1996-08-28 |
AU5286490A (en) | 1990-10-09 |
GB9117060D0 (en) | 1991-09-18 |
KR920701044A (ko) | 1992-08-11 |
ATE141901T1 (de) | 1996-09-15 |
JPH04505149A (ja) | 1992-09-10 |
CA2047187C (en) | 1999-05-25 |
KR0130007B1 (ko) | 1998-04-06 |
FI93822C (fi) | 1995-06-12 |
ES2092505T3 (es) | 1996-12-01 |
GB2245553B (en) | 1992-08-19 |
EP0463045A1 (de) | 1992-01-02 |
DK0463045T3 (de) | 1997-02-10 |
AU638702B2 (en) | 1993-07-08 |
DE69028300D1 (de) | 1996-10-02 |
GB2245553A (en) | 1992-01-08 |
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