Erfindungsgebiet
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Diese Erfindung betrifft emittergekoppelte Logikschaltungen (ECL) im
allgemeinen und im besonderen eine Schaltung, die die kapazitive Last
am Ausgang eines Emitterfolgers mit einem Impuls entlädt, dessen
Amplitude und Dauer durch die Ladung an der Last bestimmt werden.
Hintergrund der Erfindung
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Historisch ist einer der wichtigsten Vorteile bipolarer
Tansistortechnologie ihre Fähigkeit gewesen, bei relativ kleinen Bauteilabmessungen
große ohmsche und kapazitive Lasten zu treiben. Ein typisches
emittergekoppeltes Logikgatter umfaßt z.B. eine emittergekoppelte Logikstufe,
die mit einer Transistor-Emitterfolger-Ausgangsstufe gekoppelt st,
die DC-Pegel wiederherstellt. Die Emitterfolger-Ausgangsstufe entnimmt
einen Ausgangsstrom am Ausgang des ECL-Gatters, der eine
Exponentialfunktion der Emitter-Basis-Spannung des Ausgangstransistors ist. Wegen
der hohen Eingangsimpedanz des emittergekoppelten Logikgatters und der
niedrigen Ausgangsimpedanz aer Emitterfolger-Ausgangsstufe ist ein
Betrieb mit hohem Fan-Out möglich. Frühe, herkömmliche Emitterfolger-
Ausgangsstufen enthielten typischerweise einen zwischen den Ausgang
des ECL-Gatters und die negative Stromversorgung geschalteten
Widerstand als "Pulldown"-Einrichtung, die den Ruhestrom in der
Emitterfolger-Ausgangsstufe einstellt. Ein Problem tritt auf, wenn solche
herkömmlichen ECL-Gatter große kapazitive Lasten treiben, die entladen
werden müssen, denn der Ausgang des Gatters von einem ersten logischen
Pegel zu einem zweiten logischen Pegel schaltet. Bei ECL-Gattern nach
dem Stand der Technik muß der Entladestrom durch den Widerstand zu der
negativen Bersorgungsschiene des Gatters fließen. Da der Widerstand
einen viel größeren Wert hat als der "Ein"-Widerstand des
Emitterfolger-Transistors, ist die Entladung des Kondensators viel langsamer als
dessen Aufladung, da die Entladung mit einer fast konstanten Rate
erfolgt, die durch den Widerstand bestimmt wird. Folglich wird das an
das nachfolgende Gatter angelegte Eingangslogiksignal abgeschrägt.
Dies ist wegen der erhöhten Schwierigkeit beim Entwurf der übrigen
Schaltung infolge der abgeschrägten Flanken sehr unerwünscht.
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Um die Entladezeit zu verringern, kann der Wert des mit der
Emitterfolgerstufe des ECL-Gatters verbundenen Widerstands kleiner gemacht
werden. Die hat jedoch ein unerwünschtes Ansteigen der
Ruheverlustleistung zur Folge, da der durch die Emitterfolger-Ausgangsstufe
fließende Ruhestrom erhöht wird.
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Eine andere zuvor bekannte Treiberschaltung enthält einen "Pulldown"-
PNP-Transistor mit einem mit dem Ausgangsanschluß verbundenen Emitter,
einem mit der negativen Stromversorgung verbundenen Kollektor und mit
einer Basis, die mit einem Stromweg verbunden ist, der durch das
gleiche Signal angesteuert wird, das den Emitterfolger treibt. Die
derzeitige Technologie ist jedoch nicht in der Lage, einen Prozeß
bereitzustellen, um einen PNP-Transistor ausreichender Qualität im Hinblick
auf konkurrenzfähige Leistung hervorzubringen.
