DD296177A5 - Informationsaufzeichnungsmedium - Google Patents
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- DD296177A5 DD296177A5 DD33974890A DD33974890A DD296177A5 DD 296177 A5 DD296177 A5 DD 296177A5 DD 33974890 A DD33974890 A DD 33974890A DD 33974890 A DD33974890 A DD 33974890A DD 296177 A5 DD296177 A5 DD 296177A5
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- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 64
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 60
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 33
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 195
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 195
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 33
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 33
- 229910001029 Hf alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- RVYOQIHOUTVEKU-UHFFFAOYSA-N aluminum hafnium Chemical compound [Al].[Hf] RVYOQIHOUTVEKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 242
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 40
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 24
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 21
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 20
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 15
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 15
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 15
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 15
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 12
- -1 2-isobutyl Chemical group 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- OTTZHAVKAVGASB-UHFFFAOYSA-N hept-2-ene Chemical class CCCCC=CC OTTZHAVKAVGASB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 11
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N vertaline Natural products C1C2C=3C=C(OC)C(OC)=CC=3OC(C=C3)=CC=C3CCC(=O)OC1CC1N2CCCC1 PXXNTAGJWPJAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 4
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 4
- WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-pentene Chemical compound CC(C)CC=C WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101150065749 Churc1 gene Proteins 0.000 description 3
- QQHSIRTYSFLSRM-UHFFFAOYSA-N alumanylidynechromium Chemical compound [Al].[Cr] QQHSIRTYSFLSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QNTVPKHKFIYODU-UHFFFAOYSA-N aluminum niobium Chemical compound [Al].[Nb] QNTVPKHKFIYODU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CRSBERNSMYQZNG-UHFFFAOYSA-N 1-dodecene Chemical compound CCCCCCCCCCC=C CRSBERNSMYQZNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 1-hexene Chemical compound CCCCC=C LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 1-octene Chemical compound CCCCCCC=C KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HFDVRLIODXPAHB-UHFFFAOYSA-N 1-tetradecene Chemical compound CCCCCCCCCCCCC=C HFDVRLIODXPAHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GVNVAWHJIKLAGL-UHFFFAOYSA-N 2-(cyclohexen-1-yl)cyclohexan-1-one Chemical compound O=C1CCCCC1C1=CCCCC1 GVNVAWHJIKLAGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N Propene Chemical compound CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102100038239 Protein Churchill Human genes 0.000 description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001118 alkylidene group Chemical group 0.000 description 2
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- VAMFXQBUQXONLZ-UHFFFAOYSA-N icos-1-ene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCC=C VAMFXQBUQXONLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002950 monocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N octadec-1-ene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCC=C CCCMONHAUSKTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- IYDCZCBVYAESDR-VQHVLOKHSA-N (e)-pentadec-4-ene Chemical class CCCCCCCCCC\C=C\CCC IYDCZCBVYAESDR-VQHVLOKHSA-N 0.000 description 1
- AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N 1-decene Chemical compound CCCCCCCCC=C AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQEZCXVZFLOKMC-UHFFFAOYSA-N 1-hexadecene Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCC=C GQEZCXVZFLOKMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- LAZHUUGOLCHESB-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylbicyclo[2.2.1]hept-5-ene Chemical compound C1C2C(C)C(C)C1C=C2 LAZHUUGOLCHESB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMDKEBZUCHXUER-UHFFFAOYSA-N 4-methylbicyclo[2.2.1]hept-2-ene Chemical compound C1CC2C=CC1(C)C2 RMDKEBZUCHXUER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDOJACSDSIHAAT-UHFFFAOYSA-N 5-benzylbicyclo[2.2.1]hept-2-ene Chemical compound C1C(C=C2)CC2C1CC1=CC=CC=C1 UDOJACSDSIHAAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHJIJNGGGLNBNJ-UHFFFAOYSA-N 5-ethylbicyclo[2.2.1]hept-2-ene Chemical compound C1C2C(CC)CC1C=C2 QHJIJNGGGLNBNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLLQHXBUQMCLGK-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-5-phenylbicyclo[2.2.1]hept-2-ene Chemical compound C1C(C=C2)CC2C1(C)C1=CC=CC=C1 SLLQHXBUQMCLGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCBPVYHMZBWMAZ-UHFFFAOYSA-N 5-methylbicyclo[2.2.1]hept-2-ene Chemical compound C1C2C(C)CC1C=C2 PCBPVYHMZBWMAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PGNNHYNYFLXKDZ-UHFFFAOYSA-N 5-phenylbicyclo[2.2.1]hept-2-ene Chemical compound C1=CC2CC1CC2C1=CC=CC=C1 PGNNHYNYFLXKDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVFRNNALLLVPGJ-UHFFFAOYSA-N 7-methylbicyclo[2.2.1]hept-2-ene Chemical compound C1CC2C=CC1C2C AVFRNNALLLVPGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018134 Al-Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018467 Al—Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005745 Ge—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005936 Ge—Sb Inorganic materials 0.000 description 1
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910001215 Te alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BTCUMMXRRUIJHU-UHFFFAOYSA-N acenaphthylene cyclopenta-1,3-diene Chemical group C1C=CC=C1.C1=CC(C=C2)=C3C2=CC=CC3=C1 BTCUMMXRRUIJHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 1
- HKBLLJHFVVWMTK-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti].[Ti] HKBLLJHFVVWMTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007142 ring opening reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical class [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
Erfindungsgemaesz werden Informationsaufzeichnungsmedien zur Verfuegung gestellt, die ein Substrat und darauf eine Aufnahmeschicht sowie eine Metallschicht enthalten. Die Metallschicht besteht aus einer Aluminium-Legierung, die zumindest Hafnium oder Niobium enthaelt. Sie kann neben Hafnium oder Niobium noch Chromium, Titanium und/oder Magnesium enthalten. Die zur Verfuegung gestellten Informationsaufzeichnungsmedien besitzen eine ausgezeichnete Korrosionsbestaendigkeit und weisen eine geringe Abhaengigkeit der Aufnahmeleistung von der Abtastgeschwindigkeit auf.{Informationsaufzeichnung; Aufnahmeschicht, magnetooptische; Aufnahmeplatte, magnetooptische; Korrosionsbestaendigkeit; Aluminiumlegierung; Aluminium-Hafnium-Legierung; Aufnahmeleistung; Abtastgeschwindigkeit}
Description
Hierzu 1 Seite Zeichnungen
Die Erfindung betrifft Informationsaufzeichnungsmedien mit einer Metallschicht und insbesondere Informationsaufzeichnungsmedien mit ausgezeichneter Korrosionsbeständigkeit und mit geringer Abhängigkeit der Aufnahmeleistung von der Abtastgeschwindigkeit.
Bei Informationsaufzeichnungsmedien wie z. B. magnetooptischen Aufnahmeplatten, die aus einer Substratschicht, einer darüber befindlichen Speicherschicht und einer Metallschicht bestehen und Informationen umzeichnen können, wird beabsichtigt, die Abhängigkeit der Aufnahmeleistung von der Abtastgeschwindigkeit gering zu halten, so daß die Aufnahmeleistung zur Informationsaufzeichnung im Medium keinen großen Schwankungen im Bereich des inneren und des äußeren Randes des Mediums ausgesetzt ist.
Normalerweise ist ein Informationsaufzeichnungsmedium wie die magnetooptische Aufnahmeplatte dadurch gekennzeichnet, daß es eine Metallschicht und außerdem eine magnetooptische Aufnahmeschicht auf einem Substrat enthält. Die bisher in Informationsaufzeichnungsmedien wie magnetooptischen Aufnahmeplatten verwendeten Metallschichten bestehen aus Nickellegierungen, Aluminium oder Aluminiumlegierungen mit 0,1-10 Ma.-% Titanium. Die aus Aluminium bzw. aus Aluminium-Titanium-Legierungen bestehenden Metallschichten haben jedoch den Nachteil, daß sie nur eine geringe Korrosionsbeständigkeit besitzen und nicht langzeitig genutzt werden können.
Die aus Nickellegierungen bestehenden Metallschichten haben ebenfalls einen schwerwiegenden Nachteil, daß die während der Informationsaufzeichnung notwendige Aufnahmeleistung im Informationsaufzeichnungsmedium stark im Bereich des inneren und äußeren Randes des Mediums schwankt und demzufolge die Abhängigkeit der Aufnahmeleistung von der Abtastgeschwindigkeit groß ist.
Im Hinblick auf die Entwicklung von Informationsaufzeichnungsmedien mit ausgezeichneter Korrosionsbeständigkeit bzw. Langzeitstabilität und mit geringer linearer Abhängigkeit der Aufnahmeleistung von der Abtastgeschwindigkeit führten die Autoren der Erfindung umfangreiche Forschungen durch, um ein Informationsaufzeichnungsmedium zu finden, das eine Metallschicht aufweist, die aus einer Aluminiumlegierung besteht, die zumindest Hafnium enthält, und die eine ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit besitzt und sich du rch eine geringe Abhängigkeit der Aufnah meleistung von der Abtastgeschwindigkeit auszeichnet. Das soll mit dieser Erfindung erreicht werden.
Mit der Erfindung sollen Probleme gelöst werden, die mit dem oben erwähnten bisherigen Stand in Verbindung stehen, und ein Gegenstand der Erfindung besteht darin, Informationsaufzeichnungsmedien mit ausgezeichneter Korrosionsbeständigkeit und geringer Abhängigkeit der Aufnahmeleistung von der lineraren Abtastgeschwindigkeit zu ermöglichen.
Das erste Informationsaufzeichnungsmedium der Erfindung mit einer Aufnahmeschicht und einer Metallschicht auf einem Substrat ist dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht aus einer Aluminiumlegierung besteht, die zumindest ein Element, ausgewählt zwischen Hafnium (Hf) und Niobium (Nb), in einer Menge von 0,1-10 Atomprozent aller die Schicht aus der Aluminiumlegierung ausmachenden Atome enthält.
