DE60306656T2 - Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung mit pixeln mit nmos-transistoren - Google Patents

Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung mit pixeln mit nmos-transistoren Download PDF

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Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Elektrolumineszenzanzeigeeinrichtungen, insbesondere auf Aktivmatrix-Anzeigeeinrichtungen mit, jedem Pixel zugeordneten Dünnschichtschalttransistoren.
  • Matrixanzeigeeinrichtungen, welche elektrolumineszente, Licht emittierende Anzeigeelemente aufweisen, sind allgemein bekannt. Die Anzeigeelemente können organische, elektrolumineszente Dünnschichtelemente, zum Beispiel unter Verwendung von Polymermaterialien, oder andernfalls Licht emittierende Dioden (LEDs), für welche traditionelle III-V-Halbleiterverbindungen verwendet werden, aufweisen. Neuere Entwicklungen auf dem Gebiet organischer Elektrolumineszenzmaterialien, insbesondere Polymermaterialien, haben gezeigt, dass sie sich praktisch zur Verwendung für Videoanzeigeeinrichtungen eignen. Diese Materialien weisen typischerweise eine oder mehrere Schichten aus einem halbleitenden, konjugierten Polymer auf, welche zwischen einem Elektrodenpaar angeordnet sind, von denen eines transparent ist und das andere aus einem Material besteht, welches zum Injizieren von Defektelektronen oder Elektronen in die Polymerschicht geeignet ist. Das Polymermaterial kann unter Anwendung eines CVD-Verfahrens oder einfach durch eine Aufschleudertechnik unter Verwendung einer Lösung aus einem löslichen, konjugierten Polymer hergestellt werden. Ebenso kann Tintenstrahldrucken angewandt werden. Organische Elektrolumineszenzmaterialien weisen diodenähnliche I-V-Eigenschaften auf, so dass sie sowohl eine Anzeige- als auch eine Schaltfunktion vorsehen und daher in passiven Anzeigen verwendet werden können. Alternativ können diese Materialien für Aktivmatrix-Anzeigeeinrichtungn verwendet werden, wobei jedes Pixel ein Anzeigeelement und ein Schaltelement zur Steuerung des Stroms durch das Anzeigeelement aufweist.
  • Anzeigeeinrichtung dieser Art weisen Strom adressierte Anzeigeelemente auf, so dass ein konventionelles, analoges Steuerschema die Abgabe eines steuerbaren Stroms an das Anzeigeelement umfasst. Es ist bekannt, einen Strom gesteuerten Transistor als Teil der Pixelkonfiguration vorzusehen, wobei die dem Strom gesteuerten Transistor zugeführte Gatespannung den Strom durch das Anzeigeelement bestimmt. Ein Speicherkondensator hält die Gatespannung nach der Adressierungsphase. Jedoch bewirken ver schiedene Transistorcharakteristiken entlang dem Substrat verschiedene Relationen zwischen der Gatespannung und dem Source-Drain-Strom, und es können Artefakten in dem dargestellten Bild resultieren.
  • Die sehr geringe Mobilität von Elektronen und die Änderung von Schwellenspannungen mit der Zeit haben die Verwendung von TFTs aus amorphem Silicium für die Aktivmatrix-Pixel verhindert. Auf Grund dieser geringen Mobilität kann amorphes Silicium nicht zur Realisierung von PMOS-TFTs eingesetzt werden. Die Verwendung von ausschließlich NMOS-Transistoren innerhalb der Pixelschaltung begrenzt somit den Einsatz von amorphem Silicium.
  • Die Entwicklung von TFT-Matrix-Technologien wurde von der weit verbreiteten Verwendung solcher Matrizes in Flüssigkristallanzeigen gesteuert. In der Tat bestand großes Interesse daran, Matrizes von Dünnschichttransistoren (TFTs) zu verbessern, welche dazu verwendet werden, die Schaltelemente für Flachbild-Flüssigkristallanzeigen zu bilden.
  • Hydriertes, amorphes Silicium wird gegenwärtig als aktive Schicht bei Dünnschichttransistoren (TFTs) für Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeigen verwendet. Dieses ist darauf zurückzuführen, dass es durch plasmagestützte, chemische Dampfabscheidung (PECVD) in dünnen, gleichmäßigen Schichten über großen Flächen aufgebracht werden kann. Jedoch reduziert die oben erwähnte, sehr geringe Trägerbeweglichkeit die Schaltgeschwindigkeit von Bauelementen und verhindert die Verwendung dieser Transistoren in Treiberschaltungen von Anzeigen. TFTs aus amorphem Silicium sind ebenfalls relativ instabil und sind für Verwendungen in Anzeigen nur zweckmäßig, weil der Duty Cycle relativ gering ist.
  • Kristallines Silicium ist für die Treiberschaltung für höhere Geschwindigkeiten erforderlich, welche sowohl ein Treiberschaltungs-Panel als auch ein Anzeige-Panel innerhalb einer Anzeigeeinrichtung notwendig macht, wobei zwischen diesen beiden Schaltungsarten Verbindungen bestehen.
  • TFTs aus mikrokristallinem Silicium wurden als geeignete Technologie sowohl für eine Flüssigkristalltreiberschaltung als auch für die Pixeltransistoren vorgeschlagen. Dieser Vorschlag wird durch den Wunsch, die Treiberschaltung auf dem gleichen Substrat wie die aktive Platte der Flüssigkristallanzeige zu integrieren, gesteuert. Jedoch ist es ebenfalls nicht möglich, geeignete PMOS-TFTs aus mikrokristallinem Silicium vorzuse hen, so dass bei der Konstruktion von Pixelschaltungen die gleichen Beschränkungen gelten.
  • 1 zeigt eine bekannte Pixelschaltung für eine Elektrolumineszenzanzeigeeinrichtung mit aktiver Matrixadressierung. Die Anzeigeeinrichtung weist ein Anzeigefeld mit einer Zeilen- und Spaltenmatrixanordnung von gleichmäßig beabstandeten Pixeln auf, welche durch die Blocks 1 gekennzeichnet ist und Elektrolumineszenzanzeigeelemente 2 zusammen mit zugeordneten Schaltmitteln vorsieht, die an den Schnittpunkten zwischen sich kreuzenden Gruppen von Zeilen- (Ansteuerungs-) und Spalten- (Daten-) Leitern 4 und 6 positioniert sind. Der Einfachheit halber sind in der Figur nur einige wenige Pixel dargestellt. In der Praxis können mehrere hundert Zeilen und Spalten von Pixeln vorgesehen sein. Die Pixel 1 werden über die Gruppen von Zeilen- und Spaltenadressleitern durch eine periphere Ansteuerschaltung, die durch eine Zeilen-, Abtast-, Ansteuerschaltung 8 und eine Spalten-, Daten-, Ansteuerschaltung 9 dargestellt ist, adressiert, welche mit den Enden der jeweiligen Leitergruppen verbunden ist.
  • Das Elektrolumineszenzanzeigeelement 2 weist eine organische, Licht emittierende Diode auf, welche hier als ein Diodenelement (LED) dargestellt ist und ein Paar Elektroden, zwischen welchen eine oder mehrere aktive Schichten aus Elektrolumineszenzmaterial angeordnet sind, vorsieht. Die Anzeigeelemente der Matrix werden zusammen mit dem zugeordneten Aktivmatrix-Schaltkreis auf einer Seite eines isolierenden Trägers getragen. Entweder die Kathoden oder die Anoden der Anzeigeelemente werden aus transparentem, leitendem Material gebildet. Der Träger wird aus leitendem Material, wie z.B. Glas, gefertigt, und die Elektroden der Anzeigeelemente 2, welche dem Substrat am nächsten sind, können aus einem transparenten, leitenden Material, wie z.B. ITO, bestehen, so dass Licht, welches durch die Elektrolumineszenzschicht erzeugt wird, durch diese Elektroden und den Träger übertragen wird, so dass es für einen Betrachter auf der anderen Seite des Trägers sichtbar ist. Typischerweise liegt die Dicke der Schicht aus dem organischen Elektrolumineszenzmaterial zwischen 100 nm und 200 nm. Typische Beispiele geeigneter, organischer Elektrolumineszenzmaterialien, welche für die Elemente 2 verwendet werden können, sind bekannt und in EP-A-0 717 446 beschrieben. Materialien aus einem konjugierten Polymer, wie in WO96/36959 beschrieben, können ebenfalls verwendet werden.
  • 2 zeigt in vereinfachter, schematischer Form eine bekannte Pixel- und Ansteuerschaltungsanordnung. Jedes Pixel 1 weist das EL-Anzeigeelement 2 und die zugeordnete Treiberschaltung auf. Die Treiberschaltung weist einen Adresstransistor 16 auf, welcher durch einen Zeilenadressimpuls auf dem Zeilenleiter 4 eingeschaltet wird. Sobald der Adresstransistor 16 eingeschaltet ist, kann eine Spannung an dem Spaltenleiter 6 zu dem Rest des Pixels durchgelassen werden. Der Adresstransistor führt nämlich einer Stromquelle 20, welche einen Treibertransistor 22 und einen Speicherkondensator 24 aufweist, die Spaltenleiterspannung zu. Die Spaltenspannung wird an das Gate des Treibertransistors 22 abgegeben, und das Gate wird von dem Speicherkondensator 24 selbst nach Beenden des Zeilenadressimpulses auf dieser Spannung gehalten.
  • Der Treibertransistor 22 in diesem Schaltkreis wird als PMOS-TFT implementiert, so dass der Speicherkondensator 24 die festgelegte Gate-Source-Spannung hält. Dieses resultiert in einem festen Source-Drain-Strom durch den Transistor, welcher daher den gewünschten Stromquellenbetrieb des Pixels vorsieht.
  • Ein Ersetzen des Treibertransistors 22 durch ein NMOS-Bauelement (was erforderlich wäre, um eine Implementierung aus amorphem Silicium oder mikrokristallinem Silicium zu ermöglichen) sieht keinen korrekten Betrieb der Pixelschaltung vor, da die Gate-Source-Spannung dann von der Anodenspannung des Anzeigeelements 2 (welches mit der NMOS-TFT-Source verbunden ist) abhängig ist. Der Kondensator hält daher die Gate-Source-Spannung nicht, wie erforderlich, konstant. Des Weiteren ist es wünschenswert, die Schaltung auf der Anodenseite der LED aufrechtzuerhalten, da es schwierig ist, das Kathodenmetall zu strukturieren, so dass es nicht zweckmäßig ist, die Schaltung einfach zu invertieren, damit der Treibertransistor als ein NMOS-Bauelement implementiert werden kann.
  • EP 1 220 191 offenbart eine Elektrolumineszenzanzeigeeinrichtung, in welcher jedes Pixel einen Treibertransistor und einen zweiten Transistor aufweist, um eine Abweichung in der Schwellenspannung des Treibertransistors auszugleichen. Eine Gate-Source-Steuerschaltung für den Treibertransistor wird an einem Speicherkondensator gehalten.
  • Die Erfindung ist in den Unteransprüchen 1 und 9 offenbart.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung ist eine Aktivmatrix-Elektrolumineszenzanzeigeeinrichtung mit einer Matrix von Anzeigepixeln vorgesehen, wobei jedes Pixel aufweist: ein Elektrolumineszenzanzeigeelement, einen ersten Treibertransistor aus amorphem Silicium oder mikrokristallinem Silicium, welcher zwischen der Anode des Anzeigeelements und einer Energieversorgungsleitung geschaltet ist, sowie einen Speicherkondensator zwischen der Anode des Anzeigeelements und dem Gate des Treibertransistors, wobei jedes Pixel weiterhin einen zweiten Treibertransistors aus amorphem Silicium oder mikrokristallinem Silicium aufweist, um der Anode des Anzeigeelements eine Haltespannung zuzuführen.
  • Durch diese Anordnung kann die Spannung an dem Anzeigeelement gehalten werden, während die Gatesteuerspannung des Transistors auf dem Speicherkondensator gespeichert wird.
  • Da der Treibertransistor ein NMOS-Bauelement ist, ist die Source mit der Anode des Anzeigeelements verbunden, so dass diese Anordnung so wirkt, dass sie die Sourcespannung des Transistors auf einem bekannten Pegel hält, während die Steuerspannung auf dem Speicherkondensator gespeichert wird. Dadurch kann eine Pixelschaltung mit genauer Stromquelle unter Verwendung von NMOS-Transistoren realisiert werden.
  • Der zweite Treibertransistor ist vorzugsweise zwischen der Energieversorgungsleitung und der Anode des Anzeigeelements geschaltet. Auf diese Weise kann die Energieversorgungsleitung sowohl die Haltespannung als auch die Steuerspannung zur Steuerung des Anzeigeelements abgeben.
  • Alternativ kann der zweite Treibertransistor zwischen einer zweiten Energieversorgungsleitung und der Anode des Anzeigeelements geschaltet sein. Diese zweite Energieversorgungsleitung zwischen Pixeln in einer Zeile der Matrix aufgeteilt werden.
  • Das Gate des ersten Treibertransistors kann durch einen Adresstransistor, welcher durch einen Zeilenleiter gesteuert wird, an eine Datensignalleitung, zum Beispiel einen Spaltenleiter, gekoppelt sein. Ein Pixelsteuersignal ist somit in bekannter Weise an das Pixel gekoppelt.
  • Der erste und der zweite Treibertransistor (sowie alle anderen Transistoren in dem Schaltkreis) sind vorzugsweise mikrokristalline Silicium-TFTs mit Siliciumkristalliten in der Größe zwischen 40 nm und 140 nm in einer Matrix aus amorphem Silicium. Diese Transistoren weisen eine verbesserte Trägerbeweglichkeit auf und können dennoch noch immer unter Anwendung eines PECVD-Verfahrens vorgesehen werden. Sind die Kristallite groß genug, wird die Extended-State-Leitung verbessert und die Beweglichkeit im Vergleich zu Schichten aus amorphem Silicium um etwa einen Faktor 10 erhöht.
  • Die vorliegende Erfindung sieht ebenfalls ein Verfahren vor, um die Pixel einer Aktivmatrix-Elektrolumineszenzanzeigeeinrichtung mit einer Matrix von Anzeigepixeln mit jeweils einem Elektrolumineszenzanzeigeelement zu steuern, wonach:
    • – die Spannung an dem Anzeigeelement durch Anlegen einer Haltespannung durch einen ersten NMOS-Transistor aus amorphem Silicium oder mikrokristallinem Silicium gehalten wird, wobei die Haltespannung die Sourcespannung eines zweiten NMOS-Transistors aus amorphem Silicium oder mikrokristallinem Silicium hält;
    • – eine gewünschte Gate-Source-Spannung auf einem Speicherkondensator, welcher zwischen dem Gate und der Source des zweiten Transistors geschaltet ist, gespeichert wird, während die Spannung an dem Anzeigeelement gehalten wird, wobei die Gate-Source-Spannung einem gewünschten Source-Drain-Strom zur Steuerung des Anzeigeelements entspricht;
    • – die Haltespannung von dem Anzeigeelement weggenommen wird; und
    • – der gewünschte Source-Drain-Strom durch das Elektrolumineszenzanzei geelement gesteuert wird.
  • In diesem Verfahren wird eine Haltespannung an das Anzeigeelement angelegt, so dass die Source des Treibertransistors auf einem festen Potential gehalten wird, wodurch eine gewünschte Gate-Source-Spannung auf einem Speicherkondensator genau gespeichert werden kann. Der gewünschte Source-Drain-Strom wird dann durch den zweiten Transistor durch Anlegen einer ersten Versorgungsspannung an den zweiten Transistor gesteuert.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im Folgenden näher beschrieben. Es zeigen:
  • 1 – eine bekannte EL-Anzeigeeinrichtung;
  • 2 – ein vereinfachtes, schematisches Diagramm einer bekannten Pixelschaltung zur Stromadressierung des EL-Anzeigepixels;
  • 3 – ein erstes Beispiel einer Pixelschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung;
  • 4 – ein zweites Beispiel einer Pixelschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Es sei erwähnt, dass diese Figuren schematisch, nicht jedoch maßstabsgetreu wiedergegeben sind. Relative Dimensionen und Proportionen von Teilen dieser Figuren wurden zum Zwecke einer deutlicheren Darstellung in der Zeichnung übertrieben oder in ihrer Größe reduziert dargestellt.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung werden Transistoren aus amorphem oder mikrokristallinem Silicium innerhalb der Pixelstruktur verwendet. Dadurch müssen die TFTs, wie oben erläutert, durch NMOS-Bauelemente dargestellt sein.
  • 3 zeigt ein erstes Beispiel eines Pixelgrundrisses gemäß der vorliegenden Erfindung. Zur Kennzeichnung der gleichen Komponenten wie in 2 wurden die gleichen Bezugsziffern eingesetzt; die Pixelschaltung dient zur Verwendung in einer Anzeige wie der in 1 dargestellten.
  • Bei der Pixelanordnung der vorliegenden Erfindung wird der Treibertransistor 22 als NMOS-TFT aus amorphem Silicium oder mikrokristallinem Silicium implementiert. Die Pixelschaltung ist auf einem Substrat auf der Anodenseite des EL-Anzeigeelements 2 vorgesehen, und die Source des NMOS-Treibertransistors befindet sich somit in elektrischem Kontakt mit der Anode des EL-Anzeigeelements.
  • Der Speicherkondensator 24 ist zwischen der Anode des Anzeigeelements 2 und dem Gate des Treibertransistors 22 vorgesehen und wird dadurch bei Adressierung bis zu der Gate-Source-Spannung des Treibertransistors 22 geladen. Da die Source mit dem EL-Anzeigeelement, welches keinen konstanten Spannungsabfall verzeichnet, verbunden ist, kann das Potential der Source so variieren, dass eine bestimmte Spannung von dem Zeilenleiter 6 nicht unbedingt in der gleichen Gate-Source-Spannung resultiert, welche auf dem Speicherkondensator 24 gespeichert ist. Um sicherzustellen, dass eine Spannung an dem Spaltenleiter eine bekannte Eins-zu-Eins-Relation zu der sich ergebenden Gate-Source-Spannung vorsieht, besteht die Notwendigkeit, die Spannung der Anode des EL-Anzeigeelements zu halten.
  • Um dieses zu erreichen, weist die Pixelschaltung der vorliegenden Erfindung einen zweiten NMOS-Treibertransistor 30 auf, um der Anode des Anzeigeelements 2 eine Haltespannung zuzuführen. Diese Haltespannung wird abgegeben, wenn die Gate-Source-Spannung zu dem Speicherkondensator 24 übertragen wird.
  • In dem Beispiel von 3 ist der zweite Treibertransistor 30 zwischen einer zweiten Energieversorgungsleitung 32 und der Anode des Anzeigelements 2 geschaltet. Die zweite Energieversorgungsleitung 32 wird zwischen Pixeln in einer Zeile der Matrix aufgeteilt, und der zweite Treibertransistor wird durch eine Gateleitung 34, welche ebenfalls zwischen Pixeln in einer Zeile aufgeteilt wird, gesteuert. Diese Anordnung macht somit neben dem Zeilenleiter 4 zwei zusätzliche Zeilenleiter erforderlich.
  • Während einer Adressierungsphase wird der zweite Treibertransistor 30 eingeschaltet, um die Anode des EL-Anzeigeelements auf der Spannung auf der zweiten Energieversorgungsleitung (abzüglich eines Source-Drain-Spannungsabfalls) zu halten. Die Signaldatenspannung an dem Spaltenleiter 6 lädt dann den Speicherkondensator 24 bis zu einer bekannten Gate-Source-Spannung, die dem gewünschten Source-Drain-Strom des ersten Treibertransistors 22 entspricht, welcher wiederum der gewünschten Illuminationsstärke des EL-Anzeigeelements 2 entspricht. Am Ende der Adressierungsphase wird der Zeilenleiter 4 in den Low-Zustand gesetzt, um den Adresstransistor 16 abzuschalten; danach wird die Gateleitung 34 in den Low-Zustand gesetzt, wodurch das Potential an der Anode des EL-Anzeigeelements variieren kann. Während dieses Potential variiert, variiert die Gatespannung, während die Gate-Source-Spannung durch den Speicherkondensator 24 gehalten wird.
  • Dieser Schaltkreis macht es erforderlich, dass der Transistor 30 groß ist, so dass sämtliche Ströme von dem Treibertransistor 22 ohne Spannungsabfall zu der zweiten Energieversorgungsleitung 32 geleitet werden können. Bei dem großen, zusätzlichen Transistor kann eine Pixelapertur vorgesehen werden, und 4 zeigt eine alternative Pixelkonfiguration, um zu verhindern, dass durch den zweiten Treibertransistor 30 große Ströme durchfließen müssen.
  • In 4 ist der zweite Treibertransistor 30 zwischen der (einzigen) Energieversorgungsleitung 26 und der Anode des Anzeigeelements 2 geschaltet. Hierdurch wird der Strombedarf des zweiten Treibertransistors 30 reduziert.
