DE69026863T2 - Informationsaufzeichnungsmedien - Google Patents
InformationsaufzeichnungsmedienInfo
- Publication number
- DE69026863T2 DE69026863T2 DE69026863T DE69026863T DE69026863T2 DE 69026863 T2 DE69026863 T2 DE 69026863T2 DE 69026863 T DE69026863 T DE 69026863T DE 69026863 T DE69026863 T DE 69026863T DE 69026863 T2 DE69026863 T2 DE 69026863T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- atomic
- metallic layer
- layer
- information recording
- dodecene
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 abstract description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 33
- 239000011651 chromium Substances 0.000 abstract description 24
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 22
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 22
- 239000010955 niobium Substances 0.000 abstract description 22
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 21
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 17
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 abstract description 13
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 135
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 24
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 16
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 15
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 14
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 13
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 13
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- -1 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 12
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 9
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 7
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-pentene Chemical compound CC(C)CC=C WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N 1-decene Chemical compound CCCCCCCCC=C AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CRSBERNSMYQZNG-UHFFFAOYSA-N 1-dodecene Chemical compound CCCCCCCCCCC=C CRSBERNSMYQZNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQEZCXVZFLOKMC-UHFFFAOYSA-N 1-hexadecene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCC=C GQEZCXVZFLOKMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 1-hexene Chemical compound CCCCC=C LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 1-octene Chemical compound CCCCCCC=C KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HFDVRLIODXPAHB-UHFFFAOYSA-N 1-tetradecene Chemical compound CCCCCCCCCCCCC=C HFDVRLIODXPAHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001118 alkylidene group Chemical group 0.000 description 2
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQHSIRTYSFLSRM-UHFFFAOYSA-N alumanylidynechromium Chemical compound [Al].[Cr] QQHSIRTYSFLSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- OTTZHAVKAVGASB-UHFFFAOYSA-N hept-2-ene Chemical compound CCCCC=CC OTTZHAVKAVGASB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- VAMFXQBUQXONLZ-UHFFFAOYSA-N n-alpha-eicosene Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCCC=C VAMFXQBUQXONLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JFNLZVQOOSMTJK-UHFFFAOYSA-N norbornene Chemical class C1C2CCC1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N octadec-1-ene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCC=C CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- UPXNBKIXKLFISK-UHFFFAOYSA-N 1-(5-bicyclo[2.2.1]hept-2-enyl)naphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(C3CC4CC3C=C4)=CC=CC2=C1 UPXNBKIXKLFISK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940106006 1-eicosene Drugs 0.000 description 1
- FIKTURVKRGQNQD-UHFFFAOYSA-N 1-eicosene Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCC=CC(O)=O FIKTURVKRGQNQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- SDTYFWAQLSIEBH-FNORWQNLSA-N 3-Undecene Chemical compound CCCCCCC\C=C\CC SDTYFWAQLSIEBH-FNORWQNLSA-N 0.000 description 1
- SDTYFWAQLSIEBH-UHFFFAOYSA-N 3-Undecene Natural products CCCCCCCC=CCC SDTYFWAQLSIEBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OBWBXCLWDKVVMM-UHFFFAOYSA-N CC1C2C=CC1CC2.C(C(C)C)C2CC1C=CC2C1 Chemical compound CC1C2C=CC1CC2.C(C(C)C)C2CC1C=CC2C1 OBWBXCLWDKVVMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005745 Ge—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005936 Ge—Sb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001215 Te alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229940069096 dodecene Drugs 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N n-Octanol Natural products CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007142 ring opening reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical class [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000004711 α-olefin Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B2007/24302—Metals or metalloids
- G11B2007/24304—Metals or metalloids group 2 or 12 elements (e.g. Be, Ca, Mg, Zn, Cd)
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
- G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
- G11B7/2433—Metals or elements of Groups 13, 14, 15 or 16 of the Periodic Table, e.g. B, Si, Ge, As, Sb, Bi, Se or Te
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2531—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising glass
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
- G11B7/2534—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins polycarbonates [PC]
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
- G11B7/2538—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins polycycloolefins [PCO]
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/254—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B7/2578—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
- G11B7/2585—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers based on aluminium
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
- Y10S428/9265—Special properties
- Y10S428/928—Magnetic property
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12465—All metal or with adjacent metals having magnetic properties, or preformed fiber orientation coordinate with shape
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
- Y10T428/12556—Organic component
- Y10T428/12569—Synthetic resin
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
- Y10T428/12576—Boride, carbide or nitride component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
- Y10T428/12597—Noncrystalline silica or noncrystalline plural-oxide component [e.g., glass, etc.]
- Y10T428/12604—Film [e.g., glaze, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12736—Al-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12736—Al-base component
- Y10T428/12743—Next to refractory [Group IVB, VB, or VIB] metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12736—Al-base component
- Y10T428/1275—Next to Group VIII or IB metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12736—Al-base component
- Y10T428/1275—Next to Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12757—Fe
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Holo Graphy (AREA)
Description
- Diese Erfindung betrifft Informationsaufzeichnungsmedien mit einer metallischen Schicht und insbesondere Informationsaufzeichnungsmedien, die sich durch ihre Korrosionsbeständigkeit oder -stabilität auszeichnen und eine geringe Abhängigkeit der Aufzeichnungsleistung von der Lineargeschwindigkeit aufweisen.
- In Informationsaufzeichnungsmedien wie magnetooptischen Aufzeichnungsplatten (recording discs), die ein Substrat und darauf eine Aufzeichnungsschicht und eine metallische Schicht aufweisen und mit Informationen wiederbeschreibbar sind, ist eine geringe Abhängigkeit der Aufzeichnungsleistung von der Lineargeschwindigkeit wünschenswert, so daß die in diesen Medien verwendete Aufzeichnungsleistung zur Wiedergabe von Information bei den inneren Umlauf- und äußeren Umlaufabschnitten des Mediums nicht stark variiert.
- Üblicherweise bildet man bei einem Informationsaufzeichnungsmedium wie einer magnetooptischen Aufzeichnungsplatte eine Metallschicht zusätzlich zu der magnetooptischen Aufzeichnungsschicht auf dem Substrat aus. Die metallischen Schicht, die man bislang in Informationsaufzeichnungsmedium vom Typ magnetooptische Aufzeichnungsplatte verwendet hat, bestehen aus Nickel-Legierungen, Aluminiummetall oder Aluminium-Legierungen, die 0,1 bis 10 Gew.-% Titan enthalten. Metallische Schichten, die aus Aluminiummetall oder aus Aluminium/Titan-Legierungen zusammengesetzt sind, weisen jedoch insofern Nachteile auf, als daß sie eine geringe Korrosionsbeständigkeit haben und einen langfristigen Betrieb nicht überdauern können.
- Aus Nickel-Legierungen zusammengesetzte Metallschichten hatten auch dahingehend starke Nachteile, daß die zum Schreiben von Information erforderliche Aufzeichnungsleistung in der Platte (disc) stark mit den inneren Umlauf- und äußeren Umlaufabschnitten dieser Platte variierte, mit dem Ergebnis, daß die Abhängigkeit der Aufzeichnungsleistung von der Lineargeschwindigkeit noch sehr groß ist.
- JP-A-61-115258 offenbart photomagnetische Aufzeichnungsmittel, die ein Substrat, das eine Aufzeichnungsschicht trägt, und eine korrosionsfeste metallische Schicht bestehend aus Ti, Cr oder Al oder einer Legierung dieser Metalle, umfassen.
- JP-A-62-014348 offenbart eine photomagnetische Disc, die ein gereinigtes Glassubstrat einschließt, das ein durch metallische Zwillingsschichten geschütztes magnetisches Aufzeichnungsfilmmaterial trägt. Diese metallischen Schichten können beispielsweise aus Nb, Mo oder einer Legierung bestehend aus Metallen, ausgewählt aus Mg, Ti, Zr, Nb, Ta, Mo, Or, W, Cu, Ag, Al, Zn und Sb gebildet werden. Die schützenden Metallfilme unterdrücken die Oxidation des Aufzeichnungsfilms.
- Im Hinblick auf die Entwicklung von Informationsaufzeichnungsmedien, die eine exzellente Korrosionsbeständigkeit oder -stabilität aufweisen, und die eine geringe Abhängigkeit der Aufzeichnungsleistung von der Lineargeschwindigkeit zeigen, haben die vorliegenden Erfinder ausgedehnte Untersuchungen vorgenommen und herausgefunden, daß Informationsaufzeichnungsmedien mit einer metallischen Schicht, die aus einer Aluminium-Legierung, die (i) Titan und (ii) mindestens ein Metall, ausgewählt aus Chrom, Niob und Magnesium enthält, zusammengesetzt ist, eine ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit aufweisen und eine geringe Abhängigkeit der Aufzeichnungsleistung von der Lineargeschwindigkeit zeigen. Die vorliegenden Erfinder haben somit die vorliegende Erfindung abgeschlossen.
