DE602004012914T2 - Strahlungsdiversity-Antenne - Google Patents

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  • Waveguide Aerials (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf das Fachgebiet der Strahlungsdiversity-Antennen. Dieser Antennentyp kann auf dem Fachgebiet drahtloser Übertragungen, insbesondere im Kontext von Übertragungen in einer abgeschlossenen oder halb abgeschlossenen Umgebung wie etwa in Hausumgebungen, Turnhallen, Fernsehstudios, Zuschauerräumen oder dergleichen verwendet werden.
  • Im Kontext von Übertragungen in abgeschlossenen oder halb abgeschlossenen Umgebungen unterliegen die elektromagnetischen Wellen Schwunderscheinungen in Bezug auf die mehreren Pfade, die sich aus zahlreichen Reflexionen des Signals an den Wänden und an den Möbeln oder an anderen in der Umgebung vorgesehenen Oberflächen ergeben. Eine gut bekannte Technik zur Bekämpfung dieser Schwunderscheinungen ist die Verwendung der Raumdiversity.
  • Diese Technik besteht auf bekannte Weise in der Verwendung z. B. eines Paars von Antennen mit weitem räumlichen Sendebereich wie etwa zweier Antennen vom Schlitztyp oder vom "Patch"-Typ, die durch Speiseleitungen mit einem Schalter verknüpft sind, wobei die Wahl der Antenne in Abhängigkeit vom Pegel des empfangenen Signals getroffen wird. Die Verwendung dieses Diversity-Typs erfordert einen minimalen Abstand zwischen den Strahlungselementen, um eine ausreichende Dekorrelation der über jedes Strahlungselement gesehenen Kanalantwort sicherzustellen. Somit besitzt diese Lösung u. a. den Nachteil, sperrig zu sein.
  • Um dieses Sperrigkeitsproblem zu beheben, ist die Verwendung von Antennen vorgeschlagen worden, die Strahlungsdiversity zeigen. Diese Strahlungsdiversity wird durch Um schalten zwischen Strahlungselementen erhalten, die nahe beieinander angeordnet sind. Diese Lösung ermöglicht, die Sperrigkeit der Antenne zu verringern, während ausreichend Diversity sichergestellt wird. Eine Lösung dieses Typs ist in einem Artikel von Shahani u. a. mit dem Titel "Radiation characteristics of printed slot antenna with a switchable parasitic slot", INTERNATIONAL CONFERENCE ON ANTENNAS AND PROPAGATION – 28.–30. November 1978, 435–437, XP001154972, LONDON, UK, vorgeschlagen worden.
  • Somit bezieht sich die vorliegende Erfindung auf einen neuen Typ von Strahlungsdiversity-Antennen.
  • Gemäß der Erfindung besteht die Strahlungsdiversity-Antenne aus einem Strahlungselement vom Schlitzleitungstyp, das Arme umfasst, die jeweils aus einer Schlitzleitung bestehen, wobei einer der Arme elektromagnetisch mit einer Speiseleitung gekoppelt ist, wobei jeder Arm eine Länge gleich kλs/2 aufweist, wobei k eine von einem Arm zum anderen gleiche oder verschiedene ganze Zahl ist und wobei λs die geführte Wellenlänge in der den Arm bildenden Schlitzleitung ist und wobei wenigstens einer der Arme ein Schaltmittel umfasst, das in der Weise in der den Arm bildenden Schlitzleitung positioniert ist, dass die Kopplung zwischen dem Arm und der Speiseleitung in Abhängigkeit von einem Befehl gesteuert wird, wobei die Antenne Einsätze auf der Ebene der Verbindungsstellen der Arme umfasst.
  • Die oben beschriebene Antenne kann in unterschiedlichen Betriebsarten arbeiten, die Strahlungsmuster zeigen, die in Abhängigkeit vom Zustand des Schaltmittels komplementär sind. Mit dieser Baumstruktur sind eine große Anzahl von Betriebsarten zugänglich.
  • Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung umfasst jeder Arm ein Schaltmittel. Darüber hinaus ist das Schaltmittel in einer Leerlaufzone des Schlitzes positioniert, wobei dieses Schaltmittel möglicherweise aus einer Diode, aus einem als eine Diode angeordneten Transistor oder aus einem MEMS (mikroelektromechanischen System) besteht.
  • Gemäß einer weiteren Eigenschaft der vorliegenden Erfindung begrenzt der Einsatz, der in einer Kurzschlussebene positioniert ist, die Länge jedes Arms.
  • Darüber hinaus sind die Arme in der Weise miteinander verbunden, dass sie eine H- oder Y-Form oder eine Form, die eine Vereinigung dieser Formen ist, aufweisen.
  • Gemäß einer weiteren Eigenschaft der vorliegenden Erfindung ist die Antenne durch Mikrostreifentechnologie oder durch koplanare Technologie hergestellt worden.
  • Weitere Eigenschaften und Vorteile der vorliegenden Erfindung gehen beim Lesen der Beschreibung verschiedener Ausführungsformen hervor, wobei diese Beschreibung mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen gegeben wird, in denen:
  • 1 eine schematische Ansicht einer Strahlungsdiversity-Antenne darstellt, die eine Baumstruktur zeigt.
  • 2 eine schematische Ansicht von oben der in 1 dargestellten Struktur ist, die mit einem Schaltmittel in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung ausgestattet ist.
  • 3a und 3b ein 3D- bzw. 2D-Strahlungsmuster der Antennenstruktur gemäß 1 repräsentieren.
  • 4a, 4b und 4c jeweils die Antenne aus 2, wenn eine Diode aktiv ist, in dieser Reihenfolge gemäß einem theoretischen Modell, 4a, dem simulierten Modell, 4b, und dem 3D-Strahlungsmuster, 4c, repräsentieren.
  • 5a, 5b und 5c in dieser Reihenfolge gleich 4a, 4b und 4c sind, wenn die Dioden 2 und 4 aktiv sind, dann, wenn die Dioden 2 und 3 aktiv sind und wenn die Dioden 3 und 4 aktiv sind.
  • 6 eine schematische Ansicht des theoretischen Modells der Antenne aus 1 ist, wenn drei Dioden aktiv sind.
  • 7 das SWR oder Stehwellenverhältnis in Abhängigkeit von der Frequenz gemäß der Anzahl aktiver Dioden darstellt.
  • 8 das Diagramm des Prinzips der Positionierung einer Diode in einer Schlitzleitung darstellt.
  • 9 eine schematische Draufsicht von oben einer Strahlungsdiversity-Antenne ist, die in der koplanaren Betriebsart hergestellt worden ist.
  • 10 eine schematische Ansicht von oben einer Antenne in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung gemäß einer weiteren Ausführungsform ist.
  • 11 eine dreidimensionale Ansicht des Strahlungsmusters der Antenne aus 10 ist und
  • 12 und 12a eine schematische Darstellung von oben einer weiteren Ausführungsform einer Strahlungsdiversity-Antenne gemäß der vorliegenden Erfindung bzw. ihres dreidimensionalen Strahlungsmusters sind.
  • Anhand von 1 bis 7 wird zunächst eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben. Wie in 1 dargestellt ist, besteht die Strahlungsdiversity-Antenne in diesem Fall hauptsächlich aus einem Strahlungselement vom Schlitzleitungstyp, das aus Armen in einer H-Struktur gebildet ist. Diese Struktur wird auf bekannte Weise durch Mikrostreifentechnologie auf einem Substrat 1 hergestellt, dessen Flächen metallisiert worden sind. Genauer umfasst diese Struktur fünf Strahlungsarme 1, 2, 3, 4, 5, die jeweils aus einer Schlitzleitung bestehen, die auf der oberen Oberfläche auf dem Substrat 10 geätzt und in einem H angeordnet sind.
