DE4318086A1 - Verfahren und Einrichtung zum Herstellen einer polymeren Deckschicht in Kunststoff-Hohlkörpern - Google Patents
Verfahren und Einrichtung zum Herstellen einer polymeren Deckschicht in Kunststoff-HohlkörpernInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Einrichtung ge
mäß dem Oberbegriff des Anspruches 1 bzw. dem der Ansprüche
28-30.
Bei einem durch die DE-PS 3,632,748 bekannten derartigen Ver
fahren zur Bildung diffusionshemmender Schichten mittels
Plasmapolymerisation von nicht näher bezeichneten Monomeren
erfolgt die Plasmaanregung durch von außen eingekoppelte Mi
krowellen, wobei der Plasmareaktor so ausgelegt sein soll, daß
in seinem Inneren ein möglichst homogenes Mikrowellenfeld und
damit ein homogenes Plasma herrschen. Eine hierfür geeignete
Einrichtung wird jedoch nicht offenbart. Zwar geht aus den
Zeichnungen hervor, daß die Mikrowellen über zwei senkrecht
zur Längsachse der Hohlkörper und rechtwinkelig zueinander an
geordnete Rechteck-Hohlleiter in den Plasmareaktor eingekop
pelt werden. Diese Anordnung läßt jedenfalls bei der Behand
lung größerer Hohlkörper z. B. von Kfz-Tanks, im Hinblick auf
die Vakuum-Wellenlänge von 12 cm kein homogenes Mikrowellen
feld erwarten. Dies gilt insbesondere dann, wenn der Hohlkör
per eine komplizierte Gestalt aufweist. Darüberhinaus läßt der
Offenbarungsgehalt dieser Vorveröffentlichung die Tatsache un
berücksichtigt, daß die Eigenschaften von Plasmapolymeren sehr
stark von den Verfahrensbedingungen bei ihrer Abscheidung ab
hängen, insbesondere von der Wahl der Ausgangssubstanz(en),
dem Druck im Plasmareaktor, der Durchflußrate der Ausgangssub
stanzen durch die Gaszuführung sowie der Leistungsdichte im
Plasma.
An anderer Stelle wird berichtet, daß eine polymere Deck
schicht, die durch Mikrowellen-Plasmapolymerisation von Äthy
len bzw. Äthylen/Argonmischungen auf einem Kraftstoffbehälter
aufgebracht wurde, die Permeation von methanolfreiem Prüf
kraftstoff durch Hochdruck-Polyäthylen (HDPE) auf ca. 2% des
ursprünglichen Wertes vermindert. (R. Ludwig,
"Plasmapolymerisation - Ein Verfahren zur Erzeugung dünner
Schichten", Dissertation an der RWTH Aachen, 1989).
In DE-OS 3,908,418 wird die Plasmapolymerisation von polaren
Barriereschichten unter Anwendung eines Plasmas beschrieben,
das durch Wechselspannungen im MHz-Bereich angeregt wird.
Nachteilig ist, daß polare Barriereschichten eine abstoßende
Wirkung auf unpolare Bestandteile von Kraftstoffen, nicht je
doch in Bezug auf Methanol ausüben, so daß die erzielbare Bar
rierewirkung bei methanolhaltigen Kraftstoffen nicht aus
reicht.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren ver
fügbar zu machen, welches die wirtschaftliche Herstellung we
nigstens einer großflächigen polymeren Deckschicht auf einem
Kunststoffsubstrat, insbesondere in einem Kunststoffhohlkör
per, ermöglicht, wobei die Deckschicht trotz ihrer großflächi
gen Ausdehnung möglichst einheitliche Eigenschaften aufweist
und somit eine ausreichende Barrierewirkung erzielt. Dies soll
auch bei einem methanolhaltigen Füllgut, beispielsweise metha
nolhaltigem Kraftstoff, der Fall sein. Die Deckschicht soll
eine Barrierewirkung gewährleisten, die den heutigen und ggf.
in Zukunft zu erwartenden Anforderungen an die Undurchlässig
keit derartiger Hohlkörper für das Füllgut genügt.
Diese Aufgabe wird mit den Merkmalen im Kennzeichen des An
spruches 1 gelöst.
Um die Durchlässigkeit der Deckschicht für Alkohol, insbeson
dere Methanol, zu minimieren, müssen die die Deckschicht bil
denden Substanzen möglichst unpolar sein. Dazu werden im we
sentlichen unpolare Ausgangssubstanzen verwendet, da letztere
diese Eigenschaft auch bei ihrer Polymerisation nicht verlie
ren und somit eine Deckschicht aus zumindest überwiegend unpo
laren Substanzen bilden. Bei den Ausgangssubstanzen kann es
sich erfindungsgemäß z. B. um gas- oder dampfförmige Kohlen
stoff- und organische Siliziumverbindungen handeln, die die
Bildung hochvernetzter Polymerschichten erwarten lassen und zu
einer permeationsdichten Barriereschicht führen. Geeignete un
polare Ausgangssubstanzen sind z. B. Kohlenwasserstoffe oder
Siloxane.
In der praktischen Anwendung des Verfahrens gemäß der Erfin
dung kommt es aus wirtschaftlichen Gründen auch darauf an,
eine wirksame Abdeckschicht in möglichst kurzer Zeit her
zustellen. Als schichtbildende Komponenten können dabei Ver
bindungen eingesetzt werden, die unter Plasmabedingungen rela
tiv schnell eine polymere Deckschicht bilden. Dazu gehören
beispielsweise Olefine, z. B. Ethylen, gespannte Zykloalkane,
z. B. Zyklopropan, Aromaten, Heteroaromaten, z. B. Pyrrol oder
Thiophen. Im allgemeinen gilt dabei jedoch, daß mit zunehmen
der Geschwindigkeit der Schichtbildung der Vernetzungsgrad ab
nimmt, also überwiegend Ketten gebildet werden.
Da mit abnehmendem Vernetzungsgrad im allgemeinen auch die
Sperrwirkung abnimmt, kann es gemäß einem weiteren Vorschlag
der Erfindung zweckmäßig sein, neben dem Reaktionsgas, welches
die überwiegend kettenbildende Komponente enthält, eine zu
sätzliche Komponente darstellende Moleküle in der das Plasma
bildenden Gasatmosphäre vorzusehen, die unter Plasmabedingun
gen innerhalb der sich bildenden polymeren Deckschicht über
wiegend Verzweigungsstellen in den Polymerketten, insbesondere
Vernetzungsstellen zwischen Polymerketten, erzeugen. Dafür ha
ben sich hoch ungesättigte Kohlenwasserstoffverbindungen, z. B.
