DE2951237C2 - Verfahren zum Entfernen von Galliumrückständen auf der Oberfläche einer A ↓I↓↓I↓↓I↓B↓V↓ Halbleiterschicht - Google Patents
Verfahren zum Entfernen von Galliumrückständen auf der Oberfläche einer A ↓I↓↓I↓↓I↓B↓V↓ HalbleiterschichtInfo
- Publication number
- DE2951237C2 DE2951237C2 DE2951237A DE2951237A DE2951237C2 DE 2951237 C2 DE2951237 C2 DE 2951237C2 DE 2951237 A DE2951237 A DE 2951237A DE 2951237 A DE2951237 A DE 2951237A DE 2951237 C2 DE2951237 C2 DE 2951237C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- gallium
- semiconductor layer
- etching solution
- residues
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 31
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical group [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 32
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 11
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229960000583 acetic acid Drugs 0.000 description 4
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012362 glacial acetic acid Substances 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- 241001101998 Galium Species 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000012928 buffer substance Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
Die Erfindung yetrifft ein Verfahren nach dem Oberbegriff
des Anspruches.
Ein derartiges Verfahren ist beispielsweise aus dem »Journal of the Electrochemical Society« Bd. 121, Nr. 3,
März 1974, Seiten 439 bis 444, bekannt
Das Aufwachsen von Halbleiterschichten aus Galliumarsenid (GaAs), Galliumphosphid (GaP) oder Galliumaluminiumarsenid (GaAlAs) auf ein Halbleitersubstrat aus einer Lösung mit Gallium als Lösungsmittel wird in weitem Umfang bei der Herstellung von Halbleiterlasern und lichtemiU'erenden Halbleiterdioden angewendet. Auf der epitaktischen AiuBvHalbleiterschicht t sind nach dem Aufwachsen gröEere oder kleinere Klümpchen 2 aus Gallium vorhanden, die Rückstände des als Lösungsmittel verwendeten Galliurr.. darstellen; vgl. Fig. 1.
Das Aufwachsen von Halbleiterschichten aus Galliumarsenid (GaAs), Galliumphosphid (GaP) oder Galliumaluminiumarsenid (GaAlAs) auf ein Halbleitersubstrat aus einer Lösung mit Gallium als Lösungsmittel wird in weitem Umfang bei der Herstellung von Halbleiterlasern und lichtemiU'erenden Halbleiterdioden angewendet. Auf der epitaktischen AiuBvHalbleiterschicht t sind nach dem Aufwachsen gröEere oder kleinere Klümpchen 2 aus Gallium vorhanden, die Rückstände des als Lösungsmittel verwendeten Galliurr.. darstellen; vgl. Fig. 1.
Derartige kleine Galliumrückstände sind unvermeidlich und ergeben außerdem Nachteile bei den anschließenden
Verfahrensschritten. Versucht man solche Rückstände von Gallium mittels eines kleinen, mit heißem
Wasser getränkten Wattebausches von der AmBv-Halbleiterschicht abzuwischen, entstehen auf der Oberfläche
Kratzer oder zerbrechen die AmBv-Halbleiterschichten.
Wenn die Rückstände von Gallium größere Klümpchen sind, können sie zwar in einfacher Weise
abgewischt werden, doch wenn die Rückstände sehr kleine Klümpchen sind, ist ein vollständiges Abwischen
ohne Beschädigung der AmBv-Halbleiterschicht
schwierig. Desweiteren reagieren die Galliumrückstände mit dem Elektrodenmetall und beeinträchtigen somit
die Genauigkeit eines Ätzens des Elektrodenmetalls zur Bildung der Elektroden.
Bei dem aus dem »Journal of the Electrochemical Society« a. a. O. bekannten Verfahren werden die Galliumrückstände,
die nach einem mechanischen Abwischen r.urückbleiben, durch Eintauchen der AmBvHaIbleiterschicht
in heiße Chlorwasserstoffsäure entfernt. Da jedoch Chlorwasserstoffsäure die AmBv-Halbleiterschichten
angreift, werden diese selbst in unerwünschter Weise geätzt, und deren Oberflächen werden dadurch
rauh.
