DE4414925A1 - Verfahren zur Behandlung von Halbleitermaterial mit einer säurehaltigen Flüssigkeit - Google Patents

Verfahren zur Behandlung von Halbleitermaterial mit einer säurehaltigen Flüssigkeit

Info

Publication number
DE4414925A1
DE4414925A1 DE4414925A DE4414925A DE4414925A1 DE 4414925 A1 DE4414925 A1 DE 4414925A1 DE 4414925 A DE4414925 A DE 4414925A DE 4414925 A DE4414925 A DE 4414925A DE 4414925 A1 DE4414925 A1 DE 4414925A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor material
acidic liquid
phosphorus pentoxide
treatment
water
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE4414925A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Maximilian Dipl Chem D Stadler
Guenter Dipl Ing Schwab
Peter Romeder
Gabriele Trifellner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siltronic AG
Original Assignee
Wacker Siltronic AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wacker Siltronic AG filed Critical Wacker Siltronic AG
Priority to DE4414925A priority Critical patent/DE4414925A1/de
Priority to US08/419,362 priority patent/US5587046A/en
Priority to CN95104759A priority patent/CN1118517A/zh
Priority to TW084104098A priority patent/TW284902B/zh
Priority to EP95106337A priority patent/EP0681318B1/de
Priority to DE59500050T priority patent/DE59500050D1/de
Priority to KR1019950010145A priority patent/KR0165730B1/ko
Priority to JP7127490A priority patent/JP2700778B2/ja
Publication of DE4414925A1 publication Critical patent/DE4414925A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P90/00—Preparation of wafers not covered by a single main group of this subclass, e.g. wafer reinforcement
    • H10P90/12—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H10P90/126—Preparing bulk and homogeneous wafers by chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P50/60—Wet etching
    • H10P50/64—Wet etching of semiconductor materials
    • H10P50/642—Chemical etching

Landscapes

  • Weting (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
DE4414925A 1994-04-28 1994-04-28 Verfahren zur Behandlung von Halbleitermaterial mit einer säurehaltigen Flüssigkeit Withdrawn DE4414925A1 (de)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4414925A DE4414925A1 (de) 1994-04-28 1994-04-28 Verfahren zur Behandlung von Halbleitermaterial mit einer säurehaltigen Flüssigkeit
US08/419,362 US5587046A (en) 1994-04-28 1995-04-10 Process for treating semiconductor material with an acid-containing fluid
CN95104759A CN1118517A (zh) 1994-04-28 1995-04-22 用含酸流体处理半导体材料的方法
TW084104098A TW284902B (enExample) 1994-04-28 1995-04-25
EP95106337A EP0681318B1 (de) 1994-04-28 1995-04-27 Verfahren zur Behandlung von Halbleitermaterial mit einer säurehaltigen Flüssigkeit
DE59500050T DE59500050D1 (de) 1994-04-28 1995-04-27 Verfahren zur Behandlung von Halbleitermaterial mit einer säurehaltigen Flüssigkeit
KR1019950010145A KR0165730B1 (ko) 1994-04-28 1995-04-27 산함유 유체로 반도체를 처리하는 방법
JP7127490A JP2700778B2 (ja) 1994-04-28 1995-04-28 酸含有液による半導体材料処理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4414925A DE4414925A1 (de) 1994-04-28 1994-04-28 Verfahren zur Behandlung von Halbleitermaterial mit einer säurehaltigen Flüssigkeit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE4414925A1 true DE4414925A1 (de) 1995-11-02

Family

ID=6516731

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4414925A Withdrawn DE4414925A1 (de) 1994-04-28 1994-04-28 Verfahren zur Behandlung von Halbleitermaterial mit einer säurehaltigen Flüssigkeit
DE59500050T Expired - Fee Related DE59500050D1 (de) 1994-04-28 1995-04-27 Verfahren zur Behandlung von Halbleitermaterial mit einer säurehaltigen Flüssigkeit

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE59500050T Expired - Fee Related DE59500050D1 (de) 1994-04-28 1995-04-27 Verfahren zur Behandlung von Halbleitermaterial mit einer säurehaltigen Flüssigkeit

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5587046A (enExample)
EP (1) EP0681318B1 (enExample)
JP (1) JP2700778B2 (enExample)
KR (1) KR0165730B1 (enExample)
CN (1) CN1118517A (enExample)
DE (2) DE4414925A1 (enExample)
TW (1) TW284902B (enExample)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007061687A1 (de) * 2007-12-19 2009-06-25 Cpi Chemiepark Institut Gmbh Verfahren zum Mattierungsätzen von Siliziumsubstraten und Mittel zur Durchführung des Verfahrens
US8461057B2 (en) 1999-12-22 2013-06-11 Basf Aktiengesellschaft Process for the rough-etching of silicon solar cells

