DE6606125U - Halbleiterelement fuer ein stosspanungsfestes halbleiterventil - Google Patents
Halbleiterelement fuer ein stosspanungsfestes halbleiterventilInfo
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Description
PA533 73H1.11S5
112/65
Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie., Baden (Schwel?)
Verfahren zur Herstellung des Halbleiterelementes eines stossspannungsfesten Halbleiterventils, sowie ein mit
Hilfe dieses Verfahrens hergestelltes Halbleiterelement
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterelement sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung.
Die üblichen Halbleiterventile haben den Nachteil, dass beim Auftreten von Stossspannungen in Sperrichtung ein
Lawinendurehbruch oft bevorzugt an den Rändern der Halbleiterscheibe
stattfindet. Die dadurch auftretende Ueberhitzung führt zu einem örtlichen Schmelzen des Halbleitermaterials,
wodurch seine Sperreigenschaft verschlechtert wird oder ganz verloren gehen kann. Es sind nun sogenannte
sto^sspannungsfeste Halbleiterventile bekannt geworden,
die den genannten Nachteil nicht aufweisen. Ein derartiges Halbleiterventil kann z.B. mit Hilfe einer ρ -i-n Struktur
erreicht werden. Dabei bedeuten p+ und n+ hochdotierte
Halbleiterzonen mit mehr als 10 Dotierungsatomen/cnr mssä
i eine hochohmige oder sehr schwach dotierte Zone mit weniger als 10 Dotierungsatomen/cnr .
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Da die Durchbruchspannung bei dieser Anordnung praktisch
nur von der Dicke der i-Zone abhängt, muss qiese Dicke über
die ganze Fläche des Ventils eine sehr hohe Konstanz haben, wenn man erreichen will, dass sich der Durchbruchstrom möglichst
gleichmässig über die ganze Fläche verteilt. Eine derartige hohe Konstanz der Dicke lässt sich aber nur mit
grossen technologischen Schwierigkeiten realisieren und das nur für Ventile mit relativ kleinen Flächen, z.B. klei-
ner als 10 mm .
Die Erfahrung hat überdies gezeigt, dass bei stossspannungsfesten Halbleiterventilen dieses Typs eine unerwünschte Veränderung
ihrer Sperreigenschaften mit fortschreitender Betriebszeit
auftritt, die sich besonders in einer Erhöhung des Stromes in Sperrichtung auswirkt. Diese Halbleiterventile
können ausserdem nur relativ geringen Ueberlastungen ausgesetzt
werden, ohne dass sie ihre Gleichrichtereigenschaften verlieren.
Das Ziel der Erfindung ist ein Halbleiterelement für ein stossspannungsfestes Halbleiterventil, das die genannten
unerwünschten Eigenschaften nicht aufweist und das nach einem technologisch «infachen Verfahren hergestellt wird.
Das erfindungsgemässe Verfahren ist gekennzeichnet durch das
Eindiffundieren von Dotierungasubstanz in eine Scheibe aus schwachdotiertem Halbleitermaterial (10 - 10 Dotierungs-
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atome/cnr ) eines ersten Leitungstyps, zur Bildung einer oberflächigen schwach dotierten Zone (weniger als 10 Dotierungsat
ome/cnr) eines zweiten, vom ersten verschiedenen Γ
tungstyps wodurch ein p-n Uebergang gebildet wird, durch Abtragung, insbesondere durch Läppen, dieser oberflächigen
zone von den Seitenflächen und einer Stirnfläche der Scheibe,
durch Anlegieren einer eine Donatorsubstanz enthaltenden Metallscheibe auf die Zone vom n-Leitungstyp der Halbleiterscheibe
zur Bildung einer hochdotierten η -Zone (mehr als 10 Donatoratome/cm ), durch Anlegieren einer eine Akzeptorsubstanz
enthaltenden Metallscheibe auf die Zone vom p-Leitungstyp der Halbleiterscheibe zur Bildung einer hochdotierten
ρ -Zone (mehr als 10 Akzeptoratome/cnr ), und durch
Anlöten einer elektrisch leitenden Trägerplatte aus einend Metall mit im wesentlichen gleichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten
wie das Halbleitermaterial an die Metallplatte, jdie an die Zone vom zweiten Leitungstyp anlegiert ist.