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Eine weitere zuvor bekannte Treiberschaltung enthält einen "Pulldown"-
NPN-Transistor mit einem mit dem Ausgangsanschluß verbundenen
Kollektor, einem mit der negativen Stromversorgung verbundenen Emitter und
mit einer Basis, die durch einen Kondensator mit einem Signal
verbunden ist, das umgekehrt zu dem ist, das den Emitterfolger treibt.
Diese Schaltung erzeugt einen hohen Entladestrom und einen niegrigen
Bereitschaftsstrom, jedoch ist der Entladestrom nicht proportional
der Lastkapazität.
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Eine andere zuvor bekannte Treiberschaltung ist in U.S.-Patent
Nummer 4,675,554 offenbart, welche der zuvor erwähnten Schaltung
ähnlich ist.
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Noch eine weitere zuvor bekannte Treiberschaltung ist in U.S.-Patent
Nummer 4,687,953 offenbart, worin eine dynamische
ECL-Umschalttreiberschaltung mit einem Stromanreicherungsteil offenbart ist, um den
Strom zur Basis des "Pulldown"-Transistors zu erhöhen. Der
Stromanreicherungsteil umfaßt differentiell verbundene erste und zweite
Transistoren, deren Kollektoren mit dem Ausgangsanschluß verbunden sind
und deren Emitter durch eine Stromquelle mit der negativen
Versorgungsspannung verbunden sind. Die Basis des ersten Transistors ist mit
einer Stromquellenspannung verbunden, und die Basis des zweiten
Transistors ist mit dem eigenen Kollektor und durch einen Widerstand mit
der Basis des "Pulldown"-Transistors verbunden. Ferner ist ein
Kondensator zwischen die Basis des zweiten Transistors und die Basis
eines
Transistors geschaltet, der Strom an den Ausgangsanschluß liefert.
Der Entladestrom dieser Schaltung ist der Lastkapazität nicht
proportional.
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Um bipolare ECL-Gatter in komplexen logischen Schaltungen zu
verwenden, muß der statische Leistungsbedarf des ECL-Gatters vermindert
werden, ohne Geschwindigkeit zu opfern. Außerdem müssen die bipolaren
ECL-Gatter in der Lage sein, Quell- und Sinkströme zu liefern, so daß
große kapazitive Lasten bei hoher Geschwindigkeit angesteuert werden
können, während die Ruheverlustleistung der ECL-Gatter gleichzeitig
minimiert wird.
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Noch eine weitere zuvor bekannte Treiberschaltung ist in der
Europäischen Patentanmeldung EP-A-0 294 163 offenbart, die Pullup- und
Pulldown-Schaltungen enthält. Diese Anmeldung stellt nach Artikel 54(3)
EPC den Stand der Technik dar und entspricht im wesentlichen Fig. 7
der vorliegenden Anmeldung mit Ausnahme eines weiteren, in den
Pulldown-Zweig eingefügten Widerstands, der Verbindung einer weiteren
Stromquelle mit dem Ausgangsknoten und der Verbindung des Kollektors
eines Transistors der Vergleichsschaltung mit dem Ausgangsknoten.
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Benötigt wird eine ECL-Umschalttreiberschaltung, die eine kapazitive
Last am Ausgang eines Emitterfolgers mit einem Impuls entlädt, dessen
Amplitude und Dauer durch die Ladung an der Last bestimmt werden.