Das zweite Informationsaufzeichnungsmedium der Erfindung mit einer Aufnahmeschicht und einer Metallschicht auf einem Substrat ist dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht aus einer Aluminiumlegierung besteht, die 0,1-9,5 Atomprozent Hafnium und 0,1-5 Atomprozent Chromium aller die Aluminiumlegierungsschicht ausmachenden Atome enthält und der kombinierte Gehaltan Hafnium und Chromium weniger als 10 Atomprozent beträgt.
Das dritte Informationsaufzeichnungsmedium der Erfindung mit einer Aufnahmeschicht und einer Metallschicht auf einem Substrat ist dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht aus einer Aluminiumlegierung besteht, die 0,1-9,5 Atomprozent Hafnium, 0,1—5 Atomprozent Chromium und 0,1— 9,5 Atomprozent Titanium aller die Aluminiumlegierungsschicht ausmachenden Atome enthält und der kombinierte Gehalt an Hafnium, Chromium und Titanium weniger als 10 Atomprozent beträgt.
Das vierte Informationsaufzeichnungsmedium der Erfindung mit einer Aufnahmeschicht und einer Metallschicht auf einem Substrat ist dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht aus einer Aluminiumlegierung besteht, dieO,5-5 Atomprozent Hafnium und 0,5-5 Atomprozent Titanium aller die Aluminiumlegierungsschicht ausmachenden Atome enthält und der kombinierte Gehalt an Hafnium und Titanium 1-5,5 Atomprozent beträgt.
Das fünfte Informationsaufzeichnungsmedium der Erfindung mit einer Aufnahmeschicht und einer Metallschicht auf einem Substrat ist dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht aus einer Aluminiumlegierung besteht, die 0,1-10 Atomprozent Hafnium und 0,1-10 Atomprozent Magnesium aller die Aluminiumlegieruhgsschicht ausmachenden Atome enthält und der kombinierte Gehalt an Hafnium und Magnesium weniger als 15 Atomprozent beträgt.
Das sechste Informationsaufzeichnungsmedium der Erfindung mit einer Aufnahmeschicht und einer Metallschicht auf einem Substrat ist dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht aus einer Aluminiumlegierung besteht, die 0,1-10 Atomprozent Hafnium, 0,1-10 Atomprozent Magnesium und 0,1-10 Atomprozent Titanium aller die Aluminiumlegierungsschicht ausmachenden enthält und der kombinierte Gehaltan Hafnium, Magnesium und Titanium weniger als 15 Atomprozent beträgt.
Das siebente Informationsaufzeichnungsmedium der Erfindung mit einer Aufnahmeschicht und einer Metallschicht auf einem Substrat ist dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht aus einer Aluminiumlegierung besteht, die 0,1-10 Atomprozent Hafnium, 0,1-10 Atomprozent Magnesium und höchstens 10 Atomprozent Chromium aller die Aluminiumlegierungsschicht ausmachenden Atome enthält und der kombinierte Gehalt an Hafnium, Magnesium und Chromium weniger als 15 Atomprozent beträgt.
Das achte Informationsaufzeichnungsmedium der Erfindung mit einer Aufnahmeschicht und einer Metallschicht auf einem Substrat ist dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht aus einer Aluminiumlegierung besteht, die 0,1-10 Atomprozent Hafnium, 0,1-10 Atomprozent Magnesium, 0,1-10 Atomprozent Titanium unf höchstens 10 Atomprozent Chromium aller die Aluminiumlegierungsschicht ausmachenden Atome enthält und der gebundene Gehalt an Hafnium, Magnesium, Titanium und Chromium weniger als 15 Atomprozent beträgt.
Die oben geschilderten erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmedien, die individuell eine Metallschicht aufweisen, die aus einer Aluminiumlegierung besteht, die zumindest Hafnium enthält, besitzen eine ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit, eine geringe Abhängigkeit der Aufnahmeleistung von der Abtastgeschwindigkeit und schützen ausgezeichnet die Aufnahmeschicht.
Bild 1 zeigt die Grobskizze einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmediums im Querschnitt.
Bild 2 zeigt die Grobskizze einer anderen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmediums im Querschnitt.
1 ... Informationsaufzeichnungsmedium
2 ... Substrat
3 ... Aufnahmeschicht
4 ... Metallschicht
5 ... Schutzschicht ,
Nachstehend erfolgt die genaue Darstellung der erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmedien.
Bild 1 zeigt die Grobskizze einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmediums im Querschnitt, Bild 2 zeigt die Grobskizze einer anderen Ausführungsform der erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmedien im Querschnitt.
In den erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmedien werden die Informationen in den Aufzeichnungsmedien gespeichert und mit Hilfeeines Lichtstrahls oder Laserstrahls abgetastet. Informationsaufzeichnungsmedien dieser Art enthalten
im konkreten Fall optische Nachaufzeichnungsplatten, die zusätzliche Aufzeichnungen vornehmen, aber keine aufgezeichneten Informationen löschen können, und optische Umzeichnungsplatten wie z.B. magnetooptische Aufnahmeplatten und Phasentauschplatten, sowohl Informationen aufnehmen als auch löschen und aufgenommene Informationen reproduzieren können.
Wie aus Bild 1 ersichtlich, befinden sich im erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmedium 1 eine Aufnahmeschicht 3 und eine Metallschicht 4 in dieser Weise auf einem Substrat 2.
Die Substanzen für das oben erwähnte Substrat 2 sind erfindungsgemäß nicht auf bestimmte Stoffe beschränkt. Wenn jedoch der Laserstrahl auf Substrat 2 (aus Richtung von Pfeil A) trifft, sollten die dafür verwendeten Stoffe vorzugsweise transparent sein. Neben anorganischem Material wie Glas, Aluminium und anderem gehören zu diesen transparenten Stoffen z.B.
organische Substanzen wie Polymethylmethacrylat, Polycarbonat, Polymerlegierungen von Polycarbonat mit Polystyren, statistische (A) Cycloolefin-Copolymere, wie dargelegt in USA-Patent 4,614,778 und nachstehend erwähnt, Poly-4-Methyl-Pent-1-en, Epoxidharze, Polyethersulfon, Polyetherimid und andere. Bevorzugt unter diesen organischen Substanzen sind Poly(Methylmethacrylat), Polycarbonat, statistische Cycloolefin-Copolymere wie dargelegt in USA-Patent 4,614,778 und statistische Cycloolefin-Copolymere (A) wie nachstehend erläutert.
Bezüglich eines guten Haftvermögens besonders der Aufnahmeschicht und eines kleinen Doppelbrechungsindexes sind erfindungsgemäß für das Substrat besonders wünschenswerte Stoffe statistische Cycloolefin-Copolymere (A) von Ethen und ein Cycloolefin, dargestellt durch folgende allgemeine Formel (I), (l-a) oder (l-b).
wobei η gleich 0 oder eine positive ganze Zahl, R1 bis R12 gleich oder unterschiedlich und jedes ein Wasserstoffatom, ein Halogenatom oder eine Kohlenwasserstoffgruppe und R9 bis R12, wenn zusammengenommen, einen mono-oder polycyclischen Kohlenwasserstoff ring bilden können, der wahlweise eine Doppelbindung oder-bindungen haben kann, oder R3 und R10 oder R11 und R12, wenn zusammengenommen, eine Alkyliden-Gruppe bilden können.
Unten folgen weitere Erläuterungen zum Cycloolefin, das durch die allgemeine Formel (I) dargestellt wird. Das durch Formel (I) dargestellte Cycloolefin kann ebenfalls durch folgende allgemeine Formel (l-a) dargestellt werden:
Allgemeine Formel
/R
«7
Inder allgemeinen Formel (l-a) ist η gleich 0 oder 1, ist m gleich 0 oder eine positive ganze Zahl, stellen R1 bis R18Je ein Atom oder eine Gruppe, ausgewählt aus der Gruppe von einem Wasserstoffatom, einem Halogenatom und einer Kohlenwasserstoffgruppe,
R15 bis R18 können, wenn zusammengenommen, einen mono- oder polycyclischen Kohlenwasserstoffring bilden, der wahlweise eine Doppelbindung oder Bindungen hat.
Weiterhin können R1S und R16 bzw. R17 und R18, wenn zusammengenommen, eine Alkyliden-Gruppe bilden.
-Rl
(l-b)
wobei ρ eine ganze Zahl von zumindest 0, q und r jeO, 1 oder 2, R1 bis R1S stellen je ein Atom oder eine Gruppe dar, ausgewählt aus der Gruppe von einem Wasserstoffatom, einem Halogenatom, einer aliphatischen Kohlenwasserstoffverbindung und einer Alkoxy-Gruppe, und R5 (oder R6) und R8 (oder R7) können direkt aneinander gebunden ohne eine Zwischengruppe bzw. über eine Alkylengruppe von ein bis drei Kohlenstoffatomen gebunden sein.
Das konkrete Beispiel der durch die allgemeine Formel (I) dargestellten Cycloolefine beinhaltet 1,4,5,8-Dimethano-1,2,3,4,4 a,5,8,8a-Octahydronaphthalen wie Octahydronaphthalene als 2-Methyl-1,4,5,8-Dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a-Octahydronaphthalen, 2-Ethyl-1,4,5,8-Dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a-Octahydronaphthalen, 2-Propyl-1,4,5,8-Dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a-Octahydronaphthalen, 2-Hexyl-1,4,5,8-Dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a-Octahydronaphthalen, 2,3-Dimethyl-1,4,5,8-Dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a-Octahydronaphthalen, 2-Methyl-3-Ethyl-1,4,5,8-Dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a-Octahydronaphthalen, 2-Ch!or-1,4,5,8-Dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a-Octahydronaphthalen, 2-Brom-1,4,5,8-Dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a-Octahydronaphthalen, 2-Fluor-1,4,5,8-Dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a-Octahydronaphthalen, 2,3-Dichlor-1,4,5,8-Dimethano-1,2,3,4,4 a,5,8,8 a-Octahydronaphthalen, 2-Cyclohexyl-1,4,5,8-Dimethano-1,2,3,4,4 a,5,8,8a-Octahydronaphthalen, 2-n-Butyl-1,4,5,8-Dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a-Octahydronaphthalen, 2-lsobutyl-1,4,5,8-Dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8a-Octahydronaphthalen usw.
Weiterhin beinhaltet das durch die allgemeine Formel (I) dargestellte Cycloolefin Bicyclo(2,2,1)hepto-2-en-Derivate,
Tetracyclo(4,4,0,12B,17-10)-3-Dodecen-Derivate, Hexacyclo(6,6,1,13-6,110-13,/2-7,/9-14)-4-Heptadesen-Derivate, Octacyclo(8,8,0,12-9,147,i"-18,113-16,03-8,0l2-17)-5-Docosen-Derivate, Pentacyclo(8,8,0,12-9,14-7,111-18,113-16,03-8,012-17)-5-Docosen-Derivate, Pentacyclo(6,6,1,13e,02-7,0914)-4-Hexadecen-Derivate, Heptacydo-B-Henicosen-Derivate,
Toricyclo(4,3,0,125)-3-Decen-Derivate,
Toricyclo(4,3,0,12S)-3-Undecen-Derivate,
Pentacyclo(6,5,1,13e,027,09-13)-4-Pentadecen-Derivate, Pentacyclopentadecadien-Derivate,
Pentacyclo(4,7,0,12-6,08-13,19-12)-3-Pentadecen-Derivate, O,!3·6^2-7,!10·17^11·16,11215)-4-lcosen-Derivateund
Nachstehend folgen die Darstellungen der oben erwähnten Beispiele von Verbindungen. Bicyclo-(2,2,1)hept-2-en-Derivate:
Bicyclo-(2,2,1 )hept-2-en
6-Methylbicyclo{2,2,1 )hept-2-en
5,6-Dimethylbicyclo(2,2,1)hept-2-en
C H
1-Methylbicyclo(2,2,1)hept-2-en
C,H
! 6-Ethylbicyclo(2,2,1 )hept-2-en
6-n-Butyibicyclo(2,2,1)hept-2-en
-
:6-lsobutylbicyclo(2,2,1)hept-2-en
C Η·
7-Methylbicyclo(2,2,1)hept-2-en;
Tetracyclo(4,4A12-6,17-10)-3-Dodecen-Derivate:
C H-
5,10-Dimethyltetracyclo(4,4,0,12-5,17-10)-3-Dodecen
C HC H3 C H3
11,12-Dimethyltetracyclo(4,4,0,1 ζ·5,17-10)-3-Dodecen
GH3 C
2,7,9-Tnmethyltetracyclo(4,4,0,12-6,l7-10)-3-Dodecen
-CH;
9-Ethyl-2,7-Dimethyltetracyclo(4/4,0/12-6,17-10)-3-Dodecen
CH2,
9-Ethyl-2,7-Dimethyltetracyclo(4,4,0,12-6,17'l0)-3-Dodecen
CH:
9-lsobutyl-2/7-Dimethyltetracyclo(4,4,0,12-5,17-10)-3-Dodecen
9,11,12-Trimethyltetracyclo(4,4,0,17-l0)-3-Dodecen
9-Ethyl-11,12-Dimethyltetracyclo(4,4,0,12-5 r17-10)-3-Dodecen
9-lsobutyl-11,12-Dimethyltetracyclo(4,4,0,12-5,17l0)-3-Dodecen
CH:
5,8,9,10-Tetramethyltetracyclo(4,4,0,12-5,17-10)-3-Dodecen
8-Methyltetracyclo(4,4,0,12-5,17-10)-3-Dodecen
C H
j 8-Ethyltetracyclo(4,4,0,12-5,17-10)-3-Dodecen
8-Propyltetracyclo(4,4,0,12-5,17-10)-3-Dodecen
8-Hexyltetracyclo(4,4,0,126,1710)-3-Dodecen
8-Stearyltetracyclo(4,4,0,126,1710)-3-Dodecen
/CH3
SC H
8,9-Dimethyltetracyclo(4,4,0,12-5,17-10)-3-Dodecen
/C
8-Methyl-9-Ethyltetracyclo(4,4,0,12-6,17-10)-3-Dodecen
'C I 8-Chlortetracyclo(4,4,0,12-6,17-10)-3-Dodecen
r . 8-Bromtetracyclo(4,4,0/12-5,17l0)-3-Dodecen
8-Fluortetracyclo(4A0,12-6,17-l0)-3-Dodecen
C I
I 8,9-Dichlortetracyclo(4,4,0,12-5,17l0)-3-Dodecen
8-Cyclohexyltetracyclo(4,4,0,12-5,17-10)-3-Dodecen
' ,j 8-lsobutyltetracyclo(4,4,0,12-5,17-10)-3-Dodecen
C H3
8-Butyltetracyclo(4,4,0,12-6,17-10)-3-Dodecen
8-Ethylidentetracyclo(4,4,0,12-5,r-10)-3-Dodecen
CH3 CHCH,
8-Ethyliden-9-Methyltetracyclo(4,4,0,12-5,1710)-3-Dodecen
CjH5 Ii ) L ) J-CHCH CÜx 8-n-pr°PyIiden-9-Ethy|tetracyclo(4,4/0,12-5,17l0)-3-Dodecen
CH(CH
_ r.μ
8-Ethyliden-9-lsopropyltetracyclo(4,4,0,12-5,17l0)-3-Dodecen
- CH
8-Ethyliden-9-Butyltetracyclo(4,4,0,1Z5,17-10)-3-Dodecen
8-n-Propylidentetracyclo(4,4,0,12-6,17-10)-3-Dodecen
CH5
1-CHCH2CH-3
; 8-n-Propyliden-9-Ethyltetracyclo(4,4,0,12-5,17-10)-3-Dodecen
= CHCH3
8-Ethyliden-9-Ethyltetracyclo(4,4,0,125,17l0)-3-Dodecen
CH(CH3),
CHcH CH
2. 5> 8-n-Propyliden-9-lsopropyltetracyclo(4,4,0,125,1710)-3-Dodecen
I-CHCH.CH*
* ° 8-n-Propyliden-9-Butyltetracyclo(4,4,0,12-5,17-10)-3-Dodecen
\, 8-lsopropylidentetracyclo(4,4,0,12-5,17-10)-3-Dodecen
CH,
-" C "CH I
CIf8
8-lsopropyliden-9-Methyltetracyclo(4,4,0,126,1710)-3-Dodecen
8-lsopropyliden-9-Ethyltetracyclo(4,4,0,12'5,17-10)-3-Dodecen
M^j^A.^1" C-C
8-lsopropyliden-9-lsopropyltetracyclo(4,4,0,12-5,17l0)-3-Dodecen
CH3
j ^ 8-isopropyliden-9-Butyltetracyclo(4,4,0,12S,17l0)-3-Dodecen
Hexacyclo(6,6,1,13-6,1l0l3,02-7,09-14)-4-Heptadecen-Derivate:
Hexacyclo(6,6,1,13Ml0l3,02-7,09-14)-4-Heptadecen
C H
12-Methylhexacyclo(6A1,13^110^02-7,09l4)-4-Heptadecen
12-Ethylhexacyclo(6,6,1,13-6,110-13,02-7,09-14)-4-Heptadecen
-CHsCH 12-Isobutylhexacyclo(6,6,1,13-6,110-13,02-7,09U)-4-Heptadecen
CH3 CH^
-CH2CH
CH, C H3
Octacyclo(8,8,0,12-9,14-7,1lll8,1l3-16,03-8,012l7)-5-Docosen-Derivate:
Octacyclo(8,8,0,12-9,14-7,111-18,113-16,03-8,012-17)-5-Docosen
Pentacyclo(6A1,13^027,09-14)-4-Hexadecen-Derivate:
Pentacyclo(6,6,1,1 ,02-7,0914)-4-Hexadecen
CH3, CH3
1,3-Dimethylpentacyclo(6,6,1,1 /02-7,09-14)-4-Hexadecen i1,6-Dimethylpentycyclo(6,6,1,1,02-7,09-14)-4-Hexadecen
C H;
CH3 CH3
Heptacyclo-5-Icosen-DerivateoderHeptacyclo-t-Heneicosen-Derivate:
Heptacyclo(8,7,0,12-9,r-7,111-17,03-8,012l6)-5-lcosen
Heptacyclo(8,8,0,129,Γ·7,1' 118,038,01217)-5-Heneicosen
Toricyclo(4,3,0,12-5)-3-Decen-Derivate:
Tricyclo(4,3,0,125)-3-Decen
CH2
2-Methyl-Tricyclo(4,3,0,12-5)-3-Decen
5-Methyl-Tricyclo(4,3,0,125)-3-Decen;
C H
Tricyclo(4,4,0,12-5)-3-Undecen-Derivate:
Tricyclo (4,4,0,125)-3-U ndecen
Ct)
10-Methyl-Tricyclo(4,4,0,12S)-3-Undecen;
Pentacyclo(6,5,1,13-6,027,0 13)-4-Pentadecen-Derivate:
Pentacyclo(6,5,1,136,02-7,09l3)-4-Pentadecen
CHJ
's.^fS \/,<^ \/ j 1,6-Dimethylpentacyclo(6,5,1,13-e,02-7,09-l3)-4-Pentadecen
CH3 I
CH3
I4,15-Dimethylpentacyclo(6,5,1,1 ,027,0913)-4-Pentadecen
Dien-Verbindungen:
Pentacyclo(7,4,0,12-5,08-13,19l2)-3-Pentadecen-Derivate:
CH5
methyl-substituiertes Pentacyclo(7,4,0,1 ' ,0 ,1 )-3-Pentadecen
HeptacycIo(8,7,0,13-6,02-7,1l0l7,011-16,112-15)-4-Eicosen-Derivate:
Heptacyclo(8,7,0,136,02·7,110l7,011·16,112-15)-4-Eicosen dimethyl-substituiertesHeptacyclo(8,7,0,13-6,02-7,110-l7,011-16,112-1s)-4-Eicosen
Nonacyclo(10,9,1,14-7,03-8,02-10,01"1,113-20 f014-19 f115-18)-5-Pentacosen-Derivate:
Nonacyclod 0,9,1,14·7,03·8,02·10,012-21,1 '"",ο14·19,! 1618)-5-Pentacosen
CH3 trimethyl-substituiertes Nanocyclo (10,9,1,14-7,03-8,02-10,0l2-21,113-20,0l4-19,1l5l8)-5-Pentacosen
Die folgenden Verbindungen sind konkrete Beispiele für die durch Formel (l-b) dargestellten Cycloolefine.