- Mit der vorliegende Erfindung wird beabsichtigt, die oben erwähnten, mit dem Stand der Technik assoziierten Probleme zu lösen, und eine Aufgabe der Erfindung ist es, Informationsaufzeichnungsmedien zur Verfügung zu stellen, die eine ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit aufweisen und eine geringe Abhängigkeit der Aufzeichnungsleistung von der Lineargeschwindigkeit zeigen.
- Das erste Informationsaufzeichnungsmedium der vorliegenden Erfindung, das ein Substrat und darauf eine Aufzeichnungsschicht und eine metallische Schicht aufweist, ist dadurch gekennzeichnet, daß die metallische Schicht aus einer Aluminium-Legierung zusammengesetzt ist, die 1 bis 5 Atom-% Titan und 1 bis 3 Atom-% Chrom, bezogen auf alle Atome, die die Aluminium-Legierungsschicht bilden, enthält.
- Das zweite Informationsaufzeichnungsmedium der Erfindung, das ein Substrat und darauf eine Aufzeichnungsschicht und eine metallische Schicht aufweist, ist dadurch gekennzeichnet, daß die metallische Schicht aus einer Aluminium-Legierung zusammengesetzt ist, die 1 bis 3 Atom-% Titan und 1 bis 3 Atom-% Niob, bezogen auf alle Atome, die die Aluminium- Legierungsschicht bilden, enthält, wobei der kombinierte Gehalt des Titans und Niobs 2 bis 4 Atom-% beträgt.
- Das dritte Informationsaufzeichnungsmedium der Erfindung, das ein Substrat und darauf eine Aufzeichnungsschicht und eine metallische Schicht aufweist, ist dadurch gekennzeichnet, daß die metallische Schicht aus einer Aluminium-Legierung zusammengesetzt ist, die 1 bis 5 Atom-% Titan, 1 bis 5 Atom-% Magnesium und 1 bis 5 Atom-% Chrom, bezogen auf alle Atome die die Aluminium-Legierungsschicht bilden, enthält, wobei der kombinierte Gehalt des Titans, Magnesiums und Chroms nicht mehr als 10 Atom-% beträgt.
- Diese oben erläuterten Informationsaufzeichnungsmedien der vorliegenden Erfindung, die jeweils eine Metallschicht aufweisen, die aus einer Aluminium-Legierung besteht, die (i) Titan und (ii) mindestens ein Metall ausgewählt unter Chrom, Niob und Magnesium enthält, weisen eine exzellente Korrosionsbeständigkeit auf, zeigen eine geringe Abhängigkeit der Aufzeichnungsleistung von der Lineargeschwindigkeit und zeichnen sich darüber hinaus durch einen leistungsfähigen Schutz der Aufzeichnungsschicht aus.
- Figur 1 ist die Grobskizze einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmediums im Querschnitt.
- Figur 2 ist eine Grobskizze einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmediums im Querschnitt.
- 1 Informationsaufzeichnungsmedium
- 2 Substrat
- 3 Aufzeichnungsschicht
- 4 Metallische Schicht
- 5 Schutzfilm
- Im folgenden wird das erfindungsgemäße Informationsaufzeichnungsmedium im Detail erläutert.
- Figur 1 ist eine Grobskizze des erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmediums im Querschnitt, und Figur 2 ist eine Grobskizze einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmediums im Querschnitt.
- In den erfindungsgemäß Informationsaufzeichnungsmedien wird die in den Aufzeichnungsmedien gespeicherte Information mittels Licht wie durch einen Laserstrahl gelesen. Informationsaufzeichnungsmedien dieser Art umfassen konkret optische Platten vom Postscript-Typ, die in der Lage sind zusätzlich aufzunehmen, jedoch nicht in der Lage sind, aufgezeichnete Information zu löschen, magnetooptische Aufzeichnungsplatten, die in der Lage sind, sowohl Informationen aufzunehmen als auch aufgezeichnete Informationen zu löschen und wiederzugeben, und optische Platten des wiederbeschreibbaren Typs (rewriting typ) wie Phasenwechselplatten (phase change discs).
- Wie man beispielsweise an Figur 1 erkennen kann, wird in einem erfindungsgemäßen Aufzeichnungsmedium 1 eine Aufzeichnungsschicht 3 und eine metallische Schicht 4 auf einem Substrat 2 in dieser Reihenfolge geformt.
- Die erfindungsgemäß für das oben erwähnte Substrat 2 verwendeten Materialien sind nicht besonders auf spezifische Materialien begrenzt. Wenn jedoch ein Laserstrahl auf das Substrat 2 (aus der Pfeilrichtung A) fällt, sind die dafür verwendeten Materialien vorzugsweise transparent. Neben anorganischen Stoffen wie Glas, Aluminium und dgl. schließen solche transparente Stoffe beispielsweise organische Materialien wie Poly(methylmethacrylat), Polycarbonat, Polymer-Legierungen aus Polycarbonat mit Polystyrol, solche statistischen Cycloolefin-Copolymere, wie sie im US-Patent Nr. 4 614 778 offenbart sind, solche statistischen Cycloolefin-Copolymere (A) wie sie im folgenden erwähnt werden, Poly-4-methyl-1-penten, Epoxyharze, Polyethersulfon, Polysulfon, Polyetherimid und dgl. ein. Unter diesen organischen Stoffen sind Poly(methylmethacrylat), Polycarbonat, solche statistischen Cycloolefin-Copolymere, wie sie im US-Patent Nr. 4 614 778 offenbart sind, und die im folgenden angeführten statistischen Cycloolefin-Copolymere (A) bevorzugt.
- Unter dem Gesichtspunkt einer guten Adhäsion, insbesondere zu der Aufzeichnungsschicht, und im Hinblick auf einen geringen Doppelbrechungsindex sind für das in der vorliegenden Erfindung verwendete Substrat statistische Cycloolefin- Copolymere (A) aus Ethylen und einem Cycloolefin der folgenden allgemeinen Formeln [I], [I-a] oder [I-b] besonders geeignet.
- worin n 0 oder eine positive ganze Zahl ist, R¹ bis R¹² gleich oder verschieden sind und jeweils ein Wasserstoffatom, ein Halogenatom oder eine Kohlenwasserstoff-Gruppe bedeuten und R&sup9; bis R¹² zusammengenommen einen mono- oder polycyclischen Kohlenwasserstoff-Ring bilden können, der optional eine Doppelbindung oder -bindungen enthalten kann, oder R&sup9; und R¹&sup0; oder R¹¹ und R¹² zusammengenommen eine Alkyliden-Gruppe bilden können.
- Eine weitere Erläuterung des Cycloolefins der allgemeinen Formel [I] wird im folgenden gegeben. Das Cycloolefin der allgemeinen Formel [I] kann auch durch die folgende allgemeine Formel [I-a] dargestellt werden.
- Allgemeine Formel:
- In der allgemeinen Formel [I-a] ist n 0 oder 1, m 0 oder eine positive ganze Zahl, R¹ bis R¹&sup8; bedeuten jeweils ein Atom oder eine Gruppe ausgewählt aus der Gruppe Wasserstoffatom, Halogenatom und Kohlenwasserstoff-Gruppe.
- R¹&sup5; bis R¹&sup8; können zusammengenommen einen mono- oder polycyclischen Kohlenwasserstoff-Ring bilden, der optional eine Doppelbindung oder -bindungen enthalten kann.
- Ferner können R¹&sup5; und R¹&sup6; oder R¹&sup7; und R¹&sup8; zusammengenommen eine Alkyliden-Gruppe bilden.
- worin p eine ganze Zahl von mindestens 0 ist, q und r bedeuten jeweils 0, 1 oder 2, R¹ bis R¹&sup5; bedeuten jeweils ein Atom oder eine Gruppe ausgewählt aus der Gruppe Wasserstoffatom, Halogenatom, aliphatische Kohlenwasserstoff- Gruppe, aromatische Kohlenwasserstoff-Gruppe und Alkoxy- Gruppe, und R&sup5; (oder R&sup6;) und R&sup8; (oder R&sup7;) können ohne eine Zwischengruppe direkt aneinander oder durch eine Alkylen- Gruppe mit einem bis drei Kohlenstoffatomen gebunden sein.
