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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Die
vorliegende Erfindung betrifft einen Sensor für oxidierendes Gas, mit einer
Gasmessschicht, welche aus einem Metalloxidhalbleitermaterial auf
einem isolierenden Substrat geformt ist, um so eine Veränderung
des Widerstands als Antwort auf Konzentrationsvariationen des oxidierenden
Gases zu machen. Die vorliegende Erfindung betrifft auch ein Herstellungsverfahren
für oxidierendes
Gas.
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Es
sind verschiedene Metalloxidhalbleitergassensoren bekannt, die jeweils
ein Sensorelement enthalten, welches eine Gasmessschicht aufweist,
die aus einem Metalloxidhalbleitermaterial auf einem isolierenden Substrat
gebildet ist, um Konzentrationsvariationen des oxidierenden Gases,
wie Stickstoffoxid (NOx) als Antwort auf eine Veränderung
des Widerstands in der Gasmessschicht aufgrund der Abgabe von Elektronen
in einem Oberflächenbereich
der Gasmessschicht zu ermitteln.
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In
einer Art des Metalloxidhalbleitergassensors, weist das Sensorelement
einen Katalysatoranteil in Kontakt mit der Gasmessschicht auf, wie
in der internationalen Veröffentlichung
WO 2004/048957A1 offenbart, um
die Gasermittlungsleistung zu verbessern.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Der
Metalloxidhalbleitergassensor weist im Allgemeinen einen Nachteil,
dass sich der Widerstand des Sensorelementes mit der Zeit verändert. Um
solch einen Nachteil zu überwinden
und die Widerstandstabilität des
Sensorelementes zu verbessern, ist es vorstellbar, das Sensorelement
einer Wärmebehandlung
bei Temperaturen von 350°C
oder mehr in einem Fluss von dampfhaltiger Luft zu unterwerfen,
wie in der offengelegten
japanischen
Patentveröffentlichung
Nr. 6-213853 vorgeschlagen. Die Haftung des Katalysatoranteils
an der Gasmessschicht kann jedoch geschwächt werden, abhängig von
den Bedingungen der Hochtemperaturwärmebehandlung, aufgrund der
Tatsache, dass die vorgeschlagene Wärmebehandlung nicht für den Metalloxidhalbleitergassensor
der Art beabsichtigt ist, bei welchem sich der Katalysatoranteil
in Kontakt mit der Gasmessschicht befindet und berücksichtigt
nicht die Haftung des Katalysatoranteils an dem Gasmessanteil. Es ist
sehr wahrscheinlich, dass eine Trennung des Katalysatoranteils von
der Gasmessschicht im Verlauf der Zeit auftreten wird, wenn die
Haftung des Katalysatoranteils an der Gasmessschicht geschwächt wird.
Dies führt zu
einer Verschlechterung der Empfindlichkeit und Beständigkeit
des Sensorelementes.
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Es
ist daher ein Gegenstand der vorliegenden Erfindung einen Gassensor
bereitzustellen, mit einer Gasmessschicht, gebildet aus einem Metalloxidhalbleitermaterial
auf einem isolierenden Substrat, und einem Katalysatoranteil, welches
aus einem Edelmetall gebildet ist, in Kontakt mit der Gasmessschicht,
ohne eine Schwächung
der Haftung zwischen der Gasmessschicht und dem Katalysatoranteil
zu bewirken, auch bei einer Benutzung über einen langen Zeitraum.
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Es
ist auch ein Gegenstand der vorliegenden Erfindung ein Gassensorherstellungsverfahren
bereitzustellen.
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Gemäß eines
Gegenstandes der vorliegenden Erfindung wird ein Gassensor bereitgestellt,
umfassend: ein isolierendes Substrat; eine Gasmessschicht, welche
auf dem isolierenden Substrat laminiert ist und im Wesentlichen
aus Zinnoxid gebildet ist, um eine Veränderung des Widerstandes als
eine Antwort auf Konzentrationsvariationen des oxidierenden Gases
zu machen; und eine Vielzahl von Katalysatorkörnern, aufgetragen auf eine
Oberfläche
der Gasmessschicht, und im Wesentlichen aus Gold gebildet, wobei
20% oder mehr der Katalysatorkörner
ein Aspektverhältnis
von 2,0 oder mehr aufweisen, wenn sie von der Oberfläche der
Gasmessschicht aus gesehen werden.
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Gemäß eines
weiteren Gegenstandes der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren
zur Herstellung eines Gassensors bereitgestellt, umfassend: Bilden
einer Gasmessschicht aus Zinnoxid durch einen Dünnschichtbildungsprozess auf
einem isolierenden Substrat; Auftragen von Katalysatorkörnern aus
Gold ohne zusätzliche
Wärme auf
eine Oberfläche
der Gasmessschicht durch ein Dünnfilmbildungsverfahren
auf das isolierende Substrat, und Wärmebehandeln der Gasmessschicht
und der Katalysatorkörner
in einer Atmosphäre, die
einen Sauerstoffgehalt von 10 ppm oder weniger aufweist.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1 zeigt
einen Querschnitt eines Sensor für
oxidierendes Gas gemäß einer
beispielhaften Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
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2 zeigt
einen Querschnitt eines Sensorelementes für den Sensor für oxidierendes
Gas gemäß einer
beispielhaften Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
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3 zeigt
eine schematische Ansicht, welche darstellt, wie die Abmessungen
des Katalysatorkorns des Sensorelementes gemessen werden, gemäß einer
beispielhaften Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
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4 zeigt
eine SEM-Aufnahme eines Gassensorelementes aus Beispiel 1.
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5 zeigt
ein Balkendiagramm, welches die Verteilung des Aspektverhältnisses
der Katalysatorkörnern
des Sensorelementes aus Beispiel 1 darstellt.
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6 zeigt
eine SEM-Aufnahme eines Gassensorelementes aus Beispiel 2.
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7 zeigt
ein Balkendiagramm, welches eine Verteilung des Aspektverhältnisses
der Katalysatorkörner
des Sensorelementes aus Beispiel 2 darstellt.
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8 zeigt
eine SEM-Aufnahme eines Gassensorelementes des Vergleichsbeispiels.
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9 zeigt
ein Balkendiagramm, welches eine Verteilung des Aspektverhältnisses
der Katalysatorkörner
des Sensorelementes des Vergleichsbeispiels darstellt.
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10 zeigt
eine Kurve, welche einen Vergleich der Gasempfindlichkeit der Sensorelemente
aus Beispiel 1, Beispiel 2 und dem Vergleichsbeispiel zeigt.
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11 zeigt
eine Aufnahme eines optischen Mikroskops des Sensorelementes aus
Beispiel 1.
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12 zeigt
eine Lichtmikroskopaufnahme des Sensorelementes aus Beispiel 2.
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13 zeigt
eine Lichtmikroskopaufnahme des Sensorelementes aus dem Vergleichsbeispiel.
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BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Ein
Sensor 1 für
oxidierendes Gas gemäß einer
der Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung wird im Folgenden unter Bezugnahme auf
die Zeichnungen beschrieben. Es wird festgehalten, dass der Gassensor 1 zu
Erläuterungszwecken
insbesondere so aufgebaut ist, dass er die Konzentration von oxidierenden Gas,
insbesondere Stickstoffdioxid (NO2), in
einem gasförmigen
Material bei der Messung ermittelt.