Acetylene oder Allene oder Verbindungen, die unter Plasma
bedingungen solche hochgesättigten Kohlenstoff-Verbindungen
bilden, z. B. Cyclobuten, als besonders geeignet erwiesen.
Die Verzweigungs- bzw. Vernetzungsstellen ausbildende Kompo
nente kann zusätzlich zu der überwiegend kettenbildenden Kom
ponente in die das Plasma bildende Gasatmosphäre eingeführt
werden. Es besteht aber auch die Möglichkeit, daß beide
schichtbildenden Komponenten als Strukturelemente desselben
Moleküls in das Plasma eingeführt werden, wobei die Moleküle
dieser Ausgangssubstanz unter den Bedingungen des Plasmas auch
in Strukturen gespalten werden können, die die beiden genann
ten Komponenten bilden.
Die Geschwindigkeit der Bildung der Deckschicht hängt im all
gemeinen auch ab von der Menge der pro Zeiteinheit dem Plasma
zugeführten polymerisierbaren Substanzen, wobei mit zunehmen
der Menge pro Zeiteinheit auch die Geschwindigkeit, mit wel
cher die Deckschicht gebildet wird, zunimmt. Allerdings werden
hierbei im allgemeinen gewisse Grenzen einzuhalten sein, da es
sonst zur Bildung eines staubigen Niederschlages auf der Sub
stratoberfläche bzw. der sich bildenden Deckschicht kommen
kann. Die Bildung von derartigen Staubpartikeln ist insbeson
dere darauf zurückzuführen, daß Teile der schichtbildenden
Komponenten bereits vor Erreichen der Oberfläche des Sub
strates bzw. der sich bildenden Deckschicht "kondensieren",
also von der gas- oder dampfförmigen Phase in die flüssige und
schließlich in die feste Phase übergehen. Der Nachteil der
Bildung derartiger Staubpartikel besteht darin, daß sie sich
auf der Oberfläche des Substrates bzw. der sich bildenden
Deckschicht absetzen mit der Folge, daß sich an diesen Stellen
keine porenfreie Deckschicht bildet und nach späterem Ablösen
der Staubpartikel von der Oberfläche an diesen Stellen die Be
schichtigung nicht die notwendige Undurchlässigkeit aufweist.
Außerdem ist die Bildung von Staub innerhalb von Behältern,
insbesondere von Kraftstoffbehältern, generell unerwünscht.
Es kann somit bei Vorliegen bestimmter Betriebsbedingungen
zweckmäßig sein, der in das Plasma einzuführenden Ausgangssub
stanz noch eine der Bildung von Staub entgegenwirkende Kompo
nente hinzuzufügen. Dabei kann es sich um inerte Gase oder
Dämpfe handeln, die das Reaktionsgas verdünnen, so daß die Po
lymerisation in der Gasphase verlangsamt wird. Dies wird al
lerdings nur dann zweckmäßig sein, wenn dadurch die Ge
schwindigkeit, mit welcher die Deckschicht gebildet wird, die
Wirtschaftlichkeit des Verfahrens nicht beeinträchtigt. Eine
Vermeidung oder zumindest Verringerung der Staubbildung kann
aber auch dadurch erreicht werden, daß als Staubverhinderer
solche Substanzen hinzugefügt werden, die im Plasma reaktive
Teilchen, z. B. Monoradikale bilden, die die Entstehung großer
Aggregate in der Gasphase hemmen. Derartige die Staubbildung
hemmende Substanzen wirken im wesentlichen in der Weise, daß
einige der Valenzen der schichtbildenden Komponenten gesättigt
werden, wodurch die Teilchen der letzteren weniger reaktiv
sind. Dies hat zur Folge, daß die Polymerisation erst auf der
Oberfläche des Substrats bzw. der in der Bildung befindlichen
Deckschicht erfolgt, so daß eine bereits in der Gasphase
stattfindende Polymerisation, die letzten Endes, abgesehen von
der möglichen Porenbildung, die Effizienz der Schichtbildung
herabsetzt, vermieden wird.
Als inerte Staubverhinderer, die die Konzentration der poly
merisierenden Teilchen verringern, können Argon oder Helium
eingesetzt werden. Als Bildner von reaktiven Teilchen, deren
Reaktion mit den schichtbildenden Komponenten hingegen die Ge
schwindigkeit der Bildung der Abdeckschicht kaum verringert,
kommen H₂, CH₄, N₂, Ethan und andere niedere Alkane in Frage.
In der Zeichnung sind einige Ausführungsbeispiele im Schema
dargestellt. Es zeigen:
Fig. 1 eine erste Ausführungsform einer Einrichtung zum
Aufbringen einer polymeren Deckschicht auf der in
neren Oberfläche eines Hohlkörpers aus Kunststoff,
Fig. 2 eine der Fig. 1 entsprechende Darstellung einer
zweiten Ausführungsform,
Fig. 3 die Darstellung einer dritten Ausführungsform,
Fig. 4 eine Einrichtung zum gleichzeitigen Behandeln
mehrerer Hohlkörper,
Fig. 5 eine Einzelheit in größerem Maßstab.
Beim Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 1 ist eine Vakuumkammer 10
vorhanden, innerhalb derer Kraftstoff-Tanks aus thermoplasti
schem Kunststoff, z. B. Hochdruck-Polyäthylen, mit einer Innen
beschichtung in Form einer polymeren Deckschicht zu versehen
sind. In Abhängigkeit von der Größe des jeweils zu behandeln
den Tanks 12 kann die Vakuumkammer ein Volumen von beispiels
weise 300 l aufweisen. Die Vakuumkammer 10 ist vorzugsweise an
einer ihrer Stirnseiten mit einer verschließbaren Öffnung ver
sehen, durch die der jeweils mit der Beschichtung zu verse
hende Tank 12 in die Vakuumkammer 10 eingebracht werden kann.
Die Vakuumkammer wird anschließend verschlossen und danach ge
meinsam mit dem Tank 12 durch eine Vakuumpump-Einrichtung 14
evakuiert. Die Verbindung zwischen Vakuumpump-Einrichtung 14
und dem Innenraum 16 der Vakuumkammer 10 wird über eine Lei
tung 18 hergestellt, die mit einem Ventil 20 versehen ist.