- Konkrete Beispiele der Cycloolefine der allgemeinen Formel [I] schließen ein: 1,4,5,8-Dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a- octahydronaphthalin, solche Octahydronaphthaline, wie 2- Methyl-1,4,5,8-dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a- octahydronaphthalin, 2-Ethyl-1,4,5,8-dimethano- 1,2,3,4,4a,5,8,8a-octahydronaphthalin, 2-Propyl-1,4,5,8- dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a-octahydronaphthalin, 2-Hexyl- 1,4,5,8-dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a-octahydronaphthalin, 2,3- Dimethyl-1,4,5,8-dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a- octahydronaphthalin, 2-Methyl-3-Ethyl-1,4,5,8-dimethano- 1,2,3,4,4a,5,8,8a-octahydronaphthalin, 2-Chlor-1,4,5,8- dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a-octahydronaphthalin, 2-Brom- 1,4,5,8-dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a-octahydronaphthalin, 2- Fluor-1,4,5,8-dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a- octahydronaphthalin, 2,3-Dichlor-1,4,5,8-dimethano- 1,2,3,4,4a,5,8,8a-octahydronaphthalin, 2-Cyclohexyl-1,4,5,8- dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a-octahydronaphthalin, 2-n-Butyl- 1,4,5,8-dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a-octahydronaphthalin, 2- Isobutyl-1,4,5,8-dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a- octahydronaphthalin, usw.
- Ferner schließt das Cycloolefin der allgemeinen Formel [I] ein:
- Bicyclo[2,2,1]hept-2-en-Derivate,
- Tetracyclo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen-Derivate,
- Hexyacyclo[6,6,1,13.6,110.13,02.7,09.14]-4-heptadecen- Derivate,
- Octacyclo[8,8,0,12.9,14.7,111.18,113.16,03.8,012.17]-5- docosen-Derivate,
- Pentacyclo[8,8,0,12.9,14.7,111.18,113.16,03.8,012.17]-5- docosen-Derivate,
- Pentacyclo[6,6,1,13.6,02.7,09.14]-4-hexadecen-Derivate,
- Heptacyclo-5-icosen-Derivate,
- Heptacyclo-5-henicosen-Derivate,
- Tricyclo[4,3,0,12.5]-3-decen-Derivate,
- Tricyclo[4,3,0,12.5]-3-undecen-Derivate,
- Pentacyclo[6,5,1,13.6,02.7,09.13]-4-pentadecen-Derivate,
- Pentacyclopentadecadien-Derivate,
- Pentacyclo[4,7,0,12.5,08.13,19.12]-3-pentadecen- Derivate,
- Pentacyclo[7,8,0,13.6,02.7,110.17,011.16,112.15]-4- icosen-Derivate und
- Nonacyclo[9,10,1,1,4.7,03.8,02.10,012.21,113.20,014.19,- 115.18]-5-pentacosen-Derivate.
- Konkrete Beispiele solcher oben erwähnter Verbindungen werden im folgenden erläutert.
- Bicyclo[2,2,1]hept-2-en-Derivate wie: Bicyclo[2,2,1]hept-2-en 6-Methylbicyclo[2,2,1]hept-2-en 5,6-Dimethylbicyclo[2,2,1]hept-2-en 1-Methylbicyclo[2,2,1]hept-2-en 6-Ethylbicyclo[2,2,1]hept-2-en 6-n-Butylbicyclo[2,2,1]hept-2-en 6-Isobutylbicyclo[2,2,1]hept-2-en 7-Methylbicyclo[2,2,1]hept-2-en
- Tetracyclo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen-Derivate wie: Tetracyclo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 5,10-Dimethyltetracyclo-[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 2,10-Dimethyltetracyclo-[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 11,12-Dimethyltetracyclo-[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 2,7,9-Trimethyltetracyclo-[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 9-Ethyl-2,7-dimethyltetracyclo- [4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 9-Isobutyl-2,7-dimethyltetracyclo-[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 9,11,12-Trimethyltetracyclo-[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 9-Ethyl-11,12-dimethyltctracyclo-[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 9-Isobutyl-11,12-dimethyltetracyclo-[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 5,8,9,10-Tetramethyltetracyclo-[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 8-Methyltctracyclo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 8-Ethyltetracyclo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 8-Propyltetracyclo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 8-Hexyltetracyclo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 8-Stearyltetracyclo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 8,9-Dimethyltetracyclo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 8-Methyl-9-ethyltetracyclo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 8-Chlorotetracyclo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 8-Bromotetracyclo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 8-Fluorotetracyclo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 8,9-Dichlorotetracyclo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 8-Cyclohexyltetracyclo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 8-Isobutyltetracyclo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 8-Butyltetracyclo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 8-Ethylidentetracylo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 8-Ethyliden-9-methyltetracyclo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 8-n-Propyliden-9-ethyltetracyclo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 8-Ethyliden-9-isopropyltetracyclo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 8-Ethyliden-9-butyltetracyclo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 8-n-Propylidentetracyclo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 8-n-Propyliden-9-ethyltetracyclo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 8-Ethyliden-9-ethyltetracyclo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 8-n-Propyliden-9-isopropyltetracyclo[4,4,0, 12.5,17.10]-3-dodecen 8-n-Propyliden-9-butyltetracyclo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 8-Isopropylidentetracyclo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 8-Isopropyliden-9-methyltetracyclo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 8-Isopropyliden-9-ethyltetracyclo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 8-Isopropyliden-9-isopropyltetracyclo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen 8-Isopropyliden-9-butyltetracyclo[4,4,0,12.5,17.10]-3-dodecen
- Hexacyclo[6,6,1,13.6,110.13,02.7,09.14]-4-heptadecen-Derivate wie: Hexacyclo[6,6,1,13.6,110.13,02.7,09.14]-4-heptadecen 12-Methylhexacyclo[6,6,1,13.6,110.13,02.7,09.14]-4-heptadecen 12-Ethylhexacyclo[6,6,1,13.6,110.13,02.7,09.14]-4-heptadecen 12-Isobutylhexacyclo[6,6,1,13.6,110.13,02.7,09.14]-4-heptadecen 1,6,10-Trimethyl-12-isobutylhexacyclo[6,6,1,13.6,110.13,02.7,09.14]-4-heptadecen Octacyclo[8,8,0,12.9,14.7,1,11.18,113.16,03.8,012.17]-5-docosen-Derivate wie: Octacyclo[8,8,0,12.9,14.7,1,11.18,113.16,03.8,012.17]-5-docosen 15-Methyloctacyclo[8,8,0,12.9,14.7,1,11.18,113.16,03.8,012.17]-5-docosen 15-Ethyloctacyclo[8,8,0,12.9,14.7,1,11.18,113.16,03.8,012.17]-5-docosen Pentacyclo[6,6,1,13.6,02.7,09.14]-4-hexadecen-Derivate wie: Pentacyclo[6,6,1,13.6,02.7,09.14]-4-hexadecen 1,3-Dimethylpentacyclo[6,6,1,13.6,02.7,09.14]-4-hexadecen 1,6-Dimethylpentacyclo[6,6,1,13.6,02.7,09.14]-4-hexadecen 15,16-Dimethylpentacyclo[6,6,1,13.6,02.7,09.14]-4-hexadecen Heptacyclo-5-icosen-Derivate oder Heptacyclo-t-henicosen-Derivate wie: Heptacyclo[8,7,0,12.9,14.7,111.17,03.8,0.12.16]-5-icosen Heptacyclo[8,8,0,12.9,14.7,111.18,03.8,012.17]-5-henicosen Tricyclo[4,3,0,12.5]-3-decen-Derivate wie Tricyclo[4,3,0,12.5]-3-decen 2-Methyl-tricyclo[4,3,0,12.5]-3-decen 5-Methyl-tricyclo[4,3,0,12.5]-3-decen Tricyclo[4,4,0,12.5]-3-undecen-Derivate wie: Tricyclo[4,4,0,12.5]3-undecen 10-Methyl-tricyclo[4,4,0,12.5]-3-undecen Pentacyclo[6,5,1,13.6,02.7,09.13]-4-pentadecen-Derivate wie: Pentacyclo[6,5,1,13.6,02.7,09.13]-4-pentadecen 1,3-Dimethylpentacyclo[6,5,1,13.6,02.7,09.13]-4-pentadecen 1,6-Dimethylpentacyclo[6,5,1,13.6,02.7,09.13]-4-pentadecen 14,15-Dimethylpentacyclo[6,5,1,13.6,02.7,09.13]-4-pentadecen