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Wie
in den 1 und 2 dargestellt, umfasst der Gassensor 1 ein
isolierendes Substrat und ein Sensorelement 4 mit einer
Gasmessschicht 41, welches auf dem isolierenden Substrat
laminiert und aus einem Metalloxidhalbleitermaterial gebildet ist,
und ein Katalysatoranteil 42 wird in Kontakt mit der Gasmessschicht 41 gehalten
und ist aus einem Edelmetall gebildet. Das isolierende Substrat
ist hierbei ein laminierter Verbund aus einem Substratkern 2 und
isolierenden Filmschichten 3a und 3b, und das
Sensorelement 4 weist eine abgerundete rechteckige ebene
Form auf. In der vorliegenden Ausführungsform besteht die Gasmessschicht 41 im
Wesentlichen aus Zinnoxid (SnO2), d.h.,
sie enthält
Zinnoxid als Hauptbestandteil in einer Menge von 99% oder mehr,
bezogen auf die Gesamtmasse der Gasmessschicht 41. Im Gegensatz
dazu besteht der Katalysatoranteil 42 aus einer Vielzahl
von Körnern,
welche im Wesentlichen aus Gold (Au) bestehen und auf eine Oberfläche 46 der
Gasmessschicht 41 aufgebracht sind, und über diese
verteilt sind, welche an der dem isolierenden Substrat gegenüberliegenden
Seite der Gasmessschicht 41 in der vorliegenden Erfindung
angeordnet ist.
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Die
Körner
des Katalysatoranteils 42 (im Folgenden einfach als "Katalysatorkörner" bezeichnet) umfassen
dreidimensionale kugelförmige
Körner,
welche einen gleichförmigen
Durchmesser aufweisen (mit perfekter oder fast perfekter Kugelform)
und dreidimensionalen nicht kugelförmigen Körnern, welche keinen gleichförmigen Durchmesser
aufweisen (mit z.B. ovaler Form). Im Allgemeinen stellen die nicht
kugelförmigen Katalysatorkörner eine
größere Kontaktfläche als
die kugelförmigen
Katalysatorkörner
zur Verfügung,
um so eine bessere Haftung des Katalysatoranteils 42 an
der Gasmessschicht 41 zu erzielen.
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Demzufolge
wird der Katalysatoranteil 42 auf solch eine Weise gesteuert,
dass 20% oder mehr der Katalysatorkörner ein Aspektverhältnis von
2,0 oder mehr aufweisen, wenn sie von der Oberfläche 46 der Gasmessschicht 41 aus
gesehen werden. Die Katalysatorkörner
mit einem Aspektverhältnis
von 2,0 oder mehr weisen eine nicht kugelförmige Form auf und stellen
eine relativ große
Kontaktfläche
zwischen der Gasmessschicht 41 und dem Katalysatoranteil 42 zur
Verfügung.
Wenn der Anteil der nicht kugelförmigen
Katalysatorkörner
auf den oben spezifizierten hohen Anteilbereich gesteuert wird,
kann das Sensorelement 4 die Haftung zwischen der Gasmessschicht 41 und
dem Katalysatoranteil 42 verbessern und die Trennung des
Katalysatorbereichs 42 von der Gasmessschicht 41 verhindern.
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In
der vorliegenden Ausführungsform
wird das Aspektverhältnis
als ein Länge-zu-Breite-Verhältnis des Katalysatorkorns
definiert und bestimmt, indem eine SEM-Aufnahme mit einem Rasterelektronenmikroskop (FE-SEM)
von der Oberfläche
der Gasmessschicht 41 aus aufgenommen wird, und anschließend, ein
Bild der Katalysatorkörner
in der SEM-Aufnahme betrachtet wird. Die Bildvergrößerung und
-fläche
werden geeignet ausgewählt,
so dass das aufgenommene Foto das Bild einer Vielzahl von Katalysatorkörnern enthält (vorzugsweise
ungefähr
100 Katalysatorkörner).
Ein Beispiel eines nicht kugelförmigen
Katalysatorkorns 43 ist in 3 dargestellt.
In dem Fall des nicht kugelförmigen
Katalysatorkorns 43 wird das Aspektverhältnis berechnet, indem die
längste
Abmessung Lmax des Katalysatorkorns 43 durch die maximale
Abmessung Lmin des Katalysatorkorns 43 in einer Richtung
senkrecht zu der Richtung der längsten
Abmessung Lmax berechnet, wie in 3 dargestellt.
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Wenn
die Gasmessschicht 41 eine relativ große Dicke aufweist, können die
Katalysatorkörner
auf und in der Oberfläche 46 der
Gasmessschicht 41 vorhanden sein, so dass eine Trennung
des Katalysatoranteils 42 von der Gasmessschicht 41 kaum
in der Anwesenheit einiger Katalysatorkörner in der Gasmessschicht 41 auftritt.
Auf der anderen Seite existieren im Wesentlichen alle der Katalysatorkörner auf
der Oberfläche 46 der Gasmessschicht 41,
wenn die Gasmessschicht 41 eine relativ geringe Dicke aufweist.
Auch in solch einem Fall kann das Sensorelement 4 eine
gute Haftung zwischen der Gasmessschicht 41 und dem Katalysatoranteil 42 sicherstellen
und kann eine Trennung des Katalysatoranteils 42 von der
Gasmessschicht 41 durch die Wirkung der Aspektverhältniskontrolle
der Katalysatorkörner
verhindern. In anderen Worten ist die Kontrolle des Aspektverhältnisses
der Katalysatorkörner
in beiden Fällen
wirksam, wenn die Katalysatorkörner
auf und in der Oberfläche 46 der
Gasmessschicht 41 existieren und wenn die Katalysatorkörper auf
der Oberfläche 46 der Gasmessschicht 41 existieren.
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Um
eine bessere Haftung zwischen der Gasmessschicht 41 und
dem Katalysatoranteil 42 sicherzustellen und eine Trennung
des Katalysatoranteils 42 von der Gasmessschicht 41 effektiver
zu verhindern, ist es wünschenswert,
den Anteil der Katalysatorkörner
mit einem Aspektverhältnis
von 2,0 oder mehr auf 30% oder mehr, insbesondere 40% oder mehr
zu steuern.
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Es
ist auch wünschenswert,
den Anteil der Katalysatorkörner
mit einem Aspektverhältnis
von weniger als 1,1 auf 10% oder weniger zu steuern, noch wünschenswerterweise
auf 5% oder weniger, insbesondere 3% oder weniger. Die Katalysatorkörner mit
einem Aspektver hältnis
von weniger als 1,1 weisen eine kugelförmige Form oder grob kugelförmige Form
auf und stellen einen relativ kleinen Kontaktbereich zwischen der
Gasmessschicht 41 und dem Katalysatoranteil 42 zur
Verfügung.
