DE68919007T2 - Verfahren und Vorrichtung zur präzisen Lötzinnzuführung. - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur präzisen Lötzinnzuführung.Info
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- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 title claims description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 25
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 8
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 6
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 2
- 238000002716 delivery method Methods 0.000 claims 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000003872 feeding technique Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/27—Manufacturing methods
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- H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
- H05K13/04—Mounting of components, e.g. of leadless components
- H05K13/046—Surface mounting
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3478—Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/13111—Tin [Sn] as principal constituent
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/29111—Tin [Sn] as principal constituent
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/01006—Carbon [C]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/01018—Argon [Ar]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/01024—Chromium [Cr]
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- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verzinnungsgerät und insbesondere Mittel zum Aufbringen genau abgemessener Mengen Lötzinn auf Mikrominiaturschaltkreiskonfigurationen.
- Das Aufbringen von Lötzinnschichten genauer Dicke und Konfigurationen auf Leiterplatten mit dicht aneinander liegenden (z. B. 508 um (20 mils) oder weniger) Leiterbahnen bereitet besondere Schwierigkeiten. Lötzinn-Siebdruck ist nicht befriedigend, weil häufig ungleichmäßige Mengen von Lötzinn bleiben, wenn das Sieb abgezogen wird. Wenn das Lötzinn dann wieder aufgeschmolzen wird, um einen Chip an die Leiterbahnen anzulöten, kann es zwischen nebeneinanderliegenden Leiterbahnen "Lötbrücken" geben, die möglicherweise einen sprunghaft auftretenden Vollausfall zur Folge haben. Es wurde immer schwieriger, einen Siebdruckprozeß zu finden, wenn das Lötzinn mit eine Dicke von unter 50,8 um (0.002 Zoll) entweder erwünscht oder gefordert ist. Solche Dicken werden zum Befestigen von Paketen an Leiterplatten durch automatisches Filmbonden (Tape Automatic Bonding - TAB) verwendet und um sicherzustellen, daß es keine Lötbrücken gibt.
- Das TAB-Packen wird immer häufiger eingesetzt, weil es sich für die automatische Fertigung eignet und eine der am wenigsten teueren Packungskonfigurationen ist. Es ist daher wichtig, daß auch bei den scharfen Maßforderungen, die eine Voraussetzung für Lötsysteme mittels TAB-Packen sind, die Kosten für den Lötzinnauftrag möglichst gering bleiben.
- Auf dem Stand der Technik wurden bereits verschiedene Lösungen für das Präzisionsauftragen von Lötzinn versucht.
- Die EP-A-0273131 beschreibt ein Verfahren und ein Lötzinn- Zuführungsglied zum Auftragen diskreter Lötzinnkörper vorgegebener Größe auf die Leiter eines Bauteils mit anschließendem Auflötverfahren auf ein Substrat. Dieses Zuführungsglied besteht aus einer Platte mit einer nichtbenetzten Oberfläche, z. B. Titan, mit einer Anordnung von Hohlräumen, die dem Bauteil-Leitermuster entsprechen, wobei jeder Hohlraum ein Volumen aufweist, das der gewünschten, auf die Leiter aufzutragenden Lotmenge entspricht. Das Verfahren beinhaltet das Auftragen von Lötpaste auf das Zuführungsglied und das Füllen der Hohlräume durch Wischen über die Oberfläche. Das Bauteil wird auf das Zuführungsglied aufgelegt, wobei die Leiter die Lötpaste in den Hohlräumen berühren. Das Aufschmelzen der Lötpaste bondet einen diskreten Lotkörper einer genau vorgegebenen Größe an die einzelnen Leiter. Um das Übergehen des Lötzinns auf die Leiter durch Dochteffekt zu begrenzen, kann selektive Maskierung angewandt werden durch Auftragen einer wasserlöslichen Maskenschicht auf die Leiter und Abziehen der Maske aus ausgewählten Bereichen durch Aufsetzen des Bauteils auf eine Oberfläche, die vor dem Einsetzen des Bauteils auf das Zuführungsglied mit Wasser beschickt wird.
- Die US-A-4 209 893 sieht einen Lotträgerstreifen vor, wobei der Streifen gestanzt ist und Lotformteile in die ausgestanzten Bereiche gedrückt werden. Diese Technik ist zwar für verhältnismäßig große Schaltungskonfigurationen brauchbar, ist jedoch unbrauchbar für die Minitaur-TAB-Packungen aus dem Grund, weil mechanisches Stanzen zu ungenau ist.
- Sowohl US-A-4 354 629 als auch US-A-4 484 704 beschreiben ein System zum Zusammenfügen flacher oder Bandkabel mit Steckverbindern. Diese Patente offenbaren die Anwendung eines Paars Polymerbahnen, zwischen denen eine kontinuierliche Lotvorformatierung gepackt ist. Eine der Bahnen weist eine Reihe von Fenstern auf. Die Fenster stimmen mit den mit Lot zu versehenden Leitern überein, wobei Druck und Wärme aufgebracht wird, so daß das Lot aufgeschmolzen wird. Die Trennungen zwischen den nebeneinanderliegenden Fenstern verhindern das Ausbilden von Lötbrücken. Auch hier ist die Technik anwendbar für verhältnismäßig große Leiter/Leiterplattenanordnungen; sie ist jedoch nicht geeignet für Mikrominiaturschaltkreiskonfigurationen. Zum Beispiel würde die kontinuierliche Lotschicht unter den Fensterteilungen bei Schmelzen dahin tendieren, Lotbrücken zu bilden, wenn nahe aneinanderliegende Leiterbahnen verzinnt werden müssen.
- Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, wie beansprucht, ein Präzisions-Lötzinnzuführungsverfahren vorzusehen, das besonders für Mikrominiatur-Packungskonfigurationen geeignet ist.
- Eine weitere Aufgabe ist es, eine Präzisions-Lötzinnzuführungstechnik vorzusehen, die im allgemeinen bei den für Leiterplatten und Halbleitervorrichtungen eingesetzten Fertigungstechniken verwendet werden kann.
- Die Erfindung sieht dementsprechend eine Lötzinnzuführungsvorrichtung gemäß Definition in Anspruch 1 und ein Lötzinn- Zuführungsverfahren gemäß Anspruch 5 vor.
- Die vorliegende Erfindung benutzt einen Träger, auf dem eine dünne leitende Schicht aufgetragen wurde. Dieser leitende Dünnfilm besteht aus einem metallischen Material, das eine solche Oberflächenenergie aufweist, daß sie nicht ohne weiteres von dem Lot benetzt wird. Eine Formmaske wird auf den leitenden Dünnfilm aufgebracht, wobei die Maske Öffnungen aufweist, die ausgewählte Bereiche des leitenden Dünnfilms freiläßt. Dann wird Lötzinn in die Maskenöffnungen gebracht und haftet schwach an den freiliegenden Bereichen des leitenden Dünnfilms. Der Träger wird dann auf und genau übereinstimmend mit Leiterbahnbereichen eines Schaltungsträgers aufgebracht, so daß das Lot in den Maskenöffnungen nach den Leiterbahnbereichen des Schaltungsträgers ausgerichtet ist.
- Anschließend werden der Träger und die Schaltungsleiterbahnbereiche in Kontakt gebracht; das Lot an die Leiterbahnen gebondet; und der Träger wird zur weiteren Verwendung abgehoben.
- Zwecks besseren Verständnisses der vorliegenden Erfindung werden hier zusammen mit weiteren Aufgaben, Vorteilen und Möglichkeiten der Erfindung weitere bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung anhand der begleitenden Zeichnungen beschrieben; in diesen ist
- Fig. 1 eine Schnittansicht der Grundschicht mit einem aufgebrachten leitenden Dünnfilm;
- Fig. 2 zeigt die Struktur der Fig. 1 nach Auflegen einer Formmaske auf diesen;
- Fig. 3 ist eine Seitenansicht eines Galvanisierungsbades zum Aufbringen von Lötzinn in den Maskenöffnungen;
- Fig. 4 ist eine seitliche Schnittansicht der erfindungsgemäßen Lötzinnzuführungsbahn in genauer Ausrichtung über einem Schaltungsträger;
- Fig. 5 ist eine seitliche Schnittansicht des Schaltungsträgers nach Abziehen der Lötzinnzuführungsbahn.