- Dien-Verbindungen wie: Pentacyclo[6,5,1,13.6,02.7,09.13]-4,10-pentadecadien Pentacyclo[7,4,0,12.5,08.13,19.12)-3-pentadecen-Derivate wie: Pentacyclo[7,4,0,12.5,08.13,19.12]-3-pentadecen Methyl-substituiertes Pentacyclo-[7,4,0,12.5,08.13,19.12]-3-pentadecen Heptacyclo[8,7,0,13.6,02.7,110.17,011.16,112.15]4-icosen-Derivate wie: Heptacyclo[8,7,0,13.6,02.7,110,17,011.16,112.15]-4-icosen Dimethyl-substituiertes Heptacyclo [8,7.0,13.6,02.7,110.17,011.16,112.15]-4-icosen Nonacyclo[10,9,1,14.7,03.8,02.10,012.21,113.20,014.19,115.18]-5-pentacosen-Derivate wie: Nonacyclo[10,9,1,14.7,03.8,02.10,012.21,113.20,014.19,115.18]-5-pentacosen Trimethyl-substituiertes Nonacyclo-[10,9,1,14.7,03.8,02.10,012.21,113.20,014.19,115.18]-5-pentacosen
- Die folgenden Verbindungen können als konkrete Beispiele der Cycloolefine der Formel [I-b] erwähnt werden. 5-Phenylbicyclo[2,2,1]hept-2-en 5-Methyl-5-phenylbicyclo [2,2,1]hept-2-en 5-Benzylbicyclo[2,2,1]hept-2-ein 5-Tolybicyclo[2,2,1]hept-2-en 1,4-Methano-1,1a,4,4a-tetrahydrofluoren 1,4-Methano-1,4,4a,5,10,10a hexahydroanthracen Cyclopentadien-Acenaphthylen-Additionsprodukte 5-(α-Naphthyl)bicyclo[2,2,1]hept-2-en
- Die statistischen Cycloolefin-Copolymere (A) umfassen Ethylen-Einheiten und die oben erwähnten Cycloolefin- Einheiten als wesentliche Bestandteile, wie zuvor erwähnt; gegebenenfalls können diese Copolymere jedoch zusätzlich zu diesen zwei wesentlichen Bestandteilen andere copolymerisierbaren ungesättigten Monomer-Bestandteile enthalten, solange diese beim Erreichen des Ziels der vorliegenden Erfindung keine Hindernisse in den Weg legen. Die ungesättigten Monomere, die gegebenenfalls mit den Copolymeren (A) copolymerisiert werden können, schließen beispielsweise α-Olefine mit 3 bis 20 Kohlenstoffatomen wie Propylen, 1-Buten, 4-Methyl-1-penten, 1-Hexen, 1-Octen, 1- Decen, 1-Dodecen, 1-Tetradecen, 1-Hexadecen, 1-Octadecen und 1-Eicosen ein, die in Bezug auf die Ethylen-Einheit als Bestandteil des resultierenden statistischen Copolymers bis zu einer äquimolaren Menge verwendet werden können.
- Im dem statistischen Cycloolefin-Copolymer [A] mit einem Erweichungspunkt (TMA) von mindestens 70ºC sind die aus Ethylen abgeleiteten sich wiederholenden Einheiten [a] in einer Menge von 40 bis 85 Mol.-%, vorzugsweise von 50 bis 75 Mol.-% gegenwärtig, während die vom Cycloolefin abgeleiteten sich wiederholenden Einheiten [b] in einer Menge von 15 bis 60 Mol.-%, vorzugsweise von 25 bis 50 Mol.-% gegenwärtig sind, wobei diese sich wiederholenden Einheiten [a] und [b] statistisch in der im wesentlichen linearen Kette des Copolymers [A] angeordnet sind. Der molare Prozentsatz der sich wiederholenden Einheiten [a] und [b] wurde durch ¹³C-NMR bestimmt. Die Tatsache, daß dieses statistische Cycloolefin-Copolymer [A] in Dekalin bei 135ºC vollständig löslich ist, bestätigt, daß dieses im wesentlichen linear und frei von einer gelbildenden vernetzten Struktur ist.
- Das statistische Cycloolefin-Copolymer [A] hat eine Grenzviskosität (intrinsic viscosity) [η] von 0,05 bis 10 dl/g, vorzugsweise von 0,08 bis 5 dl/g, wie sie in Dekalin bei 135ºC gemessen wird.
- Die Erweichungstemperatur (TMA) des statistischen Cycloolefin-Copolymers [A] wie man sie in einem thermomechanischen Analysator mißt, liegt bei mindestens 70ºC, vorzugsweise bei 90 bis 250ºC und besonders bevorzugt bei 100 bis 200ºC. Die oben erwähnte Erweichungstemperatur (TMA) wurde bestimmt, indem man unter Verwendung eines von Du Pont hergestellten und verkauften thermomechanischen Analysators die thermische Deformation einer 1 mm Folie des Copolymers [A] verfolgte. Dazu brachte man eine Quarznadel mit einer Belastung von 49 g vertikal auf der Folie an, erwärmte die Anordnung mit einer Geschwindigkeit von 5ºC/min und nahm die Temperatur, bei der die Nadel bis zu einer Tiefe von 0,635 mm in die Folie eindrang, als TMA. Dieses statistische Cycloolefin-Copolymer [A] hat eine Glasübergangstemperatur (Tg) von normalerweise 50º bis 230ºC, vorzugsweise von 70º bis 210ºC.
- Die Kristallinität dieses statistischen Cycloolefin- Copolymers [A], mittels Röntgenbeugung gemessen, beträgt normalerweise von 0 bis 10 %, vorzugsweise 0 bis 7 % und besonders bevorzugt 0 bis 5 %.
- Die Cycloolefin-Copolymere (A), die die statistische Cycloolefin-Copolymerzusammensetzung bilden, die in der vorliegenden Erfindung zur Bildung des Substrats verwendet wird, können alle nach von den vorliegenden Erfindern in den japanischen Patentveröffentlichungen Nrn. 168708/1985, 120816/1986, 115912/1986 und 115916/1986, 252406/1987, 252407/1987, 271308/1986 und 272216/1986 vorgeschlagenen Verfahren hergestellt werden, wobei man die Bedingungen in geeigneter Weise auswählt.
- Ferner kann man in der vorliegenden Erfindung als Substratmaterial auch eine statistische Cycloolefin- Copolymerzusammensetzung verwenden, die ein statistisches Cycloolefin-Copolymer [A], das durch Copolymerisieren von Ethylen mit einem Cycloolefin der folgenden Formeln [I], [I-a] oder [I-b] hergestellt wird und das eine Grenzviskosität (intrisic viscosity) [η] von 0,05 - 10 dl/g (in Dekalin bei 135ºC gemessen) und eine Erweichungstemperatur (TMA) von mindestens 70ºC hat, und ein statistisches Cycloolefin-Copolymer [B], das durch Copolymerisieren von Ethylen mit einem Cycloolefin der Formel [I], [I-a] oder [I-b] hergestellt wird und das eine Grenzviskosität [η] von 0,05 bis 5 dl/g (gemessen in Dekalin bei 135ºC) und eine Erweichungstemperatur (TMA) von weniger als 70ºC hat, umfaßt.
- Ferner kann das Substrat der erfindungsgemaßen magnetooptischen Aufzeichnungsmedien aus Polymeren, die sich wiederholende Einheiten der allgemeine Formel [III] aufweisen, die aus der Ringöffnung von Cycloolefin-Polymeren [I] resultieren, oder aus Polymeren, die sich wiederholende Einheiten der allgemeinen Formel [IV] aufweisen, die aus der Hydrierung der Einheiten [III] resultieren, hergestellt werden.
- In den allgemeinen Formel [III] oder [IV] sind n und R¹ bis R¹² wie in der allgemeinen Formel [I] definiert.
- Obwohl sie nicht besonders begrenzt ist, beträgt die Dicke des Substrats vorzugsweise 0,5 bis 5 mm und insbesondere 1 bis 2 mm.
- In der Erfindung sind die Materialien für die Aufzeichnungsschicht 3 nicht auf spezifische Materialien begrenzt. Wenn das Substrat 3 jedoch eine magnetooptische Aufzeichnungsschicht ist, die eine zur Schichtoberfläche senkrechte monoaxiale Anisotropie aufweist, ist diese Aufzeichnungsschicht 3 vorzugsweise zusammengesetzt aus mindestens einem Element ausgewählt unter (i) 3d Übergangsmetallen und mindestens einem Element ausgewählt unter (iii) Selten Erd-Elementen, oder zusammengesetzt aus mindestens einem Element ausgewählt unter (i) 3d Übergangsmetallen, (ii) einem korrosionsbeständigen Metall und mindestens einem Element ausgewählt unter (iii) Selten Erd-Elementen.