  • Wie in 1 dargestellt ist, werden die Schlitzleitungen darüber hinaus gemäß der von Knorr beschriebenen Theorie über eine einzelne Speiseleitung 6, die auf der Unterseite des Substrats 10 hergestellt worden ist, durch elektromagnetische Kopplung gespeist. Wie in 2 dargestellt ist, ist die Speiseleitung 6 somit senkrecht zu dem Schlitz 5 und verläuft über eine Strecke Lm in der Größenordnung von kλm/4, wobei λm die geführte Wellenlänge in der Speiseleitung ist und λm = λ0/√εreff ist (wobei λ0 die Wellenlänge im Vakuum und εreff die relative Dielektrizitätskonstante der Leitung sind), wobei k eine ungerade ganze Zahl ist. Die Speiseleitung ist über eine Strecke Lm durch eine Leitung 6' mit der Länge L und mit der Breite W, die größer als die Breite der Leitung 6 ist, was eine 50-Ohm-Verbin dung zulässt, verlängert. Die fünf Strahlungsarme 1, 2, 3, 4, 5 bestehen aus Schlitzleitungen mit den Längen Ls, in denen Ls = kλs/2 mit λs = λ0/√εr1eff ist, wobei εr1eff die relative Dielektrizitätskonstante des Schlitzes ist und wobei k eine ganze Zahl ist, die gemäß dem gewünschten Baum für jeden Arm dieselbe oder unterschiedlich sein kann.
  • Um eine Antenne mit einer H-Struktur zu erhalten, wie sie in 1 und 2 dargestellt ist, was es ermöglicht, eine Strahlungsdiversity zu erhalten, ist in der den Arm bildenden Schlitzleitung ein Schaltmittel in der Weise positioniert, dass die elektromagnetische Kopplung zwischen dem Arm und der Speiseleitung gesteuert werden kann. Genauer sind in jeder Schlitzleitung 1, 2, 3, 4 in einer Leerlaufebene der Schlitzleitung Dioden d1, d2, d3, d4 positioniert. Da die Schlitzleitungen eine Länge Ls = kλs/2, insbesondere λs/2, aufweisen, sind die Dioden in der Mitte jeder Schlitzleitung 1, 2, 3, 4 angeordnet. In der dargestellten Ausführungsform ist in jedem der Schlitze eine Diode angeordnet. Allerdings ist für den Fachmann auf dem Gebiet offensichtlich, dass bereits mit einer einzelnen in einem der Schlitze angeordneten Diode eine Strahlungsdiversity-Antenne erhalten würde.
  • Wie in 2 dargestellt ist, sind darüber hinaus gemäß einer weiteren Eigenschaft der Erfindung in Kurzschlusszonen der Arme vom Schlitzleitungstyp, d. h. auf der Ebene der Übergänge der Arme, Metalleinsätze angeordnet. Die Einsätze, die sich in einer Kurzschlusszone befinden, ändern somit nicht den Betrieb der Struktur, wenn keine der Dioden d1, d2, d3 oder d4 aktiv ist, während sie in der Schlitz leitung eine Null-Strom-Aufteilung auferlegen, wenn die entsprechende Diode aktiv ist.
  • Wenn eine der Dioden d1, d2, d3 oder d4 aktiv ist, erlegt sie darüber hinaus, wie im Folgenden ausführlicher erläutert wird, in der Leerlaufzone des entsprechenden Arms vom Schlitzleitungstyp eine Kurzschlussbedingung auf, wodurch die Abstrahlung eines elektromagnetischen Felds in diesem Element verhindert wird.
  • Anhand der 1 bis 7 wird nun die Art des Betriebs der in 2 dargestellten Struktur in Abhängigkeit vom Zustand der Dioden d1, d2, d3, d4 ausführlicher erläutert.
    • 1) Keine der Dioden d1, d2, d3, d4 ist aktiv: Wenn die H-Struktur erregt wird, wird ein Strahlungsmuster erhalten, wie es etwa in 3a für eine 3D-Darstellung dargestellt ist oder in 3b für eine 2D-Darstellung dargestellt ist. In diesem Fall wird gemäß der 3D-Darstellung aus 3a ein quasi ungerichtetes Strahlungsmuster, insbesondere mit zwei ungerichteten Ebenen, eine bei ϕ = 45° und die andere bei ϕ = 135°, erhalten. Dies wird durch das 2D-Muster aus 3b bestätigt, das einen Schnitt durch die Ebenen ϕ = 46° und ϕ = 134° darstellt. Darüber hinaus zeigt die Kurve aus 3b eine maximale Oszillation des 3 dB-Gewinns für die Schnittebenen.
    • 2) Genau eine der Dioden von den vier Dioden d1, d2, d3, d4 ist aktiv. Somit können vier Betriebsarten definiert werden. In diesem Fall besitzt das Strahlungsmuster für jede dieser Betriebsarten eine quasi ungerichtete Schnittebene. Falls, wie in 4a und 4b dargestellt ist, die in der Schlitzleitung 1 positionierte Diode d1 aktiv ist, ist die Ebene ϕ = 135° eine quasi ungerichtete Schnittebene, wie sie in dem 3D-Strahlungsmuster aus 4c dargestellt ist.
  • In der folgenden Tabelle 1 werden die Richtung der quasi ungerichteten Schnittebene, falls jede der Dioden d1, d2, d3 oder d4 der Reihe nach aktiv ist, sowie die Änderung des Gewinns in dieser Ebene gegeben. Tabelle 1
    Aktive Diode Ebene Änderung des Gewinns in der Ebene
    1 135° 6 dB
    2 45° 7 dB
    3 315° 6 dB
    4 225° 6 dB
    • 3) Zwei Dioden sind aktiv: Anhand der 5a, 5b und 5c wird nun der Fall beschrieben, in dem die Dioden in der Struktur aus 2 paarweise aktiv sind. In diesem Fall ist es möglich, Betriebsarten, die eine U-, eine Z- oder eine T-Struktur zeigen, sowie ihre dualen Betriebsarten zu definieren. Die Strukturen sind in der in den 5b dargestellten Weise simuliert worden und die erhaltenen Strahlungsmuster haben gezeigt, dass jede der Betriebsarten eine Ebene zeigte, für die das Strahlungsmuster quasi ungerichtet ist. Wie in 5a1 dargestellt ist, wird somit eine U-Struktur mit einem quasi ungerichteten Strahlungsmuster für eine 90°-Schnittebene (5c1) erhalten, wenn die Dioden d2 und d4 aktiv sind. Wie in
  • 5a dargestellt ist, wird eine Z-Struktur erhalten, wenn die Dioden d2 und d3 aktiv sind. In diesem Fall wird das quasi ungerichtete Strahlungsmuster für eine Ebene der Art erhalten, dass ϕ = 67,5° (5c2) ist. Für den Doppel-Z-Schlitz, der erhalten wird, wenn die Dioden d1 und d4 aktiv sind, wird die quasi ungerichtete Ebene für ϕ = 112,5° erhalten. Wie in 5a3 dargestellt ist, wird eine T-Struktur erhalten, wenn die Dioden d3 und d4 aktiv sind. In diesem Fall wird das quasi ungerichtete Strahlungsmuster für eine Schnittebene der Art erhalten, dass ϕ = 0° ist (5c3).
  • Alle Ergebnisse sind in Tabelle 2 gegeben. Tabelle 2
    Aktive Dioden Betriebsart Ebene(n) Änderung des Gewinns in der Ebene (den Ebenen)
    2 und 4 (bzw. 1 und 3) U-Schlitz (bzw. Doppelschlitz) 90° 6 dB
    2 und 3 Z-Schlitz 67,5° 6 dB
    1 und 4 Doppel-Z-Schlitz 112,5° 6 dB
    3 und 4 (bzw. 1 und 2) T-Schlitz (bzw. Doppelschlitz) 6 dB
    • 4) 6 stellt schematisch den Fall dar, in dem drei Dioden aktiv sind. In diesem Fall können vier Betriebsarten definiert werden. Das Strahlungsmuster besitzt für jede dieser Betriebsarten eine quasi ungerichtete Schnittebene.
  • Die Beziehung zwischen den aktiven Dioden und der quasi ungerichteten Ebene ist in der folgenden Tabelle 3 gegeben. Tabelle 3
    Aktive Dioden Ebene Änderung des Gewinns in der Ebene
    2, 3 und 4 60° 7 dB
    1, 3 und 4 84° 7 dB
    1, 2 und 4 120° 6 dB
    1, 2 und 3 94° 6 dB
  • Gemäß 7, die das SWR in Abhängigkeit von der Frequenz gibt, wird in Abhängigkeit von der Anzahl aktiver Dioden über ein beträchtliches Frequenzband für die unterschiedlichen Betriebsarten eine gute Anpassung beobachtet.
  • Als Hinweis sind die oben gegebenen Ergebnisse, insbesondere die Muster, die Ergebnisse elektromagnetischer Simulationen, die mit Hilfe der Software Ansoft HFSS an einer Antenne ausgeführt wurden, die eine H-Struktur zeigt, wie sie etwa in 2 dargestellt ist, wobei die Struktur die folgenden Abmessungen zeigt:
    Schlitze 1, 2, 3, 4, 5: Ls = 20,4 mm, Ws = 0,4 mm und i = 0,6 mm (i stellt die Breite eines Metalleinsatzes über den Schlitz dar, der eine aktive Diode simuliert).
    Speiseleitung 6: Lm = 8,25 mm, Nm = 0,3 mm, L = 21,75 mm, W = 1,85 mm.
    Substrat 10: L = 60 mm, W = 40 mm. Das verwendete Substrat ist Rogers RO4003 und zeigt die folgenden Eigenschaften: εr = 3,38, Tangente Δ = 0,0022, Höhe H = 0,81 mm.
  • Darüber hinaus ist in 8 das Prinzip der Anordnung einer Diode in der Schlitzleitung in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung schematisch dargestellt. In diesem Fall ist die verwendete Diode eine Diode HP489B in einem SOT-323-Gehäuse. Sie ist in der Weise über die Schlitz leitung F angeordnet, dass eines ihrer Enden, d. h. die Anode, mit der durch die Metallisierung des Substrats erzeugten Erdebene P2 verbunden ist, während das andere Ende, d. h. die Katode, wie symbolisch durch die Strichlinien dargestellt ist, über ein Loch V mit einer auf der Unterseite des Substrats erzeugten Steuerleitung L verbunden ist, wobei das Loch V in einem von der Erdebene P1 abgesetzten Element hergestellt worden ist. Die Steuerleitung L ist mit einer (nicht dargestellten) Überwachungsschaltung verknüpft, die ermöglicht, dass die Diode ein- oder ausgeschaltet wird. Diese Technik ist dem Fachmann auf dem Gebiet bekannt und ist z. B. in dem Artikel "A planar VHF reconfigurable slot antenna", D. Peroulis, K. Sarabandi und LPB Katechi, IEEE Antennas and Propagation Symposium Digest 2001, Bd. 1, S. 154–157, beschrieben worden.
  • Die oben beschriebene Strahlungsdiversity-Antenne zeigt eine hohe Diversity der Strahlungsmuster, die insbesondere ihre Verwendung in Systemen zulässt, die dem HIPERLAN2-Standard entsprechen. Diese Antenne hat den Vorteil, dass sie unter Verwendung einer gedruckten Struktur auf einem Mehrschichtsubstrat leicht herzustellen ist. Darüber hinaus ist das Schaltsystem leicht zu implementieren. Es kann aus einer Diode bestehen, wie sie in der obigen Ausführungsform dargestellt ist, kann aber auch aus irgendeinem anderen Schaltsystem wie etwa als eine Diode angeordneten Transistoren oder MEMS ("Mikroelektromechanischen Systemen") bestehen.
  • In 9 ist eine Struktur dargestellt, die ähnlich der der 1 und 2 ist, aber durch koplanare Technologie hergestellt worden ist. Wie durch das Element 7 symbolisiert ist, das von Ätzungen 7a, 7b umgeben ist, die die Schlitz leitung 5 in ihrer Mitte senkrecht durchschneiden, ist die Speiseleitung in diesem Fall auf derselben Fläche des Substrats wie die Erde hergestellt. Die anderen Elemente der Strahlungsdiversity-Antenne, d. h. die Arme 1, 2, 3, 4, die dadurch hergestellt werden, dass die Erdebene A so geätzt wird, dass die Schlitzleitungen gebildet werden, sind ähnlich jenen aus 2. Die mehreren Abmessungen bleiben dieselben wie die einer durch Mikrostreifentechnologie hergestellten Struktur.
  • Besonders attraktiv ist die in 9 dargestellte Struktur für Schaltungen, die die Verlegung von Bauelementen erfordern.
  • Anhand der 10 und 11 wird nun eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben. In 10 hat einer der Arme oder die Schlitzleitung 1' der Strahlungsdiversity-Antenne, die eine H-Struktur zeigt, eine Länge λs, während die anderen Arme 2, 3, 4, 5 die Längen λs/2 haben. In dieser Ausführungsform wird ein Einsatz i in der Schlitzleitung 1 bei einer Länge λs/2 betrachtet und werden zwei Dioden d1, d'1 bei den Entfernungen λs/4 bzw. 3λs/4 vom Anfang der Schlitzlinie betrachtet. Wenn die Diode d1 aktiv ist, ist der Betrieb der Schlitzleitung 1 gesperrt. Wenn in diesem Fall nur die Diode d'1 aktiv ist, arbeitet nur der zweite Teil der Schlitzleitung 1 nicht. Somit wird auf den Betrieb einer H-Struktur mit Schlitzleitungen mit der Länge λs/2 zurückgegangen.
  • Somit kann die vorliegende Erfindung mit Strukturen hergestellt werden, die Arme vom Schlitzleitungstyp zeigen, de ren Längen, wenn sie ein Vielfaches von λs/2 sind, für jeden Arm gleich oder unterschiedlich sein können.
  • In 11 ist ein 3D-Strahlungsmuster dargestellt, das durch Simulation mit Hilfe der Software Ansoft HFSS für eine Antenne erhalten wurde, die eine Struktur des in 10 dargestellten Typs zeigt, in der aber alle Arme 1, 2, 3, 4 eine Länge λs haben, wobei die Dioden in diesem Fall passiv sind.
  • Darüber hinaus ermöglicht die Verwendung von Schlitzleitungen mit unterschiedlichen Längen, außer der Strahlungsdiversity eine Frequenzdiversity zu erhalten. Genauer bedingt die Länge einer Schlitzleitungsbedingung ihre Resonanzfrequenz. Eine Schlitzleitung ist so dimensioniert, dass ihre Länge L derart ist, dass L = λs/2 gilt, wobei λs die geführte Wellenlänge in dem Schlitz ist. Da die Resonanzfrequenz f mit der geführten Wellenlänge über f = c/λs zusammenhängt, wird darüber hinaus auch die Frequenz geändert, wenn die Dimension L geändert wird.
  • Anhand von 12 wird nun ein nochmals weiterer Typ einer Struktur beschrieben, die verwendet werden kann, um eine Strahlungsdiversity-Antenne in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung zu erhalten.
  • In diesem Fall ist der Arm 1 durch zwei Strahlungselemente 1a, 1b in der Weise verlängert, das er im Wesentlichen eine Y-Struktur aufweist. In der Ausführungsform aus 12 sind die zwei Strahlungsarme 1a und 1b senkrecht und ergeben dadurch das Strahlungsmuster aus 12a. Allerdings kann der Winkel zwischen den Armen 1a und 1b andere Werte haben, während er weiter das gesuchte Ergebnis ergibt. In 12 sind auf der Schlitzleitung 1 eine Schlitzleitung 1b und eine Schlitzleitung 1a hinzugefügt worden, um den Baum zu vergrößern. Diese zwei neuen Schlitzleitungen sind mit der Schlitzleitung 1 in der Weise gekoppelt, dass die Schlitzleitungen 2 und 3 mit der Schlitzleitung 4 gekoppelt sind. In Analogie zu dem früher Gesagten ist die Schlitzleitung 1 in Abhängigkeit von dem Zustand der in diesen Schlitzleitungen 1a und 1b angeordneten Schaltelemente mit den Schlitzleitungen 1a und/oder 1b gekoppelt. Dieser Baumtyp kann ebenfalls auf den Schlitzleitungen 2, 3 und 4 sowie auf den hinzugefügten Schlitzleitungen betrachtet werden, um bei einer komplexen Baumstruktur anzukommen. Somit werden die Anzahl zugängiger Konfigurationen und folglich ebenfalls die Ordnung der Diversity, die die Struktur liefern kann, erhöht. Für eine Struktur mit N Schlitzleitungen (wobei jede dieser Schlitzleitungen mit einem Schaltmittel ausgestattet ist) ist die Ordnung der Diversity 2N.

Claims (8)

  1. Strahlungsdiversity-Antenne, die aus einem Strahlungselement vom Schlitzleitungstyp besteht, das Arme (1, 2, 3, 4, 5, 1a, 1b) umfasst, die jeweils aus einer Schlitzleitung bestehen, wobei einer der Arme elektromagnetisch mit einer Speiseleitung gekoppelt ist, wobei jeder Arm eine Länge gleich kλs/2 aufweist, wobei k eine von einem Arm zum anderen gleiche oder verschiedene ganze Zahl ist und wobei λs die geführte Wellenlänge in der den Arm bildenden Schlitzleitung ist und wobei wenigstens einer der Arme ein Schaltmittel (d1, d2, d3, d4, d'1) umfasst, das in der Weise in der den Arm bildenden Schlitzleitung positioniert ist, dass die Kopplung zwischen dem Arm und der Speiseleitung (6) in Abhängigkeit von einem Befehl gesteuert wird, gekennzeichnet durch Einsätze auf der Ebene der Verbindungsstellen der Arme.
  2. Antenne nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass jeder Arm ein Schaltmittel umfasst.
  3. Antenne nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Schaltmittel in einer Leerlaufzone des Schlitzes positioniert ist.
  4. Antenne nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Schaltmittel aus einer Diode, aus einem als eine Diode angeordneten Transistor oder aus einem MEMS (mikroelektromechanischen System) besteht.
  5. Antenne nach einem vorstehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die Einsätze in einer Kurzschlussebene positioniert sind und die Länge jedes Arms begrenzen.
  6. Antenne nach einem vorstehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die Arme in der Weise miteinander verbunden sind, dass sie eine H- oder Y-Form oder eine Form, die eine Vereinigung dieser Formen ist, aufweisen.
  7. Antenne nach einem vorstehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die Antenne durch Mikrostreifentechnologie oder durch koplanare Technologie hergestellt worden ist.
  8. Antenne nach einem vorstehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass die Länge der Schlitzleitungen so gewählt ist, dass eine Frequenzdiversity erzeugt wird.
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