DE682715C - Widerstandskoerper - Google Patents

Widerstandskoerper

Info

Publication number
DE682715C
DE682715C DEP75383D DEP0075383D DE682715C DE 682715 C DE682715 C DE 682715C DE P75383 D DEP75383 D DE P75383D DE P0075383 D DEP0075383 D DE P0075383D DE 682715 C DE682715 C DE 682715C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
resistance
oxide
ohms
conductive
resistors
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEP75383D
Other languages
English (en)
Inventor
Harry Berg
Dr Wilfried Meyer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Osram GmbH
Original Assignee
Patent Treuhand Gesellschaft fuer Elektrische Gluehlampen mbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Patent Treuhand Gesellschaft fuer Elektrische Gluehlampen mbH filed Critical Patent Treuhand Gesellschaft fuer Elektrische Gluehlampen mbH
Priority to DEP75383D priority Critical patent/DE682715C/de
Application granted granted Critical
Publication of DE682715C publication Critical patent/DE682715C/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/001Mass resistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Description

  • Widerstandskörper In ,der Technik werden. häufig WiderstanUkörper gebraucht, die bei: hohem spezifischem Widerstand nur geringe Widerstandsänderungen mit der Temperatur zeigen. Z. B. sollen Widerstände, die bei Quecksilb@erdampflampen benutzt werden, zwischen Raumtemperatur und 300° C ihren Widerstandswert höchstens um = 30 % ändern. In - der Rundfunktechnik, bei der die Widerstandskörper in einem Gerätkasten, der im Betriebe bis zu 50° warm wird, benutzt werden, darf die Widerstandsänderung auch nur etwa 3o% betragen. Diese Bedingungen sind außerordentlich schwer zu erfüllen, da gleichzeitig zu beachten ist, daß nur sehr wenig Raum für die Widerstände zur Verfügung steht. Man hat infolgedessen häufig von Kohlewiderständen. Gebrauch gemacht, bei denen äußerst düne Kohles,chichten auf einen Isolator aufgebracht waren. Diese Widerstandskörper sind aber bei starker mechanischer und elektrischer Belastung außerordentlich empfindlich. Es erschien auch aussichtslos, die Anforderungen dadurch zu erfüllen, daß man Halbleiterwiderstände, also Widerstände aus elektronisch leitenden Oxyden, benutzt. Diese Halbleiterstoffe ändern ihren Widerstand mit der Temperatur nach der Gleeii-_b chung WT = A.eT. Darin ist WT der Widerstand, den der Körper bei der absoluten Temperatur T besitzt. A und b sind Konstanten, von denen aber die Konstante b erfahrungsgemäß vom spezifischen Widerstand bei Raumtemperatur derart abhängt, daß ein großer spezifischer Widerstand des benutzten Werkstoffes auch einen großen b-Wert zur Folge hat. Soll nun der Widerstand sich mit der Temperatur wenig ändern, so muß b klein sein. Widerstandsschichten aus Stoffgemisichen. mit solchen Eigenschaften waren bereits bekannt. Wenn man aber einen hohen Widerstandswert bei geringen Temperaturkoeffizienten benutzen will, so erhält man zwangsweise auch ein großes b. Aus diesem Grunde @erschien es aussichtslos; mit HalbleiterwIderstandskö.rpern aus den an sich bekannten Gemischen von leitenden und nichtleitenden Oxyden brauchbare Ergebnisse zu erhalten. Überrasichenderweise zeigte es sich aber, daß es doch einen Weg gibt, dieses Ziel zu Herreichen.
  • Nach der Erfindung -werden. die Wider-, _standskörper ohne wesentliche Temperätux-## koeffizienten und mit einem spezifischen derstand von ioo Ohm und mehr für deal Leiter von i @cm2 Querschnitt uncl i,cm Länge aus mindestens 97% eines isolierenden Oxyds und höchstens 3% oder mehr eines ungesättigten, leitenden Oxyds ohne Ionenleitung, wie Titanoxyd, Vanadinoxyd oder Nioboxyd, hergestellt, wobei darauf geachtet wird, daß die Oxyde miteinander einen einphasigen Körper bilden. Während die geschilderte Schwierigkeit, die eine Folge des Zusammenhanges zwischen .dem spezifischen Widerstand bei Raumtemperatur und dem Wert der Größe b ist, im allgemeinen bei Stoffgemischen auch auftritt, ist es überraschenderweise bei dem angegebenen Körper möglich, diese Schwierigkeit zu überwinden. .
  • Die Widerstände werden bei mehr als 1700°C und vorzugsweise bei i8oo° C reduzierend gebrannt. Man bedient sich hierzu vorteilhaft eines nahezu reinen strömenden Wasserstoffes. Damit keine unzulässigen Änderungen auftreten, ist es dazu, erforderlich, daß die isolierenden Oxyde bei dieser Temperatur überhaupt nicht und die leitenden Oxyde nicht zu Metall reduziert werden. Als Stoffe bewährten sich das leitende TitanoxydTiOx mit x zwischen i und 2 und vorzugsweise gleich 1,75, das leitende VanadinoxydV20,, und das leitende Niob,oxydN:b20,, mit y zwischen 3 und 4 und vorzugsweise wenig über 3 sowie die. nichtleitenden Oxyde Magniesiumoxyd MgO und Aluminiumoxyd A1203. Titanoxyd wird vorzugsweise mit Magnesiumoxyd zusammen benutzt, während die anderen beiden genanntem; leitenden Oxyde zusammen mit Aluminiumoxyd verwendet werden. Die genannten Stöffe bilden beim Brennen einphasige Körper (Verbindungen, Lösungen oder Mischkristalle). Die Ausbildung solcher .einphasigen Körper ist für den Erfolg des Verfahrens wesentlich. Die Stoffe werden als Pulver gepreßt und gebrannt. Dabei ist es leicht, den Wert von b zwischen 700 und - 700 einzustellen. Diese Grenze ist durch die Überlegung bedingt, daß bei b=± 69o in einem Temperaturbereich von o bis 5o° C eine Widerstandsänderung von etwa 3o% auftritt, die als iGrenze für einen Widerstandskörper mit geringen Temperaturkoeffizienten für technische Bedürfnisse angesehen werden kann. An Stelle des reinen strömenden Wasserstoffes kann auch ein Wasserstoff-Stirkstoff-Gemis,ch benutzt werden.
  • Als Beispiel seien folgende Angaben ge--#macht
    197 % Magnesiumoxyd werden mit 3
    @'T@@oxyd als. Pulver gemischt und gepreßt.
    w' Sie entstandenen Körper werden bei 18oo° C
    in strömendem Wasserstoff gebiannt. Zwei Widerstandskörper, die so hergestellt wurden und bei einem Durchmesser von 1,1 mm eine freu Länge zwischen den, Stromzufübrungen von 12 mm hatten, besaßen bei Raumtemperatur 258oo und 26oooOhm. Bei 3oo° C -besaß der eine 25 Zoo und der andere 265oo Ohm. Andere Widerstandskörper, deren Abmessungen im Durchmesser 1,2 mm und in der freien Länge zwischen den Stromzuführungen 5 mm betrugen und die aus einem Gemisch von 99% Magnesiumoxyd und i Titanoxyd bestanden, waren bei i8oo° C in einem strömenden Gemisch von ioo Raumteilen Wasserstoff und 20o Raumteilen Stickstoff gebrannt. Sie zeigten bei o' C Widerstandswerte, von 940000 Ohm und 96o ooo Ohm. Bei 5o° C hatten sie Widerstandswerte vors 95oooo Ohm und 107000o Ohm. Es ist hier also gelungen, Ho,chohmwiderstände mit geringen Temperaturkoeffizienten aus halbleitenden Oxyden herzustellen.

