DE60316056T2 - Nanoröhrchen, Nanothermometer und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

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Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Nanoröhrchen, seine Verwendung als ein Nanothermometer und ein Verfahren zur Herstellung eines Nanothermometers. Spezieller betrifft die vorliegende Erfindung ein Nanoröhrchen und ein neues Nanothermometer, das das Nanoröhrchen verwendet, das in einer mikrometergroßen Umgebung über einen weiten Temperaturbereich zur Temperaturmessung verwendet werden kann, und ein Verfahren zur Herstellung desselben.
  • Als Folge davon, dass viele Forscher Kohlenstoff-Nanoröhrchen (CNTs) seit ihrer Entdeckung in 1991 untersucht haben, haben CNTs in vielen Gebieten Verwendungen gefunden. Z.B. können sie als Feldeffektbauelemente, Sondenspitzen für ein Rastersondenmikroskop, supraleitendes Material, hochempfindliche Mikrowagen, Strukturmaterialien, winzige Pinzetten für eine Handhabung im Nanomaßstab, Gasdetektoren und Wasserstoffenergiespeichergeräte usw. dienen.
  • Heutzutage sind viele Forschungsarbeiten dabei, in den Größenbereich von mindestens Mikrometer einzudringen. Deshalb sind die herkömmlichen vier Arten von Thermometern, die für eine makroskopische Umgebung ausgelegt sind, nicht mehr für eine mikrometergroße Umgebung geeignet, und ein Nanothermometer, das eine Temperaturmessung in der mikrometergroßen Umgebung ausführen kann, wird benötigt.
  • Außerdem wies das herkömmliche Thermometer einen vergleichsweise engen Temperaturbereich auf, der vermessen werden kann, und einige Thermometer mussten für jede Messtemperatur zugerichtet werden, wenn ein weiter Temperaturbereich vermessen wurde.
  • Deshalb ist es in der vorliegenden Erfindung das Ziel, eine Lösung für die oben erwähnten Probleme des herkömmlichen Thermometers bereitzustellen und ein neues Nanothermometer, das eine Temperaturmessung eines weiten Temperaturbereichs in einer mikrometergroßen Umgebung ermöglicht, und ein Verfahren zur Herstellung desselben bereitzustellen.
  • 1(a) stellt die Morphologie eines Drahts dar, der durch den Pfeil angezeigt ist, (b) stellt die Morphologie des Drahts dar, der durch eine dünne Schicht auf seiner runden Spitze und und seinem runden Körper umwickelt ist, (c) stellt das HRTEM-Bild der dünnen Umwicklungsschicht dar, (d) stellt ein EDS-Spektrum von dem Gebiet in (c) dar.
  • 2 stellt die Morphologien der Ga-Spitze dar, wenn sich die Temperatur von 18°C (a) über 58°C (b) und 294°C (c) auf 490°C (d) erhöht, und auch die Morphologien, wenn sich die Temperatur von 490°C (d) über 330°C (e), 170°C (f) und 45°C (g) auf 22°C (h) erniedrigt.
  • 3 stellt die Kurven von Höhe des Ga-Spitzenniveaus gegen Temperatur dar.
  • Als ein Mittel zur Lösung der oben erwähnten Probleme stellt die vorliegende Erfindung zunächst einmal ein Kohlenstoff-Nanoröhrchen bereit, das mit kontinuierlichem säulenförmigem Gallium gefüllt ist. Sie stellt auch die Verwendung eines solchen Kohlenstoff-Nanoröhrchens als ein Nanothermometer bereit, das die Umgebungstemperaturmessung ermöglicht, indem die Längenänderung des kontinuierlichen säulenförmigen Galliums gemessen wird.
  • Das Kohlenstoff-Nanoröhrchen weist vorzugsweise eine Länge von 1–10 μm und einen Durchmesser von 40–150 nm auf. Die Erfindung stellt vorzugsweise die Verwendung des Kohlenstoff-Nanoröhrchens bereit, um eine Temperatur mindestens im Bereich von 50 bis 500°C zu messen. Bei einer solchen Verwendung liegt der Fehler des Nanothermometers vorzugsweise innerhalb 0,25°C.