- Die Fig. 1 zeigt eine erste Ausführungsform des erfindungsgemäßen Lötzinnzuführungssystems. In einer Ausführungsform besteht die Grundschicht 10 aus einem polymeren Träger oder Band, vorzugsweise aus einem Polyimid, das die erfindungsgemäß angewandten Betriebstemperaturen aushält. Vorzugsweise ist der Träger 10 ähnlich einem 35 mm Filmstreifen mit Radlochung versehen, die seine Vorwärts- und/oder Rückwärtsbewegung unter dem Präzisionsantrieb durch ein Zahnrad zulassen. Der Polymerträger könnte ganz leicht als individueller Träger konfiguriert werden, der das gewünschte Muster aufweist, oder auch als Gruppe individueller Träger in unterschiedlichen planaren Konfigurationen. Träger 10 ist metallisiert mit einer dünnen Schicht 12 aus einem Metall, das von einer Zinn/Blei-Lotschmelze nicht benetzt wird. Im besonderen müßte der leitende Dünnfilm 12 eine Oberflächenenergie haben, so daß sie kein starkes Oberflächen-Bonding mit einer Lotauflage eingehen kann, sondern eine schwache mechanische Bindung mit dem darauf abgelagerten Lot eingehen würde. Metalle wie Niob, Aluminium und Chrom erfüllen diese besondere Forderung.
- In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind sowohl der Träger 10 als auch der Metallisierungsdünnfilm 12 hinreichend transparent, daß die Übereinstimmungsmerkmale mit einer darunter liegenden Schaltkreisplatine durch sie hindurch wahrgenommen werden können. Eine sehr dünne Niobschicht (d.i. in der Größenordnung von 50 nm (500 Å) Dicke) erfüllt diese Forderung. Ein bevorzugtes Verfahren zum Aufbringen des Niob ist Aufstäuben, so daß eine Schicht mit verhältnismäßig konstanter Dicke erzeugt werden kann, die auf dem darunter liegenden Band 10 haftet.
- Jetzt wurde unter Bezugnahme auf Fig. 2 eine Maske 14 über den leitenden Dünnfilm 12 gelegt, die die Bereiche 16 und 18 freiläßt. Die Maske 14 erlaubt, daß Lötmasse selektiv auf den Bereichen 16 und 18 abgelagert wird während seine Ablagerung an anderen Stellen verhindert wird. Die Maske 14 kann permanent oder auch nicht-permanent sein. Wenn sie nichtpermanent ist, kann sie eine dünne Schicht Photolack beinhalten, der vor der Lotzuführung abgezogen wird. Eine permanente Lotmaske wird jedoch bevorzugt, weil sie wiederverwendbar und weniger aufwendig an Verarbeitungsschritten ist. Die Lotmaske muß in der Lage sein, den Lotaufschmelztemperaturen (z. B. 350ºC) zu widerstehen und muß die erforderlichen lithographischen Toleranzen und Stabilität aufweisen.
- Eine bevorzugte Maske besteht aus Polyimid, das bis zur Dicke der gewünschten Lotschicht aufgebaut wird. Die Maske kann durch eine Vielzahl bekannter Techniken ausgeformt werden. Zum Beispiel kann die Polyimidschicht aufgebracht, ausgehärtet und dann geätzt werden unter Verwendung einer üblichen Photolackmaske, um die Teile, wo das Lot aufgetragen werden soll, abzuarbeiten. Als Alternative läßt sich auch eine Photolackschicht direkt auf den leitenden Dünnfilm 12 auftragen, dann werden die Bereiche geöffnet, um diejenigen Stellen des leitenden Dünnfilms 12 freizulegen, wo das Lot nicht aufgebracht werden soll, und anschließend wird ein Polyimid elektrophoretisch auf die freigelegten leitenden Teile abgelagert.
- Wie in Fig. 3 schematisch dargestellt, wird die Anordnung gemäß Fig. 2 in ein Galvanisierbad, das Zinn- und Bleiionen im geeigneten Verhältnis enthält, gebracht, so daß bei Anlaufen der Elektroplattierung Ionen im richtigen Verhältnis auf die frei liegenden Bereiche des leitenden Dünnfilms 12 abgelagert werden. Bevorzugte Plattierungsdicken liegen zwischen 0,0127 mm und 0,0635 mm (0.0005 bis 0.0025 Zoll) Lot in den freiliegenden Bereichen 16 und 18.
- In Fig. 4 wurde der Lotzuführungsfilm umgekehrt und nach den mit Flußmittel überzogenen Kupferbahnen 20 und 22 auf der Leiterplatte 24 ausgerichtet. Die Ausrichtung des Lotzuführungsfilms und der Leiterplatte geschieht direkt, weil der Zuführungsfilm transparent ist und automatisch nach den Einrichtmerkmalen der darunter liegenden Leiterplatte ausgerichtet werden kann. Das Transparenzmerkmal ist nützlich bei der anfänglichen Einstellung und beim Einrichten des Mechanismus, der die relative Ausrichtung zwischen dem Zuführungsfilm und der darunter liegenden Leiterplatte steuert. Wenn wir also annehmen, daß ein mit Lochung versehener Film eingesetzt wird, läßt sich die Lage der Leiterplatte gegenüber dem Film einrichten und die Übereinstimmung nach Sicht durch den Film hindurch kontrollieren.