Das durch dieses Verfahren hergestellte Halbleiterelement ist dadurch gekennzeichnet, dass der Dotierungsgradient
des p-p und des n-n Ueberganges grosser als 10 Atome/cm / ,um
ist, dass der Dotierungsgradient des p-n Ueberganges klei-
14 3
ner als 10 Atome/enr/ .um ist, und dass an dem ρ _ ρ und dem n-n, Uebergang die elektrischen Feldstärken bei Lawinendurchbruch kleiner als 1 KV/cm sind.
ner als 10 Atome/enr/ .um ist, und dass an dem ρ _ ρ und dem n-n, Uebergang die elektrischen Feldstärken bei Lawinendurchbruch kleiner als 1 KV/cm sind.
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Die Erfindung wird an Hand der Figuren beispielsweise erläutert:
Bei dem nachstehend beschriebenen Beispiel geht man von einer
schwach dotierten Siliziumscheibe 1 vom η Leitung»typ mit einer
Dicke von ca. 300 /um aus. Die Dotierung des Siliziums kann da·*
bei zwischen IQ -10 Donatoratome/cm betragen. Zur Bildung
eines p-n üebergange& in der Siliziiünseheibe 1 wird
das als Akzeptorsubstanz dient, bei ca. IJOO C auf an sich
bekannte Weise eindiffundiert, so dass, wie in Fig. 1 angedeutet,
in der Siliziumscheibe eine oberflächige, schwach dotierte Zone vom ρ Leitungstyp mit einer Dicke von ca. 80 /Uin
und einer Dotierung von weniger als 10 Akzeptoratomen entsteht.
Diese Zone vom ρ Leitungstyp wird danach von einer der Stirnflächen
und von den Seitenflächen z.B. durch Läppen abgetragen. Fig. 2 zeigt die so entstandene Siliziumscheibe mit p-n
Hebergang«
Zur Bildung einer h©eha©tiex=tcxi π Zone auf der sohw«oh dotierten Zone vom η Leitungstyp und- einer hochdotierten ρ
Zone auf eier schwach dotierten Zone vom ρ Leitungstyp wird
in zwei «eiteren ¥erfahrens schritten das sogenannte Änlegierungsverfahren
benutzt, welches an Hand der Figuren 3 bis 3 il
lustriert wird.
Fig. 3 zeigt die Siliziainscheibe 1 mit dem. n-p ifebergang, di«
.zusammen mit einer Seheibe 2 aus einer Gold-Äntimon-Legierung
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für-^einige Minuten auf «ine Temperatur gebracht wird,, bei
der die flüssig gewordene Legierung eine t>estimmte Menge
Silizium ablöst. Die Menge des gelösten Siliziums hängt dabei von der Temperatur und der Menge der aufgebrachten
Legierung ab. Beim Abkühlen wird das gelöst« Silizium wieder abgeschieden und setzt sich im wesentlichen wieder einkristallin
auf der Siliziumscheibe 1 ab. Entsprechend ihrer
Löslichkeit im festen Silizium bleiben gewisse Mengen der Legierungskomponenten in der Rekristallisacionszone eingebaut.
Fig-. 4 zeigt das System nach erfolgter Abkühlung. Da die Löslichkeit von Gold im festen Silizium zu vernachlässigen
ist, bleibt praktisch nur eine gut definierte Menge Antimon als Donatorsubstanz in der Rekristallisationszone
zurück, die auf diese Weise eine hochdotierte n^ Zone mit
mehr als 10 Donatoratomen/nr bildet.
Durch eine auf analoge weise -erfolgte Anlsgierung zitier·
Aluminiumscheibe 3 bildet man eine hochdotierte p. Zone mit mehr als 10 Akzeptoratomen/cnr in Form einer Bekristallisationszone
in der Aluminium als Akzeptorsubstanz zurückbleibt. Fig. 5 zeigt das Zwischenprodukt nach den beiden Anlegterungs-Prozessen*
Danach wird da6 Halbleiterelement auf an sich bekannte iteise
komplettiert. Fig. 6 zeigt die Randzone des fertigen Halb-*
leiterelementes im Schnitt. Auf die·Aluminiurascheibe 3 des
- 6 - 112/65
}.n Pig. 5 illustrierten Zwischenproduktes wird eine Trägeraus Molybdän
platte Vaufgelötet, die zur mechanischen Verstärkung des
Halbleiterelementes dient. Statt Molybdän kann auch Wolfram als Material für die Trägerplatte verwenden werden. Zur Verlängerung
des Kriechweges an der Randzone der Halbleiterscheibe wird schliesslich durch mechanische Bearbeitung
eine Fläche 5 in Form eines Kegelstumpfmantels ausgebildet,
die an alle Zonen des Halbleitermaterials anschliesst. Diese mechanische Bearbeitung geschieht vorzugsweise mit Hilfe von
Ultraschall. Bei der Ausbildung der Fläche 5 entsteht überdies
eine ringförmige Zone 6, die eine erhöhte mechanische Festigkeit der Randzone 7 gewährleistet.
In einer zweiten Variante des Herstellungsverfahrens geht man von einer Halbleiterscheibe vom ρ Leitungstyp aus, wonach
die Zone vom η Leitungstyp durch Eindiffundieren von Donatorsubstanz gebildet wird. Die übrigen Verfahrensschritte
ergeben sich auf analoge Weise.
Die derart gebildete ρ -p-n-n Struktur weist mehrere Vorteile
auf. Die beiden Uebergänge ρ -ρ und n-n sind für die Leitungsfunktion massgebllch. Sie weisen aufgrund des AnIegierungsverfahrens
einen grossen Dotierungsgradient von mehr als 10 Dotierungsatomen/cnr/,um auf, was zu einem
guten Minoritäteninjektionsfaktor führt.
Der p-n üebergang der Struktur dient der Sperrfunktion. Aufgrund
des angewandten Diffusionsverfahrene ist hier der Do-
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tierungsgradient kleiner als 10 Dotierungsatome/cnr/Aim,
wodurch eine gute Sperreigenschaft gewährleistet wird.
Die durch das Dotierungsprofil bestimmte Raumladungsverteilung erzeugt ein elektrisches Feld, dessen Feldstärke
am p-n üebergang ein Maximum aufweist. Wegen des relativ kleinen Dotierungs,gradienten ändert sich die
elektrische Feldstärke in der Nähe ihres Maximums nur relativ wenig. Dies hat zur Folge, dass bei Lawinendurchbruch
die Verlustleistung in einer relativ breiten, den p-n Üebergang einschliessenden Zone aufgenommen wird.
Das Diffusionsverfahren gewährleistet überdies ein über
die Halbleiterfläche gleichmässig gut definiertes Dotierungsprofil,
was zu einer gleichmässigen Verteilung der
Verlustleistung über gesamte Halbleiterfläche führt.
Diese Eigenschaften des p-n Ueberganges haben zur Folge, dass bei gegebener zulässiger Verlustleistungsdichte das Halbleiterelement
eine Verlustleistung in Sperrichtung aufnehmen kann, die mindestens so gross ist als die Verlustleistung
in Durchlassrichtung.
Um jeden Einfluss der ρ -ρ und n-n Uebergänge auf die Einleitung
des Lawinendurchbruchs zu vermeiden, darf die
elektrische Feldstärke an diesen üebergängen den Wert von 1 kV/cm nicht übersteigen. Um dies zu erreichen, genügt es
die Dicke der schwach dotierten Zonen genügend gross zu wählen.