Zusammenfassung der Erfindung
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Die Erfindung stellt folglich eine Schaltung zum Treiben einer Last an
einem Ausgang bereit, die logische Einrichtungen enthält, um erste und
weite Ausgangssignale an ersten und zweiten Knoten als Reaktion auf
ein Eingangssignal bereitzustellen. Die Schaltung enthält einen ersten
Transistor mit einer Basis, die mit dem ersten Knoten verbunden ist,
einem Emitter, der mit dem Ausgang der Schaltung verbunden ist, und
einem Kollektor, der mit einem ersten Stromversorgungsleiter
verbunden ist. Ein zweiter Transistor hat eine Basis, die eine
Referenzspannung empfängt, und einen Kollektor, der mit dem zweiten Knoten
verbunden ist. Ein dritter Transistor enthält eine Basis, die mit dem
Ausgang der Schaltung verbunden ist, und einen Kollektor, der mit dem
ersten Stromversorgungsleiter verbunden ist. Eine erste
Stromversorgungseinrichtung hat einen Ausgang, der mit den Emittern des zweiten
und dritten Transistors verbunden ist, um einen Strom zu liefern. Ein
vierter Transistor enthält eine Basis, die mit dem zweiten Knoten
verbunden ist, und einen Kollektor, der mit dem ersten
Stromversorgungsleiter verbunden ist, während ein fünfter Transistor eine Basis und
einen Kollektor besitzt, die gemeinsam mit dem Emitter des vierten
Transistors verbunden sind. Ein erster Widerstand ist zwischen den
Emitter des fünften Transistors und einen zweiten
Stromversorgungsleiter geschaltet, und ein sechster Transistor hat eine Basis, die mit
dem Emitter des fünften Transistors verbunden ist, und einen
Kollektor, der mit dem Ausgang der Schaltung verbunden ist. Ein zweiter
Widerstand ist zwischen den Emitter des sechsten Transistors und den
zweiten Stromversorgungsleiter geschaltet.
Kurzbeschreibung der Zeichnungen
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Fig. 1 ist ein Blockschaltbild der bevorzugten Ausführung der
vorliegenden Erfindung.
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Fig. 2 ist ein Schaltbild der bevorzugten Ausführung als zweiter
Ausführung.
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Fig. 3 ist ein Schaltbild der bevorzugten Ausführung als dritter
Ausführung.
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Fig. 4 ist ein Schaltbild der bevorzugten Ausführung als vierter
Ausführung.
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Fig. 5 ist ein Schaltbild der bevorzugten Ausführung als fünfter
Ausführung.
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Fig. 6 ist ein Blockschaltbild einer anderen Treiberschaltung.
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Fig. 7 ist ein Schaltbild einer Ausführung des Treibers von Fig. 6.
Ausführliche Beschreibung der Erfindung
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Auf Fig. 1 verweisend umfaßt die erfindungsgemäße Treiberschaltung
eine Logikschaltung 11, die jede Art von Logik, z.B. ein Gatter, ein
Register oder eine Speicherzelle, umfassen kann. Die Erfindung ist in
den nachfolgenden Zeichnungen als emittergekoppelte Logik dargestellt,
kann jedoch auch in anderen Logikfamilien implementiert werden. Eine
Pullup-Schaltung 12 ist mit einem Ausgangsanschluß 13 verbunden, um
diesem als Reaktion auf ein Digitalsignal 14 von der Logischaltung 11
Strom zuzuführen und eine Pulldown-Schaltung 15 ist mit dem
Ausgangsanschluß 13 verbunden, um von diesem als Reaktion auf ein Signal von
einem UND-Gatter 16 Strom anzuführen. Eine Vergleichsschaltung 17 ist
mit dem Ausgangsanschluß 13, um daran eine Ausgangsspannung zu
empfangen, und mit dem UND-Gatter 16 verbunden, um die Pulldown-Schaltung 15
freizugeben. Das UND-Gatter 16 ist ferner mit der Logikschaltung 11
verbunden, um die Pullwown-Schaltung 15 als Reaktion auf die Signale
von der Logikschaltung 11 und der Vergleichsschaltung 17 freizugeben.
