CN107727263A - 热电偶和温度传感器 - Google Patents

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周晓松
徐焰
柳和宏
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Abstract

本申请提供了一种热电偶和一种温度传感器，该热电偶包括：N型部件和P型部件，该N型部件与该P型部件通过导电材料连接。本申请提供的热电偶的N型部件和P型部件通过导电材料连接，该导电材料填充N型部件和P型部件的连接部位的空隙，增大了N型部件和P型部件的接触面积，提高了电导率，从而可以放大微小的测温电流信号，提高了热电偶的测温性能。

Description

热电偶和温度传感器
技术领域
本申请涉及热电偶领域，尤其涉及一种热电偶和一种温度传感器。
背景技术
在由两种不同的导体或半导体组成的回路中，如果该两种不同的导体或半导体的两个接触点的温度不同，则在回路中将出现电流，这种现象即为塞贝克(Seebeck)效应。上述回路中的电流称为热电流，与热电流对应的电动势称为热电动势，热电动势的大小与上述两个接触点的温差大小正相关，也就是说，该两个接触点之间的温差越大，热电动势越大。
热电偶(thermocouple)是一种测量温度的装置，其测量温度的原理是利用塞贝克效应将温度信号转换成电动势信号，并通过电气仪表转换成被测介质的温度。由于热电偶在测量温度的时候不需要使用外加电源，且热电偶的具有结构简单、测温范围广、精度高等特点，因此，热电偶在温度传感器领域的应用非常广泛。
热电偶的测温性能W除了与温差有关外，还与组成回路材料的电导率σ和塞贝克系数S有关，如公式(1)所示，ΔT表示两个接触点的的温度差值，在ΔT不变的情况下，σ和S越大，W越大，热电偶的测温性能越好。
W＝S2σΔT (1)
然而，对于很多材料(例如，Bi2Te3、PbTe、LaS和LaTe)来说，当σ增大时，S却随之减小，寻找一种σ和S同时增大的材料非常困难，有必要从其它途径去提高热电偶的测温性能。
发明内容
本申请提供了一种热电偶和一种温度传感器，通过高电导率材料连接组成热电偶的两种材料，可以提高热电偶的电导率，从而提高了热电偶的测温性能。
一方面，提供了一种热电偶，包括：N型部件和P型部件，该N型部件与该P型部件通过导电材料连接。
现有技术中，热电偶的N型部件和P型部件是直接连接在一起的，通过这种连接方式连接的N型部件和P型部件的连接部位不紧密，N型部件和P型部件的接触面积较小，从而导致整个热电偶的电导率较小，电流强度较小，测温性能不佳。本申请提供的热电偶的N型部件和P型部件通过导电材料连接，该导电材料填充N型部件和P型部件的连接部位的空隙，增大了N型部件和P型部件的接触面积，提高了电导率，从而可以放大微小的测温电流信号，提高了热电偶的测温性能。
可选地，上述导电材料的电导率大于N型部件的电导率，且该导电材料的电导率大于P型部件的电导率。
上述导电材料的电导率大于N型部件和P型部件中任意一个部件的电导率，从而进一步增大热电偶的电导率，提高热电偶的测温性能。
可选地，所述导电材料为黑色导电材料。
热电偶的测温性能与N型部件和P型部件的两个接触点的温度差有关，使用黑色的导电材料连接N型部件和P型部件有利于提高该接触点的红外线吸收效率，使得该接触点的温度上升，当另外一个接触点的温度不变时，两个接触点之间的温度差增大，从而提高了热电偶的测温性能。
可选地，所述导电材料为圆形薄膜，该圆形薄膜的直径大于10微米(μm)小于100μm。
相对于块体导电材料，薄膜导电材料传递热量的速率更快，有利于提高热电偶的响应速率。薄膜导电材料的面积越大，其接触阻抗越小，红外线吸收量越多，更小的接触阻抗会增强塞贝克效应产生的电流，更多的红外线吸收量有利于提高工作端的温度变化速率，从而可以提高热电偶的响应速率。
可选地，所述导电材料为黑色的铂。
可选地，所述N型部件和所述P型部件中的至少一个为薄膜，所述薄膜的宽度小于10μm。
采用薄膜N型部件和/或薄膜P型部件使得热电偶易于变形，有利于制成可穿戴型温度传感设备。此外，在长度不变的情况下，薄膜的宽度越小，与基底的接触面积越小，这样有利于减少被基底吸收的热量，有利于提高两个接触点之间的温度差，从而可以提高热电偶的测温性能。