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10 Atome/cm /pn\ ist, und dass eine Trägerplatte (4) aus
einem Metall mit im wesentlichen gleichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten wie das Halbleitermaterial an jede
Metallscheibe angelötet ist, die an die eindiffundierte Zone
anlegiert ist.
2. Halbleiterelement nach .nsprueh 1, dadurch gekennzeichnet,
dass die an alle Zonen des Halbeitermaterials angrenzende Randfläche (5) die Form eines Kegelstumpfmantels , dessen
Basis der Trägerplatte (4) zugewandt ist, aufweist.
3. Halbleiterelement naQh Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
dass der HalbieitergleicrJrichter einen Halbleiterkörper aus
Silizium besitzt*
4. Halbleiterelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
dass die eine Akzeptorsubstanz enthaltende Metallsoheibe (3)
aus Aluminium besteht.
5. Halbleiterelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
dass die eine Donatorsubstanz enthaltende Metallscheibe K~-)
aus einer Gold-Antimon-Legierung besteht.
Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie.
Claims (1)
1. Halbleiterelement für ein stoss spannungsfest es Halbleiterventil,
bei dem in «ine Scheibe aus schwach dotierten Halbleitermaterial
eines ersten Leitungstyps zur Bildung einer Oberflächenzone mit einem sv.:i^en, vom erster, verschiedenen
Leitungst^ Doötierungssubstar.z eiüiffundiert und diese oberfläcr.i:
■ Diffusionszone von aen Seitenflächen und einer Stirnflache
aer Scheibe entfernt worden ist, dadurch gekennzeichnet, das- das Grundmaterial .-ar Halbleiterscheibe (3) 10 bis
1CTD Dotierungsatome Jc~? ur.d die DirVusionszone ebenfalls weniger
als 10 Dotierungsatome /cm enthalten, während der
Dotierungsgradient des ~..iz . v-ndenen pn. -Ueberganges weniger
als 10 Atome /cm beträgt, dass an die η-leitende Zone der
mit dem diffundierten pu-Uebergang versehene Halbleiterscheibe
(1) zur Bildung einer hochdotierten η - Zone mit einer Dotierungskonzentration
von mehr .ils 10 Donatcvatojsen /..:. eine
eine Donatorsubstanz enthalt r.de Metallscheibu (2) u..- an die
p-leitende Zone zur Bildung Iner hochdotierten p^-Zone rr.it
einer Konzentration von mehr als 10 Akzept or at or.en /cm** eine
j eine Akzeptorsubstanz enthaltende Metallscheibe (3) a.-.^cjiert
sind, wobei die Dicken der schwachdotierter. Z:.-.er. so -ress
gewählt sind, dass im Betrieb an den ρ ρ= u/. nnr Uebergäag^n
bei einem Lawinendurchbruch die elektrische Fe--stärxo ..!einer
als IKV/cm und der Dotierungsgradient an ihnen grosser als
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| SE (1) | SE326769B (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2745300A1 (de) * | 1976-10-08 | 1978-04-13 | Hitachi Ltd | Mesa-halbleiterbauelement |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3628107A (en) * | 1969-05-05 | 1971-12-14 | Gen Electric | Passivated semiconductor device with peripheral protective junction |
| US3675947A (en) * | 1971-02-16 | 1972-07-11 | Leon Blagg | Coupler-aligning trailer hitch |
| DE2310453C3 (de) * | 1973-03-02 | 1981-11-19 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zum Herstellen eines gegen Überspannungen geschützten Halbleiterbauelementes |
| US3912139A (en) * | 1974-01-17 | 1975-10-14 | Jimmy W Bowman | Removable vehicle mounted cycle carrier |
| US4117942A (en) * | 1976-08-24 | 1978-10-03 | Sperry Rand Corporation | Means for adjusting the sideboard |