- Die verwendeten 3d-Übergangsmetalle schließen Fe, Co, Ti, V, Cr, Mn, Ni, Cu und Zn ein. Unter diesen Metallen sind Fe oder Co oder beide bevorzugt.
- Das korrosionsbeständige Metall (ii) ist in der Lage, die Oxidationsbeständigkeit dieser magnetooptischen Aufzeichnungsschicht als Aufzeichnungsschicht 3 dadurch zu verbessern, daß dieses korrosionsbeständige Metall dieser Aufzeichnungsschicht 3 beigemengt wird. Die verwendeten korrosionsbeständigen Metalle schließen Pt, Pd, Ti, Zr, Ta, Mo, Nb und Hf ein. Unter diesen Metallen sind Pt, Pd und Ti bevorzugt und insbesondere Pt oder Pd oder beide dieser Metalle.
- Die verwendeten Seltenerd-Elemente (iii) schließen beispielsweise Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm und Eu ein. Unter diesen Elementen sind Gd, Tb, Dy, Ho, Md, Sm und Pr bevorzugt.
- Eine solche magnetooptische Aufzeichnungsschicht, wie sie oben erwähnt wurde, enthält wünschenswerterweise das 3d- Übergangsmetall (i) in einer Menge von 30 bis 85 Atom-%, vorzugsweise 40 bis 70 Atom-%, das korrosionsbeständige Metall (ii) in einer Menge von weniger als 30 Atom-% und vorzugsweise 5 bis 25 Atom-% und das Selten Erd-Element (iii) in einer Menge von 5 bis 50 Atom-%, vorzugsweise 25 bis 45 Atom-%.
- Handelt es sich bei der Aufzeichnungsschicht 3 nicht um eine magnetooptische Aufzeichnungsschicht sondern z.B. um eine Aufzeichnungsschicht vom Phasenwechseltyp, so ist diese Aufzeichnungsschicht 3 zusammengesetzt aus einem Legierungsfilm, beispielsweise im wesentlichen bestehend aus Te oder Se, und aus einem Te-Ge-Sb-Legierungsfilm, In-Sb-Te- Legierungsfilm, Te-Ge-Cr-Legierungsfilm oder Te-Ge-Zn- Legierungsfilm. Ferner kann man auch einen organischen Farbstoffilm, zusammengesetzt aus Polymethin-Verbindungen oder Cyanin-Verbindungen als Aufzeichnungsschicht vom Phasenwechsel typ verwenden.
- Obwohl sie nicht besonders begrenzt ist, beträgt die Dicke der Aufzeichnungsschicht (3) 50 bis 5000 Å, vorzugsweise 100 bis 2000 Å.
- In dem ersten Informationsaufzeichnungsmedium der vorliegenden Erfindung wird die metallische Schicht aus einer Aluminium-Legierung gebildet, die 1 bis 5 Atom-% Titan und 1 bis 3 Atom-% Chrom, bezogen auf alle Atome, die die Aluminium-Legierungsschicht bilden, gebildet.
- Die metallische Schicht des ersten erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmediums, wie es oben erläutert ist, kann geringe Menge von mindestens einem anderen Element (Metall) zusätzlich zu dem oben erwähnten Aluminium, Titan und Chrom enthalten. Solch ein anderes Element (Metall), wie es oben erwähnt ist, schließt beispielsweise Silicium (Si), Tantal (Ta), Kupfer (Cu), Wolfram (W), Zirkon (Zr), Mangan (Mn), Vanadium (V) und Niob (Nb) ein. Die Menge dieses anderen Elements (Metall), das, wenn überhaupt, in der metallischen Schicht enthalten ist, beträgt üblicherweise nicht mehr als 5 Atom-%, vorzugsweise nicht mehr als 2 Atom-%.
- In dem zweiten erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmedium wird die metallische Schicht aus einer Aluminium-Legierung gebildet, die 1 bis 3 Atom-% Titan und 1 bis 3 Atom-% Niob (Nb) enthält, bezogen auf alle Atome, die die Aluminium-Legierungsschicht bilden.
- In dieser Aluminium-Legierung ist der kombinierte Gehalt aus Titan und Niob 2 bis 4 Atom-%.
- Die metallische Schicht des zweiten Informationsaufzeichnungsmediums, wie es oben erläutert wird, kann geringe von mindestens einem anderen Element (Metall) zusätzlich zu dem oben erwähnten Aluminium, Titan und Niob enthalten. Solche andere Elemente (Metall), wie oben erwähnt, schließen beispielsweise Silicium (Si), Tantal (Ta), Kupfer (Cu), Wolfram (W), Zirkon (Zr), Mangan (Mn), Magnesium (Mg), Vanadium (V) und Chrom (Cr) ein. Die Menge dieses anderen Elements (Metall), das, wenn überhaupt, in der metallischen Schicht enthalten ist, beträgt üblicherweise nicht mehr als 5 Atom-% und vorzugsweise nicht mehr als 2 Atom-%.
- In dem dritten erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmedium wird die metallische Schicht aus einer Aluminium-Legierung gebildet, die 1 bis 5 Atom-% Titan, 1 bis 5 Atom-% Magnesium und 1 bis 5 Atom-% Chrom, bezogen auf alle Atome, die die Aluminium-Legierungsschicht bilden, enthält.
- In dieser Aluminium-Legierung beträgt der kombinierte Gehalt aus Titan, Magnesium und Chrom wünschenswerterweise nicht mehr als 10 Atom-%.
- Die metallische Schicht des dritten erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmediums, wie es oben erläutert ist, kann geringe Menge von mindestens einem anderen Element (Metall) zusätzlich zu dem oben erwähnten Aluminium, Titan, Magnesium und Chrom enthalten. Solche anderen Elemente (Metall), wie oben erwähnt, schließen beispielsweise Silicium (Si), Tantal (Ta), Kupfer (Cu), Wolfram (W), Zirkon (Zr), Mangan (Mn) und Vanadium (V) ein. Die Menge dieses anderen Elements (Metall), das, wenn überhaupt, in der metallischen Schicht enthalten ist, beträgt üblicherweise nicht mehr als 5 Atom-%, und vorzugsweise nicht mehr als 2 Atom-%.
- Solche metallischen Schichten, wie sie oben erwähnt sind, haben eine Filmdicke von 100 bis 5000 Å, vorzugsweise 500 bis 3000 Å und insbesondere 700 bis 2000 Å.
- Die in der vorliegenden Erfindung verwendeten metallischen Schichten erfüllen eine Funktion als gut wärmeleitende Schichten und in der Gegenwart dieser metallischen Schichten wird verhindert, daß die Zentralabschnitte der in diesen Aufzeichnungsschichten gebildeten Pits infolge der Wirkung des darauf eingesetzten aufzeichnenden Laserstrahls übermäßig auf hohe Temperaturen erhitzt werden. Es wird davon ausgegangen, daß im Ergebnis eine geringe Abhängigkeit der erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmedien von der Lineargeschwindigkeit erreicht wird.
- Die erfindungsgemäßen metallischen Schichten, die auch eine exzellente Korrosionsbeständigkeit aufweisen, sind dadurch gekennzeichnet, daß die Abhängigkeit der Informationsaufzeichnungsmedien von der Lineargeschwindigkeit selbst nach Verwendung über lange Zeiträume gering ist, und daß besagte metallische Schichten sich durch einen leistungsfähigen Schutz der Aufzeichnungsschichten auszeichnen.
- Die Struktur der erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmedien ist in Figur 1 erläuternd dargestellt, wobei diese jedoch nicht als Begrenzung verstanden werden sollte. Beispielsweise können diese durch das Anbringen eines Schutzfilms (Verstärkungsfilms) 5 auf dem zuvor erwähnten Substrat 5 und das nachfolgende weitere Anbringen der Aufzeichnungsschicht 3 und der metallischen Schicht 4 in dieser Reihenfolge hergestellt werden. Der Schutzfilm (Verstärkungsfilm) 5 wird wünschenswerterweise aus Si&sub3;N&sub4;, SiNx (0< x< 4/3), AlN, ZnSe, ZnS, Si oder CdS gebildet, obwohl er nicht auf diese Beispiele begrenzt ist. Die Dicke dieses Schutzfilms beträgt 100 bis 2000 Å, vorzugsweise etwa 300 bis 1500 Å. Unter den zur Bildung des Schutzfilms verwendeten Materialien sind insbesondere Si&sub3;N&sub4; und SiNx (0< x< 4/3) im Hinblick auf die Rißfestigkeit bevorzugt.