5-PhenyIbicyclo(2,2,1 )hept-2-en
C H 5-Methyl-5-Phenylbicyclo(2,2,1)hept-2-en
C H 5-Benzylbicyclo(2,2,1 )hept-2-en
5-Tolybicyclo(2,2,1 )hept-2-en
CH3
1,4-Methano-1,1a,4,4a-Tetrahydrofluoren
i^-Methano-i^^a^.lOJOa-Hexahydroanthracen
Cyclopentadien-Acenaphthylen-Anlagerungsprodukte
5-(a-Naphthyl)bicyclo(2,2,1)-Hept-2-en
Die statistischen Cycioolefin-Copolymere (A) bestehen aus Ethylen-Einheiten und den oben genannten Cycloolefin-Einheiten als bereits erwähnte Grundkomponenten, dennoch können, falls erforderlich, die Copolymere zusätzlich zu diesen zwei Grundkomponenten andere copolymerisierbare ungesättigte Monomerkomponenten enthalten, solange sie nicht die Erreichung des erfindungsgemäßen Zieles beeinträchtigen. Die ungesättigten Monomere, die bei Bedarf mit den Copolymeren (A) copolymerisiert werden können, können zum Beispiel ct-Olefine mit 3 bis 20 Kohlenstoffatomen aufweisen, also Verbindungen wie Propen, But-1 -en, 4-Methyl-Pent-1 -en, Hex-1-en, Oct-1 -en, Dec-1-en, Dodec-1-en,Tetradec-1 -en, Hexadec-1-en, Octadec-1-en und Eicos-1-en,diebiszu einer zur Ethylenkomponenten-Einheitäquimolaren Mengein dem entstehenden statistischen Copolymer verwendet werden können.
In dem statistischen Cycloolefin-Copolymer (A), die einen Erweichungspunkt (TMA) bei zumindest 700C haben, sind die wiederkehrenden Einheiten (a), abgeleitet vom Ethylen, in einer Menge von 40 bis 85 Mol.-%, vorzugsweise von 50 bis 75 Mol.-% anwesend, während die vom Cycloolefin abgeleiteten wiederkehrenden Einheiten (b) in einer Menge von 15 bis 60Mol.-%, vorzugsweise von 25 bis 50MoI.-% anwesend sind, und diese wiederkehrenden Einheiten (a) und (b) sind zufällig in der praktisch linearen Kette des Copolymers (A) angeordnet. Der Molprozentgehalt der wiederkehrenden Einheiten (a) und (b) wurde durch 13C-NMR bestimmt. Die Tatsache, daß dieses statistische Cycloolefin-Copolymer (A) in Decalin bei 135°C vollständig löslich ist, bestätigt, daß es praktisch linear und frei von einer gelbildenden vernetzten Struktur ist.
Das statistische Cycloolefin-Copolymer (A) hat einen Staudinger-Index (η) von 0,05 bis 10 dl/g, vorzugsweise von 0,08 bis 5 dl/g, gemessen in Decalin bei 135°C.
Die Erweichungstemperatur (TMA) des statistischen Cycloolefin-Copolymers (A), gemessen mit einem Thermoanalysegerät, beträgt zumindest 700C, vorzugsweise 90 bis 25O0C und noch mehr bevorzugt 100 bis 200°C. Die Erweichungstemperatur (TMA) im obigen Bezug wurde bestimmt durch Überwachen des thermischen Formänderungsverhaltens einer 1 mm dicken Folie aus Copolymer (A) unter Verwendung eines thermomechanischen Analysegerätes aus Produktion und Vertrieb der Firma Du Pont. Genauer gesagt, eine Quarznadel wurde mit 49g Belastung auf die Folie gebracht und das Ganze um 5°C/min erhitzt. Die Temperatur, bei der die Nadel 0,635 mm tief in die Folie eindrang, wurde als TMA angenommen. Dieses statistische Cycloolefin-Copolymer (A) hat eine Umwandlungstemperatur zweiter Ordnung (Tg) von normalerweise 50 bis 2300C, vorzugsweise von 70 bis 2100C.
Die Kristallinität dieses statistischen Cycloolefin-Copolymeres (A) wurde durch Röntgen-Diffraktometrie gemessen und beträgt normalerweise 0 bis 10%, vorzugsweise 0 bis 7% und noch mehr bevorzugt 0 bis 5%.
Die die Zusammensetzung des statistischen Cycloolefin-Copolymeres ausmachenden Cycioolefin-Copolymere (A), die erfindungsgemäß zur Bildung des Substrats verwendet wurden, können alle mit Verfahren hergestellt werden, die von den gegenwärtigen Erfindern in den japanischen Patenten L-O-P Publns. Nr. 168708/1985,120816/1986,115912/1986 und 115916/ 1986, 252406/1987, 252407/1987,271308/1986 und 272216/1986 vorgeschlagen wurden, wenn die entsprechenden Bedingungen gewählt werden.
Weiterhin kann erfindungsgemäß als Substratmaterial eine Zusammensetzung eines statistischen Cycloolefin-Copolymeres verwendet werden, bestehend aus einem statistischen Cycloolefin-Copolymer (A), das durch Copolymerisation von Ethen mit einem Cycloolefin, dargestellt durch die folgende Formel (I), (l-a) oder (l-b), hergestellt wurde und einen Staudinger-Index (η) von 0,05 bis 10dl/g, gemessen in Decalin bei 135°C, und eine Erweichungstemperatur (TMA) von zumindest 700C aufweist, und ein statistisches Cycloolefin-Copolymer (B), hergestellt durch Copolymerisation von Ethen mit einem Cycloolefin der Formel (I), (l-a) oder (l-b), und mit einem Staudinger-Index (η) von 0,05 bis 5dl/g, gemessen in Decalin bei 135°C, und mit einer Erweichungstemperatur (TMA) von weniger als 700C.
Weiterhin kann das Substrat der magnetooptischen Aufnahmemedien erfindungsgemäß aus Polymeren hergestellt werden, die wiederkehrende Einheiten der allgemeinen Formel (III) aufweisen als Ergebnis der Ringöffnung der der Cycloolefin-Monomere (I), oder aus Polymeren mit wiederkehrenden Einheiten der allgemeinen Formel (IV) als Ergebnis der Hydrierung der Einheiten (III).
ι ο
(HD
(IV)
In Formel (III) bzw. (IV) sind n und R1 bis R12 wie in Formel (I) definiert.
Die Dicke des Substrats, obwohl nicht speziell begrenzt, beträgt vorzugsweise 0,5-5 mm und besonders 1-2 mm.
Das Material für die erfindungsgemäße Aufnahmeschicht 3 ist nicht auf bestimmte Substanzen beschränkt. Wenn jedoch das Substrat 3 eine magnetooptische Aufnahmeschicht mit einer einachsigen Anisotropie senkrecht zur Schichtoberfläche ist, dann besteht die Aufnahmeschicht 3 vorzugsweise aus zumindest einem Glied, ausgewählt aus (i) 3. Übergangsmetallen, und zumindest aus einem Element, ausgewählt aus (iii) Seltenerdmetallen, oder sie besteht aus zumindest einem Glied, ausgewählt aus (i) 3. Übergangsmetallen, (ii) aus einem korrosionsbeständigen Metall und zumindest einem Element der (iii) Seltenerdmetalle.
Die hier verwendeten 3. Übergangsmetalle beinhalten Fe, Co, Ti, V, Cr, Mn, Ni, Cu und Zn. Fe oder Cu bzw. beide zusammen sind unter diesen Metallen besonders bevorzugt.
Das korrosionsbeständige Metall (ii) kann die Oxydationsbeständigkeit dieser magnetooptischen Aufnahmeschicht als Aufnahmeschicht 3 durch Inkorporation des korrosionsbeständigen Metalls in die Aufnahmeschicht 3 verbessern. Zu den verwendeten korrosionsbeständigen Metallen gehören Pt, Pd, Ti, Zr, Ta, Mo, Nb und Hf. Bevorzugt unter diesen Metallen sind Pt, Pd und Ti und besonders Pt oder Pd oder beide zusammen.
Die verwendeten Seltenerdmetalle (iii) beinhalten zum Beispiel Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm und Eu.
Bevorzugt unter diesen Metallen sind Gd, Tb, Dy, Ho, Nd, Sm und Pr.
Diese oben erwähnte magnetooptische Aufnahmeschicht sollte am besten das 3. Übergangsmetall (i) in einer Menge von 30-85 Atom-%, vorzugsweise von 40-70 Atom-%, das korrosionsbeständige Metall (ii) in einer Menge von weniger als 30 Atom-%, vorzugsweise von 5-25 Atom-%, und das Seltenerdmetall (iii) in einer Menge von 5-50Atom-%, vorzugsweise von 25-45 Atom-%, enthalten.