  • Weiter stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Nanothermometers bereit, wobei das Verfahren umfasst: gleichförmiges Mischen von Ga2O3-Pulver und Kohlenstoffpulver, Wärmebehandeln des Pulvergemischs bei einer Temperatur von 966°C oder mehr unter einem Inertgasstrom, um zu verdampfen, und Hervorrufen einer Reaktion bei einer Temperatur von 835°C oder weniger. Das Gewichtsverhältnis von Ga2O3-Pulver zu Kohlenstoffpulver ist vorzugsweise 7,8:1. Ein bevorzugtes Kohlenstoffpulver ist eine amorphe Aktivkohle. Bei dem Verfahren zur Herstellung kann das Inertgas Stickstoffgas sein, und die Wärmebehandlung kann unter Verwendung eines vertikalen Hochfrequenzofens ausgeführt werden. Auch kann die Wärmebehandlung 1 Stunde lang oder mehr bei einer Temperatur von 1300 bis 1400°C ausgeführt werden.
  • Die vorliegende Erfindung stellt ein Nanothermometer bereit, das eine neue potenzielle Anwendung eines Kohlenstoff-Nanoröhrchen (CNT) ist.
  • Das durch die vorliegende Erfindung bereitgestellte Nanothermometer umfasst ein CNT, das mit einem kontinuierlichen säulenförmigen Ga gefüllt ist, das eine Messung einer Umgebungstemperatur durch die Längenänderung des säulenförmigen Ga ermöglicht. Diese potenzielle Anwendung beruht auf der Ausdehnungscharakteristik von Ga im Innern eines CNT. Bei dem durch die vorliegende Erfindung bereitgestellten Nanothermometer weist, da der Hohlzylinder von CNT mit Ga gefüllt ist, Ga die Form einer kontinuierlichen Säule auf.
  • In der vorliegenden Erfindung ist der Grund, warum Ga statt eines anderen Metalls als das Füllmaterial gewählt ist, dass Ga einen der längsten Flüssigbereiche von allen Metallen aufweist, d.h. 29,78–2403°C, und einen niedrigen Dampfdruck selbst bei hohen Temperaturen aufweist, was es zur Verwendung bei einem Thermometer mit weitem Temperaturbereich geeignet macht. Deshalb weist das Nanothermometer der vorliegenden Erfindung einen potenziellen weiten Messbereich auf, was auf den weiten Flüssigkeitsbereich von Ga, 29,78 bis 2403°C, zurückzuführen ist, der viel weiter als derjenige von Hg, –38,87 bis 356,58°C, ist.
  • Es ist überraschend, dass bei diesem Thermometer die Länge des säulenförmigen Ga mit steigender Temperatur im Temperaturbereich von 50 bis 500°C linear zunimmt. Deshalb kann bei dem durch die vorliegende Erfindung bereitgestellten Nanothermometer im Temperaturbereich von 50 bis 500°C eine Umgebungstemperatur aus der Länge von Ga einfacher und korrekter gemessen werden. Das Nanothermometer kann, was sogar noch überraschender ist, ein äußerst hochpräzises Nanothermometer mit einem Fehler innerhalb 0,25°C verwirklichen.
  • Außerdem wird, da das durch die vorliegende Erfindung bereitgestellte Nanothermometer die detaillierte Struktur eines CNT verwendet, ein sehr kleines Thermometer von Mikrometergröße verwirklicht. Z.B. wird ein Nanothermometer mit einer Länge von 1–10 μm und Durchmessern von 40–150 nm verwirklicht. Z.B. kann bei dem durch die vorliegende Erfindung bereitgestellten Nanothermometer Ga dazu gebracht werden, sich bis zu etwa 8 mm im CNT auszudehnen.
  • Das durch die vorliegende Erfindung bereitgestellte Nanothermometer kann eine wichtige Rolle in verschiedener Forschungsarbeit spielen, einschließlich Temperaturmessung eines weiten Temperaturbereichs in einer Mikrometerumgebung.
  • Das durch die vorliegende Erfindung bereitgestellte Nanothermometer ist erhältlich, indem ein Verfahren der vorliegenden Erfindung wie folgt verwendet wird. Das Verfahren der vorliegenden Erfindung beinhaltet gleichförmiges Mischen von Ga2O3-Pulver und Kohlenstoffpulver, Wärmebehandeln dieses Pulvergemischs bei einer Temperatur von 966°C oder mehr unter einem Inertgasstrom, um zu verdampfen, und Veranlassen einer Reaktion bei einer Temperatur von 835°C oder weniger.