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Das Signal 14, das einen ersten Digitalzustand von der Logikschaltung
11 darstellt, gibt die Pullup-Schaltung 12 frei, um Strom an den
Ausgangsanschluß 13 zu liefern, der eine daran angeschlossene kapazitive
Last 19 auflädt. Wenn sich das Signal 14 von der Logikschaltung 11 in
einen zweiten Zustand ändert, wird die Pullup-Schaltung 12 keinen
Strom mehr an den Ausgangsanschluß 13 liefern, und die
Pulldown-Schaltung 15 wird Strom davon abführen. Die Signale 14 und 18 umfassen
inverse Digitalsignale. Wenn sich das Signal 18 in den zweiten Zustand
ändert und die Ausgangsspannung an dem Ausgangsanschluß 13 eine
Referenzspannung übersteigt, gibt die Vergleichsschaltung 17 die
Pulldown-Schaltung 15 frei. Dieser Freigabeimpuls hat eine Amplitude und
eine Dauer (Zeitintegral), die durch die Ladung an der Last bestimmt
werden. Die Funktion wird weiter bei den nachstehend beschriebenen
ausführlicheren Ausführungen erläutert werden.
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Auf Fig. 2 verweisend umfaßt ein ausführliches Schaltbild des
Blockschaltbilds von Fig. 1 in ECL-Technologie zwei differentiell
verbundene Transistoren 21 und 22, deren Kollektoren durch die Widerstände
23 und 24 mit dem Versorgungsspannungsanschluß Vcc verbunden sind,
deren Basen mit einem Eingangsanschluß 25 bzw. der Referenzspannung VBB
verbunden sind, und deren Emitter mit dem Kollektor eines
Stromquellen-Transistors 26 verbunden sind. Die Basis des Transistors 26 ist
mit der Stromquellenspannung VCS verbunden und sein Emitter ist mit
dem Versorgungsspannungsanschluß VEE durch einen Widerstand 27
verbunden. Ein Emitterfolger-Transistor, oder Pullup-Transistor, 28 hat
einen Kollektor, der mit dem Versorgungsspannungsanschluß VCC
verbunden ist, eine Basis, die mit dem Kollektor des Transistors 22
verbunden ist, und einen Emitter, der mit einem Ausgangsanschluß 29
verbunden ist. Ein Pulldown-Transistor 21 hat einen Kollektor, der mit dem
Ausgangsanschluß 29 und einen Emitter, der durch einen Widerstand 32
mit dem Versorgungsspannungsanschluß VEED verbunden ist.
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Die differentiell verbundenen Transistoren 33 und 34 besitzen
Kollektoren, die mit dem Kollektor des Transistors 21 bzw. mit dem
Versorgungsspannungsanschluß VCC verbunden sind, Basen, die mit der
Spannungsreferenz VBB bzw. mit dem Ausgangsanschluß 29 verbunden sind,
und Emitter, die mit einem Stromquellen-Transistor 35 verbunden sind.
Der Transistor 35 hat eine Basis, die mit einer Stromquellenspannung
VCSD verbunden ist, und einen Emitter, der durch einen Widerstand 36
mit dem Versorgungsspannungsanschluß VEED verbunden ist. Ein
Transistor 37 hat einen Kollektor, der mit dem Versorgungsspannungsanschluß
VCC verbunden ist, und eine mit dem Kollektor des Transistors 21
verbundene Basis. Ein diodengeschalteter Transistor 38 hat einen
Kollektor und eine Basis, die mit dem Emitter des Transistors 37 verbunden
sind, und einen Emitter, der mit der Basis des Transistors 31 durch
einen Widerstand 39 mit dem Versorgungsspannungsanschluß VEED
verbunden ist.