Das Innere des Tanks 12 ist über eine Leitung 22 mit der Vaku
umpump-Einrichtung 14 verbunden. In der Leitung 22 ist ein
Ventil 24 angeordnet. Die Öffnung des Tankes 12, durch welche
die Evakuierung erfolgt, ist durch einen lösbaren Schnellver
schluß 26 in Form einer Kappe oder dgl. verschlossen, die mit
tels beispielsweise eines Bajonettverschlusses am Stutzen 28
des Tanks angebracht werden kann. Die Leitung 22 für die Eva
kuierung des Tanks 12 ist mit einer Öffnung in dieser Kappe
dicht verbunden. Eventuell weitere noch am Tank 12 vorhandene
Öffnungen, die beispielsweise herstellungsbedingt sein können,
sind zuvor verschlossen worden. Es kann aber auch zweckmäßig
sein, solche weiteren Öffnungen, die bei Verwendung des Tanks
beispielsweise in einem Kfz. erforderlich sind, nach der Be
schichtung mittels Plasmapolymerisation anzubringen.
Innerhalb des Tankes 12 ist eine Sonde 30 angeordnet, die der
Zuführung der Ausgangssubstanz(en) zur Bildung der polymeren
Deckschicht dient. Die Sonde 30 ist ebenfalls mit der Kappe
oder dgl. des Schnellverschlusses 26 dicht verbunden, die dazu
mit einer weiteren Öffnung versehen ist, an welcher eine Zu
leitung 32 angeschlossen ist. Die Zuleitung 32 stellt eine
Sammelleitung dar, in welche unter Zwischenschaltung jeweils
eines Absperrorgans 34 Leitungen 36, 38, 40 münden, die je
weils mit nicht dargestellten Vorratsbehältern oder dgl. für
mindestens eine Ausgangssubstanz und ggf. weitere Substan
zen(en) verbunden sind. So kann beispielsweise über die Lei
tung 36 die Ausgangssubstanz für die überwiegend kettenbil
dende Komponente zugeführt werden. Die Leitung 38 kann der Zu
führung der Ausgangssubstanz(en) für die überwiegend die Ver
zweigungs- bzw. Vernetzungsstellen ausbildende Komponente die
nen. Über die Leitung 40 kann die Komponente zugeführt werden,
die die Staubbildung innerhalb des Tankes 12 hemmt.
Die Evakuierung des Innenraums 16 der Vakuumkammer 10 und des
Tanks 12 erfolgt zunächst gemeinsam. Bei Erreichen eines
Druckes von ca. 5000 Pa wird das Ventil 20 geschlossen, so daß
der Druck innerhalb des Raumes 16 nicht unter 5000 Pa fällt.
Das Innere des Tanks 12 wird weiter bis zu einem Druck von ca.
1 Pa evakuiert. Anschließend wird über Leitung 32 und Sonde
ein Gasgemisch aus z. B. 50% Ethylen, 30% Acetylen und 20% Me
than in den Tank 12 gegeben. Die Durchflußraten für die vorge
nannten Gase betragen jeweils 50 bzw. 30 bzw. 20 cm³/min, d.
h., daß der größte Anteil im Gasgemisch auf die überwiegend
kettenbildende und der geringste Anteil auf die Staub hemmende
Komponente entfällt. Mit Hilfe des Drosselventils 24 wird bei
laufender Pumpe ein Druck von 12 Pa eingestellt.
Danach werden Mikrowellen einer Frequenz von 2,45 GHz gepulst
mit 50 Hz durch zwei Quarzfenster 44 mit einer Leistung von
jeweils 1200 W in die Vakuumkammer 16 eingekoppelt und mittels
zweier sich drehender Blenden 45 derart gestreut, daß eine an
nähernd homogene Verteilung der Mikrowellen innerhalb des
Tanks 12 erzielt wird. Das hierdurch innerhalb des Tanks 12
erzeugte Plasma wird 10 min aufrecht erhalten. Zur Überwachung
der Reproduziergenauigkeit wird der Prozeß mit Hilfe einer
mit 50 Hz bei konstanter Spannung von -200 V den Ionenstrom im
Plasma messenden elektrischen Sonde verfolgt. Nach Ablauf von
8 min wird die Zufuhr des Gasgemisches unterbrochen und statt
dessen ein Wasserstoffstrom von 100 cm³/min eingeführt, wobei
mit Hilfe des Drosselventils 24 ein Druck von 10 Pa einge
stellt wird. Nach weiteren 2 min wird die Mikrowellenversor
gung abgeschaltet, das Innere des Tanks erneut auf 1 Pa evaku
iert, dann das Abpumpen beendet. Tank 12 und Vakuumkammer 16
werden belüftet, die Sonde 30 wird entfernt und der innen mit
einer polymeren Deckschicht versehene Tank 12 aus der Vakuum
kammer 10 herausgenommen. Während der Behandlung liegt der
Tank 12 innerhalb der Vakuumkammer 10 auf einer für Mikrowellen
transparenten Auflage 46, die als Rahmen oder Gitter ausgebil
det sein können und z. B. aus PTFE oder Glas bestehen.
Die auf der gesamten Innenfläche des Tanks 12 gebildete
Schicht vermindert die Durchlässigkeit der Wandung des Tankes
12 für einen Testkraftstoff, der aus 85% n-Pentan und 15% Me
thanol besteht nach ECE 34 auf 0,4 g/d. Bei unbehandelten
Tanks beträgt die Durchlässigkeit etwa 20 g/d.
Beim Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 2 sind jene Teile, die
denen des Ausführungsbeispiels gemäß Fig. 1 entsprechen, mit
gleichen, jedoch um 100 höheren Bezugszeichen versehen. Der
wesentliche Unterschied besteht darin, daß bei der Ausfüh
rungsform gemäß Fig. 2 die Mikrowellen direkt in den innerhalb
der Vakuumkammer 110 befindlichen Tank 112 eingekoppelt wer
den. Dazu ist eine Mikrowellen-Stabantenne 145 vorgesehen, die
innerhalb des Tanks 112 angeordnet ist. Die Stabantenne 145
besteht aus einem Führungs-Hohlleiter 153 sowie einem darin im
wesentlichen koaxial zum Führungs-Hohlleiter und in einem Ab
stand von demselben angeordneten Innenleiter 155 aus Metall.