Wenn die Aufnahmeschicht 3 anders als die magnetooptische Aufnahmeschicht, z. B. diese Aufnahmeschicht eine Phasentauschschicht, ist, dann besteht die Aufnahmeschicht 3 aus einem Legierungsüberzug, der z.B. hauptsächlich aus Te oder Se besteht, und aus einem Te-Ge-Sb-Legierungsüberzug, einem In-Sb-Te-Legierungsüberzug, einem Te-Ge-Cr-Legierungsüberzug oderTe-Ge-Zn-Legierungsüberzug. Als Phasentausch-Aufnahmeschicht kann ebenfalls eine organische Farbstoffschicht aus Polymethin- oder Cyanin-Verbindungen verwendet werden.
Die Dicke der Aufnahmeschicht 3, obwohl nicht begrenzt, beträgt 50-5000Ä, vorzugsweise 100-2 000Ä.
In dem ersten erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmedium ist die Metallschicht aus einer Aluminium-Legierung hergestellt, die 0,1-10 Atom-% von zumindest einem Element (Metall), ausgewählt aus Hafnium und Niobium, enthält.
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Konkret besteht Metallschicht 4 aus einer Aluminium-Legierung, die 0,1 bis 10 Atom-%, vorzugsweise 1-6Atom-% Hafnium (Hf) enthält, aus einer Aluminium-Legierung, die 0,1-10 Atom-%, vorzugsweise 1-6 Atom-% Niobium (Nb) enthält, oder aus eine Aluminium-Legierung, die Hafnium und Niobium in eine Gesamtmenge von 0,1-10 Atom-% enthält.
Die oben erwähnte Metallschicht 4 kann kleine Mengen von zumindest einem von anderen Metallen (Elementen) zusätzlich zu Aluminium, Hafnium und/oder Niobium enthalten. Dieses oben erwähnte andere Metall beinhaltet z. B. Chromium (als Cr nur in einer Al-Nb-Legierung), Silicium (Si), Tantal (Ta), Kupfer (Cu), Wolfram (W), Zirconium (Zr), Mangan (Mn), Magnesium (als Mg nur in einer Al-Nb-Legierung) und Vanadium (V). Der Gehalt dieser anderen Metalle, falls vorhanden, in der Metallschicht beträgt normalerweise weniger als 5 Atom-%, vorzugsweise weniger als 2 Atom-%.
Im zweiten erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmedium ist die Metallschicht aus einer Aluminium-Legierung hergestellt, die 0,1 bis 9,5 Atom-%, vorzugsweise 1—5 Atomprozent Hafnium und 0,1—5 Atom-%, vorzugsweise 1—3 Atom-% Chromium enthält.
In dieser Aluminium-Legierung beträgt der gebundene Gehalt an Hafnium und Chromium vorzugsweise weniger als
Im dritten erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmedium ist die Metallschicht aus einer Aluminium-Legierung hergestellt, die 0,1—9,5Atom-%, vorzugsweise 1—5 Atom-% Hafnium, 0,1—5Atom-%, vorzugsweise 1—3 Atom-% Chromium und 0,1-9,5 Atom-%, vorzugsweise 1-5 Atom-% Titanium enthält.
In dieser Aluminium-Legierung beträgt der gebundene Gehalt an Hafnium, Chromium und Titanium vorzugsweise weniger als
Die Metallschichten der erfindungsgemäßen zweiten und dritten Informationsaufzeichnungsmedien können zusätzlich zu Aluminium, Hafnium, Chromium undTitatnium geringe Mengen von zumindest einem anderer Elemente (Metalle) enthalten.
Solche anderen Elemente (Metalle) beinhalten z.B. Silicium (Si), Tantal (Ta), Kupfer (Cu), Wolfram (W), Zirconium (Zr), Mangan (Mn) und Vanadium (V). Die Menge dieser anderen Elemente (Metalle), falls vorhanden, in der Metallschicht beträgt normalerweise weniger als 5 Atom-%, vorzugsweise weniger als 2 Atom-%.
Im vierten erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmedium ist die Metallschicht aus einer Aluminium-Legierung hergestellt, die 0,5-5 Atom-%, vorzugsweise 1-3 Atom-% Hafnium und 0,5-5 Atom-%, vorzugsweise 1-3 Atom-% Titanium enthält.
In dieser Aluminium-Legierung beträgt der gebundene Gehalt an Hafnium und Titanium 1-5,5 Atom-%, vorzugsweise 2-40 Atom-%.
Die oben dargestellte Metallschicht des erfindungsgemäßen vierten Informationsaufzeichnungsmediums kann ebenfalls zusätzlich zu Aluminium, Hafnium und Titanium kleine Mengen von mindestens einem anderer Elemente (Metalle) enthalten.
Solche anderen Metalle (Elemente) beinhalten z.B. Silicium (Si), Tantal (Ta), Kupfer (Cu), Wolfram (W), Zirconium (Zr), Mangan (Mn) und Vanadium (V). Die Menge dieser anderen Elemente (Metalle), falls vorhanden, in der Metallschicht beträgt normalerweise weniger als 5 Atom-%, vorzugsweise weniger als 2 Atom-%.
Das fünfte erfindungsgemäße Informationsaufzeichnungsmedium hat eine Metallschicht aus einer Aluminium-Legierung, die 0,1-10 Atom-%, vorzugsweise 1-5 Atom-% Hafnium und 0,1-10 Atom-%, vorzugsweise 1-5 Atom-% Magnesium enthält.
In dieser Aluminium-Legierung beträgt der gebundene Gehalt an Hafnium und Magnesium weniger als 15 Atom-%, vorzugsweise 1—10 Atom-%.
In dem sechsten erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmedium ist die Metallschicht aus einer Aluminium-Legierung hergestellt, die 0,1-10 Atom-%, vorzugsweise 1-5 Atom-% Hafnium, 0,1-10 Atom-%, vorzugsweise 1-5 Atom-% Magnesium und 0,1-10 Atom-%, vorzugsweise 1-5 Atom-% Titanium enthält.
In dieser Aluminium-Legierung beträgt der gebundene Gehalt an Hafnium und Titanium 1-5,5 Atom-%, vorzugsweise 2-4 Atom-%.
Die oben dargestellte Metallschicht des vierten erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmediums kann zusätzlich zu Aluminium, Hafnium und Titanium kleine Mengen eines anderer Elemente (Metalle) enthalten. Solche anderen Elemente (Metalle) beinhalten z. B. Silicium (Si),Tantal (Ta), Kupfer (Cu), Wolfram (W), Zirconium (Zr), Mangan (Mn) und Vanadium (V). Die Menge dieser anderen Elemente (Metalle), falls vorhanden, in der Metallschicht beträgt normalerweise weniger als 5 Atom-%, vorzugsweise weniger als 2 Atom-%.
Im fünften erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmedium ist die Metallschicht aus einer Aluminium-Legierung hergestellt, die 0,1-10 Atom-%, vorzugsweise 1-5 Atom-% Hafnium und 0,1-10 Atom-%, vorzugsweise 1-5 Atom-% Magnesium enthält.
In dieser Aluminium-Legierung beträgt der gebundene Gehalt an Hafnium und Magnesium weniger als 15 Atom-%, vorzugsweise 1-10 Atom-%.
Im sechsten erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmedium ist die Metallschicht aus einer Aluminium-Legierung hergestellt, die 0,1-10 Atom-%, vorzugsweise 1-5 Atom-% Hafnium, 0,1-10 Atom-%, vorzugsweise 1-5 Atom-% Magnesium und 0,1-10 Atom-%, vorzugsweise 1-5 Atom-% Titanium enthält.
In dieser Aluminium-Legierung beträgt der gebundene Gehalt an Hafnium, Magnesium und Titanium wünschenswerterweise weniger als 15 Atom-%, vorzugsweise 1-10 Atom-%.
Im siebenten erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmedium ist die Metallschicht aus einer Aluminium-Legierung hergestellt, die 0,1-10 Atom-%, vorzugsweise 1-5 Atom-% Hafnium, 0,1-10 Atom-%, vorzugsweise 1-5 Atom-% Magnesium und höchstens 10 Atom-%, vorzugsweise 0,1-10 Atom-%, noch mehr vorzugsweise 1-5 Atom-% Chromium enthält.
In dieser Aluminium-Legierung beträgt der gebundene Gehalt an Hafnium, Magnesium und Chromium wünschenswerterweise
wenigerals 15 Atom-%, vorzugsweise 1-10 Atom-%. ,
Im achten erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmedium ist die Metallschicht aus einer Aluminium-Legierung hergestellt, die 0,1-10 Atom-%, vorzugsweise 1-5 Atom-% Magnesium, weniger als 10 Atom-%, vorzugsweise 1-5 Atom-% Chromium und 0,1-10 Atom-%, vorzugsweise 1-5 Atom-% Titanium enthält.
In dieser Aluminium-Legierung beträgt der gebundene Gehalt an Hafnium, Magnesium, Chromium und Titanium wünschenswerterweise weniger als 15 Atom-%, vorzugsweise 1-10 Atom-%.
Im fünften, sechsten, siebenten und achten erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmedium können die Metallschichten je geringe Mengen von zumindest einem anderer Elemente (Metalle) zusätzlich zu Hafnium, Magnesium, Titanium und Chromium enthalten. Solche geringen Mengen anderer Elemente (Metalle) beinhalten z.B. Silicium (Si),Tantal (Ta), Kupfer (Cu), Wolfram (W), Zirconium (Zr), Mangan (Mn) und Vanadium (V). Die Menge dieser anderen Elemente (Metalle), falls vorhanden, in der Metallschicht beträgt normalerweise weniger als 5 Atom-%, vorzugsweise weniger als 2 Atom-%.
Die Dicke der oben erwähnten Metallschichten beträgt 100-5000Ä, vorzugsweise 500-3000Ä und besonders 700-2000Ä.
Die erfindungsgemäß verwendeten Metallschichten fungieren als gute Wärmeleitungsschichten, und in Anwesenheit dieser Metallschichten kann das Mittelteil der Pits in den Aufnahmeschichten vor Überhitzung infolge der Wirkung des abtastenden Laserstrahls geschützt werden. Infolgedessen kommt in Betracht, daß die Abhängigkeit der erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmedien von der Abtastgeschwindigkeit gering ist.