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3772456B2 (ja) * 1997-04-23 2006-05-10 三菱電機株式会社 太陽電池及びその製造方法、半導体製造装置
JP3337622B2 (ja) * 1997-07-16 2002-10-21 松下電器産業株式会社 選択的エッチング液及びそのエッチング液を用いた半導体装置の製造方法
US8940178B2 (en) * 2009-03-18 2015-01-27 E I Du Pont De Nemours And Company Textured silicon substrate and method
US8182698B2 (en) * 2010-06-30 2012-05-22 Arr-Maz Custom Chemicals, Inc. Method for improving gypsum/phosphoric acid slurry filtration using carboxymethyl cellulose

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2425684A1 (de) * 1974-05-28 1975-12-11 Ibm Deutschland Verfahren zum aetzen von silicium enthaltenden materialien
US3923567A (en) * 1974-08-09 1975-12-02 Silicon Materials Inc Method of reclaiming a semiconductor wafer
JPS55154452A (en) * 1979-05-18 1980-12-02 Seiko Kakoki Kk Concentration controlling method of halogen acid salt

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8461057B2 (en) 1999-12-22 2013-06-11 Basf Aktiengesellschaft Process for the rough-etching of silicon solar cells
DE102007061687A1 (de) * 2007-12-19 2009-06-25 Cpi Chemiepark Institut Gmbh Verfahren zum Mattierungsätzen von Siliziumsubstraten und Mittel zur Durchführung des Verfahrens
DE102007061687B4 (de) * 2007-12-19 2010-04-29 Cpi Chemiepark Institut Gmbh Verfahren zum Mattierungsätzen von Siliziumsubstraten und Ätzmischung zur Durchführung des Verfahrens

Also Published As

Publication number Publication date
EP0681318B1 (de) 1996-11-27
KR0165730B1 (ko) 1999-02-01
CN1118517A (zh) 1996-03-13
DE59500050D1 (de) 1997-01-09
TW284902B (enExample) 1996-09-01
US5587046A (en) 1996-12-24
KR950030256A (ko) 1995-11-24
JP2700778B2 (ja) 1998-01-21
JPH0853780A (ja) 1996-02-27
EP0681318A1 (de) 1995-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60304412T2 (de) Verfahren zur Regenerierung einer Ätzlösung, Ätzverfahren und Ätzvorrichtung
DE69912712T2 (de) Zusammensetzung und Verfahren zum selektiven Ätzen eines Siliciumnitrid-Films
DE19805525C2 (de) Verfahren zum Naßätzen von Halbleiterscheiben zum Erzeugen eines definierten Randbereichs durch Unterätzen
DE69823283T2 (de) Reinigungszusammensetzung
DE3874411T2 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung mit einer schicht aus titan-wolfram.
DE1287403B (de) Mittel und Verfahren zum AEtzen von Kupfer
DE2303798A1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen und durch dieses verfahren hergestellte halbleiteranordnungen
DE3928323A1 (de) Reiniger fuer aluminium
DE102006020823B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer polierten Halbleiterscheibe
DE60001867T2 (de) Verfahren zur Reinigung von Acrylsäure
DE4414925A1 (de) Verfahren zur Behandlung von Halbleitermaterial mit einer säurehaltigen Flüssigkeit
DE69800721T2 (de) Verfahren zur Reinigung von halbleitenden Substraten nach dem Läppen
DE2548237A1 (de) Verfahren zur rueckgewinnung von silber aus silberhaltigen loesungen
EP0012861B1 (de) Verfahren zum selektiven Feststellen von durch Polieren verursachten Fehlern auf der Oberfläche von Siliziumplättchen
EP0884772B1 (de) Verfahren zum Ätzen von Halbleiterscheiben
DE2951237C2 (de) Verfahren zum Entfernen von Galliumrückständen auf der Oberfläche einer A ↓I↓↓I↓↓I↓B↓V↓ Halbleiterschicht
DE2149566C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltung, deren Schaltungselement durch dielektrisches Material voneinander isoliert sind
DE69503318T2 (de) HF-Reinigungsverfahren für Siliziumscheiben
DE862895C (de) Verfahren zur Entfernung des Halogenwasserstoffs aus den Umsetzungsprodukten halogenhaltiger Siliciumverbindungen
DE10051052C2 (de) Lösung und Verfahren zum Ätzen von Metalloberflächen sowie deren Verwendung
DE112014006962B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE887900C (de) Verfahren zur Herstellung eines Sulfidueberzuges auf Oberflaechen von rostfreien Staehlen
EP0499830A2 (de) Ätzlösung für nasschemische Prozesse der Halbleiterherstellung
EP0496229A2 (de) Ätzlösung für nasschemische Prozesse der Halbleiterherstellung
DE2838880C3 (de) Verfahren zur Gewinnung von Methacrolein

Legal Events

Date Code Title Description
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: WACKER SILTRONIC GESELLSCHAFT FUER HALBLEITERMATER

8139 Disposal/non-payment of the annual fee