  • Bei dem Verfahren der vorliegenden Erfindung kann Kohlenstoffpulver als Ausgangsmaterial für den CNT-Teil verwendet werden, der ein Nanothermometer bildet. Als Kohlenstoffpulver kann Kohlenstoffpulver von vergleichsweise hoher Reinheit, z.B. 90% Reinheit oder mehr verwendet werden. Und es ist wünschenswert, Aktivkohle und bevorzugter amorphe Aktivkohle zu verwenden. Ga2O3-Pulver kann als Ausgangsmaterial für die säulenförmige Ga-Füllung im CNT verwendet werden.
  • Bei dem Verfahren der vorliegenden Erfindung kann das Gewichtsverhältnis von Ga2O3-Pulver zu Kohlenstoffpulver im Bereich von etwa 7:1 bis 8:1 und spezieller 7,8:1 eingestellt werden.
  • Ga2O3-Pulver und Kohlenstoffpulver werden gleichförmig gemischt und werden bei einer Temperatur von 966°C oder mehr unter einem Inertgasstrom wärmebehandelt. Obwohl sich das Pulvergemisch von Ga2O3 und Kohlenstoff bei einer Temperatur von 966°C oder mehr verdampfen lässt, ist es wünschenswerter, dass eine Wärmebehandlung im Temperaturbereich von 1200 bis 1400°C ausgeführt wird. Stickstoffgas ist als das Inertgas wünschenswert. Die Dämpfe werden durch den Inertgasstrom transportiert, und sie können bei der Temperatur von 835°C oder weniger reagieren und werden abgelagert. Das Verfahren der vorliegenden Erfindung ist einfach, und es ist wünschenswert, dass die Wärmebehandlung unter Verwendung eines vertikalen Hochfrequenzofens ausgeführt wird. Wenn ein Suszeptor des vertikalen Hochfrequenzofens ein unteres Einlassrohr und ein oberes Auslassrohr des Inertgasstroms aufweist, kann das Nanothermometer der vorliegenden Erfindung z.B. auf der inneren Oberfläche des oberen Auslassrohrs als Ablagerungen erhalten werden.
  • Bei der vorliegenden Erfindung kann eine Wärmebehandlung bei einer Temperatur im Bereich von 1200 bis 1400°C wie oben erwähnt ausgeführt werden. Spezieller kann eine Wärmebehandlung von 1 Stunde oder mehr bei der Temperatur von 1300 bis 1400°C als ein grober Standard verwendet werden.
  • Der Modus zur Durchführung der Erfindung wird in größerer Einzelheit im folgenden Beispiel erklärt.
  • BEISPIEL
  • Ein Nanothermometer wurde unter Verwendung des vertikalen Hochfrequenzofens hergestellt, wie in dem Bezug beschrieben; Goldberg, G. et al. Large-scale synthesis and HRTEM analysis of single – walled B- and N-doped carbon nanotube bundles. Carbon 38, 2017–2027 (2000). In einem offenen Graphittiegel war der Reaktant ein homogenes Pulvergemisch von Ga2O3 und reiner amorpher Aktivkohle (AAC) im Gewichtsverhältnis 7,8:1. Der Graphitsuszeptor des vertikalen Hochfrequenzofens wies ein unteres Einlassrohr und ein oberes Auslassrohr auf, die aus Graphit von 99,99%iger Reinheit hergestellt waren. Ein Gasstrom von reinem N2 wurde in den Ofen eingeleitet. Es wurde eine 2 Stunden lange Wärmebehandlung bei 1360°C für den Recktanten ausgeführt. Nach der Wärmebehandlung verschwand der Reaktant im Graphittiegel, während gefunden wurde, dass sich einige Materialien auf der Innenoberfläche des oberen Auslassgraphitrohrs abgelagert hatten. Es wurde gemessen, dass die Temperatur in der Ablagerungszone ~800°C betrug.
  • Die abgelagerten Materialien wurden gesammelt und durch ein analytisches hochauflösendes 300 kV-Feldemissions-Transmissions-Elektronenmikroskop (HRTEM, JEM-3000F), das mit einem energiedispersiven Röntgenstrahlspektrometer (EDS) ausgerüstet war, analysiert. 1(a) stellt mehrere eindimensionale (ID) Nanomaßstab-Drähte der abgelagerten Materialien dar, die Längen von 1–10 μm und Durchmesser von 40–150 nm aufweisen. Der Balken in der unteren rechten Ecke entspricht 1 μm. Der durch den Pfeil angezeigte Draht wurde sorgfältig analysiert. 1(b) stellt dar, dass der Draht auf seiner runden Spitze und seinem runden Körper durch eine dünne Schicht umwickelt ist, wobei d1 = 75 nm. Das HRTEM-Bild in 1(c) zeigt, dass diese dünne Schicht Kohlenstoff ist. Der d-Zwischenraum der Streifen beträgt ~0,34 nm. 1(d) ist ein EDS-Spektrum aus dem Gebiet in (c). Die horizontale Achse ist die Energieachse, während die vertikale Intensität in willkürlichen Einheiten ist. Die Peaks von C-Kα (0,28 keV), Ga-Lα (1,10 keV), Ga-Kα (9,24 keV) und Ga-Kβ (10,26 keV) sind dargestellt, wobei der Cu-Peak von dem Cu-TEM-Gitter entstand. D.h., es zeigt sich, dass der Draht Ga und C enthält.
  • Auf Grundlage der obigen Analyse kann geschlossen werden, dass der angezeigte Draht ein CNT ist, das mit Ga gefüllt ist. Von der linken zur rechten Seite des in (a) dargestellten CNT gibt es runde Spitzen, ein langes säulenförmiges Ga, einen Hohlraum neben der Pfeilspitze, ein kurzes säulenförmiges Ga und einen anderen Hohlraum. In (b) sind die Länge und der Außendurchmesser d0 des CNT 9180 nm und 85 nm, während die Länge L0 und der Durchmesser d1 des längeren säulenförmigen Ga 7560 nm bzw. 75 nm sind. Die runde Spitze hält ihre Form und Größe bei, wenn sich die Temperatur ändert.
  • Die Transmissionselektronenmikroskop (TEM)-Probe der abgelagerten Materialien wurde unter Verwendung einer Gatan-Heizhaltevorrichtung und ihres Zwillingsheizsystems (Hot Stage Powder Supply, Model 628-0500) im Mikroskop erwärmt. Die Position des Ga-Spitzenniveaus des längeren säulenförmigen Ga gegen Temperatur wurde im Bereich 18–500°C untersucht. Wenn die Temperatur zunimmt, steigt das Ga-Spitzenniveau an, wie in den 2(a), (b), (c) und (d) dargestellt. Umgekehrt sinkt das Ga-Spitzenniveau, wenn die Temperatur abnimmt, wie in den 2(e), (f), (g) und (h) dargestellt. Das Ga-Spitzenniveau steigt, wenn die Temperatur zunimmt, während es sinkt, wenn die Temperatur abnimmt. Der Balken in (a) entspricht 85 nm. Wenn das Ga-Spitzenniveau bei 58°C als der Bezugsnullpunkt vorgegeben wird, kann die Höhe des Ga-Spitzenniveaus gegen Temperatur aufgetragen werden, wie in 3 dargestellt, wo die Linien, die schwarze Kreise und schwarze Dreiecke verbinden, dem Temperatur-Zunahmeprozess bzw. Abnahmeprozess entsprechen. Außerdem wurden, wenn die Temperatur von 20°C auf 500°C geändert wurde, die Änderungen der ganzen Länge und des Innendurchmessers des CNT gemessen und auf ~–1% veranschlagt, was auf den sehr kleinen linearen Ausdehnungskoeffizienten von Graphit (~–1 × 10–6/°C längs einer Achse im Bereich von 20–500°C) zurückzuführen ist. Deshalb wird die Ansicht vertreten, dass der Einfluss der Ausdehnung des CNT auf die Ga-Spitzenniveauposition vernachlässigt werden kann und die Höhe gegen Temperatur durch die Volumenänderung des längeren säulenförmigen Ga in Bezug zur Umgebungstemperatur dominiert wird.
  • Im Allgemeinen wird die Volumenänderung (Ausdehnung oder Zusammenziehung) einer Flüssigkeit durch vt = v0(1 + aΔt + bΔt2 + cΔt3) (1)beschrieben, wobei vt und v0 die Flüssigkeitsvolumina bei Temperatur t bzw. t0, Δt = t – t0, sind und a, b und c die räumlichen Ausdehnungskoeffizienten sind. Eine über die Steigungen der Kurven in 3 und das Volumen des längeren säulenförmigen Ga in 1(a) angestellte Rechnung zeigt, dass der Wert von Koeffizient a von Ga 0,100 × 10–3/°C bei 58°C ist, was mit dem Wert (= 0,1815 × 10–3/°C, 0–300°C) von Quecksilber (Hg) vergleichbar ist. Die Koeffizienten b und c von Ga können im Bereich 50–500°C als Null betrachtet werden. 3 stellt dar, dass die Höhe des Ga-Spitzenniveaus im Bereich 50–500°C reproduzierbar ist und sich dort linear ändert. Jedoch ist die Kennlinie im Bereich 20–50°C kompliziert und kann mit einem Verflüssigungs-(oder Verfestigungs)-Prozess in Zusammenhang gebracht werden, wenn die Temperatur erhöht (oder erniedrigt) wird. Folglich kann das CNT, das mit einem langen kontinuierlichen säulenförmigen Ga gefüllt ist, im Bereich von mindestens 50–500°C als ein Thermometer verwendet werden. Für ein Nanothermometer wird die Höhe des Ga-Spitzenniveaus durch ΔH = (4av0/πd1 2)Δt (2)bestimmt, wobei v0 das Volumen eines kontinuierlichen säulenförmigen Ga bei Temperatur t0 und ΔH die Differenz zwischen den Höhen des Ga-Spitzenniveaus bei den Temperaturen t und t0 ist. Umgekehrt kann die Temperatur t = t0 + Δt gemessen werden, nachdem die Differenz ΔH bekannt ist. Um ein empfindliches Thermometer zu erzeugen, sollte das säulenförmige Ga ein großes Volumen v0 und einen kleinen Durchmesser d1 aufweisen. Für das Nanothermometer der vorliegenden Erfindung ist die Änderung ΔH des Ga-Spitzenniveaus gegen Temperatur ΔH = 0,792 (t – 58), wobei ΔH und t in Einheiten nm bzw. °C sind. In der Theorie kann, wenn die Auflösung eines Mikroskops ~0,2 nm beträgt, die Genauigkeit der Temperaturmessung ~0,25°C erreichen. Das Nanothermometer der vorliegenden Erfindung kann zur Messung in einer mikrometergroßen Umgebung verwendet werden. Heutzutage sind viele Forschungsarbeiten in eine Größe von mindestens Mikrometer eingedrungen. Deshalb sind die vier Arten von Thermometern, die für eine makroskopische Umgebung ausgelegt sind, für eine mikrometergroße Umgebung nicht mehr geeignet. Das Nanothermometer der vorliegenden Erfindung könnte eine wichtige Rolle bei verschiedenen Forschungsarbeiten einschließlich einer Temperaturmessung von mikrometergroßer Umgebung spielen. Die vorliegende Art von Nanothermometer, das mit Ga gefüllt ist, weist aufgrund des weiten Flüssigkeitsbereichs (29,78–2403°C) von Ga einen potenziell weiten Messbereich auf, der viel weiter als derjenige (–38,87–356,58°C) von Hg ist.
