DE580087C - Verfahren zur Herstellung von Sperrschicht-Photozellen, die aus einem Halbleiter, wie Kupferoxydul, mit beiderseits aufgebrachten flaechenhaften Elektroden bestehen - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Sperrschicht-Photozellen, die aus einem Halbleiter, wie Kupferoxydul, mit beiderseits aufgebrachten flaechenhaften Elektroden bestehen

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DE580087C
DE580087C DE1930580087D DE580087DD DE580087C DE 580087 C DE580087 C DE 580087C DE 1930580087 D DE1930580087 D DE 1930580087D DE 580087D D DE580087D D DE 580087DD DE 580087 C DE580087 C DE 580087C
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DE
Germany
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semiconductor
copper oxide
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Expired
Application number
DE1930580087D
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English (en)
Inventor
Dr Emil Duhme
Dr Walter Schottky
Dr Rudolf Stoermer
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Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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Publication date
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    • A01F—PROCESSING OF HARVESTED PRODUCE; HAY OR STRAW PRESSES; DEVICES FOR STORING AGRICULTURAL OR HORTICULTURAL PRODUCE
    • A01F1/00—Stationary apparatus or hand tools for forming or binding straw, hay or the like into bundles
    • A01F1/02—Hand-operated tools
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    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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    • H01L21/16—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising cuprous oxide or cuprous iodide
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Description

DEUTSCHES REICH
AUSGEGEBEN AM 5. JULI 1933
REICHSPATENTAMT
PATENTSCHRIFT
JVl 580087 KLASSE 21 g GRUPPE
2Ig S 619.
Tag der Bekanntmachung über die Erteilung des Patents:
1933
Siemens & Halske Akt.-Ges. in Berlin-Siemensstadt*)
Patentiert im Deutschen Reiche vom 4. Juni 1930 ab
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Sperrschicht-Photozellen. Es handelt sich dabei 'um solche Zellen, die aus einem Halbleiter, wie Kupferoxydul, mit beiderseits aufgebrachten flächenhaften, aufgestäubten bzw. aufgeklebten Elektroden bestehen. Die eine Elektrode ist lichtdurchlässig ausgebildet und zeigt eine Sperrwirkung; an ihr wird beim Auf treffen von Licht eine elektromotorische Kraft erzeugt. Die andere Elektrode soll eine möglichst geringe lichtelektrische Wirksamkeit zeigen.
Gemäß der Erfindung wird die Wirksamkeit der beschriebenen Zellen dadurch wesent-Hch verbessert, daß die letztgenannte, also die nicht der Strahlung ausgesetzte Elektrode auf eine auf das Oxydul aufgetragene Graphitemulsion leitend aufgeklebt oder aufgestäubt wird. Nach dem Trocknen der Emuiao sion wird also eine Metallfolie auf dem Graphit aufgeklebt oder aufgestäubt.
Derartige Zellen können weiterhin dadurch verbessert werden, daß die Fläche, auf die die Graphitemulsion aufgetragen wird, zuvor einem Verfahren zur Herabsetzung des Sperrwiderstandes unterworfen wird, indem man sie z. B. poliert, glasiert oder sandet. Das Aufbringen der Metallschicht auf dem getrockneten Graphit erfolgt vorzugsweise durch kathodisches Aufstäuben, Aufdampfen oder durch galvanische Verfahren.
Es ist bereits bekannt, bei lichtempfindlichen Zellen und bei Gleichrichtern gute Kontakte zwischen einer Halbleiterschicht und den Elektroden herzustellen. Man hat z. B. auf Kupferoxydulschichten, die sich als dünner Überzug auf Kupferblechen befinden, Elektroden kathodisch aufgestäubt. Auch hat man zur Bestimmung der Lichtabhängigkeit des Widerstandes von Kupferoxydul auf dieses durch kathodisches Aufstäuben Elektroden aufgebracht. Bei dem Verfahren gemäß der Erfindung wird jedoch eine Elektrode hergestellt, die keine lichtelektrische Wirksamkeit besitzt, und solche Elektroden lassen sich mit dem bekannten Verfahren nicht gewinnen.
Nach dem neuen Verfahren lassen sich beispielsweise sehr wirksame Massivzellen herstellen, bei denen auf einem kompakten, flächenhaften Kupferoxydulkörper eine lichtdurchlässige, lichtelektrisch wirksame Elektrode hergestellt ist und auf deren Rückseite die Elektrode nach dem Verfahren gemäß der Erfindung angebracht wird. Diese Elektrode zeigt beim Auftreffen von Licht keinerlei elektromotorische Kraft. Zellen dieser Art werden als Vorderwandzellen bezeichnet.
*) Von dem Patentsucher sind als die Erfinder angegeben worden:
Dr. Walter Schottky in Berlin-Charlottenburg, Dr. Emil Duhme und Dr. Rudolf Störmer in Berlin-Siemensstadt.
' I -r

Claims (3)

  1. Patentansprüche:
    I. Verfahren zur Herstellung von Sperrschicht-Photozellen, die aus einem Halbleiter, wie Kupferoxydul, mit beiderseits aufgebrachten flächenhaften, aufgestäubten bzw. aufgeklebten Elektroden bestehen, dadurch gekennzeichnet, daß die nicht der Strahlung ausgesetzte Elektrode auf eine auf das Oxydul aufgetragene Graphitemulsion leitend aufgeklebt oder aufgestäubt wird.
  2. . 2. Verfahren nach Anspruch i, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche des Halbleiters durch Polieren, Glasieren, Sanden o. dgl. vorbehandelt wird.
  3. 3. Nach dem Verfahren gemäß Anspruch ι oder 2 hergestellte Sperrschicht-Photozelle (sogenannte Vorderwandzelle).
    Ergänzungsblatt
    zur Patentschrift 580 087 Klasse 21g Gruppe 29,
    Gemäß der am 22.Juni 1938 eingegangenen Verzichterklärung ist auf Anspruch 1 verzichtet worden.
    BERLIN. GEDRUCKT IN DIiR
DE1930580087D 1930-06-03 1930-06-04 Verfahren zur Herstellung von Sperrschicht-Photozellen, die aus einem Halbleiter, wie Kupferoxydul, mit beiderseits aufgebrachten flaechenhaften Elektroden bestehen Expired DE580087C (de)

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