Der Führungs-Hohlleiter besteht aus Quarzglas. Er wird von ei
nem Metall-Rohr 157 getragen, welches durch die als Schnell
verschluß dienende Kappe 126 vakuumdicht hindurchgeführt ist.
Das Metall-Rohr 157 des Führungs-Hohlleiters 153 ist mit einem
Hohlleiter 159 verbunden, der im wesentlichen senkrecht zum
Metall-Rohr 157 verläuft und durch die Wandung der Vakuumkam
mer 110 vakuumdicht hindurchgeführt ist. An dem einen Ende des
Hohlleiters 159 ist ein Mikrowellengenerator 161 außerhalb der
Vakuumkammer 110 angeordnet. Innerhalb des Hohlleiters 159 ist
ein kegelförmiges Teil 163 derart angeordnet, daß es dem Me
tall-Rohr 157 des Führungs-Hohlleiters 153 gegenüberliegt, wo
bei die Spitze des kegelförmigen Teils 163 zum Metall-Rohr 157
bzw. dem daran angeschlossenen Führungs-Hohlleiter 153 hin ge
richtet ist. Durch das kegelförmige Teil 163 werden die vom
Mikrowellengenerator 161 ausgehenden und im Hohlleiter 159 ge
führten Mikrowellen in den Ringraum zwischen Führungs-Hohllei
ter 153 und Innenleiter 155 eingekoppelt. - Durch die Kappe
der Schnellverschlußeinrichtung 136 ist ferner die Sonde 130
zur Zuführung der Ausgangssubstanz(en) hindurchgeführt. Außer
dem ist die Leitung 122 zur Erzeugung des Vakuums innerhalb
des Tanks 112 mit einer entsprechenden Durchbrechung in der
Kappe 126 verbunden. Durch die Einkopplung der Mikrowellen di
rekt in den zu behandelnden Tank hinein läßt sich das Plasma
gezielt für die Polymerisation zur Bildung der Deckschicht zur
Wirkung bringen. Dies kann zu einer merklichen Verkürzung der
für das Aufbringen einer Beschichtung mit bestimmten Qualitä
ten erforderlichen Behandlungsdauer im Vergleich zum Ausfüh
rungsbeispiel gemäß Fig. 1 führen. Die Konstanz des sich in
nerhalb des Tankes 112 ausbildenden Plasmas wird mit einer
speziellen Ionenstrom- oder einer Langmuir-Sonde, die an der
Sonde 130 angebracht ist, überwacht. Das Reaktionsgas besteht
in diesem Fall aus 50% Ethylen und 50% Azethylen. Es wurde
festgestellt, daß bei diesen Betriebsbedingungen auf die Zu
führung einer staubhemmenden Komponente verzichtet werden
kann. D. h., daß die Ausgangssubstanzen in diesem Fall ledig
lich über die Leitungen 136, 138 zugeführt werden. - Der In
nenleiter 155 ist als Zuführung für Druckluft ausgebildet, die
an dem innerhalb des Führungs-Hohlleiters befindlichen Ende
aus dem Innenleiter 155 ausströmt und durch den Ringraum zwi
schen Innenleiter 155 und Führungs-Hohlleiter 153 bzw. Metall-
Rohr 157 in den Hohlleiter 159 zurückströmt, der mit einem
Auslaß 165 für die über dem Innenleiter 155 zugeführte Druck
luft versehen ist. Diese Druckluft dient im wesentlichen der
Kühlung des Führungs-Hohlleiters 153, innerhalb dessen
Atmosphärendruck bzw. ein durch die Zuführung der Kühlluft ge
ringfügig über Atmosphärendruck liegender Druck herrscht.
Bei der Ausführungsform gemäß Fig. 3 sind ebenfalls jene
Teile, die denen des Ausführungsbeispiels gemäß Fig. 1 ent
sprechen, mit gleichen, jedoch um 200 höheren Bezugszeichen
versehen. Der wesentliche Vorteil des Ausführungsbeispiels ge
mäß Fig. 3 besteht in der Verwendung einer Vakuumkammer 210,
deren Wandung weitgehend an die Gestalt des in der Vakuumkam
mer zu behandelnden Kunststofftankes 212 angepaßt ist. D.h.,
daß die innere Begrenzung der Vakuumkammer 210 im wesentlichen
der äußeren Begrenzung des Tankes 212 entspricht. Ein wesent
licher Vorteil dieser Anordnung besteht in dem geringen Volu
men des vom Tank 212 nicht ausgefüllten Innenraums 216 der
Vakuumkammer, wodurch die für die Evakuierung dieses Innenrau
mes 216 erforderliche Zeit erheblich reduziert und das Einkop
peln der Mikrowellen in das Innere des Tankes 212 optimiert
wird. Dies führt zu einer merklichen Verkürzung der für das
Aufbringen einer Beschichtung mit bestimmten Qualitäten erfor
derlichen Behandlungsdauer im Vergleich zum Aus
führungsbeispiel gemäß Fig. 1. Insgesamt wird auch der
Investitionsaufwand für die Einrichtung reduziert.
Die Wandung der Vakuumkammer 210 ist mit Mikrowellenfenstern
244 aus Quarzglas versehen, über welche die Mikrowellen, die
jeweils von einem Mikrowellengenerator 247, der außerhalb der
Vakuumkammer 210 angeordnet ist, in die Vakuumkammer 210 ein
gekoppelt werden. Abweichend von der in Fig. 3 der Zeichnung
dargestellten Ausgestaltung, bei welcher jedem Mikrowellenfen
ster 244 ein eigener Mikrowellengenerator 247 zugeordnet ist,
besteht auch die Möglichkeit, für die Vakuumkammer 210 ledig
lich einen Mikrowellengenerator zu verwenden, wobei dann über
einen geeigneten Verteiler und Leitungen die Mikrowellen zu
den einzelnen Mikrowellenfenstern geführt werden.
Zur Erleichterung der Handhabung der Einrichtung ist die Vaku
umkammer 220 etwa hälftig unterteilt derart, daß ein unterer
Teil 210a und ein oberer Teil 210b entstehen, von denen der
obere Teil 210b als Deckel ausgebildet ist, der von dem un
teren, stationären Teil 210a abgenommen werden kann. Zwischen
beiden Teilen 210a, 210b ist eine Dichtung 248 aus gum
mielastischem Material angeordnet, die bei geschlossener Kam
mer 210 deren Abdichtung gegenüber der Außenatmosphäre be
wirkt.
Von der Vakuumpumpeinrichtung 214 geht eine Leitung 218 für
die Evakuierung der Vakuumkammer 210 ab. Die andere Sauglei
tung 222 ist so ausgebildet und angeordnet, daß sie mit einem
an ihrem Endbereich angebrachten Flansch 250, der konisch aus
gebildet ist, unter Zwischenschaltung eines Dichtringes 252,
an dem eine Öffnung 254 der Vakuumkammer 210 begrenzenden
Wandteil der Kammer anliegt, so daß die Öffnung 254 durch den
Flansch 250 der Saugleitung 222 verschlossen wird. Die Öffnung
des Tanks 212 ist auch hier durch die Kappe eines Schnellver
schlusses 216 verschlossen, der mit einer zusätzlichen Öffnung
für das Vakuum versehen ist. Die Anordnung kann aber auch so
getroffen sein, daß die Saugleitung 222 mit ihrem freien Ende
in den Stutzen 228 des Tanks 212 eingreift und diesen dabei
nach außen abdichtet. Dazu könnte die Saugleitung mit einem
Abschnitt kleineren Durchmesser versehen sein, der über den
Flansch 250 in Richtung auf den Tank vorsteht.
Auch hier können der innerhalb des Tankes 212 angeordneten
Sonde 230 für die Zuführung der für die Bildung der polymeren
Deckschicht erforderlichen Substanzen und ggf. auch der die
Bildung von Staub hemmenden Komponente Einrichtungen für die
Überwachung des Plasmas usw. zugeordnet sein. Saugleitung 222
und Sonde 230 sowie weitere zugeordnete Teile können so ange
ordnet sein, daß beim Einlegen des Tanks 212 in die Vakuumkam
mer Saugleitung 222 und Sonde 230 mit zugeordneten Teilen
zwangsläufig in die richtige Lage zum Tank 212 gebracht wer
den. Beim Schließen der Vakuumkammer 210 durch entsprechende
Positionierung der oberen Hälfte 210b erfolgt dann die endgül
tige Abdichtung der Vakuumkammer gegen die Außenatmosphäre und
die Abdichtung des in der Kammer 210 befindlichen Tanks 212
gegenüber dem Innenraum 216 der Vakuumkammer.
Das Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 4, in welcher dem Ausfüh
rungsbeispiel gemäß Fig. 1 entsprechende Teile mit gleichen,
jedoch um 300 höheren Bezugszeichen versehen sind, ist mit ei
ner Vakuumkammer 310 versehen, die so groß ist, daß sie die
gleichzeitige Behandlung mehrerer, z. B. zehn auf einem Be
schickungswagen 360 angeordneter Tanks 312 ermöglicht. In je
den der Tanks 312 wird eine Sonde eingeführt. Die einzelnen
Tanks 312 sind in der bereits im Zusammenhang mit den Fig.
1 und 2 beschriebenen Weise mit einem Schnellverschluß 326
versehen, der die Sonde trägt und gleichzeitig auch mit einem
Durchlaß für die Ausgangssubstanz(en) für die polymere Deck
schicht versehen ist. Die Zuleitungen 332 sämtlicher Tanks 312
sind an eine gemeinsame Versorgungsleitung 362 angeschlossen,
die wiederum in geeigneter Weise mit Vorratsbehältern für die
einzelnen Komponenten verbunden ist, wie dies im Zusammenhang
mit Fig. 1 beschrieben wird. Ferner sind die Saugleitungen
322 sämtlicher Tanks 312 an eine gemeinsame zentrale Sauglei
tung 364 angeschlossen.
Innerhalb der Vakuumkammer 310 ist oberhalb der Tanks 312 und
unterhalb der Auflagefläche des Beschickungswagens 360 jeweils
ein Mikrowellenhohlleiter 382 vorgesehen, der als Schlitzan
tenne ausgebildet und somit an seiner jeweils den Tanks 312
zugekehrten Seite mit Schlitzen für den Durchgang der Mikro
wellen versehen ist. Um den Hohlleiter 382 gegenüber der
Atmosphäre innerhalb der Vakuumkammer 310 abzuschließen, ist
er an seiner jeweils den Tanks 312 zukehrten Seite durch eine
Quarzplatte 344 abgedeckt. Die beiden jeweils aus Hohlleiter
382 und Quarzplatte 344 bestehenden Einheiten können bei
spielsweise quer zu ihrer Längsachse in horizontaler Ebene
hin- und herbewegbar innerhalb der Vakuumkammer angeordnet
sein, um so eine ausreichende Streuung der aus den Hohlleitern
austretenden Mikrowellen zu erreichen. Ob dies erforderlich
ist, hängt von den jeweiligen Gegebenheiten, beispielsweise
den Dimensionen der Vakuumkammer 310 und den Dimensionen der
Tanks 312 ab. Die zur Erzeugung der Mikrowellen erforderlichen
Generatoren sind außerhalb der Vakuumkammer 310, beispiels
weise an der dem Betrachter der Fig. 4 abgekehrten Stirnfläche
der Vakuumkammer 310 angebracht, wobei Mittel vorgesehen sein
müssen, um die Mikrowellen durch die Wandung der Vakuumkammer
310 in die Hohlleiter 382 zu führen. Derartige Anordnungen und
Ausgestaltungen sind dem Fachmann bekannt, so daß sie hier
nicht detailliert beschrieben zu werden brauchen. Die die
Tanks 312 tragende Auflagefläche des Beschickungswagens 316
kann beispielsweise gitterförmig aus einem Material herge
stellt sein, welches den Durchgang der Mikrowellen vom unteren
Hohlleiter 382 nicht behindert.
Die zu behandelnden Tanks 312 können außerhalb der Vakuumkam
mer 310 auf den Beschickungswagen 360 gelegt werden, der dann
in die Vakuumkammer 310 eingefahren wird. Über eine Schnell
kupplung ggf. auch über eine gemeinsame Schnellkupplung für
alle Leitungen, können dann die Verbindungen für die Gaszu
fuhrleitungen und die Leitung zum Evakuieren der einzelnen
Tanks 312 hergestellt werden.
Die im Zusammenhang mit Fig. 4 beschriebene Anordnung, bei
welcher innerhalb der Vakuumkammer wenigstens ein Hohlleiter
zum Zuführen der Mikrowellen vorgesehen ist, kann auch bei Va
kuumkammern, in denen jeweils nur ein Hohlkörper behandelt
wird, angewendet werden. So ist es beispielsweise möglich, bei
der Ausführungsform gemäß Fig. 1 anstelle der in der Wandung
der Kammer 10 angebrachten Quarzfenster 44 Hohlleiter inner
halb der Kammer, vorzugsweise auch oberhalb und unterhalb des
zu behandelnden Teils, anzuordnen, wobei dann die Hohlleiter
zweckmäßig etwa in Richtung der größten Längserstreckung des
Tanks verlaufen sollten.
Fig. 5 zeigt einige Einzelheiten einer möglichen Ausgestaltung
der Absaugleitung für den Tank und die in den Tank einzufüh
rende Sonde mit weiteren Teilen und Einrichtungen. Im folgen
den werden dazu die Bezugszeichen des Ausführungsbeispiels ge
mäß Fig. 3 verwendet, wenngleich die in Fig. 5 dargestellte
Anordnung auch mit geringfügigen Änderungen bei den anderen
Ausführungsbeispielen verwendet werden kann. Die Zuleitung 232
wird durch die Wandung des Saugrohres 222 in dieses einge
führt. Sie erstreckt sich nach einer rechtwinkeligen Biegung
im wesentlichen koaxial durch das Saugrohr 222 hindurch in
Richtung auf den Tank, in den hinein es sich als Sonde 220
fortsetzt. Die Sonde ist mit Bohrungen 270 für den Austritt
der gas- bzw. dampfförmigen Ausgangssubstanz(en) versehen.
Ferner ist eine Lichtleitfaser 272 vorgesehen, die im wesent
lichen parallel zur Leitung 232 verläuft und etwa am Übergang
von dieser zur Sonde 230 endet, so daß in der Betriebslage der
Teile eine Beobachtung des Plasmas im Tank möglich ist. An
diesem Ende ist die Lichtleitfaser 272 durch ein Fenster 274
verschlossen, durch welches die Beobachtung des im Tank 212
gezündeten Plasmas erfolgt. Dem Fenster 274 ist eine Wider
standsheizung 276 zugeordnet, durch die das Fenster 274 auf
eine Temperatur erwärmt wird, die das Absetzen einer Deck
schicht auf diesem Fenster vermeidet, so daß es durchsichtig
bleibt. Die elektrischen Zuleitungen für die Heizung 276 sind
mit 278 bezeichnet.
Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 5 ist die Sonde 230 zu
sätzlich mit Hochfeld-Permanent-Magneten 290 versehen, die
dazu dienen, das Plasma zu verdichten. Die Anordnung derarti
ger Magnete kann insbesondere bei kompliziert geformten Hohl
körpern zweckmäßig sein, um in jenen Bereichen, in denen das
Plasma weniger intensiv ausgebildet ist, durch Anordnung von
Magneten die erwähnte Verdichtung oder auch Positionierung zu
erreichen. Außerdem erleichtert das Vorhandensein derartiger
Magnete das Zünden des Plasmas bei kleinerer eingekoppelter
Leistung. Bei den Magneten kann es sich Samarium-Kobalt-Ma
gnete handeln. Die Feldstärke sollte nicht unter 875 G liegen.
Im Falle der Ausführungsform gemäß den Fig. 1 und 2 würde
das Saugrohr am Schnellverschluß 26 bzw. 126 enden können,
während die Zuleitung 232 für die Ausgangssubstanz durch eine
Durchbrechung in der Kappe oder dergleichen des Schnellver
schlusses hindurchgeführt wird. Letzteres gilt auch für die
Lichtleitfaser und die elektrischen Zuleitungen für die dem
Fenster zugeordnete Widerstandsheizung.
Abweichend von sämtlichen in der Zeichnung dargestellten Aus
führungsbeispielen besteht auch die Möglichkeit, mehr als eine
Sonde innerhalb desselben Hohlkörpers vorzusehen. Dabei sollte
die Anordnung nach Möglichkeit so getroffen sein, daß die Son
den unterschiedlichen Bereichen des Inneren des Hohlkörpers
zugeordnet sind. Die Sonden können durch unterschiedliche Öff
nungen in der Wandung des Hohlkörpers in diesen eingeführt
sein. Dies bereitet im allgemeinen keine Schwierigkeiten, da,
wie bereits an anderer Stelle erwähnt, insbesondere Kfz.-Tanks
ohnehin mit zwei oder sogar mehr Öffnungen zu versehen sind.
Die Verwendung von zwei oder mehr Sonden in einem Hohlkörper
wird insbesondere dann vorteilhaft sein, wenn dieser Hohlkör
per sehr unregelmäßig ausgebildet ist, beispielsweise in Form
eines sogenannten Satteltanks, bei welchem zwei größere Teil
bereiche des Innenraums des Hohlkörpers durch einen Zwischen
bereich mit geringen Querschnittsabmessungen miteinander ver
bunden sind. Insbesondere in solchen Fällen kann es zweckmä
ßig sein, in jedem Teilbereich eine Sonde vorzusehen. Wie da
bei im einzelnen verfahren wird, hängt von den Umständen des
Einzelfalles ab. So können bei Verwendung von zwei oder mehr
Sonden auch ggf. vorzusehende Permanent-Magnete besser über
den Innenraum des Hohlkörpers verteilt werden. Im allgemeinen
wird eine Zuführung der Ausgangssubstanz(en) durch mehrere
Sonden ebenfalls zur Gleichmäßigkeit des Plasmas und damit zur
Uniformität der herzustellenden Deckschicht beitragen. Selbst
verständlich ist bei Verwendung von mehr als einer Sonde dafür
zu sorgen, daß alle Öffnungen verschlossen sind, um die für
die Bildung des Plasmas erforderlichen Bedingungen innerhalb
des Hohlkörpers schaffen zu können.
Claims (51)
1. Verfahren zum Herstellen wenigstens einer polymeren Deck
schicht auf wenigstens einem Teilbereich der inneren Oberflä
che eines wenigstens teilweise aus Kunststoff bestehenden
Hohlkörpers unter Anwendung der Niederdruck-Plasmapolymerisa
tion, dadurch gekennzeichnet, daß die das von Mikrowellen er
zeugte Plasma bildende Gasatmosphäre wenigstens eine unter den
jeweiligen Plasmabedingungen polymerisierbare, im wesentlichen
unpolare gas- und/oder dampfförmige Ausgangssubstanz enthält.
2. Verfahren insbesondere nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die das Plasma bildende Gasatmosphäre eine mit
ausreichender Geschwindigkeit überwiegend kettenbildende Kom
ponente und eine überwiegend Verzweigungs- bzw. Vernetzungs
stellen ausbildende Komponente enthält.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die
das Plasma bildende Gasatmosphäre eine der Bildung von Staub
entgegenwirkende Komponente enthält.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß als
der Bildung von Staub entgegenwirkende Komponente inerte Gase
oder Dämpfe dem Plasma zugesetzt werden.
5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß als
der Bildung von Staub entgegenwirkende Komponente solche Sub
stanzen hinzugefügt werden, die im Plasma reaktive Teilchen,
z. B. Monoradikale bilden, die die Bildung großer Aggregate in
der Gasphase hemmen.
6. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet,
daß wenigstens zwei der Komponenten aus voneinander verschie
denen Gasen und/oder Dämpfen bestehen.
7. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet,
daß wenigstens zwei der Komponenten als Strukturelemente des
selben Moleküls in das Plasma eingeführt werden.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß der mit wenigstens einer Deckschicht zu
versehende Bereich des Substrates einer Vorbehandlung und/oder
Nachbehandlung mit einem nicht beschichtenden Plasma unterzo
gen wird.
9. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das
Aufbringen der wenigstens einen Deckschicht auf die innere
Oberfläche des Behälters innerhalb einer Vakuumkammer erfolgt.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der
Druck innerhalb des Hohlkörpers 1-150 Pa beträgt.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß
der Druck innerhalb des Hohlkörpers 3-20 Pa beträgt.
12. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der
Druck außerhalb des Hohlkörpers innerhalb der Vakuumkammer so
gewählt ist, daß dort das Entstehen eines Plasmas ausgeschlos
sen ist.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß
der Druck außerhalb des Hohlkörpers in der Vakuumkammer höher
als der Druck innerhalb des Hohlkörpers und so gewählt ist,
daß eine unzulässige Verformung des Hohlkörpers unter der Ein
wirkung des Druckunterschiedes vermieden wird.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß
der Druck in der Vakuumkammer außerhalb des darin befindli
chen Hohlkörpers größer als 5000 Pa ist.
15. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Mikrowellen zur Erzeugung des Plasmas innerhalb des Hohlkör
pers durch wenigstens ein Fenster in der Wandung der Vakuum
kammer in diese eingekoppelt werden.
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß
die Mikrowellen in der Kammer zur Vergleichmäßigung gestreut
werden.
17. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Mikrowellen zur Erzeugung des Plasmas innerhalb des Hohlkör
pers durch eine Mikrowellen-Stabantenne in die Vakuumkammer
eingekoppelt werden.
18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß
die Mikrowellen zur Erzeugung des Plasmas innerhalb des Hohl
körpers direkt in das Innere des in der Vakuumkammer befindli
chen Hohlkörpers eingekoppelt werden.
19. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Mikrowellen zur Erzeugung des Plasmas innerhalb des Hohlkör
pers über eine Schlitzantenne in die Vakuumkammer eingekoppelt
werden.
20. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß die Mikrowellen-Leistungsdichte 0,25-50
W/dm³, vorzugsweise 0,5-20 W/dm³ Volumen innerhalb des Hohl
körpers beträgt.
21. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß durch innerhalb des Hohlkörpers angeord
nete Magnete das im Hohlkörper durch Mikrowellen erzeugte
Plasma beeinflußt wird.
22. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß die Durchflußrate aller wirksamen Kompo
nenten der das Plasma bildenden Gasatmosphäre 5 cm³/min-1000
cm³/min, vorzugsweise 10 cm³/min-150 cm³/min beträgt.
23. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die
überwiegend kettenbildende Komponente aus wenigstens einer
unter Plasmabedingungen leicht polymerisierenden Verbindung,
z. B. einem Monoolefin, Cycloalkan, Nitril, Aromat oder Hete
roaromat, vorzugsweise Ethylen, Propen, Buten, Isobuten, Cy
clopropan, Pyrrol, Thiophen besteht.
24. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die
überwiegend vernetzende Komponente aus einer Verbindung mit
wenigstens einer C=C-Dreifachbindung, vorzugsweise Acetylen
oder mit kumulierten C=C-Doppelbindungen, bevorzugt Allen, be
steht.
25. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als
überwiegend vernetzende Komponente eine hoch ungesättigte
Kohlenstoffverbindung, z. B. ein Diolefin, bevorzugt Butadien,
oder Isopren, ein Alkenin, z. B. Vinylacetylen, ein Al
kenylaromat, insbesondere Styrol, ein Alkinylaromat oder ein
Alkenylnitril, z. B. Acrylnitril, verwendet wird.
26. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als
sowohl kettenbildende als auch vernetzende Komponenten lie
fernde Substanz ein Siloxan, z. B. Hexamethyldisiloxan, ein Si
lazan, z. B. Hexamethyldisilazan, oder ein organisch substitu
iertes Silan, vorzugsweise ein Alkenyl- oder Alkoxylsilan,
z. B. Vinyltrimethylsilan, oder Triethoxyvinylsilan verwendet
werden.
27. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß als
staubverhindernde Komponente ein Edelgas, vorzugsweise, Argon,
verwendet wird.
28. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß als
staubverhindernde Komponente eine Verbindung, die im Plasma
Monoradikale bildet, z. B. H₂, N₂, NH₃ oder ein niederes Al
kan, vorzugsweise CH₄, verwendet wird.
29. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
mehrere Hohlkörper gleichzeitig innerhalb einer Vakuumkammer
behandelt werden.
30. Einrichtung zum Herstellen wenigstens einer polymeren
Deckschicht auf wenigstens einem Teilbereich der inneren Ober
fläche eines zumindest teilweise aus Kunststoff bestehenden
Hohlkörpers (12; 212) unter Anwendung der Nieder
druckplasmapolymerisation mit einer den Hohlkörper aufnehmen
den Vakuumkammer (10; 210), Mitteln (30; 230) zum Einführen
wenigstens der Ausgangssubstanz(en) für die Bildung der poly
meren Deckschicht und Mitteln zum Einkoppeln von Mikrowellen
in die Vakuumkammer (10; 210) zum Erzeugung des Plasmas, da
durch gekennzeichnet, daß die Wandung der Vakuumkammer (10;
210) mit wenigstens einem Fenster (44; 244) zum Einkoppeln der
Mikrowellen in die Vakuumkammer versehen ist.
31. Einrichtung zum Herstellen wenigstens einer polymeren
Deckschicht auf wenigstens einem Teilbereich der inneren Ober
fläche eines zumindest teilweise aus Kunststoff bestehenden
Hohlkörpers (112) unter Anwendung der Niederdruckplasmapolyme
risation mit einer den Hohlkörper aufnehmenden Vakuumkammer
(110), Mitteln (130) zum Einführen wenigstens der Ausgangssub
stanz(en) und Mitteln zum Einkoppeln von Mikrowellen in die
Vakuumkammer zum Erzeugen des Plasmas, dadurch gekennzeichnet,
daß die Einrichtung zum Einkoppeln der Mikrowellen mit wenig
stens einer Mikrowellen-Stabantenne (151) versehen ist.
32. Einrichtung zum Herstellen wenigstens einer polymeren
Deckschicht auf wenigstens einem Teilbereich der inneren Ober
fläche eines zumindest teilweise aus Kunststoff bestehenden
Hohlkörpers (12; 112; 212; 312) unter Anwendung der Nieder
druckplasmapolymerisation mit einer den Hohlkörper aufnehmen
den Vakuumkammer, Mitteln zum Einführen wenigstens der Aus
gangssubstanz(en) und Mitteln zum Einkoppeln von Mikrowellen
in die Vakuumkammer zum Erzeugen des Plasmas, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Einrichtung zum Einkoppeln der Mikrowellen
mit wenigstens einer Schlitzantenne versehen ist.
33. Einrichtung nach Anspruch 30, dadurch gekennzeichnet, daß
die Vakuumkammer (10) mit wenigstens einer Einrichtung (45)
zum Streuen der Mikrowellen versehen ist.
34. Einrichtung nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, daß
die Stabantenne (151) innerhalb des Hohlkörpers (112) angeord
net ist.
35. Einrichtung nach Anspruch 32, dadurch gekennzeichnet, daß
die innerhalb der Vakuumkammer (310) angeordnete wenigstens
eine Schlitzantenne (382) zur Streuung der Mikrowellen beweg
bar, z. B. schwenkbar angeordnet ist.
36. Einrichtung nach einem der Ansprüche 30-32, dadurch ge
kennzeichnet, daß zumindest die innere Begrenzung der Vakuum
kammer (210) der äußeren Gestalt des Hohlkörpers (212) ange
paßt ist.
37. Einrichtung nach einem der Ansprüche 30-32, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Vakuumkammer (210) in zwei voneinander
trennbare Teile (210a, 210b) unterteilt ist.
38. Einrichtung nach einem der Ansprüche 30-32, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Mittel zum Einführen wenigstens der Aus
gangssubstanz(en) eine Sonde (30; 130; 230) aufweisen.
39. Einrichtung nach Anspruch 38, dadurch gekennzeichnet, daß
innerhalb des Hohlkörpers Magnete (290) zur Beeinflussung des
im Hohlkörper erzeugten Plasmas angeordnet sind.
40. Einrichtung nach den Ansprüchen 38 und 39, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Magnete (290) von der Sonde (230) getragen
sind.
41. Einrichtung nach einem der Ansprüche 30-32, dadurch ge
kennzeichnet, daß die wenigstens eine Öffnung des Hohlkörpers
(12; 112; 312) durch einen Schnellverschluß (26; 126; 326)
verschließbar ist, durch den die Sonde (30; 130) sich in den
Hohlkörper erstreckt.
42. Einrichtung nach Anspruch 34, dadurch gekennzeichnet, daß
die Stabantenne (151) mit der Schnellverschraubung (126) ver
bunden ist.
43. Einrichtung nach einem der Ansprüche 30-32, dadurch ge
kennzeichnet, daß der gegenüber dem Innenraum (16; 116; 216;
316) der Vakuumkammer (10; 110; 210; 310) verschlossene Hohl
körper (12; 112; 212; 312) und der Bereich der Vakuumkammer
außerhalb des Hohlkörpers getrennt voneinander evakuierbar
sind.
44. Einrichtung nach einem der Ansprüche 30-32, dadurch ge
kennzeichnet, daß innerhalb des Hohlkörpers (212) ein Sensor
(272) zur Beobachtung des Betriebszustandes im Bereich des
Plasmas angeordnet ist.
45. Einrichtung nach Anspruch 44, dadurch gekennzeichnet, daß
der Sensor (272) der Sonde (230) zugeordnet ist.
46. Einrichtung nach Anspruch 44, dadurch gekennzeichnet, daß
der optische Sensor als Lichtleitfaser (272) ausgebildet ist,
die an ihrem im Inneren des Hohlkörpers (212) befindlichen
Ende durch ein Fenster (274) verschlossen ist.
47. Einrichtung nach Anspruch 46, dadurch gekennzeichnet, daß
dem Fenster (274) eine Heizeinrichtung (276) zugeordnet ist,
die das Ablagern einer polymeren Deckschicht auf dem Fenster
verhindert.
48. Einrichtung nach einem der Ansprüche 30-32, dadurch ge
kennzeichnet, daß sie zur Beobachtung des Plasmas mit einer
Ionenstromsonde versehen ist.
49. Einrichtung nach einem der Ansprüche 30-32, dadurch ge
kennzeichnet, daß sie zur Beobachtung des Plasmas mit einer
Langmiur-Sonde versehen ist.
50. Einrichtung nach einem der Ansprüche 30-32, dadurch ge
kennzeichnet, daß bei gleichzeitiger Behandlung mehrerer Hohl
körper (312) jedem der Hohlkörper eine innerhalb desselben be
findliche Sonde (330) zugeordnet ist und Gaseinlaßrohre und
Pumprohre der einzelnen Sonden jeweils an eine zentrale Gaszu
führungs-Leitung und eine zentrale Evakuierungsleitung ange
schlossen sind.
51. Einrichtung nach Anspruch 50, dadurch gekennzeichnet, daß
die Hohlkörper (312) auf einem ein die Vakuumkammer (310) ein
führbaren Wagen angeordnet sind, an welchem die Sonden bzw.
das gemeinsame Gaszuführungsrohr und/oder die gemeinsame Eva
kuierungsleitung angebracht sind.
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