- Sobald der Lotzuführungsfilm in der richtigen Lage über der Leiterplatte 24 liegt, wird die Anordnung in eine Aufschmelzeinheit verbracht, in der die Loteinsätze 26 und 28 auf den Schmelzpunkt gebracht werden und sich auf den Leiterbahnen 20 und 22 ablagern. Wie bereits gesagt, weil der leitende Dünnfilm 12 vom Lot nicht benetzbar ist, bleiben auch keine Rückstände darauf haften und der Dünnfilm kann wieder verwendet werden. In Fig. 5 wird dann die fertige Schaltungsanordnung nach Abzug des Lotzuführungsfilms gezeigt.
- Der Lotzuführungsfilm kann dann erneut plattiert und verwendet werden. Der Film läßt sich lagern und erfordert auch kein aufwendiges Abschirmgerät. Ferner läßt sich durch Verändern der Dicke der Polyimidmaskenschicht 14 und Steuerung des Lotplattierungsprozesses die genaue Menge des ab zusetzenden Lots steuern.
- Der Prozeß gemäß Fig. 1-5 wurde durchgeführt unter Verwendung einer 0,0508 mm (0.002 Zoll) dicken Kapton-Polyimidfolie als Ausgangsmaterial (Kapton ist ein Warenzeichen der DuPont Corporation, Wilmington, Delaware). Das Material wird zunächst 5 Minuten lang in Sauerstoffatmosphäre mit einem Hintergrunddruck von 10 um bei 500 W HF saubergestäubt. Anschließend wurde es 5 Minuten lang in Argon mit einem Hintergrunddruck vom 5 um bei 500 W HF saubergestäubt. Anschließend wurde es unter Verwendung eines DC-Aufstäubsystems mit einer Nioblage auf eine Dicke von 20 nm (200 Å) beschichtet.
- Eine zweite Kapton-Folie mit einer Dicke von 0,0254 mm (0.001 Zoll) wurde mit einem Epoxid-modifizierten Acrylkleber ebenfalls in einer Dicke von 0.0254 mm (0.001 Zoll) beschichtet. Die zweite Folie wurde dann mechanisch gestanzt und ergab Öffnungen, die mit den zu beschichtenden Leiterbahnen übereinstimmten. Die zwei Folien wurden durch Heißpressen bei 130ºC für 45 Min. bei 2,87 · 10&supmin;¹ N/mm² (3 tons/sq.ft) laminiert.
- Dann wurde die Lotplattierung durchgeführt in einem handelsüblichen System unter Verwendung eines Solderex 60/40 Sn/Pb Galvanisierungsbades. (Solderex ist ein Warenzeichen der Sel- Rex Corporation, eines Unternehmens der OMI International, 75 River Road, Nutley, New Jersey 07110). Die Stromdichte wurde auf 21 mA/cm² eingestellt und ergab nach 35 Minuten 0,0508 mm (0.002 Zoll) Lotauftrag.
- Eine geeignete Leiterplatte mit Leiterbahnen, die mit der Lotmaske übereinstimmten, wurde mit Flußmittel Alpha 611 RMA (schwach aktiviertes Kolophonium) beschichtet (611 RMA ist ein Warenzeichen der Alpha Metals Inc., 600 Route 440, Jersey City, New Jersey 07304)
- Der Lotzuführungsfilm wurde von einem Werkzeug gehalten, das mit Unterdruck und Düsen zum Ausblasen von erhitztem Stickstoff ausgerüstet war. Der Lotzuführungsfilm wurde in Kontakt mit der zu beschichtenden Leiterplatte gebracht während auf 350ºC erwärmter Stickstoff für 10 s auf die Rückseite des Films geblasen wurde. Das Werkzeug legte dann Unterdruck an und die Lotzuführung wurde abgeschlossen.
