DE2017930C3 - Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Kondensators - Google Patents

Description

lung in Form eines Randstreifens 3 aufgebracht, der bis zum Anschlußstreifen 4 für den Grundbelag 2 reicht und gegebenenfalls vorteilhaft auch noch ein Stück an diesem entlanggeführt sein kann. Das gleichzeitige Auftragen von Grundbelag2 und Randstreifen 3 wird dadurch sehr genau und mit geringer Toleranz ausgeführt, daß die Abdeckmaske beim Siebdruck, Spritzen, Aufdampfen, Aufstäuben, als Fotomaske usw. die Aussparung für den Grundbelag 2 mit Anschlußstreiisn 4 und diejenige für den Randstreifen 3 aufweist. Dac eh ist die Streukapazität zwischen Randstreifen ? 'ind dem Grundbelag genau festgelegt und lecL_f·?*"*·« noch von Streuungen beim Aufbringen ue. -<*. ^folgenden dielektrischen Schicht5, z.B. dm '. Dickenschwankungen, abhängig. Die dielek'riscne Schicht5 (Fig.2,4) ist so aufgebracht, daß &'" den Grundbelag2 und einen Teil von dessen Anschluß-Streifen 4 bedeckt und sich bis über dea Randstreifen 3 derart erstreckt, daß ein äußerer Rand 6 des Randstreifens i nicht bedeckt ist.

In Fig.3 ist der aufgebrachte Gegenbelag7 mit eingezeichnet, der den Randstreifen 3 bedeckt >md damit elektrisch leitend mit diesem veibunden ist. Zwecks besserer Übersicht ist in F i g. 3 die dielektrische Schicht 5 nicht eingezeichnet, sondern lediglich der den Anschlußstreifen 4 teilweise überdeckende Teil 8 derselben.

Die F i g. 4 zeigt den fertigen Kondensator von der Seite gemäß dem Schnitt A-B der F i g. 3.

Der Gegenbelag besteht zweckmäßig aus einem leicht mit einem Lötmetall zu benetzenden Metall

ίο oder einer Metallegierung, der nach Fertigstellung der einzelnen Beläge z. B. durch einen Tauchvorgang mit Lötmetall überzogen werden kann. Hierdurch wird erreicht, daß der Kondensator absolut dicht abgeschlossen, d. h. nicht mehr anfällig gegen Feuchtigkeit, mechanische Beanspruchung ist und einen geringen Verlustfaktor infolge guter Leitfähigkeit aufweist, so daß der Wert des Kondensators unabhängig von äußeren Einffür :,.n möglichst genau dem gewünschten Endwert entspncht

ao Ohne vom Erfindungsgedanken abzuweichen kann der Randstreifen 3 so breit gewählt werden, daß er über den Gegenbelag 7 hinausreicht.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

einem Elektrolyten geschaltet ist; der anschließend Patentansprüche: durch Aufdampfen aufgebrachte Gegenbelag über deckt die anodische Dielektrikumschicht, die Ab-

1. Verfahren zur Herstellung eines elektrischen standsstrecke zwischen dieser und den Trägerpol-Kondensators, bei dem auf einen Träger ein 5 stern und zum Teil die letztgenannten. Grundbelag und nebtn diesem streifenförmige Bei nicht durch anodische Oxidation aufgebrach-Hilfsbeläge in Form von dünnen Schichten durch ter, sondern aufgedampfter oder aufgedruckter dieine geeignete Maske in einem einzigen Arbeits- elektrischer Schicht besteht das Problem, daß die digang aufgebracht werden und bei dem der Ge- elektrische Schicht infolge der Toleranzen des Verfahgenbelag so aufgebracht wird, daß er teilweise die 10 rens seitlich versetzt aufgedampft oder gedruckt ist Hilfsbeläge bedeckt und mit ihnen galvanisch und so den Grundbelag wenigstens an einer Kante verbunden ist, dadurch gekennzeich- nur sehr wenig und an der gegenüberliegenden Kante net, daß die Hilfsbeläge auf allen Seiten des sehr weit übergreift. Die Folge davon ist, daß sich Grundbelags in einem geringen Abstand von die- nach dem Aufbringen des Gegenbelages, der die disem aufgebracht werden, wobei lediglich ein 15 elektrische Schicht vollkommen ül erdeckt, an der von Spalt für den Arschlußsireifen zum Grundbelag der dielektrischen Schicht nur wenig übergriffenen frei bleibt, daß eine dielektrische Schicht auf den Kante eine relativ hohe Streukapazität ausbildet, die Gnndbelag, die Zwischenfläche zwischen diesem durch die Kapazitätsabnahme an d<'r gegenüberlie- und den Hilfsbelägen und eine an die Zwischen- genden Kante nicht wettgemacht wird.