Die erfindungsgemäßen Metallschichten, die ebenfalls eine hohe Korrosionsbeständigkeit aufweisen, sind dadurch gekennzeichnet, daß die Abhängigkeit der Informationsaufzeichnungsmedien von der Abtastgeschwindigkeit auch nach Langzeitnutzung gering ist und daß die Metallschichten einen ausgezeichneten Schutz der Aufnahmeschichten bieten.
Die Struktur der Informationsaufzeichnungsmedien der Erfindung, ersichtlich in Bild 1, ist ohne Einschränkungen dargestellt.
Zum Beispiel können sie mit einem Schutzüberzug (einer Erhöhungsschicht) 5 auf dem erwähnten Substrat 5 vor dem Aufbringen der Aufnahmeschicht 3 und der Metallschicht 4 versehen werden. Die Schutzschicht (Erhöhung) 5 wird am besten hergestellt aus Si3N4, SiNx (0 < x < V3), AIN, ZnSe, ZnS, Si oder CdS, obwohl nicht darauf beschränkt. Die Dicke dieser Schutzschicht beträgt 100-1 000Ä, vorzugsweise 300-850Ä. Besonders bevorzugte Substanzen zur Herstellung der Schutzschicht sind Si3N4 und SiNx (0 < χ < Ah) hinsichtlich der Rißfestigkeit.
Die Schutzschicht soll die Aufnahmeschicht schützen und somit gleichzeitig die Empfindlichkeit des Informationsaufzeichnungsmediums erhöhen und als Schutzschicht wirken. Diese Schutzschicht hat wünschenswerterweise einen Brechungsindex, der größer als der des Substrats ist.
Die erfindungsgemäßen Informationsaufzeichnungsmedien können hergestellt werden, indem die Aufnahmeschicht und die Metallschicht auf das Substrat aufgebracht werden, und falls notwendig, zur Herstellung der Schutzschicht überzugbildende Verfahren wie z. B. Vakuumaufdampfung, Vakuumzerstäubung, Elektronenstrahlaufdampfung u.a. angewendet werden.
Nutzen der Erfindung
Die Informationsaufzeichnungsmedien dieser Erfindung mit einer Metallschicht, die aus einer besonderen Aluminium-Legierung besteht, verfügen über eine ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit, eine geringe Abhängigkeit der Aufnahmeleistung von der Abtastgeschwindigkeit und über einen guten Schutz der Aufnahmeschicht. Die nachfolgende Darstellung der Erfindung bezieht sich auf die Beispiele, was nicht bedeutet, daß sie sich auf die Beispiele beschränkt.
Der Begriff „optimale Aufnahmeleistung" in den folgenden Beispielen kennzeichnet eine Aufnahmeleistung, deren Schreibsignale bei einer Frequenz von 1 MHz und eine Arbeitsphase von 50% aufgenommen werden und die die sekundären harmonischen Oberschwingungen der reproduzierten Signale minimal hält. Aufnahmemedien haben eine größere Abhängigkeit von der Abtastgeschwindigkeit, während Informationsaufzeichnungsmedien eine geringere Differenz hinsichtlich der optimalen Aufnahmeleistungen bei verschiedenen Abtastgeschwindigkeiten aufweisen.
Im folgenden wrude die Korrosionsbeständigkeit der Metallschicht zuerst mit folgendem Verfahren geprüft.
Eine Metallschicht aus einer Aluminium-Hafnium-Legierung wurde bis zu einer Dicke von 700Ä durch Vakuumzerstäubung unter Verwendung eines Aluminium-Hafnium-Verbund-Targets auf ein Glassubstrat aufgebracht. Der Hafnium-Gehalt in der Aluminium-Hafnium-Legierung (Schicht), aus der die Metallschicht besteht, betrug 4 Atom-% und der Aluminiumgehalt 96 Atom-%.
Die entstandene Metallschicht wurde 4 Stunden bei 60"C in eine wäßrige Lösung getaucht, die 10 Ma.-% Natriumchlorid enthält, wobei die Korrosionsbeständigkeit der Metallschicht durch Messen der Veränderungen des Reflexionsvermögens der Metallschicht bestimmt wurde.
Das Reflexionsvermögen der Metallschicht unterlag vor und nach dem Tauchen in wäßriger Natriumchloridlösung keinen Veränderungen.
Eine Metallschicht aus einer Aluminium-Niobium-Legierung wurde bis zu einer Dicke von 700Ä durch Vakuumzerstäubung unter Verwendung eines Aluminium-Niobium-Verbund-Targets auf ein Glassubstrat aufgebracht. Der Niobium-Gehalt in der Aluminium-Niobium-Legierung (Schicht), aus der die Metallschicht besteht, betrug 4 Atom-%.
Diese Metallschicht wurde 4 Stunden bei 6O0C in eine wäßrige Lösung aus 10% Natriumchlorid getaucht, wobei die Korrosionsbeständigkeit der Metallschicht durch Messen der Veränderungen des Reflexionsvermögens der Metallschicht bestimmt wurde.
Das Reflexionsvermögen der Metallschicht unterlag vor und nach dem Tauchen der Metallschicht in wäßriger Natriumchloridlösung keinen Veränderungen.
Vergleichsbeispiel 1
Eine Metallschicht aus Aluminium wurde bis zu einer Dicke von 700Ä durch Vakuumzerstäubung unter Verwendung eines Aluminium-Targets auf ein Glassubstrat aufgebracht.
Diese Metallschicht wurde 4 Stunden bei 60"C in eine wäßrige Lösung aus 10% Natriumchlorid getaucht, wobei die Korrosionsbeständigkeit der Metallschicht durch Messen der Veränderungen des Reflexionsvermögens der Metallschicht wurde.
Das Reflexionsvermögen der Metallschicht, gemessen nach dem Tauchen in wäßriger Natriumchloridlösung, lag um etwa 30% niedriger als vor dem Tauchen der Metallschicht.
Auf eine Substratplatte, bestehend aus einem amorphen Ethylen-Copolymer mit 1,4,5,8-Dimethano-1,2,3,4,4a,5,8,8 a-Octahydronaphthalen (Strukturformel [/\γ\Λ , im weiteren als DMON abgekürzt bezeichnet), wobei das amorphe
Copolymer 59 Mol-% einer Ethylen-Einheit aufweist, bestimmt durch NMR-Analyse, weiterhin einen Staudinger-Index von (η) 0,42dl/g, gemessen in Decalin bei 135°C und eine Erweichungstemperatur (TMA) von 154"C, wurden nacheinander eine Schutzschicht aus Si3N4 bis zu einer Dicke von 1100Ä und eine Aufnahmeschicht aus Pt10Tb29Fe56Co6 bis zu einer Dicke von 260Ä durch Vakuumzerstäubung und darauf eine Metallschicht aus einer Aluminium-Hafnium-Legierung bis zu einer Dicke von 700Ä durch Vakuumzerstäubung unter Verwendung eines Aluminium-Hafnium-Verbund-Targets aufgebracht. Der Hafnium-Gehalt in der die Metallschicht ausmachenden Aluminium-Hafnium-Legierung betrug 4 Atom-% und der Aluminiumgehalt 96 Atom-%. Das so erhaltene Aufzeichnungsmedium wurde etwa 720 Stunden bei 800C und einer relativen Feuchte von 85% gehalten, wobei die Korrosionsbeständigkeit der Metallschicht und die Schutzfunktion der Metallschicht gegenüber der Aufnahmeschicht durch Messen der Veränderungen im Reflexionsvermögen des Informationsaufzeichnungsmediums bewertet wurde. Das Reflexionsvermögen des Informationsaufzeichnungsmediums unterlag vor und nach dem Halten der Metallschicht bei 800C und bei einer relativen Feuchte von 85% keinen Veränderungen.
Diese Tatsache bedeutet, daß die Metallschicht eine ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit und einen guten Schutz der Aufnahmeschicht aufweist.
Beispiel 3 wurde wiederholt mit der Ausnahme, daß die Metallschicht mit einer Dicke von 500Ä angelegt wurde.
Das so erhaltene Informationsaufzeichnungsmedium wurde etwa 720 Stunden bei 80°C und bei einer relativen Feuchte von 85% zur Messung des Reflexionsvermögens des Informationsaufzeichnungsmediums gehalten, wobei das Reflexionsvermögen des Informationsaufzeichnungsmediums keinen Veränderungen unterlag.
Die optimale Aufnahmeleistung dieses Informationsaufzeichnungsmediums bei einer Abtastgeschwindigkeit von 5,7 m/s betrug 3,7 mW, und die optimale Aufnahmeleistung bei einer Abtastgeschwindigkeit von 11,3 m/s betrug 5,2 mW.
Vergleichsbeispiel 2
Auf ein in Beispiel 3 verwendetes Substrat wurden nacheinander eine Schutzschicht aus Si3N4 und eine Aufnahmeschicht aus Pt10Tb29Fe55Co6 durch Vakuumzerstäubung und darauf eine Metallschicht aus Aluminium bis zu einer Dicke von 700Ä durch Vakuumzerstäubung unter Verwendung eines Aluminium-Targets aufgebracht.
Das so erhaltene Informationsaufzeichnungsmedium wurde etwa 720 Stunden bei 800C und bei einer relativen Feuchte von 85% gehalten, wobei die Korrosionsbeständigkeit der Metallschicht und die Schutzfunktion der Metallschicht gegenüber der Aufnahmeschicht durch Messen der Veränderungen im Reflexionsvermögen der Metallschicht bewertet wurden.
Das Reflexionsvermögen des erwähnten Informationsaufzeichnungsmediums, gemessen nach dem Halten unter den obigen Bedingungen, war etwa 15% niedriger als der Wert vor dem Halten des Mediums unter den erwähnten Bedingungen.