Es ist weiter aus der Zeitschrift »IBM Technical Disclosure Bulletin« Bd. 20, Nr. 7, Dezember, 1977, S. 2986,
bekanntgeworden, Rückstände von Gallium oder von Galliumaluminium auf Galliumaluminiumarsenidschichten
mittels einer 25%- oder 50%igen auf Raumtemperatur gehaltenen Natriumhydroxidlösung zu entfernen.
Bei Anwendung einer höheren Temperatur von etwa 70° C greift allerdings — wie aus dieser Zeitschrift
a.a.O. ebenfalls bekannt — eine 25°/oige Natriumhydroxidlösung
eine Gao.isAIo.esAs-Halbleiterschicht etwas
an.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Anspruches anzugeben,
das ein selektives Entfernen der Galliumrückstände zum Ziel hat, so daß die Oberfläche der AmBv-Halbleiterschicht
nicht angegriffen wird.
to Diese Aufgabe wird mit einem Verfahren nach dem Oberbegriff des Anspruches dadurch gelöst, daß in der
im kennzeichnenden Teil des Anspruches angegebenen Weise verfahren wird.
Nach dem Verfahren nach der Erfindung können somi*. Galliumrückstände auf der Oberfläche von AuiBv-Halbleiterschichten
ohne das Entstehen von Kratzern und ohne ein Aufrauhen der Oberfläche der epitaktischen
AmBv-Halbleiterschicht und ohne Zerbrechen der AiiiBv-Halbleiterschicht vollständig entfernt werden.
Die Behandlung zeigt auch keinerlei andere nachteilige Wirkungen der Ätzlösung auf die AmBy-Halbleiterschicht.
In der Zeichnung zeigt
F i g. 1 eine Aufsicht auf eine AmBv-Halbleiterschicht
mit Galliumrückständen, und
F i g. 2 zeigt graphisch den Zusammenhang zwischen dem Abtrag der Ätzung und der Ätzzeit bei verschiedenen
Temperaturen der Ätzlösung.
In Volumenteilen ausgedrückt, ist die bei dem Verfahren nach der Erfindung verwendete Ätzlösung von 6 bis
4 Volumenteilen Phosphorsäure (98%ig), 5 bis 2 Volumenteilen Essigsäure (Eisessig) und 3 bis 0,1 Volumenteilen
Salpetersäure (spezifisches Gewicht 138) zusammengesetzt.
Nach einem bevorzugten Ausführungsbeispiel des Verfahrens nach der Erfindung wird zum Entfernen von
Galiiumrückständen von einer Galliumphosphid-Halbleiterschicht
(GaP) eine Ätzlösung verwendet, die durch Vermischen von 5 Volumenteilen Phosphorsäure
(98°/oig), 4 Volumenteilen Eisessig und 1 Volumenteil
Salpetersäure (spezifisches Gewicht M8) hergestellt wird.
Ein GaP-Substrat, auf dem eine GaP-Schicht epitaktisch aufgewachsen ist, wird durch Eintauchen in die
vorgenannte Ätzlösung behandelt, die auf Raurntemperatur gehalten wird. Die Rückstände auf der GaP-HaIbleiterschicht
des Substrats reagieren mit der Ätzlösung und werden innerhalb weniger Minuten entfernt, wenn
die Rückstände sehr feine Galliumteilchen sind. Sogar wenn die Rückstände von Gallium eine beträchtliche
Größe aufweisen, werden diese praktisch vollständig innerhalb etwa 30 Minuten entfernt. Obwohl bei der
Behandlung die epitaktisch aufgewachsene GaP-HaIbleiterschicht mit der Ätzlösung in Berührung kommt,
reagiert die GaP-Halbleiterschicht selbst kaum mit der
Ätzlösung, und somit wird die Oberfläche der epitaktisch aufgewachsenen GaP-Halbleiterschichten nicht
aufgerauht.
