DE640567C - Trockenplattengleichrichter - Google Patents
TrockenplattengleichrichterInfo
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- DE640567C DE640567C DES105765D DES0105765D DE640567C DE 640567 C DE640567 C DE 640567C DE S105765 D DES105765 D DE S105765D DE S0105765 D DES0105765 D DE S0105765D DE 640567 C DE640567 C DE 640567C
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/16—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising cuprous oxide or cuprous iodide
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- H01L21/167—Application of a non-genetic conductive layer
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf Trockenplattengleichrichter, bei denen die auf eine
Sperrelektrode aufgebrachte Schicht, z. B. eine Kupferoxydulschicht, von einem Metallbelag
bedeckt ist, der eine Gegenelektrode bildet. _ Nach der Erfindung besteht diese
Gegenelektrode aus Cadmium. Die Anwendung dieses Metalls hat gegenüber den bisher
verwendeten den Vorzug, daß. es ohne weiteres einen sicheren Korrosionsschutz gewährleistet.
Dabei verdampft das Metall so leicht, daß es auf einfache Weise gut auf die Sperrelektrode aufgebracht werden kann.
Das Aufbringen der Gegenelektroden von Trockenplattengleichrichtern erfolgte bisher
entweder durch chemische Reduktion der Oxydschicht oder mit Hilfe des Schoopschen
Spritzverfahrens. Beide Herstellungsverfahren ergeben Gleichrichterzellen, die einen
störenden Rückstrom aufweisen. Es bildet sich nämlich zwischen dem Metall der Gegenelektrode
und dem Oxydul eine zweite Sperrschicht, deren gleichrichtende Wirkung derjenigen
der Hauptsperrschicht entgegengesetzt gerichtet ist. Das Aufbringen der Gegenelektrode
auf chemischem Wege ist außerdem fabrikatorisch schwierig durchführbar. Das Spritzverfahren hat eine starke Beanspruchung
der empfindlichen Zwischenschicht zur Folge und ergibt unter Umständen ein unbefriedigendes
Haften des Metallbelages an der Zwischenschicht. Es, ist auch schon bekannt, die Gegenelektroden durch thermisches Verdampfen
aufzubringen. . Doch auch dieses Verfahren macht bei den meisten bisher verwendeten
Elektrodenmetallen Schwierigkeiten, weil die Metalle verhältnismäßig schwer verdampfen.
Dieses Aufbringen durch rein thermisches Aufdampfen ist aber bei Anwendung
von Cadmium gemäß der Erfindung besonders vorteilhaft und ohne Schwierigkeiten anwendbar. Das Verfahren ergibt
Gegenelektroden von außerordentlicher Kornfeinheit und Haftfähigkeit.
Die Abbildung stellt eine Anordnung zur Herstellung von Gleichrichtern nach der Erfindung
dar. Auf einer Unterlage 1 liegt die Platte 2, deren Oxydulschicht mit einer Auflage
aus Cadmium versehen werden soll. Im Rezipienten 3 sitzt eine Heizspirale 4, in die
eine Schale 5 mit dem zu verdampfenden Metall eingeführt ist. Bei 6 wird eine Luftpumpe
angeschlossen, die ein Vakuum herstellt. Durch Aufheizen der Spule 4 wird das Metall in der Schale 5 zum Verdampfen
gebracht. Es schlägt sich an den Wänden des Rezipienten und auf der Platte 2 nieder,
ohne daß diese Platten nennenswert erhitzt werden.
Die auf diese Weise hergestellten Gegenelektroden ergeben außer den schon obenerwähnten
Vorzügen eine beträchtliche Verringerung des Rückstromes, und zwar besonders dann, wenn man auf die mit der
Gegenelektrode zu überziehende Zwischenschicht zunächst eine Graphitschicht aufbringt
und das Metall auf dieser Graphitschicht niederschlägt. Durch die Graphitschicht wird
die Haftfähigkeit des Metallüberzuges praktisch nicht verschlechtert.
Beim Aufdampfen von Cadmium kommt man mit einem sehr geringen Energiebedarf
aus. Dabei erfolgt das Aufdampfen nicht so störend lebhaft, wie es beim Aufbringen von
Metallen durch Kathodenzerstäubung der Fall ist. Ferner wird auch beim thermischen Verdampfen
nicht ein so hohes Vakuum benötigt. Es ist auch nicht erforderlich, bestimmte Temperaturen oder bestimmte Unterdrucke
so genau innezuhalten wie bei den Verfahren, die gewöhnlich bei andersartigen Gegenelektroden
angewendet werden. Man braucht beim thermischen Aufdampfen von Cadmium im allgemeinen nur darauf zu achten, daß
ein Druck von ο, ι mm Quecksilbersäule unterschritten ist und die Temperatur etwa zwischen
350 und 5000C beträgt.
Claims (2)
- Patentansprüche:ι. Trockenplattengleichrichter, insbesondere Kupferoxydulgleichrichter, dadurch gekennzeichnet, daß die durch thermisches Aufdampfen hergestellten Gegenelektroden der Gleichrichterzellen aus Cadmium bestehen.
- 2. Verfahren zur Herstellung von Gleichrichterzellen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das durch Erhitzen zu verdampfende Cadmium auf eine Graphitschicht aufgedampft wird, die vorher auf die Oxydulschicht gebracht wird.Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES105765D DE640567C (de) | 1966-09-08 | Trockenplattengleichrichter |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES105765D DE640567C (de) | 1966-09-08 | Trockenplattengleichrichter | |
| DES0105765 | 1966-09-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE640567C true DE640567C (de) | 1937-01-07 |
Family
ID=25998595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DES105765D Expired DE640567C (de) | 1966-09-08 | Trockenplattengleichrichter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE640567C (de) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE884847C (de) * | 1943-12-15 | 1953-07-30 | Westinghouse Electric Corp | Trockenkontakt-Gleichrichter bzw. lichtempfindliches Element |
| DE911445C (de) * | 1949-08-10 | 1954-05-13 | Sueddeutsche App Fabrik Gmbh | Aufdampfeinrichtung, insbesondere zur Herstellung von Selengleichrichtern |
| DE974421C (de) * | 1943-07-05 | 1960-12-22 | Aeg | Trockengleichrichter mit Halbleiterschicht und Verfahren zu seiner Herstellung |
-
0
- DE DES105765D patent/DE640567C/de not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE974421C (de) * | 1943-07-05 | 1960-12-22 | Aeg | Trockengleichrichter mit Halbleiterschicht und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE884847C (de) * | 1943-12-15 | 1953-07-30 | Westinghouse Electric Corp | Trockenkontakt-Gleichrichter bzw. lichtempfindliches Element |
| DE911445C (de) * | 1949-08-10 | 1954-05-13 | Sueddeutsche App Fabrik Gmbh | Aufdampfeinrichtung, insbesondere zur Herstellung von Selengleichrichtern |
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