  • Im Allgemeinen gibt es zwei Lösungsansätze, um CNTs herzustellen, die mit einem bestimmten Material gefüllt sind. Der erste besteht darin, vorher vorhandene Nanoröhrchen zu verwenden und sie durch Kapillaritäts-, Schmelzmedien- und nass chemische Lösungsverfahren zu füllen. Der zweite besteht darin, die Nanoröhrchen und ihre Füllungen gleichzeitig herzustellen. Bei der vorliegenden Erfindung gehört das Verfahren zur Herstellung der CNTs, die mit einem langen säulenförmigen Ga (~7,5 mm) gefüllt sind, zum zweiten Lösungsansatz. Das Wachstum der Ga-Füllungs-CNTs kann zwei chemische Reaktionen beinhalten. Bei einer Temperatur über 966°C können Ga2O- und CO-Dämpfe durch die Reaktion; Ga2O3(Feststoff) + 2C(Feststoff) → Ga2O(Dampf) + 2CO(Dampf), zwischen Ga2O3 und AAC-Pulver im Graphittiegel erzeugt werden. Es kann berechnet werden, dass die Volumen-Gibbsenergie-Änderung für die Bildung von 1 Mol von Ga2O-Dampf bei 1360°C –140 kJ ist. Wenn eine hohe Oberflächen-Gibbsenergie von AAC-Pulver berücksichtigt wird, ist es wahrscheinlicher, dass die Reaktion stattfindet. Wenn die Ga2O- und CO-Dämpfe die Niedrigtemperaturzone (~800°C) des oberen Auslassgraphitrohrs erreichen, tritt eine Dampf-Dampf (VV)-Reaktion auf, wie; nGa2O(Dampf) + (n+2)^CO(Dampf) → 2nGa(Flüssigkeit) + C(Feststoff) + (n+1) CO2(Dampf), was zur Bildung von Ga und C führt. Nachdem der Außendurchmesser d0 und Innendurchmesser d1 eines Ga-Füllungs-CNT bekannt sind, können wir den Wert von n wie folgt veranschlagen
    Figure 00090001
    wobei mc = 12 g/Mol, ρGa = 6,095 g/cm3, mGa = 69,72 g/Mol und ρc~2,00 g/cm3 ist. Für das Ga-Füllungs-CNT in 1(a), wird n als ~1 veranschlagt. Eine Reihe von über die Änderung von Gibbscher Energie für die VV-Reaktion bei n~1 angestellten Berechnungen veranschaulicht, dass sie nur bei einer Temperatur unter 835°C auftreten kann, was mit unserem Experiment konsistent ist, dass die Ga-Füllungs-CNTs in der Niedrigtemperaturzone (~800°C) erhalten wurden.
  • Wie oben in Einzelheit erklärt, liefert die vorliegende Erfindung ein neues Nanothermometer, das in einer mikrometergroßen Umgebung über einen weiten Temperaturbereich zur Temperaturmessung verwendet werden kann, und ein Verfahren zur Herstellung desselben.

Claims (11)

  1. Kohlenstoff-Nanoröhrchen, das mit kontinuierlichem säulenförmigem Gallium gefüllt ist.
  2. Kohlenstoff-Nanoröhrchen nach Anspruch 1, das eine Länge von 1–10 μm und einen Durchmesser von 40–150 nm aufweist.
  3. Verwendung eines Kohlenstoff-Nanoröhrchens nach Anspruch 1 oder Anspruch 2 als ein Nanothermometer, das die Messung von Umgebungstemperatur ermöglicht, indem die Änderung einer Länge des kontinuierlichen säulenförmigen Galliums gemessen wird.
  4. Verwendung eines Kohlenstoff-Nanoröhrchens nach Anspruch 3, um eine Temperatur mindestens im Bereich zwischen 50 und 500°C zu messen.
  5. Verwendung eines Kohlenstoff-Nanoröhrchens nach Anspruch 3 oder Anspruch 4, wobei der Fehler des Nanothermometers innerhalb 0,25°C liegt.
  6. Verfahren zur Herstellung eines Nanothermometers, wobei das Verfahren umfasst: gleichförmiges Mischen von Ga2O3-Pulver und Kohlenstoffpulver, Wärmebehandeln des Pulvergemischs bei einer Temperatur von 966°C oder mehr unter einem Inertgasstrom, um zu verdampfen, und Hervorrufen einer Reaktion bei einer Temperatur von 835°C oder weniger.
  7. Verfahren zur Herstellung eines Nanothermometers nach Anspruch 6, bei dem das Gewichtsverhältnis von Ga2O3-Pulver zu Kohlenstoffpulver 7,8:1 ist.
  8. Verfahren zur Herstellung eines Nanothermometers nach Anspruch 6 oder Anspruch 7, bei dem das Kohlenstoffpulver eine amorphe Aktivkohle ist.
  9. Verfahren zur Herstellung eines Nanothermometers nach einem der Ansprüche 6–8, bei dem das Inertgas Stickstoffgas ist.
  10. Verfahren zur Herstellung eines Nanothermometers nach einem der Ansprüche 6–9, bei dem die Wärmebehandlung unter Verwendung eines vertikalen Hochfrequenzofens ausgeführt wird.
  11. Verfahren zur Herstellung eines Nanothermometers nach einem der Ansprüche 6–10, bei dem die Wärmebehandlung 1 Stunde lang oder mehr bei einer Temperatur zwischen 1300 und 1400°C ausgeführt wird.
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