Die Fig. 2 zeigt die Beziehung zwischen der Ätzzeit T (in Minuten) und der Schichtdicke t (in μπι), die in
dieser Zeit abgeätzt wird, wobei die Parameter die Kurven der Temperatur der Ätzlösung angeben. Die Kurve
A stellt den Zusammenhang von Ätzabtrag und Ätzzeit bei der Temperatur der Ätzlösung von 20° C, die Kurve
ßden gleichen Zusammenhang bei 4O0C und die Kurve
Cden gleichen Zusammenhang bei 60°C dar. Wie aus
F i g. 2 ersichtlich, ist die Abätzung praktisch null, wenn die Temperatur der Ätzlösung 200C beträgt. Wenn dagegen
die Temperatur der Atzlösung bei 6O0C liegt,
wird durch 20 Min. langes Eintauchen von dem Substrat mit der epitaktischen AmBv-Halbleiterschicht in die
Ätzlösung die Oberfläche der AniBv-Halbleiterschicht
um die Dicke von etwa 0,5 μπι abgeätzt, wodurch sich
eine aufgerauhte Oberfläche bildet. Wenn die Menge der Galliumrückstände verhältnismäßig groß ist, wie
vorstehend angegeben, kann ein etwa 30 Minuten dauerndes Ätzen erforderlich werden. Wird bei einer derartig
langen Ätzzeit die Temperatur der Ätzlösung unter 600C gehalten, so entsteht keine aufgerauhte Oberfläehe
der AmBv-Halbleiterschicht. Die Abätzung von
Gallium mittels der gleichen Ätzlösung von 20° C beträgt
bei 5 Minuten 100 μΓη im Gegensatz zu praktisch
Ομπι für die Abätzung von GaP. Die Abätzung von
Gallium mittels der gleichen Ätzlösung von 40° C beträgt bei 5 Minuten 400 μΓη, während sie bei GaP nur
0,02 μπι ausmacht
Bei den nach dem Verfahren nach der Erfindung zu verwendenden Ätziösungen wirkt die Salpetersäure als
Oxidationsmittel. Bei einem Gehalt unterhalb des vorgenannten Bereichs findet kein ausreichendes Entfernen
des Galliums statt, während bei einem Wer', oberhalb
des vorgenannten Bereichs die AmBv-Halbleiterschicht
in unerwünschter Weise geätzt und deren Oberfläche aufgerauht wird. Die Phosphorsäure wirkt als Lösungsmittel
für das durch die Salpetersäure oxidierte Gallium. Die Menge in dem vorgenannten Bereich in Beziehung
zur Salpetersäure ist für eine kooperative Funktion der Oxidation durch Salpetersäure und der anschließenden
Lösung des Galliums durch Phosphorsäure geeignet. Die Essigsäure wirkt als Puffersubstanz.
Durch das beschriebene Verfahren können wie durch die praktische Anwendung bestätigt worden ist, Galliumrückstände,
außer von Galliumphosphid-Halbleiterschichten in gleicher Weise auch von epitaktisch aufgewachsenen
Halbleiterschichten aus GaAlP, GaInP, GaAsP, GaAs oder GaAIAs entfernt werden.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
40
45
55
60
Claims (1)
- Patentanspruch:Verfahren zum Entfernen von Galiiumrückständen auf der Oberfläche einer AniBv-Haibleiterschicht, die auf einem Substrat epitaktisch aus einer flüssigen Phase unter Verwendung von Gallium als Lösungsmittel aufgewachsen worden ist, bei dem die Oberfläche der AniBv-Halbleiterschicht mit den Galliumrückständen mit einer Ätzlösung behandelt wird, dadurch gekennzeichnet, daß hierzu eine 6 bis 4 Mol Phosphorsäure, 4,8 bis 1, 9 Mol Essigsäure und 3,6 bis 0,1 Mol Salpetersäure enthaltende Ätzlösung verwendet und bei der Behandlung die Ätzlösung auf einer Temperatur unter 60°C gehalten wird.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53165724A JPS5839374B2 (ja) | 1978-12-26 | 1978-12-26 | 半導体基板の処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2951237A1 DE2951237A1 (de) | 1980-11-13 |
| DE2951237C2 true DE2951237C2 (de) | 1984-05-24 |
Family
