KR20040081011A - 개선된 방사 다이버시티 안테나 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 공급 라인에 전자기적으로 결합된 슬롯 라인 유형의 방사 요소로 구성된 방사 다이버시티 안테나에 관한 것으로, 여기서 방사 요소(1, 2, 3, 4, 5, 1a, 1b)는 트리 구조를 갖고, 각 방사 요소는 kλs/2인 길이를 갖고, 여기서 k는 하나의 요소로부터 그 다음 요소로의 동일하거나 상이한 정수이고, λs는 방사 요소를 구성하는 슬롯 라인의 유도된 파장이며, 적어도 하나의 방사 요소는, 명령의 함수로서 상기 방사 요소와 공급 라인(6) 사이의 결합을 제어하도록 상기 방사 요소를 구성하는 슬롯 라인에 위치한 스위칭 수단(d1, d2, d3, d4, d'1)을 포함한다.

Description

개선된 방사 다이버시티 안테나{IMPROVEMENT TO RADIATION DIVERSITY ANTENNAS}
본 발명은 방사 다이버시티 안테나 분야에 관한 것이다. 이러한 안테나 유형은 무선 송신 분야, 특히 가정 환경, 체육관, 텔레비전 스튜디오, 공연장 등과 같은 밀폐 환경 또는 반-밀폐 환경에서의 송신의 정황(context) 내에서 사용될 수 있다.
밀폐 환경 또는 반 밀폐 환경 내의 송신의 정황 내에서, 전자기파는, 벽 또는 가구 또는 상기 환경에서 예상되는 다른 표면으로부터의 다수의 신호 반사로부터 야기되는 다중 경로에 관련된 페이딩(fading) 현상을 겪는다. 이러한 페이딩 현상을 제거하기 위해, 잘 알려진 기술은 공간 다이버시티(space diversity)를 사용하는 것이다.
알려진 방식으로, 이 기술은, 예를 들어 공급 라인에 의해 스위치에 링크되는 슬롯형 또는 "패치"형인 2개의 안테나와 같은 넓은 공간 커버리지(spatial coverage)를 갖는 한 쌍의 안테나를 사용하는 것이며, 안테나의 선택은 수신된 신호의 레벨의 함수로서 이루어진다. 이러한 유형의 다이버시티의 사용은, 각 방사 요소를 통해 보여진 채널 응답의 충분한 비상관(decorrelation)을 보장하도록 방사 요소 사이에 최소 이격을 필요로 한다. 그러므로, 이러한 해결책은 특히 부피가 크다는(bulky) 결점을 갖는다.
이러한 부피 문제를 해결하기 위해, 방사 다이버시티를 나타내는 안테나의 사용이 제안되었다. 이러한 방사 다이버시티는 서로 근접하게 위치한 방사 요소 사이의 스위칭에 의해 얻어진다. 이러한 해결책은, 충분한 다이버시티를 보장하면서 안테나의 부피를 감소시킬 수 있게 한다.
그러므로, 본 발명은 새로운 유형의 방사 다이버시티 안테나에 관한 것이다.
본 발명에 따라, 공급 라인에 전자기적으로 결합된 슬롯 라인형의 방사 요소로 구성된 방사 다이버시티 안테나는, 방사 요소가 트리 구조인 암(arm)으로 구성되고, 각 암은 kλs/2인 길이를 갖고(k는 하나의 암으로부터 그 다음 암까지의 동일하거나 상이한 정수이고, λs는 암을 구성하는 슬롯 라인에서의 유도된 파장이다), 상기 암 중 적어도 하나는, 명령의 함수로서 상기 암과 공급 라인 사이의 결합을 제어하도록 상기 암을 구성하는 슬롯 라인에 위치한 스위칭 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
전술한 안테나는 스위칭 수단의 상태 함수로서 상호 보완적인 방사 패턴을 나타내는 다양한 모드로 동작할 수 있다. 이러한 트리 구조를 통해, 많은 수의 동작 모드가 액세스가능하다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따라, 각 암은 스위칭 수단을 포함한다. 더욱이, 스위칭 수단은 슬롯의 개방 회로 지역에 위치하며, 이러한 스위칭 수단은 아마 다이오드와, 다이오드 또는 MEMS(Micro ElectroMechanical System: 마이크로 전기 기계 시스템)로서 배치된 트랜지스터로 구성된다.
본 발명의 추가 특징에 따라, 각 암의 길이는 단락 회로 평면(short-circuit plane)에 위치한 삽입부(insert)에 의해 경계가 정해지고, 상기 삽입부는 암 사이의 접합 레벨에 위치한다.
더욱이, 트리 구조는 H 또는 Y 형태 또는 이러한 형태의 조합 형태를 나타낼 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따라, 안테나는 마이크로스트립 기술 또는 공동 평면(coplanar) 기술에 의해 제작된다.
본 발명의 다른 특징 및 장점은 첨부 도면을 참조하여 주어진 여러 실시예의 설명을 읽음으로써 명백해질 것이다.
도 1은 트리 구조를 나타내는 방사 다이버시티 안테나를 개략적으로 도시한 도면.
도 2는 본 발명에 따라 스위칭 수단이 설치된, 도 1에 도시된 구조를 개략적으로 도시한 평면도.
도 3a 및 도 3b는 도 1에 따른 안테나 구조의 3D 및 2D 방사 패턴을 각각 도시한 도면.
도 4a, 도 4b 및 도 4c는 다이오드가 활성화될 때 각각 도 2의 안테나를 도시한 도면으로서, 도 4a는 이론적인 모델을 도시하고, 도 4b는 시뮬레이팅된 모델을 도시하고, 도 4c는 3D 방사 패턴을 도시한 도면.
도 5의 (a), 도 5의 (b), 5c는, 각각 다이오드(2 및 4)가 활성화될 때, 그 다음에 다이오드(2 및 3)가 활성화될 때, 그리고 다이오드(3 및 4)가 활성화될 때, 도 4a, 4b 및 4c와 동일한 도면.
도 6은 3개의 다이오드가 활성화될 때 도 1의 안테나의 이론적인 모델을 개략적으로 도시한 도면.
도 7은 활성화 다이오드의 개수에 따라 주파수의 함수로서 SWR 즉 정재파비를 도시한 도면.
도 8은 슬롯 라인으로 다이오드를 위치 지정하는 원리를 도시한 도면.
도 9는 공동 평면 모드로 제작된 방사 다이버시티 안테나를 개략적으로 도시한 평면도.
도 10은 다른 실시예에 따라 본 발명에 따른 안테나를 개략적으로 도시한 평면도.
도 11은 도 10의 안테나의 방사 패턴을 3차원으로 도시한 도면.
도 12 및 12a는 본 발명에 따른 방사 다이버시티 안테나 및 3차원 방사 패턴에 대한 다른 실시예를 각각 개략적으로 도시한 평면도.
<도면 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1, 2, 3, 4, 5: 방사 암 6: 공급 라인
10: 기판
본 발명의 바람직한 실시예는 먼저 도 1 내지 도 7을 참조하여 설명될 것이다. 이러한 경우에, 도 1에 도시된 바와 같이, 방사 다이버시티 안테나는 주로 H 구조의 암으로 형성된 슬롯 라인 형태의 방사 요소로 구성된다. 이러한 구조는, 금속 코팅된 면을 갖는 기판(10) 상에서 마이크로스트립 기술에 의해 알려진 방식으로 제작된다. 더 구체적으로, 이러한 구조는 5개의 방사 암(1, 2, 3, 4, 5)을 포함하는데, 각 방사 암은 기판(10) 상의 상부 면상에 에칭되고 H로 배치된 슬롯 라인으로 구성된다.
더욱이, 도 1에 도시된 바와 같이, 슬롯 라인은 기판(10)의 하부 면 상에 제작된 단일 공급 라인(6)을 통해 노르(Knorr)에 의해 설명된 이론에 따라 전자기 결합에 의해 공급된다. 그러므로, 도 2에 도시된 바와 같이, 공급 라인(6)은 슬롯(5)에 수직이고, 대략 kλm/4의 거리(Lm)에 걸쳐 연장하는데, 여기서 λm은 공급 라인에서 유도된 파장이고, λm=λ0/√εreff(λ0은 진공에서의 파장이고, εreff는 라인의 상대 유전율이다)이고, k는 홀수인 정수이다. 공급 라인은 50Ω 연결을 허용하는 라인(6)의 폭보다 더 긴 폭(W) 및 길이(L)로 된 라인(6')에 의해 거리(Lm)를 지나 연장된다. 5개의 방사 암(1, 2, 3, 4, 5)은 길이(Ls)로 된 슬롯 라인으로 구성되는데, 여기서 Ls=kλs/2가 되며, λs=λ0/√εr1eff이고, 여기서 εr1eff는 슬롯의 상대 유전율이고, k는 각 암에 대해 동일하거나 원하는 트리에 따라 상이할 수 있는 정수이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 방사 다이버시티를 얻을 수 있게 하는 H구조를 갖는 안테나를 얻기 위해, 스위칭 수단은, 상기 암과 공급 라인 사이의 전자기 결합을 제어하도록 암을 구성하는 슬롯 라인에 위치된다. 더 구체적으로, 다이오드(d1, d2, d3, d4)는 슬롯 라인의 개방 회로 평면에서 각 슬롯 라인(1, 2, 3, 4)에 위치된다. 슬롯 라인이 길이(Ls=kλs/2), 더 구체적으로 λs/2인 길이를 나타내기 때문에, 다이오드는 각 슬롯 라인(1, 2, 3, 4)의 중간에 위치한다. 도시된 실시예에서, 다이오드는 각 슬롯에 위치한다. 그러나, 방사 다이버시티 안테나가 슬롯 중 하나에 위치된 단일 다이오드를 통해 이미 얻어진다는 것은 당업자에게 명백하다.
더욱이, 본 발명의 다른 특징에 따라, 금속 삽입부는 슬롯 라인 형태의 암의 단락 회로 지역에, 즉 도 2에 도시된 바와 같이 암의 접합 레벨에 위치한다. 그러므로, 단락 회로 지역에 위치한 삽입부는, 다이오드(d1, d2, d3 또는 d4) 중 어느 것도 활성화되지 않을 때 구조의 동작을 변형하지 않고, 해당 다이오드가 활성화될 때 슬롯 라인에 0의 전류 할당을 부과한다.
더욱이, 이후에 더 구체적으로 설명되는 바와 같이, 다이오드(d1, d2, d3 또는 d4) 중 하나가 활성화될 때, 이 다이오드는 슬롯 라인 유형의 해당 암의 개방 회로 지역에서 단락 회로 조건을 부과하여, 이 요소에서 전자기계의 방사를 방지한다.
다이오드(d1, d2, d3, d4)의 상태 함수로서 도 2에 도시된 구조의 동작 방법은 이제 도 1 내지 도 7을 참조하여 더 구체적으로 설명될 것이다.
1) 다이오드(d1, d2, d3, d4) 중 어느 것도 활성화되지 않는다: H 구조에 전력 공급될 때, 방사 패턴은, 3D 표현을 위해 도 3a에 도시되거나, 2D 표현을 위해 도 3b에 도시된 것과 같이 얻어진다. 이 경우에, 도 3a의 3D 표현에 따라, 준-무지향성 방사 패턴은, 특히 하나가 φ=45°에 있고 다른 하나가 Φ=135°에 있는 2개의 무지향성 평면으로 얻어진다. 이것은 평면(φ=46° 및 φ=134°)에 걸친 단면(section)을 나타나는 도 3b의 2D 패턴에 의해 확인된다. 더욱이, 도 3b의 곡선은 단면들에 대해 3db 이득의 최대 변동을 보인다.
2) 4개의 다이오드(d1, d2, d3, d4) 중에서 다이오드 중 하나만이 활성화된다. 그러므로, 4가지 동작 모드가 정의될 수 있다. 이 경우에, 이러한 모드 각각에 대해, 방사 패턴은 준-무지향성 단면을 포함할 것이다. 도 4a 및 4b에 도시된 바와 같이, 슬롯 라인(1)에 위치한 다이오드(d1)가 활성화되면, 평면(Φ=135°)은 도 4c의 3D 방사 패턴에 도시된 바와 같이 준-무지향성 단면이다.
아래의 표 1에는, 차례로 다이오드(d1, d2, d3 또는 d4) 각각이 활성화되는 경우에 준-무지향성 단면 방향 뿐 아니라 이 평면에서의 이득 변동이 주어질 것이다.
활성 모드 평면 평면에서의 이득 변동
1 135° 6dB
2 45° 7dB
3 315° 6dB
4 225° 6dB
3) 2개의 다이오드가 활성화된다: 다이오드가 도 2의 구조에서 단위로(pairwise) 활성화되는 경우는 도 5의 (a), 5의 (b) 및 5c를 참조하여 이제설명될 것이다. 이 경우에, U, Z, 또는 T 구조를 나타내는 동작 모드 뿐 아니라 이중 모드를 한정할 수 있다. 상기 구조는 도 5의 (b)에 도시된 방식으로 시뮬레이팅되었고, 얻어진 방사 패턴은, 방사 패턴이 준-무지향성인 평면을 각 모드가 나타내었음을 보여준다. 따라서, 다이오드(d2 및 d4)가 활성화될 때, 90° 단면(도 5c의 1))에 대한 준-무지향성 방사 패턴을 갖는 U 구조는 도 5의 (a)의 1)에 도시된 바와 같이 얻어진다. 다이오드(d2 및 d3)가 활성화될 때, Z 구조는 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이 얻어진다. 이 경우에, 준-무지향성 방사 패턴은, φ=67.5°(도 5c의 2))가 되는 평면에 대해 얻어진다. 다이오드(d1 및 d4)가 활성화될 때 얻어진 이중 Z 슬롯에 대해, 준-무지향성 평면은 φ=112.5°에 대해 얻어진다. 다이오드(d3 및 d4)가 활성화될 때, T 구조는 도 5의 (a)의 3)에 도시된 바와 같이 얻어진다. 이 경우에, 준-무지향성 방사 패턴은 φ=0°(도 5c의 3))이 되는 단면에 대해 얻어진다.
모든 결과는 표 2에 주어진다.
활성 모드 동작 모드 평면(들) 평면(들)에서의 이득 변동
2 및 4(각각 1 및 3) U(각각 이중) 슬롯 90° 6dB
2 및 3 Z 슬롯 67.5° 6dB
1 및 4 이중 Z 슬롯 112.5° 6dB
3 및 4(각각 1 및 2) T(각각 이중) 슬롯 0 6dB
4) 도 6은, 3개의 다이오드가 활성화되는 경우를 개략적으로 도시한다. 이 경우에, 4개의 동작 모드가 정의될 수 있다. 이러한 모드 각각에 대해, 방사 패턴은 준-무지향성 단면을 포함한다. 활성 다이오드와 준-무지향성 평면 사이의 관계는 아래의 표 3에 주어진다.
활성 다이오드 평면 평면에서의 이득 변동
2, 3 및 4 60° 7dB
1, 3 및 4 84° 7dB
1, 2 및 4 120° 6dB
1, 2 및 3 94° 6dB
주파수 함수로서 SWR을 제공하는 도 7에 따라, 다양한 모드에 대한 상당한 크기의 주파수 대역에 걸쳐 우수한 매칭이 활성 다이오드의 수의 함수로서 관찰된다.
표시(indication)에 의해, 특히 패턴과 같은 위에 주어진 결과는, 도 2에 도시된 것과 같이 H 구조를 나타내는 안테나에 대해 안소프트(Ansoft) HFSS 소프트웨어를 통해 수행된 전자기 시뮬레이션의 결과이며, 상기 구조는 다음과 같은 크기를 갖는다:
슬롯(1, 2, 3, 4, 5): Ls=20.4mm, Ws=0.4mm 및 i=0.6mm(i는 활성 다이오드를 시뮬레이팅하는 슬롯을 가로지르는 금속 삽입부의 폭을 나타낸다).
공급 라인(6): Lm=8.25mm, Wm=0.3mm, L=21.75mm, W=1.85mm이다.
기판(10): L=60mm, W=40mm이다. 사용된 기판은 다음과 같은 특징, 즉 εr=3.38, 탄젠트△=0.0022, 높이(H)=0.81mm이다.
더욱이, 본 발명에 따라, 슬롯 라인에 다이오드를 배치하는 원리는 도 8에 개략적으로 도시된다. 이 경우에, 사용된 다이오드는 SOT 323 패키지에서 HP489B 다이오드이다. 단부 중 하나, 즉 애노드가 기판의 금속 코팅에 의해 제작된접지면(P2)에 연결되고, 다른 단부, 즉 캐소드는 점선으로 표시된 바와 같이 구멍(V)을 가로질러 기판의 하부 면 상에 제작된 제어 라인(L)에 연결되며, 구멍(V)은 접지면(P1)으로부터 분리된 요소에 제작된다. 제어 라인(L)은 다이오드로 하여금 턴 온 또는 오프되도록 하는 감독 회로(supervising circuit)(미도시)에 링크된다. 이 기술은 당업자에게 알려져 있으며, 예를 들어, 2001년 IEEE 안테나 및 전파 심포지움 개요 제 1권, 154 내지 157페이지에 있는, 디. 페룰리스(D. Peroulis), 케이. 사라반디(K. Sarabandi) & LPB. 카테치(Katechi)의 논문 "평평한 VHF 재구성가능한 슬롯 안테나(A planar VHF Reconfigurable slot antenna)"에 기재되어 있다.
전술한 방사 다이버시티 안테나는, 특히 HIPERLAN2 표준에 해당하는 시스템에서 사용하도록 하는 높은 다이버시티의 방사 패턴을 나타낸다. 이러한 안테나는, 다중 층 기판 상의 인쇄 구조를 이용하여 쉽게 제작할 수 있다는 장점을 갖는다. 더욱이, 스위칭 시스템은 구현하기 쉽다. 상기 스위칭 시스템은 상기 실시예에 도시된 바와 같이 다이오드 뿐 아니라, 다이오드-배치형 트랜지스터 또는 MEMS("마이크로 전기 기계 시스템")과 같은 임의의 다른 스위칭 시스템으로 구성될 수 있다.
도 1 및 2의 구조와 유사하지만 공동 평면 기술로 제작된 구조가 도 9에 도시된다. 이 경우에, 공급 라인은, 슬롯 라인(5)을 그 중간에서 수직으로 절단하는 에칭부(7a, 7b)로 둘러싸인 요소(7)로 표시되어 있는 바와 같이, 접지와 동일한 기판 면상에 제작된다. 방사 다이버시티 안테나의 다른 요소, 즉 슬롯 라인을 형성하도록 접지면(A)을 에칭함으로써 제작된 암(1, 2, 3, 4)은 도 2의 암과 동일하다.다양한 치수는 마이크로스트립 기술에 의해 제작된 구조의 치수와 동일하게 유지된다.
도 9에 도시된 구조는 특히 구성요소의 이동(transference)을 필요로 하는 회로에 매력적이다.
본 발명의 다른 실시예는 이제 도 10 및 도 11을 참조하여 설명될 것이다. 도 10에서, H 구조를 나타내는 방사 다이버시티 안테나의 암 중 하나 즉 슬롯 라인(1)은 길이(λs)를 갖는 한편, 다른 암(2, 3, 4, 5)은 길이(λs/2)를 갖는다. 이러한 실시예에서, 삽입부(i)는 슬롯 라인(1)에서 길이(λs/2)에 관찰되고, 2개의 다이오드(d1, d'1)는 각각 슬롯 라인의 시작으로부터의 거리(λs/4 및 3λs/4)에 관찰된다. 슬롯 라인(1)의 동작은, 다이오드(d1)가 활성화될 때 디스에이블(disabled)된다. 이 경우에, 다이오드(d'1)만이 활성화될 때, 슬롯 라인(1)의 제 2 부분만이 동작하지 않는다. 따라서, 길이(λs/2)의 슬롯 라인을 갖는 H 구조의 동작으로 되돌아가 보자.
그러므로, 본 발명은, 길이가 λs/2의 배수인 경우 각 암에 대해 동일하거나 상이할 수 있는 길이를 갖는 슬롯 라인 유형의 암을 나타내는 구조로 제작될 수 있다.
도 10에 도시되었지만, 모든 암(1, 2, 3, 4)이 길이(λs)를 갖는 유형의 구조를 나타내는 안테나를 위한 안소프트 HFSS 소프트웨어를 이용한 시뮬레이션에 의해 얻어진 3D 방사 패턴이 도 11에 도시되며, 이 경우에 다이오드는 수동형이다.
더욱이, 상이한 길이를 갖는 슬롯 라인을 사용함으로써, 방사 다이버시티 외에도 주파수 다이버시티를 얻을 수 있게 된다. 특히, 슬롯 라인의 길이는 슬롯 라인의 공진 주파수를 조건으로 한다. 슬롯 라인은, 길이(L)가 L=λs/2(λs는 슬롯에서 유도된 파장이다)가 되도록 치수가 정해진다. 더욱이, 공진 주파수(f)가 유도된 파장()에 관련되기 때문에, 치수(L)가 변경되면, 주파수도 또한 변경된다.
본 발명에 따른 방사 다이버시티 안테나를 얻는데 사용될 수 있는 또 다른 유형의 구조는 이제 도 12를 참조하여 설명될 것이다.
이 경우에, 암(1)은, 실질적으로 Y 구조를 갖도록 2개의 방사 요소(1a, 1b)에 의해 연장된다. 도 12의 실시예에서, 2개의 방사 암(1a 및 1b)은 수직이므로, 이를 통해 도 12a의 방사 패턴을 제공할 수 있다. 그러나, 암(1a 및 1b) 사이의 각도는 여전히 필요로 하고 있는(sought-after) 결과치를 제공하면서 다른 값을 가질 수 있다. 도 12에서, 슬롯 라인(1b) 및 슬롯 라인(1a)은 트리를 확대하도록 슬롯 라인(1)에 추가되었다. 이러한 2개의 새로운 슬롯 라인은, 슬롯 라인(2 및 3)이 슬롯 라인(4)에 결합되도록 슬롯 라인(1)에 결합된다. 전술한 설명을 유추함으로써, 슬롯 라인(1)은 이러한 슬롯 라인(1a 및 1b)에 위치한 스위칭 요소의 상태 함수로서 슬롯 라인(1a 및/또는 1b)에 결합된다. 이러한 유형의 트리는 복잡한 트리 구조에 도달하기 위해 슬롯 라인(2, 3 및 4) 뿐 아니라 추가된 슬롯 라인 상에서 또한 관찰될 수 있다. 따라서, 액세스가능한 구성의 수는, 그 결과 구조가 제공할 수 있는 다이버시티의 차수에 따라 증가한다. N개의 슬롯 라인(이러한 슬롯 라인 각각에는 스위칭 수단이 설치된다)을 갖는 구조에 대해, 다이버시티의 차수는 2N이다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 방사 다이버시티 안테나 분야에 관한 것으로, 무선 송신 분야, 특히 가정 환경, 체육관, 텔레비전 스튜디오, 공연장 등과 같은 밀폐 환경 또는 반-밀폐 환경에서의 송신의 정황 내에서 사용될 수 있는 방사 다이버시티 안테나 등에 효과적이다.

Claims (9)

  1. 공급 라인에 전자기적으로 결합된 슬롯 라인 유형의 방사 요소(radiating element)로 구성된 방사 다이버시티 안테나로서,
    상기 방사 요소(1, 2, 3, 4, 5, 1a, 1b)는 트리 구조의 암(arm)으로 구성되고, 각 암은 kλs/2인 길이를 갖고, 여기서 k는 하나의 암으로부터 그 다음 암까지의 동일하거나 상이한 정수이고, λs는 상기 암을 구성하는 상기 슬롯 라인에서 유도된 파장이며,
    상기 암 중 적어도 하나는, 상기 암과 상기 공급 라인(6) 사이의 결합을 명령의 함수로서 제어하도록 상기 암을 구성하는 상기 슬롯 라인에 위치한 스위칭 수단(d1, d2, d3, d4, d'1)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 방사 다이버시티 안테나.
  2. 제 1항에 있어서, 각 암은 스위칭 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는, 방사 다이버시티 안테나.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 스위칭 수단은 상기 슬롯의 개방 회로 지역에 위치하는 것을 특징으로 하는, 방사 다이버시티 안테나.
  4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스위칭 수단은 다이오드와, 다이오드 또는 MEMS(Micro Electro Mechanical System: 마이크로 전기 기계 시스템)으로서 배치된 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는, 방사 다이버시티 안테나.
  5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 각 암의 길이는 단락 회로 평면(short-circuit plane)에 위치한 삽입부(insert)에 의해 경계가 정해지는 것을 특징으로 하는, 방사 다이버시티 안테나.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 삽입부는 상기 암 사이의 접합 레벨에 위치하는 것을 특징으로 하는, 방사 다이버시티 안테나.
  7. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 트리 구조는 H 또는 Y 형태, 또는 이들 형태의 결합인 형태를 갖는 것을 특징으로 하는, 방사 다이버시티 안테나.
  8. 제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 안테나는 마이크로스트립 기술 또는 공동 평면 기술에 의해 제작되는 것을 특징으로 하는, 방사 다이버시티 안테나.
  9. 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 슬롯 라인의 길이는 주파수 다이버시티를 생성하도록 선택되는 것을 특징으로 하는, 방사 다이버시티 안테나.
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