可选地，所述N型部件和所述P型部件中的至少一种包括碳纳米管(carbonnanotube，CNT)。
CNT是一种在一定温度范围内S与σ同时增大的材料，采用CNT作为热电偶的N型部件和/或P型部件可以提高热电偶的测温性能。
可选地，所述CNT为金属单壁碳纳米管(single-wall carbon nanotube，SWCNT)。
金属SWCNT的响应速度优于半导体SWCNT，且采用金属SWCNT制备热电偶无需设计门电极，从而提高了热电偶的可靠性。
可选地，所述CNT为取向化(aligned)的CNT。
单个CNT的长度通常很短，不足以制成热电偶，因此，可以将多个CNT连接在一起制成热电偶的N型部件和/或P型部件，取向化的CNT指的是两个CNT的头尾相连，这样可以降低阻抗，提高电导率，从而提高了热电偶的测温性能。
另一方面，提供了一种终端设备，包括M个如上述方面中任意一项所述的热电偶，M为正整数。
本申请提供的终端设备除了包括热电偶之外还可以包括其他装置或模块，例如：还可以包括显示模块、处理模块、存储模块和通信模块，其中，显示模块用于显示热电偶测量温度的结果，通信模块用于热电偶与其它电子设备进行通信，处理模块用于控制显示模块和通信模块。本申请提供的温度传感器中热电偶的N型部件和P型部件通过导电材料连接，且该导电材料的电导率大于N型部件和P型部件中任意一个部件的电导率，从而可以在不降低塞贝克系数的前提下提高热电偶的电导率，从而提高了热电偶和温度传感器的测温性能。
可选地，该M个热电偶以串联方式连接在一起，M大于或等于2。
多个热电偶串联在一起可以提高热电偶的输出电压，这样可以放大被测物体的测量结果的信号强度，从而提高了温度传感器的灵敏度。
再一方面，提供了一种热电堆温度传感器，包括基底、导热薄膜、N型部件、P型部件、冷端导电材料、热端导电材料、电极和吸热材料，N型部件与P型部件通过冷端材料或热端导电材料连接，吸热材料位于热端导电材料之上，导热薄膜位于N型部件与P型部件之下且位于基底之上，电极与N型部件或P型部件连接。
现有技术中，热电堆温度传感器的N型部件和P型部件是直接连接在一起的，通过这种连接方式连接的N型部件和P型部件的连接部位不紧密，N型部件和P型部件的接触面积较小，从而导致整个热电堆温度传感器的电导率较小，电流强度较小，测温性能不佳。本实施例提供的热电堆温度传感器的N型部件和P型部件通过导电材料连接，该导电材料填充N型部件和P型部件的连接部位的空隙，增大了N型部件和P型部件的接触面积，提高了电导率，从而可以放大微小的测温电流信号，提高了热电堆温度传感器的测温性能。
可选地，导热薄膜的边缘位于冷端导电材料与热端导电材料的中间部位。
导热薄膜用于传导吸热材料吸收的热量，当导热薄膜的边缘位于冷端导电材料和热端导电材料之间时，使得N型部件和P型部件的冷端和热端的温差最大，有利于提高热电堆温度传感器的测温性能。
又一方面，提供了一种终端，所述终端包括上述方面的的温度传感器，以及控制电路，控制电路用于对所述温度传感器的信号进行处理。或者，所述终端包括上述方面的温度传感器以及处理器，该处理器用于对温度传感器的信号进行处理。
附图说明
图1是塞贝克效应示意图；
图2是本申请提供的一种热电偶的示意图；
图3是本申请提供的一种半导体热电偶的示意图；
图4是本申请提供的一种金属热电偶的示意图；
图5是本申请提供的另一种热电偶的示意图；
图6是本申请提供的一种可能的温度传感器的示意图；
图7是本申请提供的另一种可能的温度传感器的示意图；
图8是本申请提供的再一种热电偶的示意图。
具体实施方式
为了便于理解本申请的技术方案，首先对本申请所涉及概念做简要介绍。
图1是塞贝克效应的示意图。A表示一种金属或半导体，B表示另一种金属或半导体。A和B的两端分别连接在一起，形成左右两个接触点，左侧接触点的环境温度高，称之为热端，右侧接触点的环境温度低，称之为冷端。
当A和B均为金属时，由于A和B的自由电子密度不同，因此，当两种材料接触(例如，焊接或者熔接)时，在接触面上就会发生电子扩散。对于同一个接触区来说，A和B两种材料的温度相同，电子的扩散速度相同，接触面最终的呈现的电性仅与自由电子密度相关。设A的自由电子密度为NA，B的自由电子密度为NB，且NA>NB，当两种材料的自由电子扩散速度相同时，显然A比B失去的自由电子更多，因此，电子扩散的结果使得A失去电子带正电(如图1所示的符号“+”)以及B获得电子带负电(如图1所示的符号“—”)，从而在接触面形成电场。这个电场阻碍了电子扩散，当电子扩散达到动态平衡时，在接触区形成一个稳定的电位差，即，接触电动势。接触电动势也可称为珀耳帖(Peltier)电动势。