ID=15817859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2951237A Expired DE2951237C2 (de) | 1978-12-26 | 1979-12-19 | Verfahren zum Entfernen von Galliumrückständen auf der Oberfläche einer A ↓I↓↓I↓↓I↓B↓V↓ Halbleiterschicht |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4256520A (de) |
| JP (1) | JPS5839374B2 (de) |
| CA (1) | CA1127321A (de) |
| DE (1) | DE2951237C2 (de) |
| FR (1) | FR2445623A1 (de) |
| GB (1) | GB2043338B (de) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3721940A1 (de) * | 1987-07-02 | 1989-01-12 | Ibm Deutschland | Entfernen von partikeln von oberflaechen fester koerper durch laserbeschuss |
| JPH0220077A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-23 | Toshiba Corp | 緑色発光ダイオードの製造方法 |
| US5213622A (en) * | 1991-10-11 | 1993-05-25 | Air Products And Chemicals, Inc. | Cleaning agents for fabricating integrated circuits and a process for using the same |
| US5198071A (en) * | 1991-11-25 | 1993-03-30 | Applied Materials, Inc. | Process for inhibiting slip and microcracking while forming epitaxial layer on semiconductor wafer |
| DE19606987A1 (de) * | 1996-02-24 | 1997-08-28 | Felten & Guilleaume Energie | Befestigungseinrichtung für Kabelsteckteile |
| US6313048B1 (en) | 1997-03-03 | 2001-11-06 | Micron Technology, Inc. | Dilute cleaning composition and method for using same |
| US6384001B2 (en) * | 1997-03-03 | 2002-05-07 | Micron Technology, Inc. | Dilute cleaning composition |
| US6486108B1 (en) | 2000-05-31 | 2002-11-26 | Micron Technology, Inc. | Cleaning composition useful in semiconductor integrated circuit fabrication |
| US7037639B2 (en) | 2002-05-01 | 2006-05-02 | Molecular Imprints, Inc. | Methods of manufacturing a lithography template |
| CN112967948B (zh) * | 2020-08-05 | 2022-05-20 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 金属镓去除装置及金属镓去除方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2871110A (en) * | 1956-07-26 | 1959-01-27 | Texas Instruments Inc | Etching of semiconductor materials |
| US2973253A (en) * | 1957-12-09 | 1961-02-28 | Texas Instruments Inc | Etching of semiconductor materials |
| US3697318A (en) * | 1967-05-23 | 1972-10-10 | Ibm | Monolithic integrated structure including fabrication thereof |
| US3639975A (en) * | 1969-07-30 | 1972-02-08 | Gen Electric | Glass encapsulated semiconductor device fabrication process |
| US3679501A (en) * | 1970-04-13 | 1972-07-25 | Ibm | Method of polishing gallium phosphide |
| JPS4936792B1 (de) * | 1970-10-15 | 1974-10-03 | ||
| FR2149293B1 (de) * | 1971-08-18 | 1974-09-27 | Radiotechnique Compelec | |
| US3890169A (en) * | 1973-03-26 | 1975-06-17 | Bell Telephone Labor Inc | Method of forming stable native oxide on gallium arsenide based compound semiconductors by combined drying and annealing |
| US3892606A (en) * | 1973-06-28 | 1975-07-01 | Ibm | Method for forming silicon conductive layers utilizing differential etching rates |
| GB1478615A (en) * | 1974-09-19 | 1977-07-06 | Secr Defence | Gallium phosphide crystals |
| US3978428A (en) * | 1975-06-23 | 1976-08-31 | Xerox Corporation | Buried-heterostructure diode injection laser |
| JPS52128066A (en) * | 1976-04-20 | 1977-10-27 | Matsushita Electronics Corp | Manufacture of semiconductor device |
| DE2638302A1 (de) * | 1976-08-25 | 1978-03-02 | Wacker Chemitronic | Aetzmittel fuer iii/v-halbleiter |
-
1978
- 1978-12-26 JP JP53165724A patent/JPS5839374B2/ja not_active Expired
-
1979
- 1979-12-18 GB GB7943582A patent/GB2043338B/en not_active Expired
- 1979-12-19 DE DE2951237A patent/DE2951237C2/de not_active Expired
- 1979-12-20 US US06/105,861 patent/US4256520A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-12-21 CA CA342,458A patent/CA1127321A/en not_active Expired