- Die Funktion des Schutzfilms ist es, die Aufzeichnungsschicht zu schützen und gleichzeitig die Empfindlichkeit des Informationsaufzeichnungsmediums zu verstärken und als Verstärkungsfilm zu fungieren. Solche eine Schutzschicht hat wünschenswerterweise einen Brechungsindex, der größer ist als jener des Substrats.
- Die erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmedien können hergestellt werden, indem man auf dem Substrat die Aufzeichnungsschicht und die metallische Schicht und gegebenenfalls die Schutzschicht unter Verwendung solcher filmbildender Verfahren wie beispielsweise vakuumabscheidung, "Sputtering", Elektronenstrahlabscheidung oder dgl. bildet.
- Die erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmedien, die eine metallische Schicht, zusammengesetzt aus einer Aluminium-Legierung, die (i) Titan und (ii) mindestens ein Metall ausgewählt unter Chrom, Niob und Magnesium, wie oben dargestellt, enthält, umfassen, zeichnen sich durch ihre Korrosionsbeständigkeit aus, weisen eine geringe Abhängigkeit der Aufzeichnungsleistung von der linearen Geschwindigkeit auf und sind exzellent hinsichtlich eines leistungsfähigen Schutzes der Aufzeichnungsschicht.
- Die vorliegende Erfindung wird nachstehend unter Verweis auf Beispiele erläutert, aber die Erfindung sollte keineswegs als auf diese Beispiele begrenzt gedeutet werden.
- Der Ausdruck "Aufzeichnungsleistung-Optimum" wie er in den folgenden Beispielen verwendet wird, bezeichnet die Aufzeichnungsleistung, bei der die Schreibsignale bei einer Frequenz von 1 MHz und einem Nutzleistungsfaktor (duty factor) von 50 % aufgezeichnet werden und bei der die zweite Harmonische der anhand der aufgezeichneten Signale wiedergegebenen Signale minimal ist. Die Aufzeichnungsmedien zeigen einen geringeren Grad der Abhängigkeit von der Lineargeschwindigkeit, wenn die Informationsaufzeichnungsmedien eine geringere Differenz der bei verschiedenen Lineargeschwindigkeiten bestimmten Aufzeichnungsleistungsoptima aufweisen.
- Im folgenden wurde die Korrosionsbeständigkeit der metallischen Schicht als erstes gemäß dem folgenden Verfahren bestimmt.
- Auf einem Glassubstrat wurde in einem Sputter-Verfahren unter Verwendung eines "composite targets" aus Aluminium-Titan- Chrom eine 1000 Å dicke Metallschicht aus einer Aluminium- Titan-Chrom-Legierung abgeschieden. Die Titan- und Chrom- Gehalte in der Aluminium-Legierung, die die metallische Schicht bildete, betrugen jeweils 2 Atom-%.
- Diese Metallschicht wurde 4 h bei 60ºC in eine wäßrige Lösung, die 10 Gew.-% Natriumchlorid enthielt, getaucht, wobei man die Korrosionsbeständigkeit der metallischen Schicht bewertete, indem man die Veränderung der Reflexion dieser metallischen Schicht und das Oberflächenprofil dieser metallischen Schicht nach vierstündigem Eintauchen maß.
- Es wurde keine Veränderung der Reflexion der metallischen Schicht vor und nach dem Eintauchen in die wäßrige Natriumchlorid-Lösung beobachtet.
- Die Anzahl der nach dem Eintauchen der metallischen Schicht beobachteten Nadellöcher betrug nicht mehr als 50 (40 Stück) pro Flächeneinheit der metallischen Schicht (5 cm x 5 cm).
- Auf einem Plattensubstrat, das aus einem amorphen Copolymer aus Ethylen mit 1,4,5,8-Dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a- ocatahydronaphthalin
- (Strukturformel:
- im folgenden zu DMON abgekürzt) zusammengesetzt war, wobei das amorphe Copolymer gemäß NMR-Analyse ein Ethylen-Gehalt von 59 Mol.-%, eine Grenzviskosität [η] von 0,42 dl/g (gemessen in Dekalin bei 135ºC) und eine Erweichungstemperatur (TMA) von 154ºC hatte, wurden sukzessive ein aus Si&sub3;N&sub4; zusammengesetzter Schutzfilm bis zu einer Dicke von 1000 Å und eine aus Pt&sub1;&sub0;Tb&sub2;&sub9;Fe&sub5;&sub5;Co&sub6; (Atom-%) zusammengesetzte Aufzeichnungsschicht bis zu einer Dicke von 500 Å in einem Sputter-Verfahren abgeschieden, und darauf wurde eine aus einer Al-Cr-Ti-Legierung (700 Å Filmdicke) zusammengesetzte metallische Schicht in einem Sputter- Verfahren unter Verwendung eines "composit targets" aus Al- Cr-Ti abgeschieden. In dem Aluminium, das die so erhaltene metallische Schicht bildete, betrug der Cr-Gehalt 2 Atom-% und der Ti-Gehalt 2 Atom-%.
- Das so erhaltene Informationsaufzeichnungsmedium wurde ungefähr 720 h bei 80ºC und einer relativen Feuchtigkeit von 35 % gehalten, wobei man die Korrosionsbeständigkeit der metallischen Schicht bewertete, indem man die Reflexionsänderung des Informationsaufzeichnungsmediums maß.
- Man beobachtete keine Anderung der Reflexion des Informationsaufzeichnungsmediums vor und nach dem Aufbewahren des Informationsaufzeichnungsmediums bei 80ºC und einer relativen Feuchtigkeit von 85 %.
- Auf einem Plattensubstrat, das aus einem amorphen Copolymer aus Ethylen mit 1,4,5,8-Dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a- octahydronaphthal in
- (Strukturformel:
- im folgenden zu DMON abgekürzt) zusammengesetzt war, wobei das amorphe Copolymer gemäß NMR-Analyse einen Ethylen- Einheitengehalt von 59 Mol.-%, eine Grenzviskosität [η] von 0,42 gl/g (gemessen in Dekalin bei 135ºC) und eine Erweichungstemperatur (TMA) von 154ºC hatte, wurden sukzessiv ein aus Si&sub3;N&sub4; zusammengesetzter Schutzfilm bis zu einer Dicke von 1100 Å und eine aus Pt&sub1;&sub0;Tb&sub2;&sub9;Fe&sub5;&sub5;Co&sub6; (Atom-%) zusammengesetzte Aufzeichnungsschicht bis zu einer Dicke von 260 Å in einem Sputter-Verfahren abgeschieden, und darauf wurde eine aus einer Al-Cr-Ti-Legierung (500 Å Filmdicke) zusammengesetzte metallische Schicht in einem Sputter- Verfahren unter Verwendung eines Al-Cr-Ti-"composit targets" abgeschieden. In dem Aluminium, das die so erhaltene metallische Schicht bildete, betrug der Cr-Gehalt 2 Atom-% und der Ti-Gehalt 2 Atom-%.
- Das so erhaltene Informationsaufzeichnungsmedium wurde etwa 720 h bei 80ºC und einer relativen Feuchtigkeit von 85 % aufbewahrt, wobei man die Korrosionsbeständigkeit der metallischen Schicht bewertete, indem man die Reflexionsänderung des Informationsaufzeichnungsmediums maß.
- Man beobachtete keine Veränderung der Reflexion des Informationsaufzeichnungsmediums vor und nach dem Aufbewahren des Informationsaufzeichnungsmediums bei 80ºC und einer relativen Feuchtigkeit von 85 %.
- Das Aufzeichnungsleistungs-Optimum dieses Informationsaufzeichnungsmediums betrug 3,5 mW bei einer Lineargeschwindigkeit von 5,7 m/s und das Aufzeichnungsleistungs-Optimum betrug 5,1 mW bei einer Lineargeschwindigkeit von 11,3 m/s.
- Auf einem Glassubstrat wurde in einem Sputter-Verfahren unter Verwendung eines "composit targets" aus Aluminium/Chrom eine aus einer Aluminium-Legierung zusammengesetzte metallische Schicht bis zu einer Filmdicke von 1000 Å gebildet.
- Der Chrom-Gehalt der so gebildeten metallischen Schicht betrug 2 Atom-%.
