DE60308946T2 - Polierkissen und Verfahren zur Herstellung eines Polierkissens - Google Patents

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Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Polierkissen gemäß dem Oberbegriff des Anspruch 1. Ein Beispiel eines derartigen Polierkissens wird in EP 0878270 beschrieben. Detaillierter bezieht sich die Erfindung auf ein Polierkissen und ein vielschichtiges Polierkissen, dass eine Rille, die eine spezielle Form auf der Seite der Polieroberfläche aufweist, oder einen konkaven Teil aufweist, der eine spezielle Form aufweist, die sich zu der Seite der Polieroberfläche öffnet. Das Polierkissen und das vielschichtige Polierkissen der Erfindung können vielfältig bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen verwendet werden und werden besonders bevorzugt beim chemisch mechanischen Polieren und ähnlichem einer Oberfläche eines Materials verwendet, das wie ein Wafer poliert werden soll. Die vorliegende Erfindung bezieht sich des Weiteren auf ein Verfahren zur Herstellung eines Polierkissen nach den Oberbegriffen der Ansprüche 10 und 11.
  • Beschreibung des Standes der Technik
  • Kürzlich erregte ein chemisch mechanisches Polieren (CMP) als Polierverfahren die Aufmerksamkeit, dass es erlaubt eine Oberfläche auszubilden, die eine ausgezeichnete Planheit aufweist. Bei dem CMP mit einem Polierkissen und einer Oberfläche, die poliert werden soll, aus einem Material das gleitend poliert werden soll, wird ein Slurry, der eine wäßrige Dispersion ist, in dem Schleifmittel dispergiert ist, von oben auf die Oberfläche des Polierkissen gegossen und dadurch wird ein Polieren durchzuführen. Bei dem CMP ist es bekannt, dass ein Polierergebnis sehr in Abhängigkeit von dem Zustand und den Eigenschaften des Polierkissens beeinflußt wird.
  • Die Technik bei der die Abtragrate und ein Polierergebnis verbessert werden kann, indem eine Rille auf der Oberfläche des Polierkissens angeordnet wird, wie in JP-A H11-70463, H08-216029 und H08-39423 offenbart. Selbst, wenn die Technik verwendet wird, können jedoch in einigen Fällen Kratzer nicht ausreichend verhindert werden, dass sie auf einer polierten Oberfläche auf einem Material, das poliert werden soll, gebildet werden.
  • Des Weiteren wird ein Polierkissen, dass Poren auf einer polierten Oberfläche auf dem Polierkissen bilden kann, ohne einen geschäumten Körper zu verwenden, in JP-W Nr. 8-500622, JP-A 2000-34416, 2000-33552 und 2001-334455 offenbart. Selbst, wenn diese Techniken verwendet werden, kann jedoch in einigen Fällen unterdrückt werden, dass Poren durch Schleifmittel und Polierabfälle während des Polierens verstopft werden oder es kann nicht unterdrückt werden, dass Poren nach dem Putzen verstopft werden und dadurch kann die Abtragrate nicht ausreichend verbessert werden. Weiter kann in einigen Fällen der Slurry nicht ausreichend einheitlich auf dem Polierkissen verteilt werden; demgemäß kann die Abtragrate nicht ausreichend verbessert werden und eine ausreichend einheitlich polierte Oberfläche kann nicht erhalten werden.
  • WO 01 91971 beschreibt Polierkissen für die chemisch mechanische Planmachung, die eine Rauheit der Oberfläche von ungefähr 1 bis ungefähr 9 μm und geeignete mechanische Eigenschaften aufweist, wobei einige der Kissen eine gerillte Makrotextur aufweisen, um den Transport des Slurry zu erleichtern.
  • WO 01 45 899 beschreibt ein Polierkissen und ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Polieren, wobei das Polierkissen charakterisiert ist durch einen Mechanismus zur Zufuhr von Wasser auf die ebene Fläche des Polierkissens. Der Mechanismus weist eine Domänstruktur auf und reduziert dadurch die Entstehung von Kratzern und die Anhaftung von Staub.
  • EP A 0878270 beschreibt ein Polierkissen, das ein gerilltes Muster aufweist, das bei einer chemisch mechanischen Vorrichtung zum Polieren verwendet wird, wobei das Polierkissen eine Vielzahl von konzentrischen kreisförmigen Rillen von unterschiedlicher Breite und Durchfeuchtung einschließt.
  • EP-A-1164559 beschreibt eine Anordnung für ein Polierkissen und ein Polierkissen, das dieselbe verwendet, wobei das Polierkissen eine ausgezeichnete Eigenschaft der Zurückhaltung des Slurrys und eine große Rate der Abtragung aufweist.
  • US-A-6022268 beschreibt Polierkissen und Verfahren, die sich darauf beziehen, wobei die Kissen ein hydrophiles Poliermaterial und eine Topographie der Oberfläche und Textur aufweisen, die allgemein die Vorhersehbarkeit und Leistungsfähigkeit des Polierens verbessern.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung beabsichtigt die oben bestehenden Probleme zu lösen und dadurch ein Polierkissen und ein vielschichtiges Polierkissen zur Verfügung zu stelle, dass insbesondere effektiv das Auftreten von Kratzern unterdrücken kann.
  • Die vorliegende Erfindung stellt ein Polierkissen zur Verfügung, wie es im Anspruch 1 definiert ist sowie auch ein Verfahren zur Herstellung eines Polierkissens, wie in den Ansprüchen 10 und 11 definiert, zur Verfügung.
  • Weitere Entwicklungen des beanspruchten Gegenstandes und bevorzugte Ausführungsformen werden in den abhängigen Ansprüchen 2 bis 9 beansprucht.
  • Gemäß dem erfindungsgemäßen Polierkissen können durch Bereitstellen einer Rille (a), die eine spezielle Tiefe und Breite aufweist, eines konkaven Teils (b) und eines durchgehenden Lochs (c), Kratzer, die auf Fremdkörper zurückzuführen sind, und darin gebildet werden, wirksam unterdrückt werden, dass sie auftreten und die polierte Oberfläche ist ausgezeichnet in ihrer Planheit.
  • Zusätzlich, wenn die Rille (a) eine spezielle Tiefe und Breite, der konkave Teil (b) eine spezielle Tiefe und Mindestlänge einer Öffnung und das durchgehende Loch (c) eine spezielle Mindestlänge einer Öffnung aufweist und des Weiteren wenn jeweils die Fläche einer Öffnung des konkaven Teils (b) und das durchgehende Loch 0,0075 mm2 oder mehr aufweist, kann das Auftreten von Kratzern ganz sicher unterdrückt werden.
  • Des Weiteren, wenn die Mindestlängen zwischen benachbarten Öffnungen der Rille (a), des konkaven Teils (b) und des durchgehenden Lochs (c) 0,05 mm oder mehr beträgt, kann ein effizientes Polieren durchgeführt werden, während die Stärke des konvexen Teils, der zur polierten Oberfläche korrespondiert, aufrechterhalten wird.
  • Wenn zumindest ein Teil des Polierkissens eine wasserunlösliche Matrix einschließt, die ein vernetztes Polymer und ein wasserlösliches Teilchen einschließt, kann die Rauheit der Oberfläche der inneren Oberfläche der Rille (a), des konkaven Teils (b) und des durchgehenden Lochs (c) leicht auf 20 μm oder weniger gedrückt werden. Demgemäß werden die Poren durch Putzen nicht verstopft, der Slurry wird ausreichend zurückgehalten und die Rate der Abtragung kann größer gemacht werden.
  • Des Weiteren in dem Fall, indem die Rille (a) der konkave Teil (b) und das durchgehende Loch (c) mit einem Verfahren gebildet werden, das aus Schneiden und Bilden durch eine Form gewählt wird, wobei die Rauheit der Oberfläche der inneren Oberfläche von jeder Komponente leicht kleiner gemacht werden kann, was ausreichend dazu führt, das Auftreten von Kratzern zu unterdrücken.
  • Gemäß dem vielschichtigen Polierkissen einer erfindungsgemäßen Ausführungsform, kann das Polieren effizient durchgeführt werden, ohne eine Polierschicht während des Polierens zu deformieren. Des Weiteren kann das Auftreten von Kratzern, auf Grund von Fremdkörpern, die in der Rille und ähnlichem entstehen, unterdrückt werden und die Polieroberfläche des Kissens und eine Oberfläche eines Wafers oder ähnlichem, die poliert werden soll, kann ausreichend in Kontakt gebracht werden, demgemäß kann die Abtragrate verbessert werden.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Im folgenden wird die vorliegenden Erfindung detaillierter beschrieben werden.
  • Ein erfindungsgemäßes Polierkissen weist zumindest eine Komponente auf, die aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus einer Rille (a), die zumindest eine Art der Form aufweist, die aus kreisförmig, gitterähnlich und einer Spiralform ausgewählt wird, auf einer Seite der Polieroberfläche, einer konkaven Komponente (b) und einem durchgehenden Loch (c) besteht.
  • Die Rauheit der Oberfläche einer inneren Oberfläche einer Rille (a) eines konkaven Teils (b) und eines durchgehenden Lochs, die für ein erfindungsgemäßes Polierkissen zur Verfügung gestellt werden, beträgt 20 μm oder weniger, bevorzugt 15 μm oder weniger, besonders bevorzugt 10 μm oder weniger und insbesondere 7 μm oder weniger. Eine untere Grenze davon beträgt normalerweise 0,05 μm. Wenn die Rauheit der Oberfläche 20 μm oder weniger beträgt, können Kratzer, die während dem Polieren auftreten, effektiv am Auftreten gehindert werden. Die Rauheit der Oberfläche bedeutet einen durchschnittlichen Wert (Ra), der über die Summe der absoluten Werte von allen Flächen oben und der Hauptlinie unten erhalten wird, die durch die Probenlänge geteilt wird und wird über ein Meßverfahren gemessen, dass unten beschrieben ist, zumindest bevor das erfindungsgemäßen Polierkissen verwendet wird.
  • Dass die Rauheit der Oberfläche Ra der inneren Oberfläche der Rille (a), des konkaven Teils (b) und des durchgehenden Lochs (c) 20 μm oder weniger beträgt, bedeutet dass es keine große Unebenheit darin gibt. Wenn es eine große Unebenheit gibt, ein besonders großer konvexer Teil (ausgebildet zum Beispiel durch einen Schneidrest, der während der Bildung der Rille entsteht) fällt während des Polierens herunter, was zur Bildung von Kratzern führt. Des Weiteren werden Fremdkörper, die von dem heruntergefallenen konvexen Teil durch Drücken oder ähnlichem gebildet werden, die durch Druck oder Reibungswärme, während des Polierens entstehen, wobei Fremdkörper, die durch den heruntergefallenen konvexen Teil oder Polierabfall gebildet werden, Festkomponenten in dem Slurry und ähnliches durch Wechselwirkung mit den Fremdkörpern, können in einigen Fällen die Kratzer hervorrufen. Zusätzlich können selbst beim Putzen in einigen Fällen die Kratzer auftreten, was zu einer ähnlichen Beeinträchtigung führt.
  • Wenn die Rauheit der Oberfläche Ra 20 μm oder weniger beträgt, kann zusätzlich, um ein Auftreten von Kratzern zu verhindern, ein Mittel wie die Rille (a), der konkave Teil (b) und das durchgehende Loch (c) sowie eine Funktion der Verteilung des Slurry auf der polierenden Oberfläche und eine Funktion der Entsorgung des Abfalls nach draußen als besonders effizient angesehen werden.
  • Die Rauheit der Oberfläche Ra ist ein Durchschnittswert, der durch Messen einzelner Durchschnittswerte der Rauheit der Oberfläche aus drei verschiedenen Ansichtsfeldern einer Oberfläche eines Polierkissens, bevor es verwendet wird, mit einer Meßvorrichtung, die die Rauheit der Oberfläche messen kann und durch Berechnung des Durchschnitts von drei der erhaltenen Durchschnittsrauheit der Oberfläche erhalten wird. Die Meßvorrichtung, die verwendet wird, ist nicht besonders beschränkt, zum Beispiel eine optische Meßvorrichtung der Rauheit der Oberfläche, wie ein analytisches Mikroskop einer dreidimensionalen Oberflächenstruktur, ein Laserabtastmikroskop und ein Elektronenstrahlinstrument zur Analyse der Oberflächenstruktur und eine Kontaktmeßvorrichtung der Rauheit der Oberfläche, wie ein Meßgerät der Rauheit der Oberfläche vom Sondentyp kann verwendet werden.
  • Die Rille (a) befindet sich auf einer polierten Oberflächenseite des Polierkissens. Die Rille (a) weist die Funktion auf, den Slurry zurückzuhalten, der während des Polierens zugeführt wird und um den Slurry einheitlicher auf der Polieroberfläche zu verteilen. Zusätzlich weist sie die Funktion eines Entsorgungswegs auf, der vorübergehenden Abfall zurückhält, wie Polierabfall, der während des Polierens entsteht und verwendeten Slurry und entsorgt den Abfall außerhalb des Systems.
  • Die Rille (a) kann jede Form aufweisen, die aus ringförmig, gitterähnlich und einer Spiralform ausgewählt wird. Das erfindungsgemäße Polierkissen kann eine von ihnen allein oder kann sie in Kombination aufweisen.
  • Falls die Rille (a) kreisförmig ausgebildet ist, ist ihre ebene Form nicht besonders beschränkt und die Gestalt kann kreisförmig, polygonal (trigonal, tetragonal, pentagonal und ähnliches) eine Ellipse und ähnliches sein. Die Anzahl der Rillen beträgt vorzugsweise zwei oder mehr. Des Weiteren, obwohl die Anordnung dieser Rillen nicht besonders beschränkt ist, können sie, zum Beispiel eine konzentrische Anordnung (konzentrisch kreisförmig und ähnliches) mit mehreren Rillen 12 (1) eine exzentrische Anordnung mit mehreren Rillen 12 (2) sein oder in einer Weise, dass eine Vielzahl von anderen ringförmigen Rillen innerhalb eines Teils, umgeben von einer ringförmigen Rille, angeordnet ist. Unter diesen ist eine bevorzugt, bei der Rillen konzentrisch angeordnet sind und weiter eine, bei der mehrere Rillen konzentrisch kreisförmig angeordnet sind (ein Zustand bei der eine Vielzahl von kreisförmigen Rillen konzentrisch angeordnet sind), was besonders bevorzugt ist. Das Polierkissen, das die konzentrische Anordnung aufweist, ist überlegen anderen gegenüber bei den obigen Funktionen. Zusätzlich ist das Polierkissen, das die konzentrische kreisförmige Anordnung aufweist, ausgezeichneter bei den obigen Funktionen und die Rille darauf kann leicht gebildet werden.