对于热端来说，由于环境温度较高，材料处于吸热状态；对于冷端来说，由于环境温度较低，材料处于放热状态。因此，对于同一种材料来说，热端的自由电子的能量高于冷端的自由电子的能量，热端逸出的自由电子多于冷端逸出的自由电子，从而在一种材料的内部形成电动势，该电动势称为汤姆逊(Thomson)电动势。
塞贝克效应即珀耳帖电动势和汤姆逊电动势在回路中产生电流的现象。
当A和B均为半导体时，由于半导体存在带隙(即，能带间隙)，因此，相比于金属热电偶，半导体热电偶需要增加门电极设计，通过施加电压消除半导体的带隙。当半导体带隙消除后，半导体热电偶即看作金属热电偶。
图2示出了本申请提供的一种热电偶的示意图。如图2所示，该热电偶包括N型部件、P型部件以及导电材料(图2中的圆点)，该导电材料用于连接N型部件和P型部件，且该导电材料的电导率大于N型部件和P型部件中至少一个部件的电导率。应理解，图2所示的圆形导电材料仅是举例说明，本申请对连接N型部件和P型部件的导电材料的形状不做限定，本申请对N型部件的形状和P型部件的形状也不做限定。
在本申请中，N型部件和P型部件指的是主要载流子(即，两种类型的载流子中浓度较高的载流子)不同的两种材料，其中，P型部件的主要载流子为正电荷(或称为“空穴”)，N型部件的主要载流子为负电荷(即“电子”)。N型部件可以是金属，也可以是半导体。P型部件可以是金属，也可以是半导体。需要说明的是，“N型”和“P型”是根据主要载流子的类型划分的概念，而“金属”和“半导体”则是根据能带间隙的类型划分的概念。
为了便于描述，以下，将N型部件和P型部件通过导电材料连接的一端称为“第一端”，将N型部件和P型部件和未连接的一端称为“第二端”。
图2所示的热电偶仅是示意图，实际上，图2所示的热电偶还可以连接电学器件以测量塞贝克效应形成的电压或电流。例如，可以在N型部件和P型部件的第二端连接电流表，使得热电偶形成回路，从而可以测量塞贝克效应形成的电流。
图2中，第一端是热端，第二端是冷端；或者，第一端是冷端，第二端是热端。本申请对热电偶的具体测温方式不做限定。例如，可以是非接触式测温，也可以是接触式测温。其中，接触式测温即第一端或第二端作为工作端直接接触被测物体，另一端作为参考端不接触被测物体，非接触式测温例如可以是第一端或第二端通过吸收被测物体的红外线来测量被测物体的温度。
需要说明的是，即使N型部件的端点和P型部件的端点没有直接接触，只要二者通过导电材料连接，且N型部件的端点的温度和P型部件的端点的温度相同，那么，这个闭合回路中产生的温差电动势与N型部件的端点和P型部件的端点直接接触产生的温差电动势是相同的。
对于图2所示的热电偶，在一种实现方式中，N型部件的端点和P型部件的端点直接接触，导电材料填充N型部件和P型部件的接触点之间的空隙，在该实现方式中，导电材料的电导率需要大于空气的电导率；在另一种实现方式中，N型部件的端点和P型部件的端点不直接接触，而是通过导电材料间接接触，在该实现方式中，导电材料的电导率要大于N型部件的电导率且大于P型部件的电导率，以保证通过间接接触方式连接的热电偶的电导率大于通过直接接触方式连接的热电偶。
在一些实现方式中，图2所示的导电材料为黑色导电材料，例如，该黑色的导电材料为黑色的铂或黑色的CNT。热电偶的测温性能与N型部件和P型部件的两个端点的温度差有关，使用黑色的导电材料连接N型部件和P型部件有利于提高该端点的红外线吸收效率，使得该端点的温度上升，当另外一个端点的温度不变时，两个端点之间的温度差增大，从而提高了热电偶的测温性能。
在一些实现方式中，该导电材料为薄膜，相对于块体导电材料，薄膜导电材料传递热量的速率更快，有利于提高热电偶的响应速率。薄膜导电材料的面积越大，其接触阻抗越小，红外线吸收量越多，更小的接触阻抗会增强塞贝克效应产生的电流，更多的红外线吸收量有利于提高工作端的温度变化速率，从而可以提高热电偶的响应速率。其中，上述接触阻抗指的是薄膜导电材料与基底之间的阻抗。
在一些实现方式中，该薄膜导电材料的为圆形薄膜，且该圆形薄膜的直径大于10μm，考虑到薄膜面积过大会导致表面张力难以控制，从而导致薄膜易出现裂纹，这样会使得薄膜导电材料的电导率降低，对热电偶的响应速率产生负面影响，因此，在一些实现方式中，该圆形薄膜导电材料的直径小于100μm。
在一些实现方式中，N型部件和P型部件中的至少一个为薄膜。
相对于块体材料，薄膜材料传递热量的速率更快，有利于提高热电偶的响应速率。此外，采用薄膜N型部件和/或薄膜P型部件使得热电偶易于变形，有利于制成可穿戴型温度传感设备。
在一些实现方式中，构成N型部件的薄膜的宽度小于10μm，和/或，构成P型部件的薄膜的宽度小于10μm。
在长度不变的情况下，薄膜的宽度越小，与基底的接触面积越小，这样有利于减少被基底吸收的热量，有利于提高两个接触点之间的温度差，从而可以提高热电偶的测温性能。
在一些实现方式中，所述N型部件和所述P型部件中的至少一种包括CNT。
CNT是一种在一定温度范围内S与σ同时增大的材料，采用CNT作为热电偶的N型部件和/或P型部件可以提高热电偶的测温性能。
在一些实现方式中，本申请所使用的CNT为金属SWCNT。
金属SWCNT的响应速度优于半导体SWCNT，且采用金属SWCNT制备热电偶无需设计门电极，从而提高了热电偶的可靠性。
在一些实现方式中，本申请所使用的CNT为取向化的CNT。
单个CNT的长度通常很短，不足以制成热电偶，因此，可以将多个CNT连接在一起制成热电偶的N型部件或P型部件，取向化的CNT指的是两个CNT的头尾相连，这样可以降低阻抗，提高热电偶的响应速率。
在本申请中，可以通过喷墨工艺制备薄膜部件，例如，可以将SWCNT分散在N，N-二甲基甲酰胺溶液中作为油墨，并将该油墨喷涂在基底上，基底的表面需要使用化学试剂改性以形成自组装单层(self-assembled monolayer)，以便于油墨在基底表面精确地形成SWCNT薄膜。
纯净的SWCNT没有P型和N型的区分，可以通过化学掺杂或者电化学处理将SWCNT转变为P型SWCNT和N型SWCNT。
例如，可以使用硝酸处理SWCNT形成P型SWCNT，以及使用聚乙烯酰亚胺处理SWCNT形成N型SWCNT。上述处理方法既可用于半导体SWCNT，也可以用于金属SWCNT。
通过化学掺杂形成P型SWCNT的方法可以参考下述文献：
Atomistic Oxidation Mechanism of a Carbon Nanotube in Nitric Acid(https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.104.066401)。
通过化学掺杂形成N型SWCNT的方法可以参考下述文献：
N-Type Thermoelectric Performance of Functionalized Carbon Nanotube-Filled Polymer Composites(http://journals.plos.org/plosone/article？id＝10.1371/journal.pone.0047822)。
图3示出了本申请提供的一种半导体型热电偶的示意图。该热电偶通过电化学方法调节半导体SWCNT薄膜的载流子，从而形成了P型半导体SWCNT薄膜和N型半导体SWCNT薄膜。如图3所示，该热电偶为两个栅极(gate)组成的分裂双栅极结构，其中，以左侧结构为例，矩形2表示介电层(dielectric layer)，矩形1表示位于介电层上方的电极，该电极用于为栅极1供电，栅极1通过介电层用于对半导体SWCNT薄膜施加负电压(即，图3中所示的VG1<0)，以使得左侧的半导体SWCNT薄膜转变为P型半导体SWCNT薄膜，矩形3表示位于介电层下方的电极，用于连接P型半导体SWCNT薄膜和电压表V。图3中右侧结构与上述左侧结构相同，需要说明的是，栅极2通过介电层对右侧的半导体SWCNT薄膜施加的电压为正电压(即，图3中所示的VG1>0)，从而使得右侧的半导体SWCNT薄膜转变为N型半导体SWCNT薄膜。
图4示出了本申请提供的一种金属型热电偶的示意图。与半导体型热电偶相比，该热电偶无需设置门电极，从而提高了可靠性。
本申请还提供了一种温度传感器，包括M个如图2所示的热电偶，M为正整数。