Wenn der Anteil solcher kugelförmiger
Katalysatorkörner
groß ist,
wird die Haftung zwischen der Gasmessschicht 41 und dem
Katalysatoranteil 42 schlecht, so dass leicht eine Trennung
des Katalysatoranteils 42 von der Gasmessschicht auftreten
kann. Wenn der Anteil der kugelförmigen
Katalysatorkörner
auf den oben spezifizierten niedrigen Anteil gesteuert wird, kann
das Sensorelement 4 jedoch eine schlechte Haftung zwischen
der Gasmessschicht 41 und dem Katalysatoranteil 42 vermeiden
und eine Trennung des Katalysatoranteils 42 von der Gasmessschicht 41 wirksam
verhindern.
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Es
ist des Weiteren wünschenswert,
dass wenigstens ein Teil der Katalysatorkörner eine teilweise flache
Form aufweisen, um so eine größere Kontaktfläche bereitzustellen,
eine bessere Haftung zwischen der Gasmessschicht 41 und
dem Katalysatoranteil 42 sicherzustellen und die Trennung
des Katalysatoranteils 42 von der Gasmessschicht 41 zu
verhindern.
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Hierbei
muss wenigstens ein Teil der Oberfläche 46 der Gasmessschicht 41 an
der Außenseite
des Gassensors 1 freiliegen, ohne dass die Oberfläche 46 der
Gasmessschicht vollständig
von dem Katalysatoranteil 42 bedeckt ist, um so zu ermöglichen,
dass das zu ermittelnde oxidierende Gas die Oberfläche 46 der Gasmessschicht
erreicht und so eine Elektronenabgabe in einem Oberflächenbereich
der Gasmessschicht 41 bewirkt. Die Katalysatorkörner tragen
im Wesentlichen zu der Elektronenabgabe in dem Oberflächenbereich der
Gasmessschicht 41 bei, um die Leistung der Gasermittlung
zu verbessern, wenn sie wenigstens teilweise an der Außenseite
der Gasmessschicht 41 freiliegt, trägt jedoch wenig zu der Elektronenabgabe
in dem Oberflächenbereich
der Gasmessschicht 41 bei, wenn sie vollständig in
der Gasmessschicht 41 eingebettet ist. Es ist daher bevorzugt,
dass, während
wenigstens ein Teil der Oberfläche 46 der
Gasmessschicht 41 an der Außenseite des Gassensors 1 freiliegt,
die Katalysatorkörner
wenigstens teilweise an der Außenseite
der Gasmessschicht 41 freiliegen, um die Elektronenabgabe
in dem Oberflächenbereich
der Gasmessschicht 41 zu steigern, durch die katalytische
Wirkung des Katalysatorbereichs 42. Es ist daher möglich, eine
verbesserte Gasermittlungsleistung zu erhalten, ohne die Gasempfindlichkeit
zu verschlechtern.
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Für eine sekuläre Gaserrmittlung/-stabilität, ist es
wünschenswert,
dass der Bereich der Oberfläche 46 der
Gasmessschicht 41, welche von dem Katalysatoranteil 42 bedeckt
ist, 1,5% bis 93,0%, bevorzugt 2,0% bis 90,0%, insbesondere 2,0%
bis 75,0% der Gesamtfläche
der Oberfläche 46 der
Gasmessschicht bildet.
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In
der vorliegenden Ausführungsform
wird das Verhältnis
der Fläche
der Oberfläche 46 der
Gasmessschicht 41, welche von dem Katalysatoranteil 42 bedeckt
wird, zu der Gesamtfläche
der Oberfläche 46 der Gasmessschicht
(im Folgenden als das "Katalysatorflächenverhältnis" bezeichnet) durch
das Aufnehmen einer SEM-Aufnahme des Sensorelementes 4 mit
einem Rasterelektronenmikroskop (FE-SEM) bestimmt und durch das
Teilen der Fläche
eines reflektierten Elektronenbildes der Katalysatorkörner in
der SEM-Aufnahme durch die Gesamtbildfläche des SEM-Bildes.
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Wenn
das Katalysatorflächenverhältnis innerhalb
des oben spezifizierten Bereichs gesteuert wird, kann das Sensorelement 4 eine
hohe Gasempfindlichkeit erzielen. Es zeigen sich keine Probleme
bei der Verwendung solch eines sehr empfindlichen Sensorelementes 4 selbst
unter Bedingungen, die eine Zerstörung der Empfindlichkeit bewirken.
Dies ermöglich
es, sekuläre
Gaserrmittlungsstabilität
zu erzielen, ohne eine Verschlechterung der Gasempfindlichkeit.
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Es
ist des Weiteren wünschenswert,
hinsichtlich der Zuverlässigkeit
des Sensors, das Verhältnis
der Anzahl der Goldatome (d.h. des Metallelementbestandteils in
dem Katalysatoranteil 42) zu der Summe der Anzahl der Zinnatome
(d.h. der Elementbestandteil der Gasmessschicht 41) und
die Anzahl der Goldatome in der Oberfläche 46 der Gasmessschicht
(im Folgenden als ein "Oberflächenatomverhältnis Au/(Sn
+ Au)" bezeichnet)
in dem Bereich von 10% bis 70% liegt, noch wünschenswerterweise zwischen
20 bis 60%.
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In
der vorliegenden Ausführungsform
wird das Oberflächenatomverhältnis Au/(Sn
+ Au) durch Röntgenstrahlenfotoelektronenspektroskopie
(XPS) gemessen. Insbesondere wird das Oberflächenatomverhältnis Au/(Sn
+ Au) bestimmt, indem die Fotoelektronenpeakflächen der jeweiligen Elementbestandteile durch
einen Röntgenoberflächenanalysator
(so wie "Quantera
SXM" erhältlich von
Physical Electronics) unter Verwendung von AIKα (1486 keV) als Röntgenquelle
mit einem Ermittlungsbereich von 100 μm bei einer Ermittlungstiefe
von 4 bis 5 nm (ein Ausgangswinkel von 45°C) gemessen wird, die Mengen
(Atomzahlen) der Elementbestandteile gemäß der folgenden Gleichung berechnet
werden, und anschlie ßend
diese berechneten Werte in die Gleichung des Oberflächenatomverhältnisses
Au/(Sn + Au): substituiert werden
wobei Ci die Menge des Elementes
i ist (in Einheiten von Atom%); Ai die Fotoelektronenpeakfläche des
Elementes i ist; und RSFi der relative Empfindlichkeitsindex des
Elementes i ist.
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Wenn
das Oberflächenatomverhältnis Au/(Sn
+ Au) weniger als 10% beträgt,
ist der Anteil des Katalysatorbereichs 42 auf der Gasmessschicht 41 so
gering, dass die Gasempfindlichkeit des Sensorelementes 4 in
dem anfänglichen
Zustand hoch ist, sich jedoch leicht mit der Zeit verschlechtert.
Wenn das Oberflächenatomverhältnis Au/(Sn
+ Au) 70% überschreitet,
ist das Verhältnis
des Katalysatoranteils 42 auf der Gasmessschicht 41 so
hoch, dass die Gasempfindlichkeit des Sensorelementes 4 sogar
in dem anfänglichen
Zustand niedrig ist. Wenn die Oberflächenatomrate Au/(Sn + Au) innerhalb
des oben angegebenen Bereichs gesteuert wird, kann jedoch verhindert
werden, dass sich die Gasempfindlichkeit des Sensorelementes 4 in
dem anfänglichen
Zustand und über
den Verlauf der Zeit verschlechtert. Dies ermöglicht es, die Zuverlässigkeit
des Sensorelementes 4 zu verbessern.
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Um
eine Verschlechterung der Empfindlichkeit des Sensorelementes 4 wirksam
zu verhindern, ist es noch wünschenswerter
das Oberflächenatomverhältnis Au/(Sn
+ Au) auf einen Bereich von 20% bis 60% zu steuern.
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Wie
in den 1 und 2 darstellt umfasst der Gassensor 1 eine
Heizvorrichtung 5 und wenigstens ein Paar Elektroden 6 zusätzlich zu
dem isolierenden Substrat, d.h. dem Substratkern 2 und
den isolierenden Filmen 3a und 3b und das Sensorelement 4.
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Der
Substratkern 2 besteht in der vorliegenden Ausführungsform
aus Silicium. Die isolierenden Filme 3a und 3b sind
auf gegenüberliegenden
Oberflächen
des isolierenden Substrats 2 angeordnet, so dass das Sensorelement 4 auf
dem isolierenden Film 3a getragen wird. Jeder der isolierenden
Filme 3a und 3b weist eine erste isolierende Schicht 31 auf,
laminiert auf dem Substratkern 2, und eine zweite isolierende
Schicht 32, laminiert auf der ersten laminierten Schicht 31.
In der vorliegenden Ausführungsform
bestehen die ersten und zweiten isolierenden Schichten 31 und 32 aus
Siliciumoxid (SiO2) und Siliciumnitrid (Si3N4). Der iso lierende Film 3a weist
des Weiteren eine dritte isolierende Schicht 33 auf, welche
auf der zweiten isolierenden Schicht 32 laminiert ist,
und eine vierte isolierende Schicht 34, welche auf der
dritten isolierenden Schicht 33 laminiert ist. Die dritten
und vierten isolierenden Schichtbereiche 33 und 34 bestehen
aus Siliciumoxid (SiO2) und Siliciumnitrid
(Si3N4), in der
vorliegenden Ausführungsform.
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Es
wird eine Öffnung 21 gebildet,
an einer Position entsprechend dem Sensorelement 4 (unter
dem Sensorelement 4 in 1), durch
das isolierende Substrat 2 und dem isolierenden Film 3b in
deren Dickerichtung, so dass der Gassensor 1 eine Diaphragmastruktur
aufweist.
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Die
Heizvorrichtung 5 ist innerhalb der dritten isolierenden
Schicht 33 eingebettet (d.h. zwischen den unteren und oberen
Schichtbereichen 331 und 332 der dritten isolierenden
Schicht 33 angeordnet) des ersten isolierenden Films 3a an
einer Position in der Nähe
des Sensorelementes 4 und der Öffnung 21 (direkt
unter dem Sensorelement 4 und direkt oberhalb der Öffnung 21 in 1),
um so die Gasmessschicht 41 des Sensorelementes 4 zu
erwärmen.
Durch die Anordnung der Gasmessschicht 41, der Heizvorrichtung 5 und
der Öffnung 21 an
Positionen, welche einander entsprechen, kann die Gasmessschicht 41 mittels
der Heizvorrichtung 5 wirksam für eine schnelle und frühe Aktivierung
der Gasmessschicht 41 erwärmt werden und für eine genaue
Ermittlung des oxidierenden Gases. Wie in 2 dargestellt,
weist die Heizvorrichtung 5 eine Doppelschichtstruktur
auf, bestehend aus einer unteren Heizschicht 51, angeordnet
auf dem unteren Schichtbereich 331 der dritten isolierenden
Schicht 33 und einer oberen Heizschicht 52, laminiert
auf der unteren Heizschicht 51. In der vorliegenden Ausführungsform
bestehen die unteren und oberen Heizschichten 51 und 52 aus
Tantal (Ta) bzw. Platin (Pt). Obwohl in den Zeichnungen nicht dargestellt,
ist ein Heizanschluss mit der Heizvorrichtung 5 verbunden,
um so die Heizvorrichtung 5 mit einer Stromzufuhr von einer
externen Einrichtung zu versorgen. Der Heizanschluss wird mit einem
Kontaktbereich zur Verbindung an der externen Einrichtung gebildet.
Des Weiteren weist der Heizanschluss die gleiche Doppelschichtstruktur
wie die Heizvorrichtung 5 in der vorliegenden Ausführungsform
auf.
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Die
Elektroden 6 sind auf der vierten isolierenden Schicht 34 des
ersten isolierenden Films 3a an Positionen angeordnet,
in der Nähe
der Heizvorrichtung 5, auf solch eine Weise, dass zwei
benachbarte Elektroden 6 ein Elektrodenpaar bilden und
elektrisch mit der Gasmessschicht 41 des Sensorelementes 4 verbunden sind.
Jede der Elektroden 6 weist auch eine Doppelschichtstruktur
auf, bestehend aus einer unteren Elektrodenschicht 61 laminiert
auf der vierten isolierenden Schicht 34 und einer oberen
Elektrodenschicht 62, laminiert auf der unteren Elektrodenschicht 61,
wie in 2 dargestellt. In der vorliegenden Ausführungsform
bestehen die unteren und oberen Elektrodenschichten 61 und 62 aus
Titan (Ti) bzw. Platin (Pt). Des Weiteren sind Elektrodenanschlüsse mit
den Elektroden 6 verbunden, obwohl nicht in den Zeichnungen
dargestellt. Die Elektrodenanschlüsse sind mit Kontaktbereichen
zur Verbindung an externen Einrichtungen ausgebildet.
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Durch
die obige Struktur macht der Gassensor 1 Veränderungen
des Widerstands in der Gasmessschicht 41 aufgrund der Elektrodenabgabe
durch den Oberflächenbereich
der Gasmessschicht 41 in Anwesenheit des zu ermittelnden
oxidierenden Gases, um so Konzentrationsvariationen in dem oxidierenden
Gas als Antwort auf solche Veränderungen
des Widerstands zu ermitteln und ein Ergebnis über die Konzentrationsvariationen
des oxidierenden Gases zu der externen Einrichtung weiterzugeben.
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Der
wie oben strukturierte Gassensor 1 kann gebildet werden,
indem die Gasmessschicht 41 auf dem isolierenden Substrat
gebildet wird, die Katalysatorkörner
auf die Gasmessschicht 41 aufgebracht werden, um so den
Katalysatoranteil 42 auf (oder auf und in) der Gasmessschicht 41 zu
bilden, und anschließend
die Gasmessschicht 41 und der Katalysatoranteil 42 einer
Wärmebehandlung
in einer Atmosphäre
enthaltend 10 ppm oder weniger Sauerstoff unterworfen wird. Beide,
die Gasmessschicht 41 und der Katalysatoranteil 42,
können durch
jedes bekannte Dünnschichtbildungs/Aufbringverfahren,
wie Sputtern oder Abscheiden, hergestellt werden. Keine Wärme wird
dem isolierenden Substrat während
des Aufbringens des Katalysatoranteils 42 auf die Gasmessschicht 41 zugeführt.
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Die
Widerstandsstabilität
des Sensorelementes 4 kann durch die Wärmebehandlung der Gasmessschicht 41 und
des Katalysatoranteils 42 verbessert werden (nach der Bildung
der Gasmessschicht 41 und des Katalysatoranteils 42 auf
dem Substrat). Wenn die Wärmebehandlung
in einer Atmosphäre
mit hohem Sauerstoffgehalt durchgeführt wird, wird das Maß der Agglomeration
der Katalysatorkörner
jedoch unter der Wirkung des Sauerstoffs so hoch, dass die Katalysatorkörner dazu
neigen, im Durchmesser dreidimensional gleichmäßig zu sein (eine kugelförmige Form
aufweisen). Insbesondere ist das Agglomerationsmaß der Katalysatorkörner während der
Wärmebehandlung
hoch, wenn die Katalysatorkörner
aus Gold bestehen. Der Katalysatoranteil 42 neigt zur Trennung
von der Gasmessschicht 41 aufgrund der schlechten Haftung
zwischen der Gasmessschicht 41 und dem Katalysatoran teil 42.
In der vorliegenden Erfindung wird die Wärmebehandlung jedoch in der
oben spezifizierten Atmosphäre
mit niedrigem Sauerstoffgehalt durchgeführt. Dies ermöglicht es, das
Agglomerationsmaß der
Katalysatorkörner
zu steuern, eine geeignete Menge nicht kugelförmiger Katalysatorkörner in
dem Katalysatoranteil 42 sicherzustellen und eine schlechte
Haftung zwischen der Gasmessschicht 41 und dem Katalysatoranteil 42 zu
vermeiden.
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Um
eine Verschlechterung der Haftung zwischen der Gasmessschicht 41 und
dem Katalysatoranteil 42 wirksam zu verhindern, ist es
wünschenswerter
den Sauerstoffgehalt der Atmosphäre
bei der Wärmebehandlung
auf ein niedriges Maß zu
steuern, z.B. 5 ppm oder weniger, insbesondere 0,2 ppm oder weniger.
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Die
Temperatur der Atmosphäre
der Wärmebehandlung
ist nicht besonders beschränkt
und kann z.B. auf 360°C
eingestellt werden. Um dem Sensorelement 4 eine sekuläre Widerstandsstabilität zu verleihen,
wird die Wärmebehandlungstemperatur
vorzugsweise etwas höher
(z.B. 50°C)
als die Betriebstemperatur des Gassensors 1 eingestellt,
um eine sekuläre
Widerstandsstabilität
zu erzielen. Zum Beispiel kann die Wärmebehandlungstemperatur auf
300°C oder
höher eingestellt
werden, wenn die Betriebsumgebungstemperatur des Gassensors 1 250°C beträgt.
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Auf
diese Weise kann das Sensorelement 4 nicht nur eine sekuläre Widerstandsstabilität erzielen,
sondern auch eine gute Adhäsion
zwischen der Gasmessschicht 41 und dem Katalysatoranteil 42.
Das Auftreten einer Trennung des Katalysatoranteils 42 von
der Gasmessschicht 41 kann vermieden werden, ohne Zerstörung der
Haftung zwischen der Gasmessschicht 41 und dem Katalysatoranteil 42,
um so Änderungen
des Widerstands des Sensorelementes 4 im Verlauf der Zeit
zu verhindern. Es ist daher gemäß der vorliegenden
Ausführungsform
möglich,
das Sensorelement 4 vor einer Zerstörung der Leistung zu schützen und
zu verbessern.
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Die
vorliegende Erfindung wird im Detail unter Bezugnahme auf die folgenden
Beispiele beschrieben. Es sollte jedoch festgehalten werden, dass
die folgenden Beispiele nur illustrativ sind und die Erfindung nicht auf
diese beschränken
sollen.
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EXPERIMENT 1
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Beispiel 1
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[Herstellung des Gassensors]
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Eine
Vielzahl von Probe NO2 Sensoren wurden in
den folgenden ersten bis vierzehnten Verfahrensschritten hergestellt.
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In
dem ersten Schritt wurde ein Siliconwafer in einen Reiniger eingetaucht,
um die Oberflächen
des Siliconwafers zu reinigen.
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In
dem zweiten Schritt wurde der Siliconwafer in einem Ofen wärmebehandelt,
um die Oberflächenbereiche
des Siliconwafers zu oxidieren und auf diese Weise Siliciumoxidschichten
mit 100 nm Dicke (als erste isolierende Schicht 31) zu
bilden, während
die übrigbleibende
nicht oxidierten Bereiche des Siliconwafers als ein Siliciumkern
zurückblieben
(Substratkern 2).
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In
dem dritten Schritt wurden Siliciumnitridschichten mit 200 nm Dicke
(als zweite isolierende Schichten 32) auf die Oberflächen der
isolierenden Siliciumoxidschichten aufgebracht, welche in dem zweiten
Schritt gebildet wurden, durch ein LP-CVD (chemische Niederdruck-Dampfabscheidung)
Verfahren unter Verwendung von SiH2Cl2 und NH3 als Quellengas.
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In
dem vierten Schritt wurde eine Siliciumoxidschicht (als der untere
Schichtbereich 331 der dritten isolierenden Schicht 33)
auf eine Oberfläche
jeder der isolierenden Siliciumnitridschichten, welche in dem dritten Schritt
gebildet wurden, aufgebracht, durch ein Plasma CVD-Verfahren unter
Verwendung von TEOS (Tetraethoxysilan) und O2 als
Quellengas.
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In
dem fünften
Schritt wurde ein doppelschichtiges Heizelement (als Heizvorrichtung 5)
hergestellt, indem eine Tantalschicht mit 20 nm Dicke (als die Heizschicht 51)
unter Verwendung einer DC (Gleichstrom)-Sputtereinrichtung auf eine
Oberfläche
der isolierenden Siliciumoxidschicht, welche in dem vierten Schritt
gebildet wurde, aufgebracht wurde, eine Platinschicht mit 220 nm
Dicke (als Heizschicht 52) auf die Tantalschicht unter
Verwendung einer DC-Sputtereinrichtung aufgebracht wurde, ein Fotolackmuster
durch Fotolithografie erzeugt wurde und anschließend die unnötigen Bereiche
der Tantal- und Platinschichten durch ein Nassätzverfahren entfernt wurden.
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In
dem sechsten Schritt wurde eine Siliciumoxidschicht mit 100 nm Dicke
(als der obere Schichtbereich 332 der dritten isolierenden
Schicht 33) auf die Oberfläche der isolierenden Siliciumoxidschicht,
welche in dem vierten Schritt gebildet wurde, aufgebracht, um so
das Heizelement abzudecken, durch ein Plasma CVD-Verfahren unter
Verwendung von TEOS (Tetraethylorthosilicat) und O2 als
ein Quellengas.
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In
dem siebten Schritt wurde eine Siliciumnitridschicht mit 200 nm
Dicke (als vierte isolierende Schicht 34) auf einer Oberfläche der
isolierenden Siliciumoxidschicht, welche in Schritt sechs gebildet
wurde, aufgebracht, durch ein LP-CVD-Verfahren unter Verwendung
von SiH2Cl2 und
NH3 als Quellengas.
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In
dem achten Schritt wurden Heizvorrichtungsanschlüsse mit Kontaktbereichen gebildet,
indem ein Fotolackmuster durch Fotolithografie und Trockenätzen der
unnötigen
Bereiche der isolierenden Schichten, welche in den vierten, sechsten
und siebten Schritten gebildet wurden, erzeugt wurde.
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In
dem neunten Schritt wurden Elektrodenpaare (als Elektroden 6)
durch das Aufbringen einer Titanschicht mit 20 nm Dicke (als Elektrodenschicht 61)
unter Verwendung einer DC-Sputtervorrichtung
auf einer Oberfläche
der isolierenden Siliciumnitridschicht hergestellt, welche in dem
sechsten Schritt hergestellt wurde, durch Aufbringen einer Platinschicht
mit 40 nm Dicke (als Elektrodenschicht 62) auf die Titanschicht
unter Verwendung einer DC-Sputtereinrichtung,
Erzeugen eines Fotolackmusters durch Fotolithografie und anschließend Nassätzen der
unnötigen
Teile der Titan- und Platinschichten. Elektrodenanschlüsse mit
Kontaktbereichen wurden gleichzeitig mit den Elektrodenpaaren gebildet.
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In
dem zehnten Schritt wurden Kontaktpads (Bindepads) zur Verbindung
der Heizvorrichtung und der Elektrodenkontaktbereiche hergestellt,
durch Aufbringen einer Goldschicht mit 400 nm Dicke, unter Verwendung
einer DC-Sputtereinrichtung, auf einen Bereich der Oberfläche der
isolierenden Siliciumnitridschicht, auf welcher die Elektrodenpaare
gebildet wurden, wobei ein Fotolackmuster durch Fotolithografie
erzeugt wurde und anschließend
die unnötigen
Teile der Goldschicht nassgeätzt
wurden.
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In
dem elften Schritt wurde eine Öffnung
(als Diaphragmaöffnung 21)
gebildet, durch das Erzeugen eines Fotolackmusters durch Fotolithografie
auf der anderen der isolierenden Siliciumnitridschichten, welche in
dem dritten Schritt gebildet wurden, Unterwerfen der isolierenden
Maskenschicht einem Trockenätzen
und anschließend
Eintauchen des Siliciumkerns und der isolierenden Schichten, welche
in dem zweiten und dritten Schritt gebildet wurden, in eine TMAH
(Tetramethylammoniumhydroxid) Lösung,
um die unnötigen
Teile dieser isolierenden Substratmaterialien durch anisotropes
Siliciumätzen
zu entfernen.
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In
dem zwölften
Schritt wurde ein Sensorelement mit abgerundeter rechteckiger ebener
Form (als Sensorelement 4) durch das folgende Verfahren
hergestellt. Zunächst
wurde eine Zinnoxidschicht mit 200 nm Dicke (als Gasmessschicht 41)
auf eine Oberfläche
der isolierenden Siliciumnitridschicht, welche in dem siebten Schritt
gebildet wurde, an Positionen gesputtert, welche dem Heizelement
und der Öffnung
entsprachen, unter Verwendung einer RF (Radio Frequenz) Sputtervorrichtung
unter Verwendung von Zinnoxid (SnO2) als ein
Target mit einer Sputtergeschwindigkeit von 2 nm/min. Während des
Sputterns der Zinnoxidschicht wurde das Substrat auf 50 bis 400°C erwärmt. Anschließend wurden
Goldkörner
(als die Katalysatorkörner
des Katalysatoranteils 42) auf eine Oberfläche der
Zinnoxidschicht unter Verwendung einer DC-Sputtervorrichtung oder
einer RF-Sputtervorrichtung und unter Verwendung von Gold (Au) als
ein Target gesputtert. Es wurde dem Substrat während des Goldkornsputterns
keine Wärme
zugeführt.
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In
dem dreizehnten Schritt wurde das Laminat, bei welchem die Zinnoxidschicht
und die Goldkörner auf
dem Substratmaterial laminiert wurden, bei 360°C für 3 Stunden in einer Atmosphäre mit einem
Sauerstoffgehalt von 0,2 ppm unter Verwendung einer RF-Sputtervorrichtung
oder eines Wärmebehandlungsofens
wärmebehandelt.
Während
der Wärmebehandlung
agglomerierten sich die Goldkörner
geeignet und verteilten sich über
die Zinnoxidschicht um so nicht die ganzen Oberflächen der
Zinnoxidschicht zu bedecken.
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Hierbei
waren die Sputterbedingungen des zwölften Schrittes und die Wärmebehandlungsbedingungen
des dreizehnten Schrittes geeignet eingestellt, auf solch eine Weise,
um die Oberflächenatomrate
Au/(Sn + Au) auf 45% zu steuern.
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In
dem vierzehnten Schritt wurde das Substrat durch eine trennende
Säge geschnitten,
um den so erhaltenen Probesensor von den anderen Probesensoren zu
trennen. Jeder der Probesensoren wurde vervollständigt (zu einer Gassensoreinrichtung)
indem er über
ein Verdrahtungselement über
Golddraht verbunden wurde und einem Altern bei 250°C für 100 Stunden
in Luft ausgesetzt wurde.
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[Überprüfung der
Leistung]
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Die
Leistungen der Probesensoren wurden wie folgt überprüft.
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Eine
SEM-Aufnahme der Zinnoxidschicht und der Goldkörner wurde als ein reflektiertes
Elektronenbild durch ein Feldemissionsrasterelektronenmikroskop
(FE-SEM) mit einer 80000-fachen
Vergrößerung und
einer Beschleunigungsspannung von 5 kV aufgenommen. Das reflektierte
Elektronenbild der Zinnoxidschicht und der Goldkörner ist in 4 dargestellt.
In dem reflektierten Elektronenbild in 4 sind die
Oberfläche
der Zinnoxidschicht und der Goldkörner in dunkel (schwarz) und
hell (weiß)
Farben dargestellt.
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Aus 4 wird
deutlich, dass die Goldkörner über die
Oberfläche
der Zinnoxidschicht verteilt sind und nicht in absolutem Kontakt
zueinander gehalten werden, so dass die Oberfläche der Zinnoxidschicht teilweise durch
Spalten zwischen den Goldkörnern
zur Außenseite
frei lag. Des Weiteren wiesen die Goldkörner variierende dreidimensionale
Formen auf (kugelförmig
und nicht kugelförmige
Form) im Allgemeinen jedoch winkelig und wenigstens teilweise flach
in der Form, wie in 4 zu sehen ist. Das Aspektverhältnis von
jedem der 100 Goldkörner
in einer willkürlichen
Fläche
der SEM Aufnahme wurde gemäß des oben
definierten Verfahrens bestimmt. Eine Verteilung der Aspektverhältnisse
der Goldkörner
ist in 5 in Form eines Balkendiagramms mit 11 Segmenten
(in Schritten von 0,1) angegeben. Der Prozentanteil der nicht kugelförmigen Goldkörner mit
einem Aspektverhältnis
von 2,0 oder mehr betrug ungefähr
41% und der Prozentanteil der kugelförmigen Goldkörner mit
einem Aspektverhältnis
von weniger als 1,1 betrug ungefähr
6%.
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Die
Analyse der chemischen Elemente wurde anschließend auf der Oberfläche der
Zinnoxidschicht durch XPS gemäß des oben
definierten Verfahrens durchgeführt.
Beide Sn- und Au-Atome wurden durch die XPS-Betrachtung ermittelt.
Das bedeutet, dass die Goldkörner über die
Oberfläche
der Zinnoxidschicht verteilt waren, ohne die gesamte Oberfläche der
Zinnoxidschicht zu bedecken. Das Oberflächenatomverhältnis Au/(Sn
+ Au) des Sensorelementes wurde auf 45% gemäß des oben definierten Verfahrens
berechnet.
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Des
Weiteren wurde die Erregungsbeständigkeit
des Sensorelementes überprüft, durch
das Ermitteln eines elektrischen Widerstands Ra der Zinnoxidschicht
während
des Fluss eines Basisgases (bezeichnet als ein "Referenzwiderstandswert") und eines elektrischen
Widerstands Rg der Zinnoxidschicht nach dem Verlauf von 5 Sekunden
nach der Zugabe von 1 ppm NO2 Gas (bezeichnet
als ein "gasermittelnder
Widerstandswert") und
durch Berechnen einer Sensorreaktion Rg/Ra durch das Teilen des
Gasermittlungswiderstandswertes Rg durch den Referenzwiderstandswert
Ra. Hierbei wurde eine Mischung aus 20,9% Sauerstoff (O2)
und Reststickstoff (N2) mit einer relativen
Gasfeuchtigkeit von 40% als Basisgas verwendet und die Gastemperatur
und die Heizelementtemperatur wurden während der Widerstandsmessung
auf 25°C
und 200°C
eingestellt. Ein größerer Wert
der Sensorreaktion Rg/Ra bedeutet eine höhere Gasermittlungsrate, d.h.
eine höhere
Gasempfindlichkeit, wohingegen ein geringerer Wert der Sensorreaktion
Rg/Ra eine niedrigere Gasermittlungsrate bedeutet, d.h. eine geringere
Gasempfindlichkeit. Eine Variation der Sensorreaktion Rg/Ra in Bezug
auf die Erregungsdauer ist in 10 dargestellt.
Aus 10 wird deutlich, dass die Sensorreaktion Rg/Ra
bei ungefähr 3,0
stabil war, mit geringer Änderung
während
des Verlaufs von 300 Stunden nach dem Beginn der Erregung.
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Nach
der Überprüfung der
Sensorreaktion Rg/Ra wurde eine Aufnahme der Zinnoxidschicht und
der Goldkörner
mittels eines Lichtmikroskops aufgenommen, um das Auftreten einer
Trennung der Goldkörner
von der Zinnoxidschicht zu überprüfen. Die
Aufnahme der Zinnoxidschicht und der Goldkörner ist in 11 dargestellt.
Es konnte keine Trennung der Goldkörner von der Zinnoxidschicht
beobachtet werden, wie in 11.
-
Die
obigen Überprüfungsergebnisse
sind in Tabelle 1 zusammengefasst.
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Beispiel 2
-
In
Beispiel 2 wurden NO2 Probesensoren auf
die gleiche Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, mit der Ausnahme,
dass der Sauerstoffgehalt der Atmosphäre der Wärmebehandlung in dem dreizehnten
Schritt auf 5 ppm gesteuert wurde.
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Die
Leistung der Probesensoren wurde auf die gleiche Weise wie in Beispiel
1 überprüft.
-
Eine
SEM-Aufnahme der Zinnoxidschicht und der Goldkörner aus Beispiel 2 ist in 6 dargestellt und
eine Verteilung der Aspektverhältnisse
der Goldkörner
aus Beispiel 2 ist in 7 angegeben. Aus 6 wird
deutlich, dass die Zinnoxidschicht des Beispiels 2 durch Spalten
zwischen den Goldkörnern
teilweise zur Außenseite
frei lag. Des Weiteren besaßen
die Goldkörner
aus Beispiel 2 auch sich verändernde
dreidimensionale Formen (kugelförmig
und nicht kugelförmige
Formen), wiesen jedoch eine weniger winkelige Form als die Goldkörner aus
Beispiel 1 auf, wie aus 6 deutlich wird. In Beispiel
2 betrug der Prozentanteil der nicht kugelförmigen Goldkörner mit
einem Aspektverhältnis
von 2,0 oder mehr ungefähr 32,5%
und der Prozentanteil der kugelförmigen
Goldkörner
mit einem Aspektverhältnis
von weniger als 1,1 betrug ungefähr
2,5%.
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Eine
Variation der Sensorreaktion Rg/Ra in Bezug auf die Erregungsdauer
ist in 10 angegeben. Aus 10 wird
deutlich, dass die Sensorreaktion Rg/Ra um nur ungefähr 1,2 während des
Verlaufes von 300 Stunden nach dem Beginn der Erregung in Beispiel
2 verringert wurde.
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Eine
Lichtmikroskopaufnahme der Zinnoxidschicht und der Goldkörner aus
Beispiel 2 ist in 12 dargestellt. In Beispiel
2 trat keine Trennung der Goldkörner
von der Zinnoxidschicht auf, wie in 12 festgestellt
wurde.
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Die Überprüfungsergebnisse
aus Beispiel 2 sind in Tabelle 1 zusammengefasst.
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Vergleichsbeispiel
-
In
dem Vergleichsbeispiel wurden NO2 Probesensoren
auf die gleiche Weise wie in den Beispielen 1 und 2 hergestellt,
mit der Ausnahme, dass die Wärmebehandlung
des dreizehnten Schrittes in Luft durchgeführt wurde, welche ungefähr 20% Sauerstoff
enthielt (d.h. der Sauerstoffgehalt der Atmosphäre der Wärmebehandlung in dem dreizehnten
Schritt betrug ungefähr
20000 ppm).
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Die
Leistung der Probesensoren wurde anschließend auf die gleiche Weise
wie in Beispiel 1 und 2 überprüft.
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Eine
SEM-Aufnahme der Zinnoxidschicht und der Goldkörner des Vergleichsbeispiels
ist in 8 dargestellt und eine Verteilung der Aspektverhältnisse
der Goldkörner
des Vergleichsbeispiels ist in 9 dargestellt.
Aus 8 wird deutlich, dass die Zinnoxidschicht des
Vergleichsbeispiels durch Spalten zwischen den Goldkörnern teilweise
zur Außenseite
frei lag. Die Goldkörner
des Vergleichsbeispiels wiesen sich verändernde dreidimensionale Formen
auf, besaßen
jedoch im Allgemeinen eine runde Form, wie in 8 deutlich
wird. In dem Vergleichsbeispiel betrug der Prozentanteil der nicht
kugelförmigen
Goldkörner
mit einem Aspektverhältnis
von 2,0 oder mehr ungefähr
1% und der Prozentanteil der kugelförmigen Goldkörner mit
einem Aspektverhältnis
von weniger als 1,1 ungefähr
30%.
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Eine
Variation der Sensorreaktion Rg/Ra in Bezug auf die Erregungsdauer
ist in 10 angegeben. Aus 10 wird
deutlich, dass sich die Sensorreaktion Rg/Ra während des Ver laufs von ungefähr 300 Stunden
nach dem Beginn der Erregung um ungefähr 3,5 in dem Vergleichsbeispiel
verringerte.
-
Des
Weiteren ist eine Lichtmikroskopaufnahme der Zinnoxidschicht und
der Goldkörner
des Vergleichsbeispiels in 13 dargestellt.
In dem Vergleichsbeispiel konnte etwas Trennung der Goldkörner von der
Zinnoxidschicht beobachtet werden, wie durch die Pfeile in 13 angegeben.
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Die Überprüfungsergebnisse
des Vergleichsbeispiels wurden auch in Tabelle 1 zusammengefasst. TABELLE 1
| Trennung
der Katalysatorkörner | Form
der Katalysatorkörner | Erregungsbeständigkeit | gesamte
Sensorleistung |
Beispiel
1 | keine | nicht
kugelförmig (teilweise
flach) | sehr
gut | exzellent |
Beispiel
2 | keine | nicht
kugelförmig (teilweise
flach) | gut | gut |
Vergleichsbeispiel | beobachtet | kugelförmig | schlecht | schlecht |
-
Wie
oben beschrieben wies der Sensor des Vergleichsbeispiels einen geringen
Prozentanteil nicht kugelförmiger
Goldkörner
und einen hohen Prozentanteil kugelförmiger Goldkörner auf,
so dass die Kontaktfläche
zwischen der Zinnoxidschicht und der Goldkörner relativ gering war. Es
trat daher etliche Trennungen der katalytischen Goldkörner von
der Gasmesszinnoxidschicht aufgrund der schlechten Haftung zwischen
der Zinnoxidschicht und der Goldkörner in dem Vergleichsbeispiel
auf. Des Weiteren wies der Sensor des Vergleichsbeispiels eine große Menge
an Verschlechterung der Sensorreaktion Rg/Ra während des Verlaufs der Erregung
auf und besaß eine
geringe Beständigkeit
und Stabilität.
Die gesamte Sensorleistung des Vergleichsbeispiels wurde aus den
oben genannten Gründen
als "schlecht" bewertet.
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Auf
der anderen Seite wies jeder der Sensoren der Beispiele 1 und 2
einen hohen Prozentanteil nicht kugelförmiger Goldkörner und
einen niedrigen Prozentanteil kugelförmiger Goldkörner auf,
so dass die Kontaktfläche
zwischen der Zinnoxidschicht und den Goldkörnern relativ groß war. Es
trat daher keine Trennung der katalytischen Goldkörner von
der Gas messzinnoxidschicht aufgrund der guten Haftung zwischen der
Zinnoxidschicht und der Goldkörner
in den Beispielen 1 und 2 auf. Es wurde gezeigt, dass die Trennung
der Katalysatorkörner
von der Gasmessschicht verhindert werden kann, durch die Steuerung
des Sauerstoffgehalts der Atmosphäre der Wärmebehandlung und der Kontrolle
des Aspektverhältnisses
der Katalysatorkörner.
Des Weiteren wiesen die Sensoren der Beispiele 1 und 2 eine geringe
Menge der Verschlechterung der Sensorreaktion Rg/Ra während des
Verlaufs der Erregung auf und zeigten eine ausgezeichnete Beständigkeit
und sehr stabile Gasempfindlichkeit auf. Der Sensor aus Beispiel
1 war insbesondere überragend
im Hinblick auf die Erregungsbeständigkeit. Demzufolge wurde
die gesamte Sensorleistung des Beispiels 1 als "ausgezeichnet" bewertet, und die gesamte Sensorleistung
aus Beispiel 2 als "gut" bewertet.
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EXPERIMENT 2
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Sieben
Probesensoren (Probe Nr. 1 bis 7) mit unterschiedlichen Katalysatorflächenverhältnissen
wurden auf die gleiche Weise wie in Beispiel 1 hergestellt. Das
Katalysatorflächenverhältnis jedes
Probesensors wurde hierbei gesteuert, indem die Menge der Goldkörner, welche
aufgebracht wurden, auf ein willkürliches Maß eingestellt und bestimmt
wurden, gemäß des oben
definierten Verfahrens, indem ein reflektiertes Elektronenbild der
Probe durch FE-SEM mit einer 80000-fachen Vergrößerung und einer Beschleunigungsspannung von
5 kV aufgenommen wurde. Des Weiteren wurde die Sensorreaktion Rg/Ra
jedes Probensensors auf die gleiche Weise wie in Beispiel 1 bestimmt.
Die Überprüfungsergebnisse
sind in Tabelle 2 zusammengefasst. TABELLE 2
Probe
Nr. | Katalysatorflächenverhältnis (%) | Sensorreaktion
Rg/Ra |
1 | 1 | 1,5 |
2 | 2 | 2,5 |
3 | 36 | 2,0 |
4 | 60 | 3,0 |
5 | 72 | 2,5 |
6 | 90 | 1,8 |
7 | 95 | 1,4 |
-
Alle
Probensensoren waren für
die Gasermittlung geeignet, um so ein Ergebnis in Reaktion auf die Gaskonzentrationen
zu erzeugen, da die Sensorreaktion Rg/Ra größer als 1 war. Wenn das Katalysatorflächenverhältnis innerhalb
des oben genannten bevorzugten Bereichs von 1,5 bis 93,0% lag, erreichte
die Sensorreaktion Rg/Ra ein gegebenes Empfindlichkeitsmaß (z.B.
1,6 oder mehr) um so keine Probleme bei der Verwendung zur Gasermittlung
zu zeigen, selbst unter Bedingungen der Zerstörung der Empfindlichkeit. Die
Sensorreaktion Rg/Ra erreichte ein höheres Maß (von 1,8 oder mehr) wenn
das Katalysatorflächenverhältnis innerhalb
des Bereichs von 2,0 bis 90% lag. Wenn das Katalysatorflächenverhältnis innerhalb
des Bereichs von 2,0 bis 75,0% lag, erreichte die Sensorreaktion
Rg/Ra noch ein höheres
Empfindlichkeitsmaß (von
2,0 oder mehr). Es wurde daher dargestellt, dass die Gasempfindlichkeit
durch Steuerung des Katalysatorflächenverhältnisses verbessert werden
kann.
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Obwohl
die vorliegende Erfindung in Bezug auf einige spezifische Ausführungsformen
der Erfindung beschrieben wurde, ist die Erfindung nicht auf die
oben beschriebenen Ausführungsformen
beschränkt.
Verschiedene Modifikationen und Variationen der Ausführungsformen,
welche oben beschrieben wurden, werden Fachleuten auf dem Gebiet
im Lichte der obigen Lehre deutlich. Es ist unnötig darauf hinzuweisen, dass
die Steuerung des Aspektverhältnisses
der Katalysatorkörner
und die Steuerung des Sauerstoffgehalts der Atmosphäre der Wärmebehandlung
auf andere Metalloxidhalbleitersensoren der Art anwendbar ist, bei
welchen die Gasmessschicht in Kontakt mit dem Katalysatoranteil
bereitgestellt wird, auch wenn die Gassensorschicht und der Katalysatoranteil
aus einem anderen Metalloxidhalbleiter- und Edelmetallkatalysatormaterial
besteht. Der Umfang der Erfindung wird unter Bezugnahme auf die
begleitenden Ansprüche
definiert.