Claims (2)

  1. PATENTANSPRÜCHE i.. Widerstandskörper mit einem spezifischen Widerstand von mehr als ioo Ohm für den Leiter von i cm2 Querschnitt und i @cm Länge und ohne wesentliche Temperaturkoeffizienten des. Widerstandes, dadurch gekennzeichnet, daß er aus wenigstens 970/0 eines isolierenden Oxyds und höchstens 30/0 eines oder mehrerer der leitenden ungesättigten Oxyde Titanoxyd TiOx mit x zwischen i und 2 und vorzugsweise gleich 1,75 und Vanadinoxyd V20,, und Nioboxyd Nb20y mit y zw'.-schen 3 und 4 und vorzugsweise wenig über 3 besteht und wobei die Bestandteile miteinander einen einphasigen Körper bilden (Verbindung, Lösung oder Mischkristalle) und die Größe b der Wider-_b standstemperaturgleichung WT = A # e T zwischen -f- 700 und - 700 liegt.
  2. 2. Verfahren zur Herstellung eines Widerstandskörpers nach. Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß das Oxydgemis,ch bei mehr als 1700° C und vorzugsweise bei i8oo° C reduzierend gebrannt wird.
DEP75383D 1937-06-13 1937-06-13 Widerstandskoerper Expired DE682715C (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEP75383D DE682715C (de) 1937-06-13 1937-06-13 Widerstandskoerper

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEP75383D DE682715C (de) 1937-06-13 1937-06-13 Widerstandskoerper

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE682715C true DE682715C (de) 1939-10-20

Family

ID=7392750

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEP75383D Expired DE682715C (de) 1937-06-13 1937-06-13 Widerstandskoerper

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE682715C (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0078418A2 (de) * 1981-10-12 1983-05-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Lastschalter mit parallel geschaltetem Widerstand versehen

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0078418A2 (de) * 1981-10-12 1983-05-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Lastschalter mit parallel geschaltetem Widerstand versehen
EP0078418A3 (en) * 1981-10-12 1984-07-25 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Circuit breaker provided with parallel resistor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE682715C (de) Widerstandskoerper
DE1514003A1 (de) Kapazitive Entkoppelungsvorrichtung
DE603883C (de) Schaltanordnung
DE1265891B (de) Herstellungsverfahren fuer ein Starkstromkryotron
DE1930970A1 (de) Ein keramischer,spannungsabhaengiger Widerstand und ein Verfahren zu dessen Herstellung
DE712538C (de) Verfahren zur Herstellung von elektrischen Widerstandskoerpern mit negativem Temperaturkoeffizienten aus isolierenden Oxyden und leitenden niederen Oxyden
DE1218072B (de) Sekundaerelektronenvervielfacher und Verfahren zur Herstellung des Vervielfachers
DE618803C (de) Verfahren zur Herstellung von Widerstandskoerpern ohne merkbaren Temperaturkoeffizienten
DE1261602B (de) Verfahren zum Herstellen von elektrischen Kondensatoren oder Gleichrichtern oder aehnlichen elektrischen Bauelementen mit einem Koerper aus keramischem Material hoher DK
DE2262547A1 (de) Verfahren zur herstellung einer vorrichtung mit einer widerstandsschicht und durch dieses verfahren hergestellte vorrichtung
AT165245B (de) Elektrische Halbleiter
DE3335195A1 (de) Kombinierte schaltung mit varistor
AT238338B (de) Verfahren zur Herstellung eines gepolten Sperrschichtkondensators erhöhter Kapazität
DE869719C (de) Verfahren zum UEberziehen von Metalloberflaechen mit Zirkonschichten
DE809053C (de) Verfahren zur Herstellung feuerfester Koerper und nach diesem Verfahren hergestellter feuerfester Koerper
DE1465252C (de) Metallkeramisches Widerstandselement
DE1072327B (de) Verfahren zur Herstellung einer doppelseitigen Bildspeicherplatte für Kathodenstrahlröhren
AT150568B (de) Mit Anschlußkontakten versehener elektrischer Widerstand mit negativem Temperaturkoeffizienten und Verfahren zu dessen Herstellung.
AT209637B (de) Niederspannungszündkerze
DE916562C (de) Widerstandsschweissverfahren
DE2106511A1 (de) Gasentladungs-Überspannungsableiter
DE758242C (de) Verfahren zur Herstellung von Glimmentladungsroehren fuer Zwecke der Spannungskonstanthaltung
DE1261437B (de) Verfahren zum Herstellen eines halbleitenden Widerstandsmaterials und aus diesem Material hergestellter Halbleiterwiderstand
DE1881598U (de) Steuerimpedanz, insbesondere fuer ueberspannungsableiter.
DE2231073B2 (de) Galvanisches Element