本申请提供的温度传感器除了包括热电偶之外还可以包括其他装置或模块，例如：还可以包括显示模块、处理模块、存储模块和通信模块，其中，显示模块用于显示热电偶测量温度的结果，通信模块用于热电偶与其它电子设备进行通信，处理模块用于控制显示模块和通信模块。其中，显示模块可以是显示屏和/或投影镜头，显示屏用于显示热电偶的测量结果，投影镜头用于将热电偶的测量结果以光信号的形式投射到其它介质上，例如，投影镜头可以是虚拟现实(virtual reality，VR)镜头或增强现实(augmented reality，AR)镜头。
本申请提供的温度传感器中热电偶的N型部件和P型部件通过导电材料连接，且该导电材料的电导率大于N型部件和P型部件中任意一个部件的电导率，从而可以在不降低塞贝克系数的前提下提高热电偶的电导率，从而提高了热电偶和温度传感器的测温性能。
在一些实现方式中，该M个热电偶以串联方式连接在一起，M大于或等于2。
图5示出了本申请提供的一种温度传感器所包括的热电偶的示意图，多个热电偶串联在一起可以提高热电偶的输出电压，这样可以放大被测物体的测量结果的信号强度，从而提高了温度传感器的灵敏度。
上文详细介绍了本申请提供的温度传感器。可以理解的是，温度传感器为了实现上述功能，其包含了执行各个功能相应的硬件结构和/或软件模块。本领域技术人员应该很容易意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例，本申请能够以硬件或硬件和软件的结合形式来实现。某个功能究竟以硬件还是软件驱动硬件的方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。
本申请可以根据上述示例对温度传感器进行功能单元的划分，例如，可以对应各个功能划分各个功能单元，也可以将两个或两个以上的功能集成在一个处理单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。需要说明的是，本申请中对单元的划分是示意性的，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式。
在采用集成的单元的情况下，图6示出了包括上述实施例中所涉及的温度传感器的终端设备一种可能的结构示意图。终端设备600包括：处理单元602和通信单元603。处理单元602用于对终端设备600的动作进行控制管理，例如，处理单元602用于接收处理热电偶601测得的物理信号，并将该物理信号转变成能够被显示模块显示的电信号。通信单元603用于支持终端设备600与其它网元的通信，例如与云或者基站之间的通信。终端设备600还可以包括存储单元604，其用于终端设备600的程序代码和数据。
其中，处理单元602可以是处理器或控制器，例如可以是中央处理器(centralprocessing unit，CPU)，通用处理器，数字信号处理器(digital signal processor，DSP)，专用集成电路(application-specific integrated circuit，ASIC)，现场可编程门阵列(field programmable gate array，FPGA)或者其他可编程逻辑器件、晶体管逻辑器件、硬件部件或者其任意组合。其可以实现或执行结合本申请公开内容所描述的各种示例性的逻辑方框，模块和电路。所述处理器也可以是实现计算功能的组合，例如包含一个或多个微处理器组合，DSP和微处理器的组合等等。通信单元603可以是通信接口或收发器。存储单元601可以是存储器。
当处理单元602为处理器，通信单元603为收发器，存储单元604为存储器时，本申请所涉及的终端设备可以为图7所示的终端设备。
参阅图7所示，该终端设备700包括：热电偶701、处理器702、收发器703和存储器704。其中，这些器件可以通过内部连接通路相互通信，传递控制和/或数据信号。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，上述描述的装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不加赘述。
因此，本申请提供的终端设备600和终端设备700，包括如图5所示的热电偶，可以在不降低塞贝克系数的前提下提高热电偶的电导率，从而提高了温度传感器的测温性能。