  • Auf der anderen Seite ist eine Profilform der Rille nicht besonders beschränkt und kann, zum Beispiel als eine Form auf der flachen Seite der Oberflächen und einer Bodenoberfläche untersten Teil* (die Länge der jeweiligen Richtungen der Breite einer Öffnungsseite und einer Bodenseite können gleich sein oder die Öffnungsseite kann länger sein in der Länge als die Bodenseite, oder die Bodenseite kann länger in der Länge sein als die Öffnungsseite), einer Hufeisenform, einer V-Form und ähnlichem gebildet werden.
  • Wenn die Rille (a) ringförmig ausgebildet ist, ist ihre Größe nicht besonders beschränkt und eine Breite der Rille (22 in 3) beträgt vorzugsweise 0,1 mm oder mehr, bevorzugt in dem Bereich von 0,1 bis 5 mm und besonders bevorzugt in dem Bereich von 0,2 bis 3 mm. Die Rille, die eine Breite weniger als 0,1 mm aufweist, wird in einigen Fällen mit Schwierigkeiten gebildet. Auf der anderen Seite beträgt eine Tiefe der Rille vorzugsweise 0,1 mm oder mehr, bevorzugt in dem Bereich von 0,1 bis 2,5 mm, und besonders bevorzugt in dem Bereich von 0,2 bis 2,00 mm. Wenn die Tiefe der Rille weniger als 0,1 mm beträgt, ist es nicht bevorzugt, weil die Lebenszeit des Polierkissens ausgesprochen kurz wird. Die Tiefe der Rille kann in Abhängigkeit von der Position verschieden sein.
  • Zusätzlich beträgt eine Mindestlänge zwischen benachbarten Rillen (23 in 3) vorzugsweise 0,05 mm oder mehr, bevorzugt in dem Bereich von 0,05 bis 100 mm und besonders bevorzugt von 0,1 bis 10 mm. In einigen Fällen ist es schwierig Rillen zu bilden, die eine Mindestlänge zwischen den benachbarten Rillen von weniger als 0,05 mm aufweisen. Des Weiteren beträgt die Ganghöhe (21 in 3), die die Summe aus der Breite der Rille und der Länge eines Teils zwischen benachbarten Rillen ist, vorzugsweise 0,15 mm oder mehr, bevorzugt in dem Bereich von 0,15 bis 105 mm, besonders bevorzugt von 0,3 mm bis 13 mm und ganz besonders bevorzugt von 0,5 bis 2,2 mm.
  • Jeder der bevorzugten Bereiche kann mit anderen bevorzugten Bereichen kombiniert werden. Das heißt, es ist bevorzugt, zum Beispiel, dass die Breite 0,1 mm oder mehr beträgt, dass die Tiefe 0,1 mm oder mehr und dass die Mindestlänge 0,05 mm oder mehr beträgt; besonders bevorzugt dass die Breite in dem Bereich von 0,1 mm bis 5 mm, dass die Tiefe von 0,1 bis 2,5 mm beträgt, und dass die Mindestlänge von 0,05 bis 100 mm; und weiter besonders bevorzugt, dass die Breite in dem Bereich von 0,2 mm bis 3 mm, dass die Tiefe von 0,2 bis 2,00 mm und dass die Mindestlänge von 0,1 bis 10 mm reicht.
  • Die Breite und Tiefe der ringförmigen Rillen, die auf einer Polieroberflächenseite des Polierkissens gebildet sind, können die gleichen bei den jeweiligen Rillen sein oder sie können verschieden sein.
  • Wenn die Rille (a) gitterförmig ausgebildet ist, kann sie als eine kontinuierliche Rille gebildet werden oder kann als zwei oder mehrere Rillen ausgebildet sein. Des Weiteren ist eine ebene Form eines Musters, dass das Gitter bildet nicht besonders beschränkt, kann in verschiedenen Polygone ausgebildet sein. Als Polygone können, zum Beispiel Tetragone, wie ein Quadrat (4), ein Rechteck, ein Trapezoid und ein Raute (5), ein Dreieck (6), ein Fünfeck und ein Sechseck genannt werden. Die Profilform der Rille kann die gleiche sein wie die der ringförmigen.
  • Wenn die Rille (a) als Gitter ausgebildet ist, können ihre Größen dieselben sein wie die der Ringförmigen.
  • Wenn eine ebene Form eines Musters, das ein Gitter bildet, ein Quadrat ist, beträgt die Mindestlänge zwischen den benachbarten Rillen (23 in 3) 0,05 mm oder mehr, bevorzugt in dem Bereich von 0,05 mm bis 100 mm und besonders bevorzugt von 0,1 bis 10 mm beträgt. Eine gitterähnliche Rille, die die Mindestlänge von weniger als 0,05 mm aufweist, wird in einigen Fällen mit Schwierigkeit gebildet. Des Weiteren beträgt die Ganghöhe, die eine Summe aus der Breite der Rille und der Länge eines Teils zwischen benachbarten Rillen (21 in 3) ist, beträgt sowohl in einer vertikalen Richtung als auch einer lateralen Richtung, vorzugsweise 0,15 mm oder mehr, bevorzugt in dem Bereich von 0,15 bis 105 mm, besonders bevorzugt von 0,3 bis 13 mm und ganz besonders bevorzugt von 0,5 bis 2,2 mm. Jedoch kann eine Ganghöhe in der vertikalen Richtung und eine in der lateralen Richtung die gleiche sein oder verschieden sein. Des Weiteren, wenn der Tetragon eine Raute ist, wird die kürzere der Längen von zwei Paaren der parallelen Seiten, die einander gegenüber stehen, als Mindestlänge genommen.
  • Jeder der bevorzugten Bereiche der Größen der Rille kann mit anderen bevorzugten Bereichen kombiniert werden. Das heißt, dass vorzugsweise, zum Beispiel, die Breite 0,1 mm oder mehr, dass die Tiefe 0,1 mm oder mehr und dass die Mindestlänge 0,05 mm beträgt oder mehr; bevorzugt dass die Breite in dem Bereich von 0,1 mm bis 5 mm, dass die Tiefe von 0,1 bis 2,5 mm und dass die Mindestlänge von 0,05 bis 100 mm beträgt; und besonders bevorzugt, dass die Breite in dem Bereich von 0,2 bis 3 mm, dass die Tiefe 0,2 bis 2,0 mm und dass die Mindestlänge von 0,1 bis 10 mm beträgt.
  • Des Weiteren, wenn eine ebene Form eines Musters, dass ein Gitter bildet, ein Dreieck ist, beträgt eine Länge der kleinsten Seite des Dreiecks vorzugsweise 0,05 mm oder mehr, bevorzugt in dem Bereich von 0,05 mm bis 100 mm und besonders bevorzugt von 0,1 mm bis 10 mm. Wenn eine Länge der kleinsten Seite weniger als 0,05 mm beträgt, kann eine gitterähnliche Rille in einigen Fällen mit Schwierigkeit gebildet werden.
  • Jeder der bevorzugten Bereiche der Größen der Rille können mit anderen bevorzugten Bereichen kombiniert werden. Das heißt, es ist vorzugsweise, zum Beispiel, dass die Breite 0,1 mm oder mehr, dass die Tiefe 0,1 mm oder mehr; und dass die Länge der kleinsten Seite 0,05 mm oder mehr beträgt; bevorzugt, dass die Breite 0,1 mm bis 5 mm, dass die Tiefe 0,1 bis 2,5 mm und dass die Länge der kleinsten Seite 0,05 bis 100 mm beträgt; und besonders bevorzugt, dass die Breite in dem Bereich von 0,2 mm bis 3 mm, dass die Tiefe 0,2 bis 2,00 mm und dass die Länge der kleinsten Seite 0,1 bis 10 mm beträgt.
  • Zusätzlich, wenn eine plane Form eines Musters, das eine Gitter bildet, ein Hexagon ist, ist die Mindestlänge, die die kürzeste von parallelen Seiten ist, bevorzugt 0,05 mm oder mehr, besonders bevorzugt in dem Bereich von 0,05 bis 100 mm und besonders bevorzugt 0,1 bis 100 mm. Eine Gitter-ähnliche Rille, deren Mindestlänge weniger als 0,05 mm beträgt, wird in einigen Fällen unter Schwierigkeit gebildet.
  • Jeder der bevorzugten Bereiche kann mit anderen bevorzugten Bereichen kombiniert werden. Das heißt, dass es bevorzugt ist, zum Beispiel, dass die Breite 0,1 mm oder mehr beträgt, die Tiefe 0,1 mm oder mehr und die geringste Länge 0,05 mm oder mehr; besonders bevorzugt liegt die Breite in dem Bereich von 0,1 mm bis 5 mm, die Tiefe bei 0,1 mm bis 2,5 und die geringste Länge 0,05 mm bis 100 mm und weiter besonders bevorzugt liegt die Breite bei 0,2 mm bis 3 mm, die Tiefe bei 0,2 mm bis 2,0 und die geringste Länge bei 0,1 mm bis 10 mm.
  • Die Gitter-ähnlichen Rillen, die auf der Seite der polierenden Oberfläche gebildet sind, können jeweils von einer Art der Rillen sein, die gleich in der Breite und Tiefe sind oder können aus einer Kombination von zwei oder mehreren Arten an Rillen gebildet sein, die unterschiedlich in der Breite und Tiefe sind. Des Weiteren kann die polierende Oberfläche darauf mit nur einer Art der Gitter-ähnlichen Rillen, den gleichen in einer ebenen Form eines Musters, dass das Gitter bildet, versehen sein oder kann mit zwei oder mehreren Arten der Gitter-ähnlichen Rillen, die verschieden in der ebenen Form sind, versehen sein.
  • Falls die Rille (a) spiralförmig ausgebildet wird, kann eine kontinuierliche Rille 12 (7) gebildet werden oder kann aus zwei spiralförmigen Rillen 12a und 12b, deren Spiralrichtung verschieden zu einander sind, gebildet werden (8). Des Weiteren können zwei Spiralrillen gebildet werden, deren Spriralrichtungen die gleichen sind oder es können drei oder mehr Spiralrillen sein, deren Spiralrichtungen gleich zu einander sind oder unterschiedlich zu einander sind, gebildet werden. Eine Profilform der Rille kann die gleiche sein, wie die der ringförmigen Form. Und wenn die Rille (a) spiralförmig gebildet ist, können ihr Größen die gleiche sein wie die einer ringförmigen Rille. Zusätzlich kann eine Mindestlänge zwischen benachbarten Rillen und die Ganghöhe auch die gleiche sein, wie die der Ringförmigen.
  • Die Breite und die Tiefe der Spiralrille, die auf der Seite der polierenden Oberfläche des Polierkissens gebildet ist, kann die gleiche über die gesamte Länge sein oder verschieden sein. Des Weiteren, wenn zwei oder mehrere Rillen gebildet werden, kann die Breite oder die Tiefe der jeweiligen Rillen die gleiche oder verschieden sein.
  • Der "konkave Teil (b)" existiert auf einer Seite der polierenden Oberfläche des Polierkissens. Des Weiteren ist das "durchgehende Loch (c)" gegenüber beiden Oberflächen der polierenden Oberfläche und einer Oberfläche gegenüber der polierenden Oberfläche geöffnet. Der konkave Teil (b) oder das durchgehende Loch (c) (hierin im folgenden in einigen Fällen wird Bezug genommen darauf als "konkaver Teil und ähnliches") weisen eine Funktion des Zurückhaltens des Slurry, der während des Polierens anfällt und einheitlicher den Slurry auf der polierenden Oberfläche zu verteilen auf. Des Weiteren weist der konkave Teil und ähnliches die Funktion eines Entsorgungswegs auf, der es ermöglicht Abfall, wie den Polierabfall, der während des Polierens entsteht und verwendeten Slurry zeitweise zurückzuhalten und entsorgt den Abfall außerhalb des Systems. Selbst wenn das Polierkissen die durchgehenden Löcher aufweist, indem das Polierkissen an einer Oberflächenplatte der Poliervorrichtung durch Druck oder ähnliches fixiert wird, fließt der Slurry nicht durch die durchgehenden Löcher ohne zum Polieren zu dienen.
  • Die ebene Form der konkaven Teile und ähnlichem ist nicht besonders beschränkt, kann aber zum Beispiel ein Kreis ein Polygon (Trigon, Pentagon und ähnlichem) eine Ellipse und ähnlichem sein. Eine Anordnung der Öffnungen der konkaven Teile und ähnlichem auf der polierenden Oberfläche ist auch nicht beschränkt, aber die Öffnungen sind bevorzugt einheitlich über die gesamte Oberfläche der polierenden Oberfläche angeordnet. Als ein spezielles Beispiel des Polierkissens kann eines erwähnt werden, dass die konkaven Teile oder ähnliches aufweist, einem bei dem auf seiner polierenden Oberfläche die konkaven Teile 13 und ähnliches eine kreisförmige ebene Form aufweisen, sind einheitlich offen (9). Eine Profilform der konkaven Teile oder ähnliches ist nicht besonders beschränkt, kann aber eine sein, die durch flache Oberflächenseiten und der Bodenoberfläche gebildet wird (in dem Fall des konkaven Teils kann die Länge der jeweiligen horizontalen Profilrichtungen einer sich öffnenden Seite und einer Bodenseite die gleiche sein oder die Bodenseite kann länger in der Länge sein als die sich öffnende Seite. Des Weiteren in dem Fall des durchgehenden Lochs kann die Länge der jeweiligen horizontalen Richtungen einer sich öffnenden Seite und der anderen sich öffnenden Seite die gleiche sein oder die Länge der Seite der polierenden Oberfläche kann länger sein oder die Länge der gegenüberliegenden Oberflächenseite kann länger sein.), die Form eines Hufeisens, eine V-Form und ähnliches aufweisen.
