DE60315059T2

DE60315059T2 - Prüfverbinder mit anisotroper leitfähigkeit

Info

Publication number: DE60315059T2
Application number: DE60315059T
Authority: DE
Inventors: Ryoji Setaka; Masaya Naoi; Katsumi Sato
Original assignee: JSR Corp
Current assignee: JSR Corp
Priority date: 2002-08-09
Filing date: 2003-08-07
Publication date: 2008-04-17
Anticipated expiration: 2023-08-08
Also published as: CN100413045C; EP1553623B1; DE60315059D1; US20060043983A1; KR20050027252A; KR100715751B1; CN1675755A; EP1553623A1; AU2003254855A1; WO2004015762A1; US7095241B2; EP1553623A4; ATE367650T1

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Prüfverbinder mit anisotroper Leitfähigkeit, der geeignet ist zur Verwendung bei elektrischer Leitfähigkeitsinspektion einer Vielzahl integrierter Schaltungen, die auf einem Wafer nach dem Stand der Technik (des Wafers) gebildet sind, ein Prüfglied, das mit diesem anisotropen Verbinder ausgestattet ist, eine Waferprüfungsgerät, das dieses Prüfglied verwendet, und ein Waferprüfungsverfahren unter Verwendung dieses Prüfglieds, und insbesondere auf einen Prüfverbinder mit anisotroper Leitfähigkeit, der geeignet ist zur Verwendung bei der elektrischen Prüfung der Leitfähigkeit integrierter Schaltungen, die aus einem Wafer gebildet sind, dessen Durchmesser beispielsweise 8 Zoll oder mehr beträgt und wobei eine Gesamtzahl von zu prüfenden Elektroden bei den auf einem Wafer gebildete integrierte Schaltungen wenigstens 5.000 zu berücksichtigen sind, wobei im Stand des Wafers ein Prüfglied, das mit diesem Prüfverbinder mit anisotroper Leitfähigkeit ausgestattet ist, ein Waferprüfungsgerät, das mit diesem Prüfglied ausgestattet ist, und ein Waferprüfungsverfahren dieses Prüfglied verwendet.
Beim Herstellprozeß von integrierten Halbleiterschaltungseinrichtungen wird nach einer hohen Anzahl integrierter Schaltungen, die auf einem Wafer gebildet sind, beispielsweise aus Silizium, jede dieser integrierten Schaltungen generell einem Prüftest unterzogen, der grundsätzlich elektrische Eigenschaften dieses prüft, wodurch defekte integrierte Schaltungen aussortiert werden. Dieser Wafer wird dann geschnitten, wodurch Halbleiterchips entstehen. Derartige Halbleiterchips sind in eigenen Bausteinen enthalten und versiegelt. Jede der enthaltenen integrierten Halbleiterschaltungseinrichtungen wird weiterhin einem Testbetrieb bei erhöhter Temperatur unterzogen, wobei elektrische Eigenschaften unter Hochtemperaturbedingung geprüft, und integrierte Halbleiterschaltungseinrichtungen aussortiert werden, die latente Defekte aufweisen.
Bei einer derartigen elektrischen Prüfung integrierter Schaltungen, wie dem Prüftest oder dem Testbetrieb bei erhöhter Temperatur, wird ein Prüfglied zum elektrischen Verbinden einer jeden Elektrode verwendet, die zu untersuchen ist in einem Prüfgegenstand mit einem Testgerät. Als derartiges Prüfglied bekannt ist ein solches, das aus einer Schaltungsplatine zur Prüfung aufgebaut ist, auf der Prüfelektroden entsprechend einem Muster gemäß einem zu prüfenden Elektrodenmuster gebildet sind, und ein Elastomerblatt mit anisotroper Leitfähigkeit ist auf der Schaltungsplatine zur Prüfung vorgesehen.
Als derartige Elastomerblätter mit anisotroper Leitfähigkeit sind jene unterschiedlicher Strukturen bisher bekannt. Beispielsweise offenbart die japanische offengelegte Patentanmeldung Nummer 93393/1976 ein Elastomerblatt mit anisotroper Leitfähigkeit (wird nachstehend als "Elastomerblatt mit anisotroper Leitfähigkeit des Dispersionstyps" bezeichnet), gewonnen durch einheitliche Dispersionsmetallpartikel in einem Elastomer, und die japanische offengelegte Patentanmeldung Nummer 147772/1978 offenbart ein Elastomerblatt mit anisotroper Leitfähigkeit (wird nachstehend als "Elastomerblatt mit anisotroper Leitfähigkeit des Typs mit ungleichförmiger Verteilung" bezeichnet), gewonnen durch ungleichmäßiges Verteilen magnetisch leitfähiger Partikel in einem Elastomer, um eine hohe Anzahl leitfähiger Teile zu bilden, die sich in Dickerichtung und einem Isolationsteil zur gegenseitigen Isolation dieser erstrecken. Des Weiteren offenbart die japanische offengelegte Patentanmeldung mit der Nummer 250906/1986 ein Elastomerblatt mit anisotroper Leitfähigkeit des Typs ungleichförmiger Verteilung, wobei ein Unterschied im Niveau, festgelegt zwischen der Oberfläche eines jeden leitfähigen Teils und einem Isolationsteil, gebildet ist.
Beim Elastomerblatt mit anisotroper Leitfähigkeit des Typs ungleichförmiger Verteilung ist es verglichen mit dem Elastomerblatt mit anisotroper Leitfähigkeit des Dispersionstyps vorteilhaft, dass wegen der leitenden Teile, die entsprechend einem Muster zu einem Elektrodenmuster gebildet sind, das von einer zu prüfenden integrierten Schaltung zu prüfen ist, eine elektrische Verbindung zwischen den Elektroden mit hoher Zuverlässigkeit erzielbar ist, selbst bei einer kleinen integrierten Schaltung mit geringem Anordnungsabstand der zu prüfenden Elektroden, das heißt, mit mittlerem Abstand zwischen den zu prüfenden benachbarten Elektroden.
Bei einem solchen Elastomerblatt mit anisotroper Leitfähigkeit des Typs ungleichförmiger Verteilung ist es erforderlich, dieses in einer speziellen Lagebeziehung zu einer Schaltungsplatine zu halten für die Prüfung und für einen Prüfgegenstand in einer elektrischen Verbindungsoperation.
Das Elastomerblatt mit anisotroper Leitfähigkeit ist jedoch flexibel und leicht zu verformen, und so hat es eine geringe Handhabbarkeitseigenschaft. Mit der Miniaturisierung oder hochdichten Verdrahtung der elektrischen Produkte in den letzten Jahren tendieren die integrierten Schaltungseinrichtungen zusätzlich dazu, die Anzahl der Elektroden zu erhöhen und die Elektroden in einem Anordnungsgrundabstand hoher Dichte zu verwenden, da der Anordnungsgrundabstand der Elektroden kleiner wird. Die Positionierung und das Halten und Fixieren des Elastomerblatts mit anisotroper Leitfähigkeit vom Typ ungleichförmiger Verteilung wird schwierig, nachdem die elektrische Verbindung zu den zu prüfenden Elektroden des Gegenstands der Prüfung geprüft wird.
Selbst wenn die erforderliche Positionierung, Halterung und Fixierung des Elastomerblatts mit anisotroper Leitfähigkeit vom Typ ungleichförmiger Verteilung einmal mit einer integrierten Schaltungseinrichtung realisiert ist, gibt es andererseits beim Testbetrieb mit erhöhter Temperatur ein Problem, dass eine Lageabweichung zwischen leitenden Teilen des Elastomerblatts mit anisotroper Leitfähigkeit vom Typ ungleichförmiger Verteilung und zu prüfenden Elektroden in der integrierten Schaltungseinrichtung auftritt, wenn diese einer thermischen Hysterese durch Temperaturänderung unterzogen werden, da der thermische Ausdehnungskoeffizient weitestgehend zwischen den Materialien unterschiedlich ist (beispielsweise Silikon), aus denen die integrierte Schaltungseinrichtung besteht, die Gegenstand der Prüfung ist, und ein Material (beispielsweise Silikongummi), woraus das Elastomerblatt mit anisotroper Leitfähigkeit vom Typ ungleichförmiger Verteilung besteht, im Ergebnis der elektrische Verbindungszustand verändert wird, und somit kein stabiler Verbindungszustand beibehalten werden kann.
Um ein derartiges Problem zu lösen, ist ein Prüfverbinder mit anisotroper Leitfähigkeit vorgeschlagen worden (siehe japanische offengelegte Patentanmeldung Nummer 40224/1999 ) aus einer Metallrahmenplatte mit einer Öffnung und einem Blatt anisotroper Leitfähigkeit in der Öffnung der Rahmenplatte angeordnet und an der umfangsseitigen Kante durch eine Öffnungskante über die Rahmenplatte gestützt.
Dieser Prüfverbinder mit anisotroper Leitfähigkeit wird im Allgemeinen folgendermaßen hergestellt.
Wie in 23 dargestellt, ist eine Gussform zum Gießen eines Elastomerblatts mit anisotroper Leitfähigkeit aufgebaut aus einer Oberdruckpreßform 80 und einer Unterdruckpreßform 85, die ein Paar bilden, wobei eine Rahmenplatte 90 eine Öffnung 91 aufweist, die in Ausrichtung in dieser Gussform vorgesehen ist, und ein Gussmaterial mit leitfähigen Partikeln, das Magnetismus zeigt, ist in ein polymersubstanzbildendes Material dispergiert, so dass eine elastische Polymersubstanz durch Wärmebehandlung entsteht, die in eine Region eingeführt wird, die die Öffnung 91 der Rahmenplatte 90 enthält und eine Öffnungskante da herum, um eine Gußmaterialschicht 95 zu bilden. Hier sind die leitfähigen Partikel P in einer Gußmaterialschicht 95 in einem Zustand der Dispersion in der Gußmaterialschicht 95 enthalten.
Sowohl die Oberdruckpressform 80 als auch die Unterdruckpressform 85 in der Gussform haben jeweils Gießoberflächen, die aus einer Vielzahl von ferromagnetischen Materialschichten 81 oder 86 bestehen, die entsprechend einem Muster gemäß einem Muster der leitfähigen Teile des Elastomerblatts mit anisotroper Leitfähigkeit gebildet sind, um gegossen zu werden, und nichtmagnetische Substanzschichten 82 oder 87, die auf anderen Abschnitten als den Abschnitten gebildet sind, bei denen die ferromagnetischen Substanzschichten 81 oder 86 jeweils gebildet sind und so angeordnet sind, dass die zugehörigen ferromagnetischen Substanzschichten 81 und 86 einander gegenüberstehen.
Beispielsweise ein Paar Elektromagnete sind dann an der oberen Fläche der Oberdruckpressform 80 und der unteren Fläche der Unterdruckpressform 85 vorgesehen, und die Elektromagnete werden betätigt, wodurch ein magnetisches Feld mit hoher Intensität bei Abschnitten zwischen den ferromagnetischen Substanzschichten 81 und der Oberdruckpressform 80 und den zugehörigen ferromagnetischen Substanzschichten 86 der Unterdruckpressform 85 anliegt, das heißt, an Abschnitten, die leitfähige Teile werden sollen, anders als andere Abschnitte zur Gussmaterialschicht 95 in Dickerichtung der Gussmaterialschicht 95. Im Ergebnis werden die leitfähigen Partikel P, die in der Gussmaterialschicht 95 dispergiert sind, an Abschnitten gesammelt, bei denen das Magnetfeld die höhere Intensität hat, die an der Gussmaterialschicht 95 anliegt, das heißt, die Abschnitte, die zwischen den ferromagnetischen Substanzschichten 81 der Oberdruckpressform 80 und ihren zugehörigen ferromagnetischen Substanzschichten 86 der Unterdruckpressform 85 und weiterhin in Dickerichtung der Gussmaterialschicht ausgerichtet sind. In diesem Zustand wird die Gussmaterialschicht 95 einer Wärmebehandlung unterzogen, wodurch ein Elastomerblatt mit anisotroper Leitfähigkeit, zusammengesetzt aus einer Vielzahl leitender Teile, in denen die leitfähigen Partikel P in einem Zustand der Ausrichtung enthalten sind, die in Dickerichtung zeigt, und ein Isolationsteil zum gegenseitigen Isolieren dieser leitfähigen Teile ist in einem Zustand gegossen, dessen periphere Kante gestützt ist durch die Öffnungskante über der Rahmenplatte, wodurch ein Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit geschaffen wird.
Gemäß einem solchen Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit ist dieser schwer zu deformieren und leicht zu handhaben, weil das Elastomerblatt mit anisotroper Leitfähigkeit gestützt wird von der Rahmenplatte aus Metall, und eine Lagemarkierung (beispielsweise ein Loch) ist in der Rahmenplatte im voraus eingebracht worden, wodurch die Positionierung und das Halten und Befestigen mit einer integrierten Schaltungseinrichtung leicht durchgeführt werden kann, nachdem eine elektrische Verbindungsoperation für die Schaltungseinrichtung erfolgt ist. Ein Material mit niedrigem thermischem Ausdehnungskoeffizienten wird zusätzlich als Material zum Bilden der Rahmenplatte verwendet, wodurch die thermische Ausdehnung des Blattes mit anisotroper Leitfähigkeit durch die Rahmenplatte beibehalten wird, so dass eine Lageabweichung zwischen den leitfähigen Teilen des Elastomerblatts mit anisotroper Leitfähigkeit vom Typ ungleichförmiger Verteilung und zu prüfenden Elektroden der integrierten Schaltungseinrichtung vermieden wird, selbst wenn diese einer thermischen Hysterese durch Temperaturänderung unterzogen werden. Im Ergebnis kann ein guter elektrischer Verbindungszustand stabil beibehalten werden.
In einem Prüftest, der für die auf dem Wafer gebildeten integrierten Schaltungen auf diese Weise durchgeführt wurde, wird ein Verfahren unterteilt in eine Vielzahl von Bereichen, in denen jeweils 16 oder 32 integrierte Schaltungen unter einer größeren Anzahl integrierter Schaltungen geschaffen worden sind, wird ein Prüftest bezüglich aller auf einem Bereich gebildeten integrierten Schaltungen gemeinsam durchgeführt, und der Prüftest wird bezüglich der integrierten Schaltungen erfolgreich durchgeführt, die auf anderen Bereichen gebildet sind.
In den letzten Jahren ist der Bedarf nach kollektiver Ausführung eines Prüftests als Beispiel für 64 oder 124 integrierte Schaltungen aufgekommen, oder aller integrierter Schaltungen unter einer großen Anzahl integrierter Schaltungen, die auf einem Wafer gebildet sind, zum Zwecke des Verbesserns der Prüfungseffizienz und der Verringerung der Prüfungskosten.
In einem Testbetrieb bei erhöhter Temperatur bedarf es andererseits längerer Zeit zum individuellen Durchführen der elektrischen Prüfung einer großen Anzahl integrierter Schaltungseinrichtungen, weil jede integrierte Schaltungseinrichtung ein Gegenstand der Feinprüfung ist und die Handhabung unbequem ist, wodurch die Prüfungskosten beträchtlich in die Höhe gehen. Aus diesen Gründen ist ein WLBI-Test (Wafertestbetrieb bei erhöhter Temperatur) vorgeschlagen worden, bei dem der Testbetrieb bei erhöhter Temperatur gemeinsam bezüglich einer hohen Anzahl integrierter Schaltungen durchgeführt wird, die auf einem Wafer im Stand des Wafers gebildet sind.
Wenn ein Wafer Gegenstand der Prüfung ist und groß gebaut ist, beispielsweise wenigstens 8 Zoll im Durchmesser, und die Anzahl von Elektroden, die zu prüfen sind, die darauf gebildet sind, beispielsweise 5.000 beträgt, insbesondere bei wenigstens 10.000, sind jedoch die folgenden Probleme eingeschlossen, wenn der oben beschriebene Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit als Prüfglied für den WLBI-Test angewandt wird, da ein Regelabstand zwischen den zu prüfenden Elektroden in jeder integrierten Schaltung extrem gering ist.
Um einen Wafer mit einem Durchmesser von beispielsweise 8 Zoll (etwa 20 cm) zu prüfen, ist es beispielsweise erforderlich, ein Elastomerblatt mit anisotroper Leitfähigkeit zu verwenden, das einen Durchmesser von etwa 8 Zoll aufweist und einen anisotropen Verbinder hat. Ein solches Elastomerblatt mit anisotroper Leitfähigkeit ist jedoch in der Gesamtfläche groß, aber jeder leitfähige Teil ist klein, und das Flächenverhältnis der Oberflächen der leitfähigen Teile zur Gesamtoberfläche des Elastomerblatts mit anisotroper Leitfähigkeit ist gering. Daher ist es extrem schwierig, mit Sicherheit ein solches Elastomerblatt mit anisotroper Leitfähigkeit herzustellen. Das Ziel wird folglich weitestgehend bei der Produktion des Elastomerblatts mit anisotroper Leitfähigkeit herabgesetzt. Im Ergebnis steigen die Herstellungskosten für das Elastomerblatt mit anisotroper Leitfähigkeit, und folglich steigen auch die Prüfungskosten.
Wenn der oben beschriebene Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit als Prüfglied für den Prüftest oder einen WLBI-Test eines Wafers verwendet wird, ist mit folgenden Problemen zu rechnen.
Im Prüftest wird das Verfahren, dass ein Wafer in zwei oder mehr Flächen unterteilt und dass der Prüftest gemeinsam bezüglich der auf jedem der geteilten Flächen gebildeten integrierten Schaltungen durchgeführt wird, wie oben beschriebenen verwendet. Wenn der Prüftest bezüglich integrierter Schaltungen erfolgt, die mit hohem Integrationsgrad auf einem Wafer gebildet sind, der einen Durchmesser von 8 oder 12 Zoll besitzt, ist es erforderlich, einen Schritt eines Prüfprozesses mehrfach bei einem Wafer auszuführen. Um den Prüftest bezüglich einer hohen Anzahl an Wafern auszuführen, ist folglich ein Elastomerblatt mit anisotroper Leitfähigkeit erforderlich, das eine hohe Festigkeit für die wiederholte Verwendung besitzt. Wenn jedoch ein herkömmliches Elastomerblatt mit anisotroper Leitfähigkeit mehrfach verwendet wird, treten Kernpartikel der leitfähigen Partikel aus der Oberfläche heraus, und dann ist die Leitfähigkeit der leitfähigen Partikel ist merklich verschlechtert. Letztlich ist es schwierig, die erforderliche Leitfähigkeit beizubehalten.
Wenn der oben beschriebene Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit als Prüfglied oder für den WLBI-Test eines Wafers verwendet wird, gibt es folgende Probleme.
Im Prüftest wird das Verfahren, dass ein Wafer in zwei oder mehr Flächen unterteilt und dass der Prüftest gemeinsam bezüglich der auf jedem der geteilten Flächen gebildeten integrierten Schaltungen durchgeführt wird, wie oben beschriebenen verwendet. Wenn der Prüftest bezüglich integrierter Schaltungen erfolgt, die mit hohem Integrationsgrad auf einem Wafer gebildet sind, der einen Durchmesser von 8 oder 12 Inches bzw. Zoll besitzt, ist es erforderlich, einen Schritt eines Prüfprozesses mehrfach bei einem Wafer auszuführen. Um den Prüftest bezüglich einer hohen Anzahl an Wafern auszuführen, ist folglich ein Elastomerblatt mit anisotroper Leitfähigkeit erforderlich, das eine hohe Festigkeit für die wiederholte Verwendung besitzt.
Beim WLBI-Test wird andererseits das Elastomerblatt mit anisotroper Leitfähigkeit an den leitenden Stellen mit Druck von den zu untersuchenden Elektroden im Wafer gehalten und einer langen Zeitperiode in diesem Zustand einer Hochtemperaturumgebung ausgesetzt. Demzufolge ist es notwendig, dass das anisotrope leitende Elastomerblatt eine hohe Festigkeit aufweist, auch wenn dieses wiederholt unter rauen Bedingungen verwendet wird.
Aus dieser Sicht werden diejenigen Materialien für das anisotrope Elastomerblatt ausgewählt, d.h. eine elastische Polymersubstanz und leitende Partikel, um bei dem Prüftest oder dem WLBI-Test verwendet zu werden.
Auch wenn diese Materialien mit hoher Festigkeit für das anisotrope Elastomerblatt ausgewählt werden, nehmen individuelle tatsächlich erhaltene Produkte in ihrer Festigkeit ab. Als Grund hierfür wird angenommen, der Tatsache zuordenbar zu sein, dass die beabsichtigte Höhe, die Proportion der leitenden Partikel, der Orientierungszustand der leitenden Partikel, und dergleichen, sich bei jedem leitenden Teil des anisotropen leitenden Elastomerblatts unterscheiden. Als eine Einrichtung zum Überwachen der beabsichtigten Höhe, des Orientierungszustands der leitenden Partikel, die Proportion der leitenden Partikel, und dergleichen, bei den jeweiligen leitenden Teile ohne das anisotrope leitende Elastomerblatt zu beschädigen, gibt es keine andere Lösung als ein visuelles Beurteilen. Bei einer solchen Einrichtung gibt es ein Problem, nicht nur dass eine objective Beurteilung unmöglich ist, sondern auch, dass sich die Kosten des anisotropen Elastomerblatts erhöhen, weil die Operation selbst extrem kompliziert ist. Da zusätzlich die Festigkeit des anisotropen leitenden Elastomerblatts nicht durch einen gewöhnlichen Leitungstest beurteilt werden kann, wird der Grad der Festigkeit in Wirklichkeit zum ersten Mal durch Verwenden des anisotropen leitenden Elastomerblatts abgeklärt.
Der Koeffizient der linearen thermischen Ausdehnung eines Materials, aus dem der Wafer besteht, beispielsweise aus Silizium, beträgt etwa 3,3 × 10^–6/°K. Der thermische Ausdehnungskoeffizient des Materials, aus dem das Elastomerblatt mit anisotroper Leitfähigkeit besteht, beispielsweise Silikongummi, beträgt andererseits etwa 2,2 × 10^–4/°K. Wenn ein Wafer und ein Elastomerblatt mit anisotroper Leitfähigkeit, die jeweils einen Durchmesser von 20 cm bei 25 °C haben, von 20 °C auf 120 °C erhitzt werden, wird die Änderung des Waferdurchmessers theoretisch nur 0,0066 cm betragen, aber die Änderung des Elastomerblatts mit anisotroper Leitfähigkeit im Durchmesser beträgt 0,44 cm.
Wenn eine große Differenz zwischen dem Wafer und dem Elastomerblatt mit anisotroper Leitfähigkeit in dem absoluten thermischen Ausdehnungsgrad in einer Ebenenrichtung in der oben beschriebenen Weise erfolgt, ist es extrem schwierig, eine Lageabweichung zwischen den zu untersuchenden Elektroden im Wafer zu vermeiden und auch in den leitfähigen Teilen des Elastomerblatts mit anisotroper Leitfähigkeit nach dem WLBI-Test, selbst wenn die periphere Kante des Elastomerblatts mit anisotroper Leitfähigkeit durch die Rahmenplatte mit einem äquivalenten linearen thermischen Ausdehnungskoeffizienten zum Koeffizienten der linearen thermischen Ausdehnung vom Wafer fixiert ist.
Als Prüfglieder für den WLBI-Test bekannt sind jene, bei denen das Elastomerblatt mit anisotroper Leitfähigkeit mit der Schaltungsplatine zur Inspektion fixiert ist, beispielsweise eine Keramik mit einem äquivalenten Koeffizienten linearer thermischer Ausdehnung zum Koeffizienten der linearen thermischen Ausdehnung vom Wafer (siehe beispielsweise japanische offengelegte Patentanmeldungen mit den Nummern 231019/1995 und 5666/1996 und andere). Als Mittel zum Fixieren des Elastomerblatts mit anisotroper Leitfähigkeit in einem derartigen Prüfglied mit der Schaltungsplatine zur Prüfung ist ein Mittel, das periphere Abschnitte des Elastomerblatts mit anisotroper Leitfähigkeit mechanisch beispielsweise mit Schrauben oder dergleichen befestigt, ein Mittel, das mit einem Klebstoff oder dergleichen fixiert ist, in Betracht zu ziehen.
Beim Mittel, das die Peripherabschnitte des Elastomerblatts mit anisotroper Leitfähigkeit mit den Schrauben und dergleichen befestigt, ist es jedoch äußerst schwierig, eine Lageabweichung zwischen den zu prüfenden Elektroden im Wafer und den leitfähigen Teilen im Elastomerblatt mit anisotroper Leitfähigkeit zu vermeiden, und zwar aus denselben Gründen wie beim Mittel des Fixierens mit der Rahmenplatte, wie oben beschrieben.
Bei den Mittel des Fixierens mit Klebstoff ist es andererseits erforderlich, den Klebstoff nur an das Isolationsteil beim Elastomerblatt mit anisotroper Leitfähigkeit anzuwenden, um sicher eine elektrische Verbindung mit der Schaltungsplatine zur Prüfung zu erreichen. Da das Elastomerblatt mit anisotroper Leitfähigkeit, das beim WLBI-Test verwendet wird, gering ist im Anordnungsgrundabstand der leitfähigen Teile und ein Abstand zwischen benachbarten leitfähigen Teilen gering ist, ist es in der Tat sehr schwierig, dies zu tun. Beim Mittel des Fixierens mit Klebstoff ist es auch unmöglich, nur das Elastomerblatt mit anisotroper Leitfähigkeit durch ein neues zu ersetzen, wenn das Elastomerblatt mit anisotroper Leitfähigkeit unter einem Problem leidet, und so ist es erforderlich, das gesamte Prüfglied einschließlich der Schaltungsplatine zur Prüfung zu ersetzen. Im Ergebnis steigen die Prüfungskosten.
Wenn der Prüftest oder der WLBI-Test eines Wafers durch Verwendung des anisotropen Leitverbinders durchgeführt wird, wird das anisotrope leitende Elastomerblatt davon mit Druck durch den Wafer, der ein Gegenstand der Überprüfung ist, und der Schaltungsplatine zur Überprüfung gehalten, wodurch die leitenden Teile, die aus einer elastischen Polymersubstanz gebildet sind, unter Druck deformiert, wodurch eine elektrische Verbindung zwischen zu überprüfenden Elektroden, die ein Gegenstand der Überprüfung sind, und der Prüfelektroden der Schaltungsplatine zur Überprüfung erreicht.
Bei der elektrischen Verbindung zwischen zu überprüfenden Elektroden des Wafers, der ein Gegenstand der Überprüfung ist, und der Prüfelektroden der Schaltungsplatine zur Überprüfung, wenn sich die herausragende Höhe der jeweiligen zu überprüfenden Elektroden und die herausragende Höhe der jeweiligen Prüfelektroden ändert, ändert sich eine Druckkraft an die jeweiligen leitenden Teile in dem anisotropen Leitverbinder, wodurch sich in den jeweiligen leitenden Teilen der Deformationsgrad unter Druck gemäß der Intensität der an die jeweiligen leitenden Teile zugeführten Druckkraft ändert, so dass die elektrische Verbindung zwischen den zu überprüfenden Elektroden und den Prüfelektroden der Schaltungsplatine zur Überprüfung erreicht wird. Eine solche Funktion des anisotropen Leitverbinders wird nachstehend als „Niveau-Differenz-Absorbierfähigkeit" bezeichnet.
Weil die Niveau-Differenz-Absorbierfähigkeit des anisotropen Leitverbinders durch die Tendenz des Deformierens unter Druck erzeugt wird, als die elastische Polymersubstanz, die die leitenden Teile bildet, aufweist, wird eine größere Druckkraft zum Erreichen einer elektrischen Verbindung an alle der zu überprüfenden Elektroden benötigt, da eine Differenz einer herausragenden Höhe zwischen den jeweiligen zu überprüfenden Elektroden und einer Differenz einer herausragenden Höhe der jeweiligen Prüfelektroden größer wird. Wenn die Differenz einer herausragenden Höhe zwischen den jeweiligen zu überprüfenden Elektroden und eine Differenz der jeweiligen Prüfelektroden zu hoch wird, ist es schwer, die elektrische Verbindung an allen zu überprüfenden Elektroden zu erreichen.
Die herausragende Höhe von individuellen leitenden Teilen, die durch eine elastische Polymersubstanz in einem anisotropen Leitverbinder gebildet werden, kann in manchen Fällen schwanken.
Da ein anisotroper Leitverbinder mit großer Differenz der herausragenden Höhe zwischen jeweiligen leitenden Teilen eine niedrige Niveau-Differenz-Absorbierfähigkeit aufweist, ist eine beträchtlich große Druckkraft durch solch einen anisotropen Leitverbinder notwendig, um eine elektrische Verbindung an alle zu überprüfenden Elektroden eines Wafer, der ein Gegenstand der Überprüfung ist, zu erreichen, oder man stößt auf die Schwierigkeit des Erreichens einer elektrischen Verbindung an allen zu überprüfenden Elektroden.
Wenn ein Wafer, der ein Gegenstand der Überprüfung ist, groß ist, zum Beispiel mindestens einen Durchmesser von 8 Zoll aufweist, und die Anzahl von darauf ausgebildeten zu überprüfenden Elektroden zum Beispiel mindestens 5000, teilweise mindestens 10000 beträgt, muss ein anisotroper Leitverbinder eine extrem große Anzahl von leitenden Teilen aufweisen. Daher wird ein bei der Überprüfung eines solchen Wafers verwendeter anisotroper Leitverbinder mit einer großen Druckkraft beaufschlagt, um eine elektrische Verbindung an alle der zu überprüfenden Elektroden zu erreichen. Um die elektrische Verbindung an alle der zu überprüfenden Elektroden zu erreichen, ist immer noch eine größere Druckkraft notwendig, da eine Differenz einer herausragenden Höhe zwischen den jeweiligen zu überprüfenden Elektroden und eine Differenz der jeweiligen Prüfelektroden größer wird.
Es ist ein Prüfelement für eine Waferprüfung bekannt, das durch Anordnen eines anisotropen Leitverbinders und eines blattähnlichen Verbinders in dieser Reihenfolge auf einer Schaltungsplatine zur Überprüfung erhalten wird. Der blattähnliche Verbinder in diesem Prüfelement weist herausragende Oberflächenelektroden (bumps) auf, die durch Plattieren ausgebildet sind, und die Oberflächenelektroden werden in Kontakt mit jeweiligen zu überprüfenden Elektroden gebracht, wodurch eine elektrische Verbindung an die zu überprüfenden Elektroden erreicht wird. Da die Oberflächenelektroden in solch einem blattähnlichen Verbinder sich in der herausragenden Höhe davon ändern, und die Differenz der herausragenden Höhe zwischen den jeweiligen Oberflächenelektroden vergleichsweise hoch ist, wird die Niveau-Differenz-Absorbierfähigkeit des anisotropen Leitverbinders in dem Prüfelement mit solch einem blattähnlichen Verbinder extrem wichtig.
Bei der Prüfung eines großflächigen Wafers mit einem Durchmesser von 8 Zoll oder größer, bei dem die Anzahl von zu überprüfenden Elektroden extrem hoch ist, ist ein großflächiger Mechanismus als ein Druckbeaufschlagungsmechanismus erforderlich, der in einem Waferprüfgerät zum Überprüfen des Wafers installiert ist, wenn die zum Erreichen einer elektrischen Verbindung an alle der zu überprüfenden Elektroden erforderliche Druckkraft groß wird. Als eine Folge wird die Baugröße des gesamten Waferprüfgeräts groß. Daher ist es wünschenswert, das das in dem Waferprüfgerät verwendete Prüfelement die elektrische Überprüfung an allen zu überprüfenden Elektroden mit einer kleinen Druckkraft erreichen kann. Demzufolge ist es wünschenswert, dass der in solch einem Prüfelement verwendeter anisotroper Leitverbinder eine kleine Differenz der herausragenden Höhe zwischen den jeweiligen leitenden Teilen besitzt, und eine hohe Niveau-Differenz-Absorbierfähigkeit besitzt, und die elektrische Überprüfung an alle der zu überprüfenden Elektroden durch eine kleine Drukkraft erreichen kann.
Das Dokument WO 02 47149 A1 offenbart ein Blatt mit anisotroper Leitfähigkeit und eine Waferprüfeinrichtung, bei der ein Nutzerendgerät und ein Planstützplatz über ein Netz verbunden sind. Gemäß dem Befehl aus dem Nutzerendgerät stützt der Planstützplatz die Arbeit zum Planen einer Gasliefereinheit, die aufgebaut ist durch Zusammensetzen blockbildender Flüssigkeitssteuereinheiten. Der Planstützplatz bezieht sich auf Information bezüglich einer jeden Flüssigkeitssteuereinheit auf deren Symbolmarkierung und speichert diese und liest und verbindet die Symbolmarkierungen als Reaktion auf einen Befehl aus dem Nutzerendgerät durch das Netz, wodurch ein Ablaufdiagramm erstellt wird, das die Beziehungen zwischen den Einheiten visuell darstellt. Auf der Grundlage dieses Ablaufdiagramms werden die Teileliste und die Schätzblätter erstellt.
Das Dokument US-A-5 586 892 offenbart eine elektrische Verbindungsstruktur mit einem ersten Elektronikteil mit einem ersten Verbindungsanschluß, einem zweiten elektronischen Teil mit einem zweiten Verbindungsanschluß, der eingerichtet ist, dem ersten Verbindungsanschluß des ersten elektronischen Teils gegenüberzustehen, und ein Klebstoff mit anisotroper Leitfähigkeit, der zwischen dem ersten Verbindungsanschluß und dem zweiten Verbindungsanschluß vorgesehen ist. Der Klebstoff mit anisotroper Leitfähigkeit enthält einen isolierenden Klebstoff, eine Vielzahl erster leitfähiger Partikel, die mit einer Isolationsschicht bedeckt sind, und eine Vielzahl zweiter leitfähiger Partikel, die mit keinerlei Material bedeckt sind. Die ersten leitfähigen Partikel und die zweiten leitfähigen Partikel haben im wesentlichen dieselbe Größe. Abschnitte der Isolationsschicht, die die ersten leitfähigen Partikel bedecken, werden in Kontakt gebracht mit dem ersten Verbindungsanschluß und mit dem Verbindungsanschluß und weggebrochen unter einer Kraft, die der erste Verbindungsanschluß und der zweite Verbindungsanschluß ausüben, so dass die ersten leitfähigen Partikel in Kontakt mit dem ersten Verbindungsanschluß und dem zweiten Verbindungsanschluß gebracht werden. Die zweiten leitfähigen Partikel werden in Kontakt mit dem ersten Verbindungsanschluß und dem zweiten Verbindungsanschluß unter der Kraft gebracht, die der erste Verbindungsanschluß und der zweite Verbindungsanschluß ausüben, und der erste Verbindungsanschluß und der zweite Verbindungsanschluß sind elektrisch miteinander durch die ersten leitfähigen Partikel und die zweiten leitfähigen Partikel verbunden.
Die vorliegende Erfindung entstand auf der Grundlage der vorstehenden Umstände und hat zur Aufgabe das Bereitstellen eines Verbinders mit anisotroper Leitfähigkeit, durch den eine gute Leitfähigkeit über eine lange Zeitperiode gehalten werden kann, auch wenn dieser viele Male wiederholt verwendet wird, oder auch wenn dieser wiederholt in einer Hochtemperaturumgebung verwendet wird.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit zu schaffen, der geeignet für eine Verwendung beim Durchführen einer elektrischen Prüfung einer Vielzahl von auf einem Wafer ausgebildeten integrierten Schaltungen in einem Zustand des Wafers, durch das ein Positionieren sowie Halten und Fixieren an den Wafer leicht durchgeführt werden kann, auch wenn der Wafer, der ein Gegenstand der Prüfung ist, einen großen Durchmesser von zum Beispiel 8 Zoll oder größer aufweist, und der Abstand der in den integrierten Schaltungen ausgebildeten zu überprüfenden Elektroden klein ist, und darüber hinaus eine gute Leitfähigkeit über eine lange Zeitperiode beibehalten werden kann, auch wenn dieser viele Male wiederholt verwendet wird, oder auch wenn dieser wiederholt in einer Hochtemperaturumgebung verwendet wird.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit zu schaffen, der einen guten elektrischen Verbindungszustand stabil beibehält, selbst bei Umgebungsänderungen, wie thermischer Hysterese durch Temperaturänderung, zusätzlich zu den obigen Aufgaben.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein leitfähiges Gemisch zu schaffen, um einen Film mit anisotroper Leitfähigkeit in den oben beschriebenen Verbindern mit anisotroper Leitfähigkeit herstellen zu können.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Prüfglied zu schaffen, mit dem Positionieren, Halten und Fixieren bei einem Wafer möglich ist, der ein Prüfungsgegenstand ist, und leicht durchführbar ist, selbst wenn der Wafer von großflächig ist, beispielsweise einen Durchmesser von 8 Zoll oder mehr hat, und der Regelabstand der zu prüfenden Elektroden in den elektrischen Schaltungen gering ist und darüber hinaus eine gute Leitfähigkeit über eine lange Zeitdauer, hohe thermische Beständigkeit und eine lange Lebensdauer erzielt wird, wenn dieser wiederholt über viele Male verwendet wird, selbst bei wiederholtem Verwenden bei Hochtemperaturklima.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Waferprüfungsgerät und ein Waferprüfungsverfahren zum Durchführen einer elektrischen Prüfung einer Vielzahl integrierter Schaltungen zu schaffen, die auf einem Wafer gebildet sind, beim Stand des Wafers unter Verwendung des obigen Prüfglieds.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit und ein Prüfglied zu schaffen, die hochzuverlässig sind bei wiederholter Verwendung, wenn ein Prüftest bezüglich integrierter Schaltungen erfolgt, die mit einem hohen Integrationsgrad auf einem Wafer untergebracht sind, der einen Durchmesser von 8 oder 12 Zoll hat.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit und ein Prüfglied zu schaffen, die bei wiederholter Verwendung höchstzuverlässig sind, wenn eine Prüfung bezüglich integrierter Schaltungen mit vorstehenden Elektroden ausgeführt wird und mit einem hohen Integrationsgrad auf dem Wafer mit großer Fläche gebildet sind.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit zu schaffen, der eine hohe Niveau-Differenz-Absorbierfähigkeit aufweist, und durch den ein Prüfglied und ein Waferprüfungsgerät gestaltet werden kann, die eine elektrische Verbindung an alle der zu prüfenden Elektroden durch eine kleine Druckkraft erreichen kann, auch wenn bei der Prüfung eines Wafers mit einem großen Durchmesser von zum Beispiel 8 Zoll oder größer und mindestens 5000 zu prüfende Elektroden enthält.
Diese Aufgaben werden gelöst durch einen Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit, wie er im Patentanspruch 1 angegeben ist, ein Prüfglied, wie es im Patentanspruch 3 angegeben ist, ein Waferprüfungsgerät, wie es im Patentanspruch 6 angegeben ist, und ein Waferprüfungsverfahren, wie es im Patentanspruch 7 angegeben ist.
Vorteilhafte Weiterentwicklungen sind den jeweils abhängigen Ansprüchen zu entnehmen.
Gemäß dem Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit nach der vorliegenden Erfindung weist der elastische Film mit anisotroper Leitfähigkeit die spezifischen Initialeingenschaften auf, so dass die leitenden Teile zum Verbinden davor bewahrt werden, den elektrischen Widerstand davon merklich zu erhöhen, und die notwendige Leitfähigkeit kann über eine lange Zeitperiode beibehalten werden, auch wenn dieser über viele Male wiederholt verwendet wird, oder auch wenn dieser wiederholt unter Hochtemperaturbedingungen verwendet wird.
Gemäß dem Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit nach der vorliegenden Erfindung sind in der Rahmenplatte eine Vielzahl anisotroper leitfähiger Filmanordnungslöcher entsprechend den Elektrodenregionen gebildet, in denen zu prüfende Elektroden vorgesehen sind, und zwar in allen oder in einem Teil der integrierten Schaltungen, die auf dem Wafer gebildet sind, der Gegenstand der Prüfung ist, und der elastische Film mit anisotroper Leitfähigkeit ist jeweils in den filmbildenden Löchern mit anisotroper Leitfähigkeit vorgesehen, so dass es schwierig ist, eine Verformung herbeizuführen, und eine einfache Handhabung ermöglicht, und das Positionieren und Halten und Fixieren des Wafers kann leicht in einer elektrischen Verbindungsoperation mit dem Wafer erfolgen.
Da der elastische Film mit anisotroper Leitfähigkeit in jedem der Filmanordnungslöcher mit anisotroper Leitfähigkeit in der Rahmenplatte bei kleiner Fläche vorgesehen ist, sind die individuellen elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit leicht herzustellen. Da darüber hinaus der elastische Film mit anisotroper Leitfähigkeit eine kleine Fläche in dem bißchen der Absolutmenge der thermischen Ausdehnung in einer Ebenenrichtung des elastischen Films mit anisotroper Leitfähigkeit hat, selbst wenn er einer thermischen Hysterese unterzogen wurde, wird die thermische Ausdehnung des elastischen Films mit anisotroper Leitfähigkeit in Ebenenrichtung mit Sicherheit durch Rahmenplatte unter Verwendung eines Materials beibehalten, das einen geringen linearen thermischen Ausdehnungskoeffizienten besitzt, wie dasjenige zum Herstellen der Rahmenplatte. Folglich kann ein guter elektrischer Verbindungszustand stabil beibehalten werden, selbst wenn der WLBI-Test bei einem großflächigen Wafer erfolgt.
Gemäß dem Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit ist eine Differenz einer herausragenden Höhe zwischen den jeweiligen leitenden Teilen zu Verbinden klein, die Niveau-Differenz-Absorbierfähigkeit hoch, und eine elektrische Verbindung zu allen zu prüfenden Elektroden in einem Wafer, der ein Gegenstand der Prüfung ist, wird durch eine kleine Druckkraft erreicht.
Gemäß dem Prüfglied und dem Waferprüfunsgerät, das durch Verwenden des Verbinders mit anisotroper Leitfähigkeit gebildet ist, der eine hohe Niveau-Differenz-Absorbierfähigkeit aufweist, kann eine elektrische Verbindung an alle zu prüfenden Elektroden durch eine kleine Druckkraft bei der Prüfung eines Wafers mit einem großen Flächendurchmesser von 8 Zoll oder größer und mit mindestens 5000 zu prüfenden Elektroden erreicht werden.
1 ist eine Aufsicht, die einen exemplarischen Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit zeigt, nach der vorliegenden Erfindung;
2 ist eine Aufsicht, die im vergrößerten Maßstab einen Teil des in 1 gezeigten Verbinders mit anisotroper Leitfähigkeit darstellt;
3 ist eine Aufsicht, die im vergrößerten Maßstab einen elastischen Film mit anisotroper Leitfähigkeit im Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit gemäß 1 darstellt;
4 ist eine Querschnittsansicht, die im vergrößerten Maßstab den elastischen Film mit anisotroper Leitfähigkeit im Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit gemäß 1 darstellt;
5 ist eine Querschnittsansicht, die den Geräteaufbau zum Messen eines elektrischen Widerstandswerts R darstellt;
6 ist eine Querschnittsansicht, die den Zustand eines Gußmaterials darstellt, das zum Gießen für elastische Filme mit anisotroper Leitfähigkeit verwendet wird, um Gußmaterialschichten zu schaffen;
7 ist eine Querschnittsansicht, die im vergrößerten Maßstab einen Teil des Gusses zum Gießen elastischer Filme mit anisotroper Leitfähigkeit darstellt;
8 ist eine Querschnittsansicht, die den Zustand einer Rahmenplatte darstellt, die durch die Abstandshalter zwischen einer Oberdruckpreßform und einer Unterdruckpreßform in der Gußform gemäß 6 angeordnet ist;
9 ist eine Querschnittsansicht, die einen Zustand darstellt, bei dem Gußmaterialschichten der beabsichtigten Form zwischen der Oberdruckpreßform und der Unterdruckpreßform in der Gußform gebildet sind;
10 ist eine Querschnittsansicht, die im vergrößerten Maßstab die Gußmaterialschicht gemäß 9 darstellt;
11 ist eine Querschnittsansicht, die in einem Zustand darstellt, dass ein Magnetfeld mit einer Stärkeverteilung die Gußmaterialschicht gemäß 10 in Dickerichtung beaufschlagt;
12 ist eine Querschnittsansicht, die den Aufbau eines exemplarischen Waferprüfungsgeräts darstellt, das den Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit verwendet, nach der vorliegenden Erfindung;
13 ist eine Querschnittsansicht, die den Aufbau eines prinzipiellen Teils eines exemplarischen Prüfungsglieds, nach der vorliegenden Erfindung;
14 ist eine Querschnittsansicht, die den Aufbau eines weiteren beispielhaften Waferprüfungsgeräts zeigt, das den Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit zeigt, nach der vorliegenden Erfindung;
15 ist eine Aufsicht, die in vergrößertem Maßstab einen elastischen Film mit anisotroper Leitfähigkeit in einem Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit für ein anderes Ausführungsbeispiel nach der vorliegenden Erfindung darstellt;
16 ist eine Aufsicht, die in vergrößertem Maßstab einen elastischen Film mit anisotroper Leitfähigkeit in einem Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit für ein weiteres Ausführungsbeispiel nach der vorliegenden Erfindung darstellt;
17 ist eine Aufsicht auf einen Wafer zum Test, der in Beispielen Verwendung findet;
18 stellt eine Position einer Lage der zu prüfenden Elektroden in einer integrierten Schaltung dar, die auf Wafer zum Test gemäß 17 gezeigt ist;
19 veranschaulicht die zu prüfenden Elektroden in der integrierten Schaltung, die auf dem Wafer zum Test gemäß 17 gebildet ist;
20 ist eine Aufsicht auf eine Rahmenplatte, die im Beispiel erzeugt wird;
21 veranschaulicht in vergrößertem Maßstab einen Teil der Rahmenplatte gemäß 20;
22 veranschaulicht eine Gußoberfläche eines Gusses, der im Beispiel erzeugt wurde, in vergrößertem Maßstab; und
23 ist eine Querschnittsansicht, die einen Stand zeigt, bei dem die Rahmenplatte innerhalb eines Gusses in einem Prozeß zum Erzeugen eines herkömmlichen Verbinders mit anisotroper Leitfähigkeit eingerichtet wurde, und darüber hinaus ist eine Gußmaterialschicht gebildet worden.
Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung sind nachstehend detailliert beschrieben.
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit
1 ist eine Aufsicht, die einen beispielhaften Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit nach der vorliegenden Erfindung zeigen, 2 ist eine Aufsicht, die in vergrößertem Maßstab einen Teil des Verbinders mit anisotroper Leitfähigkeit gemäß 1 darstellt, 3 ist eine Aufsicht, die in vergrößertem Maßstab einen elastischen Film mit anisotroper Leitfähigkeit in einem Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit gemäß 1 darstellt, und 4 ist eine Querschnittsansicht, die in vergrößertem Maßstab den elastischen Film mit anisotroper Leitfähigkeit im Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit gemäß 1 darstellt.
Der in 1 gezeigte Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit ist derjenige, der zum Durchführen der elektrischen Prüfung von beispielsweise jeder einer Vielzahl integrierter Schaltungen verwendet wird, die auf einem Wafer nach dem Stand des Wafers gebildet sind, und der eine Rahmenplatte 10 besitzt, auf der eine Vielzahl von filmanordnenden Löchern 11 mit anisotroper Leitfähigkeit, die sich jeweils in Dickerichtung durch Rahmenplatte erstrecken, in der in 2 gezeigten Weise gebildet wurden (aufgezeigt durch gestrichelte Linien). Die filmanordnenden Löcher 11 mit anisotroper Leitfähigkeit in dieser Rahmenplatte 10 sind entsprechend Elektrodenregionen gebildet, in denen zu prüfende Elektroden gebildet sind, und zwar in all den integrierten Schaltungen, die auf dem Wafer hergestellt sind, der Gegenstand der Prüfung ist. Die elastischen Filme 20 mit anisotroper Leitfähigkeit besitzen eine Leitfähigkeit in Dickerichtung und sind in jeweiligen filmanordnenden Löchern 11 mit anisotroper Leitfähigkeit in der Rahmenplatte 10 in einem Stand gebildet, in dem sie jeweils von der peripheren Kante über das filmanordnende Loch 11 mit anisotroper Leitfähigkeit in der Rahmenplatte 10 gestützt sind, sowie in einem Stand, der unabhängig von benachbarten Filmen 20 mit anisotroper Leitfähigkeit sind. In die Rahmenplatte 10 dieses Ausführungsbeispiels eingebracht sind Luftzirkulationslöcher 15, die die Luft zwischen dem Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit und einem Glied bewirken, das dort benachbart ist, wenn ein Druckhaltemittel eines Druckreduziersystems in einem Waferprüfungsgerät verwendet wird, das nachstehend beschrieben ist. Darüber hinaus sind Positionierungslöcher 16 gebildet, um den Wafer zu positionieren, der Prüfungsgegenstand ist, sowie eine Schaltungsplatine zur Prüfung.
Jeder der elastischen Filme 20 mit anisotroper Leitfähigkeit ist aus einer elastischen Polymersubstanz gebildet, wie in 3 dargestellt, und besitzt ein Funktionsteil 21, das aus mehreren leitfähigen Teilen 22 besteht, um jede Erstreckung in Dickerichtung (Richtung senkrecht zur Papieroberfläche in 3) vom Film zu verbinden, sowie ein Isolationsteil 23, das um die jeweiligen leitfähigen Teile 22 zum Verbinden und zum gegenseitigen Isolieren dieser leitfähigen Teile 22 zur Verbindung gebildet ist. Das Funktionsteil 21 ist so eingerichtet, dass er sich im filmanordnenden Loch 11 mit anisotroper Leitfähigkeit in der Rahmenplatte 10 befindet. Die leitfähigen Teile 22 zum Verbinden des Funktionsteils 21 sind entsprechend dem Muster gemäß dem Elektrodenmuster angeordnet, die in der integrierten Schaltung zu prüfen sind, die sich auf dem Wafer befindet, der Prüfungsgegenstand ist, und sind elektrisch mit den zu prüfenden Elektroden bei der Prüfung des Wafers verbunden.
An einer peripheren Kante des Funktionsteils 21 ist ein zu stützendes Teil 25, das fixiert und gestützt wird von der Peripherie über das filmanordnende Loch 11 mit anisotroper Leitfähigkeit in der Rahmenplatte 10, integral und kontinuierlich mit dem Funktionsteil 21 gebildet. Genauer gesagt, das in diesem Ausführungsbeispiel zu stützende Teil 25 ist in einer Gabelform geformt und ist fixiert und gestützt in einem Nahberührungszustand, um so die Peripherie über das filmanordnende Loch 11 mit anisotroper Leitfähigkeit in der Rahmenplatte 10 zu ergreifen.
In den leitfähigen Teilen 22 zur Verbindung des Funktionsteils 21 des elastischen Films 20 mit anisotroper Leitfähigkeit sind leitfähige Partikel P, die Magnetismus aufzeigen, in hoher Dichte in einem Zustand enthalten, der in Dickerichtung ausgerichtet ist, wie in 4 dargestellt. Der Isolationsteil 23 enthält andererseits überhaupt keine leitfähigen Partikel P oder enthält diese in geringem Umfang. In diesem Ausführungsbeispiel enthält das im elastischen Film 20 mit anisotroper Leitfähigkeit zu stützende Teil 25 die leitfähigen Partikel P.
Im dargestellten Ausführungsbeispiel sind hervorstehende Teile 24, die aus anderen Oberflächen als den Abschnitten hervortreten, bei denen sich die leitfähigen Teile 22 zur Verbindung und Peripherien dieser befindet, auf jenen Abschnitten zu beiden Seiten des Funktionsteils 21 im elastischen Film 20 mit anisotroper Leitfähigkeit gebildet.
Die Dicke der Rahmenplatte 10 variiert entsprechend dem Material, beträgt aber vorzugsweise 25 bis 600 μm, und noch besser sind 40 bis 400 μm.
Wenn die Dicke geringer als 25 μm ist, wird die erforderliche Festigkeit zur Verwendung des sich ergebenden Verbinders mit anisotroper Leitfähigkeit nicht erreicht, und der Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit neigt dann dazu, eine geringe Haltbarkeit aufzuweisen. Darüber hinaus wird nicht eine derartige Steifigkeit erreicht, mit der die Form der Rahmenplatte beibehalten wird, und die Handhabungseigenschaft des Verbinders mit anisotroper Leitfähigkeit ist gering. Wenn andererseits die Dicke 600 μm überschreitet, werden die elastischen Filme 20 mit anisotroper Leitfähigkeit, die auf den filmanordnenden Löchern 11 mit anisotroper Leitfähigkeit gebildet sind, zu dick, und es wird in manchem Fällen schwierig, eine gute Leitfähigkeit in den leitfähigen Teilen 22 zur Verbindung und eine Isolationseigenschaft zwischen benachbarten leitfähigen Teilen 22 zur Verbindung zu erreichen.
Form und Größe in Ebenenrichtung der filmanordnenden Löcher 11 mit anisotroper Leitfähigkeit in der Rahmenplatte 10 sind entsprechend der Größe, dem Regelabstand und dem Muster der Elektroden eingerichtet, die in einem Wafer zu prüfen sind, der Prüfungsgegenstand ist.
Dem Material zum Herstellen der Rahmenplatte 10 sind keine speziellen Beschränkungen aufzuerlegen, sofern eine Steifigkeit erreicht wird, mit der sich die ergebende Rahmenplatte 10 kaum verformen läßt und die Form derselben stabil beibehalten wird. Beispielsweise können verschiedene Materialarten verwendet werden, wie Metallmaterialien, Keramikmaterialien und Harzmaterialien. Wenn die Rahmenplatte 10 beispielsweise aus Metallmaterial besteht, kann ein Isolationsfilm auf der Oberfläche der Rahmenplatte 10 gebildet werden.
Spezielle Beispiele des Metallmaterials zum Herstellen der Rahmenplatte 10 umfassen Metalle wie Eisen, Kupfer, Nickel, Chrom, Kobalt, Magnesium, Mangan, Molybdän, Indium, Blei, Palladium, Titan, Wolfram, Aluminium, Gold, Platin und Silber sowie Legierungen oder legierte Stähle, die zusammengesetzt sind aus wenigstens zweien dieser Metalle.
Spezielle Beispiele des Harzmaterials, das die Rahmenplatte 10 bildet, enthalten Flüssigkristallpolymere und Polyimidharze.
Die Rahmenplatte 10 kann vorzugsweise Magnetismus wenigstens am Peripherabschnitt über den filmanordnenden Löchern 11 mit anisotroper Leitfähigkeit bilden, das heißt einen Abschnitt zum Stützen des elastischen Films 20 mit anisotroper Leitfähigkeit, so dass die leitfähigen Partikel P veranlaßt werden können, leicht in das Teil 25 aufgenommen werden zu können, das beim elastischen Film 20 mit anisotroper Leitfähigkeit durch einen Prozeß zu stützen ist, der nachstehend beschrieben ist. Genauer gesagt, dieser Abschnitt sollte vorzugsweise eine Magnetisierungssättigung von wenigstens 0,1 Wb/m² aufweisen. Insbesondere sollte die gesamte Rahmenplatte 10 vorzugsweise aus Magnetmaterial bestehen, so dass die Rahmenplatte 10 leicht herstellbar ist.
Spezielle Beispiele des Magnetmaterials, das eine solche Rahmenplatte bildet, sind Eisen, Nickel, Kobalt, Legierung dieser Magnetmaterialien und Legierung oder legierte Stähle dieser Magnetmaterialien mit einem beliebigen anderen Metall.
Wenn der Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit beim WLBI-Test verwendet wird, wird vorzugsweise ein Material verwendet, das einen linearen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von fast 3 × 10^–5/°K, vorzugsweise –1 × 10^–7 bis 1 × 10^–5/°K, besonders vorteilhaft sind 1 × 10^–6 bis 8 × 10^–6/°K als Material zum Herstellen der Rahmenplatte 10 besitzt.
Spezielle Beispiele derartigen Materials enthalten Invarverbindungen wie Invar, Elinvarverbindungen wie Elinvar und Legierungen oder legierte Stähle von Magnetmetallen, wie Superinvar, Covar und 42 Legierungen.
In dem Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit gemäß der vorliegenden Erfindung weist der Film mit anisotroper Leitfähigkeit 20 die im Folgenden (1) bis (3) gezeigten Initialeigenschaften auf.