- Diese metallische Schicht wurde 4 h bei 60ºC in eine wäßrige Lösung getaucht, die 10 Gew.-% Natriumchlorid enthielt.
- Nach dem 4stündigen Eintauchen der metallischen Schicht wurden Veränderungen in der Reflexion und dem Oberflächenprofil besagter metallischer Schicht gemessen.
- Die Reflexion der so eingetauchten metallischen Schicht nahm um etwa 2 % ab.
- Die Anzahl der auf der metallischen Schicht beobachteten Nadellöcher betrug etwa 70 pro Flächeneinheit (5 cm x 5 cm).
- Auf die gleiche Weise wie in Vergleichsbeispiel 1 wurde eine metallische Schicht, die 4 Atom-% Chrom enthielt erhalten, abgesehen davon, daß sich das "composit target" der Aluminium-Chrom-Legierung in der Zusammensetzung von dem "composit target", das in Vergleichsbeispiel 1 verwendet wurde, unterschied.
- Diese metallische Schicht wurde auf die gleiche Weise wie in Vergleichsbeispiel 1 in die wäßrige Natriumchlorid-Lösung getaucht, wobei man die Veränderung der Reflexion und des Oberflächenprofils der so eingetauchten metallischen Schicht maß.
- Man beobachtete keine Veränderung der Reflexion der metallischen Schicht vor und nach dem Eintauchen in die wäßrige Natriumchlorid-Lösung und die Anzahl der beobachteten Nadellöcher auf der metallischen Schicht betrug nach dem Eintauchen etwa 70 pro Flächeneinheit (5 cm x 5 cm).
- Auf die gleiche Weise wie in Vergleichsbeispiel 1 wurde eine metallische Schicht erhalten, abgesehen davon, daß man ein "composit targets" aus Aluminium-Titan anstelle eines "composit targets" aus Aluminium-Chrom verwendete.
- Die Titan-Gehalt der so erhaltenen metallischen Schicht betrug 2 Atom-%.
- Diese metallische Schicht wurde auf die gleiche Weise wie in Vergleichsbeispiel 1 in die wäßrige Natriumchlorid-Lösung eingetaucht, wobei man Veränderungen in der Reflexion und dem Oberflächenprofil der so eingetauchten metallischen Schicht
- Die Reflexion der so eingetauchten metallischen Schicht nahm um etwa 8 % ab.
- Die Anzahl der auf der metallischen Schicht beobachteten Nadellöcher betrug 51 pro Flächeneinheit (5 cm x 5 cm).
- Auf die gleiche Weise wie in Vergleichsbeispiel 3 wurde eine metallische Schicht erhalten, die 4 Atom-% Titan enthielt, abgesehen davon, daß man ein aus einer Aluminium-Titan- Legierung zusammengesetztes "composit target" verwendete, das sich in der Zusammensetzung von dem "composit target" unterschied, das in Vergleichsbeispiel 3 verwendet wurde.
- Diese metallische Schicht wurde auf die gleiche Weise wie in Vergleichsbeispiel 1 in die wäßrige Natriumchlorid-Lösung eingetaucht, wobei man die Veränderung der Reflexion und des Oberflächenprofils der metallischen Schicht nach dem Eintauchen maß.
- Die Reflexion der so eingetauchten metallischen Schicht nahm um etwa 2 % ab.
- Man fand mehr als 115 Nadellöcher auf der Oberfläche der so eingetauchten metallischen Schicht.
- Auf einem Glas-Substrat bildete man eine aus einer Aluminium- Titan-Niob-Legierung zusammengesetzte metallische Schicht (1100 Å Filmdicke) in einem Sputter-Verfahren unter Verwendung eines "composite targets" aus Aluminium (Al)-Titan (Ti)-Niob (Nb). In dieser Aluminium-Legierung betrug der Ti- Gehalt 1,5 Atom-% und jener des Niobs 1,5 Atom-%.
- Diese metallische Schicht wurde 4 h bei 60ºC in eine Salzlösung getaucht, die 10 Gew.-% NaCl enthielt, wobei man die Korrosionsbeständigkeit der metallischen Schicht bewertete, indem man die Veränderung der Reflexion und des Oberflächenprofils der metallischen Schicht nach dem 4stündigen Eintauchen maß. Im Ergebnis beobachtete man keine Veränderung in der Reflexion der metallischen Schicht vor und nach dem Eintauchen.
- Die Anzahl der auf der Oberfläche der metallischen Schicht beobachteten Nadellöcher betrug nach dem Eintauchen nicht mehr als 40 Stück (38 Stück) pro Flächeneinheit (5 cm x 5 cm).
- Auf dem in Beispiel 2 verwendeten Substrat schied man sukzessive in einem Sputter-Verfahren einen aus Si&sub3;N&sub4; zusammengesetzten Schutzfilm (1000 Å Filmdicke) und eine aus Pt&sub1;&sub0;Tb&sub2;&sub9;Fe&sub5;&sub5;Co&sub6; zusammengesetzte Aufzeichnungsschicht (500 Å Filmdicke) ab, und schied darauf eine metallische Schicht (700 Å Filmdicke), die aus einer Al-Ti-Nb-Legierung zusammengesetzt war, in einem Sputter-Verfahren unter Verwendung eines "composite targets" aus Al-Ti-Nb ab. In der Aluminium-Legierung (Schicht), die die so erhaltene metallische Schicht bildete, betrug der Ti-Gehalt 2 Atom-% und der Nb-Gehalt 2 Atom-%.
- Das so erhalten Informationsaufzeichnungsmedium wurde 720 h bei 80ºC und einer relativen Feuchtigkeit von 85 % aufbewahrt, wobei man die Korrosionsbeständigkeit der metallischen Schicht bewertete indem man die Veränderung der Reflexion des Informationsaufzeichnungsmediums maß.
- Man beobachtete keine Veränderung in der Reflexion des Informationsaufzeichnungsmediums vor und nach dem Aufbewahren dieser metallischen Schicht bei 80ºC und einer relativen Feuchtigkeit von 85 %.
- Auf dem in Beispiel 2 verwendeten Substrat schied man sukzessive in einem Sputter-Verfahren einen aus Si&sub3;N&sub4; zusammengesetzten Schutzfilm (1100 Å Filmdicke) und eine aus Pt&sub1;&sub0;Tb&sub2;&sub9;Fe&sub5;&sub5;Co&sub6; zusammengesetzte Aufzeichnungsschicht (260 Å Filmdicke) ab, und schied darauf eine aus einer Al-Ti-Nb- Legierung zusammengesetzte metallische Schicht (500 Å Filmdicke) in einem Sputter-Verfahren unter Verwendung eines "composite targets" aus Al-Ti-Nb ab. In der Aluminium- Legierung (Schicht), die die so erhaltene metallische Schicht bildete, betrug der Ti-Gehalt 2 Atom-% und der Nb-Gehalt 2 Atom-%.
- Das so erhaltene Informationsaufzeichnungsmedium wurde etwa 720 h bei 80ºC und einer relativen Feuchtigkeit von 85 % aufbewahrt, wobei man die Korrosionsbeständigkeit der metallischen Schicht bewertete indem man die Veränderung der Reflexion des Informationsaufzeichnungsmediums maß.
- Man beobachtete keine Veränderung der Reflexion des Informationsaufzeichnungsmediums vor und nach dem Aufbewahren der metallischen Schicht bei 80ºC und einer relativen Feuchtigkeit von 85 %.
- Das Aufzeichnungsleistungs-Optimum dieses Informationsaufzeichnungsmediums betrug bei einer Lineargeschwindigkeit von 5,7 m/s 3,6 mW und das Aufzeichnungsleistungsoptimum betrug bei einer Lineargeschwindigkeit von 11,3 m/s 5,5 mW.
- Auf einem Plattensubstrat, das sich aus einem amorphen Copolymer aus Ethylen mit 1,4,5,8-Dimethano- 1,2,3,4,4a,5,8,8a-octahydronaphthalin
- (Strukturformel:
- im folgenden zu DMON abgekürzt) zusammensetzte, wobei das amorphe Copolymer einen Ethylen-Einheitengehalt von 59 Mol.-% gemäß MMR-Analyse, eine Grenzviskosität [η] von 0,42 dl/g (gemessen in Dekalin bei 135ºC) und eine Erweichungstemperatur (TMA) von 154ºC hatte, wurden sukzessive ein aus Si&sub3;N&sub4; zusammengesetzer Schutzfilm bis zu einer Dicke von 1100 Å und eine aus Pt&sub1;&sub0;Tb&sub2;&sub9;Fe&sub5;&sub5;Co&sub6; (Atom-%) zusammengesetzte Aufzeichnungsschicht bis zu einer Dicke von 260 Å in einem Sputter-Verfahren abgeschieden, und darauf wurde eine aus einer Al-Mg-Ti-Cr-Legierung zusammengesetzte metallische Schicht (500 Å Filmdicke) in einem Sputter- Verfahren unter Verwendung eines "composit targets" aus Al- Mg-Ti-Cr abgeschieden. In dem Aluminium, das die so erhaltene metallische Schicht bildete, betrug der Mg-Gehalt 4 Atom-%, der Cr-Gehalt 2 Atom-% und der Ti-Gehalt 1 Atom-%.
- Das Aufzeichnungsleistungs-Optimum dieses Informationsaufzeichnungsmediums betrug bei einer Lineargeschwindigkeit von 5,7 m/s 4,0 mW und das Aufzeichnungsleistungs-Optimum betrug bei einer Lineargeschwindigkeit von 11,3 m/s 5,7 mW.
Claims (5)
1. Informationsaufzeichnungsmedium (1), umfassend ein
Substrat (2), auf dem eine Aufzeichnungsschicht (3)
aufgebracht ist, und eine aus einer Aluminium-Legierung
zusammengesetzte metallische Schicht (4);
dadurch gekennzeichnet, daß
die Aluminium-Legierung 1 bis 5 Atom-% Ti, und 1 bis
3 Atom-% Cr enthält.
2. Informationsaufzeichnungsmedium (1), umfassend ein
Substrat (2), auf dem eine Aufzeichnungsschicht (3)
aufgebracht ist, und eine aus einer Aluminium-Legierung
zusammengesetzte metallische Schicht (4);
dadurch gekennzeichnet, daß
die Aluminium-Legierung 1 bis 3 Atom-% Ti; 1 bis
3 Atom-% Nb, und einen kombinierten Gehalt an Ti und Nb
von 2 bis 4 Atom-% enthält.
3. Informationsaufzeichnungsmedium (1) umfassend, ein
Substrat (2), auf dem eine Aufzeichnungsschicht (3)
aufgebracht ist, und eine aus einer Aluminium-Legierung
zusammengesetzte metallische Schicht (4);
dadurch gekennzeichnet, daß
die Aluminium-Legierung 1 bis 5 Atom-% Ti; 1 bis
5 Atom-% Mg; 1 bis 5 Atom-% Cr; und einen kombinierten
Gehalt an Ti, Mg und Cr von nicht mehr als 10 Atom-%
enthält.
4. Informationsaufzeichnungsmedium gemäß einem der
vorangehenden Ansprüche, worin die Aufzeichnungsschicht
(3) eine magnetooptische Aufzeichnungsschicht ist.
5. Informationsaufzeichnungsmedium gemäß einem der
Ansprüche 1 bis 3, worin die metallische Schicht (4)
eine Filmdicke von 10 bis 500 nm (100 bis 5000 Å) hat.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12955289 | 1989-05-23 | ||
JP12955589 | 1989-05-23 | ||
JP15753289 | 1989-06-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69026863D1 DE69026863D1 (de) | 1996-06-13 |
DE69026863T2 true DE69026863T2 (de) | 1996-11-14 |
Family
ID=27315956
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69026863T Expired - Fee Related DE69026863T2 (de) | 1989-05-23 | 1990-05-23 | Informationsaufzeichnungsmedien |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5041341A (de) |
EP (1) | EP0399532B1 (de) |
KR (1) | KR900018944A (de) |
AT (1) | ATE137878T1 (de) |
CA (1) | CA2017226A1 (de) |
CS (1) | CS252290A3 (de) |
DE (1) | DE69026863T2 (de) |
PL (1) | PL285286A1 (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3382791T2 (de) * | 1982-12-15 | 1995-12-07 | Sharp Kk | Magneto-optischer Speicher. |
CA2017226A1 (en) * | 1989-05-23 | 1990-11-23 | Kiyotaka Shindo | Information recording media |
US5972461A (en) * | 1998-01-06 | 1999-10-26 | Imation Corp. | Rewritable optical data storage disk having enhanced flatness |
JP4193185B2 (ja) * | 2006-07-12 | 2008-12-10 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 無色透明にできる反射型調光薄膜材料 |
JP6425794B1 (ja) * | 2017-12-13 | 2018-11-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体圧力センサ |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5720933A (en) * | 1980-07-14 | 1982-02-03 | Toshiba Corp | Information recording carrier |
NL8102283A (nl) * | 1981-05-11 | 1982-12-01 | Philips Nv | Optisch uitleesbare informatieschijf met een reflectielaag gevormd uit een metaallegering. |
US4615944A (en) * | 1983-05-17 | 1986-10-07 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Amorphous magneto optical recording medium |
US4690861A (en) * | 1985-03-11 | 1987-09-01 | Ricoh Co., Ltd. | Magneto optical recording medium |
JPH0719396B2 (ja) * | 1985-12-09 | 1995-03-06 | ソニー株式会社 | 情報記録媒体 |
US4740430A (en) * | 1987-02-18 | 1988-04-26 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Magneto-optic memory |
JPH01173455A (ja) * | 1987-12-28 | 1989-07-10 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
JPH01171142A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-06 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
CN1013324B (zh) * | 1988-04-28 | 1991-07-24 | 中国科学院物理研究所 | 磁光盘存储合金材料及其制备方法 |
US5032470A (en) * | 1989-04-17 | 1991-07-16 | Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. | Optical recording medium with an aluminum alloy metallic layer containing at least hafnium |
CA2017226A1 (en) * | 1989-05-23 | 1990-11-23 | Kiyotaka Shindo | Information recording media |
-
1990
- 1990-05-22 CA CA002017226A patent/CA2017226A1/en not_active Abandoned
- 1990-05-22 PL PL28528690A patent/PL285286A1/xx unknown
- 1990-05-23 CS CS902522A patent/CS252290A3/cs unknown
- 1990-05-23 KR KR1019900007384A patent/KR900018944A/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-05-23 AT AT90109902T patent/ATE137878T1/de active
- 1990-05-23 EP EP90109902A patent/EP0399532B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-05-23 DE DE69026863T patent/DE69026863T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-05-23 US US07/527,364 patent/US5041341A/en not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-06-04 US US07/709,816 patent/US5314757A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CS252290A3 (en) | 1992-06-17 |
ATE137878T1 (de) | 1996-05-15 |
EP0399532A3 (de) | 1991-12-18 |
US5314757A (en) | 1994-05-24 |
PL285286A1 (en) | 1991-01-28 |
DE69026863D1 (de) | 1996-06-13 |
EP0399532B1 (de) | 1996-05-08 |
KR900018944A (ko) | 1990-12-22 |
CA2017226A1 (en) | 1990-11-23 |
EP0399532A2 (de) | 1990-11-28 |
US5041341A (en) | 1991-08-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CA2001769C (en) | Optical recording media | |
DE69028032T2 (de) | Informationsaufzeichnungsmedien | |
DE69026863T2 (de) | Informationsaufzeichnungsmedien | |
EP0331737B1 (de) | Photomagnetisches speichermedium | |
EP0320286A2 (de) | Magneto-optischer Aufzeichnungsträger | |
DE68925098T2 (de) | Magneto-optisches Aufzeichnungsmedium | |
CA2001770C (en) | Optical recording media | |
CA2014751C (en) | Magnetooptical recording media | |
DE69031612T2 (de) | Magnetooptische Aufzeichnungsmedien | |
JP2682709B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
US5215798A (en) | Optical recording medium | |
CA1310416C (en) | Magnetooptical recording medium | |
JP2682710B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
DD298551A5 (de) | Informationsaufzeichungsmedium | |
DD294811A5 (de) | Informationsaufzeichnungsmedien | |
JP2509714B2 (ja) | 光記録媒体 | |
DD296177A5 (de) | Informationsaufzeichnungsmedium | |
US5242729A (en) | Optical recording medium | |
JP2509715B2 (ja) | 光記録媒体 | |
JP2915964B2 (ja) | 情報記録媒体 | |
KR930008456B1 (ko) | 광자기 기록매체 | |
EP0454079A2 (de) | Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium | |
CA2014355A1 (en) | Information recording media | |
DD296569A5 (de) | Magnetooptisches aufzeichnungsmedium | |
JPH0315590A (ja) | 光記録媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: MITSUI CHEMICALS, INC., TOKIO/TOKYO, JP |
|
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |