DE69027230T2

DE69027230T2 - Ladungsgekoppelte Abbildungsanordnung mit Mehrkanallesestruktur

Info

Publication number: DE69027230T2
Application number: DE69027230T
Authority: DE
Inventors: Koichi Harada; Tetsuya Iizuka; Satoshi Nakamura; Kazushi Wada; Kazuya Yonemoto
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1989-02-14
Filing date: 1990-02-12
Publication date: 1996-11-28
Anticipated expiration: 2010-02-13
Also published as: JP2969702B2; EP0383519A3; DE69027230D1; EP0383519B1; JPH02290074A; EP0383519A2

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine ladungsgekoppelte Abbildungsanordnung (CCD-Abbildungsanordnung), bei der Signalladungen durch mehrere nebeneinanderliegende Lesespeicher transferiert werden.
Für eine CCD-Abbildungseinrichtung, beispielsweise eine Interline-Transfer (IT)- oder Vollbild-Interline-Transfer (FIT)- CCD-Abbildungseinrichtung, ist ein Aufbau beispielsweise aus dem offengelegen Jap. Patent mit der Veröffentlichungsnummer. 59-13369 (1984) bekannt, bei der, um die Lesefrequenz des horizontalen Speichers zu vermindern, das Lesen der Signale durch mehrere horizontale Speicher durchgeführt wird.
In den Zeichnungen zeigt Fig. 1 ein Beispiel einer Zweifach-Lese-FIT-CCD-Abbildungseinrichtung, bei der das Lesen der Signale durch zwei horizontale Speicher durchgeführt wird. Die Signalladungen werden durch fotoelektrische Umsetzung in einem Bildbereich 101 erzeugt und über einen Speicherbereich 102 zu einem ersten horizontalen Speicher 103 und einem zweiten horizontalen Speicher 104 transferiert. Der Speicherbereich 102 besteht aus mehreren vertikalen Speichern, und die Signalladungen von jedem zweiten vertikalen Speicher werden dem ersten horizontalen Speicher 103 bzw. dem zweiten horizontalen Speicher 104 zugeteilt. Es sei darauf hingewiesen, daß die Signalladungen, die zum zweiten horizontalen Speicher 104 an der entfernten Seite vom Abbildungsbereich 101 zu transferieren sind, über den ersten horizontalen Speicher 103 transferiert werden.
Die oben beschriebene CCD-Abbildungseinrichtung weist jedoch das Problem auf, daß die Transferleistung zwischen den horizontalen Speichern nicht verbessert werden kann.
Das heißt, daß die Transferelektroden der horizontalen Speicher 103, 104 im Hinblick auf den Transfer längs der horizontalen Richtung in einem vorgegebenen Abstand längs der horizontalen Richtung angeordnet sind. Die vertikale Länge der Transferelektrode des horizontalen Speichers wird jedoch länger als die horizontale Länge, so daß mit einem Anstieg der vertikalen Länge l&sub1; der Elektrode 105, wie in Fig. 2 gezeigt ist, Änderungen im Potential längs der vertikalen Richtung entsprechend reduziert werden. Die Folge davon ist, daß flache Potentialbereiche erzeugt werden, so daß die Ladungstransferleistung vom ersten horizontalen Speicher 103 zum zweiten horizontalen Speicher 104 in der vertikalen Richtung vermindert wird.
Die US 4 242 692 offenbart eine Verzögerungsleitung, die Transferelektroden besitzt, die in der beabsichtigten Richtung des Ladungsflusses breiter werden.
Um diese Schwierigkeit zu lösen, können feine Potentialstufen, beispielsweise durch Ionenimplantation längs der vertikalen Richtung der Transferelektrode des horizontalen Speichers gebildet werden. In diesem Fall ist jedoch der Herstellungsprozeß aufgrund der Notwendigkeit, Fotoschutzschichten usw. zu bilden, äußerst kompliziert.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine CCD-Abbildungseinrichtung bereitzustellen, bei der die Transferleistung zwischen mehreren nebeneinanderliegenden Lesespeichern verbessert werden kann.
Erfindungsgemäß wird eine CD-Abbildungseinrichtung bereitgestellt, mit:
einem Bildbereich, der mehrere fotoempfindliche Bereiche besitzt, die Signalladungen erzeugen;
erste und zweite nebeneinanderliegende Lesespeicher zum Transferieren und Lesen der Signalladungen vom Bildbereich in einer Richtung, wobei der erste Lesespeicher näher am Bildbereich ist als der zweite Lesespeicher und in der Lage ist, die Signalladungen dahin zu transferieren;
mehrere Paare von voneinander beabstandeten Transferelektroden, die sich vom Bildbereich über die Lesespeicher erstrecken; und
Kanalstoppbereiche, die unter den Transferelektroden am Ende eines jeden zweiten Speicherbereichs des ersten Lesespeichers vorgesehen sind und sich jeweils quer zur gesamten Breite der ersten Transferelektroden von zwei benachbarten Paaren ausdehnen, die einen Kanalbereich freilassen, um die Signalladungen so zu führen, damit sie von unterhalb der ersten Transferelektrode einer der benachbarten Paare im ersten Lesespeicher zum unterhalb der ersten Transferelektrode des anderen der benachbarten Paare im zweiten Lesespeicher über ein Transfertor fließen,
dadurch gekennzeichnet, daß
ein erstes eines jeden Paars von Transferelektroden eine erste Seite besitzt, die in etwa geradlinig ist, und eine zweite Seite, die gebogen oder nichtgeradlinig ist, so daß die Breite der Transferelektrode im Bereich des ersten Lesespeichers ansteigt, wobei die Breite der Transferelektrode in der Richtung der Ladungsübertragung in den Lesespeicher herangezogen wird, so daß die Elektrode am Ende in der Nähe des zweiten Speichers breiter ist als am Ende in der Nähe des Bildbereichs.
Die CCD-Abbildungseinrichtung nach der vorliegenden Erfindung besitzt mehrere fotoempfindliche Bereiche, die matrixartig angeordnet sind, und horizontale Speicher als Lesespeicher, welche Signalladungen von diesen fotoempfindlichen Bereichen über vertikale Speicher transferieren, sind jeweils für eine Matrixspalte vorgesehen. Die fotoempfindlichen Bereiche, die horizontalen Speicher und die vertikalen Speicher sind auf einem Halbleitersubstrat gebildet. Die Speicherbereiche und die Transferbereiche sind in jedem horizontalen Speicher sequentiell und abwechselnd in der horizontalen Transferrichtung gebildet. Diese Speicher und diese Transferbereiche entsprechen bezüglich der Struktur den Transferelektroden. Die Transferelektroden sind auf dem Halbleitersubstrat über einer Isolationsschicht gebildet, und Taktimpulse werden separat an die Transferelektroden angelegt.
Die Erfindung wird nun weiter durch ein nichteinschränkendes Ausführungsbeispiel mit Hilfe der Zeichnungen beschrieben, in denen:
Fig. 1 eine schematische Ansicht zur Veranschaulichung einer herkömmlichen Zweifach-Lese-CCD-Abbildungseinrichtung ist,
Fig. 2 eine schematische Ansicht ist, um die Schwierigkeit, die bei dem horizontalen Speicher der herkömmlichen CCD- Einrichtung besteht, die in Fig. 1 gezeigt ist, zu zeigen,
Fig. 3 ein Blockdiagramm ist, um den Gesamtaufbau einer CCD-Abbildungseinrichtung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zu zeigen,
Fig. 4 eine Draufsicht ist, die wesentliche Teile der in Fig. 3 gezeigten CCD-Abbildungseinrichtung zeigt,
Fig. 5 ein Diagramm ist, welches eine Potentialkurve langs der Linie V-V in Fig. 4 zeigt,
Fig. 6 ein Diagramm ist, welches eine Potentialkurve langs der Linie VI-VI in Fig. 4 zeigt.
Die CCD-Abbildungseinrichtung nach der vorliegenden Erfindung ist eine FIT-CCD, die zwei nebeneinanderliegende horizontale Speicher besitzt, bei der die Ladungstransferleistung dank der Form der Speicherbereiche des horizontalen Speichers verbessert ist.
Bevor mit der Beschreibung des horizontalen Speichers begonnen wird, wird die CCD-Abbildungselnrichtung kurz mit Hilfe von Fig. 3 erklärt. In einer CCD-Abbildungseinrichtung 41 sind fotoempfindliche Bereiche 51 matrixförmig angeordnet und menrere vertikale Speicher 52 sind der vertikalen Richtung oder in der Aufwärts-Abwärts-Richtung in Fig. 4 vorgesehen, wobei jeweils ein vertikaler Speicher für eine Spalte der CCD-Abbilaungseinrichtung 41 vorgesehen ist. Ein Bildbereich 53 besteht aus diesen fotoempfindlichen Bereichen 51 und den ersten vertikalen Speichern 52. Im Anschluß an die Enden dieser ersten vertikalen Speicher 52 sind zweite vertikale Speicher 55 vorgesehen, die als Speicherbereich 54 der FIT-CCD-Abbildungseinrichtung dienen. An den Enden entgegengesetzt zu den ersten vertikalen Speichern 52 der zweiten vertikalen Speicher 55 ist ein erster horizontaler Speicher 57 mit einem dazwischenliegenden Transfertor 56 vorgesehen. Dieser erste horizontale Speicher 57 transferiert elektrische Ladungen in der horizontalen Richtung, d.h., in der Links-Rechts-Richtung in Fig. 4, wobei er als Ladungstransferkanal oder Bahn zum anderen horizontalen Speicher 59 dient. Wie anschließend erklärt wird, wird die Breite des Speicherbereichs innerhalb des horizontalen Speichers in der vertikalen Richtung (wie man in Fig. 4 sieht) geändert, so daß sie an der Seite des Bildbereichs enger ist als an der Seite des zweiten horizontalen Speichers, um die Leistungsfähigkeit des vertikalen Ladungstransfers in den ersten horizontalen Speicher 57 zu verbessern. Unterhalb des ersten horizontalen Speichers 57 ist in der vertikalen Richtung ein zweiter horizontaler Speicher 59 neben dem ersten horizontalen Speicher 57 angeordnet, wobei ein Transfertor 58 dazwischen liegt. Dieser zweite horizontale Speicher 59 überträgt die Ladungen in der horizontalen Richtung ähnlich wie der erste horizontale Speiher 57, wobei diese Ladungen zum zweiten horizontalen Speicher 59 über den Speicherbereich im ersten horizontalen Speicher 57 transferiert wurden.
Mit Hilfe von Fig. 4 wird der erste und zweite horizontale Speicher ausführlicher erklärt. Der erste horizontale Speicher 57 und der zweite horizontale Speicher 59, die jeweils mit Transferelektroden versehen sind, die durch eine zweite und dritte Polysiliziumschicht gebildet sind, sind nebeneinander angeordnet. Durch eine erste Polysiliziumschicht werden Transfertore 56 und 58 gebildet. Das Transfertor 56 ist zwischen den zweiten vertikalen Speichern und dem ersten horizontalen Speicher 57 mit einer vorgegebenen Breite in der horizontalen Richtung - in der Zeichnung in der Längsrichtung - vorgesehen. Die Transfertore 56, 58 sind mit einem dazwischenliegenden Abstand L&sub1; und nebeneinanderliegend angeordnet. Unterhalb des Transfertors 58 ist ein Kanalstoppbereich 15, der durch gestrichelte Linien angedeutet ist, durch selektive Einbringung von Unreinheiten gebildet. Der Kanalstoppbereich 15 ist am Ende eines jeden zweiten Speicherbereichs des ersten horizontalen Speichers 57 vorgesehen und dient dazu, den ersten horizontalen Speicher in bezug auf den zweiten horizontalen Speicher dank der somit gebildeten Potentialbarriere elektrisch nichtleitend zu machen. Der Bereich unter dem Transfertor 58, wo kein Kanalstoppbereich gebildet ist, dient somit als Kanalbereich 16, durch den Ladungen vom ersten horizontalen Speicher 57 zum zweiten horizontalen Speicher 59 transferiert werden.
Die zweite Polysiliziumschicht bildet im ersten horizontalen Speicher 57 und im zweiten horizontalen Speicher 59 Transferelektroden 11, die den Speicherbereichen entsprechen. Die Speicherbereiche in einem P-Halbleitersubstrat werden durch eine N-Verunreinigungsimplantation gebildet, wobei die Transfertore 56, 58 als Maske vor der Bildung dieser Transferelektroden 11 verwendet werden. Diese Transferelektroden 11 sind in mehreren Mustern mit einem Abstand W&sub0; als Teilung angeordnet, und sie erstrecken sich vom oberen Teil des Transfertors 56 quer über den ersten horizontalen Speicher 57 bis zum Transfertor 58 und dann zum zweiten horizontalen Speicher 59, um als Transferelektrode des zweiten horizontalen Speichers 59 zu dienen. Die Transferelektrode 11 ist in der vertikalen Richtung, d.h. in der Zeichnung in der Längsrichtung gebildet. Vor allem ist die Transferelektrode 11 im ersten horizontalen Speicher 57 so geformt, daß eine Seite 23 in der Ladungstransferrichtung oder in der H-Richtung im wesentlichen geradlinig ist und die andere gegenüberliegende Seite 24 gebogen oder nichtgeradlinig ist, so daß die Breite W&sub1; der Transferelektrode 11 auf der Seite des Bildbereichs 53 enger ist als die Breite W&sub2; auf der Seite des zweiten horizontalen Speichers 59. Da die Kontur der Transferelektrode 11 der des Speicherbereichs entspricht, ist die Breite W&sub1; des Speicherbereichs auf der Seite des Bildbereichs kleiner als die Breite W&sub2; auf der Seite des zweiten horizontalen Speichers 59. Es sei angemerkt, daß der untere Bereich der Transferelektrode 11 ähnlich wie der Speicherbereich im zweiten horizontalen Speicher 59 arbeitet.
Fig. 5 und 6 zeigen den Potentialverlauf im Speicherbereich des ersten Speichers 57. Fig. 5 zeigt längs der Linie V-V in Fig. 4 den Verlauf des Potentials auf der Seite des Bildbereichs des Speicherbereichs. Fig. 6 zeigt längs der Linie VI-VI von Fig. 4 den Verlauf des Potentials auf der Seite des zweiten horizontalen Speichers 59 des Speicherbereichs. Bei einer geringeren Breite W&sub1; des Speicherbereichs wird, wie in Fig. 5 gezeigt ist, die Potentialtiefe φ&sub1; aufgrund des Effekts des Potentials des Nachbarbereichs flach. Bei einer größeren Breite W&sub2; des Speicherbereichs wird, wie in Fig. 6 gezeigt ist, die Potentialtiefe φ&sub2; tief. Daher wird in Fig. 4 die Potentialtiefe im Verlauf von der Seite des Bildbereichs 53 in Richtung auf die Seite des zweiten horizontalen Speichers 59 tiefer, trotz der Tatsache, daß die Speicherbereiche eine gleichmäßige Verunreinigungskonzentration haben. Der Gradient des Potentials ermöglicht es den Signalladungen, daß diese leichter zum zweiten horizontalen Speicher 59 transferiert werden können.
Beim ersten horizontalen Speicher 57 und beim zweiten horizontalen Speicher 59 bildet die dritte Polysiliziumschicht die Transferelektrode 12 entsprechend den Transferbereichen innerhalb des Speichers. Die Speicherbereiche sind im Halbleitersubstrat durch eine Verunreinigungsimplantation gebildet, wobei die Transferelektroden 11 als Maske verwendet werden. Die Transferelektroden 12 sind im ersten horizontalen Speicher 57 benachbart zur Transferelektrode 11 gebildet, und so geformt, daß sie in Richtung auf zweiten horizontalen Speicher 59 vergrößert sind, wobei die Seiten der Transferelektroden 12 sich mit den Transferelektroden 11 überlappen. Ahnlich wie die Transferelektrode 11 erstreckt sich die Transferelektrode 12 vom oberen Bereich des Transfertors 56 über den ersten horizontalen Speicher 57 bis zum Transfertor 58 und dann weiter zum zweiten horizontalen Speicher 59, um als Transferelektrode zu dienen. Innerhalb der horizontalen Speicher 57 und 59 dient die Transferelektrode 12 als Transferbereich.
In Fig. 4 sind aus Gründen der Klarheit die Zwischenisolationsschichten usw. nicht dargestellt.
Bei der oben beschriebenen CCD-Abbildungseinrichtung nach der vorliegenden Erfindung, die den ersten horizontalen Speicher 57 aufweist, werden elektrische Ladungen auf einer Transferroute E&sub0;, wie durch einen Pfeil in Fig. 4 angedeutet ist, übertragen. Somit werden die Ladungen im ersten horizontalen Speicher 57, die nicht transfermäßig durch den Kanalstoppbereich 15 behindert werden, zum zweiten horizontalen Speicher 59 aufgrund der Steuerung des Transfertors 58 übertragen. Wie in Fig. 5 und 6 gezeigt ist, wird das Potential in der Transferroute E&sub0; tiefer, wenn man sich dem Seitenende des zweiten Speichers 59 annähert, um einen wirksamen Ladungstransfer durchzuführen. Somit kann ein horizontaler Ladungstransfer realisiert werden, bei dem die Lesefrequenz durch die Eigenschaften der horizontalen Speicher 57 und 59 abgesenkt ist. Beim CCD-Abbildungseinrichtungs-Herstellungsverfahren besteht nicht die Notwendigkeit, die Anzahl der Verfahrensschritte zu erhöhen, da es lediglich ausreicht, die Masken zu ändern.
Wendet man sich nun wieder Fig. 3 zu, so wird dort eine Ausführungsform angegeben, bei der das Ausgangssignal von einer CCD-Abbildungseinrichtung 41 ohne Phasensynchronisation oder Koinzidenz ausgegeben wird.
Es ist bekannt, daß bei einer herkömmlichen CCD-Abbildungseinrichtung, die zwei horizontale Speicher besitzt, das Signal des einen der horizontalen Speicher um 180º in bezug auf das andere phasenverschoben ist. Bei der CCD-Abbildungseinrichtung 41 nach der vorliegenden Erfindung werden jedoch Signale mit der gleichen Phase ausgegeben. Damit werden die Signale, die von Ausgangszwischenspeichern 60, 61 der CCD-Abbildungsein richtung 41 ausgegeben werden, nicht einer Halb-Bit-Synchronisation oder einer Koinzidenzbehandlung unterworfen und besitzen somit die gleiche Phase in bezug zueinander. Die Signale von den Ausgangssignalzwischenstufen 60, 61 werden durch auf Übereinstimmung gebrachte doppelte Abtastschaltungen (CDS) 42, 43 verarbeitet, bevor sie vom analogen Zustand in den digitalen Zustand durch einen A/D-Umsetzer 44 umgesetzt werden. Wenn die Signale auf diese Weise ohne Koinzidenzbehandlung ausgegeben werden, kann ein Taktsignal CL&sub1; gemeinsam in den auf Koinzidenz gebrachten doppelten Abtastschaltungen 42, 43 verwendet werden. Das Gleiche kann für den Takt CL&sub2; angewandt werden, der zum A/D-Umsetzer 44 geliefert wird. Dies hilft, das Problem einer Pulssignalkopplung zu beseitigen und die Belastung zu verringern, die durch die Erzeugung einer Anzahl von Taktarten verursacht werden würde. Ein Vollbildspeicher 45 ist vorgesehen, der das Ausgangssignal des A/D-Umsetzers 44 empfängt. Die Koinzidenz kann dadurch durchgeführt werden, wenn die Taktsignale CL&sub3; und CL&sub4; verwendet werden, die zum Vollbildspeicher 45 geliefert werden. Auf diese Weise genügen Niedergeschwindigkeitssignale an der stromabwärtigen Seite des Vollbildspeichers 45, so daß die Impulse vereinfacht werden, wobei die Kosten reduziert werden.
Die vorliegende Erfindung ist nicht nur für eine CCD- Abbildungseinrichtung anwendbar, bei der die Signale ohne eine Koinzidnezoperation ausgegeben werden, sondern sie kann auch für eine CCD-Abbildungseinrichtung angewandt werden, bei der eine Halb-Bit-Koinzidenz in einem der horizontalen Speicher durchgeführt wird. Die CCD-Abbildungseinrichtung der vorliegenden Erfindung ist nicht auf den FIT-Aufbau beschränkt, sondern sie kann auch für einen IT-Aufbau verwendet werden. Obwohl die obige Beschreibung für eine CCD-Abbildungseinrichtung angegeben wurde, die von zwei horizontalen Speichern Gebrauch macht, kann die vorliegende Erfindung auch für einen CCD-Abbildungseinrichtung verwendet werden, die von drei oder mehreren Speichern Gebrauch macht, bei denen der Speicherbereich von einem der horizontalen Speicher, der Signalladungen zu den anderen Speichern transferiert, in der Ebene so ausgebildet ist, daß er eine geringe Breite auf der Seite des Bildbereichs hat und eine große Breite auf der Seite der anderen Speicher.

Claims

1. CCD-Abbildungseinrichtung, mit:

einem Bildbereich (53), der mehrere fotoempfindliche Bereiche (51) besitzt, die Signalladungen erzeugen;

erste und zweite nebeneinanderliegende Lesespeicher (57, 59) zum Transferieren und Lesen der Signalladungen vom Bildbereich in einer Richtung, wobei der erste Lesespeicher näher am Bildbereich ist als der zweite Lesespeicher und in der Lage ist, die Signalladungen dahin zu transferieren;

mehrere Paare von voneinander beabstandeten Transfer elektroden (11, 12), die sich vom Bildbereich über die Lesespeicher erstrecken; und

Kanalstoppbereiche (15), die unter den Transferelektrocen am Ende eines jeden zweiten Speicherbereichs des ersten Lesespeichers vorgesehen sind und sich jeweils quer zur gesamten Breite der ersten Transferelektroden von zwei benachbarten Paaren ausdehnen, die einen Kanalbereich (16) freilassen, um die Signalladungen so zu führen, damit sie von unterhalb der ersten Transferelektrode einer der benachbarten Paare im ersten Lesespeicher (57) zum unterhalb der ersten Transferelektrode des anderen der benachbarten Paare im zweiten Lesespeicher (59) uber ein Transfertor (58) fließen, dadurch gekennzeichnet, daß

ein erstes eines jeden Paars von Transferelektroden eine erste Seite (23) besitzt, die in etwa geradlinig ist, und eine zweite Seite (24), die gebogen oder nichtgeradlinig ist, so daß die Breite der Transferelektrode im Bereich des ersten Lesespeichers ansteigt, wobei die Breite der Transferelektrode in der Richtung der Ladungsübertragung in den Lesespeicher herangezogen wird, so daß die Elektrode am Ende in der Nähe des zweiten Speichers breiter ist als am Ende in der Nähe des Bildbereichs.

2. CGD-Abbildungseinrichtung nach Anspruch 1, wobei der Bildbereich (53) fotoempfindliche Bereiche (51) in einer Matrixkonfiguration und erste vertikale Speicher (52) zum Transfer der Signalladungen von den fotoempfindlichen Bereichen umfaßt, und wobei die nebeneinanderliegenden Lesespeicher horizontale Speicher aufweisen.

3. CCD-Abbildungseinrichtung nach Anspruch 2, wobei zweite vertikale Speicher (55) zur vorübergehenden Speicherung elektrischer Ladungen zwischen jedem vertikalen Speicher im Bildbereich und den horizontalen Speichern (57, 59) vorgesehen sind.

4. CCD-Abbildungseinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das andere eines jeden Paars von Transferelektroden zwischen den einen Transferelektroden vorgesehen ist und entsprechend den Transferbereichen jede der anderen Transferelektroden ein solches Muster besitzt, daß das Ende in der Nähe des Bildbereichs bezüglich der Breite breiter ist als das Ende in der Nähe des zweiten horizontalen Speichers.

5. CCD-Abbildungseinrichtung nach Anspruch 4, wobei ein Transrertor, das aus einer ersten Elektrodenschicht besteht, zwischen den Lesespeichern vorgesehen ist, und die ersten und zweiten Transferelektroden gemeinsam von den zweiten und dritren Elektrodenschlchten gebildet sind.

6. CCD-Abbildungseinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die außerdem aufweist;

ein Halbleitersubstrat eines Leitförmigkeitstypus, auf dem die mehreren fotoempfindlichen Bereiche (51) in einer Reihen-und Spalten-Matrixkonfiguration gebildet sind;

mehrere vertikale Speicher (52, 55), die auf dem Halbleitersubstrat gebildet sind, wobei ein vertikaler Speicher für jede Spalte der fotoempfindlichen Bereiche vorgesehen ist;

mehrere Speicherbereiche des anderen Leitförmigkeitstypus, die in den ersten Lesespeichern gebildet sind, wobei die Speicherbereiche im ersten Lesespeicher in der Lage sind, die Signalladungen zum zweiten Lesespeicher zu transferieren und eine Breite besitzen, die im Bereich des ersten Lesespeichers so ansteigt, daß sie an dessem Ende in der Nähe des zweiten Lesespeichers breiter ist als am Ende in der Nähe des Bildbereichs;

mehrere Transferbereiche des anderen Leitförmigkeitstypus, die eine elektrische Potentialtiefe besitzen, die flacher st als die Speicherbereiche, wobei die Transferbereiche zwischen den Speichebereichen in den horizontalen Speichern vorgesenen sind; und

zumindest ein Transfertor (58), das zwischen den honzontalen Speichern vorgesehen ist; wobei

die mehreren Transferelektroden auf dem Halbleiter substrat über einem Isolationsfilm gebildet sind, wobei die Transferelektroden auf den Speicherbereichen und den Transferbereichen gebildet sind, wobei die Transferelektroden dazu dienen, Taktimpulse zum Transferieren der Signalladungen anzulegen.