fläche grenzende innere Teilfläche der Hilfsbe- ao Der vorliegenden Erfindung liegt vor allem die läge aufgerückt oder aufgedampft wird, daß der Aufgabe zugrunde, Kondensatoren derart herzustel-Gegenbelag auf die dielektrische Schicht und die len und auszubilden, daß deren Werte möglichst noch freit äußere Fläche des Hilfsbelags aufge- genau den gewünschten Endwerten entsprechen, bracht wird und daR der Gegenbelag mit einer Erfindungsgemäß wird d^;es dadurch erreicht, daß

Lötmetallschicht überzogen wird. 35 die Hilfsbeläge auf allen Seiten des Grundbelages in

2. Verfahren nach Anspruch I, dadurch ge- einem geringen Abstand von diesem aufgebracht kennzeichnet, daß die Hilfsbeläge noch entlang werden, wobei lediglich ein Spalt für den An->chlußei: °,s Teils des Anschlußstreifens aufgebracht streifen z*im Grundbelag frei bleibt, daß eine dielekwerden. trische Schicht auf den Grundbelag, die Zwischen-

3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch 30 fläche zwischen diesem und den Hilfsbelägen und gekennzeichnet daß der Überzug mit der Lötme- eine an die Zwischenfläche grenzende innero Teiltallschicht durch einen Tauchvorgang erfolgt. fläche der Hilfsbeläge aufgedruckt oder aufgedampft

wird, daß der Gegenbelag auf die dielektrische Schicht und die noch freie äußere Fläche des Hilfs-

35 belages aufgebracht wird und daß der Gegenbelag

mit einer Lötmetallsch-cht überzogen wird. Hierdurch wird erreicht, daß die Streukapazität möglichst konstant gehalten wird und somit die Toleranzen be-

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein reits bei der Herstellung des Kondensators eingeengt Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Kon- 40 werden, so daß der Wert des Kondensators möglichst : deasators, bei dem auf einen Träger ein Grundbelag genau deai gewünschten Endwert entspricht

und neben diesem streifenförmige Hilfsbeläge in Weitere vorteilhafte Binzelheiten der Erfindung

ί Form von dünnen Schichten durch eine geeignete sind nachfolgend an Hand eines in der Zeichnung

.-{ Maske in einem einzigen Arbeitsgang aufgebracht veranschaulichten Ausführungsbeispiels beschrieben.

y werden und bei dem der Gegenbelag so aufgebracht 45 F i g. 1 zeigt den Grundbelag mit dem erfindungs-

j wird, daß er teilweise die Hilfsbeläge bedeckt und gemäßen Randstreifen auf einem Träger;

mit ihnen galvanisch verbunden ist. F i g. 2 zeigt die Anordnung nach F i g. 1 nach auf-

. j Bekannte Kondensatoren der genannten Art wer- gebrachter dielektrischer Schicht,

X den in der sogenannten Dickfilmtechnik, z. B. im F i g. 3 nach Aufbringen des Gegenbelages und

j Siebdruck, oder nach der sogenannten Dünnfilmtech- 50 Fig.4 einen Querschnitt der Fig. 3 gemäß dem

j nik, d.h. der Aufdampftechnik hergestellt. Der Ge- SchnittA-B.

\ genbeiag wird dabei Ott deshalb größer gemacht als Mit 1 ist eine Trägerplatte z.B. aus Glas, Kera-

.{ der Grundbelag, damit dieser z.B. beim nachträgli- mik, ein' τ Halbleiter, wie z.B. Silicium oder Ger-

chen Tauchverzinnen einen vollkommen dichten Ab- manium, bezeichnet. Auf dieser ist ein Grundbelag 2

Schluß des Kondensators gegen atmosphärische Ein- 55 aus möglichst gut leitfähigem Material aufgebracht.

: flüsse bewirken kann. Dies kann bei der Dickfilmtechnik durch Siebdruck

Aus der deutschen Offenlegungsschrift 1514023 oder durch Aufspritzen oder nach einem Abziehbildist z. B. ein elektrischer Kondensator mit auf einem verfahren od. dgl. vorgenommen v/erden. Ia der Träger aufgebrachten Kondensatorbelägen in Form Dünnfilmtechnik erfolgt das Aufbringen durch Aufdünner Schichten, wobei der Gegenbelag den Grund- 60 dampfen im Hochvakuum, durch Kathodenstrahlzerbelag auf zwei Seiten überragt, bekannt, bei dessen stäuber u. dgl. und in der Halbleitertechnik, z. B. Herstellung beim Aufbringen des Grundbeiages beid- durch Reduktion einer auf einem Siliciumkristall seitig gleichzeitig ein an diesen in geringein Abstand vorhandenen Siliciumdioxidschicht, also durch iranschließender Randstreifen aufgebracht ist, der mit gendein in der Halbleitertechnik allgemein bekanntes dem Gegenbelag elektrisch leitend kontaktiert ist. 65 Verfahren.

Die dielektrisch wirksame Schicht wird durch an- Gleichzeitig mit dem Aufbringen des Grundbela-

odische Oxidation gebildet, und zwar nur über dem gts 2 wird ein diesen in einem bestimmten Abstand, Grundbelag, indem dieser zunächst als Anode in z.B. zwischen 0,1 und lmm, umgebender Hilfsstcl-