- 1979-12-21 FR FR7931544A patent/FR2445623A1/fr active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5839374B2 (ja) | 1983-08-30 |
| CA1127321A (en) | 1982-07-06 |
| FR2445623A1 (fr) | 1980-07-25 |
| GB2043338A (en) | 1980-10-01 |
| GB2043338B (en) | 1983-05-11 |
| DE2951237A1 (de) | 1980-11-13 |
| FR2445623B1 (de) | 1985-04-26 |
| JPS5588322A (en) | 1980-07-04 |
| US4256520A (en) | 1981-03-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69401453T2 (de) | Zusammensetzung für die Behandlung von Kupfer oder Kupferlegierungen | |
| DE3874411T2 (de) | Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung mit einer schicht aus titan-wolfram. | |
| DE2951237C2 (de) | Verfahren zum Entfernen von Galliumrückständen auf der Oberfläche einer A ↓I↓↓I↓↓I↓B↓V↓ Halbleiterschicht | |
| DE2229457B2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements | |
| DE1614999A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit einer einem vorgegebenen Flaechenmuster entsprechenden dielektrischen Schicht auf der Oberflaeche eines Halbleiterkoerpers | |
| DE2303798A1 (de) | Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen und durch dieses verfahren hergestellte halbleiteranordnungen | |
| DE1489240B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen | |
| DE2413792A1 (de) | Verfahren zum behandeln von galliumhaltiger verbindungshalbleiter | |
| DE2239687C3 (de) | Verfahren zum Ätzen eines mehrschichtigen Halbleiterkörpers mit einem flüssigen Ätzmittel | |
| DE1953665A1 (de) | Verfahren zum oertlichen anisotropen AEtzen eines Siliciumkoerpers und Halbleiterbauelement mit einem auf diese Weise geaetzten Siliciumkoerper | |
| DE2616907C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements | |
| DE2447670B2 (de) | Verfahren zum selektiven aetzen einer auf einem substrat befindlichen siliciumoxidschicht | |
| DE2158681C3 (de) | Verfahren zur Behandlung eines lichtemittierenden Halbleiter-Bauelements mit PN-Übergang | |
| DE1521604B2 (de) | Verfahren zum aufbringen eines nickelueberzugs auf einem ausgewaehlten oberflaechenbereich einer siliciumscheibe | |
| DE2225366A1 (de) | Verfahren zum Entfernen von Vor Sprüngen an Epitaxie Schichten | |
| DE2226264C2 (de) | Verfahren zum zweistufigen Ätzen einer Ausnehmung | |
| DE69304130T2 (de) | Verfahren zur Abscheidung eines ohmischen Kontaktes auf einer ZnSe-Schicht | |
| DE2546316C2 (de) | Verfahren zur Behandlung von Körpern mit einem Fluorid enthaltenden Ätzmittel und seine Anwendung bei der Herstellung von Halbleiteranordnungen | |
| DE1071846B (de) | ||
| DE2141235C3 (de) | Ätzmittel für metallbeschichtete SUiciumhalbleiterscheiben | |
| DE2529865C2 (de) | Wäßrige Ätzlösung zum selektiven Ätzen von Siliciumdioxidschichten auf Halbleiterkörpern | |
| DE1015541B (de) | Verfahren zum AEtzen elektrisch unsymmetrisch leitender Halbleiteranordnungen | |
| DE1931331C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Dotierungsschichten in einem Siliciumkörper vom p-Leitungstyp | |
| EP0499830A2 (de) | Ätzlösung für nasschemische Prozesse der Halbleiterherstellung | |
| DE2237825C3 (de) | Verfahren zum Reinigen von gesägten Halbleiterscheiben und dessen Verwendung zum Reinigen von Siliciumscheiben |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OAP | Request for examination filed | ||
| OD | Request for examination | ||
| 8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: JUNG, E., DIPL.-CHEM. DR.PHIL. SCHIRDEWAHN, J., DI |
|
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) |