DE69024109D1 - Halbleiterspeicheranordnung mit einer verbesserten Schreibsteuerschaltung - Google Patents

Halbleiterspeicheranordnung mit einer verbesserten Schreibsteuerschaltung

Info

Publication number
DE69024109D1
DE69024109D1 DE69024109T DE69024109T DE69024109D1 DE 69024109 D1 DE69024109 D1 DE 69024109D1 DE 69024109 T DE69024109 T DE 69024109T DE 69024109 T DE69024109 T DE 69024109T DE 69024109 D1 DE69024109 D1 DE 69024109D1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
control circuit
memory device
semiconductor memory
write control
improved write
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE69024109T
Other languages
English (en)
Other versions
DE69024109T2 (de
Inventor
Toru Suzuki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Publication of DE69024109D1 publication Critical patent/DE69024109D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE69024109T2 publication Critical patent/DE69024109T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 
DE69024109T 1989-06-19 1990-06-18 Halbleiterspeicheranordnung mit einer verbesserten Schreibsteuerschaltung Expired - Fee Related DE69024109T2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15767489 1989-06-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE69024109D1 true DE69024109D1 (de) 1996-01-25
DE69024109T2 DE69024109T2 (de) 1996-07-11

Family

ID=15654906

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE69024109T Expired - Fee Related DE69024109T2 (de) 1989-06-19 1990-06-18 Halbleiterspeicheranordnung mit einer verbesserten Schreibsteuerschaltung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4992983A (de)
EP (1) EP0404013B1 (de)
JP (1) JP2666526B2 (de)
DE (1) DE69024109T2 (de)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04214290A (ja) * 1990-12-12 1992-08-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
US5315549A (en) * 1991-06-11 1994-05-24 Dallas Semiconductor Corporation Memory controller for nonvolatile RAM operation, systems and methods
KR940010838B1 (ko) * 1991-10-28 1994-11-17 삼성전자 주식회사 데이타 출력 콘트롤 회로
KR960001863B1 (ko) * 1993-04-08 1996-02-06 삼성전자주식회사 반도체 메모리장치의 라이트신호 입력버퍼
US5406554A (en) * 1993-10-05 1995-04-11 Music Semiconductors, Corp. Synchronous FIFO having an alterable buffer store
US5822341A (en) * 1995-04-06 1998-10-13 Advanced Hardware Architectures, Inc. Multiport RAM for use within a viterbi decoder
JP4216415B2 (ja) 1999-08-31 2009-01-28 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
JP2006351108A (ja) * 2005-06-16 2006-12-28 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体記憶装置
KR100729358B1 (ko) * 2005-08-29 2007-06-15 삼성전자주식회사 멀티 버퍼 프로그램 스킴을 갖는 플래시 메모리 장치
US7355478B2 (en) * 2006-06-30 2008-04-08 Andrew Corporation RF amplifier with pulse detection and bias control

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58125291A (ja) * 1982-01-20 1983-07-26 Hitachi Ltd Ｍｏｓスタテイツク型ｒａｍ
JPS5956284A (ja) * 1982-09-24 1984-03-31 Hitachi Micro Comput Eng Ltd 半導体記憶装置
JPS59226958A (ja) * 1983-06-08 1984-12-20 Pioneer Electronic Corp メモリ−装置
JPS60179984A (ja) * 1984-02-27 1985-09-13 Nec Corp メモリ回路方式
GB2160046B (en) * 1984-04-20 1987-12-23 Hitachi Ltd Semiconductor memory device
JPH0831275B2 (ja) * 1986-09-09 1996-03-27 日本電気株式会社 メモリ回路
JPS63292483A (ja) * 1987-05-26 1988-11-29 Toshiba Corp 半導体メモリ
US4922957A (en) * 1989-03-08 1990-05-08 National-Oilwell Valve with replaceable seal element

Also Published As

Publication number Publication date
EP0404013B1 (de) 1995-12-13
JP2666526B2 (ja) 1997-10-22
JPH0386993A (ja) 1991-04-11
EP0404013A2 (de) 1990-12-27
US4992983A (en) 1991-02-12
DE69024109T2 (de) 1996-07-11
EP0404013A3 (de) 1993-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69317927D1 (de) Halbleiterspeicheranordnung mit einer Adressübergangsabfühlschaltung
KR890015268A (ko) 반도체 기억회로
DE68926811T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung
DE69032655T2 (de) Seitenspeicher-Steuerschaltung
DE69024851T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung
KR860004469A (ko) 메모리를 내장한 반도체 집적회로 장치
DE69232470T2 (de) Flash-löschbare Halbleiterspeicheranordnung mit verbesserter Zuverlässigkeit
DE3584362D1 (de) Nichtfluechtige halbleiterspeicheranordnung mit schreibeschaltung.
DE69125052T2 (de) Halbleiterspeichervorrichtung mit Redundanzschaltung
DE3882445D1 (de) Halbleiterspeichergeraet mit fehlerpruefschaltung.
DE68926124T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung
DE68921900T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung mit serieller Zugriffsanordnung.
DE69118220T2 (de) Halbleiterspeicher mit eingebauter Prüfschaltung
DE69024112T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung
DE69024109D1 (de) Halbleiterspeicheranordnung mit einer verbesserten Schreibsteuerschaltung
DE68921440D1 (de) Halbleiterspeicherschaltung mit einer verbesserten Wiederherstellungssteuerschaltung.
DE69024167T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung
DE68921062T2 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung mit einer Referenzspannungsgeneratorschaltung.
DE69121292T2 (de) Datenverarbeitungsgerät mit Prüfsteuerschaltung
DE3855792T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung mit verbesserter Ausgabeschaltung
KR900008675A (ko) 반도체기억장치
DE69327858T2 (de) Halbleiterspeichergerät mit einer Prüfschaltung
DE69128676T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung mit einer Wortleitungstreiberschaltung
DE69030863T2 (de) Halbleiterspeicheranordnung
DE69129603D1 (de) Halbleiterspeicheranordnung mit einem verbesserten Schreibmodus

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee