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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich auf das Fachgebiet der Strahlungsdiversity-Antennen.
Dieser Antennentyp kann auf dem Fachgebiet drahtloser Übertragungen,
insbesondere im Kontext von Übertragungen
in einer abgeschlossenen oder halb abgeschlossenen Umgebung wie
etwa in Hausumgebungen, Turnhallen, Fernsehstudios, Zuschauerräumen oder
dergleichen verwendet werden.
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Im
Kontext von Übertragungen
in abgeschlossenen oder halb abgeschlossenen Umgebungen unterliegen
die elektromagnetischen Wellen Schwunderscheinungen in Bezug auf
die mehreren Pfade, die sich aus zahlreichen Reflexionen des Signals
an den Wänden
und an den Möbeln
oder an anderen in der Umgebung vorgesehenen Oberflächen ergeben.
Eine gut bekannte Technik zur Bekämpfung dieser Schwunderscheinungen
ist die Verwendung der Raumdiversity.
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Diese
Technik besteht auf bekannte Weise in der Verwendung z. B. eines
Paars von Antennen mit weitem räumlichen
Sendebereich wie etwa zweier Antennen vom Schlitztyp oder vom "Patch"-Typ, die durch Speiseleitungen
mit einem Schalter verknüpft
sind, wobei die Wahl der Antenne in Abhängigkeit vom Pegel des empfangenen
Signals getroffen wird. Die Verwendung dieses Diversity-Typs erfordert
einen minimalen Abstand zwischen den Strahlungselementen, um eine
ausreichende Dekorrelation der über
jedes Strahlungselement gesehenen Kanalantwort sicherzustellen.
Somit besitzt diese Lösung
u. a. den Nachteil, sperrig zu sein.
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Um
dieses Sperrigkeitsproblem zu beheben, ist die Verwendung von Antennen
vorgeschlagen worden, die Strahlungsdiversity zeigen. Diese Strahlungsdiversity
wird durch Um schalten zwischen Strahlungselementen erhalten, die
nahe beieinander angeordnet sind. Diese Lösung ermöglicht, die Sperrigkeit der
Antenne zu verringern, während
ausreichend Diversity sichergestellt wird. Eine Lösung dieses
Typs ist in einem Artikel von Shahani u. a. mit dem Titel "Radiation characteristics
of printed slot antenna with a switchable parasitic slot", INTERNATIONAL CONFERENCE
ON ANTENNAS AND PROPAGATION – 28.–30. November
1978, 435–437,
XP001154972, LONDON, UK, vorgeschlagen worden.
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Somit
bezieht sich die vorliegende Erfindung auf einen neuen Typ von Strahlungsdiversity-Antennen.
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Gemäß der Erfindung
besteht die Strahlungsdiversity-Antenne aus einem Strahlungselement
vom Schlitzleitungstyp, das Arme umfasst, die jeweils aus einer
Schlitzleitung bestehen, wobei einer der Arme elektromagnetisch
mit einer Speiseleitung gekoppelt ist, wobei jeder Arm eine Länge gleich
kλs/2 aufweist,
wobei k eine von einem Arm zum anderen gleiche oder verschiedene
ganze Zahl ist und wobei λs
die geführte
Wellenlänge
in der den Arm bildenden Schlitzleitung ist und wobei wenigstens
einer der Arme ein Schaltmittel umfasst, das in der Weise in der
den Arm bildenden Schlitzleitung positioniert ist, dass die Kopplung
zwischen dem Arm und der Speiseleitung in Abhängigkeit von einem Befehl gesteuert
wird, wobei die Antenne Einsätze auf
der Ebene der Verbindungsstellen der Arme umfasst.
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Die
oben beschriebene Antenne kann in unterschiedlichen Betriebsarten
arbeiten, die Strahlungsmuster zeigen, die in Abhängigkeit
vom Zustand des Schaltmittels komplementär sind. Mit dieser Baumstruktur sind
eine große
Anzahl von Betriebsarten zugänglich.
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Gemäß einer
bevorzugten Ausführungsform
der Erfindung umfasst jeder Arm ein Schaltmittel. Darüber hinaus
ist das Schaltmittel in einer Leerlaufzone des Schlitzes positioniert,
wobei dieses Schaltmittel möglicherweise
aus einer Diode, aus einem als eine Diode angeordneten Transistor
oder aus einem MEMS (mikroelektromechanischen System) besteht.
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Gemäß einer
weiteren Eigenschaft der vorliegenden Erfindung begrenzt der Einsatz,
der in einer Kurzschlussebene positioniert ist, die Länge jedes
Arms.
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Darüber hinaus
sind die Arme in der Weise miteinander verbunden, dass sie eine
H- oder Y-Form oder eine Form, die eine Vereinigung dieser Formen
ist, aufweisen.
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Gemäß einer
weiteren Eigenschaft der vorliegenden Erfindung ist die Antenne
durch Mikrostreifentechnologie oder durch koplanare Technologie
hergestellt worden.
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Weitere
Eigenschaften und Vorteile der vorliegenden Erfindung gehen beim
Lesen der Beschreibung verschiedener Ausführungsformen hervor, wobei
diese Beschreibung mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen gegeben wird,
in denen:
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1 eine
schematische Ansicht einer Strahlungsdiversity-Antenne darstellt, die eine Baumstruktur zeigt.
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2 eine
schematische Ansicht von oben der in 1 dargestellten
Struktur ist, die mit einem Schaltmittel in Übereinstimmung mit der vorliegenden
Erfindung ausgestattet ist.
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3a und 3b ein
3D- bzw. 2D-Strahlungsmuster der Antennenstruktur gemäß 1 repräsentieren.
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4a, 4b und 4c jeweils
die Antenne aus 2, wenn eine Diode aktiv ist,
in dieser Reihenfolge gemäß einem
theoretischen Modell, 4a, dem simulierten Modell, 4b,
und dem 3D-Strahlungsmuster, 4c, repräsentieren.
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5a, 5b und 5c in
dieser Reihenfolge gleich 4a, 4b und 4c sind,
wenn die Dioden 2 und 4 aktiv sind, dann, wenn
die Dioden 2 und 3 aktiv sind und wenn die Dioden 3 und 4 aktiv
sind.
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6 eine
schematische Ansicht des theoretischen Modells der Antenne aus 1 ist,
wenn drei Dioden aktiv sind.
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7 das
SWR oder Stehwellenverhältnis
in Abhängigkeit
von der Frequenz gemäß der Anzahl
aktiver Dioden darstellt.
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8 das
Diagramm des Prinzips der Positionierung einer Diode in einer Schlitzleitung
darstellt.
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9 eine
schematische Draufsicht von oben einer Strahlungsdiversity-Antenne
ist, die in der koplanaren Betriebsart hergestellt worden ist.
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10 eine
schematische Ansicht von oben einer Antenne in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung
gemäß einer
weiteren Ausführungsform
ist.
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11 eine
dreidimensionale Ansicht des Strahlungsmusters der Antenne aus 10 ist
und
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12 und 12a eine
schematische Darstellung von oben einer weiteren Ausführungsform
einer Strahlungsdiversity-Antenne gemäß der vorliegenden Erfindung
bzw. ihres dreidimensionalen Strahlungsmusters sind.
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Anhand
von 1 bis 7 wird zunächst eine bevorzugte Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung beschrieben. Wie in 1 dargestellt
ist, besteht die Strahlungsdiversity-Antenne in diesem Fall hauptsächlich aus
einem Strahlungselement vom Schlitzleitungstyp, das aus Armen in
einer H-Struktur
gebildet ist. Diese Struktur wird auf bekannte Weise durch Mikrostreifentechnologie
auf einem Substrat 1 hergestellt, dessen Flächen metallisiert
worden sind. Genauer umfasst diese Struktur fünf Strahlungsarme 1, 2, 3, 4, 5,
die jeweils aus einer Schlitzleitung bestehen, die auf der oberen
Oberfläche
auf dem Substrat 10 geätzt
und in einem H angeordnet sind.
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Wie
in 1 dargestellt ist, werden die Schlitzleitungen
darüber
hinaus gemäß der von
Knorr beschriebenen Theorie über
eine einzelne Speiseleitung 6, die auf der Unterseite des
Substrats 10 hergestellt worden ist, durch elektromagnetische
Kopplung gespeist. Wie in 2 dargestellt
ist, ist die Speiseleitung 6 somit senkrecht zu dem Schlitz 5 und
verläuft über eine
Strecke Lm in der Größenordnung
von kλm/4,
wobei λm
die geführte
Wellenlänge
in der Speiseleitung ist und λm
= λ0/√εreff ist (wobei λ0 die Wellenlänge im Vakuum
und εreff
die relative Dielektrizitätskonstante
der Leitung sind), wobei k eine ungerade ganze Zahl ist. Die Speiseleitung
ist über
eine Strecke Lm durch eine Leitung 6' mit der Länge L und mit der Breite W,
die größer als
die Breite der Leitung 6 ist, was eine 50-Ohm-Verbin dung
zulässt,
verlängert.
Die fünf
Strahlungsarme 1, 2, 3, 4, 5 bestehen
aus Schlitzleitungen mit den Längen
Ls, in denen Ls = kλs/2
mit λs = λ0/√εr1eff ist, wobei εr1eff die
relative Dielektrizitätskonstante
des Schlitzes ist und wobei k eine ganze Zahl ist, die gemäß dem gewünschten
Baum für
jeden Arm dieselbe oder unterschiedlich sein kann.
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Um
eine Antenne mit einer H-Struktur zu erhalten, wie sie in 1 und 2 dargestellt
ist, was es ermöglicht,
eine Strahlungsdiversity zu erhalten, ist in der den Arm bildenden
Schlitzleitung ein Schaltmittel in der Weise positioniert, dass
die elektromagnetische Kopplung zwischen dem Arm und der Speiseleitung
gesteuert werden kann. Genauer sind in jeder Schlitzleitung 1, 2, 3, 4 in
einer Leerlaufebene der Schlitzleitung Dioden d1, d2, d3, d4 positioniert.
Da die Schlitzleitungen eine Länge
Ls = kλs/2,
insbesondere λs/2,
aufweisen, sind die Dioden in der Mitte jeder Schlitzleitung 1, 2, 3, 4 angeordnet.
In der dargestellten Ausführungsform
ist in jedem der Schlitze eine Diode angeordnet. Allerdings ist
für den
Fachmann auf dem Gebiet offensichtlich, dass bereits mit einer einzelnen
in einem der Schlitze angeordneten Diode eine Strahlungsdiversity-Antenne
erhalten würde.
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Wie
in 2 dargestellt ist, sind darüber hinaus gemäß einer
weiteren Eigenschaft der Erfindung in Kurzschlusszonen der Arme
vom Schlitzleitungstyp, d. h. auf der Ebene der Übergänge der Arme, Metalleinsätze angeordnet.
Die Einsätze,
die sich in einer Kurzschlusszone befinden, ändern somit nicht den Betrieb der
Struktur, wenn keine der Dioden d1, d2, d3 oder d4 aktiv ist, während sie
in der Schlitz leitung eine Null-Strom-Aufteilung auferlegen, wenn
die entsprechende Diode aktiv ist.
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Wenn
eine der Dioden d1, d2, d3 oder d4 aktiv ist, erlegt sie darüber hinaus,
wie im Folgenden ausführlicher
erläutert
wird, in der Leerlaufzone des entsprechenden Arms vom Schlitzleitungstyp
eine Kurzschlussbedingung auf, wodurch die Abstrahlung eines elektromagnetischen
Felds in diesem Element verhindert wird.
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Anhand
der 1 bis 7 wird nun die Art des Betriebs
der in 2 dargestellten Struktur in Abhängigkeit
vom Zustand der Dioden d1, d2, d3, d4 ausführlicher erläutert.
- 1) Keine der Dioden d1, d2, d3, d4 ist aktiv:
Wenn die H-Struktur
erregt wird, wird ein Strahlungsmuster erhalten, wie es etwa in 3a für eine 3D-Darstellung
dargestellt ist oder in 3b für eine 2D-Darstellung dargestellt
ist. In diesem Fall wird gemäß der 3D-Darstellung
aus 3a ein quasi ungerichtetes Strahlungsmuster, insbesondere
mit zwei ungerichteten Ebenen, eine bei ϕ = 45° und die
andere bei ϕ = 135°, erhalten.
Dies wird durch das 2D-Muster aus 3b bestätigt, das
einen Schnitt durch die Ebenen ϕ = 46° und ϕ = 134° darstellt.
Darüber
hinaus zeigt die Kurve aus 3b eine
maximale Oszillation des 3 dB-Gewinns für die Schnittebenen.
- 2) Genau eine der Dioden von den vier Dioden d1, d2, d3, d4
ist aktiv. Somit können
vier Betriebsarten definiert werden. In diesem Fall besitzt das
Strahlungsmuster für
jede dieser Betriebsarten eine quasi ungerichtete Schnittebene.
Falls, wie in 4a und 4b dargestellt
ist, die in der Schlitzleitung 1 positionierte Diode d1
aktiv ist, ist die Ebene ϕ = 135° eine quasi ungerichtete Schnittebene,
wie sie in dem 3D-Strahlungsmuster aus 4c dargestellt
ist.
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In
der folgenden Tabelle 1 werden die Richtung der quasi ungerichteten
Schnittebene, falls jede der Dioden d1, d2, d3 oder d4 der Reihe
nach aktiv ist, sowie die Änderung
des Gewinns in dieser Ebene gegeben. Tabelle 1
Aktive
Diode | Ebene | Änderung
des Gewinns in der Ebene |
1 | 135° | 6
dB |
2 | 45° | 7
dB |
3 | 315° | 6
dB |
4 | 225° | 6
dB |
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- 3) Zwei Dioden sind aktiv: Anhand der 5a, 5b und 5c wird
nun der Fall beschrieben, in dem die Dioden in der Struktur aus 2 paarweise
aktiv sind. In diesem Fall ist es möglich, Betriebsarten, die eine
U-, eine Z- oder eine T-Struktur zeigen, sowie ihre dualen Betriebsarten
zu definieren. Die Strukturen sind in der in den 5b dargestellten
Weise simuliert worden und die erhaltenen Strahlungsmuster haben gezeigt,
dass jede der Betriebsarten eine Ebene zeigte, für die das Strahlungsmuster
quasi ungerichtet ist. Wie in 5a1 dargestellt
ist, wird somit eine U-Struktur mit einem quasi ungerichteten Strahlungsmuster für eine 90°-Schnittebene
(5c1) erhalten, wenn die Dioden d2
und d4 aktiv sind. Wie in
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5a dargestellt
ist, wird eine Z-Struktur erhalten, wenn die Dioden d2 und d3 aktiv
sind. In diesem Fall wird das quasi ungerichtete Strahlungsmuster
für eine
Ebene der Art erhalten, dass ϕ = 67,5° (5c2) ist.
Für den Doppel-Z-Schlitz,
der erhalten wird, wenn die Dioden d1 und d4 aktiv sind, wird die
quasi ungerichtete Ebene für ϕ =
112,5° erhalten.
Wie in 5a3 dargestellt ist, wird eine
T-Struktur erhalten, wenn die Dioden d3 und d4 aktiv sind. In diesem
Fall wird das quasi ungerichtete Strahlungsmuster für eine Schnittebene der
Art erhalten, dass ϕ = 0° ist
(5c3).
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Alle
Ergebnisse sind in Tabelle 2 gegeben. Tabelle 2
Aktive
Dioden | Betriebsart | Ebene(n) | Änderung
des Gewinns in der Ebene (den Ebenen) |
2
und 4 (bzw. 1 und 3) | U-Schlitz
(bzw. Doppelschlitz) | 90° | 6
dB |
2
und 3 | Z-Schlitz | 67,5° | 6
dB |
1
und 4 | Doppel-Z-Schlitz | 112,5° | 6
dB |
3
und 4 (bzw. 1 und 2) | T-Schlitz
(bzw. Doppelschlitz) | 0° | 6
dB |
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- 4) 6 stellt schematisch den Fall
dar, in dem drei Dioden aktiv sind. In diesem Fall können vier
Betriebsarten definiert werden. Das Strahlungsmuster besitzt für jede dieser
Betriebsarten eine quasi ungerichtete Schnittebene.
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Die
Beziehung zwischen den aktiven Dioden und der quasi ungerichteten
Ebene ist in der folgenden Tabelle 3 gegeben. Tabelle 3
Aktive
Dioden | Ebene | Änderung
des Gewinns in der Ebene |
2,
3 und 4 | 60° | 7
dB |
1,
3 und 4 | 84° | 7
dB |
1,
2 und 4 | 120° | 6
dB |
1,
2 und 3 | 94° | 6
dB |
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Gemäß 7,
die das SWR in Abhängigkeit
von der Frequenz gibt, wird in Abhängigkeit von der Anzahl aktiver
Dioden über
ein beträchtliches
Frequenzband für
die unterschiedlichen Betriebsarten eine gute Anpassung beobachtet.
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Als
Hinweis sind die oben gegebenen Ergebnisse, insbesondere die Muster,
die Ergebnisse elektromagnetischer Simulationen, die mit Hilfe der
Software Ansoft HFSS an einer Antenne ausgeführt wurden, die eine H-Struktur
zeigt, wie sie etwa in 2 dargestellt ist, wobei die
Struktur die folgenden Abmessungen zeigt:
Schlitze 1, 2, 3,
4, 5: Ls = 20,4 mm, Ws = 0,4 mm und i = 0,6 mm (i stellt die Breite
eines Metalleinsatzes über den
Schlitz dar, der eine aktive Diode simuliert).
Speiseleitung
6: Lm = 8,25 mm, Nm = 0,3 mm, L = 21,75 mm, W = 1,85 mm.
Substrat
10: L = 60 mm, W = 40 mm. Das verwendete Substrat ist Rogers RO4003
und zeigt die folgenden Eigenschaften: εr = 3,38, Tangente Δ = 0,0022,
Höhe H
= 0,81 mm.
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Darüber hinaus
ist in 8 das Prinzip der Anordnung einer Diode in der
Schlitzleitung in Übereinstimmung
mit der vorliegenden Erfindung schematisch dargestellt. In diesem
Fall ist die verwendete Diode eine Diode HP489B in einem SOT-323-Gehäuse. Sie
ist in der Weise über
die Schlitz leitung F angeordnet, dass eines ihrer Enden, d. h. die
Anode, mit der durch die Metallisierung des Substrats erzeugten
Erdebene P2 verbunden ist, während
das andere Ende, d. h. die Katode, wie symbolisch durch die Strichlinien
dargestellt ist, über
ein Loch V mit einer auf der Unterseite des Substrats erzeugten
Steuerleitung L verbunden ist, wobei das Loch V in einem von der
Erdebene P1 abgesetzten Element hergestellt worden ist. Die Steuerleitung
L ist mit einer (nicht dargestellten) Überwachungsschaltung verknüpft, die
ermöglicht,
dass die Diode ein- oder ausgeschaltet wird. Diese Technik ist dem
Fachmann auf dem Gebiet bekannt und ist z. B. in dem Artikel "A planar VHF reconfigurable
slot antenna", D.
Peroulis, K. Sarabandi und LPB Katechi, IEEE Antennas and Propagation Symposium
Digest 2001, Bd. 1, S. 154–157,
beschrieben worden.
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Die
oben beschriebene Strahlungsdiversity-Antenne zeigt eine hohe Diversity
der Strahlungsmuster, die insbesondere ihre Verwendung in Systemen
zulässt,
die dem HIPERLAN2-Standard
entsprechen. Diese Antenne hat den Vorteil, dass sie unter Verwendung
einer gedruckten Struktur auf einem Mehrschichtsubstrat leicht herzustellen
ist. Darüber
hinaus ist das Schaltsystem leicht zu implementieren. Es kann aus
einer Diode bestehen, wie sie in der obigen Ausführungsform dargestellt ist,
kann aber auch aus irgendeinem anderen Schaltsystem wie etwa als
eine Diode angeordneten Transistoren oder MEMS ("Mikroelektromechanischen Systemen") bestehen.
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In 9 ist
eine Struktur dargestellt, die ähnlich
der der 1 und 2 ist, aber
durch koplanare Technologie hergestellt worden ist. Wie durch das
Element 7 symbolisiert ist, das von Ätzungen 7a, 7b umgeben
ist, die die Schlitz leitung 5 in ihrer Mitte senkrecht
durchschneiden, ist die Speiseleitung in diesem Fall auf derselben
Fläche
des Substrats wie die Erde hergestellt. Die anderen Elemente der
Strahlungsdiversity-Antenne, d. h. die Arme 1, 2, 3, 4,
die dadurch hergestellt werden, dass die Erdebene A so geätzt wird,
dass die Schlitzleitungen gebildet werden, sind ähnlich jenen aus 2.
Die mehreren Abmessungen bleiben dieselben wie die einer durch Mikrostreifentechnologie
hergestellten Struktur.
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Besonders
attraktiv ist die in 9 dargestellte Struktur für Schaltungen,
die die Verlegung von Bauelementen erfordern.
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Anhand
der 10 und 11 wird
nun eine weitere Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung beschrieben. In 10 hat
einer der Arme oder die Schlitzleitung 1' der Strahlungsdiversity-Antenne,
die eine H-Struktur zeigt, eine Länge λs, während die anderen Arme 2, 3, 4, 5 die
Längen λs/2 haben.
In dieser Ausführungsform
wird ein Einsatz i in der Schlitzleitung 1 bei einer Länge λs/2 betrachtet
und werden zwei Dioden d1, d'1
bei den Entfernungen λs/4
bzw. 3λs/4
vom Anfang der Schlitzlinie betrachtet. Wenn die Diode d1 aktiv ist,
ist der Betrieb der Schlitzleitung 1 gesperrt. Wenn in
diesem Fall nur die Diode d'1
aktiv ist, arbeitet nur der zweite Teil der Schlitzleitung 1 nicht.
Somit wird auf den Betrieb einer H-Struktur mit Schlitzleitungen
mit der Länge λs/2 zurückgegangen.
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Somit
kann die vorliegende Erfindung mit Strukturen hergestellt werden,
die Arme vom Schlitzleitungstyp zeigen, de ren Längen, wenn sie ein Vielfaches
von λs/2
sind, für
jeden Arm gleich oder unterschiedlich sein können.
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In 11 ist
ein 3D-Strahlungsmuster dargestellt, das durch Simulation mit Hilfe
der Software Ansoft HFSS für
eine Antenne erhalten wurde, die eine Struktur des in 10 dargestellten
Typs zeigt, in der aber alle Arme 1, 2, 3, 4 eine
Länge λs haben,
wobei die Dioden in diesem Fall passiv sind.
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Darüber hinaus
ermöglicht
die Verwendung von Schlitzleitungen mit unterschiedlichen Längen, außer der
Strahlungsdiversity eine Frequenzdiversity zu erhalten. Genauer
bedingt die Länge
einer Schlitzleitungsbedingung ihre Resonanzfrequenz. Eine Schlitzleitung
ist so dimensioniert, dass ihre Länge L derart ist, dass L = λs/2 gilt,
wobei λs
die geführte
Wellenlänge
in dem Schlitz ist. Da die Resonanzfrequenz f mit der geführten Wellenlänge über f =
c/λs zusammenhängt, wird
darüber
hinaus auch die Frequenz geändert,
wenn die Dimension L geändert
wird.
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Anhand
von 12 wird nun ein nochmals weiterer
Typ einer Struktur beschrieben, die verwendet werden kann, um eine
Strahlungsdiversity-Antenne in Übereinstimmung
mit der vorliegenden Erfindung zu erhalten.
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In
diesem Fall ist der Arm 1 durch zwei Strahlungselemente 1a, 1b in
der Weise verlängert,
das er im Wesentlichen eine Y-Struktur aufweist. In der Ausführungsform
aus 12 sind die zwei Strahlungsarme 1a und 1b senkrecht
und ergeben dadurch das Strahlungsmuster aus 12a.
Allerdings kann der Winkel zwischen den Armen 1a und 1b andere
Werte haben, während
er weiter das gesuchte Ergebnis ergibt. In 12 sind
auf der Schlitzleitung 1 eine Schlitzleitung 1b und
eine Schlitzleitung 1a hinzugefügt worden, um den Baum zu vergrößern. Diese
zwei neuen Schlitzleitungen sind mit der Schlitzleitung 1 in
der Weise gekoppelt, dass die Schlitzleitungen 2 und 3 mit
der Schlitzleitung 4 gekoppelt sind. In Analogie zu dem
früher
Gesagten ist die Schlitzleitung 1 in Abhängigkeit
von dem Zustand der in diesen Schlitzleitungen 1a und 1b angeordneten Schaltelemente
mit den Schlitzleitungen 1a und/oder 1b gekoppelt.
Dieser Baumtyp kann ebenfalls auf den Schlitzleitungen 2, 3 und 4 sowie
auf den hinzugefügten
Schlitzleitungen betrachtet werden, um bei einer komplexen Baumstruktur
anzukommen. Somit werden die Anzahl zugängiger Konfigurationen und
folglich ebenfalls die Ordnung der Diversity, die die Struktur liefern
kann, erhöht.
Für eine
Struktur mit N Schlitzleitungen (wobei jede dieser Schlitzleitungen
mit einem Schaltmittel ausgestattet ist) ist die Ordnung der Diversity
2N.