Danach wurde die Korrosionsbeständigkeit einer Metallschicht aus einer Aluminium-Hafnium-Chromium-Legierung nach folgendem Verfahren geprüft.
Auf ein Glassubstrat wurde eine Metallschicht aus einer Aluminium-Hafnium-Chromium-Legierung bis zu einer Dicke von 1 000Ä durch Vakuumzerstäubung unter Verwendung eines Aluminium-Chromium-Hafnium-Verbund-Targets aufgebracht.
Der Gehalt an Hafnium und an Chromium in der entstandenen Metallschicht betrug je 2 Atom-%.
Diese Metallschicht wurde 4 Stunden bei 600C in eine wäßrige Lösung aus 10% Natriumchlorid getaucht, wobei die Korrosionsbeständigkeit der Metallschicht durch Messen der Veränderungen im Reflexionsvermögen der Metallschicht bestimmt wurde.
Das Reflexionsvermögen der Metallschicht unterlag vor und nach dem Tauchen in der wäßrigen Natriumchloridlösung keinen Veränderungen.
Die Zahl der feinen Löcher, festgestellt in der Metallschicht nach dem oben erwähnten Tauchen, betrug weniger als 50 (45) je Oberflächeneinheit (5cm x 5cm).
Auf ein in Beispiel 3 verwendetes Substrat wurden nacheinander eine Schutzschicht (1100Ä Dicke) aus Si3N4 und eine Aufnahmeschicht (260Ä Dicke) aus Pt10Tb29Fe55Co6 durch Vakuumzerstäuburig und darauf eine Metallschicht (500Ä Dicke) aus einer Al-Cr-Hf-Legierung durch Vakuumzerstäubung unter Verwendung eines Al-Cr-Hf-Verbund-Targets aufgetragen. Der Chromiumgehalt und der Hafniumgehalt in der Aluminium-Legierung (Schicht) der Metallschicht betrug je 2 Atom-%.
Das so erhaltene Informationsaufzeichnungsmedium wurde etwa 720 Stunden bei 800C und bei einer relativen Feuchte von 85% gehalten, wobei die Korrosionsbeständigkeit der Metallschicht und die Schutzfunktion der Metallschicht gegenüber der Aufnahmeschicht durch Messen der Veränderungen in dem Reflexionsvermögen der Metallschicht und im Oberflächenprofil der Metallschicht bestimmt wurden.
Das Reflexionsvermögen der Metallschicht unterlag vor und nach dem Halten bei 8O0C und bei einer relativen Feuchte von 85% keinen Veränderungen.
Die optimale Aufnahmeleistung dieses Informationsaüfzeichnungsmediums bei einer Abtastgeschwindigkeit von (5,7) m/s betrug (3,6) mW, und die optimale Aufnahmeleistung bei einer Abtastgeschwindigkeit von (11,3) m/s betrug (5,3) mW.
Auf ein in Beispiel 3 verwendetes Substrat wurden nacheinander eine Schutzschicht (1000Ä Dicke) aus Si3N4 und eine Aufnahmeschicht (500Ä Dicke) aus Pt10Tb29Fe65Co6 durch Vakuumzerstäubung und darauf eine Metallschicht (700Ä Dicke) aus einer Al-Cr-Hf-Legierung durch Vakuumzerstäubung unter Verwendung eines Al-Cr-Hf-Verbund-Targets aufgebracht. Der Chromiumgehalt und der Hafniumgehalt in der Aluminium-Legierung (Schicht) der Metallschicht betrug je 2 Atom-%.
Das so erhaltene Informationsaufzeichnungsmedium wurde etwa 720 Stunden bei 800C und bei einer relativen Feuchte von 85% gehalten, wobei die Korrosionsbeständigkeit der Metallschicht und die Schutzfunktion der Metallschicht gegenüber der Aufnahmeschicht durch Messen der Veränderungen im Reflexionsvermögen der Metallschicht und im Oberflächenprofil der Metallschicht bestimmt wurden.
Das Reflexionsvermögen der Metallschicht unterlag vor und nach dem Halten bei 80°C und einer relativen Feuchte von 85% keinen Veränderungen.
Vergleichsbeispiel 3
Auf ein Glassubstrat wurde eine Metallschicht aus einer Aluminium-Chromium-Legierung bis zu einer Dicke von 1000Ä durch Vakuumzerstäubung unter Verwendung eines Aluminium-Chromium-Verbund-Targets aufgebracht.
Der Chromiumgehalt der entstandenen Metallschicht betrug 2 Atom-%.
Diese Metallschicht wurde 4 Stunden bei 600C in eine wäßrige Lösung aus 10% Natriumchlorid getaucht.
Nach dem vierstündigen Tauchen wurden die Veränderungen im Reflexionsvermögen und im Oberflächenprofil der Metallschicht bestimmt. Das Reflexionsvermögen der Metallschicht hatte sich um etwa 2% verschlechtert.
Die Zahl der in der Metallschicht festgestellten feinen Löcher betrug etwa 70 je Schichtflächeneinheit (5cm χ 5cm).
Vergleichsbeispiel 4
Eine Metallschicht mit 4 Atom-% Chromium wurde in der gleichen Weise wie in Vergleichsbeispiel 3 erzeugt, jedoch unter Verwendung eines Verbund-Targets einer Aluminium-Chromium-Legierung, anders in der Zusammensetzung als das in Vergleichsbeispiel 3 verwendete Verbund-Target.
Die Metallschicht wurde in eine wäßrige Natriumchloridlösung in der gleichen Weise wie in Vergleichsbeispiel 3 getaucht zur Messung der Veränderungen im Reflexionsvermögen und im Oberflächenprofil der Metallschicht nach dem Tauchen. Das Reflexionsvermögen der Metallschicht unterlag vor und nach dem Tauchen in wäßriger Natriumchloridlösung keinen Veränderungen, und die Zahl der in der Metallschicht festgestellten feinen Löcher nach dem Tauchen betrug etwa 70 je Schichtflächeneinheit (5cm x 5cm).
Danach wurde die Korrosionsbeständigkeit der Metallschichten aus einer Aluminium-Hafnium-Titanium-Legierung geprüft. Auf ein Glassubstrat wurde eine Metallschicht aus einer Aluminium-Hafnium-Titanium-Legierung durch Vakuumzerstäubung unter Verwendung eines Verbund-Targets aus Aluminium(AI)-Hafnium(Hf)-Titaniurn(Ti) angebracht. DerTitanium-Gehalt der so entstandenen Metallschicht betrug 1 Atom-% und der Hafniumgehalt 2 Atom-%. Diese Metallschicht wurde 4 Stunden bei 600C in eine wäßrige Lösung aus 10% Natriumchlorid getaucht, wobei die Korrosionsbeständigkeit der Metallschicht durch Messen der Veränderungen im Reflexionsvermögen der Metallschicht und des Oberflächenprofils der Metallschicht bestimmt wurde.
Das Reflexionsvermögen der Metallschicht unterlag vor und nach dem Tauchen der Metallschicht in wäßriger Natriumchloridlösung keinen Veränderungen, und die Zahl der in der Metallschicht festgestellten feinen Löcher nach dem Tauchen betrug weniger als 40 (38) je Schichtflächeneinheit (5 cm χ 5 cm).
Eine Metallschicht aus 2 Atom-% Titanium und 1 Atom-% Hafnium wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 8 erzeugt, jedoch unter Verwendung eines Verbund-Targets aus einer Aluminium-Titanium-Hafnium-Legierung, anders in derZusammensetzung als das Verbund-Target in Beispiel 8.
Diese Metallschicht wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 7 in der wäßrigen Natriumchloridlösung tauchbehandelt zur Bestimmung der Korrosionsbeständigkeit der Metallschicht durch Messen der Veränderungen im Reflexionsvermögen und im Oberflächenprofil der Metallschicht nach dem Tauchen.
Das Reflexionsvermögen der Metallschicht unterlag vor und nach dem Tauchen der Metallschicht in wäßriger Natriumchloridlösung keinen Veränderungen, und die Zahl der in der Metallschicht festgestellten feinen Löcher nach dem Tauchen betrug weniger als 40 (33) je Schichtflächeneinheit (5cm x 5cm).
Auf ein in Beispiel 3 verwendetes Substrat wurden nacheinander eine Schutzschicht (1100Ä Dicke) aus Si3N4 und eine Aufnahmeschicht (260Ä Dicke) aus PtioTb2gFe55Co6 durch Vakuumzerstäuben und darauf eine Metallschicht (500Ä Dicke) aus einer Al-Hf-Ti-Legierung durch Vakuumzerstäubung unter Verwendung eines Verbund-Targets aus Al-Hf-Ti aufgebracht.
Das so erhaltene Informationsaufzeichnungsmedium wurde etwa 720 Stunden bei 800C und bei einer relativen Feuchte von 85% gehalten, wobei die Korrosionsbeständigkeit der Metallschicht und die Schutzfunktion der Metallschicht durch Messen der Veränderungen im Reflexionsvermögen des Informationsaufzeichnungsmediums bestimmt wurde.
Das Reflexionsvermögen des Informationsaufzeichnungsmediums unterlag vor dem Halten unter obigen Bedingungen bei 800C und einer relativen Feuchte von 85% keinen Veränderungen.
Die optimale Aufnahmeleistung dieses Informationsaufzeichnungsmediums bei einer Abtastgeschwindigkeit von (5,7) m/s betrug (3,3) mW, und die optimale Aufnahmeleistung bei einer Abtastgeschwindigkeit von (11,3) m/s betrug (4,7) mW.
Vergleichsbeispiel 5
Eine Metallschicht mit 2 Atom-% Titanium wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 8 erzeugt, jedoch unter Verwendung eines Aluminium-Titanium-Verbund-Targets anstelle eines in Beispiel 8 verwendeten Aluminium-Titanium-Hafnium-Verbund-Targets.