  • Die Größe der konkaven Teile oder ähnliches ist nicht besonders beschränkt, kann aber, wenn die ebene Form, zum Beispiel eine kreisförmige ist, ein Durchmesser davon sein und wenn die ebene Form zumindest eine ist, die aus Polygon, einer Ellipse und ähnlichem ausgewählt wird, die Mindestlänge der Öffnung (25 in 10) vorzugsweise 0,1 mm oder mehr beträgt, besonders bevorzugt in dem Bereich von 0,1 bis 5 mm und weiter besonders bevorzugt bei 0,2 bis 3 mm liegt. Gewöhnlich scheint es schwierig zu sein, den konkaven Teil oder ähnliches zu bilden dessen Durchmesser oder die Mindestlänge weniger als 0,1 mm beträgt. Des Weiteren beträgt die Tiefe des konkaven Teils oder ähnliches vorzugsweise 0,1 mm oder mehr, bevorzugt liegt sie in dem Bereich von 0,1 bis 2,5 mm und besonders bevorzugt bei 0,2 bis 2,0 mm. Dass die Tiefe des konkaven Teils oder ähnlichem weniger als 0,1 mm beträgt, ist nicht bevorzugt, weil es zu einer außerordentlich kurzen Lebenszeit des Polierkissens führt. Des Weiteren für eine Trennung der konkaven Teile oder ähnlichem beträgt die geringste Länge zwischen benachbarten konkaven Teilen oder ähnlichem (26 in 10) vorzugsweise 0,05 mm oder mehr, bevorzugt in dem Bereich von 0,05 bis 100 mm und besonders bevorzugt von 0,1 bis 10 mm. Es scheint auch schwierig zu sein den konkaven Teil oder ähnliches zu bilden, dessen kürzeste Länge weniger als 0,05 mm beträgt. Des Weiteren eine Ganghöhe, die eine Summe aus der Mindestlänge der Öffnung des konkaven Teils oder ähnlichem und einer Länge eines Teils zwischen benachbarten konkaven Teilen oder ähnlichem (26 in 10) ist, vorzugsweise in dem Bereich von 0,15 mm oder mehr, besonders bevorzugt bei 0,3 bis 13 mm und insbesondere bei 0,5 bis 2,2 mm liegt.
  • Jeder der bevorzugten Bereiche kann mit anderen bevorzugten Bereichen kombiniert werden. Das heißt, es ist bevorzugt, zum Beispiel, dass die Mindestlänge der Öffnung 0,1 mm oder mehr, die Tiefe 0,1 mm oder mehr beträgt; und dass die Mindestlänge zwischen den benachbarten konkaven Teilen oder ähnlichem 0,05 mm oder mehr beträgt, besonders bevorzugt dass die Mindestlänge der Öffnung in dem Bereich von 0,1 mm bis 5 mm, die Tiefe bei 0,1 bis 2,5 mm liegt und dass die Mindestlänge zwischen den konkaven Teilen oder ähnlichem bei 0,05 bis 100 mm liegt; und weiter besonders bevorzugt, dass die Mindestlänge in einer ebenen Richtung in dem Bereich bei 0,2 mm bis 3 mm, die Tiefe bei 0,2 bis 2,00 mm und die Mindestlänge zwischen den benachbarten konkaven Teilen oder ähnlichem bei 0,1 bis 10 mm liegt.
  • Der konkave Teil (b) beträgt 0,0075 mm2 oder mehr bei einer Fläche einer Öffnung an der Oberfläche des Polierkissens, bevorzugt 0,01 mm2, besonders bevorzugt 1 mm2 oder mehr und normaler Weise 100 mm2 oder weniger beträgt. Da die Fläche der Öffnung 0,0075 mm2 oder mehr beträgt, kann der Slurry, der während des Polierens anfällt, ausreichend zurückgehalten werden und der Abfall, wie der Polierabrieb, der während des Polierens anfällt und der verwendeten Slurry, kann so zeitweise zurückgehalten werden und kann leicht nach außen entsorgt werden.
  • Die ebenen Formen, die Mindestlänge der Öffnung und die Tiefen der konkaven Teile oder ähnliches, die sich zu der Seite der polierenden Oberfläche und ähnlichem öffnen, können gleich oder verschieden sein. Zusätzlich können die konkaven Teile oder ähnliches mit einem einheitlichen Abstand über die gesamte polierende Oberfläche gebildet werden oder kann nicht einheitlich gebildet sein; jedoch, um stabil das Polieren durchzuführen, sind sie vorzugsweise einheitlich gebildet. Das erfindungsgemäße Polierkissen kann eine Rille aufweisen, die eine unterschiedliche Gestalt aufweist, die oben zusätzlich zu den konkaven Teilen oder ähnlichem beschrieben werden.
  • Das erfindungsgemäße Polierkissen kann aus welchem Material auch immer gebildet sein, solange die Funktionen als Polierkissen erhalten werden. Jedoch unter den Funktionen als Polierkissen sind insbesondere die Poren bevorzugt, die die Funktion des Zurückhaltens des Slurrys, während des Polierens, aufweist und es ermöglicht den Abrieb zeitweise zu halten, der während des Polierens gebildet wird. Demgemäß ist das Polierkissen vorzugsweise mit einer im Wasser unlöslichen Matrix und im Wasser löslichen Teilchen in einer im Wasser unlöslichen Matrix oder mit einer im Wasser unlöslichen Matrix versehen, in der Leerstellen fein verteilt gebildet sind (geschäumte Körper oder ähnliches).
  • Von diesen werden in der Form die wasserlöslichen Teilchen in Kontakt mit einer auf Wasser basierenden Lösungsmittelkomponente des Slurry (der eine Lösungsmittelkomponente und eine Feststoffkomponente enthält) während des Polierens gebracht, lösen sich oder schwellen, was zu einem Herunterfallen führt. Der Slurry wird in den Poren zurückgehalten, die auf Grund des Zurückgehen gebildet werden. Auf der anderen Seite wird der Slurry später in den Poren zurückgehalten, die vorher als Leerstelle gebildet werden.
  • Ein Material, das die "in Wasser unlösliche Matrix bildet" ist nicht besonders beschränkt. Im Hinblick auf das leichte Formen zu einer bestimmten Form, Eigenschaft und Zustand und es zu ermöglichen mit einer geeigneten Härte und geeigneten Elastizität ausgestatten zu werden, ist es üblich ein organisches Material zu verwenden. Als organisches Material können thermoplastische Harze, Elastomere, Kautschuke (vernetzte Kautschuke) und vernetzbare Harze, (Harze, die auf Grund von Wärme, Licht und ähnliches vernetzen, wie wärmehärtbare Harze und lichthärtende Harze) allein oder in Kombination verwendet werden.
  • Unter diesen können thermoplastische Harze, 1,2-Polybutadienharz, polyolefinische Harze, wie Polyethylen, auf Polystyrol basierende Harze, Polyacrylharze, wie auf (Meth)acrylat basierende Harze, auf Vinylester basierende Harze (ausgenommen auf Acryl basierende Harze), auf Polyester basierende Harze, auf Polyamid basierende Harze, auf fluorierte Harze, wie Polyvinylidinfluorid, Polycarbonatharze und Polyacetalharze erwähnt werden.
  • Als Elastomere können auf Dien basierende Elastomere, wie 1,2-Polybutadien, polyolefinische Elastomere (TPO), auf Styrol basierende Elastomere, wie Styrol-butadien-styrol Blockcopolymere (SBS) und ihre hydrierte Blockcopolymere (SEBS), thermoplastische Elastomere, wie thermoplastische auf Polyurethan basierende Elastomere (TPU), thermoplastische auf Polyester basierende (TPEE) und auf Polyamid basierende Elastomere (TPAE, auf Siliconharz basierende Elastomere, auf fluoriertem Harz basierende Elastomere und ähnliches erwähnt werden.
  • Als Kautschuk, können konjugierte auf Dien basierende Kautschuke, wie auf Butadien basierende Kautschuke (hohe-cis Butadien Kautschuke, niederes-cis Butadien und ähnliches), auf Isopren basierende Kautschuke, auf Styrol-butadien basierende Kautschuke, und Styrol-isopren basierende Kautschuke, auf Nitril basierende Kautschuke, wie Acrylnitril-Butadien basierende Kautschuke und ähnliches, Acrylkautschuke, auf Ethylen-α-olefin basierende Kautschuke, wie auf Ethylen-propylen basierende Kautschuke, wie auf Ethylen-propylen-dien basierende Kautschuke und andere Kautschuke, wie Butylkautschuke, Siliconkautschuke und Fluorkautschuke erwähnt werden.
  • Als vernetzbare Harze können auf Urethan basierende Harze, auf Epoxy basierende Harze, Acrylharze, ungesättigte auf Polyester basierende Harze, auf Polyurethan-Harnstoff basierende Harze, auf Harnstoff basierende Harze, auf Silicon basierende Harze, auf Phenol basierende Harze, auf Vinylester basierende und ähnliche Harze erwähnt werden.
  • Des Weiteren kann das organische Material mit einer Säureanhydridgruppe, einer Carboxylgruppe, einer Hydroxylgruppe, einer Epoxygruppe, einer Aminogruppe und ähnlichem modifiziert werden. Während dem Modifizieren kann das organische Material auf seine Affinität mit den in Wasser löslichen Teilchen und dem Slurry kontrolliert werden.
  • Das organische Material oben kann allein oder in Kombination mit zwei oder mehreren Arten verwendet werden.
  • Des Weiteren kann das organische Material ein vernetztes Polymer sein, das teil oder vollständig vernetzt ist oder kann ein nicht vernetztes Polymer sein. Demgemäß kann die in Wasser unlösliche Matrix nur aus einem vernetzten Polymer, einer Mischung eines vernetzten Polymers und einem nicht vernetztem Polymer oder nur aus einem nicht vernetztem Polymer gebildet sein. Jedoch ist es bevorzugt das vernetzte Polymer zu enthalten (das vernetzte Polymer allein oder die Mischung aus dem vernetztem Polymer und dem nicht vernetztem Polymer). Wenn das vernetzte Polymer erhalten wird, kann die Rauheit der Oberfläche Ra der inneren Oberfläche der Rille (a), des konkaven Teils (b) und des durchgehenden Lochs auf 20 μm oder weniger gedrückt werden und zur gleichen Zeit wird die in Wasser unlösliche Matrix mit einer elastischen wiederherstellenden Kraft ausgestattet; eine Verschiebung auf Grund der Scherbelastung, die an das Polierkissen, während des Polierens, angelegt wird, kann sehr gering sein. Des Weiteren kann bei der in Wasser unlöslichen Matrix wirksam ihre extreme Längung und die plastische Verformung unterdrückt werden, um die Poren während des Polierens und Putzens zu verschütten und weiter kann bei der Oberfläche des Polierkissens wirksam unterdrückt werden, dass sie außerordentlich locker wird. Demgemäß können selbst während des Putzens die Poren effektiv gebildet werden und die den Slurry zurückhaltende Energie kann von einer Verschlechterung bewahrt werden. Des Weiteren, da die Oberfläche des Polierkissens weniger locker ist, wird die Polierflachheit nicht gestört. Ein Verfahren der Vernetzung ist nicht besonders beschränkt, das heißt, dass chemisches Vernetzen mit organischen Peroxiden, Schwefel und Schwefelverbindungen, Vernetzung mit Strahlung mittels Elektronenstrahl oder ähnlichem angewendet werden.
  • Als vernetztes Polymer unter den obigen organischen Material können vernetzte Kautschuke, vernetzbare Kautschuke, vernetze thermoplastische Harze und vernetzte Elastomer verwendet werden. Unter diesen sind in Hinblick darauf, dass sie stabil gegen starke Säuren und starke Alkali sind, die in vielen Slurries enthalten sind und dass sie weniger anfällig gegen das Weichwerden auf Grund der Wasserabsorption sind, eines oder beide der vernetzten thermoplastischen Harze und vernetzten Elastomere sind bevorzugt. Des Weiteren unter den vernetzten thermoplastischen Harzen und vernetzten Elastomeren, sind die, die mit organischen Peroxid vernetzt werden, besonders bevorzugt und des Weiteren ist vernetztes 1,2-Polybutadien ganz besonders bevorzugt. Mit diesem kann die Rille (a), der konkave Teil (b) und das durchgehende Loch (c), deren Rauheit der Oberfläche Ra beträgt 20 μm oder weniger, leicht gebildet werden.
  • Der Gehalt an vernetztem Polymer ist nicht besonders beschränkt. Er beträgt vorzugsweise 30 Vol. % oder mehr, bevorzugt 50 Vol. % oder mehr, besonders bevorzugt 70 Vol. % oder mehr und kann bei 100 Vol. % relativ zu einer Gesamtheit der in Wasser unlöslichen Matrix liegen. Falls der Gehalt des vernetzten Polymers in der in Wasser unlöslichen Matrix weniger als 30 Vol. % beträgt, kann in einigen Fällen eine Effekt, dass das vernetzten Polymer enthalten ist, nicht ausreichend gezeigt werden.
  • Die in Wasser unlösliche Matrix, die das vernetzte Polymer enthält, kann, wenn ein Muster, das aus einer in Wasser unlöslichen Matrix gemacht ist, bei 80 °C gemäß JIS K 6251 gebrochen wird, macht die Längung, die nach dem Brechen zurückbleibt (hierin im folgenden einfach als "Längung, die nach dem Brechen zurück bleibt") 100 % oder weniger beträgt. Das heißt, dass die gesamte Länge zwischen zwei Markierungspunkten nach dem Brechen zweimal oder weniger der Länge zwischen den Markierungspunkten vor dem Brechen beträgt. Die Längung, die nach dem Brechen zurück bleibt, beträgt vorzugsweise 30 % oder weniger, bevorzugt 10 % oder weniger, besonders bevorzugt 5 % oder weniger und normalerweise 0 % oder mehr. Wenn die Längung, die nach dem Brechen 100 % übersteigt, dünne Fragmente, die reiben oder aus der Oberfläche des Polierkissen herausragen, neigen ungünstiger Weise während des Polierens oder Putzens dazu, die Poren zu verstopfen. Falls gemäß JIS K 6251 "Längungstestverfahren von vulkanisiertem Kautschuk" mit einer Testprobe, die die Form einer Hantel Nr. 3 aufweist und unter den Bedingungen einer Zugrate von 500 mm/min und einer Testtemperatur von 80 °C, wird eine Testprobe gebrochen, wobei die "Längung, die nach dem Brechen zurückbleibt" als eine Längungsrate einer Länge definiert wird, die erhalten wird, indem eine Länge zwischen zwei Markierungspunkten vor dem Test von der gesamten Länge der jeweiligen Längen von den Markierungspunkten zu dem gebrochenen Teil der Testprobe, die durch das Brechen auf die Länge zwischen zwei Markierungspunkten vor dem Test getrennt wurden, abgezogen wird. Des Weiteren gibt es beim ausgeführten Polieren eine Wärmeerzeugung auf Grund des Gleitens, demgemäß wird der Test bei 80 °C durchgeführt.
  • Das "in Wasser lösliche Teilchen" ist ein Teilchen, dass von der in Wasser unlöslichen Matrix herunterfällt, wenn das Polierkissen, in dem Polierkissen, mit dem Slurry in Kontakt kommt, der eine wässrige Dispersion ist. Das Herunterfallen kann durch das Lösen verursacht werden, wenn die in Wasser löslichen Teilchen mit Wasser oder ähnlichem in Kontakt kommen, das in dem Slurry enthalten ist, oder kann durch Quellen verursacht werden und Gel-ähnlich werden, wenn die in Wasser löslichen Teilchen Wasser oder ähnliches enthalten. Des Weiteren kann die Auflösung oder das Quellen nicht nur durch Kontakt mit Wasser, sondern auch mit einem wässrigen Mischungsmedium verursacht werden, das ein alkoholisches Lösungsmittel, wie Methanol enthält.
  • Die in Wasser löslichen Teilchen weisen, anders als den Effekt der Bildung der Poren auf dem Polierkissen, einen anderen Effekt auf, die Eindrückhärte des Polierkissens größer zu machen und dadurch den Betrag des Eindrückens des Materials, das poliert werden soll, auf Grund des Unterdrucks, geringer zu machen. Das heißt, wenn das erfindungsgemäße Polierkissen in Wasser lösliche Teilchen enthält, kann seine Shore D Härte auf vorzugsweise 35 oder mehr eingestellt werden, bevorzugt in dem Bereich von 50 bis 90, besonders bevorzugt von 60 bis 85 und üblicherweise 100 oder weniger. Wenn die Shore D Härte 35 oder mehr beträgt, kann der Druck, der an das Material, das poliert werden soll, angelegt wird, größer gemacht werden und zusätzlich kann die Abtragrate removal* verbessert werden. Demgemäß sind die in Wasser löslichen Teilchen vorzugsweise Festkörper, die eine ausreichende Eindrückhärte bei dem Polierkissen sicherstellen.
  • Ein Material, dass die in Wasser löslichen Teilchen bildet, ist nicht besonders beschränkt. Und organische in Wasser lösliche Teilchen und anorganische in Wasser lösliche Teilchen können erwähnt werden. Als organische in Wasser lösliche Teilchen können solche erwähnt werden, die aus Sacchariden gemacht sind (Polysaccharide, wie Stärke, Dextrin und Cyclodextrin, Laktose, Mannit und ähnliches), Zellulose (Hydroxypropylzellulose, Methylzellulose und ähnliches), Proteine, Polyvinylalkohol, Polyvinylpyrrolidon, Polyacrylsäuren und ihre Salze, Polyethylenoxid, in Wasser lösliche lichtempfindliche Harze, sulfoniertes Polyisopren, sulfonierte Polyisoprencopolymere und ähnliche erwähnt werden. Zusätzlich können als anorganische in Wasser lösliche Teilchen solche aus Kaliumacetat, Kaliumnitrat, Kaliumcarbonat, Kaliumhydrogencarbonat, Kaliumchlorid, Kaliumbromid, Kaliumphosphat, Magnesiumnitrat und ähnliches gebildet, erwähnt werden. Das Material, das die in Wasser löslichen Teilchen bildet, kann allein oder in Kombination mit zwei oder mehreren Arten verwendet werden. Des Weiteren können die in Wasser lösliche Teilchen von einer Art der in Wasser löslichen Teilchen sein, die aus einem vorbestimmten Material gemacht sind oder aus zwei oder mehreren Arten der in Wasser löslichen Teilchen, die aus verschiedenen Materialien gemacht sind.
  • Der durchschnittliche Teilchen-Durchmesser der in Wasser löslichen Teilchen liegt vorzugsweise in dem Bereich von 0,1 bis 500 μm, bevorzugt bei 0,5 bis 100 μm und weiter besonders bevorzugt bei 1 bis 50 μm. Das heißt, dass die Größe der Poren vorzugsweise in dem Bereich von 0,1 μm bis 500 μm, bevorzugt bei 0,5 bis 100 μm und weiter besonders bevorzugt bei 1 bis 50 μm liegen. Wenn der durchschnittliche Teilchendurchmesser der in Wasser löslichen Teilchen weniger als 0,1 μm beträgt, wird die Größe der gebildeten Poren kleiner als das Schleifmittel, das verwendet wird; demgemäß wird es schwierig das Polierkissen, das ausreichend den Slurry zurückhalten kann, zu erhalten. Auf der anderen Seite, wenn der durchschnittliche Teilchendurchmesser 500 μm übersteigt, wird die Größe der Poren, die gebildet werden sollen, außerordentlich groß; als ein Ergebnis neigt die mechanische Stärke und Abtragrate des erhaltenen Polierkissen dazu beeinträchtigt zu werden.
  • Das in Wasser lösliche Teilchen muss nicht enthalten sein. Der Gehalt der in Wasser löslichen Teilchen bei der Verwendung liegt vorzugsweise in dem Bereich von 0,1 bis 90 Vol. %, bevorzugt in dem Bereich von 10 bis 60 Vol. % und besonders bevorzugt bei 20 bis 40 Vol. % basierend auf 100 Vol. % basierend auf 100 Vol. % der gesamten in Wasser unlöslichen Matrix und der in Wasser löslichen Teilchen. Falls der Gehalt der in Wasser löslichen Teilchen weniger als 0,1 Vol. % beträgt, wobei die gebildeten Poren, die das erhaltene Polierkissen verwenden, nicht ausreichend sein können und die Abtragrate neigt dazu abzunehmen. Auf der anderen Seite, wenn die in Wasser löslichen Teilchen, die enthalten sind, 90 Vol. übersteigen, wird es schwierig, ausreichend zu verhindern, dass die in Wasser löslichen Teilchen, die innerhalb des Polierkissen sind, quellen oder gelöst werden; demgemäß wird es schwierig die Härte und die mechanische Stärke des Polierkissen bei genauen Werten zu halten.
  • Des weiteren werden die in Wasser löslichen Teilchen bevorzugt in Wasser nur gelöst, wenn sie an einer Oberflächenschicht bei einem Polierkissen exponiert werden und nicht um Feuchtigkeit zu absorbieren und weiter zu quellen, wenn sie innerhalb des Polierkissen sind. Demgemäß kann zumindest ein Teil des äußersten Teils des in Wasser löslichen Teilchen mit einer äußeren Schale versehen werden, die die Absorption der Feuchtigkeit unterdrückt. Die äußere Schale kann physikalisch durch die in Wasser löslichen Teilchen absorbiert werden oder kann eine chemische Bindung mit dem in Wasser löslichen Teilchen eingehen oder kann in Kontakt mit den in Wasser löslichen Teilchen über beide Möglichkeiten oben kommen. Als Material, dass die äußere Schale bildet, kann Epoxyharz, Polimid, Polyamid, Polysilicat und ähnliches genannt werden. Die äußere Schale, selbst wenn nur ein Teil der in Wasser löslichen Teilchen mit ihr versehen ist, kann sie ausreichend die Wirkung zeigen.
  • Die in Wasser lösliche Matrix kann, um die Affinität mit den in Wasser löslichen Teilchen und die Dispersionseigenschaften der in Wasser löslichen Teilchen in der in Wasser unlöslichen Matrix zu kontrollieren, ein die Verträglichkeit beeinflussendes Mittel enthalten. Als die Verträglichkeit beeinflussendes Mittel kann ein Polymer, das durch eine Säureanhydridgruppe, Carboxylgruppe, Hydroxylgruppe, Epoxygruppe, Oxazolingruppe, Aminogruppe und ähnliches modifiziert ist, ein Blockcopolymer, ein statistisches Copolymer, weiter verschiedene Arten von nichtionischen oberflächenaktiven Stoffen, Kupplungsmittel und ähnliches genannt werden.
  • Des weiteren kann die in Wasser unlösliche Matrix andere als das die Verträglichkeit beeinflussende Mittel enthalten, eine Art oder zwei oder mehr Arten von Poliermittel, Oxidationsmittel, Hydroxide von Alkalimtetall, Säure, pH Einstellmittel und Antikratzmittel, die schon immer enthalten waren. Des weiteren kann die in Wasser unlösliche Matrix ein Salz enthalten, dass eine Säure bildet, wenn es verwendet wird. Dadurch kann durch weitere Zugabe von Wasser allein das Polieren ausgeführt werden.
  • Als Poliermittel können Teilchen wie Kieselsäure, Aluminium, Cer, Zirkon, Titan und ähnliches genannt werden. Eine Art oder zwei oder mehrere Arten von diesen können verwendet werden.
  • Als Oxidationsmittel können Wasserstoffperoxid, Peressigsäure, Perbenzoesäure, organische Peroxide, wie tert-Butylwasserstoffperoxid, Permanganate, wie Kaliumpermanganat, Dichromate, wie Kaliumdichromat, Halogensäureverbindungen, wie Kaliumiodat, Nitrate, wie Salpetersäure, Eisennitrat, Perhalogensäureverbindungen, wie Perchlursäure, Persulfat, wie Ammoniumpersulfat, Heteropolysäuren und ähnliches genannt werden. Unter diesen Oxidationsmittel sind, anders als Wasserstoffperoxid und organische Peroxide, deren Zersetzungsprodukte nicht harmlos sind, Persulfat, wie Ammoniumpersulfat, ist besonders bevorzugt. Eine Art oder mehrere ihrer Arten können verwendet werden.
  • Als Hydroxid der Alkalimetalle, können Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid, Rubidiumhydroxid, Caesiumhydroxid und ähnliches genannt werden. Eine Art oder mehrere ihrer Arten können verwendet werden.
  • Als Säuren können organische Säuren und anorganische Säuren genannt werden. Unter diesen können als organische Säuren p-Toluolschwefelsäure, Dodecyl-bezolschwefelsäure, Isoprenschwefelsäure, Glukonsäure, Milchsäure, Zitronensäure, Weinsäure, Äpfelsäure, Glykolsäure; Malonsäure, Ameisensäure, Oxalsäure, Bernsteinsäure, Fumarsäure, Maleinsäure, Phthalsäure und ähnliches genannt werden. Des Weiteren können als anorganische Säure, Salpetersäure, Salzsäure, Schwefelsäure und ähnliches genannt zu werden. Eine Art oder zwei Arten von ihnen können verwendet werden.
  • Als Salz können Ammoniumsalze, Alkalimetallsalze, wie Natriumsalze und Kaliumsalze und Erdalkalimetallsalze, wie Calciumsalze und Magnesiumsalze von den obigen Salzen genannt werden. Eine Art oder zwei Arten von ihnen können verwendet werden.
  • Als Tensid, kann ein kationisches Tensid, ein anionisches Tensid und ähnliches genannt werden. Von diesen können als anionische Tenside Carboxylate, wie Fettsäureseifen und Alkylethercarboxylate, Sulfonate, wie Alkylbenzolsulfonate, Alkylnaphthalensulfonate und α-Olefinsulfonate, Schwefelestersalze wie Schwefelestersalz von höherem Alkohol, Alkylethersulfate, Polyoxyethylenalkylphenyethersulfate und Phospohorestersalze, wie Alkylphosphorestersalz und ähnliche genannt werden. Eine Art oder zwei Arten von ihnen können verwendet werden.
  • Als Antikratzmittel können Bisphenol, Bipyridyl, 2-Vinylpyridin, 4-Vinylpyridin, Salicylaldoxim, o-Phenylendiamin, m-Phenylendiamin, Catechol, o-Aminophenol, Thioharnstoff, N-Alkylgruppen enthaltendes(Meth)acrylamid, N-Aminoalkylgruppen enthaltendes (Methyl)acrylamid, 7-Hydroxy-5-methyl-1,3,4-Triazaindolizin, 5-Methyl-1H-Benzotriazol; Phthalazin, Melamin, 3-Amino-5,6-dimethyl-1,2,4-triazin und ähnliche genannt werden. Eine Art oder zwei Arten von ihnen können verwendet werden.
  • Des Weiteren kann die in Wasser unlösliche Matrix, anders als das Verträglichkeit beeinflussendes Mittel und die verschiedenen Arten von Materialien, die bis jetzt in dem Slurry enthalten sind, verschiedene Arten von Additiven wie Füllstoffe, Weichmacher, Antioxidationsmittel, UV-Absorber, antistatische Mittel, Gleitmittel, Weichmacher enthalten. Unter diesen können als Material, um den Füllstoff zu bilden, Materialien, die die Steifheit verbessern, wie Calciumcarbonat, Magnesiumcarbonat, Talk und Ton, Materialien, die Poliereffekte aufweisen, wie Kieselsäure, Aluminium, Cerdioxid, Zirkon, Titanoxid, Magnesiumdioxid, Mangansesquioxid und Bariumcarbonat verwendet werden.
  • Die Form des erfindungsgemäßen Polierkissens ist nicht beschränkt und kann zum Beispiel in Form einer Scheibe, in Form eines Bandes und in Form eines Walze ausgebildet sein, es ist bevorzugt es gemäß der entsprechenden Poliervorrichtung auszuwählen. Zusätzlich ist die Größe des Polierkissens vor dem Polieren nicht besonders beschränkt und im Fall, dass ein Polierkissen in Form einer Scheibe verwendet wird, wird zum Beispiel ein Durchmesser im Bereich von 0,5 bis 500 cm, bevorzugt im Bereich von 1,0 bis 250 cm und besonders bevorzugt von 20 bis 200 cm ausgebildet und die Dicke kann von mehr als 0,1 mm und 100 mm oder weniger, insbesondere in dem Bereich von 1 bis 10 mm ausgebildet werden.
  • Weder ist eine Verfahren zur erfindungsgemäßen Herstellung des Polierkissens noch ein Verfahren zur Bildung einer Rille (a), eines konkaven Teils (b) und eines durchgehenden Lochs (c), die das Polierkissen aufweist, besonders beschränkt. Zum Beispiel eine Zusammensetzung für das Polierkissen, das ein Polierkissen wird, wird in voraus erhalten; die Zusammensetzung wird in einer gewünschten Rohform ausgebildet; und danach können die Rille (a), der konkave Teil (b) und das durchgehende Loch (c) gemäß dem Schneiden gebildet werden. Des Weiteren, wenn eine Zusammensetzung mit einer Form gebildet wird, auf der ein Muster, das eine Rille (a), ein konkaver Teil (b) und ein durchgehende Loch (c) wird, gebildet ist, eine Rohform des Polierkissens und der Rille (a), des konkaven Teils (b) und des durchgehenden Lochs (c) können gleichzeitig gebildet werden. Des Weiteren kann dieses Schneiden und Formbilden zusammen ausgeführt werden. Gemäß dem Schreiben und Formbilden kann die Rauheit der Oberfläche Ra der inneren Oberfläche der Rille (a), des konkaven Teils (b) und des durchgehenden Lochs (c) leicht auf 20 um oder weniger ausgebildet werden. Wenn das Polierkissen eines ist, bei dem die Leerstellen in der in Wasser unlöslichen Matrix, wie in einem geschäumten Körper dispergiert sind, wird beim bilden der Form normalerweise eine Abscheideschicht (skin layer) auf der Oberfläche gebildet und die Poren werden nicht ausgebildet; demgemäß kann es nicht als Polierkissen verwendet werden.
  • Ein Verfahren zum Erhalten der Zusammensetzung für das Polierkissen ist nicht besonders beschränkt. Es kann durch zum Beispiel Kneten der notwendigen Materialien, wie vorbestimmte organische Materialien, unter Verwendung einer Knetmaschine, erhalten werden. Als Knetmaschine kann eine bekannte Knetmaschine verwendet werden. Zum Beispiel kann als Knetmaschine eine solche wie eine Walze, ein Kneter, Banbarymischer, ein Extruder (einwellig oder vielwellig) und ähnliches erwähnt werden.
  • Die Zusammensetzung, die die in Wasser löslichen Teilchen enthält, kann durch Kneten, zum Beispiel der in Wasser unlöslichen Matrix, der in Wasser löslichen Teilchen und anderer Additive erhalten werden. Um es zu ermöglichen, dass beim Kneten leicht gearbeitet wird, werden diese Materialien erwärmt und geknetet. Bei einer Temperatur zu dieser Zeit sind die in Wasser löslichen Teilchen vorzugsweise fest. Wenn das in Wasser lösliche Teilchen fest ist, unabhängig von der Größe der Kompatibilität mit der in Wasser unlöslichen Matrix, können diese mit dem bevorzugten durchschnittlichen Durchmesser dispergiert werden. Demgemäß ist es bevorzugt, in Übereinstimmung mit der Arbeitstemperatur der in Wasser unlöslichen Matrix, die verwendet werden soll, eine Art von in Wasser löslichen Teilchen auszuwählen.
  • Ein vielschichtiges Polierkissen gemäß einer erfindungsgemäßen Ausführungsform weist eine Polierschicht auf, die zumindest eine Komponente ausgewählt aus der Gruppe, die aus einer Rille (a), die zumindest eine Art der Form aufweist, die aus ringförmig, gitterähnlich und einer Spiralform ausgewählt wird, auf einer Seite der Polieroberfläche, einem konkaven Teil (b) und einem durchgehenden Loch (c), wobei die Oberflächenrauheit Ra der inneren Oberfläche von diesem Teil 20 μm oder weniger beträgt und einer Trägerschicht besteht, die auf die nicht polierende Seite der Oberfläche der Polierschicht laminiert ist.
  • Als Ausführungsformen des vorliegenden vielschichtigen Polierkissens, können (1) eines, das mit einer Polierschicht versehen ist, die nur eine Rille (a) aufweist, die zumindest eine Form aufweist, die aus ringförmig, gitterähnlich und einer Spiralform ausgewählt wird und deren innere Oberfläche eine Rauheit der Oberfläche Ra von 20 μm oder weniger und eine Trägerschicht, die auf der nicht polierenden Seite der Oberfläche der Polierschicht angeordnet ist, aufweist, (2) eines das mit einer Polierschicht versehen ist, die nur einen konkaven Teil (b) aufweist, dessen innere Oberfläche eine Rauheit der Oberfläche Ra von 20 μm oder weniger und eine Trägerschicht, die auf der nicht polierenden Seite der Oberfläche der Polierschicht angeordnet ist, aufweist, (3) eines das mit einer Polierschicht versehen ist, die nur ein durchgehendes Loch (c) aufweist, dessen innere Oberfläche eine Rauheit der Oberfläche Ra von 20 μm oder weniger und eine Trägerschicht, die auf der nicht polierenden Seite der Oberfläche der Polierschicht angeordnet ist, aufweist, (4) eines das mit einer Polierschicht versehen ist, die zumindest zwei Teile einschließt, die aus einer Rille (a), einem konkaven Teil (b) und einem durchgehenden Loch (c) aufweist, dessen innere Oberfläche eine Rauheit der Oberfläche Ra von 20 μm oder weniger und eine Trägerschicht, die auf der nicht polierenden Seite der Oberfläche der Polierschicht angeordnet ist, aufweist und ähnliches erwähnt werden.
  • Als die Polierschicht des vielschichtigen Polierkissens, kann das obige erfindungsgemäße Polierkissen verwendet werden.
  • Die Trägerschicht ist eine Schicht, die die Polierschicht und ähnliches auf einer nicht polierenden Seite der Oberfläche der Polierschicht trägt. Die Trägerschicht ist nicht besonders in ihren Eigenschaften beschränkt und sie ist vorzugsweise weicher als die Polierschicht. Wenn die Trägerschicht weicher ausgebildet wird, selbst wenn die Dicke der Polierschicht dünn (zum Beispiel 5 mm oder weniger) ist, wird die Polierschicht daran gehindert abzublättern rise* oder die Oberfläche der Polierschicht daran sich abzuheben, während dem Polieren; was zu einem stabilen Polieren führt. Die Härte der Trägerschicht beträgt vorzugsweise 90 % oder weniger der Polierschicht, bevorzugt 80 % oder weniger, besonders bevorzugt 70 % oder weniger und normalerweise 10 % oder mehr.
  • Des Weiteren beträgt die Shore D Härte vorzugsweise 70 oder weniger (bevorzugt 60 oder weniger und besonders bevorzugt 50 oder weniger).
  • Zusätzlich kann die Trägerschicht ein poröser Körper (geschäumter Körper) oder ein nicht poröser Körper sein. Des Weiteren ist die ebene Form nicht besonders beschränkt und kann dieselbe sein wie die Polierschicht oder verschieden von der Polierschicht sein. Als eine ebene Form der Trägerschicht kann zum Beispiel ein Kreis, ein Polygon (Tetragon und ähnliches) und ähnliches angenommen adopted* werden. Des Weiteren ist die Dicke der Trägerschicht nicht besonders beschränkt, kann aber, zum Beispiel in dem Bereich von 0,1 bis 5 mm, bevorzugt in dem Bereich von 0,5 bis 2 mm ausgebildet sein.
  • Ein Material, das die Trägerschicht bildet, ist nicht besonders beschränkt. Im Hinblick auf die Leichtigkeit eine vorbestimmte Form und Zustand und die Fähigkeit eine geeignete Elastizität zu verleihen, zu bilden, wird vorzugsweise ein organisches Material verwendet. Als organisches Material können die organischen Materialien verwendet werden, die die in Wasser unlösliche Matrix bei dem Polierkissen oben bilden. Jedoch kann das organische Material, das die Trägerschicht bildet, ein vernetztes Polymer oder ein nicht vernetztes Polymer sein.
  • Das vielschichtig Polierkissen kann mit nur einer Trägerschicht oder zwei oder mehreren Schichten versehen sein. Zusätzlich kann die Trägerschicht und die Polierschicht direkt laminiert sein oder kann über eine andere Schicht laminiert sein. Des Weiteren kann die Trägerschicht an der Polierschicht oder einer anderen Schicht mit einem Haftmittel haften, einem Haftmaterial (Klebeband und ähnliches) und ähnlichem oder kann in einem Stück daran durch teilweises Schmelzen verbunden sein.
  • Das vorliegende Polierkissen und das vielschichtige Polierkissen kann mit einem Loch, einem Fenster und ähnlichem für die Endpunkterkennung versehen sein.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine schematische Draufsicht eines Beispiels des erfindungsgemäßen Polierkissen.
  • 2 ist eine schematische Draufsicht, die ein anderes Beispiels des erfindungsgemäßen Polierkissen zeigt.
  • 3 ist eine schematische graphische Darstellung eines Teilquerschnitts, einschließlich einer Rille des erfindungsgemäßen Polierkissens.
  • 4 ist eine schematische Draufsicht, die ein anderes Beispiels des erfindungsgemäßen Polierkissen zeigt.
  • 5 ist eine schematische Draufsicht, die ein anderes Beispiels des erfindungsgemäßen Polierkissen zeigt.
  • 6 ist eine schematische Draufsicht, die ein anderes Beispiels des erfindungsgemäßen Polierkissen zeigt.
  • 7 ist eine schematische Draufsicht, die ein anderes Beispiels des erfindungsgemäßen Polierkissen zeigt.
  • 8 ist eine schematische Draufsicht, die ein anderes Beispiels des erfindungsgemäßen Polierkissen zeigt.
  • 9 ist eine schematische Draufsicht, die ein anderes Beispiels des erfindungsgemäßen Polierkissen zeigt.
  • 10 ist eine schematische graphische Darstellung eines Teilquerschnitts, einschließlich eines konkaven Teils des erfindungsgemäßen Polierkissens.
  • 11 ist eine erklärende graphische Darstellung eines mikroskopischen Bildes eines Teilschnitts des Polierkissens gemäß dem Beispiel 1-1.
  • 12 ist eine erklärende graphische Darstellung eines mikroskopischen Bildes eines Teilschnitts des Polierkissens gemäß dem Vergleichsbeispiel 1-1.
  • 13 ist eine erklärende graphische Darstellung eines mikroskopischen Bildes eines Teilschnitts des Polierkissens gemäß dem Beispiel 2-1.
  • 14 ist eine erklärende graphische Darstellung eines mikroskopischen Bildes eines Teilschnitts des Polierkissens gemäß dem Beispiel 3-1.
  • 15 ist eine erklärende graphische Darstellung eines mikroskopischen Bildes eines Teilschnitts des Polierkissens gemäß dem Beispiel 4-1.
  • BEISPIEL
  • Die vorliegenden Erfindung wird speziell unten mittels Beispielen erklärt.
  • [1] Polierkissen, das eine ringförmige Rille aufweist.
  • 1-1 Herstellung des Polierkissen.
  • Beispiel 1-1
  • 80 Volumenteile an 1,2-Polybutadien (Handelsname "JSR RB830" hergestellt durch JSR Corp.), die eine in Wasser unlösliche Matrix wird, indem es vernetzt und 20 Volumenteile an β-Cyclodextrin (Handelsname "Dexipearl β-100" hergestellt durch Bio Research Corporation von Yokohama, durchschnittlicher Durchmesser der Teilchen; 20 μm), als in Wasser lösliche Teilchen, wurden mit einem Schneckenextruder geknetet, dessen Temperatur bei 160 °C kontrolliert wurde und dadurch wurden weiße Pellets erhalten. Danach wurden 0,3 Volumenteile an organischem Peroxid (Handelsname: "Percumyl D-40" hergestellt von NOF CORP.) eingemischt und weiter bei 120 °C geknetet; das geknetete Material wurde in eine Form extrudiert und auf 170 °C 18 Minuten lang erwärmt, um zu vernetzen; und dadurch wurde ein Scheiben-ähnlich geformter Körper, der einen Durchmesser von 60 cm und eine Dicke von 2,5 mm aufweist, erhalten. Danach wurden konzentrische kreisförmige Rillen, die eine Breite von 0,5 mm, eine Tiefe von 1 mm, eine Ganghöhe von 1,5 mm und eine Länge zwischen benachbarten Rillen von 1 mm aufweisen, die in 1 gezeigt werden, auf einer Seite der Oberfläche des geformten Körpers mit einer Scheidemaschine, die von Kato Kikai Co.; Ltd, hergestellt wurde, gebildet.
  • An anderer Stele wurden die Rauheit der Oberfläche Ra an der inneren Oberfläche der Rille aus drei verschiedenen Ansichtsfeldern mit einem dreidimensionalen, die Struktur der Oberfläche analysierenden, Mikroskop (Handelsname "Zygo New View 5032" hergestellt von CANON Inc.) gemessen. Als Ergebnis betrug die Rauheit der Oberfläche 1,8 μm.
  • Ein Abschnitt eines Teils der Rille für das Polierkissen wurde vergrößert und mit einem optischen Mikroskop beobachtet. Das erhaltene Bild des Mikroskops wird in 11 gezeigt.
  • Beispiel 1-2
  • 100 Volumenteile 1, 2 Polybutadien (Handelsname "JSR RB 840" hergestellt von JSR Corp.), dass eine in Wasser unlösliche Matrix durch Vernetzen bildet und 100 Volumenteile an in Wasser löslichen Teilchen (durchschnittlicher Durchmesser der Teilchen: 20 μm), die durch Beschichten von β-Cyclodextrin (Handelsname "Dexipearl β-100" hergestellt durch Bio Research Corporation von Yokohama) auf ein Polypeptid erhalten wurde, wurden mit einem Schneckenextruder, dessen Temperatur auf 160 °C eingestellt wird, geknetet und dadurch wurden weiße Pellets erhalten. Danach wurden 0,3 Volumenteile an organischem Peroxid (Handelsname "Perhexine 25B" hergestellt durch NOF Corp.) mit weißen Pellets eingemischt und weiter bei 120 °C geknetet und dadurch wurden weiße Pellets erhalten. An der nächsten Stelle wurden die mit Peroxid versehenen Pellets in eine Form die* eingebracht und auf 190 °C 10 Minuten lang erwärmt, um zu vernetzen; und dadurch wurde ein Scheiben-ähnlich geformter Körper, der einen Durchmesser von 60 cm und eine Dicke von 2,5 mm aufweist, erhalten. Danach wurden auf einer Seite der Oberfläche des geformten Körpers konzentrische kreisförmige Rillen, die eine Breite von 0,5 mm, eine Tiefe von 0,5 mm, eine Ganghöhe von 1,2 mm und eine Länge zwischen den benachbarten Rille 0,7 mm aufweisen, mit einer Schneidemaschine ähnlich zu Beispiel 1-1 geformt.
  • Als nächstes wurde die Rauheit Ra der Oberfläche auf einer inneren Oberfläche der Rille ähnlich zu Beispiel 1-1 gemessen. Als Ergebnis betrug die Rauheit der Oberfläche Ra 1,5 μm.
  • Vergleichsbeispiel 1-1
  • Die Rauheit der Oberfläche Ra einer inneren Oberfläche einer Rille für ein Polierkissen, das aus geschäumtem Polyurethan hergestellt wurde, das eine ringförmige Rille aufweist, die eine Breite von 0,25 mm, eine Tiefe von 0,4 mm, eine Ganghöhe von 1,5 mm (Handelsname "IC 1101" hergestellt von Rodel Nitta Co.) aufweist, wurde ähnlich zu Beispiel 1-1 gemessen. Als Ergebnis betrug die Rauheit Ra der Oberfläche 30 μm.
  • Zusätzlich wurde ein Abschnitt eines Teils der Rille für das Polierkissen vergrößert und mit einem optischen Mikroskop beobachtet. Das erhaltene Bild des Mikroskops wird in 12 gezeigt.
  • 1-2 Beurteilung der Polierleistungsfähigkeit.
  • Die Polierkissen gemäß den Beispielen 1-1 und 1-2 und Vergleichsbeispiel 1-1 wurde jedes auf einer Oberflächenplatte einer Poliervorrichtung angebracht (Handelsname "Lap Master LM-15" hergestellt von SFT Corp.) und ein Wafer mit einer SiO2 Schicht wurde 2 Minuten unter den Bedingungen einer Umdrehungszahl von 50 U/min und einer Fließrate von 100 cm2/min eines chemisch mechanischen Polierslurry (Handelsname "CMS 1101" hergestellt von JSR Corp.), der um das dreifache verdünnt wurde, poliert. Jedes Polierkissen bezüglich der Abtragrate, Kratzer, Fremdkörper und dem Zustand der Poren beurteilt. Die jeweiligen Meßverfahren wurde wie folgt durchgeführt.
    • (1) Abtragrate; Die Dicken vor und nach dem Polieren wurde mit einem optischen Dickenmesser gemessen und eine Abtragrate wurde aus diesen Dicken berechnet.
    • (2) Kratzer und Fremdkörper; die polierten Oberflächen des SiO2 Schichtwafer wurden nach dem Polieren mit einem Elektronenmikroskop beobachtet. Die Beurteilungskriterien der Kratzer waren wie folgt; das heißt O; kein Kratzer wurde beobachtet, X; Kratzer wurden beobachtet. Und die Beurteilungskriterien für Fremdkörper waren wie folgt; das heißt O; kein Fremdkörper wurde beobachtet, X; Fremdkörper wurden beobachtet.
    • (3) Der Zustand der Poren; Eine Oberfläche von jedem poliertem Polierkissen wurde 5 Minuten mit #400 Diamantschleifmittel poliert, gefolgt von einem Putzen und danach wurde der Zustand der Poren auf der geputzten Oberfläche mit einem Elektronenmikroskop beobachtet. Die Beurteilungskriterien waren wie folgt; das heißt, O; so gut wie alle Poren waren offen, X; die Poren waren teilweise verstopft.
  • Die Ergebnisse von (1) bis (3) werden zusammen in Tabelle 1 gezeigt.
  • Tabelle 1
    Figure 00310001
  • Aus den Meßergebnissen der Rauheit der Oberfläche ist gefunden worden, dass die Rille des Polierkissens gemäß dem Vergleichsbeispiel 1-1 groß bei der Unebenheit der inneren Oberfläche ist, nämlich nicht einheitlich. Zusätzlich wird gemäß 12 ein großer Überstand gesehen. Zusätzlich zeigt Figur 3.63 in Detailed Semiconductor CMP Technology (detailierte Halbleiter CMP Technologie), herausgegeben von Doi Toshirou (Kogyo Chosakai, erste Auflage), auf Seite 114 ein Bild eines Abtastelektronenmikroskops eines geschäumten Polierkissen aus Polyurethan (Handelsname "IC1000" hergestellt von Rodel Nitta Co.) ähnlich dem Polierkissen, das im Vergleichsbeispiel 1-1 verwendet wird, zu sehen. Auch aus diesem Mikroskopbild wird gefunden, dass es eine größere Unebenheit bei der Rille, im Vergleich mit 11 gemäß Beispiel 1-1, gibt.
  • Gemäß den Ergebnissen in Tabelle 1, wurden die Kratzer und Fremdkörper auf der polierten Oberfläche beobachtet, die mit einem Polierkissen gemäß dem Vergleichsbeispiel 1-1 poliert wurden. Zusätzlich waren die Poren nach dem Putzen teilweise verstopft, das heißt geschlossen. Insbesondere waren fast alle Poren in der Umgebung der offenen Teile der Rille, die wahrscheinlich beim Putzen verstopft wurden, verstopft. Des Weiteren ist gefunden worden, das die Abtragrate des Vergleichsbeispiels 1-1 ein viertel der des Beispiels 1-1 und ein fünftel des Beispiels 1-2 betrug, das heißt weit schlechter als diese. Dies wird berücksichtigt, weil die Poren mit Fremdkörpern und ähnlichem während des Polierens verstopft wurden.
  • Auf der anderen Seite waren bei den Polierkissen gemäß den Beispielen 1-1 und 1-2 eine Seitenoberfläche und eine Bodenoberfläche innerhalb der Rille sehr gering bei der Rauheit der Oberfläche, das heißt glatt. Das kann durch 11 bestätigt werden. Demgemäß wurde Kratzer und Fremdkörper kaum auf der polierten Oberfläche beobachtet. Des Weiteren waren fast alle Poren komplett offen, selbst nach dem Putzen, und alle Poren in der Umgebung der Öffnung der Rille waren insbesondere offen. Die Abtragrate gemäß dem Vergleichsbeispiel 1-1 war das vierfache des Beispiels 1-1 und das fünffache des Beispiels 1-2. Dies wird berücksichtigt, weil die Poren nicht auf Grund von Fremdkörpern verstopft sind.
  • [2] Polierkissen, das eine Gitter-ähnliche Rille aufweist
  • 2-1 Herstellung des Polierkissens
  • Beispiel 2-1
  • Auf einer Oberflächenseite des Scheiben-ähnlich geformten Körpers, der nach Beispiel 1-1 erhalten wurde und weist einen Durchmesser von 60 cm und eine Dicke von 2,5 mm auf, wobei bei den Gitter- ähnlichen Rillen die Breite 0,5 mm beträgt, die Tiefe 1 mm beträgt und die longitudinale Ganghöhe beträgt 5 mm und eine querverlaufende Ganghöhe beträgt 5 mm und eine ebene Form eines Musters, das ein Gitter bildet, ein Quadrat ist, das in 4 gezeigt wird, wurden mit einer Schneidemaschine gebildet, die von Kato Kikai Co., Ltd hergestellt wurde.
  • Als nächstes wurden aus den erhaltenen Polierkissen ein Stück zur Verwendung bei der Messung der Rauheit der Oberfläche geschnitten, so dass eine Rille in eine Breitenrichtung eingeschlossen sein kann. Danach wurde die Rauheit Ra der Oberfläche auf einer inneren Oberfläche der Rille aus drei verschiedenen Ansichtsfeldern des Stücks mit dem oben erwähnten dreidimensionalen analytischen Strukturmikroskop gemessen. Als Ergebnis betrug die Rauheit der Oberfläche Ra 2,5 μm.
  • Ein Abschnitt eines Teils der Rille für das Polierkissen wurde vergrößert und mit einem optischen Mikroskop beobachtet. Das erhaltene Mikroskopbild wird in 13 gezeigt.
  • Beispiel 2-2
  • Auf einer Oberflächenseite des Scheiben-ähnlich gebildeten Körpers, das in Beispiel 1-2 erhalten wurde und einen Durchmesser von 60 cm und eine Dicke von 2,5 mm aufweist, mit einer Schneidemaschine, ähnlich wie in Beispiel 2-1, wurden Gitter-ähnliche Rillen, bei der die Breite 1 mm, die Tiefe 1 mm, die longitudinale Ganghöhe 10 mm und eine querverlaufende Ganghöhe 10 mm aufweist und eine ebene Form eines Musters, das ein Gitter bildet, das ein Quadrat ist, gebildet.
  • Als nächstes wurde die Rauheit der Oberfläche Ra einer inneren Oberfläche der Rille ähnlich wie in Beispiel 2-1 gemessen. Als Ergebnis betrug die Rauheit der Oberfläche 2,2 μm.
  • Vergleichsbeispiel 2-1
  • Die Rauheit der Oberfläche Ra der inneren Oberfläche einer Rille eines Polierkissens, das aus geschäumtem Polyurethan gemacht ist, weist eine Gitter-ähnliche Rille auf, die eine Breite von 2 mm, eine Tiefe von 0,5 mm, eine longitudinale Ganghöhe von 15 mm und eine querverlaufende Ganghöhe von 15 mm (Handelsname "IC1000" hergestellt von Rodel Nitta Co.) aufweist, wurde ähnlich wie in Beispiel 2-1 gemessen. Als Ergebnis betrug die Rauheit der Oberfläche Ra 25 μm.
  • 2-2 Überprüfung der Polierleistungsfähigkeit
  • Ähnlich zu [1], wurden die Poliereigenschaften der Polierkissen gemäß den Beispielen 2-1 und 2-2 und Vergleichsbeispiel 2-1 überprüft. Die Ergebnisse werden in Tabelle 2 gezeigt.
  • Tabelle 2
    Figure 00340001
  • Aus den Meßergebnissen der Rauheit der Oberfläche wurde gefunden, dass die Rille des Polierkissens gemäß dem Vergleichsbeispiel 1-1 größer bei der Unebenheit der inneren Oberfläche ist, nämlich nicht einheitlich. Zusätzlich zeigt Figur 3.63 in Detailed Semiconductor CMP Technology (detailierte Halbleiter CMP Technologie), herausgegeben von Doi Toshirou (Kogyo Chosakai, erste Auflage), auf Seite 114 ein Bild eines Abtastelektronenmikroskops eines geschäumten Polierkissen aus Polyurethan (Handelsname "IC1000" hergestellt von Rodel Nitta Co.) ähnlich dem Polierkissen zu sehen, das im Vergleichsbeispiel 1-1 verwendet wird. Auch aus diesem Mikroskopbild wird gefunden, dass es eine größere Unebenheit bei der Rille gibt, im Vergleich mit 13 gemäß Beispiel 2-1.
  • Gemäß den Ergebnissen in Tabelle 2, wurden die Kratzer und Fremdkörper auf der polierten Oberfläche beobachtet, die mit einem Polierkissen gemäß dem Vergleichsbeispiel 2-1 poliert wurden. Zusätzlich waren die Poren nach dem Putzen teilweise verstopft, das heißt geschlossen. Insbesondere waren fast alle Poren in der Umgebung der offenen Teile der Rille, die wahrscheinlich beim Putzen verstopft wurden, verstopft. Des Weiteren ist gefunden worden, das die Abtragrate des Vergleichsbeispiels 2-1 ein viertel der des Beispiels 2-1 und ein fünftel des Beispiels 2-2 betrug, das heißt weit schlechter als diese. Dies wurde berücksichtigt, weil die Poren mit Fremdkörpern und ähnlichem während des Polierens verstopft wurde.
  • Auf der anderen Seite waren bei den Polierkissen gemäß den Beispielen 2-1 und 2-2 eine Seitenoberfläche und eine Bodenoberfläche innerhalb der Rille sehr gering bei der Rauheit der Oberfläche, das heißt glatt. Das kann durch 13 bestätigt werden. Demgemäß wurde Kratzer und Fremdkörper kaum auf einer polierten Oberfläche beobachtet. Des Weiteren waren fast alle Poren komplett offen nach dem Putzen und alle Poren in der Umgebung der Öffnung der Rille waren insbesondere offen. Die Abtragrate gemäß dem Vergleichsbeispiel 2-1 war das vierfache des Beispiels 2-1 und das dreifache des Beispiels 1-2. Dies wurde berücksichtigt, weil die Poren nicht auf Grund von Fremdkörpern verstopft sind.
  • [3] Polierkissen, das eine Spiral-förmige Rille aufweist
  • 3-1 Herstellung des Polierkissens
  • Beispiel 3-1
  • Auf einer Oberflächenseite des Scheiben-ähnlich gebildeten Körpers, der nach Beispiel 1-1 erhalten wurde und der einen Durchmesser vor. 60 cm und eine Dicke von 2,5 mm aufweist, bei den Spiral-förmigen Rillen beträgt die Breite 1 mm, die Tiefe beträgt 1 mm und die Ganghöhe beträgt 2,5 mm und eine Länge zwischen benachbarten Rillen beträgt 1,5 mm, die in 7 gezeigt werden, wurden mit einer Schneidemaschine gebildet, die von Kato Kikai Co., Ltd hergestellt wurde.
  • Als nächstes wurde von dem erhaltenen Polierkissen ein Stück zur Verwendung bei der Messung der Rauheit der Oberfläche geschnitten, so dass eine Rille in eine Breitenrichtung eingeschlossen sein kann. Danach wurde die Rauheit Ra der Oberfläche auf einer inneren Oberfläche der Rille aus drei verschiedenen Ansichtsfeldern des Stücks mit dem oben erwähnten dreidimensionalen analytischen Strukturmikroskop gemessen. Als Ergebnis betrug die Rauheit der Oberfläche Ra 2,0 μm.
  • Ein Abschnitt eines Teils der Rille für das Polierkissen wurde vergrößert und mit einem optischen Mikroskop beobachtet. Das erhaltene Mikroskopbild wird in 14 gezeigt.
  • Beispiel 3-2
  • Auf einer Oberflächenseite des Scheiben-ähnlich gebildeten Körpers, der in Beispiel 1-2 erhalten wurde und einen Durchmesser von 60 cm und eine Dicke von 2,5 mm aufweist, mit einer Schneidemaschine, ähnlich wie in Beispiel 3-1, wurden Spiral-förmige Rillen, bei denen die Breite 0,5 mm, die Tiefe 0,5 mm, die Ganghöhe 1,7 mm und eine Länge zwischen benachbarten Rillen 1,2 mm beträgt, gebildet.
  • Als nächstes wurde die Rauheit der Oberfläche Ra einer inneren Oberfläche der Rille ähnlich wie in Beispiel 3-1 gemessen. Als Ergebnis betrug die Rauheit der Oberfläche 1,9 μm.
  • Vergleichsbeispiel 3-1
  • Die Rauheit der Oberfläche Ra der inneren Oberfläche einer Rille eines Polierkissens, das aus geschäumtem Polyurethan gemacht ist, weist eine spiral-förmige Rille auf, die eine Breite von 0,25 mm, eine Tiefe von 0,4 mm und eine Ganghöhe von 1,5 mm (Handelsname "IC1000" hergestellt von Rodel Nitta Co.) aufweist, wurde ähnlich wie in Beispiel 3-1 gemessen. Als Ergebnis betrug die Rauheit der Oberfläche Ra 25 μm.
  • 2-2 Überprüfung der Polierleistungsfähigkeit
  • Ähnlich zu [1], wurden die Poliereigenschaften der Polierkissen gemäß den Beispielen 3-1 und 3-2 und Vergleichsbeispiel 3-1 überprüft. Die Ergebnisse werden in Tabelle 3 gezeigt.
  • Tabelle 3
    Figure 00370001
  • Aus den Meßergebnissen der Rauheit der Oberfläche wurde gefunden, dass die Rille des Polierkissens gemäß dem Vergleichsbeispiel 3-1 größer bei der Unebenheit der inneren Oberfläche ist, nämlich nicht einheitlich. Zusätzlich zeigt Figur 3.63 in Detailed Semiconductor CMP Technology (detailierte Halbleiter CMP Technologie), herausgegeben von Doi Toshirou (Kogyo Chosakai, erste Auflage), auf Seite 114 ein Bild eines Abtastelektronenmikroskops eines geschäumten Polierkissen aus Polyurethan (Handelsname "IC1000" hergestellt von Rodel Nitta Co., weist eine Rille auf der polierenden Seite der Oberfläche auf) ähnlich dem Polierkissen gezeigt, das im Vergleichsbeispiel 3-1 verwendet wird. Auch aus diesem Mikroskopbild wird gefunden, dass es eine größere Unebenheit bei der Rille gibt im Vergleich mit 14 gemäß Beispiel 3-1.
  • Gemäß den Ergebnissen in Tabelle 3, wurden die Kratzer und Fremdkörper auf der polierten Oberfläche beobachtet, die mit einem Polierkissen gemäß dem Vergleichsbeispiel 3-1 poliert wurden. Zusätzlich waren die Poren nach dem Putzen teilweise verstopft, das heißt geschlossen. Insbesondere waren fast alle Poren in der Umgebung der offenen Teile der Rille, die wahrscheinlich beim Putzen verstopft wurden, verstopft. Des Weiteren ist gefunden worden, das die Abtragrate des Vergleichsbeispiels 2-1 im wesentlichen ein viertel der des Beispiels 3-1 und im wesentlichen ein fünftel des Beispiels 3-2 betrug, das heißt, weit schlechter als diese. Dies wird berücksichtigt, weil die Poren mit Fremdkörpern und ähnlichem während des Polierens verstopft wurde.
  • Auf der anderen Seite waren bei den Polierkissen gemäß den Beispielen 3-1 und 3-2 eine Seitenoberfläche und eine Bodenoberfläche innerhalb der Rille sehr gering bei der Rauheit der Oberfläche, das heißt glatt. Das kann durch 14 bestätigt werden. Demgemäß wurde Kratzer und Fremdkörper kaum auf einer polierten Oberfläche beobachtet. Des Weiteren waren fast alle Poren komplett offen nach dem Putzen und alle Poren in der Umgebung der Öffnung der Rille waren insbesondere offen. Die Abtragrate gemäß dem Vergleichsbeispiel 3-1 war das vierfache des Beispiels 3-1 und so groß wie mehr als das fünffache des Beispiels 3-2. Dies wird berücksichtigt, weil die Poren nicht auf Grund von Fremdkörpern verstopft sind.
  • [4] Polierkissen, das einen konkaven Teil aufweist
  • 4-1 Herstellung des Polierkissens
  • Beispiel 4-1
  • Auf einer Oberflächenseite des Scheiben-ähnlich gebildeten Körpers, der nach Beispiel 1-1 erhalten wurde und einen Durchmesser von 60 cm und eine Dicke von 2,5 mm aufweist, viele konkave Teile, deren ebene Form ein Kreis ist, wobei der Durchmesser 0,5 mm, die Tiefe 1 mm und die Ganghöhe 1,5 mm beträgt [die Entfernungen zwischen den jeweiligen konkaven Teilen in einer Umfangsrichtung und in einer diametralen Richtung waren jeweils die gleichen (1 mm); das heißt diese konkaven Teile waren äquidistant), der in 9 gezeigt wird, wurden mit einer Schneidemaschine gebildet, die von Kato Kikai Co., Ltd hergestellt wurde.
  • Als nächstes wurde von dem erhaltenen Polierkissen ein Stück zur Verwendung bei der Messung der Rauheit der Oberfläche geschnitten, so dass eine Vielzahl von konkaven Teilen eingeschlossen sein können. Danach wurde die Rauheit Ra der Oberfläche auf einer inneren Oberfläche der Rille aus drei verschiedenen Ansichtsfelder des Stücks mit dem oben erwähnten dreidimensionalen analytischen Strukturmikroskop gemessen. Als Ergebnis betrug die Rauheit der Oberfläche Ra 2,3 μm.
  • Ein Abschnitt eines Teils der Rille für das Polierkissen wurde vergrößert und mit einem optischen Mikroskop beobachtet. Das erhaltene Mikroskopbild wird in 15 gezeigt.
  • Beispiel 4-2
  • Auf einer Oberflächenseite des Scheiben-ähnlich gebildeten Körpers, der in Beispiel 1-2 erhalten wurde und einen Durchmesser von 60 cm und eine Dicke von 2,5 mm aufweist, mit einer Schneidemaschine gebildet, ähnlich wie in Beispiel 3-1, wurden viele konkave Teile, deren ebene Form ein Kreis ist, wobei der Durchmesser 0,5 mm, die Tiefe 0,5 mm, die Ganghöhe 1,2 mm betrug, [die Entfernungen zwischen den jeweiligen konkaven Teilen in einer Umfangsrichtung und in einer diametralen Richtung waren jeweils die gleiche (0,7 mm); das heißt diese konkaven Teile waren äquidistant] gebildet.
  • Als nächstes wurde die Rauheit der Oberfläche Ra einer inneren Oberfläche des konkaven Teils, ähnlich wie in Beispiel 4-1, gemessen. Als Ergebnis betrug die Rauheit der Oberfläche 1,5 μm.
  • Vergleichsbeispiel 4-1
  • Die Rauheit der Oberfläche Ra der inneren Oberfläche einer Rille eines Polierkissens, das aus geschäumtem Polyurethan gemacht ist, das viele konkave Teile, deren Durchmesser 1,5 mm, die Tiefe 1,0 mm, die Ganghöhe 5,5 mm betrug, (Handelsname "IC1000" hergestellt von Rodel Nitta Co.) aufweist, wurde ähnlich wie in Beispiel 4-1 gemessen. Als Ergebnis betrug die Rauheit der Oberfläche Ra 25 μm.
  • 2-2 Überprüfung der Polierleistungsfähigkeit
  • Ähnlich zu [1], wurden die Poliereigenschaften der Polierkissen gemäß den Beispielen 4-1 und 4-2 und Vergleichsbeispiel 4-1 überprüft. Die Ergebnisse werden in Tabelle 4 gezeigt.
  • Tabelle 4
    Figure 00400001
  • Aus den Meßergebnissen der Rauheit der Oberfläche wurde gefunden, dass die Rille des Polierkissens gemäß dem Vergleichsbeispiel 4-1 größer bei der Unebenheit der inneren Oberfläche ist, nämlich nicht einheitlich. Zusätzlich zeigt Figur 3.63 in Detailed Semiconductor CMP Technology (detailierte Halbleiter CMP Technologie), herausgegeben von Doi Toshirou (Kogyo Chosakai, erste Auflage), auf Seite 114 ein Bild eines Abtastelektronenmikroskops eines geschäumten Polierkissen aus Polyurethan (Handelsname "IC1000" hergestellt von Rodel Nitta Co., weist eine Rille auf der polierenden Seite der Oberfläche auf) ähnlich dem Polierkissen, das im Vergleichsbeispiel 4-1 verwendet wird. Auch aus diesem Mikroskopbild wird gefunden, dass es eine größere Unebenheit bei dem konkaven Teil gibt, im Vergleich mit 15 gemäß Beispiel 4-1.
  • Aus den Ergebnissen in Tabelle 4, wurden die Kratzer und Fremdkörper auf der polierten Oberfläche beobachtet, die mit einem Polierkissen gemäß dem Vergleichsbeispiel 4-1 poliert wurden. Zusätzlich waren die Poren nach dem Putzen teilweise verstopft, das heißt, geschlossen. Insbesondere waren fast alle Poren in der Umgebung des offenen Teils des konkaven Teils, die wahrscheinlich beim Putzen verstopft wurden, verstopft. Des Weiteren ist gefunden worden, das die Abtragrate des Vergleichsbeispiels 4-1 ein viertel der des Beispiels 4-1 und im wesentlichen ein fünftel des Beispiels 4-2 betrug, das heißt, weit schlechter als diese. Dies wird berücksichtigt, weil die Poren mit Fremdkörpern und ähnlichem während des Polierens verstopft wurden.
  • Auf der anderen Seite waren bei den Polierkissen gemäß den Beispielen 4-1 und 4-2 eine Seitenoberfläche und eine Bodenoberfläche innerhalb der Rille sehr gering bei der Rauheit der Oberfläche, das heißt glatt. Das kann durch 15 bestätigt werden. Demgemäß wurden Kratzer und Fremdkörper kaum auf einer polierten Oberfläche beobachtet. Des Weiteren waren fast alle Poren komplett offen nach dem Putzen und alle Poren in der Umgebung der Öffnung der Rille waren insbesondere offen. Die Abtragrate gemäß dem Vergleichsbeispiel 4-1 war das vierfache des Beispiels 4-1 und so groß wie mehr als das fünffache des Beispiels 4-2. Dies wird berücksichtigt, weil die Poren nicht auf Grund von Fremdkörpern verstopft waren.
  • Die vorliegenden Erfindung stellt ein Polierkissen und gemäß einer Ausführungsform ein vielschichtiges Polierkissen zur Verfügung, dass insbesondere wirksam das Auftreten von Kratzern unterdrückt. Das erfindungsgemäße Polierkissen weist zumindest eine Komponente auf, die aus einer Rille (a), die zumindest eine Art der Form aufweist, die aus ringförmig, gitterähnlich und einer Spiralform ausgewählt wird, auf einer Seite der polierenden Oberfläche, einem konkaven Teil (b) und einem durchgehenden Loch (c) ausgewählt wird. Oben beträgt die Rauheit der Oberfläche der inneren Oberfläche des Teils 20 μm oder weniger und das Polierkissen wird für chemisch mechanisches Polieren verwendet.

Claims (12)

  1. Polierkissen aufweisend: Zumindest eine Komponente ausgewählt aus der Gruppe, die aus einer Rille (a), die zumindest eine Art der Form aufweist, die aus ringförmig, gitterähnlich und einer Spiralform ausgewählt wird, auf einer Seite der Polieroberfläche, einem konkaven Teil (b) und einem durchgehenden Loch (c) besteht, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenrauheit der inneren Oberfläche von dieser Komponente 20 μm oder weniger beträgt.
  2. Polierkissen nach Anspruch 1, wobei die Tiefe der Rille (a) 0,1 mm oder mehr beträgt und ihre Breite 0,1 mm oder mehr beträgt.
  3. Polierkissen nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Rille (a) konzentrisch ausgebildet ist.
  4. Polierkissen nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 3, wobei eine Tiefe des konkaven Teils (b) 0,1 mm oder mehr und eine Mindestlänge einer Öffnung davon 0,1 mm oder mehr beträgt.
  5. Polierkissen nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 4, wobei eine Mindestlänge von einer Öffnung von dem durchgehenden Loch (c) 0,1 mm oder mehr beträgt.
  6. Polierkissen nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Fläche einer Öffnung von jedem konkaven Teil (b) und dem durchgehenden Loch (c) 0,0075 mm2 oder mehr beträgt.
  7. Polierkissen nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 6, wobei eine Mindestlänge zwischen benachbarten Öffnungen von jeder Rille (a), dem konkaven Teil (b) und dem durchgehenden Loch (c) 0,05 mm oder mehr beträgt.
  8. Polierkissen nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 7, wobei zumindest ein Teil des Polierkissens eine wasserunlösliche Matrix aufweist, die ein vernetztes Polymer und ein wasserlösliches Teilchen, dispergiert in der wasserunlöslichen Matrix, enthält.
  9. Polierkissen nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 8, gekennzeichnet, durch eine Polierschicht, die zumindest eine Komponente und eine Trägerschicht aufweist, die auf einer nicht polierenden Oberflächenseite der Polierschicht laminiert ist.
  10. Verfahren zu Herstellung eines Polierkissens aufweisend: Einen Schritt zur Bildung einer gewünschten rohen Form einer Anordnung für ein Polierkissen und einen Schritt zum Schneiden eines geformten Körpers, um zumindest eine Komponente, ausgewählt aus der Gruppe, die aus einer Rille (a), die zumindest eine Art der Form aufweist, die aus ringförmig, gitterähnlich und einer Spiralform ausgewählt wird, auf einer Seite der Polieroberfläche, einem konkaven Teil (b) und einem durchgehenden Loch (c) besteht, zu bilden, dadurch gekennzeichnet, dass die innere Oberfläche von diesem Teil 20 μm oder weniger bei der Oberflächenrauheit beträgt.
  11. Verfahren zu Herstellung eines Polierkissens aufweisend: Einen Schritt des Spritzgießens, indem eine Anordnung für ein Polierkissen verwendet wird, um ein Polierkissen zu bilden, das zumindest eine Komponente aufweist, die aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus einer Rille (a), die zumindest eine Art der Form aufweist, die aus ringförmig, gitterähnlich und einer Spiralform ausgewählt wird, auf einer Seite der Polieroberfläche, einem konkaven Teil (b) und einem durchgehenden Loch (c) besteht, dadurch gekennzeichnet, dass die innere Oberfläche von diesem Teil 20 μm oder weniger bei der Oberflächenrauheit beträgt.
  12. Verfahren zu Herstellung eines Polierkissens nach Anspruch 10 oder 11, wobei die Anordnung für das Polierkissen eine wasserunlösliche Matrix aufweist, die ein vernetztes Polymer und ein wasserlösliches Teilchen, dispergiert in der wasserunlöslichen Matrix, enthält.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009005254A1 (de) * 2009-01-14 2010-07-15 Scholl Concepts Gmbh Polierscheibe zur polierenden Bearbeitung von lackierten Oberflächen
DE102019127341A1 (de) * 2019-10-10 2021-04-15 Schmitz-Metallographie GmbH Verfahren zur Herstellung einer Abrasiveinheit

Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY114512A (en) * 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
US6869343B2 (en) * 2001-12-19 2005-03-22 Toho Engineering Kabushiki Kaisha Turning tool for grooving polishing pad, apparatus and method of producing polishing pad using the tool, and polishing pad produced by using the tool
US7516536B2 (en) * 1999-07-08 2009-04-14 Toho Engineering Kabushiki Kaisha Method of producing polishing pad
TWI228768B (en) * 2002-08-08 2005-03-01 Jsr Corp Processing method of polishing pad for semiconductor wafer and polishing pad for semiconductor wafer
US7377840B2 (en) 2004-07-21 2008-05-27 Neopad Technologies Corporation Methods for producing in-situ grooves in chemical mechanical planarization (CMP) pads, and novel CMP pad designs
US7704125B2 (en) 2003-03-24 2010-04-27 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
US9278424B2 (en) 2003-03-25 2016-03-08 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
US8864859B2 (en) 2003-03-25 2014-10-21 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
US7247566B2 (en) * 2003-10-23 2007-07-24 Dupont Air Products Nanomaterials Llc CMP method for copper, tungsten, titanium, polysilicon, and other substrates using organosulfonic acids as oxidizers
US7514363B2 (en) * 2003-10-23 2009-04-07 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Chemical-mechanical planarization composition having benzenesulfonic acid and per-compound oxidizing agents, and associated method for use
CN100436060C (zh) * 2004-06-04 2008-11-26 智胜科技股份有限公司 研磨垫及其制造方法
US7252582B2 (en) 2004-08-25 2007-08-07 Jh Rhodes Company, Inc. Optimized grooving structure for a CMP polishing pad
DE602005007125D1 (de) * 2004-09-17 2008-07-10 Jsr Corp Chemisch-mechanisches Polierkissen und chemisch-mechanisches Polierverfahren
JP3769581B1 (ja) 2005-05-18 2006-04-26 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドおよびその製造方法
KR100721196B1 (ko) * 2005-05-24 2007-05-23 주식회사 하이닉스반도체 연마패드 및 이를 이용한 화학적기계적연마장치
US20070111644A1 (en) * 2005-09-27 2007-05-17 Spencer Preston Thick perforated polishing pad and method for making same
JP5186738B2 (ja) * 2006-07-10 2013-04-24 富士通セミコンダクター株式会社 研磨パッドの製造方法及び被研磨体の研磨方法
TWI409136B (zh) 2006-07-19 2013-09-21 Innopad Inc 表面具微溝槽之化學機械平坦化墊
US20080146129A1 (en) * 2006-12-08 2008-06-19 Makoto Kouzuma Fast break-in polishing pad and a method of making the same
JP2008290197A (ja) * 2007-05-25 2008-12-04 Nihon Micro Coating Co Ltd 研磨パッド及び方法
TWI455795B (zh) 2007-10-18 2014-10-11 Iv Technologies Co Ltd 研磨墊及研磨方法
CN101422882B (zh) * 2007-10-31 2015-05-20 智胜科技股份有限公司 研磨垫及研磨方法
US9180570B2 (en) 2008-03-14 2015-11-10 Nexplanar Corporation Grooved CMP pad
TWI409137B (zh) * 2008-06-19 2013-09-21 Bestac Advanced Material Co Ltd 研磨墊及其微型結構形成方法
TWI449597B (zh) * 2008-07-09 2014-08-21 Iv Technologies Co Ltd 研磨墊及其製造方法
TWM352127U (en) * 2008-08-29 2009-03-01 Bestac Advanced Material Co Ltd Polishing pad
TWM352126U (en) * 2008-10-23 2009-03-01 Bestac Advanced Material Co Ltd Polishing pad
SG10201404152UA (en) * 2009-07-16 2014-09-26 Cabot Microelectronics Corp Grooved cmp polishing pad
DE102010013520B4 (de) * 2010-03-31 2013-02-07 Siltronic Ag Verfahren zur beidseitigen Politur einer Halbleiterscheibe
KR100972151B1 (ko) * 2010-04-13 2010-07-26 (주)국민통신 광통신 단자함의 인출케이블 단선방지용 인입커넥터와 이를 이용한 광선로 시공법
KR100968197B1 (ko) * 2010-05-04 2010-07-06 (주)무림설계기술단 광통신케이블 보호용 접속단자 케이스
CN101982303B (zh) * 2010-10-11 2012-01-25 南京航空航天大学 开槽型冰冻固结磨料抛光垫及其制备方法
US9211628B2 (en) 2011-01-26 2015-12-15 Nexplanar Corporation Polishing pad with concentric or approximately concentric polygon groove pattern
DE102011082777A1 (de) * 2011-09-15 2012-02-09 Siltronic Ag Verfahren zum beidseitigen Polieren einer Halbleiterscheibe
US20140024299A1 (en) * 2012-07-19 2014-01-23 Wen-Chiang Tu Polishing Pad and Multi-Head Polishing System
CN103029035B (zh) * 2012-11-28 2015-02-11 上海华力微电子有限公司 一种研磨垫及利用该研磨垫进行研磨时的损耗检测方法
CN103909466B (zh) * 2012-12-31 2016-06-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 多垫式化学机械研磨装置
TWI599447B (zh) * 2013-10-18 2017-09-21 卡博特微電子公司 具有偏移同心溝槽圖樣之邊緣排除區的cmp拋光墊
US9333620B2 (en) * 2014-04-29 2016-05-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with clear endpoint detection window
US9314897B2 (en) * 2014-04-29 2016-04-19 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window
JP5882510B2 (ja) * 2014-06-30 2016-03-09 太陽インキ製造株式会社 感光性ドライフィルムおよびそれを用いたプリント配線板の製造方法
US10105812B2 (en) 2014-07-17 2018-10-23 Applied Materials, Inc. Polishing pad configuration and polishing pad support
TWI597125B (zh) 2014-09-25 2017-09-01 三芳化學工業股份有限公司 拋光墊及其製造方法
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US9776361B2 (en) 2014-10-17 2017-10-03 Applied Materials, Inc. Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
CN107078048B (zh) 2014-10-17 2021-08-13 应用材料公司 使用加成制造工艺的具复合材料特性的cmp衬垫建构
CN104400623A (zh) * 2014-12-11 2015-03-11 烟台艾迪液压科技有限公司 用于超精密研磨加工的阿基米德螺旋纹研磨盘
TWI549781B (zh) * 2015-08-07 2016-09-21 智勝科技股份有限公司 研磨墊、研磨系統及研磨方法
CN113103145B (zh) 2015-10-30 2023-04-11 应用材料公司 形成具有期望ζ电位的抛光制品的设备与方法
TW201716182A (zh) * 2015-11-03 2017-05-16 力晶科技股份有限公司 30078 新竹科學工業園區力行一路12號 研磨裝置與研磨方法
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
WO2017165216A1 (en) * 2016-03-24 2017-09-28 Applied Materials, Inc. Textured small pad for chemical mechanical polishing
US10875146B2 (en) * 2016-03-24 2020-12-29 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings Debris-removal groove for CMP polishing pad
US10625393B2 (en) * 2017-06-08 2020-04-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pads having offset circumferential grooves for improved removal rate and polishing uniformity
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
WO2019032286A1 (en) 2017-08-07 2019-02-14 Applied Materials, Inc. ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME
CN107471089A (zh) * 2017-09-30 2017-12-15 德清晶生光电科技有限公司 具有散热结构的游星轮
KR20190078941A (ko) * 2017-12-27 2019-07-05 삼성전자주식회사 연마 패드 및 이를 사용한 웨이퍼 가공 방법
US11685013B2 (en) * 2018-01-24 2023-06-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Polishing pad for chemical mechanical planarization
KR20210042171A (ko) 2018-09-04 2021-04-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진보한 폴리싱 패드들을 위한 제형들
CN109500729B (zh) * 2019-01-25 2021-05-18 云南蓝晶科技有限公司 蓝宝石抛光用无蜡吸附垫
WO2020203639A1 (ja) * 2019-04-03 2020-10-08 株式会社クラレ 研磨パッド
CN111524858B (zh) * 2020-04-29 2023-07-18 上海华虹宏力半导体制造有限公司 金属线的挖孔结构及方法
JP7530237B2 (ja) * 2020-08-17 2024-08-07 キオクシア株式会社 研磨装置および研磨方法
US11878389B2 (en) 2021-02-10 2024-01-23 Applied Materials, Inc. Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ
CN113021181B (zh) * 2021-03-22 2023-05-30 万华化学集团电子材料有限公司 一种高去除速率、低划伤化学机械抛光垫及其应用
CN113752160A (zh) * 2021-09-01 2021-12-07 广东粤港澳大湾区黄埔材料研究院 一种表面具有沟槽的抛光垫

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5096894A (en) * 1990-04-03 1992-03-17 Bristol-Myers Squibb Company Rice dextrin oral rehydration solution
US5489233A (en) * 1994-04-08 1996-02-06 Rodel, Inc. Polishing pads and methods for their use
JP3042593B2 (ja) * 1995-10-25 2000-05-15 日本電気株式会社 研磨パッド
US6022268A (en) * 1998-04-03 2000-02-08 Rodel Holdings Inc. Polishing pads and methods relating thereto
US6126532A (en) * 1997-04-18 2000-10-03 Cabot Corporation Polishing pads for a semiconductor substrate
US6273806B1 (en) * 1997-05-15 2001-08-14 Applied Materials, Inc. Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing apparatus
US5921855A (en) * 1997-05-15 1999-07-13 Applied Materials, Inc. Polishing pad having a grooved pattern for use in a chemical mechanical polishing system
US5882251A (en) * 1997-08-19 1999-03-16 Lsi Logic Corporation Chemical mechanical polishing pad slurry distribution grooves
US6117000A (en) * 1998-07-10 2000-09-12 Cabot Corporation Polishing pad for a semiconductor substrate
US6390890B1 (en) * 1999-02-06 2002-05-21 Charles J Molnar Finishing semiconductor wafers with a fixed abrasive finishing element
JP2000349053A (ja) * 1999-06-07 2000-12-15 Asahi Chem Ind Co Ltd 溝付研磨パッド
US6953388B2 (en) * 1999-12-22 2005-10-11 Toray Industries, Inc. Polishing pad, and method and apparatus for polishing
US20020197935A1 (en) * 2000-02-14 2002-12-26 Mueller Brian L. Method of polishing a substrate
US6736709B1 (en) * 2000-05-27 2004-05-18 Rodel Holdings, Inc. Grooved polishing pads for chemical mechanical planarization
JP4615813B2 (ja) * 2000-05-27 2011-01-19 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド 化学機械平坦化用の研磨パッド
JP3925041B2 (ja) * 2000-05-31 2007-06-06 Jsr株式会社 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド
US6641471B1 (en) * 2000-09-19 2003-11-04 Rodel Holdings, Inc Polishing pad having an advantageous micro-texture and methods relating thereto
KR20030015567A (ko) * 2001-08-16 2003-02-25 에스케이에버텍 주식회사 웨이브 형태의 그루브가 형성된 화학적 기계적 연마패드

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009005254A1 (de) * 2009-01-14 2010-07-15 Scholl Concepts Gmbh Polierscheibe zur polierenden Bearbeitung von lackierten Oberflächen
DE102009005254B4 (de) * 2009-01-14 2017-12-07 Scholl Concepts Gmbh Polierscheibe zur polierenden Bearbeitung von lackierten Oberflächen
DE102019127341A1 (de) * 2019-10-10 2021-04-15 Schmitz-Metallographie GmbH Verfahren zur Herstellung einer Abrasiveinheit

Also Published As

Publication number Publication date
TW200402098A (en) 2004-02-01
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US20040014413A1 (en) 2004-01-22

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