图8示出了本申请提供的一种热电堆(thermopile)温度传感器所包括的热电偶的示意图，该热电堆温度传感器包括基底1、导热薄膜2、N型部件3、P型部件4、冷端导电材料5、热端导电材料6、电极7和吸热材料8，N型部件3与P型部件4通过冷端材料5或热端导电材料6连接，吸热材料8位于热端导电材料6之上，导热薄膜2位于N型部件3与P型部件4之下且位于基底1之上，电极7与N型部件3或P型部件4连接。
上述热电堆温度传感器中，基底1例如是硅基底，热端导电材料6例如是黑色的铂，冷端导电材料5例如是银白色的铂，从而可以提高热电偶的热端和冷端的温差。
应理解，图8所示的热电堆温度传感器中，N型部件3和P型部件4仅是作为示例标识出的两个部件，其它N型部件和P型部件的性质和连接方式与N型部件3和P型部件4的性质和连接方式相同。此外，热端导电材料6和冷端导电材料5仅是根据两种材料所处的位置定义的名字，热端导电材料6和冷端导电材料5可以相同也可以不同，本申请对此不作限定。
导热薄膜2用于传导吸热材料8吸收的热量，在一些实现方式中，当导热薄膜2的边缘位于冷端导电材料和热端导电材料之间时，使得N型部件3和P型部件4的冷端和热端的温差最大，有利于提高热电堆温度传感器的测温性能。
本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
以上所述的具体实施方式，对本申请的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本申请的具体实施方式而已，并不用于限定本申请的保护范围，凡在本申请的技术方案的基础之上，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包括在本申请的保护范围之内。

Claims (14)

1.一种热电偶，其特征在于，包括：
N型部件和P型部件，所述N型部件与所述P型部件通过导电材料连接。
2.根据权利要求1所述的热电偶，其特征在于，所述导电材料的电导率大于所述N型部件的电导率，且所述导电材料的电导率大于所述P型部件的电导率。
3.根据权利要求1或2所述的热电偶，其特征在于，所述导电材料为黑色导电材料。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的热电偶，其特征在于，所述导电材料为圆形薄膜，所述圆形薄膜的直径大于10微米。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的热电偶，其特征在于，所述导电材料为黑色的铂。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的热电偶，其特征在于，所述N型部件和所述P型部件中的至少一个为薄膜，所述薄膜的宽度小于10微米。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的热电偶，其特征在于，所述N型部件和所述P型部件中的至少一种包括碳纳米管。
8.根据权利要求7所述的热电偶，其特征在于，所述碳纳米管为金属单壁碳纳米管。
9.根据权利要求7或8所述的热电偶，其特征在于，所述碳纳米管为取向化的碳纳米管。
10.一种温度传感器，其特征在于，包括M个如权利要求1至9中任意一项所述的热电偶，所述M为正整数。
11.根据权利要求10所述的温度传感器，其特征在于，所述M个热电偶以串联方式连接在一起，所述M大于或等于2。
12.一种热电堆温度传感器，其特征在于，包括基底(1)、导热薄膜(2)、N型部件(3)、P型部件(4)、冷端导电材料(5)、热端导电材料(6)、电极(7)和吸热材料(8)，所述N型部件(3)与所述P型部件(4)通过所述冷端材料(5)或所述热端导电材料(6)连接，所述吸热材料(8)位于所述热端导电材料(6)之上，所述导热薄膜(2)位于所述N型部件(3)与所述P型部件(4)之下且位于所述基底(1)之上，所述电极(7)与所述N型部件(3)或所述P型部件(4)连接。
13.根据权利要求12所述的热电堆温度传感器，其特征在于，所述导热薄膜(2)的边缘位于所述冷端导电材料(5)与所述热端导电材料(6)的中间部位。
14.一种终端，其特征在于，包括控制电路和如权利要求10所述的温度传感器，所述控制电路用于对所述温度传感器的信号进行处理。
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