| US4215496A (en) * | 1978-11-13 | 1980-08-05 | Wehr Thomas L | Vehicle bumper |
| US4255757A (en) * | 1978-12-05 | 1981-03-10 | International Rectifier Corporation | High reverse voltage semiconductor device with fast recovery time with central depression |
| DE3469830D1 (en) * | 1983-12-07 | 1988-04-14 | Bbc Brown Boveri & Cie | Semiconductor device |
| EP0230278A3 (de) * | 1986-01-24 | 1989-09-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Thyristor mit integrierter Stromversorgung für eine zugeordnete Schaltungseinheit und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US4825192A (en) * | 1987-11-24 | 1989-04-25 | Wells Kenneth A | Retractable guard for vehicles |
| US6390525B2 (en) * | 1999-03-22 | 2002-05-21 | Innovative Fabworks | Vehicle extension slide |
| US7222905B2 (en) * | 2003-04-04 | 2007-05-29 | Edward Jaeck | Reconfigurable truck bed or vehicle body |
| USD746215S1 (en) * | 2013-07-19 | 2015-12-29 | Robert N. Leavitt | Vehicle plow mount cover |
| GB2526692A (en) * | 2015-05-07 | 2015-12-02 | Daimler Ag | Method for manufacturing an underrun protection device for a vehicle as well as modular system for a plurality of variance of an underrun protection device |
| US9743543B2 (en) * | 2015-07-29 | 2017-08-22 | International Business Machines Corporation | Electronics rack with integrated anti-tip mechanism |
| US10124656B2 (en) * | 2017-01-16 | 2018-11-13 | Mark Lawson | Pickup truck bed cover |
| US10118472B2 (en) * | 2017-01-16 | 2018-11-06 | Mark Lawson | Pickup truck bed cover |
| KR102681634B1 (ko) * | 2019-09-06 | 2024-07-04 | 현대자동차주식회사 | 가변형 백빔 및 충돌 시 가변형 백빔이 인플레이터에 의해 가변되는 방법 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1326795A (en) * | 1919-12-30 | Cojhbibteb | ||
| US1146355A (en) * | 1914-09-21 | 1915-07-13 | Owen C Fuqua | Safety device for automobiles. |
| US1474929A (en) * | 1922-08-24 | 1923-11-20 | Walter Smith | Attachable bed and carrier for vehicles |
| US1530429A (en) * | 1924-10-03 | 1925-03-17 | Sjolander Gustaf | Combined bumper and jack |
| BE530566A (de) * | 1953-07-22 | |||
| NL98125C (de) * | 1954-08-26 | 1900-01-01 | ||
| AT201114B (de) * | 1956-04-03 | 1958-12-10 | Philips Nv | Verfahren zur Herstellung von halbleitenden Vorrichtungen |
| NL134389C (de) * | 1958-07-02 | |||
| NL243218A (de) * | 1958-12-24 | |||
| NL280641A (de) * | 1961-07-07 |
-
1965
- 1965-09-08 CH CH1252565A patent/CH426020A/de unknown
- 1965-10-11 DE DE6606125U patent/DE6606125U/de not_active Expired
- 1965-10-11 DE DEA50455A patent/DE1297234B/de not_active Withdrawn
-
1966
- 1966-07-28 NL NL6610617A patent/NL6610617A/xx unknown
- 1966-08-25 US US575173A patent/US3449826A/en not_active Expired - Lifetime
- 1966-09-06 BE BE686485D patent/BE686485A/xx unknown
- 1966-09-06 SE SE11991/66A patent/SE326769B/xx unknown
- 1966-09-06 GB GB39743/66A patent/GB1140139A/en not_active Expired
-
1967
- 1967-11-21 US US684673A patent/US3447826A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2745300A1 (de) * | 1976-10-08 | 1978-04-13 | Hitachi Ltd | Mesa-halbleiterbauelement |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE1297234B (de) | 1969-06-12 |
| CH426020A (de) | 1966-12-15 |
| US3447826A (en) | 1969-06-03 |
| NL6610617A (de) | 1967-03-09 |
| US3449826A (en) | 1969-06-17 |
| BE686485A (de) | 1967-02-15 |
| SE326769B (de) | 1970-08-03 |
| GB1140139A (en) | 1969-01-15 |
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