- Als Alternative zum zweiten Kaptonfilm könnte ein Vacrel Permanentlackfilm mit einer Dicke von 0,0508 mm (0.002 Zoll) auf die erste Kaptonfolie aufgebracht werden, wobei das Niob bereits aufgetragen ist. (Vacrel ist ein Warenzeichen der DuPont Corporation, Wilmington, Delaware). Die Verbundfolie könnte dann unter Verwendung einer Glasmaske, die mit den mit Lot zu beschichtenden Leiterbahnen übereinstimmt, 10 s belichtet werden. Die Folien können sich dann 30 Minuten absetzen bevor sie in 1,1,1 Trichlorethan entwickelt und mit Stickstoff getrocknet werden. Dann erfolgt eine Drucktuchbelichtung für 2 Minuten, gefolgt von dreißigminütigem Einbrennen bei 150ºC, und ergibt eine permanente Maske aus dem Vacrel-Material.
Claims (7)
1. Lotzuführungsvorrichtung, enthaltend:
eine Grundschicht (10);
auf diese Grundschicht aufgebrachte leitende
Dünnfilmmittel (12) aus metallischem Material, die eine solche
Oberflächenenergie aufweisen, daß sie nicht leicht von dem
auf der Grundschicht aufgebrachten Lot benetzt werden;
eine mit einem Leiterbild versehene Maske (14), die auf
diesem leitenden Dünnfilmmittel aufgebracht ist, wobei
diese Maske Öffnungen aufweist, die ausgewählte Bereiche
(16, 18) dieses leitenden Dünnfilmmittels freilegt; und
Lot (26, 28), das auf diese Öffnungen aufgebracht wird und
schwach an diesen freigelegten Bereichen dieses leitenden
Dünnfilmmittels haftet.
2. Lotzuführungsvorrichtung gemäß Anspruch 1, die ferner
beinhaltet:
Mittel (31) zum Absetzen und Ausrichten dieser
Lotzuführungsvorrichtung auf Schaltkreismitteln (24), so daß
diese Schaltkreismittel mit dem Lotmuster genau
ausgerichtet sind; und
Mittel (32) zum Bewirken der Zuführung des Lots auf die
Schaltkreismittel.
3. Lotzuführungsvorrichtung gemäß Anspruch 2, wobei die
Grundschicht (10) und der leitende Dünnfilm (12)
transparent sind.
4. Lotzuführungsvorrichtung gemäß einem der vorstehenden
Ansprüche, in dem der leitende Dünnfilm (12) aus der
Gruppe Niob, Chrom und Aluminium ausgewählt wird.
5. Lotzuführungsverfahren mit einem Träger, einschließlich
einer Polymer-Grundschicht (10), einem daran haftenden
leitenden Dünnfilm (12) aus metallischem Material, wobei
dieser leitende Dünnfilm vom Lot nicht benetzbar ist, und
einer Maskenschicht (14), die ein Muster aus diskreten
Bereichen (16, 18) dieses leitenden Dünnfilms freilegt,
wobei dieses Verfahren beinhaltet:
Einsetzen dieses Trägers in eine Galvanisierungsbadlösung
aus Blei und Zinn im geeigneten Verhältnis, so daß es
Lötzinn enthält; und
Anlegen einer Spannung zwischen dem leitenden Dünnfilm und
einer Elektrode im galvanischen Bad zum Elektroplattieren
des Bleis und des Zinns auf diesen leitenden Dünnfilm, wo
dieser leitende Dünnfilm von der Maskenschicht freigegeben
ist.
6. Verfahren gemäß Anspruch 5, das ferner beinhaltet:
Ausrichten des Trägers auf einem leitende Bereiche
enthaltenden Substrat und Inkontaktbringen des Lotmusters mit
den leitenden Bereichen; und
Zuführen des Lotmusters von dem Träger auf die leitenden
Bereiche.
7. Verfahren gemäß Anspruch 6, wobei der Zuführungsschritt
das Beaufschlagen mit Wärme zwecks Aufschmelzens des
Lotmusters auf die leitenden Bereiche umfaßt.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/223,818 US4832255A (en) | 1988-07-25 | 1988-07-25 | Precision solder transfer method and means |
Publications (2)
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DE68919007D1 DE68919007D1 (de) | 1994-12-01 |
DE68919007T2 true DE68919007T2 (de) | 1995-05-04 |
Family
ID=22838087
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE68919007T Expired - Fee Related DE68919007T2 (de) | 1988-07-25 | 1989-05-26 | Verfahren und Vorrichtung zur präzisen Lötzinnzuführung. |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4832255A (de) |
EP (1) | EP0352432B1 (de) |
JP (1) | JPH02258166A (de) |
DE (1) | DE68919007T2 (de) |
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- 1989-06-19 JP JP1154818A patent/JPH02258166A/ja active Granted
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