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Im Betrieb wird der Transistor 34, angenommen, der Ausgang ist zu
Anfang in dem Hoch-Zustand, Strom von dem Stromquellen-Transistor 35
ziehen. Wenn der Eingang von Hoch nach Tief schaltet, schaltet das
differentielle Transistorpaar 21 und 22 die Zustände um, wodurch der
Strom von Widerstand 23 zu Widerstand 24 geleitet wird, wodurch sich
der Kollektor des Transistors 21 in Richtung der Versorgungsspannung
VCC bewegt. Diese ansteigende Kollektorspannung von Transistor 21
wird durch die Basis-Emitter-Übergänge der Transistoren 37 und 38
übertragen, um eine ansteigende Spannung an der Basis des Pulldown-
Transistors 31 zu erzeugen. Der Transistor 31 wird stärker leitend
werden, wobei er einen Entladestrom liefert, um die Ausgangsspannung
VOUT herunterzuziehen. Wenn die Ausgangsspannung VOUT unter VBB
fällt, wechseln die Differential-Transistoren 33 und 34 die Zustände,
wobei Transistor 33 den Strom des Transistors 35 zieht. Der Strom des
Transistors 33 zieht dann durch den Widerstand 23 herunter, um eine
fallende Spannung an der Basis des Transistors 37 zu erzeugen, die
den Stromfluß durch den Transistor 31 zurück zu dem
Bereitschaftsstrompegel reduziert, und der HOCH-Tief-Übergang ist vollendet. Der
Tief-Hoch-Übergang erfolgt in herkömmlicher Emitterfolgerart, wobei
der Transistor 28 den Ladestrom für die Anstiegsflanke der
Ausgangsspannung VOUT
liefert.
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In Fig. 3 lehrt eine andere Ausführung wie eine Vorspannung an die
Basis des Transistors 33 anzulegen ist. Die Komponenten von Fig. 3,
die denen von Fig. 2 ähnlich sind, sind mit gleichen Bezugszeichen
bezeichnet. Ein Transistor 41 hat einen Kollektor, der mit dem
Versorgungsspannungsanschluß VCC verbunden ist, eine Basis, die mit
dem Kollektor des Transistors 34 und durch einen Widerstand 42 mit
Versorgungsspannungsanschluß VCC verbunden ist, und einen Emitter,
der sowohl mit der Basis des Transistors 33 als auch mit dem
Kollektor eines Stromquellen-Transistors 43 verbunden ist. Der Transistor
43 hat eine Basis, die mit der Stromquellenspannung VCSD verbunden
ist, und einen Emitter, der durch einen Widerstand 44 mit dem
Versorgungsspannungsanschluß VEED verbunden ist. Diese
Schaltungsausführung stellt ein Verfahren bereit, um die Schalteigenschaften der
Differential-Transistoren 33 und 34 enger zu steuern. Die
Basisspannung des Transistors 33 ist die Basis-Emitter-Spannung des Transistors
41 plus der Spannung über dem Widerstand 42. Die Basisspannung des
Transistors 33 kann durch die Dimensionierung des Widerstands 42
angepaßt werden, um die Abschaltzeit des Pulldown-Transistors 31 zu
steuern, um so zu helfen, die Über- und Unterschwingungen der
Ausgangsspannung VOUT zu kontrollieren. Eine Offsetspannung 40 kann angelegt
werden, um die Hysterese zu zentrieren.
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In Fig. 4 lehrt eine andere Ausführung wie eine Spannungsversorgungs-
Kompensation auszuführen ist. Die Bauteile von Fig. 4, die denen von
Fig. 2 ähnlich sind, sind mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet
worden. Ein Transistor 45 hat einen Kollektor, der durch einen
Widerstand 49 mit dem Versorgungsspannungsanschluß VCC und mit der Basis
des Transistors 50 verbunden ist, eine mit der Spannung VCSD
verbundene Basis, und einen Emitter, der durch einen Widerstand 51 mit dem
Versorgungsspannungsanschluß VEED verbunden ist. Der Transistor 50
hat einen mit dem Versorgungsspannungsanschluß VCC verbunden
Kollektor und einen Emitter, der mit dem Kollektor und der Basis des
diodengeschalteten Transistors 57 verbunden ist. Der Emitter des Transistors
57 ist durch einen Widerstand 58 mit dem Versorgungsspannungsanschluß
VEED und mit der Basis des Transistors 46 verbunden. Der Transistor
46 hat einen mit der Basis des Transistors 38 und durch einen
Widerstand 47 mit dem Kollektor des Transistors 38 verbundenen Kollektor,
und einen Emitter, der durch einen Widerstand 48 mit dem
Versorgungsspannungsanschluß VEED verbunden ist. Diese Ausführung stellt ein
Verfahren zur Kompensation von VEED-Spannungsversorgungsabweichungen
bereit. Die Stromquelle, die den Transistor 46 und den Widerstand 48
umfaßt, stellt eine Spannung über dem Widerstand 47 ein. Eine
Vorspannung VCSD' wird an die Basis des Transistors 46 angelegt, um
Änderungen bei VEED in einer solchen Weise auszugleichen, daß eine VEED-
Spannungsänderung eins-zu-eins gegen eine Spannungsänderung über dem
Widerstand 47 gespiegelt wird. Die Transistoren 45, 50 und 57 und die
Widerstände 49, 51 und 58 liefern die Spannung VCSD an eine Mehrzahl
von Pulldown-Schaltungen 15. Eine richtige Regulierung der Spannung
VEED wird erreicht, wenn die Widerstandspaare 23 und 49 und 36 und
51 angepaßt sind. Diese Einheitsverstärkungs-Verstärkeranordnung hat
eine konstante Spannungsdifferenz von der Basis des Transistors 38 zu
VEED zur Folge, wodurch die Bereitschaftsströme in dem Widerstand 39
und dem Transistor 31 unempfindlich gegen Veränderungen von VEED
gehalten werden.
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In Fig. 5 kehrt eine weitere Ausführung wie die Erfindung in einem
Zweifach-Differentialmodus zu implementieren ist. Die Komponenten von
Fig. 5, die denen von Fig. 2 ähnlich sind, sind mit gleichen
Bezugszeichen bezeichnet. Da die Komponenten auf der linken Seite der
Zeichnung Spiegelbilder der rechten Seite sind, sind gleiche Teile mit
einem Apostroph (') gekennzeichnet. Die Komponenten für diese Ausführung
umfassen einen Transistor 51 mit einem Kollektor, der mit dem
Versorgungsspannungsanschluß VCC verbunden ist, einer Basis, die mit dem
Kollektor des Transistors 21 verbunden ist, und einem Emitter, der
durch einen Widerstand 53 mit einem Knoten 52 verbunden ist. Ein
Stromquellen-Transistor 54 hat einen Kollektor, der mit dem Knoten 52
verbunden ist, eine Basis, die mit der Stromquellenspannung VCSD
verbunden ist, und einen Emitter, der durch einen Widerstand 55 mit dem
Versorgungsspannungsanschluß VEED verbunden ist. Der Kollektor des
Transistors 33 ist mit dem Knoten 52 verbunden. Ein Transistor 56 hat
einen Kollektor, der mit dem Bersorgungsspannungsanschluß VCC
verbunden ist, eine Basis, die mit dem Knoten 52 verbunden ist, und einen
Emitter, der mit der Basis des Transistors 31 und durch einen
Widerstand 57 mit dem Versorgungsspannungsanschluß VEED verbunden ist.