Diese Metallschicht wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 8 in eine wäßrige Natriumchloridlösung getaucht zwecks Bestimmung der Veränderungen im Reflexionsvermögen und im Oberflächenprofil der Metallschicht nach dem Tauchen.
Das Reflexionsvermögen der Metallschicht verringerte sich um etwa 8% infolge des Tauchens der Metallschicht.
Die Zahl der in der Metallschicht festgestellten feinen Löcher betrug 51 je Schichtflächeneinheit (5cm x 5cm).
Vergleichsbeispiel 6
Eine Metallschicht aus einer Aluminium-Titanium-Legierung mit 4 Atom-% Titanium wurde in der gleichen Weise wie in Vergleichsbeispiel 5 erzeugt.
Diese Metallschicht wurde in der gleichen Weise wie in Beispiel 8 in wäßriger Natriumchloridlösung getaucht zwecks Bestimmung der Korrosionsbeständigkeit der Metallschicht durch Messen der Veränderungen des Reflexionsvermögens und des Oberflächenprofils der Metallschicht nach dem Tauchen.
Das Reflexionsvermögen der Metallschicht verschlechterte sich um etwa 2% infolge des Tauchens der Metallschicht.
Die Zahl der in der Metallschicht festgestellten feinen Löcher betrug mehr als 115 je Schichtflächeneinheit (5cm x 5cm).
Auf ein in Beispiel 3 verwendetes Substrat wurden nacheinander eine Schutzschicht (1 000Ä Dicke) aus Si3N4 und eine Aufnahmeschicht (500 A Dicke) aus Ft10Tb28Fe55Co6 durch Vakuumzerstäubung und darauf eine Metallschicht (700Ä Dicke) aus einer Al-Hf-Ti-Legierung durch Vakuumzerstäubung unter Verwendung eines Al-Hf-Ti-Verbund-Targets aufgebracht.
Das so erhaltene Informationsaufzeichnungsmedium wurde etwa 720 Stunden bei 800C und bei einer relativen Feuchte von 85% gehalten, wobei die Korrosionsbeständigkeit der Metallschicht und die Schutzfunktion der Metallschicht bestimmt wurden durch Messen der Veränderung im Reflexionsvermögen der Informationsaufzeichnungsschicht.
Das Reflexionsvermögen des Informationsaufzeichnungsmediums unterlag vor und nach dem Halten des Mediums bei 80°C und bei einer relativen Feuchte von 85% keinen Veränderungen.
Auf ein Glassubstrat wurde eine Metallschicht (1000Ä Dicke) aus einer Aluminium-Hafnium-Magnesium-Legierung durch Vakuumzerstäubung unter Verwendung eines Verbund-Targets aus Aluminium(AI)-Hafnium(Hf)-Magnesium(Mg) aufgebracht. Diese Metallschicht wurde 4 Stunden bei 60°C in einer wäßrigen Lösung aus 10% Natriumchlorid getaucht, wobei die Korrosionsbeständigkeit der Metallschicht bestimmt wurde durch Messen der Veränderung im Reflexionsvermögen der Metallschicht und des Oberflächenprofils der Metallschicht.
Das Reflexionsvermögen der Metallschicht unterlag vor und nach dem Tauchen in wäßriger Natriumchloridlösung keinen Veränderungen, und die Zahl der in der Metallschicht festgestellten feinen Löcher betrug weniger als 30 (25) je Schichtflächeneinheit (5cm χ 5cm).
Beispiel 13 und 14
Metallschichten wurden in der gleichen Weise wie in Beispiel 12 gebildet, jedoch unter Verwendung von in Tabelle 1 angegebenen Verbund-Targets.
Der Atomgehalt und die Zahl der in den Metallschichten festgestellten feinen Löcher sind in Tabelle 1 angegeben.
| Verbund-Target und Zusammen setzung der Metallschicht | Atom-%-ge- halt (%) Mg Hf Ti | Zahl derfeinen Löcher | |
| Beispiel 12 | Al-Mg-Hf | 4 4- | höchstens 30 (25) |
| Beispiel 13 | Al-Mg-Hf | 4 2- | höchstens 30 (30) |
| Beispiel 14 | Al-Mg-Hf-Ti | 4 2 1 | weniger als 30 (30) |
| Vergleichs beispiel? | Al-Mg | 5 - - | 70 |
Auf ein in Beispiel 3 verwendetes Substrat wurden nacheinander eine Schutzschicht (1100Ä Dicke) aus Si3N4 und eine Aufnahmeschicht (260Ä Dicke) aus Pt10Tb2SFe55Co6 durch Vakuumzerstäubung und darauf eine Metallschicht (500Ä Dicke) aus einer Al-Mg-Hf-Legierung durch Vakuumzerstäubung unter Verwendung eines Verbund-Targets aus Aluminium(AI)-HafniumfHf)-Magnesium(Mg) aufgebracht. Der Magnesiumgehalt betrug 4 Atom-%, der Hf-Gehalt 2 Atom-% in der die Metallschicht bildenden Aluminiumlegierung (Schicht).
Das so erhaltene Informationsaufzeichnungsmedium wurde etwa 720 Stunden bei 800C und einer relativen Feuchte von 85% gehalten.
Das Reflexionsvermögen des Informationsaufzeichnungsmediums unterlag vor und nach dem Halten des Mediums bei 800C und bei einer relativen Feuchte von 85% keinen Veränderungen.
Die optimale Aufnahmeleistung dieses Informationsaufzeichnungsmediumsbei einer Abtastgeschwindigkeit von (5,7) m/s betrug (4,0) mW, und die optimale Aufnahmeleistung bei einer linearen Geschwindigkeit von (11,3) m/s betrug (5,6) mW.
Vergleichsbeispiel 7
Auf ein Glassubstrat wurde eine Metallschicht (1000Ä Dicke) aus einer Aluminium-Magnesium-Legierung durch Vakuumzerstäubung unter Verwendung eines Verbund-Targets aus Aluminium-Magnesium aufgebracht.
Der Magnesiumgehalt der so erhaltenen Metallschicht beträgt 5 Atom-%.
Diese Metallschicht wurde 4 Stunden bei 600C in einer wäßrigen Lösung aus 10% Natriumchlorid getaucht.
Das Reflexionsvermögen der getauchten Metallschicht verschlechterte sich um etwa 2 % infolge des oben erwähnten Tauchens.
Die Zahl der in der Metallschicht festgestellten feinen Löcher betrug etwa 70 je Schichtflächeneinheit (5cm χ 5cm).
Claims (10)
1. Informations-Aufzeichnungsmedium mit einem Substrat und einer darauf angeordneten Aufzeichnungsschicht und einer metallischen Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß die metallische Schicht aus einer Aluminiumlegierung besteht, die 0,1 bis 10 Atom-% zumindest eines Elementes, ausgewählt aus Hafnium und Niobium, enthält, bezogen auf alle Atome, die die Aluminiumlegierung darstellen.
2. Informations-Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Element Hafnium in einer Menge von 0,1 bis 9,5 Atom-% vorhanden ist, und daß die Aluminiumlegierung zusätzlich 0,1 bis 5 Atom-% Chromium enthält, bezogen auf alle Atome, die die Aluminiumlegierung ausmachen, wobei der Gesamtgehalt an Hafnium und Chromium weniger als 10 Atom-% ausmacht.
3. Informations-Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Aluminiumlegierung zusätzlich noch 0,1 bis 9,5 Atom-% Titanium enthält, bezogen auf alle Atome, die die Aluminiumlegierung ausmachen, wobei der Gesamtgehalt an Hafnium, Chromium und Titanium weniger als 10 Atom-% ausmacht.
4. Informations-Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Element Hafnium in einer Menge von 0,5 bis 5 Atom-% vorhanden ist, und daß die Aluminiumlegierung zusätzlich 0,5 bis 5 Atom-% Titanium enthält, bezogen auf alle Atome, die die Aluminiumlegierung ausmachen, wobei der Gesamtgehalt an Hafnium und Titanium 1 bis 5,5 Atom-% ausmacht.
5. Informations-Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Element Hafnium in einer Menge von 0,1 bis 10 Atom-% vorhanden ist und daß die Aluminiumlegierung zusätzlich 0,1 bis 10 Atom-% Magnesium enthält, bezogen auf alle Atome, die die Aluminiumlegierung ausmachen, wobei der Gesamtgehalt an Hafnium und Magnesium weniger als 15 Atom-% ausmacht.
6. Informations-Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich noch 0,1 bis 10 Atom-% Titanium enthalten sind, bezogen auf alle Atome, die die Aluminiumlegierung ausmachen, wobei der Gesamtgehalt an Hafnium, Magnesium und Titanium weniger als 15 Atom-% ausmacht.
7. Informations-Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich höchstens 10 Atom-% Chromium enthalten sind, bezogen auf alle Atome, die die Aluminiumlegierung ausmachen, wobei der Gesamtgehalt an Hafnium, Magnesium und Chromium weniger als 15 Atom-% ausmacht.
8. Informations-Aufzeichnungsmedium nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich noch weniger als 10 Atom-% Chromium enthalten sind, bezogen auf alle Atome, die die Aluminiumlegierung ausmachen, wobei der Gesamtgehalt an Hafnium, Magnesium, Titanium und Chromium weniger als 15 Atom-% ausmacht.
9. Informations-Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufzeichnungsschicht eine magnetooptische Aufzeichnungsschicht ist.
10. Informations-Aufzeichnungsmedium nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die metallische Schicht eine Filmdicke von 100 bis 5000 Angström aufweist.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9720689 | 1989-04-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DD296177A5 true DD296177A5 (de) | 1991-11-21 |
Family
ID=14186147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DD33974890A DD296177A5 (de) | 1989-04-17 | 1990-04-12 | Informationsaufzeichnungsmedium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DD (1) | DD296177A5 (de) |
-
1990
- 1990-04-12 DD DD33974890A patent/DD296177A5/de not_active IP Right Cessation
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