  • In einer Adressierungsphase dieser Pixelschaltung wird die Energieversorgungsleitung 26 auf einem niedrigen Potential gehalten, so dass der erste Treibertransistor 22 nicht leitet. Somit wird der zweite Treibertransistor 30 nur benötigt, um eine Restladung des EL-Anzeigeelements 2 zu entladen und einen Ladeweg für den Speicherkondensator 24 vorzusehen. Die Energieversorgungsleitung 26 wird auf Low-Pegel gehalten, während sämtliche Pixel adressiert werden. Sobald die Adressierung beendet ist, werden alle Adressenleitungen (Zeilenleiter 4 und Gateleitungen 34) auf Low-Pegel und die Energieversorgungsleitung 26 sodann auf High-Pegel gesetzt, so dass die LEDs aufleuchten. Das Aufleuchten der Energieversorgungsleitung 26 hat den Vorteil eines verminderten Abtast/Halte-Verhaltens zur Reduzierung der Bewegungsunschärfe.
  • In diesem Schaltkreis können die Zeilenleiter 4 und die Gateleitungen 34 zusammengeschaltet sein, so dass keine Erhöhung der Anzahl Zeilenleiter erforderlich ist.
  • Die Energieversorgungsleitung 26 kann auf einer Zeile-für-Zeile-Basis oder auf einer Bild-für-Bild-Basis moduliert werden.
  • In den beiden obigen Schaltkreisen sind sämtliche Transistoren durch NMOS-Transistoren dargestellt, welche aus amorphem Silicium gebildet werden können. Bei einer bevorzugten Technologie handelt es sich jedoch um TFTs aus mikrokristallinem Silicium. Diese enthalten Siliciumkristallite in der Größe zwischen 40 nm und 140 nm in einer Matrix aus amorphem Silicium. Das EL-Anzeigeelement kann durch ein bekanntes, organisches EL-Anzeigeelement, einschließlich EL-Polymer-Anzeigeelemente, dargestellt sein.
  • Diese Pixelanordnungen werden unter Anwendung eines Verfahrens adressiert, nach welchem eine Spannung an dem Anzeigeelement während einer Adressierungsphase gehalten wird, welche wiederum die Sourcespannung des Treibertransistors hält. Während diese Sourcespannung gehalten wird, wird eine gewünschte Gate-Source-Spannung entsprechend einem gewünschten Source-Drain Strom zur Steuerung des Anzeigeelements auf dem Speicherkondensator gespeichert. Die Haltespannung wird dann von dem Anzeigeelement weggenommen und der gewünschte Source-Drain-Strom durch das Elektrolumineszenzelement gesteuert.
  • Obgleich zwei Schaltungsbeispiele dargestellt worden sind, die zeigen, wie die vorliegende Erfindung realisiert werden kann, bestehen verschiedene weitere Möglichkeiten, welche zweifelsohne in den Anwendungsbereich bzw. Schutzumfang der Ansprüche fallen. Die verschiedenen Modifikationen liegen für Fachkundige auf der Hand.

Claims (13)

  1. Aktivmatrix-Elektrolumineszenzanzeigeeinrichtung mit einer Matrix von Anzeigepixeln (1), wobei jedes Pixel aufweist: – ein Elektrolumineszenzanzeigeelement (2) mit einer Anode, – einen ersten NMOS-Treibertransistor (22) aus amorphem Silicium oder mikrokristallinem Silicium, welcher mit einer Elektrode des Anzeigeelements (2) verbunden ist, – einen Speicherkondensator (24), welcher mit dem Gate des ersten NMOS-Treibertransistors (22) verbunden ist, sowie – einen zweiten NMOS-Treibertransistor (30) aus amorphem Silicium oder mikrokristallinem Silicium, dadurch gekennzeichnet, dass – der erste NMOS-Treibertransistor zwischen der Anode des Anzeigeelements (2) und einer Energieversorgungsleitung (26) geschaltet ist, – der Speicherkondensator (24) zwischen der Anode des Anzeigeelements (2) und dem Gate des Treibertransistors (22) geschaltet ist, und – der zweite NMOS-Treibertransistor (30) vorgesehen ist, um der Anode des Anzeigeelements (2) eine Haltespannung zuzuführen.
  2. Einrichtung nach Anspruch 1, wobei der zweite Treibertransistor (30) zwischen der Energieversorgungsleitung (26) und der Anode des Anzeigeelements (2) geschaltet ist.
  3. Einrichtung nach Anspruch 1, wobei der zweite Treibertransistor (30) zwischen einer zweiten Energieversorgungsleitung (32) und der Anode des Anzeigeelements (2) geschaltet ist.
  4. Einrichtung nach Anspruch 3, wobei die Matrix von Anzeigepixeln gegenüber der normalen Betrachtungsorientierung der Anzeige Zeilen und Spalten von Pixeln aufweist und die zweite Energieversorgungsleitung (32) zwischen Pixeln in einer Zeile der Matrix aufgeteilt ist.
  5. Einrichtung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei das Gate des ersten Treibertransistors (22) durch einen Adresstransistor (16) mit einer Datensignalleitung (6) verbunden ist.
  6. Einrichtung nach Anspruch 5, wobei die Matrix von Anzeigepixeln gegenüber der normalen Betrachtungsorientierung der Anzeige Zeilen und Spalten von Pixeln aufweist und die Datensignalleitung (6) einen Spaltenleiter aufweist, welcher zwischen Pixeln in einer Spalte der Matrix aufgeteilt ist.
  7. Einrichtung nach Anspruch 5 oder 6, wobei die Matrix von Anzeigepixeln gegenüber der normalen Betrachtungsorientierung der Anzeige Zeilen und Spalten von Pixeln aufweist und das Gate des Adresstransistors (16) mit einem Zeilenleiter (4) verbunden ist, welcher zwischen Pixeln in einer Zeile der Matrix aufgeteilt ist.
  8. Einrichtung nach einem der vorangegangenen Ansprüche, wobei der erste und der zweite Treibertransistor (22, 30) TFTs aus mikrokristallinem Silicium mit Siliciumkristalliten in der Größe zwischen 40 nm und 140 nm in einer Matrix aus amorphem Silicium aufweisen.
  9. Verfahren zur Steuerung der Pixel einer Aktivmatrix-Elektrolumineszenzanzeigeeinrichtung mit einer Matrix von Anzeigepixeln (1), welche jeweils – ein Elektrolumineszenzanzeigeelement (2) mit einer Anode, – einen ersten NMOS-Treibertransistor (22) aus amorphem Silicium oder mikrokristallinem Silicium, – einen zweiten NMOS-Treibertransistor (30) aus amorphem Silicium oder mikrokristallinem Silicium, welcher mit einer Elektrode des Anzeigeelements (2) verbunden ist, sowie – einen Speicherkondensator (24), welcher mit dem Gate des ersten NMOS-Treibertransistors (22) verbunden ist, aufweisen, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Verfahren: – die Spannung an dem Anzeigeelement (2) gehalten wird, indem durch den ersten NMOS-Transistor (22) aus amorphem Silicium oder mikrokristallinem Silicium eine Haltespannung angelegt wird, wobei die Haltespannung die Sourcespannung des zwischen der Anode des Anzeigeelements (2) und einer Energieversorgungsleitung (26) geschalteten, zweiten NMOS-Transistors (30) aus amorphem Silicium oder mikrokristallinem Silicium hält, – während des Haltens der Spannung an dem Anzeigeelement (2) eine gewünschte Gate-Source-Spannung auf dem zwischen dem Gate und der Source des zweiten Transistors (30) geschalteten Speicherkondensator (24) gespeichert wird, wobei die Gate-Source-Spannung einem gewünschten Source-Drain-Strom zur Steuerung des Anzeigeelements (2) entspricht, – die Haltespannung von dem Anzeigeelement (2) weggenommen wird und – der gewünschte Source-Drain-Strom durch das Elektrolumineszenzanzeigeelement (2) gesteuert wird.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei der gewünschte Source-Drain-Strom durch den zweiten Transistor (30) durch Anlegen einer ersten Versorgungsspannung (26) an den zweiten Transistor (30) gesteuert wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei die erste Versorgungsspannung nicht an den zweiten Transistor angelegt wird, während die Spannung an dem Anzeigeelement gehalten wird.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei die erste Versorgungsspannung und die Haltespannung durch eine gemeinsame Energieversorgungsleitung (26) abgegeben werden.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 12, wonach die Speicherung einer gewünschten Gate-Source-Spannung auf einem Speicherkondensator (24) die Kopplung von Daten von einer Datensignalleitung (6) mit dem Speicherkondensator (24) durch einen Adresstransistor (16) umfasst.
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