Diese Ausführung bietet eine Möglichkeit, um durch Wiedererlangen
korrekter logischer Pegel auf der komplementären Ausgangsseite (der
Kollektor
der Transistoren 21 und 23) differentiell zu arbeiten. Wenn im
Hinblick auf die Schaltung von Fig. 2 der Pulldown-Transistor 31
ausgeschaltet wird, zieht der Transistor 33 Ströme durch den Widerstand
23 herunter, der das logische Hoch verliert, das normalerweise aus
dem Schalten eines differentiellen Paares entstehen würde, und macht
so den komplementären Ausgang unverfügbar. Die Ausführung von Fig. 5
löst dieses Problem durch Zufügen einer "Stufe" zwischen dem
Logikgatter 11 und der Pullup-Schaltung 12. Anstatt daß der Transistor 33
direkt Strom von dem Widerstand 23 zieht, zieht er nun Strom durch die
Emitterfolgerstufe des Transistors 51 und des Widerstands 53. Nur der
Basisstrom von Transistor 51 wird durch den Widerstand 23 gezogen, der
seinen korrekten logischen Pegel bewahrt. Die aus dem Transistor 54
und dem Widerstand 55 bestehende Stromquelle stellt eine Vorspannung
in der Emitterfolgerstufe her. Um eine Sättigung in den Differential-
Transistoren 33 und 34 zu verhindern, sind sie herunter auf VBB'
bezogen. Die zweite Stufe von ECL-Serientastungs-Transistoren 51 und 56
stellt die gleiche Pegelverschiebungsfunktion bereit wie die
Transistoren 37 und 38 von Fig. 2. Diese Erklärung gilt auch für die mit
Apostroph bezeichnete komplementäre Ausgangsseite.
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Auf Fig. 5 verweisend lehrt ein anderer Treiber in Form eines
Blockschaltbilds wie das aktive Pulldown mit nur einem einseitig
geerdeten Eingang von dem Logikgatter zu implementieren ist. Die
Komponenten von Fig. 6, die denen von Fig. 1 ähnlich sind, sind durch
gleiche Bezugszeichen gekennzeichnet worden. Gemaß dieser Ausführung ist
eine Vergleichsschaltung 59 geschaltet, um die Pulldown-Schaltung 15
als Reaktion auf ein Ausgangssignal an Ausgangsanschluß 13 und auf ein
Digitalsignal 14 von der Logikschaltung 11 freizugeben. Die Funktion
davon wird besser verstanden werden, wenn die Erörterung auf die
folgende schematische Implementierung gerichtet wird.
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In Fig. 7 ist eine Ausführung der in Fig. 5 gezeigten Schaltung
schematisch dargestellt und enthält einen Transistor 51 mit einem
Kollektor, der mit dem Versorgungsspannungsanschluß VCC verbunden ist, einer
Basis, die mit dem Kollektor des Transistors 22 verbunden ist, und
einem Emitter, der mit der Basis des Transistors 33 und dem Kollektor
eines Stromquellen-Transistors 62 verbunden ist. Der Transistor 62 hat
eine Basis, die mit der Stromquellenspannung VCSD verbunden ist, und
einen Emitter, der mit dem Versorgungsspannungsanschluß VEED
durch
einen Widerstand 63 verbunden ist. Der Kollektor des Transistors 33 ist
mit dem Versorgungsspannungsanschluß VCC durch einen Widerstand 64
und mit der Basis des Transistors 37 verbunden. Diese Ausführung
verwendet nur den Kollektor des Transistors 22 als Eingang zu dem
Treiber. Die Spannung an dem Kollektor des Transistors 22 wird an zwei
Emitterfolger 61 und 28 angelegt. Der Transistor 61, der durch die aus
dem Transistor 62 und dem Widerstand 63 bestehende Stromquelle
vorgespannt wird, wird benutzt, um einen Basisstrom an den Transistor 33
zu liefern. Anstatt, wie in der vorigen Ausführung, die
Ausgangsspannung mit einer Referenzspannung zu vergleichen, vergleicht die
Vergleichsschaltung 59 dann die belastete Ausgangsspannung VOUT mit der
unbelasteten Ausgangsspannung am Emitter des Transistors 61. Daher
wird der Pulldown-Impuls nicht vor dem Ende des Abfallübergangs
beendet.
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Nunmehr sollte anerkannt werden, daß eine Schaltung bereitgestellt
worden ist, die die kapazitive Last am Ausgang eines Emitterfolgers
mit einem Impuls entlädt, dessen Amplitude und Dauer durch die
Ladung an der Last bestimmt werden.