(1) Wenn angenommen wird, dass die Gesamtanzahl der leitenden Teile 22 zum Verbinden Y beträgt, und sich ein elektrischer Widerstand des leitenden Teils 22 zu Verbinden in einem Zustand befindet, dass eine Last von Y × 1g, die an den Film mit anisotroper Leitfähigkeit 20 in einer Dickerichtung davon angelegt wird, R_1g beträgt, ist die Anzahl von leitenden Teilen zum Verbinden, dass ein Wert von R_1g kleiner als 1Ω ist, mindestens 90% der Gesamtanzahl der leitenden Teile zum Verbinden.

Wenn die Anzahl von leitenden Teilen zum Verbinden, dass ein Wert von R_1g kleiner als 1Ω ist, kleiner als 90% der Gesamtanzahl der leitender Teile zum Verbinden, ist es schwierig, die notwendige Leitfähigkeit beizubehalten, wenn der resultierende Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit wiederholt mehrere Male verwendet wird, oder wenn dieser wiederholt unter Hochtemperaturbedingungen verwendet wird.

(2) Wenn angenommen wird, dass sich ein elektrischer Widerstand des leitenden Teils 22 zum Verbinden in einem Zustand befindet, dass eine Last von Y × 6g, die an den Film mit anisotroper Leitfähigkeit 20 in einer Dickerichtung davon angelegt wird, R_6g beträgt, ist die Anzahl von leitenden Teilen zum Verbinden, dass ein Wert von R_6g kleiner als 0,1Ω ist, mindestens 95% der Gesamtanzahl der leitenden Teile zum Verbinden.

Wenn die Anzahl von leitenden Teilen zum Verbinden, dass ein Wert von R_6g kleiner als 0,1Ω ist, kleiner als 95% der Gesamtanzahl der leitender Teile zum Verbinden, ist es schwierig, die notwendige Leitfähigkeit beizubehalten, wenn der resultierende Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit wiederholt mehrere Male verwendet wird, oder wenn dieser wiederholt unter Hochtemperaturbedingungen verwendet wird.

(3) Die Anzahl von leitenden Teilen zum Verbinden, sodass ein Wert von R_6g mindestens 0,5Ω beträgt, ist höchstens 1%, vorzugsweise höchstens 0,5%, noch bevorzugter höchstens 0,1%, am meisten bevorzugt 0% der Gesamtanzahl der leitenden Teile zum Verbinden.

Wenn die Anzahl der leitenden Teile zum Verbinden, sodass ein Wert von R_6g mindestens 0,5Ω beträgt, zu groß ist, kann der resultierende Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit nicht tatsächlich bei der Prüfung des Wafers verwendet werden.
Die Gesamtdicke (Dicke des leitfähigen Teils 22 zur Verbindung im dargestellten Ausführungsbeispiel) des elastischen Films 20 mit anisotroper Leitfähigkeit beträgt vorzugsweise 50 bis 2000 μm, besser 70 bis 1000 μm, besonders vorteilhaft sind 80 bis 500 μm. Wenn diese Dicke 50 μm oder mehr beträgt, wird ein elastischer Film 20 mit anisotroper Leitfähigkeit mit hinreichender Festigkeit sicher bereitgestellt. Wenn diese Dicke andererseits 2000 μm oder weniger beträgt, werden leitfähige Teile 22 zur Verbindung mit erforderlichen Leiteigenschaften sicher bereitgestellt.
Die Projektionshöhe eines jeden projizierten bzw. herausragenden Teils 24 beträgt vorzugsweise wenigstens 10% der Gesamtdicke im projizierten Teil 24, vorzugsweise wenigstens 20%. Projizierte Teile 24 mit einer derartigen Projektionshöhe werden gebildet, wodurch die leitfähigen Teile 22 zur Verbindung hinreichend durch geringe Druckhaltekraft komprimiert werden, so dass mit Sicherheit eine gute Leitfähigkeit erreicht wird.
Die Projektionshöhe des projizierten Teils 24 beträgt vorzugsweise fast 100%, besser noch sind 70% der kürzesten Durchmesserbreite des projizierten Teils 24. Projizierte Teile 24 mit einer derartigen Projektionshöhe werden gebildet, wodurch die projizierten Teile nicht verbogen werden, wenn sie unter Druck gestellt werden, so dass die vorgeschriebene Leitfähigkeit sicher erreicht wird.
Die Dicke (Dicke eines der gabelförmigen Abschnitte im dargestellten Ausführungsbeispiel) vom Teil 25, das zu stützen ist, beträgt vorzugsweise 5 bis 250 μm, vorzugsweise 10 bis 150 μm, besonders vorzuziehen sind 15 bis 100 μm.
Es ist nicht wesentlich, das zu stützende Teil 25 in Gabelform herzustellen, und es kann lediglich auf der Oberfläche der Rahmenplatte 10 befestigt werden.
Die elastische Polymersubstanz, auf der die elastischen Filme 20 mit anisotroper Leitfähigkeit hergestellt werden, ist vorzugsweise eine hitzebeständige Polymersubstanz mit Kreuzverbindungsstruktur. Verschiedene Materialien können als aushärtende Polymersubstanz-bildende Materialien verwendet werden, die verwendbar sind, um eine kreuzverbundene Polymersubstanz zu gewinnen. Jedoch ist Flüssigsilikongummi vorzuziehen.
Der Flüssigsilikongummi kann entweder vom Beimengungstyp oder vom Kondensationstyp sein. Flüssigsilikongummi des Beimengungstyps ist jedoch vorzuziehen. Dieser Flüssigsilikongummi des Beimengungstyps ist derjenige, der durch eine Reaktion einer Vinylgruppe mit einer Si-H-Bondierung ausgehärtet wird und eine Einzelpackungsart (Einkomponententyp), zusammengesetzt aus Polysiloxan mit sowohl der Vinylgruppe als auch der Si-H-Bondierung, sowie eine Zweierpackungsart (Zweikomponententyp) umfaßt, der zusammengesetzt ist aus Polysiloxan mit einer Vinylgruppe und Polysiloxan mit einer Si-H-Sondierung. Bei der vorliegenden Erfindung wird vorzugsweise Flüssigsilikongummi des Beimengungstyps der Zweipackungsart verwendet.
Als Flüssigsilikongummi des Beimengungstyps wird derjenige verwendet, dessen Viskosität vorzugsweise bei 100 bis 1250 Pa·s liegt, noch besser sind 150 bis 800 Pa·s, und speziell vorzuziehen sind 250 bis 500 Pa·s bei 23 °C. Wenn diese Viskosität niedriger als 100 Pa·s ist, kann die Ausscheidung der leitfähigen Partikel bei einem derartigen Flüssigsilikongummi des Beimengungstyps leicht in einem Gußmaterial auftreten, um die elastischen Filme 20 mit anisotroper Leitfähigkeit zu erhalten, die nachstehend zu beschreiben sind, so dass eine gute Speicherstabilität erzielt wird. Darüber hinaus sind die leitfähigen Partikel nicht so orientiert, dass sie in Dickerichtung der Gußmaterialschicht ausgerichtet sind, wenn ein paralleles Magnetfeld die Gußmaterialschicht beaufschlägt, so dass es in manchen Fällen schwierig wird, Ketten leitfähiger Partikel in einem ebenen Zustand zu schaffen. Wenn die Viskosität andererseits 1250 Pa·s überschreitet, wird die Viskosität des sich ergebenden Gußmaterials zu hoch, so dass es in manchen Fällen schwierig wird, die Gußmaterialschicht in die Gußform zu bringen. Darüber hinaus werden die leitfähigen Partikel nicht hinreichend bewegt, selbst wenn ein Parallelmagnetfeld die Gußmaterialschicht beaufschlägt. Es kann in manchen Fällen schwierig werden, die leitfähigen Partikel so zu orientieren, dass sie in Dickerichtung ausgerichtet sind.
Die Viskosität eines derartigen Flüssigsilikongummis des Beimengungstyps kann mit dem Viskometer des Brookfield-Typs gemessen werden.
Wenn die elastischen Filme 20 mit anisotroper Leitfähigkeit aus einem ausgehärteten Produkt vom Flüssigsilikongummi hergestellt sind (wird nachstehend als "ausgehärteter Silikongummi" bezeichnet), dann hat der ausgehärtete Silikongummi vorzugsweise eine Kompressionseinstellung von höchstens 10%, vorzugsweise von höchstens 8%, noch mehr vorzuziehen sind höchstens 6% bei 150 °C. Wenn die Kompressionseinstellung 10% überschreitet, neigen die leitfähigen Teile 22 zur Verbindung dazu, eine Permanenteinstellung zu verursachen, wenn der sich ergebende Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit häufig wiederholt in einem Hochtemperaturklima verwendet wird, wodurch Ketten der leitfähigen Partikel P im leitfähigen Teil 22 zur Verbindung in Unordnung geraten. Im Ergebnis ist es schwierig, die erforderliche Leitfähigkeit beizubehalten.
In der vorliegenden Erfindung kann die Kompressionseinstellung des ausgehärteten Silikongummis nach einem Verfahren gemäß JIS K 6249 gemessen werden.
Der gehärtete Silikongummi, aus dem die elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit bestehen, hat vorzugsweise eine A-Härte gemäß Härtemessung von 10 bis 60, vorzugsweise 15 bis 60, und besonders vorzuziehen sind 20 bis 60 bei 23 °C. Wenn die A-Härte gemäß Härtemessung geringer als 10 ist, wird der Isolationsteil 23, der gegenseitig die leitfähigen Teile 22 zur Verbindung isoliert, leicht unter Drucksetzung überdehnt, und in manchen Fällen wird es schwierig, die erforderliche Isolationseigenschaft zwischen den leitfähigen Teilen 22 zur Verbindung beizubehalten. Wenn die A-Härte gemäß Härtemessung andererseits 60 überschreitet, ist eine druckhaltende Kraft beträchtlicher Belastung gefordert, um die vorgegebene genaue Verformung der leitfähigen 22 zur Verbindung zu schaffen, so dass ein Wafer, der Prüfungsgegenstand ist, beispielsweise dazu neigt, eine starke Verformung oder einen Bruch zu erleiden.
In der vorliegenden Erfindung kann die A-Härte gemäß Härtemessung des ausgehärteten Silikongummis nach einem Verfahren gemäß JIS K 6249 gemessen werden.
Der ausgehärtete Silikongummi zum Bilden der elastischen Filme 20 mit anisotroper Leitfähigkeit hat vorzugsweise eine Reißfestigkeit von wenigstens 8 kN/m, noch besser sind wenigstens 10 kN/m, noch besser sind wenigstens 15 kN/m, und besonders vorzuziehen sind wenigstens 20 kN/m bei 23 °C. Wenn die Reißfestigkeit geringer als 8 kN/m ist, neigen die sich ergebenden elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit dazu, die Festigkeit zu verschlechtern, wenn sie exzessiv gedehnt werden.
In der vorliegenden Erfindung kann die Reißfestigkeit des ausgehärteten Silikongummis nach einem Verfahren gemäß JIS K 6249 gemessen werden.
Als Flüssigsilikongummi des Beimengungstyps mit derartigen Eigenschaften kann der handelsübliche Flüssigsilikongummi der "KE2000"-Serie oder der "KE1950"-Serie von Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Verwendet werden.
In der vorliegenden Erfindung kann ein geeigneter Aushärtungskatalysator zum Aushärten des Flüssigsilikongummis vom Beimengungstyp verwendet werden. Als ein derartiger Aushärtungskatalysator kann ein Platin-enthaltender Katalysator Verwendung finden. Spezielle Beispiele enthalten allgemein bekannte Katalysatoren, wie Platinchlorid und Salze des Platins, Siloxankomplexe der Platin-ungesättigten Gruppe, Vinylsiloxan-Platinkomplexe, Platin-1,3-Divinyltetramethyldisiloxankomplexe, Komplexe von Triorganophosphin oder Phosphit und Platin, Acetylacetatplatinchelate und zyklische Dien-Platin-Komplexe.
Die Menge vom verwendeten Aushärtekatalysator wird in passender Weise in Hinsicht auf die Art des Aushärtekatalysators und anderer Aushärtebehandlungsbedingungen ausgewählt. Es sind jedoch im Allgemeinen 3 bis 15 Teile pro 100 Gewichtsanteile des Flüssigsilikongummis vom Beimengungstyp.
Um die thixotropische Eigenschaft des Flüssigsilikongummis vom Beimengungstyp zu verbessern, die Viskosität einzustellen, die Dispersionsstabilität der leitfähigen Partikel zu verbessern oder ein Basismaterial mit hoher Festigkeit bereitzustellen, kann ein allgemeiner anorganischer Füllstoff wie Siliziumdioxidpuder, kolloidales Siliziumdioxid, Aerogel-Siliziumdioxid oder Aluminium im Flüssigsilikongummi des Beimengungstyps erforderlichenfalls enthalten sein.
Keine spezielle Beschränkung wird der Menge eines solchen eingesetzten anorganischen Füllstoffs auferlegt. Die Verwendung einer zu großen Menge ist jedoch nicht vorteilhaft, weil die Orientierung der leitfähigen Partikel P durch ein Magnetfeld nicht in hinreichendem Umfang erzielbar ist.
Als leitfähige Partikel P, die in den leitfähigen Teilen 22 zur Verbindung enthalten sind, und die zu stützenden Teile 25 in jedem der elastischen Filme 20 mit anisotroper Leitfähigkeit können vorzugsweise Partikel verwendet werden, die durch Beschichten der Oberflächen der Kernpartikel gewonnen werden (nachstehend als "Magnetkernpartikel" bezeichnet), und sie zeigen Magnetismus mit einem hochleitfähigen Metall.
Der hier verwendete Ausdruck „hochleitfähiges Material" bezeichnet ein Metall mit einer elektrischen Leitfähigkeit von mindestens 5 × 10⁶ Ω^–1m^–1 bei 0°C.
Die Magnetkernpartikel zum Erzielen der leitfähigen Partikel P haben vorzugsweise einen durchschnittlichen Partikeldurchmesser von 3 bis 40 μm.
Die Anzahl von Durchschnittspartikeldurchmesser der Magnetkernpartikel bedeutet einen Wert, der nach einem Laserdefraktionsstreuverfahren gemessen wird.
Wenn der durchschnittliche Partikeldurchmesser 3 μm oder mehr beträgt, sind leitfähige Teile 22 zur Verbindung, die leicht unter Druckeinwirkung zu deformieren sind, niedrig im Widerstandswert und hoch in der Verbindungszuverlässigkeit und lassen sich leicht erzielen. Wenn andererseits der durchschnittliche Partikeldurchmesser 40 μm oder weniger beträgt, können Feinpartikelteile 22 für die Verbindung leicht gebildet werden, und die sich ergebenden Teile 22 zur Verbindung neigen dazu, eine stabile Leitfähigkeit aufzuweisen.
Die magnetischen Kernpartikel haben vorzugsweise eine spezifische BET-Mantelfläche von 10 bis 500 m²/kg, vorzugsweise 20 bis 500 m²/kg, und besonders vorzuziehen sind 50 bis 400 m²/kg.
Wenn die spezifische BET-Mantelfläche 10 m²/kg oder größer ist, kann das Galvanisieren sicher bezüglich der Magnetkernpartikel in einem erforderlichen Umfang ausgeführt werden, weil die Magnetkernpartikel eine hinreichend weite Fläche haben, die man leicht galvanisieren kann. Hochleitfähige Partikel P können folglich erzielt werden, und eine stabile und hohe Leitfähigkeit wird erzielt, weil die Kontaktfläche zwischen den leitfähigen Partikeln P hinreichend weit ist. Wenn die spezielle BET-Manteloberfläche 500 m²/kg oder weniger auf der anderen Seite beträgt, werden derartige Magnetkernpartikel nicht spröde, so dass sie nicht brechen, wenn sie physisch beansprucht werden, und eine stabile und hohe Leitfähigkeit wird beibehalten.
Die Magnetkernpartikel haben des Weiteren vorzugsweise einen Variationskoeffizienten der Partikeldurchmesser von höchstens 50%, vorzugsweise höchstens 40%, und noch mehr vorzuziehen sind höchstens 30%, und ganz besonders vorzuziehen sind höchstens 20%.
Der Variationskoeffizient nach der vorliegenden Erfindung beim praktischen Durchmesser ist ein Wert, der bestimmt wird gemäß dem Ausdruck (σ/Dn) × 100, wobei σ ein Standardabweichungswert des Partikeldurchmessers ist und Dn die Zahl durchschnittlichen Partikeldurchmessers der Partikel ist.
Wenn der Variationskoeffizient des Partikeldurchmessers 50% oder weniger ist, können leitfähige Teile 22 zur Verbindung, die nahe in einer Streuung der Leitfähigkeit liegen, gebildet werden wegen der hohen Gleichförmigkeit des Partikeldurchmessers.
Als Material zum Herstellen der Magnetkernpartikel kann Eisen, Nickel, Kobalt verwendet werden, ein Material, das gewonnen wird durch Beschichten eines solchen Metalls mit Kupfer oder mit Harz oder dergleichen. Jene mit Sättigungsmagnetisierung von wenigstens 0,1 Wb/m² werden vorzugsweise eingesetzt. Die Sättigungsmagnetisierung beträgt vorzugsweise wenigstens 0,3 Wb/m², speziell vorzuziehen sind aber wenigstens 0,5 Wb/m². Spezielle Beispiele des Materials enthalten Eisen, Nickel, Kobalt und Legierungen dieser.
Wenn die Sättigungsmagnetisierung wenigsten 0,1 Wb/m² beträgt, können die leitfähigen Partikel P leicht in den Gußmaterialschichten verschoben werden, um die elastischen Filme 20 mit anisotroper Leitfähigkeit in einem Prozeß zu bilden, der nachstehend zu beschreiben ist, wobei die leitfähigen Partikel P sicher auf Abschnitte verschoben werden können, um leitfähige Teile zur Verbindung der jeweiligen Gußmaterialschichten zu werden, um Ketten für die leitfähigen Partikel zu bilden.
Als das hochleitfähige an den Oberflächen der Magnetkernpartikel zu bedeckende Material kann Gold, Silber, Rhodium, Platin, Chrom oder dergleichen verwendet werden. Unter jenen wird Gold vorzugsweise verwendet, weil es chemisch stabil ist und eine hohe elektrische Leitfähigkeit aufweist.
In den leitfähigen Partikeln P ist das Verhältnis [(Masse hochleitfähigen Metalls/Masse Kernpartikel) × 100] des hochleitfähigen Metalls zu den Kernpartikeln vorzugsweise wenigstens 15 Massenprozent, noch bevorzugter 25 bis 35 Massenprozent.
Wenn das Verhältnis des hochleitfähigen Metalls geringer als 15 Massenprozent ist, wird die Leitfähigkeit derartiger leitfähige Partikel P merklich verschlechtert, wenn der sich ergebende Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit wiederholt in einem Hochtemperaturklima verwendet wird. Im Ergebnis kann die erforderliche Leitfähigkeit nicht beibehalten werden.
Bei den leitfähigen Partikeln P beträgt die Dicke t der Deckschicht, die aus hochleitfähigem Metall besteht, die berechnet ist entsprechend der folgenden Gleichung (1), vorzugsweise wenigstens 50 nm, bevorzugter aber 100 bis 200 nm: t = [1/ (Sw·ρ) ] × [N/(1 – N) ] Gleichung (1)wobei t die Dicke (m) der Deckschicht ist, die aus dem hochleitfähigen Metall besteht, Sw eine spezifische BET-Mantelfläche (m²/kg) der Partikel ist, p ein spezifisches Gewicht (kg/m³) des hochleitfähigen Materials ist und wobei N ein Wert des Gewichts vom hochleitfähigen Metall zum Gesamtgewicht der leitfähigen Partikel ist.
Die obige Gleichung wird auf folgende Weise hergeleitet.
Es wird angenommen, dass das Gewicht der Magnetkernpartikel gleich Mp (kg) ist, die Mantelfläche S (m²) der Magnetkernpartikel bestimmt wird durch: S = Sw·Mp Gleichung (2)
Angenommen wird, dass das Gewicht der Deckschicht, gebildet aus dem hochleitfähigen Metall, gleich m (kg) ist, das Volumen (V) der Deckschicht bestimmt wird durch V = m/ρ Gleichung (3)
Es wird angenommen, dass die Dicke der Deckschicht überall gleichförmig, selbst auf der Oberfläche der leitfähigen Partikel t = V/S ist. Wenn die Gleichungen (2) und (3) in diese Gleichung substituiert werden, dann läßt sich die Dicke der Deckschicht bestimmen durch: t = (m/ρ)/(Sw·Mp) = m/(Sw·ρ·Mp) Gleichung (4)
Da N das Massenverhältnis der Deckschicht zur Gesamtmasse der leitfähigen Partikel ist, wird der Wert von N bestimmt durch: N = m/(Mp + m) Gleichung (5)
Ein Zähler und ein Nenner auf der rechten Seite der Gleichung (5) werden geteilt durch Mp, um N = (m/Mp)/(1 + m/Mp). Multipliziert man beide Seiten mit (1 + m/Mp), so ergibt sich das Produkt N (1 + m/Mp) = m/Mp, N + N(m/Mp) = m/Mp.Wenn N(m/Mp) auf die rechte Seite geschoben wird, ergibt sich N = m/Mp – N(m/Mp) = (m/Mp) (1 – N). Teilt man beide Seiten durch (1 – N), so ergibt sich N/(1 – N) = m/Mp.
Das Gewicht Mp der Magnetkernpartikel wird bestimmt durch Mp = m/[N/(1 – N)] = m(1 – N)/N Gleichung (6)

(vi) Die Gleichung (6) wird substituiert in Gleichung (4), um t = 1/[Sw·ρ·(1 – N)/N] = [1/(Sw·ρ)] × [N/(1 – N)]herzuleiten.

Wenn die Dicke t der Deckschicht wenigstens 50 nm beträgt, wird die Leitfähigkeit der leitfähigen Partikel P nicht merklich verringert, weil das hochleitfähige Metall in einem hohen Verhältnis auf den Oberflächen der leitfähigen Partikel P vorhanden ist, selbst wenn die ferromagnetische Substanz, die die Magnetkernpartikel bildet, in das hochleitfähige Metall wandert, das die Deckschicht im Falle bildet, bei dem der sich ergebende Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit wiederholt in einem Hochtemperaturklima verwendet wird. Somit wird die vorgeschriebene Leitfähigkeit beibehalten.
Die spezifische BET-Mantelfläche der leitfähigen Partikel P beträgt vorzugsweise 10 bis 500 m²/kg.
Wenn diese spezifische BET-Mantelfläche 10 m²/kg oder mehr beträgt, dann wird die Mantelfläche der Deckschicht hinreichend groß, so dass die Mantelschicht als groß zum Gesamtgewicht des hochleitfähigen Metalls gebildet werden kann. Partikel, die eine hohe Leitfähigkeit aufweisen, können folglich erzielt werden. Darüber hinaus kann eine stabile hohe Leitfähigkeit erzielt werden, weil eine Kontaktfläche längs den leitfähigen Partikeln P hinreichend weit ist. Wenn diese spezifische BET-Mantelfläche 500 m²/kg oder weniger auf der anderen Seite beträgt, werden derartige leitfähige Partikel nicht brüchig, und sie brechen nicht, wenn sie mechanisch belastet werden, und die stabile und hohe Leitfähigkeit wird beibehalten.
Die Zahl des Durchschnittspartikeldurchmessers der leitfähigen Partikel P beträgt vorzugsweise 3 bis 40 μm, besonders vorzuziehen sind 6 bis 25 μm.
Werden derartige leitfähige Partikel P verwendet, dann werden die sich ergebenden elastischen Filme 20 mit anisotroper Leitfähigkeit leicht herstellbar und lassen sich unter Druck deformieren. Darüber hinaus wird eine hinreichende elektrische Verbindung zwischen den leitfähigen Partikeln P und den leitfähigen Teilen 22 in den elastischen Filmen 20 mit anisotroper Leitfähigkeit erreicht.
Keine spezielle Beschränkung wird der Form der leitfähigen Partikel P auferlegt. Sie sind vorzugsweise in der Form einer Kugel oder eines Sterns, oder die Masse von Sekundärpartikeln, gewonnen durch Agglomeration dieser Partikel, in diesen Partikeln kann leicht im polymersubstanzbildenden Material verteilt werden.
Die leitfähigen Partikel P haben vorzugsweise einen elektrischen Widerstandswert R, der nachstehend beschrieben ist, von fast 0,3 Ω, vorzugsweise höchstens 0,1 Ω.
Elektrischer Widerstandswert R:
Der elektrische Widerstandswert ist ein solcher, der bestimmt wird nach Aufbereiten eines Gemischs durch Kneten von 0,6 g leitfähiger Partikel mit 0,8 g Flüssiggummi, womit dieses Gemisch zwischen ein Elektrodenpaar gebracht wird, das sich gegenübersteht mit einem Abstand von 0,5 mm jeweils mit einem Durchmesser von 1 mm, wobei ein Magnetfeld von 0,3 T am dem Elektrodenpaar anliegt und die Elektroden verläßt, um diesen Zustand beizubehalten, bis der elektrische Widerstandswert zwischen dem Elektrodenpaar stabil geworden ist.
Der elektrische Widerstandswert R wird speziell auf folgende Weise gemessen.
5 stellt ein Gerät zum Messen des elektrischen Widerstandswerts R dar. Bezugszeichen 71 zeigt eine Keramikzelle auf, in der eine Probenkammer S gebildet ist, und die Zelle ist aufgebaut mit einem zylindrischen Seitenwandmaterial 72 und einem Paar von Deckelgliedern 73, die jeweils in ihrer Mitte ein Durchgangsloch 73H haben. Bezugszeichen 74 bedeutet ein Paar leitfähiger Magnete, die jeweils einen Elektrodenteil 75 haben, der in der Form aus der Oberfläche heraustritt und mit dem Durchgangsloch 73H im Deckelglied 73 befestigt ist. Jeder Magnet ist mit dem Deckelglied 73 in einem Zustand fixiert, so dass das Elektrodenteil 75 im Durchgangsloch 73H des Deckelglieds 73 befestigt ist. Bezugszeichen 76 bedeutet ein Ohmmeter, das mit jedem Paar von Magneten 74 verbunden ist. Die Probenkammer S der Zelle 71 ist in der Form einer Platte mit einem Durchmesser d1 von 3 mm und einer Dicke d2 von 0,5 mm, und der Innendurchmesser vom Durchgangsloch 73H des Deckelglieds 73, das heißt, der Durchmesser r des Elektrodenteils 75 vom Magnet 74 beträgt 1 mm.
Die Gemischzusammensetzung, die oben beschrieben wurde, wird in die Probenkammer S der Zelle 71 gefüllt, und ein elektrischer Widerstandswert zwischen den Elektroden 75 und den Magneten 74 wird gemessen vom Ohmmeter 76, während ein Parallelmagnetfeld von 0,3 T an den Elektroden 75 der Magnete 74 in Dickerichtung der Probenkammer S anliegt. Im Ergebnis werden die leitfähigen Partikel, die in der Gemischzusammensetzung verteilt sind, an den Elektroden 75 der Magnete 74 durch die Wirkung des Parallelmagnetfelds gesammelt und so ausgerichtet, dass sie die Dickerichtung einnehmen. Mit der Verschiebung der leitenden Partikel verringert sich der Widerstandswert zwischen den Elektroden 75 der Magnete 74 und nimmt dann einen stabilen Zustand ein, wodurch zu dieser Zeit ein elektrischer Widerstandswert gemessen wird. Die Zeit ab der Zeit, zu der das Parallelmagnetfeld an die Gemischzusammensetzung angelegt ist, bis zur Zeit, zu der der elektrische Widerstandswert zwischen den Elektroden 75 der Magnete 74 den stabilen Zustand erreicht hat, variiert gemäß der Art der leitfähigen Partikel. Ein elektrischer Widerstandswert nach Verlauf von 500 Sekunden ab dem Anlegen des Parallelmagnetfelds an die Gemischzusammensetzung wird allgemein als elektrischer Widerstandswert R gemessen.
Wenn der elektrische Widerstandswert R fast 0,3 Ω beträgt, können leitfähige Teile 22 zur Verbindung eine hohe Leitfähigkeit haben, die mit Sicherheit erzielbar ist.
Der Wassergehalt in den leitfähigen Partikeln beträgt vorzugsweise 5 Massenprozent, besonders vorzuziehen sind höchstens 3 Massenprozent, und noch besser sind höchstens 2 Massenprozent, aber speziell vorzuziehen ist höchstens 1 Massenprozent. Indem derartigen Bedingungen genügt wird, kann die Blasenbildung verhindert werden nach der Wärmebehandlung in der Aufbereitung des Gussmaterials oder der Bildung der elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit.
Die leitfähigen Partikel P können jene sein, die man erzielt durch Behandeln der Oberflächen dieser mit einem Kopplungsmittel, wie ein Silankoppelwirkstoff. Durch Behandeln der Oberflächen der leitfähigen Partikel P mit dem Koppelwirkstoff wird die Klebeeigenschaft der leitfähigen Partikel P an der elastischen Polymersubstanz verbessert. Im Ergebnis wird ein leitfähiges Material mit hoher Festigkeit erhalten.
Die Menge des verwendeten Koppelwirkstoffs wird in geeigneter Weise innerhalb von Grenzen ausgewählt, die die Leitfähigkeit der leitfähigen Partikel P nicht beeinträchtigen. Jedoch ist es vorzuziehen, eine solche Menge zu verwenden, dass eine Beschichtungsrate (Verhältnis einer beschichtetet Fläche mit dem Koppelwirkstoff zur Mantelfläche der leitfähigen Partikel) vom Koppelwirkstoff auf den Oberflächen der leitfähigen Partikel P mit Mengen zu wenigstens 5%, vorzugsweise 7 bis 100%, noch besser 10 bis 100 Prozent, und besonders vorzuziehen sind 20 bis 100%.
Derartige leitfähige Partikel P lassen sich beispielsweise durch folgenden Prozeß erzielen.
Die Partikel werden zuerst aus einem ferromagnetischen Material entsprechend bekannter Verfahren hergestellt oder sind handelsübliche Partikel einer ferromagnetischen Substanz. Die Partikel werden einer Klassifizierungsbehandlung unterzogen, um die Magnetkernpartikel mit einem erforderlichen Partikeldurchmesser aufzubereiten.
Die Klassifizierung bei der vorliegenden Erfindung der Partikelbehandlung kann beispielsweise mittels eines Klassifizierers durchgeführt werden, wie ein Luftklassifizierer oder akustischer Klassifizierer.
Spezielle Bedingungen der Klassifizierungsbehandlung werden in geeigneter Form gemäß der beabsichtigten Zahl von Durchschnittspartikeldurchmessern der Magnetkernpartikel eingestellt, der Art des Klassifizierers und dergleichen.
Oberflächen der Magnetkernpartikel werden dann mit Säure behandelt und weiter mit beispielsweise gereinigtem Wasser gewaschen, womit die Verunreinigungen wie Staub, Fremdmaterial und oxidierte Filme beseitigt werden, die sich auf den Oberflächen der Magnetkernpartikel befinden. Danach werden die Oberflächen der Magnetkernpartikel mit hochleitfähigem Metall beschichtet, womit leitfähige Partikel gewonnen werden.
Die für die Behandlung der Oberflächen von den Magnetkernpartikeln verwendete Säure kann die schon erwähnte Hydrochloridsäure sein oder auch eine andere.
Als Verfahren zum Beschichten der Magnetkernpartikeloberflächen mit dem hochleitfähigen Metall kann elektroloses Galvanisieren, Versatzgalvanisieren oder dergleichen verwendet werden. Das Verfahren ist jedoch nicht auf diese genannten beschränkt.
Ein Herstellprozeß der leitfähigen Partikel durch elektroloses Galvanisieren oder Versatzgalvanisieren ist nachstehend beschrieben. Die Magnetkernpartikel, die der Säurebehandlung und der Waschbehandlung unterzogen wurden, werden zuerst einer Galvanisierungslösung zum Aufbereiten eines wäßrigen Breis hinzugegeben, und elektroloses Galvanisieren oder Versatzgalvanisieren bezüglich der Magnetkernpartikel wird durchgeführt, während sich der wäßrige Brei verfestigt. Die Partikel im wäßrigen Brei werden dann von der Galvanisierungslösung getrennt. Danach werden die getrennten Partikel der Waschbehandlung unterzogen, beispielsweise mit gereinigtem Wasser, wodurch leitfähige Partikel mit den Oberflächen der Magnetkernpartikel gewonnen werden, die mit dem hochleitfähigen Metall beschichtet sind.
Primergalvanisieren kann in alternativer Weise bezüglich der Oberflächen der Magnetkernpartikel durchgeführt werden, um eine Primergalvanisierschicht zu bilden, und eine Galvanisierschicht, die aus dem hochleitfähigen Metall gebildet ist, kann dann auf der Oberfläche der Grundgalvanisierungsschicht gebildet werden. Dem Prozeß zum Bilden der Grundgalvanisierungsschicht sind keine Grenzen auferlegt, und auch nicht der darauf gebildeten Galvanisierungsschicht. Es ist jedoch vorzuziehen, die Grundbeschichtung auf den Oberflächen der Magnetkernpartikel durch elektroloses Galvanisieren auszuführen und dann die Galvanisierungsbeschichtung auf dem hochleitfähigen Metall auf die Oberfläche der Grundgalvanisierungsbeschichtung durch Versatzbeschichtung aufzutragen.
Der Lösung zur galvanischen Beschichtung sind keine besonderen Beschränkungen auferlegt, die beim elektrolosen Beschichten oder beim Versatzbeschichten verwendet wird, und verschiedene Arten handelüblicher Beschichtungslösungen können verwendet werden.
Da leitfähige Partikel mit großem Partikeldurchmesser aufgrund von Ansammlung der Magnetkernpartikel nach Beschichten der Oberflächen der Partikel mit dem hochleitfähigen Metall hergestellt werden können, werden die sich ergebenden leitfähigen Partikel vorzugsweise einer Klassifizierungsbehandlung unterzogen, wenn dies erforderlich ist. Durch die Klassifizierungsbehandlung können leitfähige Partikel mit dem erwartetet Partikeldurchmesser mit Sicherheit gewonnen werden.
Als Beispiel eines Klassifizierers, der zum Durchführen der Klassifizierungsbehandlung der leitfähigen Partikel verwendet wird, kann jener erwähnt werden, der als Klassifizierer als Beispiel genannt wird, der bei der Klassifizierungsbehandlung zum Aufbereiten der Magnetkernpartikel verwendet wird.
Das Verhältnis der leitfähigen Partikel P, die in den leitfähigen Teilen 22 zur Verbindung des Funktionalteils 21 enthalten sind, beträgt vorzugsweise 10 bis 60%, vorzugsweise 15 bis 50% in Hinsicht auf die Raumabteilung. Wenn dieses Verhältnis geringer als 10% ist, kann es in manchen Fällen unmöglich werden, die leitfähigen Teile 22 zur Verbindung in hinreichend niedrigem Widerstandswert zu gewinnen. Wenn dieses Verhältnis andererseits 60% überschreitet, sind die sich ergebenden leitfähigen Teile zur Verbindung bruchgefährdet, so dass die für die leitfähigen Teile 22 zur Verbindungen erforderliche Elastizität in manchen Fällen nicht erreicht werden kann.
Das Verhältnis der leitfähigen Teile P, die in den zu stützenden Teilen 25 enthalten sind variiert entsprechend dem Inhalt der leitfähigen Partikel im Gußmaterial zum Bilden der elastischen Filme 20 mit anisotroper Leitfähigkeit. Es ist jedoch insofern vorzugsweise äquivalent oder größer als das Verhältnis der im Gußmaterial enthaltenen leitfähigen Teile, dass die leitfähigen Teile P sicher daran gehindert werden, im Überschuß in den leitfähigen Teilen 22 zur Verbindung enthalten zu sein, die sich ganz außen unter den leitfähigen Teilen 22 zur Verbindung im elastischen Film 20 mit anisotroper Leitfähigkeit befinden. Es sollte außerdem vorzugsweise fast 30% in Hinsicht auf die Raumabteilung in diesen Teilen 25 betragen, um mit hinreichender Festigkeit gestützt zu werden.
Der Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit, der oben beschrieben wurde, kann beispielsweise auf folgende Weise hergestellt werden.
Eine Rahmenplatte 10, zusammengesetzt aus einem Magnetmaterial, in dem filmanordnende Löcher 11 mit anisotroper Leitfähigkeit entsprechend einem Muster der Elektrodenregionen gebildet wurden, in denen die zu prüfenden Elektroden angeordnet worden sind, und zwar in allen integrierten Schaltungen, die auf dem Wafer gebildet sind, der Prüfungsgegenstand ist, wird zuerst hergestellt. Als Verfahren zum Bilden der filmanordnenden Löcher 11 mit anisotroper Leitfähigkeit in der Rahmenplatte 10 können beispielsweise Ätzverfahren oder dergleichen angewandt werden.
Ein Gussmaterial zum Gießen von elastischen Fiklmen mit anisotroper Leitfähigkeit mit leitfähigen Partikeln, die verteilten Magnetismus aufweisen, wird dann Flüssigsilikongummi des Beimengungstyps aufbereitet. Wie in 6 dargestellt, ist eine Gußform 60 zum Gießen elastischer Filme mit anisotroper Leitfähigkeit vorgesehen, und das leitfähige Gemisch als Gußmaterial für elastische Filme mit anisotroper Leitfähigkeit wird auf den jeweiligen Gußoberflächen einer Oberdruckpreßform 61 und einer Unterdruckpreßform 65 in der Gußform 60 entsprechend erforderlichem Muster angewandt, nämlich ein Anordnungsmuster herzustellender elastischer Filme mit anisotroper Leitfähigkeit, wodurch die Gußmaterialschichten 20A gebildet werden.
Hier wird nachstehend die Gußform 60 speziell beschrieben. Diese Gußform 60 ist so aufgebaut, dass die Oberdruckpreßform 61 und die Unterdruckpreßform 65 ein Paar bilden und so angeordnet sind, dass sie sich gegenüber stehen.
In der Oberdruckpreßform 61 sind ferromagnetische Substanzschichten 63 entsprechend einem antipodischen Muster für ein Anordnungsmuster der leitfähigen Teile 22 zur Verbindung in jedem der elastischen Filme 20 mit anisotroper Leitfähigkeit gebildet, die auf der unteren Oberfläche einer Basisplatte 62 zu gießen sind, und antimagnetische Substanzschichten 64 werden an anderen Abschnitten als die ferromagnetischen Substanzschichten 63 gebildet, wie in einem vergrößertem Maßstab in 7 dargestellt. Die Gußoberfläche wird durch diese ferromagnetischen Substanzschichten 63 und diese nichtmagnetischen Substanzschichten 64 gebildet. Vertiefungsteile 64a sind in der Gußoberfläche der Oberdruckpreßform 61 entsprechend den projizierten Teile 24 in den elastischen Filmen 20 mit anisotroper Leitfähigkeit gebildet, die zu gießen sind.
In der Unterdruckpreßform 65 sind andererseits ferromagnetische Substanzschichten 67 gebildet, deren Anordnungsmuster demjenigen der leitfähigen Teile 22 zur Verbindung in den elastischen Filmen 22 mit anisotroper Leitfähigkeit entspricht, die auf der Oberfläche der Basisplatte 66 zu gießen sind, und antimagnetische Substanzschichten 68 werden auf anderen Abschnitten als denen der ferromagnetischen Substanzschichten 67 gebildet. Durch diese ferromagnetischen Substanzschichten 67 und durch diese antimagnetischen Substanzschichten 68 wird die Gußoberfläche gebildet. Vertiefungsteile 68a sind in der Gußoberfläche der Unterdruckpreßform 65 entsprechend den projizierten Teile 24 in den elastischen Filmen 20 mit anisotroper Leitfähigkeit gebildet, die zu gießen sind.
Die jeweiligen Basisplatten 62 und 66 in der Oberdruckpreßform 61 und in der Unterdruckpreßform 65 sind vorzugsweise aus einer ferromagnetischen Substanz gebildet. Spezielle Beispiele einer derartigen ferromagnetischen Substanz enthalten ferromagnetische Materialien, wie Eisen, Eisen-Nickel-Legierungen, Eisen-Kobalt-Legierungen, Nickel und Kobalt. Die Basisplatten 62, 66 haben vorzugsweise eine Dicke von 0,1 bis 50 mm und sind vorzugsweise auf ihren Oberflächen geglättet und wurden einer chemischen Entfettungsbehandlung und einer mechanischen Polierbehandlung unterzogen.
Als Material zum Bilden der ferromagnetischen Substanzschichten 63, 67 sowohl in der Oberdruckpreßform 61 als auch in der Unterdruckpreßform 65 kann ein ferromagnetisches Metall verwendet werden, wie Eisen, Eisen-Nickel-Legierung, Eisen-Kobalt-Legierung, Nickel oder Kobalt. Die ferromagnetischen Substanzschichten 63, 67 haben vorzugsweise eine Dicke von wenigstens 10 μm. Wenn die Dicke wenigstens 10 μm beträgt, kann ein Magnetfeld mit einer ausreichenden Stärkeverteilung die Gußmaterialschichten 20A beaufschlagen. Im Ergebnis können die leitfähigen Partikel in hoher Dichte an Abschnitten gesammelt werden, um leitfähige Teile 22 zur Verbindung der Gußmaterialschichten 20A zu werden, und somit können leitfähige Teile 22 zur Verbindung mit einer guten Leitfähigkeit bereitgestellt werden.
Als Material zum Bilden der antimagnetischen Substanzschichten 64, 68 sowohl in der Oberdruckpreßform 61 als auch in der Unterdruckpreßform 65 kann ein antimagnetisches Metall verwendet werden, wie Kupfer, eine Polymersubstanz mit Wärmewiderstand oder dergleichen. Eine Polymersubstanz, die durch Bestrahlung ausgehärtet wurde, sollte jedoch insofern vorzugsweise verwendet werden, dass diese antimagnetischen Substanzschichten 64, 68 leicht durch eine Photolithographietechnik gebildet werden können. Als Material für diese kann beispielsweise Photolack wie acrylartiger Trockenfilmphotolack, epoxydartiger Flüssigphotolack oder polyimidartiger Flüssigphotolack verwendet werden.
Als Verfahren zur Beschichtung der Gußoberflächen der Oberdruckpreßform 61 und der Unterdruckpreßform 65 mit dem Gußmaterial kann vorzugsweise ein Siebdruckverfahren angewandt werden. Gemäß diesem Verfahren kann das Gußmaterial leicht entsprechend dem erforderlichen Muster aufgetragen werden, und eine genaue Menge des Gußmaterials läßt sich auftragen.
Wie in 8 dargestellt, wird die Rahmenplatte 10 dann in Ausrichtung auf der Gußoberfläche der Oberdruckpreßform 65 angeordnet, auf der die Gußmaterialschichten 20A gebildet worden sind, und zwar durch einen Abstandshalter 69a, und auf der Rahmenplatte 10 wird die Oberdruckpreßform 61, auf der die Gußmaterialschichten 20A gebildet worden sind, in Ausrichtung durch einen Abstandshalter 69b angeordnet. Diese Oberdruckpreßform und diese Unterdruckpreßform sind einander überlagert, wodurch die Gußmaterialschichten 20A der beabsichtigten Form (Form der herzustellenden elastischen Filme 20 mit anisotroper Leitfähigkeit) zwischen der Oberdruckpreßform 61 und der Unterdruckpreßform 65 gebildet werden, wie in 9 dargestellt. In jeder dieser Gußmaterialschichten 20A sind die leitfähigen Partikel P in einem verteilten Zustand in der Gußmaterialschicht 20A enthalten, wie in 10 dargestellt.
Die Abstandshalter 69a und 69b sind in der oben beschriebenen Weise zwischen der Rahmenplatte 10 und der Oberdruckpreßform 65 beziehungsweise der Unterdruckpreßform 61 angeordnet, wodurch die elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit in der beabsichtigten Form hergestellt werden können, und benachbarte elastische Filme mit anisotroper Leitfähigkeit werden daran gehindert, einander zu berühren, so dass eine große Anzahl von Filmen mit anisotroper Leitfähigkeit unabhängig voneinander mit einer gewissen Sicherheit hergestellt werden können.
Beispielsweise wird dann ein Paar von Elektromagneten an der oberen Oberfläche der Basisplatte 62 in der Oberdruckpreßform 61 und an der unteren Oberfläche der Basisplatte 66 in der Unterdruckpreßform 65 angeordnet, und die Elektromagnete werden aktiviert, wodurch ein Magnetfeld mit höherer Stärke an Abschnitten zwischen den ferromagnetischen Substanzschichten 63 der Oberdruckpreßform 61 und deren zugehörigen ferromagnetischen Substanzschichten 67 der Unterdruckpreßform 65, die dann Regionen dieser umgeben, gebildet wird, weil die Oberdruckpreßform 61 beziehungsweise die Unterdruckpreßform 65 die ferromagnetischen Substanzschichten 63 beziehungsweise 67 haben. Im Ergebnis werden in den Gußmaterialschichten 20A die leitfähigen Partikel P, die in den Gußmaterialschichten 20A verteilt sind, an Abschnitten gesammelt, um leitfähige Teile 22 zur Verbindung zu werden, die sich zwischen den ferromagnetischen Substanzschichten 63 der Oberdruckpreßform 61 und deren zugehörigen ferromagnetischen Substanzschichten 67 der Unterdruckpreßform 65 befinden und so ausgerichtet sind, dass sie in Dickerichtung der Gußmaterialschichten orientiert sind, wie in 11 gezeigt. Beim oben beschriebenen Prozeß ist die Rahmenplatte 10 aus dem Magnetmaterial aufgebaut, so dass ein Magnetfeld mit höherer Intensität an Abschnitten zwischen der Rahmenplatte 10 und der jeweiligen Oberdruckpreßform 61 und der Unterdruckpreßform 65, die dann nah beieinander liegen, gebildet wird. Im Ergebnis werden sich die leitfähigen Partikel P, die sich über und unter der Rahmenplatte 10 in den Gußmaterialschichten 20A befinden, nicht zwischen den ferromagnetischen Substanzschichten 63 der Oberdruckpreßform 61 und den ferromagnetischen Substanzschichten 67 der Unterdruckpreßform 65 sammeln, sondern sie bleiben über und unter der Rahmenplatte 10.
In diesem Zustand werden die Gußmaterialschichten 20A einer Aushärtungsbehandlung unterzogen, wodurch die elastischen Filme 20 mit anisotroper Leitfähigkeit, die jeweils aus einem Funktionalteil 21 bestehen, in dem eine Vielzahl von leitfähigen Teilen 22 zur Verbindung, die die leitfähigen Partikel P in der elastischen Polymersubstanz in einem solchen Zustand enthalten, dass sie in Dickerichtung ausgerichtet sind, angeordnet werden in einem Zustand, durch den sie gegenseitig durch ein Isolationsteil 23 isoliert sind, das sich aus einer elastischen Polymersubstanz zusammensetzt, in der die leitfähigen Partikel P entweder überhaupt nicht oder nur in geringem Umfang vorhanden sind, und ein zu stützender Teil 25, der stetig und integral an einer Peripherkante des Funktionalteils 21 gebildet ist und in dem die leitfähigen Partikel P in der elastischen Polymersubstanz enthalten sind, wird in einem solchen Zustand gebildet, dass der zu stützende Teil 25 mit der Peripherie über jedes filmanordnende Loch 11 mit anisotroper Leitfähigkeit der Rahmenplatte 10 fixiert ist, wodurch ein Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit geschaffen wird.
Im oben beschriebenen Prozeß ist die Intensität des externen Magnetfeldes, das sowohl die Abschnitte, die zu leitfähigen Teilen 22 zur Verbindung werden, als auch den Abschnitt beaufschlagt, der zu stützenden Teilen 25 in den Gußmaterialschichten 20A wird, vorzugsweise eine Intensität, die auf 0,1 bis 2,5 T durchschnittlich ansteigt.
Die Aushärtungsbehandlung der Gußmaterialschichten 20A wird entsprechend dem verwendeten Material passend ausgewählt. Die Behandlung wird jedoch allgemein als Wärmebehandlung durchgeführt. Wenn die Aushärtungsbehandlung der Gußmaterialschichten 20A durch Wärme erfolgt, ist es lediglich erforderlich, ein Heizelement in einem Elektromagneten bereitzustellen. Spezielle Heizungstemperatur und Heizungszeit werden in passender Weise in Hinsicht auf die Arten des polymersubstanzbildenden Materials, das die Gußmaterialschichten 20A und dergleichen bildet, die Zeit, die zur Verschiebung der leitfähigen Partikel erforderlich ist, und dergleichen ausgewählt.
Gemäß dem Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit der vorliegenden Erfindung weisen die elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit 20 die bestimmten Initialeigenschaften auf, so dass die leitfähigen Teile 22 zum Verbinden davor bewahrt werden, dass der elektrische Widerstand davon merklich ansteigt, und die erforderliche Leitfähigkeit über eine lange Zeitperiode beibehalten wird, auch wenn diese wiederholt in einem Hochtemperaturumfeld verwendet werden.
Da das zu stützende Glied 25 an der peripheren Kante des funktionellen Teils 21 mit leitfähigen Teilen 22 zum Verbinden in jedem der elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit 20 ausgebildet ist, und dieses zu stützende Teil 25 an die Peripherie um das Anordnungsloch 11 des Films mit anisotroper Leitfähigkeit in der Rahmenplatte 10 fixiert ist, ist es schwer, dass der Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit deformiert wird und leicht handzuhaben ist, so dass das Positionieren sowie das Halten und Fixieren an einen Wafer, der ein Gegenstand der Prüfung ist, leicht bei einem elektrischen Verbindungsvorgang an den Wafer durchgeführt werden kann.
ist dieser kaum zu deformieren und leicht zu handhaben, weil in den elastischen Filmen 20 mit anisotroper Leitfähigkeit die zu stützenden Teile 25 an der Peripherkante des Funktionalteils 21 gebildet ist, das die leitfähigen Teile 22 zur Verbindung enthält, und dieser zu stützende Teil 25 ist mit der Peripherie über das filmanordnende Loch 11 mit anisotroper Leitfähigkeit in der Rahmenplatte 10 fixiert, wodurch das Positionieren und das Halten und Fixieren mit dem Wafer, der Prüfungsgegenstand ist, leicht in einer elektrischen Verbindungsoperation zum Wafer durchgeführt werden kann.
Da die jeweiligen filmanordnenden Löcher 11 mit anisotroper Leitfähigkeit in der Rahmenplatte 10 entsprechend den Elektrodenregionen, in denen sich die zu überprüfende Elektrode befindet, in integrierten Schaltungen gebildet sind, die sich auf einem Wafer befinden, der Prüfungsgegenstand ist, und da der elastische Film 20 mit anisotroper Leitfähigkeit, der in jedem der filmanordnenden Löcher 11 mit anisotroper Leitfähigkeit vorgesehen ist, eine kleine Fläche hat, können die individuellen elastischen Filme 20 mit anisotroper Leitfähigkeit leicht hergestellt werden. Da der kleinflächige elastische Film 20 mit anisotroper Leitfähigkeit in der absoluten thermischen Ausdehnungsgröße in einer Ebenenrichtung des elastischen Films 20 mit anisotroper Leitfähigkeit klein ist, selbst wenn er einer thermischen Hysterese ausgesetzt wird, wird darüber hinaus die Ausdehnung des elastischen Films 20 mit anisotroper Leitfähigkeit in Ebenenrichtung mit Sicherheit von der Rahmenplatte unter Verwendung eines Materials beibehalten, das einen geringeren linearen thermischen Ausdehnungskoeffizienten besitzt als derjenige zum Bilden der Rahmenplatte 10. Somit kann ein guter elektrischer Verbindungszustand stabil beibehalten werden, selbst wenn der WLBI-Test bezüglich eines großflächigen Wafers ausgeführt wird.
Da der vorstehend beschriebene Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit gewonnen wird, indem die Gußmaterialschichten 20A der Aushärtungsbehandlung in einem Zustand unterzogen werden, bei dem die leitfähigen Partikel P in den Abschnitten zurückgehalten werden, um die zu stützenden Teile 25 in den Gußmaterialschichten 20A zu werden, beispielsweise dadurch, dass ein Magnetfeld an jene Abschnitte bei der Formierung der elastischen Filme 20 mit anisotroper Leitfähigkeit angelegt wird, werden die leitfähigen Partikel P, die in den Abschnitten existieren, die zu stützenden Teilen 25 in den Gußmaterialschichten 20A werden, das heißt in den Abschnitten, die sich über und unter den Peripherien über den filmanordnenden Löchern 11 mit anisotroper Leitfähigkeit in der Rahmenplatte 10 befinden, nicht an den Abschnitten gesammelt, um leitfähige Teile 22 zur Verbindung zu werden. Im Ergebnis sind die leitfähigen Partikel P davor geschützt, im Überschuß in den leitfähigen Teilen 22 zur Verbindung enthalten zu sein, die sich meistens außerhalb unter den leitfähigen Teilen 22 zur Verbindung in den sich ergebenden elastischen Filmen 20 mit anisotroper Leitfähigkeit befinden. Folglich besteht kein Bedarf, den Inhalt der leitfähigen Partikel P in den Gußmaterialschichten 20A zu verringern, so dass eine gute Leitfähigkeit in allen leitfähigen Teilen 22 zur Verbindung in den elastischen Filmen 20 mit anisotroper Leitfähigkeit erreicht und gesichert werden kann, und darüber hinaus kann die Isolationseigenschaft zwischen benachbarten leitfähigen Teilen 22 zur Verbindung mit Sicherheit erreicht werden.
Da die den Wafer positionierenden Positionierungslöcher 16 in der Rahmenplatte 10 gebildet sind, der der Prüfungsgegenstand ist, kann die Schaltungsplatine zur Prüfung leicht gehandhabt werden.
Da die Luftzirkulationslöcher 15 in der Rahmenplatte 10 gebildet sind, wird die Luft zwischen dem Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit und der Schaltungsplatine zur Prüfung durch die Luftzirkulationslöcher 15 in der Rahmenplatte 10 zu der Zeit ausgestoßen, zu der sich der Druck innerhalb einer Kammer verringert, wenn das Druckverringerungssystem als Mittel für das Andrücken des Prüfungsglieds in einem Waferprüfungsgerät verwendet wird, das nachstehend zu beschrieben ist, wodurch der Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit sicher in engen Kontakt mit der Schaltungsplatine zur Prüfung gebracht werden kann, so dass die erforderliche elektrische Verbindung mit Sicherheit erzielbar ist.
Waferprüfungsgerät
12 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch den Aufbau eines exemplarischen Waferprüfungsgeräts darstellt, bei dem der Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit nach der vorliegenden Erfindung verwendet wird. Dieses Waferprüfungsgerät dient der Ausführung einer elektrischen Prüfung einer jeden der Vielzahl integrierter Schaltungen, die auf einem Wafer nach dem Stand des Wafers gebildet sind.
Das in 12 gezeigte Waferprüfungsgerät hat ein Prüfungsglied 1 zum Durchführen der elektrischen Verbindung einer jeden der Elektroden 7 auf dem zu überprüfenden Wafer 6, der Prüfungsgegenstand ist, mit einer Testeinrichtung. Wie ebenfalls in 13 in vergrößertem Maßstab dargestellt, hat das Prüfungsglied 1 eine Schaltungsplatine 30 zur Prüfung auf der Vorderoberfläche (untere Oberfläche in 12), von der eine Vielzahl von Prüfungselektroden 31 gemäß einem Muster gebildet sind, das dem Muster der zu prüfenden Elektroden 7 auf dem Wafer 6 entspricht, der Prüfungsgegenstand ist. Auf der Vorderoberfläche der Schaltungsplatine 30 zur Prüfung vorgesehen ist der Verbinder 2 mit anisotroper Leitfähigkeit von in den 1 bis 4 dargestelltem Aufbau in einer solchen Weise, dass die leitfähigen Teile 22 zur Verbindung in den elastischen Filmen 20 mit anisotroper Leitfähigkeit den Prüfungselektroden 31 der Schaltungsplatine 30 zur Prüfung gegenüber stehen beziehungsweise mit diesen in Kontakt gebracht werden. Auf der Vorderoberfläche (untere Oberfläche in 12) des Verbinders 20 mit anisotroper Leitfähigkeit vorgesehen ist ein blattförmiger Verbinder 40, in dem eine Vielzahl von Elektrodenstrukturen 42 in einem Isolationsblatt 41 gemäß dem Muster angeordnet ist, das dem Muster der zu prüfenden Elektroden 7 vom Wafer 6 entspricht, der Prüfungsgegenstand ist, und zwar in der Weise, dass die Elektrodenstrukturen 42 den leitfähigen Teilen 22 zur Verbindung in den elastischen Filmen 20 mit anisotroper Leitfähigkeit vom Verbinders 2 mit anisotroper Leitfähigkeit gegenüber stehen beziehungsweise mit diesen in Kontakt gebracht werden.
Auf der rückwärtigen Oberfläche (obere Oberfläche in der Zeichnung) von der Schaltungsplatine 30 zur Prüfung im Prüfungsglied 1 ist eine druckhaltende Platte 3 vorgesehen, um das Prüfungsglied 1 nach unten zu drücken. Ein Waferbefestigungstisch 4, auf der der Wafer 6, der Prüfungsgegenstand ist, montiert ist, ist unter dem Prüfungsglied 1 vorgesehen. Ein Heizelement 5 ist mit jeder druckhaltenden Platte 3 und dem Waferbefestigungstisch 4 verbunden.
Als Basismaterial zum Herstellen der Schaltungsplatine 30 zur Prüfung kann irgendein herkömmlich bekanntes Basismaterial verwendet werden. Spezielle Beispiele davon enthalten Verbundharzmaterialien, wie beispielsweise Glasfaser-verstärkten Epoxydharz, Glasfaser-verstärkte Phenolharze, Glasfaser-verstärkte Polyimidharze und Glasfaser-verstärkte Bismaleimidotriazinharze sowie keramische Materialien wie Glas, Siliziumdioxid und Aluminiumoxid.
Wenn ein Waferprüfungsgerät zum Ausführen des WLBI-Tests aufgebaut ist, wird vorzugsweise ein Material mit einem linearen thermischen Ausdehnungskoffizienten von fast 3 × 10^–5/°K verwendet, noch besser 1 × 10^–7 bis 1 × 10^–5/°K und insbesondere vorzuziehen sind 1 × 10^–6 bis 6 × 10^–6/°K.
Spezielle Beispiele eines derartigen Basismaterials enthalten Pyrex-Glas, Quarzglas, Aluminiumoxid, Beryllia, Siliziumkarbid, Aluminiumnitrid und Bornitrid.
Der blattförmige Verbinder 40 im Prüfungsglied 1 ist nachstehend speziell beschrieben. Dieser blattförmige Verbinder 40 hat ein flexibles Isolationsblatt 41, und in diesem Isolationsblatt 41 ist eine Vielzahl von Elektrodenstrukturen 42, die sich in Dickerichtung vom Isolationsblatt 41 erstrecken und aus einem Metall sind, in einem voneinander getrennten Zustand in Ebenenrichtung des Isolationsblatts 41 angeordnet gemäß dem Muster entsprechend demjenigen der zu prüfenden Elektroden 7 vom Wafer 6, der Prüfungsgegenstand ist.
Jede der Elektrodenstrukturen 42 ist gebildet durch integrales Verbinden eines hervorstehenden Vorderplattenelektrodenteils 43, das aus der Vorderoberfläche heraustritt (untere Oberfläche in der Figur) der Isolationsschicht 41 und einem plattenförmigen rückwärtigen Elektrodenteil 44, das sich auf der Rückseite des Isolationsblatt 41 befindet, durch ein Kurzschlußteil 45, der sich in Dickerichtung des Isolationsblatts 41 erstreckt.
Dem Isolationsblatt 41 sind keine speziellen Beschränkungen auferlegt, sofern die Isolationseigenschaft und Flexibilität gegeben ist. Ein Harzblatt, das beispielsweise aus Poliamidharz gebildet ist, aus Flüssigkristallpolymer, aus Polyester, aus Fluorharz oder dergleichen, oder ein Blatt, das durch Imprägnieren von Webtextilien durch Fasern mit irgendeinem der oben genannten Harze gewonnen wird, kann verwendet werden.
Auch der Dicke der Isolationsschicht 41 wird keine besondere Beschränkung auferlegt, sofern die Isolationsschicht 41 flexibel ist. Jedoch ist es vorzuziehen, dass 10 bis 50 μm, vorzugsweise 10 bis 25 μm eingehalten werden.
Ein Metall zum Herstellen der Elektrodenstrukturen kann Nickel, Kupfer, Gold, Palladium, Eisen oder dergleichen sein. Die Elektrodenstrukturen 42 können aus einem Einzelmetall gebildet sein, jene, die Legierungen wenigstens zweier Metalle aufweisen und jene, die durch Laminieren wenigstens zweier Metalle gewonnen werden, als ein Loch.
Auf den Oberflächen des Vorderoberflächenelektrodenteils 43 und des Hinteroberflächenelektrodenteils 44 in der Elektrodenstruktur 42 wird vorzugsweise ein Film aus einem Metall, chemisch stabil und hochleitfähig, wie beispielsweise Gold, Silber oder Palladium gebildet, damit die Oxidation der Elektrodenteile vermieden wird und die Elektrodenteile einen geringeren Übergangswiderstand haben.
Die projizierte Höhe des Vorderoberflächenelektrodenteils 43 in der Elektrodenstruktur 42 beträgt vorzugsweise 15 bis 50 μm, besser sind 15 bis 30 μm, weil eine stabile elektrische Verbindung zur zu prüfenden Elektrode 7 des Wafers 6 erreicht werden kann. Der Durchmesser des Vorderoberflächenelektrodenteils 43 wird entsprechend der Größe und dem Regelabstand der zu überprüfenden Elektroden vom Wafer 6 eingerichtet und beträgt beispielsweise 30 bis 80 μm, vorzugsweise aber 30 bis 50 μm.
Der Durchmesser des rückwärtigen Elektrodenteils 44 in der Elektrodenstruktur 42 kann größer sein als der Durchmesser des Kurzschlußteils 45 und kleiner sein als der Anordnungsabstand der Elektrodenstrukturen 42 und ist vorzugsweise so groß wie möglich, wodurch eine stabile elektrische Verbindung zum leitfähigen Teil 42 zur Verbindung des elastischen Films 20 mit anisotroper Leitfähigkeit des Verbinders 2 mit anisotroper Leitfähigkeit ebenfalls mit Sicherheit erzielt werden kann. Die Dicke des rückwärtigen Oberflächenelektrodenteils 44 beträgt vorzugsweise 20 bis 50 μm, besser sind 35 bis 50 μm, weil die Festigkeit hinreichend hoch ist und eine hervorragende Lebensdauer erreicht wird.
Der Durchmesser des Kurzschlußteils 45 in der Elektrodenstruktur 42 beträgt vorzugsweise 30 bis 80 μm, besser sind 30 bis 50 μm, weil die hinreichende hohe Festigkeit erzielt wird.
Der blattförmige Verbinder 40 kann beispielsweise auf folgende Weise hergestellt werden.
Genauer gesagt, ein Laminatmaterial, gewonnen durch Laminieren einer Metallschicht auf ein Isolationsblatt 41, wird bereitgestellt, und eine Vielzahl von Durchgangslöchern, die sich in Dickerichtung durch das Isolationsblatt 41 erstrecken, sind im Isolationsblatt 41 des Laminatmaterials gemäß einem Muster gebildet, das demjenigen von Elektrodenstrukturen 42 entspricht, die durch Laserbehandlung zu schaffen sind, durch Trockenätzverfahren oder dergleichen. Dieses Laminatmaterial wird dann der Photolithographie- und Galvanisierbehandlung unterzogen, wodurch Kurzschlußteile 45 integral mit der Metallschicht in den Durchgangslöchern des Isolationsblatts 41 verbunden werden, und gleichzeitig werden hervorstehende Vorderflächenelektrodenteile 43 integral mit den zugehörigen Kurzschlußteilen 45 auf der Vorderoberfläche des Isolationsblatts 42 verbunden. Danach wird die Metallschicht des Laminatmaterials der Photoätzbehandlung unterzogen, um einen Teil zu beseitigen, wodurch die rückwärtigen Oberflächenelektrodenteile 44 gebildet werden, um die Elektrodenstrukturen 42 zu schaffen, womit der blattförmige Verbinder 40 bereitgestellt wird.
In einem derartigen elektrischen Prüfungsgerät wird ein Wafer 6, der Prüfungsgegenstand ist, auf den Waferbefestigungstisch 4 montiert, und das Probenglied 1 wird dann von der druckhaltenden Platte 3 nach unten gedrückt, wodurch die jeweiligen Vorderoberflächenelektrodenteile 43 in den Elektrodenstrukturen 42 des blattförmigen Verbinders 40 in Kontakt mit den zugehörigen Elektroden 7 gebracht werden, die vom Wafer 6 zu prüfen sind, und darüber hinaus werden die jeweiligen Elektroden 7, die auf dem Wafer zu prüfen sind, von den Vorderoberflächenelektrodenteilen 43 unter Druck gesetzt. Jeder dieser leitfähigen Teile 22 zum Verbinden der elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit des Verbinders 2 mit anisotroper Leitfähigkeit werden in diesem Zustand jeweils gehalten und von den Prüfungselektroden 31 der Schaltungsplatine 30 zur Prüfung unter Druck gesetzt, und die Vorderoberflächenelektrodenteile 43 der Elektrodenstrukturen 42 des blattförmigen Verbinders 40 werden in Dickerichtung der elastischen Filme 20 mit anisotroper Leitfähigkeit komprimiert, wodurch leitfähige Pfade in den jeweiligen leitenden Teilen 22 für die Verbindung in Dickerichtung gebildet werden. Im Ergebnis wird eine elektrische Verbindung zwischen den Elektroden 7, die vom Wafer 6 zu prüfen sind, und die Prüfungselektroden 31 der Schaltungsplatine 30 zur Prüfung erzielt. Danach wird der Wafer 6 auf eine vorgeschriebene Temperatur über den Waferbefestigungstisch 4 und die druckhaltende Platte 3 vom Heizelement 5 gebracht. In diesem Zustand wird die erforderliche elektrische Prüfung bezüglich jeder der Vielzahl integrierter Schaltungen auf dem Wafer 6 ausgeführt.
Gemäß einem derartigen Waferprüfungsgerät wird die elektrische Verbindung der Elektroden 7, die vom Wafer 6 zu prüfen sind, die Prüfungsgegenstand sind, erzielt durch das Prüfglied 1 mit dem oben beschriebenen Verbinder 2 mit anisotroper Leitfähigkeit. Folglich kann das Positionieren und Halten und Fixieren mit dem Wafer leicht durchgeführt werden, selbst wenn der Regelabstand der zu prüfenden Elektroden 7 gering ist, und darüber hinaus kann die erforderliche Prüfung in stabiler Weise über eine lange Zeitdauer ausgeführt werden, selbst wenn das Gerät häufig wiederholt in einem Test in einem Hochtemperaturklima verwendet wird.
Da jeder der elastischen Filme 20 mit anisotroper Leitfähigkeit im Stecker 2 mit anisotroper Leitfähigkeit in der eigenen Fläche gering ist und die Absolutmenge der thermischen Ausdehnung in Ebenenrichtung des elastischen Films 20 mit anisotroper Leitfähigkeit gering ist, selbst wenn er der thermischen Hysterese unterzogen wird, wird die thermische Ausdehnung des elastischen Films 20 mit anisotroper Leitfähigkeit in Ebenenrichtung sicher beibehalten durch die Rahmenplatte unter Verwendung eines Materials mit einem geringen linearen thermischen Ausdehnungskoeffizienten, wie der zum Bilden der Rahmenplatte 10. Folglich kann ein guter elektrischer Verbindungszustand stabil beibehalten werden, selbst wenn der WLBI-Test bezüglich eines großflächigen Wafers erfolgt.
14 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch den Aufbau eines anderen exemplarischen Waferprüfungsgeräts darstellt, wobei Gebrauch gemacht wird von dem Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit nach der vorliegenden Erfindung.
Das Waferprüfungsgerät hat eine kastenförmige Kammer 50, die sich nach oben öffnet, in der ein Wafer 6 aufgenommen wird, der Prüfungsgegenstand ist. Ein Evakuierungsstutzen 51 zur Luftevakuierung in der Kammer 50 ist in einer Seitenwand dieser Kammer 50 vorgesehen, und ein nicht dargestelltes Evakuierelement, wie beispielsweise eine Vakuumpumpe, ist mit dem Evakuierungsstutzen 51 verbunden.
Ein Prüfglied 1 desselben Aufbaus wie Prüfglied 1 im Waferprüfungsgerät, gezeigt in 12, ist auf der Kammer 50 vorgesehen, um so die Öffnung der Kammer 50 luftdicht zu verschließen. Genauer gesagt, ein elastischer O-Ring 55 ist in engem Kontakt mit der Oberendoberfläche der Seitenwand in der Kammer 50 angeordnet, und das Prüfglied 1 ist in einem Zustand angeordnet, dass der Verbinder 2 mit anisotroper Leitfähigkeit und der blattförmige Verbinder 40 in der Kammer 50 untergebracht sind, und die Peripherie der Schaltungsplatine 30 zur Prüfung ist in engen Kontakt mit dem O-Ring gebracht. Die Schaltungsplatine 30 zur Prüfung wird weiterhin in einem druckhaltenden Zustand nach unten von der druckhaltenden Platte 3 gehalten, die auf der rückwärtigen Oberfläche (obere Oberfläche in der Figur) vorgesehen ist.
Ein Heizelement 5 ist mit der Kammer 50 und der druckhaltenden Platte 3 verbunden.
In einem solchen Waferprüfungsgerät wird das Evakuierglied, das mit dem Evakuierungsstutzen 51 der Kammer 50 verbunden ist, angesteuert, wodurch Druck in der Kammer 50 beispielsweise auf 1.000 Pa oder weniger reduziert wird. Im Ergebnis wird das Prüfglied 1 vom atmosphärischen Druck nach unten gedrückt, wodurch der O-Ring 55 eine elastische Verformung erleidet, und somit wird das Prüfglied 1 nach unten verschoben. Als Ergebnis werden die Elektroden 7, die auf dem Wafer 6 zu prüfen sind, jeweils von den zugehörigen Vorderoberflächenelektrodenteilen 43 in Elektrodenstrukturen 42 des blattförmigen Verbinders 40 unter Druck gesetzt. In diesem Zustand werden die leitfähigen Teile 22 zur Verbindung der elastischen Filme 20 mit anisotroper Leitfähigkeit des Verbinders 2 mit anisotroper Leitfähigkeit jeweils gehalten und von den Prüfelektroden 31 von der Schaltungsplatine 30 zur Prüfung unter Druck gesetzt und auch die Vorderoberflächenelektrodenteile 43 in den Elektrodenstrukturen 42 des blattförmigen Verbinders 40 und werden komprimiert in Dickerichtung der elastischen Filme 20 mit anisotroper Leitfähigkeit, wodurch leitfähige Wege in den jeweiligen leitfähigen Teilen 22 zur Verbindung in Dickerichtung gebildet werden. Im Ergebnis wird eine elektrische Verbindung zwischen den Elektroden 7, die vom Wafer 6 zu prüfen sind, und den Prüfelektroden 31 der Schaltungsplatine zur Prüfung erzielt. Danach wird der Wafer 6 auf eine vorgeschriebene Temperatur von der Kammer 50 und der druckhaltenden Platte 3 vom Heizelement 5 erwärmt. Die erforderliche elektrische Prüfung erfolgt in diesem Zustand bezüglich jeder der Vielzahl integrierter Schaltungen im Wafer 6.
Entsprechend einem solchen Waferprüfungsgerät werden dieselben Wirkungen zustande gebracht wie jene über dem Waferprüfungsgerät gemäß 12. Darüber hinaus kann das gesamte Prüfungsgerät miniaturisiert werden, weil irgendwelche großgebaute druckhaltende Mechanismen nicht erforderlich sind, und darüber hinaus wird der gesamte Wafer 6, der Prüfungsgegenstand ist, unter Druck gesetzt durch eine gleichmäßige Kraft, selbst wenn der Wafer 6 großflächig ist, beispielsweise einen Durchmesser von 8 Zoll oder mehr hat. Da darüber hinaus die Luftzirkulationslöcher 15 in der Rahmenplatte 10 im Verbinder 2 mit anisotroper Leitfähigkeit gebildet sind, wird die Schaltungsplatine 30 zur Prüfung durch die Luftzirkulationslöcher 15 von der Rahmenplatte 10 im Verbinder 2 mit anisotroper Leitfähigkeit ausgetauscht, wenn der Druck innerhalb der Kammer 50 reduziert ist, wodurch der Verbinder 2 mit anisotroper Leitfähigkeit mit Sicherheit in engen Kontakt mit der Schaltungsplatine 30 zur Prüfung gebracht werden kann, so dass die erforderliche elektrische Verbindung mit Sicherheit erzielt wird.
Andere Ausführungsbeispiele
Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt, und derartige verschiedene Änderungen oder Abwandlungen können hinzukommen.

(1) Im Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit werden leitfähige Teile, die nicht der Verbindung dienen, nicht elektrisch mit irgendeiner Elektrode verbunden, die in einem Wafer zu prüfen ist, was alles in den elastischen Filmen 20 mit anisotroper Leitfähigkeit zusätzlich zu den leitfähigen Teilen 22 zur Verbindung gebildet werden kann. Ein Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit mit elastischen Filmen mit anisotroper Leitfähigkeit, in denen die leitfähigen Teile, die nicht der Verbindung dienen, gebildet sind, ist nachstehend beschrieben.

15 ist eine Aufsicht, die in vergrößertem Maßstab einen elastischen Film mit anisotroper Leitfähigkeit in einem Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit nach einem anderen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Im elastischen Film 20 mit anisotroper Leitfähigkeit dieses Verbinders mit anisotroper Leitfähigkeit ist eine Vielzahl von leitfähigen Teilen zur Verbindung, die elektrisch mit den Elektroden verbunden sind, die in einem Wafer zu prüfen sind, der Prüfungsgegenstand ist, und erstrecken sich in Dickerichtung, das heißt, in Richtung senkrecht zur Papieroberfläche in 15, des Films, der im Funktionalteil 21 untergebracht ist, um so in zwei Zeilen gemäß dem Muster entsprechend einem Muster der zu prüfenden Elektroden ausgerichtet ist. Diese leitfähigen Teile 22 zur Verbindung halten jeweils leitfähige Partikel, die Magnetismus bei einer hohen Dichte zeigen, in einem Zustand, der orientiert ist, um in Dickerichtung ausgerichtet und gegenseitig durch ein Isolationsteil 23 isoliert zu sein, wobei die leitfähigen Partikel überhaupt nicht oder kaum enthalten sind.
Leitfähige Teile 26, die nicht der Verbindung dienen, die nicht elektrisch mit irgendeiner zu überprüfenden Elektrode im Wafer verbunden sind, der Prüfungsgegenstand ist und sich in Dickerichtung erstreckt, sind zwischen den leitfähigen Teilen 22 zur Verbindung gebildet, die sich ganz außen in einer Richtung befindet, in der die leitfähigen Teile 22 zur Verbindung angeordnet sind, und der Rahmenplatte 10. Die leitfähigen Teile 26, die nicht der Verbindung dienen, enthalten die leitfähigen Partikel, die Magnetismus bei hoher Dichte in einem Zustand zeigen, der orientiert ist, um so in Dickerichtung und gegenseitig von den leitfähigen Teilen 22 zur Verbindung von einem Isolationsteil 23 isoliert zu sein, wobei die leitfähigen Partikel überhaupt nicht oder kaum enthalten sind.
Im dargestellten Ausführungsbeispiel sind hervorstehende Teile 24 und hervorstehende Teile 27, die aus anderen Oberflächen als Abschnitten hervortreten, bei denen die leitfähigen Teile 22 zur Verbindung und deren Peripherien dort mit Abschnitten lokalisiert sind, bei denen die leitfähigen Teile 26, die nicht der Verbindung dienen, und deren Peripherien sich dort befinden, an jenen Abschnitten beidseitig vom Funktionalteil 21 im elastischen Film 29 mit anisotroper Leitfähigkeit gebildet.
An der peripheren Kante des Funktionalteils 21 ist ein zu stützender Teil 25, der von der peripheren Kante befestigt und zu stützen ist, über das filmanordnende Loch 11 mit anisotroper Leitfähigkeit in der Rahmenplatte 10 integral und stetig gebildet mit dem Funktionalteil 21, und die leitfähigen Partikel in diesem Teil 25 zum Stützen enthalten.
Andere Konstitutionen sind grundsätzlich dieselben wie jene des Verbinders gemäß der 1 bis 4 mit anisotroper Leitfähigkeit.
16 ist eine Aufsicht, die in vergrößertem Maßstab einen elastischen Film mit anisotroper Leitfähigkeit in einem Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit bei einem weiteren Ausführungsbeispiel nach der Erfindung zeigt. Im elastischen Film 20 mit anisotroper Leitfähigkeit von diesem Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit ist eine Vielzahl von leitfähigen Teilen 22 zur Verbindung elektrisch mit den in einem Wafer zu prüfenden verbunden, der Prüfungsgegenstand ist, und die Elektroden erstrecken sich in Dickerichtung des Films, das heißt, senkrecht zur Papierebene in 16, und sie sind angeordnet, um mit einem Muster entsprechend einem Muster der zu prüfenden Elektroden ausgerichtet sein. Diese leitfähigen Teile 22 zur Verbindung enthalten jeweils leitfähige Partikel, die Magnetismus mit hoher Dichte in einem orientierten Zustand zeigen, um so in Dickerichtung ausgerichtet und gegenseitig vom Isolationsteil 23 isoliert zu sein, wobei die leitfähigen Partikel überhaupt nicht oder kaum enthalten sind.
Unter den leitfähigen Teilen 22 zur Verbindung sind zwei leitfähige Teile 22 zur Verbindung, die sich in der Mitte befinden und einander anschließen, mit einem Abstand angeordnet, der größer als der Abstand zwischen anderen benachbarten leitfähigen Teilen 22 zur Verbindung ist. Ein leitfähiger Teil 26, der nicht der Verbindung dient, der nicht elektrisch mit irgendeiner zu prüfenden Elektrode im Wafer verbunden ist, der Prüfungsgegenstand ist und der sich in Dickerichtung erstreckt, ist zwischen den zwei leitfähigen Teilen 22 zur Verbindung gebildet, die sich in der Mitte oder aneinandergrenzend befinden. Dieses leitfähige Teil 26, das nicht der Verbindung dient, enthält die leitfähigen Partikel, die Magnetismus in hoher Dichte in einem Zustand zeigen, der orientiert ist, um ausgerichtet zu sein in Dickerichtung und wechselseitig isoliert zu sein von leitfähigen Teilen 22 zur Verbindung durch ein Isolationsteil 23, in dem die leitfähigen Partikel überhaupt nicht oder kaum enthalten sind.
Im dargestellten Ausführungsbeispiel sind hervorstehende Teile 24 und hervorstehende Teile 27, die aus anderen Oberflächen als den Abschnitten hervortreten, bei denen sich die leitfähigen Teile 22 zur Verbindung und periphere Teile dieser befinden, und ein Abschnitt, bei dem der leitfähige Teil 26, der nicht der Verbindung dient, und eine Peripherie desselben sich befinden, aus jenen Abschnitten auf beiden Seiten des Funktionalteils 21 im elastischen Film 20 mit anisotroper Leitfähigkeit gebildet.
Bei der peripheren Kante des Funktionalteils 21 ist ein zu stützender Teil 25 fixiert und von der Peripherkante über das filmanordnende Loch 11 mit anisotroper Leitfähigkeit in der Rahmenplatte 10 gestützt und integral und stetig mit dem Funktionalteil 21 gebildet, und leitfähige Partikel sind in diesem Teil 25 enthalten, das zu stützen ist.
Andere spezielle Eigenarten sind grundsätzlich dieselben wie jene des Verbinders mit anisotroper Leitfähigkeit, wie er in den 1 bis 4 gezeigt ist.
Der Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit, der in 15 gezeigt ist, und der Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit, der in 16 gezeigt ist, können auf dieselbe Weise hergestellt werden wie beim Prozeß des Herstellens des Verbinders mit anisotroper Leitfähigkeit, der in den 1 bis 4 gezeigt ist, unter Verwendung einer Gußform, die sich zusammensetzt aus einer Oberdruckpreßform und einer Unterdruckpreßform, worauf ferromagnetische Substanzschichten jeweils entsprechend einem Muster gebildet sind, das zu einem Anordnungsmuster der leitfähigen Teile 22 zum Verbinden korrespondiert, und leitfähige Teile 26, die nicht der Verbindung dienen, in den elastischen Filmen 20 mit anisotroper Leitfähigkeit, die zu bilden sind, und antimagnetische Substanzschichten sind an Abschnitten gebildet, die andere sind als die ferromagnetischen Substanzschichten, und zwar anstelle der in 7 gezeigten Gußform.
Genauer gesagt, entsprechend einer derartigen Gußform ist ein Paar beispielsweise von Magneten in einer oberen Oberfläche und in einer Grundplatte in der Oberdruckpreßform und einer unteren Oberfläche der Basisplatte in der Unterdruckpreßform vorgesehen, und die Elektromagnete werden aktiviert, wodurch in den Gußmaterialschichten, die zwischen der Oberdruckpreßform und der Unterdruckpreßform gebildet werden, leitfähige Partikel in Abschnitten dispergieren, um die Funktionalteile 21 in den Gußmaterialschichten zu bilden, die an Abschnitten gebildet sind, um die leitfähigen Teile 22 zur Verbindung der Abschnitte zu werden, um leitfähige Teile 26, die nicht der Verbindung dienen, zu werden, und ausgerichtet sind, um sich so in der Dickerichtung der Gußmaterialschichten auszurichten. Die leitfähigen Partikel, die sich andererseits über und unter der Rahmenplatte 10 in den Gußmaterialschichten befinden, verbleiben in der Rahmenplatte 10 oben und unten.
In diesem Zustand werden die Gußmaterialschichten einer Aushärtebehandlung unterzogen, wodurch die elastischen Filme 20 mit anisotroper Leitfähigkeit, die jeweils zusammengesetzt sind aus dem Funktionalteil 21, in dem eine Vielzahl leitfähiger Teile 22 zur Verbindung und leitfähige Teile 26, die nicht der Verbindung dienen, die die leitfähigen Partikel in der elastischen Polymersubstanz in einem Zustand enthalten, der so orientiert ist, dass die Ausrichtung in Dickerichtung erfolgt, und eine Anordnung im Zustand gegenseitige Isolation durch das Isolationsteil 23 gegeben ist, das sich zusammensetzt aus einer elastischen Polymersubstanz, in der die leitfähigen Partikel überhaupt nicht oder kaum vorhanden sind, und in dem das zu stützende Teil 25, welches stetig und integral an der Peripherkante des Funktionalteils 21 gebildet wird und das leitfähige Partikel in der elastischen Polymersubstanz enthält, werden in einem Zustand gebildet, bei dem das Teil 25, das zu stützen ist, in der Peripherie fixiert wurde über jedes filmanordnende Loch 11 mit anisotroper Leitfähigkeit von der Rahmenplatte 10, wodurch der Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit hergestellt ist.
Die leitfähigen Teile 26, die nicht der Verbindung dienen, im Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit gemäß 15 werden jeweils gewonnen durch Anlegen eines Magnetfelds an Abschnitte, um leitfähige Teile nicht für die Verbindung in der Gußmaterialschicht nach Bildung des elastischen leitfähigen Films 20 mit anisotroper Leitfähigkeit zu werden, um die leitfähigen Partikel zu sammeln, die sich zwischen den Abschnitten befinden, um die leitfähigen Teile 22 zur Verbindung zu werden, die sich fast außerhalb der Gußmaterialschicht befinden, und der Rahmenplatte 10 an Abschnitten, um die leitfähigen Teile für die Nichtverbindung zu werden, wobei die Gußmaterialschicht einer Aushärtebehandlung in diesem Zustand unterzogen wird. Nach Bilden des elastischen Films 20 mit anisotroper Leitfähigkeit sind somit die leitfähigen Partikel davor geschützt, im Übermaß in den Abschnitten gesammelt zu werden, um leitfähige Teile 22 für die Verbindung zu werden, die sich ganz außerhalb der Gußmaterialschicht befinden. Selbst wenn die jeweiligen elastischen Filme 20 mit anisotroper Leitfähigkeit folglich gebildet sind und vergleichsweise viele leitfähige Teile 22 zur Verbindung besitzen, wird mit Sicherheit vermieden, dass ein Übermaß dieser leitfähigen Partikel in den leitfähigen Teilen 22 zur Verbindung ganz außerhalb des elastischen Films 20 mit anisotroper Leitfähigkeit sind.
Die leitfähigen Teile 26, die nicht der Verbindung im Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit gemäß 16 sind, werden jeweils gewonnen, nachdem die Bildung des elastischen Films 20 mit anisotroper Leitfähigkeit erfolgt ist, durch Anlegen eines Magnetfelds an den Abschnitt, um der leitfähige Teil 26 nicht für die Verbindung in der Gußmaterialschicht zu werden, um die leitfähigen Partikel zu sammeln, die sich zwischen den zwei benachbarten Abschnitten befinden, um die leitfähigen Teile 22 zur Verbindung zu werden, die sich mit größerem Abstand in einer Gußmaterialschicht befinden, an dem Abschnitt, der leitfähige Teil nicht für die Verbindung wird und die Gußmaterialschicht in diesem Zustand einer Aushärtebehandlung unterzieht. Nachdem die Bildung des elastischen Films 20 mit anisotroper Leitfähigkeit erfolgt ist, sind somit die leitfähigen Partikel daran gehindert, im Übermaß an den zwei benachbarten Abschnitten angesammelt zu werden, um die leitfähigen Teile 22 zur Verbindung zu werden, die sich mit größerem Abstand in der Gußmaterialschicht befinden. Selbst wenn die jeweiligen elastischen Filme 20, die zu bilden sind und wenigstens zwei leitfähige Teile 22 zur Verbindung haben, die in größerem Abstand angeordnet sind, wird folglich sicherlich vermieden, ein Übermaß an leitfähigen Partikeln in diesen leitfähigen Teilen 22 für die Verbindung zu enthalten.

(2) Im Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit sind die hervorstehenden Teile 24 der elastischen Filme 20 mit anisotroper Leitfähigkeit nicht von Bedeutung, und eine oder beide Oberflächen können flach sein, oder es kann ein Vertiefungsabschnitt gebildet sein.
(3) Eine Metallschicht kann auf den Oberflächen der leitfähigen Teile 22 zur Verbindung in den elastischen Filmen 20 mit anisotroper Leitfähigkeit gebildet werden.
(4) Wird eine nichtmagnetische Substanz als Basismaterial für die Rahmenplatte 10 bei der Herstellung des Verbinders mit anisotroper Leitfähigkeit verwendet, kann ein Mittel zum Galvanisieren der Umfänge um die Filmanordnungslöcher 11 mit anisotroper Leitfähigkeit in der Rahmenplatte mit einer Magnetsubstanz oder Beschichten dieser mit einer Magnetfarbe zum Anlegen eines Magnetfeldes dort als Mittel zum Anlegen des Magnetfeldes an die Abschnitte verwendet werden, um die in den Gußmaterialschichten 20A zu stützenden Teile 25 zu werden, oder ein Mittel zum Bilden ferromagnetischer Substanzschichten in der Gußform 60 entsprechend den Teilen 25, die von den elastischen Filmen 20 mit anisotroper Leitfähigkeit zu stützen sind, um dort eine Magnetfeld anzulegen.
(5) Die Verwendung eines Abstandshalters ist bei der Bildung der Gußmaterialschichten nicht von Bedeutung, und Abstandshalter zum Bilden der elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit können sicher zurückgehalten werden zwischen einer jeden der Oberdruckpreßform und der Unterdruckpreßform und der Rahmenplatten durch irgendein anderes Mittel.
(6) Im Prüfglied ist der blattförmige Verbinder 20 ohne Bedeutung, und die elastischen Filme 20 mit anisotroper Leitfähigkeit im Verbinder 2 mit anisotroper Leitfähigkeit können mit einem Wafer in Kontakt gebracht werden, der Prüfungsgegenstand ist, um eine elektrische Verbindung herzustellen.
(7) Im Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit nach der vorliegenden Erfindung können die filmbildenden Löcher mit anisotroper Leitfähigkeit in der Rahmenplatte entsprechend den Elektrodenregionen gebildet werden, in denen zu prüfende Elektroden angeordnet sind, in einem Teil der integrierten Schaltungen, die auf einem Wafer gebildet sind, der Prüfungsgegenstand ist, und der elastische Film mit anisotroper Leitfähigkeit kann in jedem dieser filmanordnenden Löcher mit anisotroper Leitfähigkeit angeordnet sein.

Gemäß einem solchen Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit kann ein Wafer unterteilt werden in zwei Bereiche zum kollektiven Ausführen eines Prüftests bezüglich integrierter Schaltungen, die in jedem der unterteilten Bereiche gebildet sind.
Genauer gesagt, es ist nicht wichtig, in kollektiver Weise die Prüfung bezüglich aller integrierten Schaltungen auszuführen, die auf dem Wafer gebildet sind, im Waferprüfungsvorgang des Verbinders mit anisotroper Leitfähigkeit nach der vorliegenden Erfindung oder dem Testglied nach der vorliegenden Erfindung.
Im Testbetrieb bei erhöhter Temperatur ist die Prüfungszeit, die für jede der integrierten Schaltungen erforderlich ist, mehrere Stunden lang, und so kann eine hohe Zeiteffizienz erzielt werden, wenn die Inspektion gemeinsam bezüglich aller integrierten Schaltungen durchgeführt wird, die auf einem Wafer gebildet sind. Im Prüfungstest ist andererseits die erforderliche Zeit für die integrierten Schaltungen, die erforderlich ist, wenige Minuten lang, und so kann eine hinreichend hohe Zeiteffizienz erzielt werden, selbst wenn ein Wafer in zwei oder mehr Bereiche unterteilt ist, und der Prüfungstest wird gemeinsam bezüglich der integrierten Schaltungen durchgeführt, die in jedem der unterteilten Bereiche gebildet sind.
Gemäß dem oben beschriebenen Verfahren dieser elektrischen Prüfung wird sie durchgeführt bei jedem unterteilten Bereich, wie bei integrierten Schaltungen, die auf einem Wafer gebildet sind, wenn die elektrische Prüfung wie bei den integrierten Schaltungen durchgeführt wird, die zu einem hohen Integrationsgrad auf einem Wafer untergebracht sind, dessen Durchmesser 8 Zoll oder 12 Zoll beträgt, wobei die Anzahl der Prüfungselektroden und Leitungen der Schaltungsplatine zur verwendeten Prüfung verringert werden können, verglichen mit dem Verfahren, bei dem die Prüfung elektrisch bezüglich aller integrierten Schaltungen durchgeführt wird, wodurch die Herstellkosten des Prüfungsgeräts verringert werden können.
Da der Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit nach der vorliegenden Erfindung oder das Prüfglied nach der vorliegenden Erfindung auch gegenüber wiederholter Verwendung sehr haltbar ist, ist die Häufigkeit zum Ersetzen des Verbinders mit anisotroper Leitfähigkeit gibt es das Ärgernis mit einem neuen schwäöcher werdenden, wenn er nach dem Verfahren verwendet wird, dass die elektrische Prüfung für jeden unterteilten Bereich durchgeführt wird, wie bei den auf einem Wafer gebildeten integrierten Schaltungen, so dass die Prüfungskosten verringert werden können.

(8) Der Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit nach der vorliegenden Erfindung oder das Prüfglied nach der vorliegenden Erfindung kann bei der Prüfung eines Wafers verwendet werden, auf dem integrierte Schaltungen mit vorstehenden Elektroden aus Gold, Zinn oder dergleichen gebildet sind, zusätzlich zu der Prüfung eines Wafers, auf dem integrierte Schaltungen mit flachen Elektroden aus Aluminium gebildet sind.

Da die Elektrode aus Gold, Zinn oder dergleichen gebildet ist, ist es schwierig, einen Oxidfilm auf der Oberfläche zu bilden, verglichen mit der Elektrode aus Aluminium, und es gibt keinen Bedarf des unter Druckhaltens einer solchen Elektrode unter einer Last, die erforderlich ist, den Oxidfilm bei der Prüfung des Wafers zu durchbrechen, auf dem die integrierte Schaltung mit solch hervorstehenden Elektroden gebildet ist, so dass die Prüfung in einem Zustand ausgeführt werden kann, dass die leitfähigen Teile zur Verbindung eines Verbinders mit anisotroper Leitfähigkeit in direkten Kontakt mit den zu prüfenden Elektroden gebracht werden, ohne dass irgendein blattförmiger Verbinder verwendet wird.
Wird die Prüfung eines Wafers durchgeführt in einem Zustand, bei dem leitfähige Teile zur Verbindung eines Verbinders mit anisotroper Leitfähigkeit in direkten Kontakt mit den hervorstehenden Elektroden gebracht werden, welches zu prüfende Elektroden sind, unterliegen die leitfähigen Teile zur Verbindung der Abnutzung oder permanenter Druckverformung durch Unterdrucksetzen durch die vorstehenden Elektroden, wenn der Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit wiederholt verwendet wird. Das Erhöhen des elektrischen Widerstands und Verbindungsfehler der Elektroden, die zu prüfen sind, treten im Ergebnis in den leitfähigen Teilen zur Verbindung auf, so dass es erforderlich wird, den Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit häufig durch einem neuen zu ersetzen.
Gemäß dem Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit nach der vorliegenden Erfindung oder gemäß dem Prüfglied nach der vorliegenden Erfindung wird jedoch die erforderliche Leitfähigkeit über eine lange Zeitdauer beibehalten, selbst wenn der Wafer, der Prüfungsgegenstand ist, ein Wafer ist, der einen Durchmesser von 8 Zoll oder von 12 Zoll hat, auf dem integrierte Schaltungen in hohem Integrationsgrad gebildet sind, weil der Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit oder das Prüfglied sehr haltbar bei wiederholter Verwendung sind, wodurch die Häufigkeit zum Austausch des Verbinders mit anisotroper Leitfähigkeit durch einen neuen gering wird, und so können die Prüfungskosten verringert werden.
(Beispiele)
Die vorliegende Erfindung ist nachstehend speziell durch folgende Beispiele beschrieben. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf diese Beispiele beschränkt.
Waferherstellung zum Test
Wie in 17 dargestellt, wurden insgesamt 393 quadratische integrierte Schaltungen L auf einem Wafer 6 aus Silikon hergestellt (linearer thermischer Ausdehnungskoeffizient: 3,3 × 10^–6/°K), die jeweils Abmessungen von 6,5 mm × 6,5 mm und einen Durchmesser von 8 Zoll hatten. Jede der integrierten Schaltungen L auf dem Wafer 6 hat eine Region A von zu prüfenden Elektroden in der Mitte, wie in 18 dargestellt. In der Region A der zu prüfenden Elektroden sind, wie in 19 dargestellt, 50 zu prüfende rechteckige Elektroden 7, jeweils mit Abmessungen von 200 μm in Vertikalrichtung (obere und untere Richtung in 19) und 50 μm in Querrichtung (Links- und Rechtsrichtung in 19) mit einem Regelabstand von 100 μm in einer Zeile in Querrichtung angeordnet. Die Gesamtzahl der zu prüfenden Elektroden 7 im gesamten Wafer 6 beträgt 19650. Alle der zu prüfenden Elektroden sind elektrisch mit einer (nicht gezeigten) gemeinsamen Leit-Elektrode verbunden, die an einer peripheren Kante des Wafers ausgebildet ist. Dieser Wafer ist nachstehend als "Wafer W1 zum Test" bezeichnet.
Weiterhin wurden 393 integrierte Schaltungen (L), die die selbe Konstruktion wie in dem Wafer W1 zum Test aufweist, außer dass jeweils zwei Elektroden jeder zweiten Elektrode von einer äußersten zu prüfenden Elektrode (7) unter den 50 in der integrierten Schaltung (L) zu prüfenden Elektroden (7) elektrisch miteinander verbunden wurden, und keine gemeinsame Leitelektrode ausgebildet wurde, auf einem Wafer (6) ausgebildet. Die Gesamtanzahl der zu prüfenden Elektroden auf dem gesamten Wafer beträgt 19650. Dieser Wafer ist nachstehend als "Wafer W2 zum Test" bezeichnet.
Weiterhin wurden insgesamt 225 quadratische integrierte Schaltungen L, die jeweils Abmessungen von 6,5 mm × 6,5 mm hatten, auf einem Wafer aus Silikon gebildet und hatten einen Durchmesser von 6 Zoll. Jede der integrierten Schaltungen auf dem Wafer 6 hat eine Region von in deren Mitte zu prüfenden Elektroden. In der Region der zu prüfenden Elektroden sind 50 zu prüfende rechteckige Elektroden, die jeweils eine Abmessung von 100 μm in Vertikalrichtung und 50 μm in Querrichtung haben, in einem Regelabstand von 100 μm in 2 Zeilen in Längsrichtung angeordnet (die Anzahl der zu prüfenden Elektroden in einer Zeile: 25). Ein Abstand zwischen den zu prüfenden Elektroden, die in Vertikalrichtung benachbart sind, beträgt 350 μm. Jeweils zwei Elektroden unter den 50 zu prüfenden Elektroden sind elektrisch miteinander verbunden. Die Gesamtzahl der zu prüfenden Elektroden im gesamten Wafer beträgt 11250. Dieser Wafer wird nachstehend als "Wafer W3 zum Test" bezeichnet.
(1) Aufbereitung der Magnetkernpartikel [A]
Handelsübliche Nickelpartikel (Produkt Westaim Co., "FC1000") wurden verwendet, um Magnetkernpartikel [A] folgendermaßen aufzubereiten.
Ein Luftklassifizierer "Turboclassifier TC-15N" (hergestellt von Nissei Engineering Co., Ltd.), wurde verwendet, um 2 kg Nickelpartikel einer Klassifizierungsbehandlung unter Bedingungen eines spezifischen Gewichts von 8,9 zu unterziehen, eines Luftflusses von 2,5 m³/min, einer Umdrehungsgeschwindigkeit von 1.600 Upm, einem Klassifizierungspunkt von 25 μm und eine Zuführrate der Nickelpartikel von 16g/min, 1,8 kg Nickelpartikel wurden gesammelt und 1,8 kg dieser Nickelpartikel wurden einer anderen Klassifizierungsbehandlung unter Bedingungen eines spezifischen Gewichts von 8,9, einem Luftfluß von 2,5 m³/min, einer Umdrehungsgeschwindigkeit von 3.000 Upm, einem Klassifizierungspunkt von 10 μm und einer Zuführrate der Nickelpartikel von 14 g/min unterzogen, wodurch 1,5 kg Nickelpartikel gesammelt wurden.
Ein Partikeltrenner "SW-20AT Model" (hergestellt von Tsutsui Rikagaku Kiki Co., Ltd.) wurde dann verwendet, um 120 g der Nickelpartikel, klassifiziert vom Luftklassifizierer, einer weiteren Klassifizierungsbehandlung zu unterziehen. Speziell wurden vier Siebe, die jeweils einen Durchmesser von 200 mm und jeweils einen Öffnungsdurchmesser von 25 μm, 20 μm, 16 μm beziehungsweise 8 μm hatten, wurden einander in dieser Reihenfolge von oben her überlagert. Jedes der Siebe wurde mit 10 g keramischer Kugeln mit einem Durchmesser von 2 mm beladen, und 20 g der Nickelpartikel wurden auf das alleroberste Sieb getan (Öffnungsdurchmesser 25 μm), um diese einer Klassifizierungsbehandlung unter Bedingungen von 55 Hz für 12 Minuten und 125 Hz für 15 Minuten zu unterziehen, womit Nickelpartikel gesammelt wurden, die auf dem untersten Sieb (Öffnungsdurchmesser 8 μm) ankamen. Dieser Prozeß wurde wiederholt 25 Mal insgesamt durchgeführt, wodurch 110 g der Magnetkernpartikel [A] aufbereitet wurden.
Solchermaßen gewonnene Magnetkernpartikel [A] hatten eine Anzahl durchschnittlicher Partikeldurchmesser von 10 μm, einen Variationskoeffizienten des Partikeldurchmessers von 10%, einen BET-spezifischen Oberflächenbereich von 0,2 × 10³ m²/kg und eine Sättigungsmagnetisierung von 0,6 Wb/m².
(2) Aufbereitung von Magnetkernpartikeln [B] zur Magnetkernpartikeln [H]
Die folgenden Magnetkernpartikel [B] zu Magnetkernpartikeln [H] wurden in derselben Weise aufbereitet wie die Magnetkernpartikel [A], mit Ausnahme der Tatsache, dass Bedingungen des Luftklassifizierers und des Partikeltrenners gewechselt wurden.
Magnetkernpartikel [B]

Magnetkernpartikel, zusammengesetzt aus Nickel und einer Durchschnittspartikeldurchmesserzahl von 12 μm, einer Koeffizientenvariation des Partikeldurchmessers von 40%, einem BET-spezifische Oberflächenbereich von 0,1 × 10³ m²/kg und mit einer Sättigungsmagnetisierung von 0,6 Wb/m².

Magnetkernpartikel [C]

Magnetkernpartikel aus Nickel mit einer Durchschnittspartikeldurchmesserzahl von 10 μm, einer Koeffizientenvariation des Partikeldurchmessers von 10%, einem BET-spezifischen Oberflächenbereich von 0,03 × 10³ m²/kg und mit einer Sättigungsmagnetisierung von 0,6 Wb/m².

Magnetkernpartikel [D]

Magnetkernpartikel aus Nickel mit einer Durchschnittspartikeldurchmesserzahl von 9 μm, einer Koeffizientenvariation des Partikeldurchmessers von 28%, einem BET-spezifischen Oberflächenbereich von 0,05 × 10³ m²/kg und mit einer Sättigungsmagnetisierung von 0,6 Wb/m².

Magnetkernpartikel [E]

Magnetkernpartikel aus Nickel mit einer Durchschnittspartikeldurchmesserzahl von 6 μm, einer Koeffizientenvariation des Partikeldurchmessers von 30%, einem BET-spezifischen Oberflächenbereich von 0,5 × 10³ m²/kg und mit einer Sättigungsmagnetisierung von 0,6 Wb/m².

Magnetkernpartikel [F]):

Magnetkernpartikel aus Nickel mit einer Durchschnittspartikeldurchmesserzahl von 10 μm, einer Koeffizientenvariation des Partikeldurchmessers von 20%, einem BET-spezifischen Oberflächenbereich von 0,05 × 10³ m²/kg und mit einer Sättigungsmagnetisierung von 0,6 Wb/m².

Magnetkernpartikel [G]

Magnetkernpartikel aus Nickel mit einer Durchschnittspartikeldurchmesserzahl von 10 μm, einer Koeffizientenvariation des Partikeldurchmessers von 15%, einem BET-spezifischen Oberflächenbereich von 0,15 × 10³ m²/kg und mit einer Sättigungsmagnetisierung von 0,6 Wb/m².

Magnetkernpartikel [H]:

Magnetkernpartikel aus Nickel mit einer Durchschnittspartikeldurchmesserzahl von 8 μm, einer Koeffizientenvariation des Partikeldurchmessers von 25%, einem BET-spezifischen Oberflächenbereich von 0,15 × 10³ m²/kg und mit einer Sättigungsmagnetisierung von 0,6 Wb/m².

(1) Aufbereitung leitfähiger Partikel [a]
In ein Behandlungsgefäß eines Pudergalvanisiergeräts wurden gereinigte 100 g Magnetkernpartikel [A] und 2 l von 0,32N Hydrochlorsäure hinzugefügt. Die sich ergebende Mischung wurde umgerührt, um schlammartige Magnetkernpartikel [A] zu bekommen. Die schlammartige Masse wurde gerührt bei üblicher Temperatur für 30 Minuten, wodurch eine Säurebehandlung für Magnetkernpartikel [A] erfolgte. Danach wurde die schlammartige Masse, solchermaßen behandelt, für 1 Minute zum Ausscheiden von Magnetkernpartikeln [A] belassen, und ein Überschuß wurde entfernt.
Den der Säurebehandlung unterzogenen Magnetkernpartikeln [A] wurden 2 l gereinigtes Wasser hinzugetan, und die Mischung wurde bei üblicher Temperatur für 2 Minuten umgerührt. Die Mischung wurde dann für 1 Minute belassen, um die überschüssigen Magnetkernpartikel [A] auszuscheiden, und der Überschuß wurde entfernt. Dieser Prozeß wurde zweimal wiederholt durchgeführt, wodurch eine Waschbehandlung für Magnetkernpartikel [A] erfolgte.
Den der Säurebehandlung und der Waschbehandlung unterzogenen Magnetkernpartikeln [A] wurden 2 l einer Galvanisierungslösung hinzugefügt, die Gold in einem Verhältnis von 20 g/l enthält. Die Temperatur des Behandlungsgefäßes wurde auf 90 °C erhöht und konstant gerührt, wodurch ein Brei aufbereitet wurde. Während der Brei in diesem Zustand gerührt wurde, erfolgte das Unterziehen der Magnetkernpartikel [A] einer Versatzgalvanisierung mit Gold. Danach wurde der Brei belassen, während er abkühlte, wodurch Partikel ausgeschieden wurden, und ein Überschuß konnte zum Aufbereiten der leitfähigen Partikel [a] beseitigt werden.
Den solchermaßen gewonnenen leitfähigen Partikeln [a] wurden 2 l reines Wasser hinzugefügt, und die Mischung wurde bei üblicher Temperatur 2 Minuten lang gerührt. Danach wurde die Mischung für die Dauer 1 Minute belassen, um die leitfähigen Partikel [a] auszuscheiden, und der Überschuß wurde entfernt. Dieser Prozeß wurde zweimal wiederholt durchgeführt, und 2 l gereinigtes Wasser, erhitzt auf 90 °C, wurden den Partikeln hinzugegeben, und die Mischung wurde umgerührt. Der sich ergebende Brei wurde durch Filterpapier gefiltert, um leitfähige Partikel [a] zu sammeln. Solchermaßen gewonnene leitfähige Partikel [a] wurden auf einem Trockenvorsatz bei 90 °C getrocknet.
Solchermaßen gewonnene leitfähige Partikel [a] hatten eine Durchschnittspartikeldurchmesserzahl von 12 μm, einen BET-spezifischen Oberflächenbereich von 0,25 × 10³ m²/kg, eine Dicke t der Deckschicht von 111 nm, einen Wert N der Goldmasse, die die Deckschicht bildet/Gesamtmasse der leitfähigen Partikel [a] von 0,3 und einen elektrischen Widerstandswert R von 0,025 Ω.
(2) Aufbereitung der leitfähigen Partikel [b]
Leitfähige Partikel [b] wurden in derselben Weise aufbereitet wie die leitfähigen Partikel [a], mit der Ausnahme, dass die Magnetkernpartikel [B] anstelle der Magnetkernpartikel [A] verwendet wurden, und der Gehalt von Gold in der Goldgalvanisierungslösung geändert wurde.
Solchermaßen gewonnene leitfähige Partikel [b] hatten eine Durchschnittspartikeldurchmesserzahl von 13 μm, einen BET-spezifischen Oberflächenbereich von 0,12 × 10³ m²/kg, eine Dicke t der Deckschicht von 146 nm, einen Wert N der Goldmasse, die die Deckschicht bildet/Gesamtmasse der leitfähigen Partikel [b1] von 0,22 und einen elektrischen Widerstandswert R von 0,1 Ω.
Die leitfähigen Partikel [c] wurden in derselben Weise aufbereitet wie die leitfähigen Partikel [a], mit der Ausnahme, dass Magnetkernpartikel [C] anstelle von Magnetkernpartikeln [A] verwendet wurden und dass der Goldgehalt der Goldgalvanisierungslösung geändert wurde.
Solchermaßen gewonnene leitfähige Partikel [C] haben eine Durchschnittspartikeldurchmesserzahl von 14 μm, einen BET-spezifischen Oberflächenbereich von 0,04 × 10³ m²/kg, eine Dicke t der Deckschicht von 192 nm, einen Wert N der Goldmasse, die die Deckschicht bildet/Gesamtmasse der leitfähigen Partikel [c] von 0,10 und einen elektrischen Widerstandswert R von 0,12 Ω.
(4) Aufbereitung der leitfähigen Partikel [d]
Die leitfähigen Partikel [d] wurden in derselben Weise aufbereitet wie die leitfähigen Partikel [a], mit der Ausnahme, dass Magnetkernpartikel [D] anstelle der Magnetkernpartikel [A] verwendet wurden und dass der Goldgehalt der Goldgalvanisierungslösung verändert wurde.
Solchermaßen gewonnene leitfähige Partikel [D] haben eine Durchschnittspartikeldurchmesserzahl von 10 μm, einen BET-spezifischen Oberflächenbereich von 0,06 × 10³ m²/kg, eine Dicke t der Deckschicht von 90 nm, einen Wert N der Goldmasse, die die Deckschicht bildet/Gesamtmasse der leitfähigen Partikel [d] von 0,08 und einen elektrischen Widerstandswert R von 0,15 Ω.
(5) Aufbereitung der leitfähigen Partikel [e]
Die leitfähigen Partikel [e] wurden in derselben Weise aufbereitet wie die leitfähigen Partikel [a], mit der Ausnahme, dass die Magnetkernpartikel [E] anstelle der Magnetkernpartikel [A] verwendet wurden und dass der Goldgehalt in der Goldgalvanisierungslösung verändert wurde.
Solchermaßen gewonnene leitfähige Partikel [e] haben eine Durchschnittspartikeldurchmesserzahl von 7 μm, einen BET-spezifischen Oberflächenbereich von 0,7 × 10³ m²/kg, eine Dicke t der Deckschicht von 58 nm, einen Wert N der Goldmasse, die die Deckschicht bildet/Gesamtmasse der leitfähigen Partikel [e] von 0,35 und einen elektrischen Widerstandswert R von 0,25 Ω.
(6) Aufbereitung der leitfähigen Partikel [f]
Die leitfähigen Partikel [f] wurden in derselben Weise aufbereitet wie die leitfähigen Partikel [a], mit der Ausnahme, dass die Magnetkernpartikel [F] anstelle der Magnetkernpartikel [A] verwendet wurden und dass der Goldgehalt in der Goldgalvanisierungslösung verändert wurde.
Solchermaßen gewonnene leitfähige Partikel [f] haben eine Durchschnittspartikeldurchmesserzahl von 11 μm, einen BET-spezifischen Oberflächenbereich von 0,06 × 10³ m²/kg, eine Dicke t der Deckschicht von 128 nm, einen Wert N der Goldmasse, die die Deckschicht bildet/Gesamtmasse der leitfähigen Partikel [f] von 0,11 und einen elektrischen Widerstandswert R von 0,18 Ω.
(7) Aufbereitung der leitfähigen Partikel [g]
Die leitfähigen Partikel [g] wurden in derselben Weise aufbereitet wie die leitfähigen Partikel [a], mit der Ausnahme, dass Magnetkernpartikel [G] anstelle von Magnetkernpartikeln [A] verwendet wurden und dass der Goldgehalt der Goldgalvanisierungslösung verändert wurde.
Solchermaßen gewonnene leitfähige Partikel [g] haben eine Durchschnittspartikeldurchmesserzahl von 12 μm, einen BET-spezifischen Oberflächenbereich von 0,17 × 10³ m²/kg, eine Dicke t der Deckschicht von 135 nm, einen Wert N der Goldmasse, die die Deckschicht bildet/Gesamtmasse der leitfähigen Partikel [g] von 0,28 und einen elektrischen Widerstandswert R von 0,015 Ω bildet.
(8) Aufbereitung der leitfähigen Partikel [h]
Die leitfähigen Partikel [h] wurden in derselben Weise aufbereitet wie die leitfähigen Partikel [a] aufbereitet, mit der Ausnahme, dass Magnetkernpartikel [H] anstelle von Magnetkernpartikeln [A] verwendet wurden und dass der Goldgehalt der Goldgalvanisierungslösung verändert wurde.
Solchermaßen gewonnene leitfähige Partikel [h] haben eine Durchschnittspartikeldurchmesserzahl von 10 μm, einen BET-spezifischen Oberflächenbereich von 0,16 × 10³ m²/kg, eine Dicke t der Deckschicht von 61 nm, einen Wert N der Goldmasse, die die Deckschicht bildet/Gesamtmasse der leitfähigen Partikel [h] von 0,15 und einen elektrischen Widerstandswert R von 0,08 Ω.
Die Eigenschaften der aufbereiteten leitfähigen Partikel und die Eigenschaften der Magnetkernpartikel, die bei der Aufbereitung der leitfähigen Partikel verwendet wurden, sind gemeinsam in der folgenden Tabelle 1 gezeigt. --- Tabelle 1 ---
Polymersubstanzbildendes Material
Ein Flüssigsilikongummi des Beimengungstyps der Zweierpackart weist die Viskosität von Flüssigkeit A mit 250 Pa·s, die Viskosität von Flüssigkeit B mit 250 Pa·s auf, die eingestellte Kompression eines ausgehärteten Produkts davon bei 150°C ist 5%, die Härteprüffestigkeit A des ausgehärteten Produkts ist 32, und die Reißfestigkeit des ausgehärteten Produkts ist 25 kN/m, und wurde als ein polymerartiges Ausbildungsmaterial bereitgestellt. Der Flüssigsilikongummi des Beimengungstyps der Zweierpackart wird als „Silikongummi (1)„ bezeichnet.
Die Eigenschaften des Flüssigsilikongummis vom Beimengungstyp, gezeigt in der obigen Tabelle 2, wurden auf folgende Weise bestimmt.
(i) Viskosität des Flüssigsilikongummis vom Beimengungstyp
Viskosität bei 23 ± 2 °C wurde mit einem Brookfield-Viskositätsmeßgerät gemessen.
(ii) Kompressionssatz von ausgehärtetem Silikongummi
Lösung A und Lösung B des Flüssigsilikongummis vom Beimengungstyp der Zweierpackart wurden gerührt und in Verhältnissen vermischt, dass die Mengen gleich waren. Nachdem diese Mischung dann in eine Gußform getropft war und einer Entschäumungsbehandlung durch Druckverringerung unterzogen wurde, erfolgte eine Aushärtebehandlung unter Bedingungen von 120 °C für 30 Minuten, wodurch ein säulenförmiger Körper mit einer Dicke von 12,7 mm und einem Durchmesser von 29 mm geschaffen wurde, der aus gehärtetem Silikongummi bestand. Der säulenförmige Körper wurde nachträglich ausgehärtet unter Bedingungen von 200 °C für 4 Stunden. Der solchermaßen erzielte säulenförmige Körper wurde als Muster zum Messen der Kompression verwendet, die entsprechend JIS K 6249 mit 150 ± 2 °C eingestellt war.
(iii) Reißfestigkeit vom ausgehärteten Silikongummi
Eine Aushärtebehandlung und ein nachträgliches Aushärten von Flüssigsilikongummi des Beimengungstyps wurde durchgeführt unter denselben Bedingungen wie bei Punkt (ii), wodurch ein Blatt mit einer Dicke von 2,5 mm geschaffen wurde. Ein halbmondförmiges Muster wurde durch Lochen dieses Blattes aufbereitet, um dessen Reißfestigkeit bei 23 ± 2 °C entsprechend JIS K 6249 zu messen.
(iv) A-Härte gemäß Härtemessung
Fünf Blätter, die in derselben Weise hergestellt wurden wie unter Punkt (iii), wurden aufeinandergestapelt und das sich ergebende Laminat wurde verwendet als Probe zum Messen der A-Härte gemäß Härtemessung bei 23 ± 2 °C entsprechend JIS K 6249.
(Herstellung von Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit für WLBI-Test)
(1) Herstellung von Rahmenplatte
Eine Gesamtzahl von 80 Rahmenplatten mit einem Durchmesser von 8 Zoll und 393 Filmanordnungslöchern mit anisotroper Leitfähigkeit, die entsprechend den jeweiligen Regionen der zu prüfenden Elektroden im Wafer W2 zum Test gebildet sind, wie oben beschrieben, wurde unter den folgenden Bedingungen gemäß dem in den 20 und 21 gezeigten Aufbau hergestellt.
Material dieser Rahmenplatte 10 ist Covar (Sättigungsmagnetisierung: 1,4 Wb/m²; thermischer Ausdehnungskoeffizient: 5 × 10^–6/°K, und die Dicke beträgt 60 μm).
Die Filmanordnungslöcher 11 mit anisotroper Leitfähigkeit haben jeweils Abmessungen von 5250 μm in Querrichtung (Links- und Rechtsrichtung in den 20 und 21) und 320 μm in Vertikalrichtung (obere und untere Richtung in den 20 und 21).
Ein kreisförmiges Luftzirkulationsloch 15 ist in Mittenposition zwischen Filmanordnungslöchern 11 mit anisotroper Leitfähigkeit gebildet, die einander in Vertikalrichtung benachbart sind, und deren Durchmesser beträgt 1000 μm.
(2) Herstellung von Abstandshalter
Zwei Abstandshalter zum Gießen der elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit, die jeweils eine Vielzahl von Durchgangslöchern haben, die entsprechend den Regionen der zu prüfenden Elektroden im Wafer W2 zum Test zu bilden sind, wurde unter folgenden Bedingungen hergestellt.
Material dieser Abstandshalter besteht aus Edelstahl (SUS304) und hat eine Dicke von 20 μm.
Das Durchgangsloch entsprechend einer jeden Region der zu prüfenden Elektroden hat Abmessungen von 6000 μm in Querrichtung und 1200 μm in Vertikalrichtung.
(3) Herstellung von Gußform
Eine Gußform zum Gießen der elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit wurde hergestellt unter folgenden Bedingungen gemäß dem in den 7 und 22 gezeigten Aufbau.
Eine Oberdruckpreßform 61 und eine Unterdruckpreßform 65 in dieser Gußform haben jeweils Basisplatten 62 beziehungsweise 66 aus Eisen und jeweils eine Dicke von 6 mm. Auf der Basisplatte 62, 66 sind ferromagnetische Substanzschichten 63 (67) zur Bildung leitfähiger Teile zur Verbindung und ferromagnetische Substanzschichten 63a (67a) zur Bildung leitfähiger Teile, die nicht der Verbindung dienen, die alle aus Nickel bestehen, gemäß einem Muster entsprechend einem solchen der prüfenden Elektroden im Wafer W1 zum Test angeordnet. Genauer gesagt, die Abmessungen einer jeden der ferromagnetischen Substanzschichten 63 (67) zum Bilden der leitfähigen Teile zur Verbindung sind 40 μm in Querrichtung × 200 μm in Vertikalrichtung × 100 μm in Dickerichtung, und 50 ferromagnetische Substanzschichten 63 (67) sind mit einem Regelabstand von 100 μm in einer Zeile in Querrichtung vorgesehen. Die ferromagnetischen Substanzschichten 63a (67a) zum Bilden der leitfähigen Teile, die nicht der Verbindung dienen, sind außerhalb der ferromagnetischen Substanzschichten 63a (67a) angeordnet, die sich ganz außen in einer Richtung befinden, in der die ferromagnetischen Substanzschichten 63 (67) angeordnet sind. Die Abmessungen einer jeden der ferromagnetischen Substanzschichten 63a (67a) sind 60 μm in Querrichtung × 200 μm in Vertikalrichtung und × 100 μm in Dickerichtung.
Entsprechend den Regionen der zu prüfenden Elektroden in einem Wafer W1 zum Test sind insgesamt 393 Regionen gebildet, in denen jeweils 50 ferromagnetische Substanzschichten 63 (67) zum Bilden leitfähiger Teile zur Verbindung und 2 ferromagnetische Substanzschichten 63a (67a) zum Bilden leitfähiger Teile, die nicht der Verbindung dienen, gebildet worden. In der gesamten Basisplatte sind 19650 ferromagnetische Substanzschichten 63 (67) zum Bilden leitfähiger Teile zur Verbindung sowie 786 ferromagnetische Substanzschichten 63a (67a) zum Bilden leitfähiger Teile, die nicht der Verbindung dienen, gebildet.
Nichtmagnetische Substanzschichten 64 (68) werden gebildet, indem Trockenfilmharze einer Aushärtebehandlung unterzogen werden. Die Abmessungen der vertieften Teile 64a (68a), bei denen sich die ferromagnetischen Substanzschichten 63 (67) zum Bilden der leitfähigen Teile zur Verbindung befinden, betragen 60 μm in Querrichtung × 210 μm in Vertikalrichtung und × 25 μm in Tieferichtung, wobei die Dimensionen eines jeden der vertieften Teile 64b (68b), bei denen sich die ferromagnetischen Substanzschichten 63a (67a) zum Bilden der leitfähigen Teile, die nicht der Verbindung dienen, befinden, betragen 90 μm in Querrichtung × 260 μm in Vertikalrichtung × 25 μm in Tieferichtung, und die Dicke der anderen Abschnitte als diejenigen der vertieften Teile beträgt 125 μm (die Dicke der vertieften Teile: 100 μm).
(4) Herstellen von Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A1) bis (A10):
Die oben beschriebene Rahmenplatte, die Abstandshalter und die Gussform wurden auf folgende Weise verwendet zum Herstellen elastischer Filme mit anisotroper Leitfähigkeit in der Rahmenplatte.
Auf 100 Gewichtsteile Silikongummi (1) wurden 30 Gewichtsteile leitfähiger Partikel [a] beigemengt. Danach wurde die sich ergebende Mischung einer Entschäumungsbehandlung durch Druckreduzierung unterzogen, wodurch ein Gussmaterial zum Gießen von Filmen mit anisotroper Leitfähigkeit aufbereitet wurde.
Das aufbereitete Gussmaterial wurde angewandt auf die Oberflächen der Oberdruckpressform und der Unterdruckpressform der Gussform durch Siebdrucken, wodurch Gussmaterialschichten gemäß einem Muster der zu bildenden elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit geschaffen wurden, und die Rahmenplatte wurde in Ausrichtung der Gussformoberfläche der Unterdruckpressform über einen Abstandshalter auf der Seite der Unterdruckpressform aufgelegt. Die Oberdruckpressform wurde in Ausrichtung auf die Rahmenplatte durch den Abstandshalter auf der Seite der Oberdruckpressform aufgelegt.
Die Gussmaterialschichten, die zwischen der Oberdruckpressform und der Unterdruckpressform gebildet wurden, wurden einer Aushärtebehandlung unter Bedingungen von 100 °C für 1 Stunde unterzogen, während ein Magnetfeld von 2 T an Abschnitten anlag, die sich zwischen den zugehörigen ferromagnetischen Substanzschichten in Dickerichtung durch Elektromagneten befinden, wodurch ein elastischer Film mit anisotroper Leitfähigkeit in jedem der Filmanordnungslöcher mit anisotroper Leitfähigkeit der Rahmenplatte gebildet wird.
Die elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit, solchermaßen gewonnen, sind nachstehend speziell beschrieben. Jeder der elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit hat Abmessungen von 6000 μm in Querrichtung und 1200 μm in Vertikalrichtung. In einem Funktionsteil in jedem der elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit sind 50 leitfähige Teile zur Verbindung mit einem Regelabstand von 100 μm in einer Zeile in Querrichtung angeordnet. Die Abmessungen eines jeden der leitfähigen Teile zur Verbindung betragen 40 μm in Querrichtung, 200 μm in Vertikalrichtung und 150 μm in Dickerichtung. Die Dicke der Isolationsschicht im Funktionsteil beträgt 100 μm. Leitfähige Teile, die nicht der Verbindung dienen, sind zwischen den leitfähigen Teilen zur Verbindung, die sich ganz außen in Querrichtung befinden, und der Rahmenplatte angeordnet. Die Abmessungen eines jeden der leitfähigen Teile, die nicht der Verbindung dienen, betragen 60 μm in Querrichtung, 200 μm in Vertikalrichtung und 150 μm in Dickerichtung. Die Dicke (Dicke eines der Gabelabschnitte) des zu stützenden Teils in jedem der elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit beträgt 20 μm.
Filme mit anisotroper Leitfähigkeit wurden jeweils auf 10 Rahmenplatten gebildet, um insgesamt 10 Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit zu produzieren. Diese Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit werden nachstehend als anisotrope Leitverbinder bezeichnet (A1) bis anisotroper Leitverbinder (A10) bezeichnet.
Die zu stützenden Teile und die Isolationsteile in den Funktionalteilen der elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit wurden bei jedem anisotropen Leitverbinder (A1) bis anisotroper Leitverbinder (A10) beobachtet. Im Ergebnis konnte bestätigt werden, dass die leitfähigen Partikel in den zu stützenden Teilen vorhanden sind und dass die leitfähigen Teile kaum in den Isolationsteilen der Funktionalteile vorhanden sind.
(5) Herstellung von Verbindern mit anisotroper Leitfähigkeit (B1) bis (B10):
Zehn Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit wurden auf die gleiche Weise hergestellt, wie die Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A1) bis (A10), außer dass leitfähige Partikel [b] anstatt der leitfähigen Partikel [a] verwendet wurden. Nachstehend werden diese Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit als anisotrope Leitverbinder (B1) bis anisotroper Leitverbinder (B10) bezeichnet.
Die zu stützenden Teile und die Isolationsteile in den Funktionalteilen der elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit wurden bei jedem anisotropen Leitverbinder (B1) bis anisotroper Leitverbinder (B10) beobachtet. Im Ergebnis konnte bestätigt werden, dass die leitfähigen Partikel in den zu stützenden Teilen vorhanden sind und dass die leitfähigen Teile kaum in den Isolationsteilen der Funktionalteile vorhanden sind.
(6) Herstellung von Verbindern mit anisotroper Leitfähigkeit (C1) bis (C10):
Zehn Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit wurden auf die gleiche Weise hergestellt, wie die Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A1) bis (A10), außer dass leitfähige Partikel [c] anstatt der leitfähigen Partikel [a] verwendet wurden. Nachstehend werden diese Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit als anisotrope Leitverbinder (C1) bis anisotroper Leitverbinder (C10) bezeichnet.
Die zu stützenden Teile und die Isolationsteile in den Funktionalteilen der elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit wurden bei jedem anisotropen Leitverbinder (C1) bis anisotroper Leitverbinder (C10) beobachtet. Im Ergebnis konnte bestätigt werden, dass die leitfähigen Partikel in den zu stützenden Teilen vorhanden sind und dass die leitfähigen Teile kaum in den Isolationsteilen der Funktionalteile vorhanden sind.
(7) Herstellung von Verbindern mit anisotroper Leitfähigkeit (D1) bis (D10):
Zehn Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit wurden auf die gleiche Weise hergestellt, wie die Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A1) bis (A10), außer dass leitfähige Partikel [d] anstatt der leitfähigen Partikel [a] verwendet wurden. Nachstehend werden diese Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit als anisotrope Leitverbinder (D1) bis anisotroper Leitverbinder (D10) bezeichnet.
Die zu stützenden Teile und die Isolationsteile in den Funktionalteilen der elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit wurden bei jedem anisotropen Leitverbinder (D1) bis anisotroper Leitverbinder (D10) beobachtet. Im Ergebnis konnte bestätigt werden, dass die leitfähigen Partikel in den zu stützenden Teilen vorhanden sind und dass die leitfähigen Teile kaum in den Isolationsteilen der Funktionalteile vorhanden sind.
(8) Herstellung von Verbindern mit anisotroper Leitfähigkeit (E1) bis (E10):
Zehn Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit wurden auf die gleiche Weise hergestellt, wie die Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A1) bis (A10), außer dass leitfähige Partikel [e] anstatt der leitfähigen Partikel [a] verwendet wurden. Nachstehend werden diese Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit als anisotrope Leitverbinder (E1) bis anisotroper Leitverbinder (E10) bezeichnet.
Die zu stützenden Teile und die Isolationsteile in den Funktionalteilen der elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit wurden bei jedem anisotropen Leitverbinder (E1) bis anisotroper Leitverbinder (E10) beobachtet. Im Ergebnis konnte bestätigt werden, dass die leitfähigen Partikel in den zu stützenden Teilen vorhanden sind und dass die leitfähigen Teile kaum in den Isolationsteilen der Funktionalteile vorhanden sind.
(9) Herstellung von Verbindern mit anisotroper Leitfähigkeit (F1) bis (F10):
Zehn Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit wurden auf die gleiche Weise hergestellt, wie die Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A1) bis (A10), außer dass leitfähige Partikel [f] anstatt der leitfähigen Partikel [a] verwendet wurden. Nachstehend werden diese Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit als anisotrope Leitverbinder (F1) bis anisotroper Leitverbinder (F10) bezeichnet.
Die zu stützenden Teile und die Isolationsteile in den Funktionalteilen der elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit wurden bei jedem anisotropen Leitverbinder (F1) bis anisotroper Leitverbinder (F10) beobachtet. Im Ergebnis konnte bestätigt werden, dass die leitfähigen Partikel in den zu stützenden Teilen vorhanden sind und dass die leitfähigen Teile kaum in den Isolationsteilen der Funktionalteile vorhanden sind.
(10) Herstellung von Verbindern mit anisotroper Leitfähigkeit (G1) bis (G10):
Zehn Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit wurden auf die gleiche Weise hergestellt, wie die Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A1) bis (A10), außer dass leitfähige Partikel [g] anstatt der leitfähigen Partikel [a] verwendet wurden. Nachstehend werden diese Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit als anisotrope Leitverbinder (G1) bis anisotroper Leitverbinder (G10) bezeichnet.
Die zu stützenden Teile und die Isolationsteile in den Funktionalteilen der elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit wurden bei jedem anisotropen Leitverbinder (G1) bis anisotroper Leitverbinder (G10) beobachtet. Im Ergebnis konnte bestätigt werden, dass die leitfähigen Partikel in den zu stützenden Teilen vorhanden sind und dass die leitfähigen Teile kaum in den Isolationsteilen der Funktionalteile vorhanden sind.
(11) Herstellung von Verbindern mit anisotroper Leitfähigkeit (H1) bis (H10):
Zehn Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit wurden auf die gleiche Weise hergestellt, wie die Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A1) bis (A10), außer dass leitfähige Partikel [h] anstatt der leitfähigen Partikel [a] verwendet wurden. Nachstehend werden diese Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit als anisotrope Leitverbinder (H1) bis anisotroper Leitverbinder (H10) bezeichnet.
Die zu stützenden Teile und die Isolationsteile in den Funktionalteilen der elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit wurden bei jedem anisotropen Leitverbinder (H1) bis anisotroper Leitverbinder (H10) beobachtet. Im Ergebnis konnte bestätigt werden, dass die leitfähigen Partikel in den zu stützenden Teilen vorhanden sind und dass die leitfähigen Teile kaum in den Isolationsteilen der Funktionalteile vorhanden sind.
(Herstellen von Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit für Testerprüfung)
(1) Herstellung von Rahmenplatte:
Eine Rahmenplatte mit einem Durchmesser von 6 Zoll und 225 Filmanordnungslöchern mit anisotroper Leitfähigkeit, die entsprechend den jeweiligen Regionen der zu prüfenden Elektroden im Wafer W3 zum Test gebildet sind, wurde unter den folgenden Bedingungen hergestellt.
Material dieser Rahmenplatte 10 ist Covar (Sättigungsmagnetisierung: 1,4 Wb/m²; thermischer Ausdehnungskoeffizient: 5 × 10^–6/°K, und die Dicke beträgt 80 μm).
Die Filmanordnungslöcher mit anisotroper Leitfähigkeit haben jeweils Abmessungen von 2740 μm in Querrichtung und 600 μm in Vertikalrichtung.
Ein kreisförmiges Luftzirkulationsloch ist in Mittenposition zwischen Filmanordnungslöchern mit anisotroper Leitfähigkeit gebildet, die einander in Vertikalrichtung benachbart sind, und deren Durchmesser beträgt 1000 μm.
(2) Herstellung von Abstandshalter
Zwei Abstandshalter zum Gießen der elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit, die jeweils eine Vielzahl von Durchgangslöchern haben, die entsprechend den Regionen der zu prüfenden Elektroden im Wafer W2 zum Test zu bilden sind, wurde unter folgenden Bedingungen hergestellt.
Material dieser Abstandshalter besteht aus Edelstahl (SUS304) und hat eine Dicke von 30 μm.
Das Durchgangsloch entsprechend einer jeden Region der zu prüfenden Elektroden hat Abmessungen von 3500 μm in Querrichtung und 1400 μm in Vertikalrichtung.
(3) Herstellung von Gußform
Eine Gußform zum Gießen der elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit wurde unter folgenden Bedingungen hergestellt.
Eine Oberdruckpreßform und eine Unterdruckpreßform in dieser Gußform haben jeweils Basisplatten aus Eisen und jeweils eine Dicke von 6 mm. Auf der Basisplatte sind ferromagnetische Substanzschichten zur Bildung leitfähiger Teile zur Verbindung und ferromagnetische Substanzschichten zur Bildung leitfähiger Teile, die nicht der Verbindung dienen, die alle aus Nickel bestehen, gemäß einem Muster entsprechend einem solchen der prüfenden Elektroden im Wafer W3 zum Test angeordnet. Genauer gesagt, die Abmessungen einer jeden der ferromagnetischen Substanzschichten zum Bilden der leitfähigen Teile zur Verbindung sind 50 μm in Querrichtung × 100 μm in Vertikalrichtung × 100 μm in Dickerichtung, und 50 ferromagnetische Substanzschichten sind mit einem Regelabstand von 100 μm in zwei Zeilen (Anzahl von ferromahnetischen Substanzschichten in einer Zeile: 25; Abstand zwischen benachbarten Substanzschichten in der Vertikalrichtung: 350 μm) in der Querrichtung vorgesehen. Die ferromagnetischen Substanzschichten zum Bilden der leitfähigen Teile, die nicht der Verbindung dienen, sind außerhalb der ferromagnetischen Substanzschichten angeordnet, die sich ganz außen in einer Richtung befinden, in der die ferromagnetischen Substanzschichten angeordnet sind. Die Abmessungen einer jeden der ferromagnetischen Substanzschichten sind 50 μm in Querrichtung × 200 μm in Vertikalrichtung und × 100 μm in Dickerichtung.
Entsprechend den Regionen der zu prüfenden Elektroden in einem Wafer W2 zum Test sind insgesamt 225 Regionen gebildet, in denen jeweils 50 ferromagnetische Substanzschichten zum Bilden leitfähiger Teile zur Verbindung und 2 ferromagnetische Substanzschichten zum Bilden leitfähiger Teile, die nicht der Verbindung dienen, gebildet worden. In der gesamten Basisplatte sind 11250 ferromagnetische Substanzschichten zum Bilden leitfähiger Teile zur Verbindung sowie 450 ferromagnetische Substanzschichten zum Bilden leitfähiger Teile, die nicht der Verbindung dienen, gebildet.
Nichtmagnetische Substanzschichten werden gebildet, indem Trockenfilmharze einer Aushärtebehandlung unterzogen werden. Die Abmessungen der vertieften Teile, bei denen sich die ferromagnetischen Substanzschichten zum Bilden der leitfähigen Teile zur Verbindung befinden, betragen 50 μm in Querrichtung × 100 μm in Vertikalrichtung und × 25 μm in Tieferichtung, wobei die Dimensionen eines jeden der vertieften Teile, bei denen sich die ferromagnetischen Substanzschichten zum Bilden der leitfähigen Teile, die nicht der Verbindung dienen, befinden, betragen 50 μm in Querrichtung × 200 μm in Vertikalrichtung × 25 μm in Tieferichtung, und die Dicke der anderen Abschnitte als diejenigen der vertieften Teile beträgt 125 μm (die Dicke der vertieften Teile: 100 μm).
(4) Herstellen von Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A11) bis (A20):
Die oben beschriebene Rahmenplatte, die Abstandshalter und die Gussform wurden auf folgende Weise verwendet zum Herstellen elastischer Filme mit anisotroper Leitfähigkeit in der Rahmenplatte.
Auf 100 Gewichtsteile Silikongummi (1) wurden 30 Gewichtsteile leitfähiger Partikel [a] beigemengt. Danach wurde die sich ergebende Mischung einer Entschäumungsbehandlung durch Druckreduzierung unterzogen, wodurch ein Gussmaterial zum Gießen von Filmen mit anisotroper Leitfähigkeit aufbereitet wurde.
Das aufbereitete Gussmaterial wurde angewandt auf die Oberflächen der Oberdruckpressform und der Unterdruckpressform der Gussform durch Siebdrucken, wodurch Gussmaterialschichten gemäß einem Muster der zu bildenden elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit geschaffen wurden, und die Rahmenplatte wurde in Ausrichtung der Gussformoberfläche der Unterdruckpressform über einen Abstandshalter auf der Seite der Unterdruckpressform aufgelegt. Die Oberdruckpressform wurde in Ausrichtung auf die Rahmenplatte durch den Abstandshalter auf der Seite der Oberdruckpressform aufgelegt.
Die Gussmaterialschichten, die zwischen der Oberdruckpressform und der Unterdruckpressform gebildet wurden, wurden einer Aushärtebehandlung unter Bedingungen von 100 °C für 1 Stunde unterzogen, während ein Magnetfeld von 2 T an Abschnitten anlag, die sich zwischen den zugehörigen ferromagnetischen Substanzschichten in Dickerichtung durch Elektromagneten befinden, wodurch ein elastischer Film mit anisotroper Leitfähigkeit in jedem der Filmanordnungslöcher mit anisotroper Leitfähigkeit der Rahmenplatte gebildet wird.
Die elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit, solchermaßen gewonnen, sind nachstehend speziell beschrieben. Jeder der elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit hat Abmessungen von 3500 μm in Querrichtung und 1400 μm in Vertikalrichtung. In einem Funktionsteil in jedem der elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit sind 50 leitfähige Teile zur Verbindung mit einem Regelabstand von 100 μm in zwei Zeilen (Anzahl von leitfähigen Teilen zum Verbinden in einer Zeile: 25; Abstand zwischen benachbarten leeitfähigen Teilen zum Verbinden in der Vertikalrichtung: 350 μm) in Querrichtung angeordnet. Die Abmessungen eines jeden der leitfähigen Teile zur Verbindung betragen 50 μm in Querrichtung, 100 μm in Vertikalrichtung und 190 μm in Dickerichtung. Die Dicke der Isolationsschicht im Funktionsteil beträgt 140 μm. Leitfähige Teile, die nicht der Verbindung dienen, sind zwischen den leitfähigen Teilen zur Verbindung, die sich ganz außen in Querrichtung befinden, und der Rahmenplatte angeordnet. Die Abmessungen eines jeden der leitfähigen Teile, die nicht der Verbindung dienen, betragen 50 μm in Querrichtung, 200 μm in Vertikalrichtung und 190 μm in Dickerichtung. Die Dicke (Dicke eines der Gabelabschnitte) des zu stützenden Teils in jedem der elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit beträgt 30 μm.
Filme mit anisotroper Leitfähigkeit wurden jeweils auf 10 Rahmenplatten gebildet, um insgesamt 10 Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit zu produzieren. Diese Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit werden nachstehend als anisotrope Leitverbinder bezeichnet (A11) bis anisotroper Leitverbinder (A20) bezeichnet.
Die zu stützenden Teile und die Isolationsteile in den Funktionalteilen der elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit wurden bei jedem anisotropen Leitverbinder (A11) bis anisotroper Leitverbinder (A20) beobachtet. Im Ergebnis konnte bestätigt werden, dass die leitfähigen Partikel in den zu stützenden Teilen vorhanden sind und dass die leitfähigen Teile kaum in den Isolationsteilen der Funktionalteile vorhanden sind.
(5) Herstellung von Verbindern mit anisotroper Leitfähigkeit (D11) bis (D20):
Zehn Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit wurden auf die gleiche Weise hergestellt, wie die Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A11) bis (A20), außer dass leitfähige Partikel [d] anstatt der leitfähigen Partikel [a] verwendet wurden. Nachstehend werden diese Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit als anisotrope Leitverbinder (D11) bis anisotroper Leitverbinder (D20) bezeichnet.
Die zu stützenden Teile und die Isolationsteile in den Funktionalteilen der elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit wurden bei jedem anisotropen Leitverbinder (D11) bis anisotroper Leitverbinder (D20) beobachtet. Im Ergebnis konnte bestätigt werden, dass die leitfähigen Partikel in den zu stützenden Teilen vorhanden sind und dass die leitfähigen Teile kaum in den Isolationsteilen der Funktionalteile vorhanden sind.
(6) Herstellung von Verbindern mit anisotroper Leitfähigkeit (E11) bis (E20):
Zehn Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit wurden auf die gleiche Weise hergestellt, wie die Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A11) bis (A20), außer dass leitfähige Partikel [e] anstatt der leitfähigen Partikel [a] verwendet wurden. Nachstehend werden diese Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit als anisotrope Leitverbinder (E11) bis anisotroper Leitverbinder (E20) bezeichnet.
Die zu stützenden Teile und die Isolationsteile in den Funktionalteilen der elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit wurden bei jedem anisotropen Leitverbinder (E11) bis anisotroper Leitverbinder (E20) beobachtet. Im Ergebnis konnte bestätigt werden, dass die leitfähigen Partikel in den zu stützenden Teilen vorhanden sind und dass die leitfähigen Teile kaum in den Isolationsteilen der Funktionalteile vorhanden sind.
(7) Herstellung von Verbindern mit anisotroper Leitfähigkeit (G11) bis (G20):
Zehn Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit wurden auf die gleiche Weise hergestellt, wie die Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A11) bis (A20), außer dass leitfähige Partikel [g] anstatt der leitfähigen Partikel [a] verwendet wurden. Nachstehend werden diese Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit als anisotrope Leitverbinder (G11) bis anisotroper Leitverbinder (G20) bezeichnet.
Die zu stützenden Teile und die Isolationsteile in den Funktionalteilen der elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit wurden bei jedem anisotropen Leitverbinder (G11) bis anisotroper Leitverbinder (G20) beobachtet. Im Ergebnis konnte bestätigt werden, dass die leitfähigen Partikel in den zu stützenden Teilen vorhanden sind und dass die leitfähigen Teile kaum in den Isolationsteilen der Funktionalteile vorhanden sind.
(Herstellen von Schaltungsplatine zur Prüfung für WLBI-Test)
Aluminiumdioxidkeramik (linearer thermischer Ausdehnungskoeffizient: 4,8 × 10^–6/°K) wurde als Basismaterial zur Herstellung einer Schaltungsplatine zur Prüfung verwendet, in der die Prüfungselektroden entsprechend einem Muster gebildet wurden, das wiederum dem Muster der Elektroden entspricht, die im Wafer W2 zum Test zu prüfen sind. Diese Schaltungsplatine zur Prüfung ist rechteckig mit Abmessungen von 30 cm × 30 cm insgesamt. Die Prüfungselektroden haben jeweils Abmessungen von 60 μm in Querrichtung und 200 μm in Vertikalrichtung. Diese Schaltungsplatine zur Prüfung wird nachstehend als "Prüfungsschaltungsplatine T1" bezeichnet.
(Herstellen von Schaltungsplatine zur Prüfung für Testerprüfung)
Ein glasfaserverstärkter Epoxydharz wurde als Basismaterial zum Herstellen einer Schaltungsplatine zur Prüfung verwendet, wobei die Prüfungselektroden entsprechend einem Muster gebildet wurden, das dem Muster zu prüfenden Elektroden im Wafer W4 für den Test entsprachen. Diese Schaltungsplatine zur Prüfung ist rechtwinklig mit Abmessungen von 16 cm × 16 cm insgesamt. Die Prüfungselektroden haben jeweils Abmessungen von 50 μm in Querrichtung und 100 μm in Vertikalrichtung. Diese Schaltungsplatine zur Prüfung wird nachstehend als "Prüfungsschaltungsplatine T2" bezeichnet.
(Herstellen von blattförmigen Verbinder für WLBI-Test)
Durch Laminieren einer Kupferschicht in einer Dicke von 15 μm auf einer Oberfläche eines Isolierblatts aus Polyimid mit einer Dicke von 20 μm wurde ein Laminatmaterial gewonnen, und 19650 Durchgangslöcher, die sich in Dickerichtung durch die Isolationsschicht mit einem Durchmesser von 30 μm erstreckten, wurden im Isolationsblatt des Laminatmaterials gemäß einem Muster gebildet, das dem Muster der zu prüfenden Elektroden im Wafer W2 zum Test entsprach, indem das Isolationsblatt der Laserbehandlung unterzogen wurde. Dieses Laminatmaterial wurde dann der photolithographischen und der galvanischen Behandlung mit Nickel unterzogen, wodurch Kurzschlußteile integral zur Kupferschicht in den Durchgangslöchern im Isolierblatt hergestellt wurden, und gleichzeitig wurden vorstehende vorderseitige Elektrodenteile integral mit den jeweiligen Kurzschlußteilen verbunden, die sich auf der Vorderoberfläche des Isolierblatts befinden. Der Durchmesser eines jeden der vorseitigen Elektrodenteile betrug 40 μm, und die Höhe der Oberfläche der Isolationsschicht betrug 20 μm. Danach wurde die Kupferschicht vom Laminatmaterial einer Photoätzbehandlung unterzogen, um einen Teil zu entfernen, wodurch rechteckige rückwärtige Elektrodenteile gebildet wurden, die jeweils Abmessungen von 60 μm × 210 μm hatten. Des Weiteren wurden die vorderseitigen Elektrodenteile und die rückwärtigen Elektrodenteile einer Galvanisierungsbehandlung mit Gold unterzogen, wodurch Elektrodenstrukturen gebildet wurden und ein blattförmiger Verbinder hergestellt wurde. Dieser blattförmige Verbinder wird nachstehend mit "blattförmiger Verbinder M1" bezeichnet.
(Herstellen von blattförmigem Verbinder für Testerprüfung)
Ein Laminatmaterial, hergestellt durch Laminieren einer Kupferschicht in einer Dicke von 15 μm auf eine Oberfläche eines Isolationsblatts, das aus Polyimid besteht und eine Dicke von 20 μm hat, wurde bereitgestellt, und 11250 Durchgangslöcher, die sich jeweils in Dickerichtung des Isolationsblatts erstrecken und einen Durchmesser von 30 μm haben, wurden im Isolationsblatt des Laminatmaterials gemäß einem Muster gebildet, das dem Muster der zu prüfenden Elektroden im Wafer W2 zum Test entspricht, indem das Isolationsblatt einer Laserbearbeitung unterzogen wurde. Dieses Materialmaterial wurde dann der Photolithographiebehandlung und der Galvanisierbehandlung mit Nickel unterzogen, wodurch integral mit der Kupferschicht verbundene Kurzschlußteile in den Durchgangslöchern des Isolationsblatts gebildet wurden, und gleichzeitig wurden projizierte Mantelflächenelektrodenteile, die integral mit jeweiligen Kurzschlußteilen verbunden waren, auf der vorderen Oberfläche des Isolationsblatts gebildet. Der Durchmesser eines jeden der Vorderoberflächenelektrodenteile betrug 40 μm, und die Höhe der Oberfläche des Isolationsblatts betrug 20 μm. Danach wurde die Kupferschicht des Laminatmaterials einer Photoätzbehandlung unterzogen, um einen Teil davon zu beseitigen, wodurch rechtwinklige rückwärtige Oberflächenelektrodenteile gebildet wurden, die jeweils Abmessungen von 20 μm × 60 μm hatten. Weiterhin wurden die vorderseitigen Oberflächenelektrodenteile und die rückwärtigen Oberflächenelektrodenteile einer Galvanisierbehandlung mit Gold unterzogen, wodurch Elektrodenstrukturen gebildet wurden, so dass ein blattförmiger Verbinder entstand. Dieser blattförmige Verbinder wird nachstehend als "blattförmiger Verbinder M2" bezeichnet.
(Test für Initialeigenschaften von Film mit anisotroper Leitfähigkeit)
(1) Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit zum WLBI-Test:
Die Initialeigenschaften von Filmen mit anisotroper Leitfähigkeit wurden für jeden der Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A1) bis (A10), Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (B1) bis (B10), Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (C1) bis (C10), Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (D1) bis (D10), Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (E1) bis (E10), Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (F1) bis (F10), Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (G1) bis (G10), Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (H1) bis (H10) auf die folgende Weise bestimmt.
Der Wafer W1 zum Test wurde auf den Testtisch gebracht, der mit einem elektrischen Heizelement ausgestattet ist, und ein Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit wurde auf diesem Wafer W1 zur Prüfung der Ausrichtung in der Weise untergebracht, dass die leitfähigen Teile des Verbinders sich an den jeweiligen zu prüfenden Elektroden vom Wafer W1 zum Test befinden. Die Prüfungsschaltungsplatine T1 wurde dann auf diesem Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit in einer solchen Weise ausgerichtet, dass die Prüfungselektroden sich auf den jeweiligen leitfähigen Teilen zur Verbindung des Verbinders mit anisotroper Leitfähigkeit befinden. Die Prüfungsschaltungsplatine T1 wurde nach unten unter der Last von 19,65 kg gedrückt (Lastbeaufschlagung auf alle leitfähigen Teile zur Verbindung: etwa 1 g im Durchschnitt). Der elektrische Widerstand zwischen zwei Prüfungselektroden, die elektrisch miteinander durch den Verbinder C1 mit anisotroper Leitfähigkeit verbunden sind, und dem Wafer W1 zum Test unter den 19650 Prüfungselektroden in der Prüfungsschaltungsplatine T1 wurden nacheinander bei Raumtemperatur (25 °C) gemessen, um den gemessenen Wert als ein R_1g-Wert des leitfähigen Teils zur Verbindung im Verbindermit anisotroper Leitfähigkeit, wodurch die Zahl leitfähiger Teile zur Verbindung gezählt wurde, deren R_1g kleiner als 1 Ω war, um ein Verhältnis der leitfähigen Teile zur Verbindung zu berechnen, deren R_1g kleiner als 1 Ω war.
Weiterhin wurde ein elektrischer Widerstand zwischen jedem der 19650 Prüfelektroden der Prüfungsschaltungsplatine T1 uns der Leitelektrode von Wafer W1 zum Test nacheinander auf die gleiche Weise wie vorstehend gemessen, außer dass die Last zum mit Druck beaufschlagen der Prüfungsschaltungsplatine T1 auf 117,9 kg geändert war (Belastung für jeden leitfähigen Teil der. Verbindung: etwa 6 g durchschnittlich), um den gemessenen Wert als ein R_6g-Wert des leitfähigen Teils zur Verbindung im Verbindermit anisotroper Leitfähigkeit, wodurch die Zahl leitfähiger Teile zur Verbindung gezählt wurde, deren R6_g kleiner als 0,1 Ω war, und die Zahl leitfähiger Teile zur Verbindung gezählt wurde, deren R6_g 0,5 Ω oder größer war, um ein Verhältnis der leitfähigen Teile zur Verbindung zu berechnen, deren R6_g kleiner als 0,1 Ω war, und um ein Verhältnis der leitfähigen Teile zur Verbindung zu berechnen, deren R6_g 0,5 Ω oder größer war, bei allen leitfähigen Teilen zur Verbindung.

Die Ergebnisse sind in den Tabellen 2 und 3 gezeigt. --- Tabelle 2 ---

	Verhältnis von leitfähigen Teilen, deren R1g kleiner als 1Ω ist (%)	Verhältnis von leitfähigen Teilen, deren R6g kleiner als 0,1Ω ist (%)	Verhältnis von leitfähigen Teilen, deren R6g 0,5Ω oder größer ist (%)
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A1)	100	100	0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A2)	100	100	0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A3)	100	100	0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A4)	99	100	0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A5)	100	100	0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A6)	100	100	0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A7)	98	100	0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A8)	100	100	0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A9)	100	100	0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A10)	100	100	0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (B1)	85	97	2,0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (B2)	94	97	0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (B3)	91	94	0,5
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (B4)	94	97	0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (B5)	91	92	0,8
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (B6)	92	93	0,6
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (B7)	87	96	0,02
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (B8)	93	94	0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (B9)	95	96	0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (B10)	95	98	0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (C1)	43	84	0,5
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (C2)	39	76	0,8
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (C3)	68	96	0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (C4)	54	84	0,4
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (C5)	65	81	0,8
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (C6)	61	95	0,03
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (C7)	67	91	1,5
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (C8)	51	85	2,1
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (C9)	63	89	0,8
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (C10)	49	76	0,7
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (D1)	41	76	2,4
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (D2)	42	83	0,8
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (D3)	43	89	1,7
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (D4)	41	85	2,2
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (D5)	46	73	6,2
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (D6)	42	90	4,8
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (D7)	41	90	0,5
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (D8)	47	68	6,1
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (D9)	43	89	2,5
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (D10)	41	76	2,3

--- Tabelle 3 ---

	Verhältnis von leitfähigen Teilen, deren R1g kleiner als 1Ω ist (%)	Verhältnis von leitfähigen Teilen, deren R6g kleiner als 0,1Ω ist (%)	Verhältnis von leitfähigen Teilen, deren R6g 0,5Ω oder größer ist (%)
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (E1)	19	65	18
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (E2)	16	55	20
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (E3)	19	62	19
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (E4)	18	59	17
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (E5)	20	67	15
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (E6)	17	62	21
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (E7)	15	51	23
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (E8)	18	60	16
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (E9)	11	45	27
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (E10)	17	58	24
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (F1)	35	80	5,5
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (F2)	31	74	8,5
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (F3)	30	70	11
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (F4)	32	76	3,6
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (F5)	34	82	4,2
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (F6)	31	79	4,0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (F7)	33	81	5,5
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (F8)	33	78	6,5
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (F9)	35	77	6,1
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (F10)	30	68	2,6
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (G1)	97	100	0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (G2)	96	94	0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (G3)	94	98	0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (G4)	88	89	1,1
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (G5)	89	87	0,5
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (G6)	89	95	0,01
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (G7)	88	96	0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (G8)	91	88	0,1
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (G9)	87	79	0,6
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (G10)	91	92	0,03
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (H1)	91	92	0,2
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (H2)	89	90	0,5
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (H3)	88	96	0,04
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (H4)	87	92	1,5
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (H5)	92	89	3,5
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (H6)	91	90	2,2
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (H7)	91	93	0,03
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (H8)	83	89	3,7
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (H9)	81	86	2,2
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (H10)	82	87	2,5

(1) Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit zum Prüfer-Test:
Die Initialeigenschaften von Filmen mit anisotroper Leitfähigkeit wurden für jeden der Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A11) bis (A20), Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (D11) bis (D20), Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (E11) bis (E20), Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (G11) bis (G20) auf die folgende Weise bestimmt.
Der Wafer W3 zum Test wurde auf den Testtisch gebracht, der mit einem elektrischen Heizelement ausgestattet ist, und ein Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit wurde auf diesem Wafer W3 zur Prüfung der Ausrichtung in der Weise untergebracht, dass die leitfähigen Teile des Verbinders sich an den jeweiligen zu prüfenden Elektroden vom Wafer W3 zum Test befinden. Die Prüfungsschaltungsplatine T2 wurde dann auf diesem Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit in einer solchen Weise ausgerichtet, dass die Prüfungselektroden sich auf den jeweiligen leitfähigen Teilen zur Verbindung des Verbinders mit anisotroper Leitfähigkeit befinden. Die Prüfungsschaltungsplatine T2 wurde nach unten unter der Last von 11,25 kg gedrückt (Lastbeaufschlagung auf alle leitfähigen Teile zur Verbindung: etwa 1 g im Durchschnitt). Der elektrische Widerstand zwischen zwei Prüfungselektroden, die elektrisch miteinander durch den Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit verbunden sind, und dem Wafer W3 zum Test unter den 11250 Prüfungselektroden in der Prüfungsschaltungsplatine T2 wurden nacheinander bei Raumtemperatur (25 °C) gemessen, um den gemessenen Wert als ein R_1g-Wert des leitfähigen Teils zur Verbindung im Verbindermit anisotroper Leitfähigkeit, wodurch die Zahl leitfähiger Teile zur Verbindung gezählt wurde, deren R_1g kleiner als 1 Ω war, um ein Verhältnis der leitfähigen Teile zur Verbindung zu berechnen, deren R_1g kleiner als 1 Ω war.
Weiterhin wurde ein elektrischer Widerstand zwischen jedem der 11250 Prüfelektroden der Prüfungsschaltungsplatine T2 uns der Leitelektrode von Wafer W3 zum Test nacheinander auf die gleiche Weise wie vorstehend gemessen, außer dass die Last zum mit Druck beaufschlagen der Prüfungsschaltungsplatine T2 auf 67,5 kg geändert war (Belastung für jeden leitfähigen Teil der Verbindung: etwa 6 g durchschnittlich), um den gemessenen Wert als ein R_6g-Wert des leitfähigen Teils zur Verbindung im Verbindermit anisotroper Leitfähigkeit, wodurch die Zahl leitfähiger Teile zur Verbindung gezählt wurde, deren R6_g kleiner als 0,1 Ω war, und die Zahl leitfähiger Teile zur Verbindung gezählt wurde, deren R6_g 0,5 Ω oder größer war, um ein Verhältnis der leitfähigen Teile zur Verbindung zu berechnen, deren R6_g kleiner als 0,1 Ω war, und um ein Verhältnis der leitfähigen Teile zur Verbindung zu berechnen, deren R6_g 0,5 Ω oder größer war, bei allen leitfähigen Teilen zur Verbindung.

Die Ergebnisse sind in der Tabelle 4 gezeigt. --- Tabelle 4 ---

	Verhältnis von leitfähigen Teilen, deren R1g kleiner als 1Ω ist (%)	Verhältnis von leitfähigen Teilen, deren R6g kleiner als 0,1Ω ist (%)	Verhältnis von leitfähigen Teilen, deren R6g 0,5Ω oder größer ist (%)
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A11)	100	100	0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A12)	99	100	0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A13)	100	100	0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A14)	100	100	0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A15)	100	100	0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A16)	100	100	0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A17)	100	100	0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A18)	99	100	0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A19)	100	100	0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (A20)	99	100	0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (D11)	53	83	1,3
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (D12)	48	85	2,1
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (D13)	47	86	1,6
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (D14)	51	90	1,8
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (D15)	49	88	1,5
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (D16)	58	93	3,2
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (D17)	55	87	1,8
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (D18)	56	86	2,3
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (D19)	52	92	1,6
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (D20)	53	90	1,9
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (E11)	32	64	1,3
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (E12)	27	68	1,8
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (E13)	28	71	2,1
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (E14)	25	66	1,8
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (E15)	29	65	1,6
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (E16)	32	68	1,9
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (E17)	25	73	1,8
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (E18)	24	64	2,0
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (E19)	33	68	1,8
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (E20)	29	65	2,1
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (G11)	97	96	0,1
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (G12)	99	95	0,3
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (G13)	96	97	0,5
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (G14)	100	98	0,1
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (G15)	94	93	0,3
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (G16)	96	98	0,2
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (G17)	98	95	0,4
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (G18)	96	96	0,6
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (G19)	93	94	1,1
Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit (G20)	96	91	0,8

(1) Test 1:
Eine Haltbarkeitsprüfung wurde in einer Hochtemperaturumgebung an den in der folgenden Tabelle 5 gezeigen Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit auf die folgende Weise durchgeführt.
Der Wafer W2 zum Test wurde auf einem Testtisch angeordnet, der mit einem elektrischen Heizelement ausgestattet ist, und ein Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit wurden auf diesen Wafer W2 zum Test in der Weise in Ausrichtung gebracht, dass die leitfähigen Teile zur Verbindung sich auf den jeweiligen zu prüfenden Elektroden auf dem Wafer W2 zum Test befinden. Die Prüfungsschaltungsplatine T1 wurde dann auf diesem Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit in einer solchen Ausrichtung angeordnet, dass dessen Prüfungselektroden sich auf den jeweiligen leitfähigen Teilen zur Verbindung des Verbinders mit anisotroper Leitfähigkeit befanden. Des Weiteren wurden die Prüfungsschaltungsplatine T1 unter einer Last von 158 kg nach unten gedrückt (Last auf jedes leitfähige Teil zur Verbindung: etwa 8 g durchschnittlich). Der Testtisch wurde dann auf 125°C erhitzt. Nachdem die Temperatur des Testtisches stabil wurde, wurde ein elektrischer Widerstand zwischen zwei durch einen Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit elektrisch verbundenen Prüfelektroden und dem Wafer W2 zum Test unter den 19650 Prüfelektroden auf der Prüfungsschaltplatine T1 nacheinender gemessen, um eine Hälfte der gemessenen elektrischen Widerstandswerte als einen elektrischen Widerstand (nachstehend als „Leitungswiderstand" bezeichnet) des leitfähigen Teils zum Verbinden in dem Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit aufzuzeichnen, wodurch die Anzahl von leitfähigen Teilen zur Verbindung im Verbinder, dass der Leitungswiderstand 1 Ω oder mehr betrug, gezählt. Danach wurde der Testtisch für eine Stunde in diesem Zustand stehengelassen, und dann auf Raumtemperatur abgekühlt. Anschließend wurde der Druck gegen die Prüfungsschaltplatine gelöst.
Der oben beschriebene Prozess wurde als ein Zyklus angesehen, und der Zyklus wurde stetig insgesamt 500 Mal wiederholt.
Im oben beschriebenen Test sind jene mit einem Leitungswiderstand der leitfähigen Teile zur Verbindung von 1 Ω oder mehr schwierig aktuell bei der elektrischen Prüfung der integrierten Schaltungen zu verwenden, die auf einem Wafer gebildet sind.
Die Ergebnisse sind in der folgenden Tabelle 5 gezeigt. In der folgenden Tabelle 5 weisen die als Beispiele bezeichneten Verbinde mit anisotroper Leitfähigkeit Initialeigenschaften auf, dass die Anzahl von leitenden Teilen zum Verbinden, deren Wert von R_1g kleiner als 1Ω ist, mindestens 90% der Anzahl der leitender Teile zum Verbinden beträgt, dass die Anzahl der leitenden Teile zum Verbinden, deren Wert von ein Wert von R_6g kleiner als 0,1Ω ist, kleiner als 95% der Gesamtanzahl der leitender Teile zum Verbinden beträgt, und dass der Wert, dass R_6g mindestens 0,5Ω oder mehr beträgt, 0% der Gesamtanzahl der leitender Teile zum Verbinden beträgt.
(2) Test 2:
Eine Haltbarkeitsprüfung wurde in einer Hochtemperaturumgebung an den in der folgenden Tabelle 6 gezeigen Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit auf die folgende Weise durchgeführt.
Der Wafer W2 zum Test wurde auf einem Testtisch angeordnet, der mit einem elektrischen Heizelement ausgestattet ist, und ein blattähnlicher Verbinder M1 wurde auf diesen Wafer W2 zum Test in der Weise in Ausrichtung gebracht, dass die Front-Oberflächenteile davon sich auf den jeweiligen zu prüfenden Elektroden auf dem Wafer zum Test befinden, der Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit wurde an dem blattähnlichen Verbinder M1 angeordnet in einer solchen Ausrichtung angeordnet, dass jede der leitfähigen Teile zur Verbindung davon auf den Rückseiten-Oberflächelektrodenteilen in dem blattähnlichen Verbinder M1 platziert sind, und die Prüfungsschaltungsplatine T1 wurde unter einer Last von 158 kg nach unten gedrückt (Last auf jedes leitfähige Teil zur Verbindung: etwa 8 g durchschnittlich). Der Testtisch wurde dann auf 125°C erhitzt. Nachdem die Temperatur des Testtisches stabil wurde, wurde ein elektrischer Widerstand zwischen zwei durch einen Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit elektrisch verbundenen Prüfelektroden und dem Wafer W2 zum Test unter den 19650 Prüfelektroden auf der Prüfungsschaltplatine T1 nacheinender gemessen, um eine Hälfte der gemessenen elektrischen Widerstandswerte als einen elektrischen Widerstand (nachstehend als „Leitungswiderstand" bezeichnet) des leitfähigen Teils zum Verbinden in dem Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit aufzuzeichnen, wodurch die Anzahl von leitfähigen Teilen zur Verbindung im Verbinder, dass der Leitungswiderstand 1 Ω oder mehr betrug, gezählt. Danach wurde der Testtisch für eine Stunde in diesem Zustand stehengelassen, und dann auf Raumtemperatur abgekühlt. Anschließend wurde der Druck gegen die Prüfungsschaltplatine gelöst.
Der oben beschriebene Prozess wurde als ein Zyklus angesehen, und der Zyklus wurde stetig insgesamt 500 Mal wiederholt.
Im oben beschriebenen Test sind jene mit einem Leitungswiderstand der leitfähigen Teile zur Verbindung von 1 Ω oder mehr schwierig aktuell bei der elektrischen Prüfung der integrierten Schaltungen zu verwenden, die auf einem Wafer gebildet sind.
Die Ergebnisse sind in der folgenden Tabelle 6 gezeigt. In der folgenden Tabelle 6 weisen die als Beispiele bezeichneten Verbinde mit anisotroper Leitfähigkeit Initialeigenschaften auf, dass die Anzahl von leitenden Teilen zum Verbinden, deren Wert von R_1g kleiner als 1Ω ist, mindestens 90% der Anzahl der leitender Teile zum Verbinden beträgt, dass die Anzahl der leitenden Teile zum Verbinden, deren Wert von ein Wert von R_6g kleiner als 0,1Ω ist, kleiner als 95% der Gesamtanzahl der leitender Teile zum Verbinden beträgt, und dass der Wert, dass R₆g mindestens 0,5Ω oder mehr beträgt, 0% der Gesamtanzahl der leitender Teile zum Verbinden beträgt. --- Tabelle 5 ---
--- Tabelle 6 ---
(3) Überlegung:
Wie es aus den in den Tabellen 5 und 6 gezeigten Ergebnissen ersichtlich wird, wurde bestätigt, dass gemäß den Verbindern mit anisotroper Leitfähigkeit in den Beispielen eine gute Leitfähigkeit in den leitfähigen Teilen zum Verbinden erzielt werden kann, auch wenn der Regelabstand der leitfähigen Teile zum Verbinden klein ist, ein guter elektrisch verbundener Zustand stabil auch bei Umweltänderungen, wie etwa eine Temperaturhysterese durch eine Temperaturänderung beibehalten werden kann, und weiterhin eine gute Leitfähigkeit über eine lange Zeitperiode beibehalten werden kann, auch wenn diese wiederholt unter einem Hochtemperaturumfeld verwendet werden.
Es wurde ebenfalls bestätigt, dass gemäß den Verbindern mit anisotroper Leitfähigkeit in den Beispielen eine elektrische Verbindung an alle zu prüfenden Elektroden auch bei niedriger Druckkraft erreicht werden kann, auch wenn ein Vorgang zur elektrischen Verbindung zu einem Wafer mit einer großen Anzahl von zu prüfenden Elektroden durch einen blattähnlichen Verbinder durchgeführt wird, und so die Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit eine hohe Niveau-Differenzabsorbierfähigkeit aufweisen.
(1) Test 3
Eine Haltbarkeitsprüfung wurde an den in der folgenden Tabelle 7 gezeigen Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit auf die folgende Weise durchgeführt.
Der Wafer W4 zum Test wurde auf einem Testtisch angeordnet, der mit einem elektrischen Heizelement ausgestattet ist, und ein Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit wurden auf diesen Wafer W4 zum Test in der Weise in Ausrichtung gebracht, dass die leitfähigen Teile zur Verbindung sich auf den jeweiligen zu prüfenden Elektroden auf dem Wafer W4 zum Test befinden. Die Prüfungsschaltungsplatine T2 wurde dann auf diesem Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit in einer solchen Ausrichtung angeordnet, dass dessen Prüfungselektroden sich auf den jeweiligen leitfähigen Teilen zur Verbindung des Verbinders mit anisotroper Leitfähigkeit befanden. Des Weiteren wurden die Prüfungsschaltungsplatine T2 unter einer Last von 90 kg nach unten gedrückt (Last auf jedes leitfähige Teil zur Verbindung: etwa 8 g durchschnittlich). Ein Leitungswiderstand der leitfähigen Teile zur Verbindung im Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit bei Raumtemperatur (25 °C) zum Zählen der Anzahl leitfähiger Teile zur Verbindung wurde gemessen, so dass der Leitungswiderstand 1 Ω oder mehr betrug. Der oben beschriebene Prozeß wird als "Prozeß (i)" bezeichnet.
Nachdem der Testtisch dann auf 85 °C erwärmt war und für eine Minute in einem Zustand gehalten wurde, dass die Prüfungsschaltungsplatine T2 unter Druck gesetzt war, wurde der Leitungswiderstand der leitfähigen Teile zur Verbindung im Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit gemessen, um die Anzahl leitfähiger Teile zur Verbindung zu zählen, so dass der Leitungswiderstand 1 Ω oder mehr betrug. Der Druck gegen die Schaltungsplatine zur Prüfung wurde dann aufgehoben. Danach wurde der Testtisch auf Raumtemperatur abgekühlt. Der oben beschriebene Prozeß wird als "Prozeß (ii)" bezeichnet.
Die oben beschriebenen Prozesse (i) und (ii) wurden als ein Zyklus angesehen, und der Zyklus wurde stetig insgesamt 500 Mal wiederholt.
Im oben beschriebenen Test sind jene mit einem Leitungswiderstand der leitfähigen Teile zur Verbindung von 1 Ω oder mehr schwierig aktuell bei der elektrischen Prüfung der integrierten Schaltungen zu verwenden, die auf einem Wafer gebildet sind.
Die Zahl von leitfähigen Teilen zur Verbindung, deren Leitungswiderstand bei 85°C 1Ω oder größer war ist in der folgenden Tabelle 7 dargestellt. Die Ergebnisse sind in der folgenden Tabelle 5 gezeigt. In der folgenden Tabelle 7 weisen die als Beispiele bezeichneten Verbinde mit anisotroper Leitfähigkeit Initialeigenschaften auf, dass die Anzahl von leitenden Teilen zum Verbinden, deren Wert von R_1g kleiner als 1Ω ist, mindestens 90% der Anzahl der leitender Teile zum Verbinden beträgt, dass die Anzahl der leitenden Teile zum Verbinden, deren Wert von ein Wert von R₆g kleiner als 0,1Ω ist, kleiner als 95% der Gesamtanzahl der leitender Teile zum Verbinden beträgt, und dass der Wert, dass R₆g mindestens 0,5Ω oder mehr beträgt, 0% der Gesamtanzahl der leitender Teile zum Verbinden beträgt. --- Tabelle 7 ---
(3) Überlegung:
Wie es aus den in der Tabelle 7 gezeigten Ergebnissen ersichtlich wird, wurde bestätigt, dass gemäß den Verbindern mit anisotroper Leitfähigkeit in den Beispielen eine gute Leitfähigkeit in den leitfähigen Teilen zum Verbinden erzielt werden kann, auch wenn der Regelabstand der leitfähigen Teile zum Verbinden klein ist, ein guter elektrisch verbundener Zustand stabil auch bei Umweltänderungen, wie etwa eine Temperaturhysterese durch eine Temperaturänderung beibehalten werden kann, und weiterhin eine gute Leitfähigkeit über eine lange Zeitperiode beibehalten werden kann, auch wenn diese wiederholt unter einem Hochtemperaturumfeld verwendet werden.
Es wurde ebenfalls bestätigt, dass gemäß den Verbindern mit anisotroper Leitfähigkeit in den Beispielen eine elektrische Verbindung an alle zu prüfenden Elektroden auch bei niedriger Druckkraft erreicht werden kann, auch wenn ein Vorgang zur elektrischen Verbindung zu einem Wafer mit einer großen Anzahl von zu prüfenden Elektroden durch einen blattähnlichen Verbinder durchgeführt wird, und so die Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit eine hohe Niveau-Differenzabsorbierfähigkeit aufweisen.
WIRKUNGEN DER ERFINDUNG
Gemäß dem Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit nach der vorliegenden Erfindung weist der elastische Film mit anisotroper Leitfähigkeit die spezifischen Initialeingenschaften auf, so dass die leitenden Teile zum Verbinden davor bewahrt werden, den elektrischen Widerstand davon merklich zu erhöhen, und die notwendige Leitfähigkeit kann über eine lange Zeitperiode beibehalten werden, auch wenn dieser über viele Male wiederholt verwendet wird, oder auch wenn dieser wiederholt unter Hochtemperaturbedingungen verwendet wird.
Gemäß dem Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit zur Waferprüfung nach der vorliegenden Erfindung ist das zu stützende Teil an der peripheren Kante des Funktionsteils mit den leitfähigen Teilen zur Verbindung in jedem der elastischen Filmen mit anisotroper Leitfähigkeit gebildet, so dass es schwierig ist, bei den verbindern mit anisotroper Leitfähigkeit eine Verformung herbeizuführen, und eine einfache Handhabung ermöglicht, und das Positionieren und Halten und Fixieren des Wafers, der ein Gegenastand der Prüfung ist, leicht in einer elektrischen Verbindungsoperation mit dem Wafer erfolgen kann.
Da die filmanordnenden Löcher mit anisotroper Leitfähigkeit in der Rahmenplatte entsprechend den Elektrodenregionen, in denen sich die zu prüfenden Elektroden befinden, auf den integrierten Schaltungen vorhanden sind, die auf einem Wafer gebildet sind, der Gegenstand der Prüfung ist, und da der elastische Film mit anisotroper Leitfähigkeit, der in jedem der filmanordnenden Löcher mit anisotroper Leitfähigkeit in der Rahmenplatte vorgesehen ist, kleinflächig sein kann, können die individuellen elastischen Filme mit anisotroper Leitfähigkeit leicht hergestellt werden. Da darüber hinaus der elastische Film mit anisotroper Leitfähigkeit kleinflächig ist und in der absoluten thermischen Ausdehnung in Ebenenrichtung des elastischen Films mit anisotroper Leitfähigkeit gering ist, selbst wenn er der thermischen Hysterese unterzogen wird, wird die thermische Ausdehnung des elastischen Films mit anisotroper Leitfähigkeit in Ebenenrichtung sicher von der Rahmenplatte zurückgehalten, in dem ein Material verwendet wird, das einen geringen linearen thermischen Ausdehnungskoeffizienten hat, wie derjenige beim Bilden der Rahmenplatte. Folglich kann ein guter elektrischer Verbindungszustand stabil beibehalten werden, selbst wenn der WLBI-Test bezüglich eines großflächigen Wafers ausgeführt wird.
Entsprechend den Prüfgliedern der vorliegenden Erfindung läßt sich das Positionieren, Halten und Fixieren zum Wafer, der Gegenstand der Prüfung ist, mit Leichtigkeit in einer elektrischen Verbindungsoperation zum Wafer durchführen, und die erforderliche Leitfähigkeit kann beibehalten werden, selbst wenn eine häufig wiederholte Verwendung vorliegt.
Gemäß dem Waferprüfungsgerät und dem Waferprüfungsverfahren nach der vorliegenden Erfindung, wird die elektrische Verbindung für die zu prüfenden Elektroden eines Wafers, der Gegenstand der Prüfung ist, durch ein Prüfglied erreicht, so dass das Positionieren, Halten und Fixieren am Wafer leicht durchführbar ist, selbst wenn der Regelabstand der zu prüfenden Elektroden klein ist. Darüber hinaus kann die erforderliche elektrische Prüfung in stabiler Weise über eine lange Zeitdauer ausgeführt werden, selbst wenn das Gerät häufig oder wiederholt in einem Test in einem Hochtemperaturklima verwendet wird.
Gemäß dem Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit ist eine Differenz einer herausragenden Höhe zwischen den jeweiligen leitenden Teilen zu Verbinden klein, die Niveau-Differenz-Absorbierfähigkeit hoch, und eine elektrische Verbindung zu allen zu prüfenden Elektroden in einem Wafer, der ein Gegenstand der Prüfung ist, wird durch eine kleine Druckkraft erreicht.
Gemäß den Prüfgliedern und dem Waferprüfunsgerät, das durch Verwenden des Verbinders mit anisotroper Leitfähigkeit gebildet ist, der eine hohe Niveau-Differenz-Absorbierfähigkeit aufweist, kann eine elektrische Verbindung an alle zu prüfenden Elektroden durch eine kleine Druckkraft bei der Prüfung eines Wafers mit einem großen Flächendurchmesser von 8 Zoll oder größer und mit mindestens 5000 zu prüfenden Elektroden erreicht werden.

1: Prüfglied
2: Verbinder mit anisotroper Leitfähigkeit
3: überdruckkapselnde Platte
4: Waferbefestigungstisch
5: Heizelement
6: Wafer
7: zu prüfende Elektroden
10: Rahmenplatte
11: filmanordnende Löcher mit anisotroper Leitfähigkeit
15: Luftzirkulationslöcher
16: Positionierungslöcher
20: elastische Filme mit anisotroper Leitfähigkeit
20A: Gußmaterialschichten
21: Funktionsteile
22: leitende Teile zur Verbindung
23: Isolationsteil
24: projizierte Teile
25: zu stützende Teile
26: leitende Teile, nicht zur Verbindung
27: projizierte Teile
30: Schaltungsplatine zur Prüfung
31: Prüfungselektroden
40: blattförmiger Verbinder
41: Isolationsblatt
42: Elektrodenstrukturen
43: vordere Oberfläche der Elektrodenteile
44: hintere Oberfläche der Elektrodenteile
45: Kurzschlußteile
50: Kammer
51: Evakuierungsstutzen
55: O-Ringe
60: Gußform
61: Oberdruckpreßform
62: Basisplatte
63: Schichten ferromagnetischer Substanz
64: Schichten nichtmagnetischer Substanz
64a: Vertiefungsteile
65: Unterdruckpreßform
66: Basisplatte
67: Schichten ferromagnetischer Substanz
68: Schichten nichtmagnetischer Substanz
68a, 69a: Vertiefungsteile
69b: Abstandshalter
71: Zelle
72: Seitenwandmaterial
73: Deckelmaterial
73H: Durchgangsloch
74: Magnet
75: Elektrodenteil
76: Ohmmeter
80: Oberdruckpreßform
81: Schichten ferromagnetischer Substanz
82: Schichten nichtmagnetischer Substanz
85: Unterdruckpreßform
86: Schichten ferromagnetischer Substanz
87: Schichten nichtmagnetischer Substanz
90: Rahmenplatte
91: Öffnung
95: Gußmaterialschicht
P: leitfähige Partikel

Claims

Verbinder (2) mit anisotroper Leitfähigkeit zum elektrischen Anschließen einer Prüfschaltungsplatine (30) an einen testausgesetzten Wafer (6) durch Plazieren desselben auf der Oberfläche der Prüfschaltungsplatine zum Durchführen einer elektrischen Prüfung einer jeden aus einer Vielzahl auf dem testausgesetzten Wafer (6) gebildeter integrierter Schaltungen, gekennzeichnet durch: eine Rahmenplatte (10), in der sich eine Vielzahl von Löchern (11) jeweils in Dickerichtung der Rahmenplatte (10) erstrecken, die entsprechend Regionen gebildet sind, in denen zu prüfende Elektroden (7) angeordnet worden sind, wobei die Regionen allen oder einem Teil der auf dem testausgesetzten Wafer (6) gebildeten integrierten Schaltungen entsprechen, und eine Vielzahl elastischer dünner Schichten (20) mit anisotroper Leitfähigkeit, die in den Löchern (11) vorgesehen sind, die jeweils von einer Wandungskante des Loches (11) gestützt sind, wobei jede der elastischen dünnen Schichten (20) mit anisotroper Leitfähigkeit zusammengesetzt ist aus einem Funktionsteil (21) mit einer Vielzahl von leitfähigen Verbindungssteilen (22), die entsprechend den zu prüfenden Elektroden (7), die auf dem testausgesetzen Wafer (6) gebildet sind, angeordnet sind, und Leitpartikel (P) enthält, die Magnetismus mit einer hohen Dichte zeigen, sich in Dickerichtung der dünnen Schicht (20) erstrecken, und einem Isolierteil (23), das die leitfähigen Verbindungsteile (22) gegenseitig isoliert, und einem zu stützenden Teil (25), das integral an einer peripheren Kante des Funktionsteils (21) gebildet ist, und an die periphere Kante des Loches (11) in der Rahmenplatte (10) fixiert ist, und wobei die elastische dünne Schicht solche Anfangsbedingungen aufweist, dass unter der Annahme, dass die Gesamtanzahl der leitfähigen Verbindungsteile (22) Y beträgt, ein elektrischer Widerstand des leitfähigen Verbindungsteils (22) in einem Zustand, in dem eine Last von Y × 1g an der Schicht (20) angelegt wird, in einer Dickerichtung davon R_1g beträgt, und ein elektrischer Widerstand des leitfähigen Verbindungsteils (22) in einem Zustand, in dem eine Last von Y × 6g an der Schicht (20) angelegt wird, in einer Dickerichtung davon R₆g beträgt, beträgt die Anzahl von leitfähigen Verbindungsteilen (22), die einen Wert aufweisen, der um R_1g kleiner als 1Ω ist, mindestens 90% der Gesamtanzahl der leitfähigen Verbindungsteile (22), die Anzahl von leitfähigen Verbindungsteilen (22), die einen Wert aufweisen, der um R₆g kleiner als 0,1Ω ist, mindestens 95% der Gesamtanzahl der leitfähigen Verbindungsteile (22), und die Anzahl von leitfähigen Verbindungsteilen (22), die einen Wert aufweisen, der um R₆g kleiner als 0,5Ω ist, höchstens 1% der Gesamtanzahl der leitfähigen Verbindungsteile (22).
Verbinder (2) mit anisotroper Leitfähigkeit nach Anspruch 1, bei dem der Koeffizient der linearen thermischen Ausdehnung der Rahmenplatte (10) höchstens 3 × 10^–5/K beträgt.
Testglied (1) zur Verwendung beim Durchführen der elektrischen Prüfung einer jeden der Vielzahl integrierter Schaltungen auf einem testausgesetzten Wafer (6), gekennzeichnet durch: eine Prüfschaltungsplatine (30) auf der Oberfläche, deren Prüfelektroden (31) entsprechend einem Muster gemäß dem Muster der Elektroden (7) gebildet sind, die von den auf dem testausgesetzten Wafer (6) gebildeten integrierten Schaltungen zu prüfen sind, und durch den Verbinder (2) mit anisotroper Leitfähigkeit nach den Ansprüchen 1 oder 2, der auf der Oberfläche der Prüfschaltungsplatine (30) angeordnet ist.
Testglied (1) nach Anspruch 3, bei dem der Koeffizient der linearen thermischen Ausdehnung der Rahmenplatte (10) im Verbinder (2) mit anisotroper Leitfähigkeit höchstens 3 × 10^–5/K beträgt und der Koeffizient der linearen thermischen Ausdehnung eines Basismaterials, aus dem die Prüfschaltungsplatine (30) besteht, höchstens 3 × 10^–5/K beträgt.
Testglied (1) nach Anspruch 3 oder 4, bei dem ein auf dem Verbinder (2) mit anisotroper Leitfähigkeit angeordneter plattenförmiger Verbinder (40) aus einer Isolierplatte (41) und einer Vielzahl von Elektrodenstrukturen (42), die sich jeweils in Dickerichtung durch die Isolierplatte (41) erstrecken und in einem Muster angeordnet sind, das dem Muster der zu prüfenden Elektroden (7) entspricht.
Waferprüfgerät zum Durchführen einer elektrischen Prüfung einer jeden der Vielzahl von auf einem testausgesetzten Wafer (6) gebildeten integrierten Schaltungen, mit dem Testglied (1) nach einem der Ansprüche 3 bis 5, wobei das Testglied (1) die elektrische Verbindung mit den integrierten Schaltungen schafft, die auf dem testausgesetzten Wafer (6) gebildet sind.
Waferprüfverfahren mit elektrischer Verbindung einer jeden der Vielzahl integrierter Schaltungen, die in einem testausgesetzten Wafer (6) gebildet sind, zu einer Testeinrichtung über das Testglied (1) nach einem der Ansprüche 3 bis 5 zum Ausführen der elektrischen Prüfung der integrierten Schaltungen, die auf dem testausgesetzten Wafer (6) gebildet sind.