DE4317925A1 - Herstellungsverfahren für eine Halbleitereinrichtung - Google Patents

Herstellungsverfahren für eine Halbleitereinrichtung

Info

Publication number
DE4317925A1
DE4317925A1 DE4317925A DE4317925A DE4317925A1 DE 4317925 A1 DE4317925 A1 DE 4317925A1 DE 4317925 A DE4317925 A DE 4317925A DE 4317925 A DE4317925 A DE 4317925A DE 4317925 A1 DE4317925 A1 DE 4317925A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
photoresist
semiconductor substrate
primer film
film
organic substance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE4317925A
Other languages
English (en)
Other versions
DE4317925C2 (de
Inventor
Tetsuro Hanawa
Maria Op De Beeck
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE4317925A1 publication Critical patent/DE4317925A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE4317925C2 publication Critical patent/DE4317925C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H01L21/3081—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their composition, e.g. multilayer masks, materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/942—Masking
    • Y10S438/948—Radiation resist
    • Y10S438/949—Energy beam treating radiation resist on semiconductor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für Halbleitereinrichtungen nach dem Oberbegriff des Anspruches 1, 5 oder 10. Die Erfindung betrifft insbesondere ein Herstellungsverfahren für Halbleitereinrichtungen mit einem verbesserten Prozeß zur Bildung eines Photolackmusters (Resist- Musters) mit guter Genauigkeit der Reproduzierbarkeit. Die vorliegende Erfindung betrifft ferner ein Herstellungsverfahren für Halbleitereinrichtungen mit einem verbesserten Prozeß, um zu verhindern, daß der Photolack aufgeladen wird, wenn die Musterung des Photolacks mit einem Elektronenstrahl ausgeführt wird. Die vorliegende Erfindung betrifft ferner ein Herstellungsverfahren für Halbleitereinrichtungen mit einem verbesserten Prozeß, um zu verhindern, daß der Photolack aufgeladen wird, wenn Ionen unter Verwendung des Photolackmusters als Maske implantiert werden.
Für einen Prozeß zur Herstellung von dynamischen 64M- Direktzugriffsspeichern und anschließend anderen Elementen ist es notwendig, eine Viertel-Mikron-Lithographietechnologie zu entwickeln (1 Mikron=1 µm). Gegenwärtig wird bei der Lithographie mit UV- Strahlung von Excimer-Laser-Licht und ähnlichem ein Photolack mit chemischer Verstärkung vom negativen Typ benutzt, der ein Basisharz mit geringer Absorption hinsichtlich der UV-Strahlung, ein säureerzeugendes Mittel, das durch eine photochemische Reaktion zur Erzeugung einer Säure zersetzt wird, und ein Bindemittel zum Binden des Basisharzes durch eine säurekatalysierte Reaktion aufweist.
Die Fig. 8(a) bis 8(c) zeigen die chemischen Strukturformeln der Komponenten, die in einem Photolack mit chemischer Verstärkung vom negativen Typ enthalten sind. Der Photolack mit chemischer Verstärkung vom negativen Typ weist ein Basisharz aus Poly-P- Hydroxystyren, das in Fig. 8(a) gezeigt ist, ein Melaminbindemittel mit zwei oder mehr Bindepunkten, wie es in Fig. 8(b) dargestellt ist, und ein in Fig. 8(c) gezeigtes säureerzeugendes Mittel auf. In der Figur bedeutet n eine natürliche Zahl, die den Polymerisationsgrad angibt, R eine Alkylgruppe, M ein Metall wie Arsen, Antimon und ähnliches und X ein Halogen. n in Xn bezeichnet eine Koordinatenzahl.
Die Fig. 9(a) bis 9(d) sind Teilquerschnitte einer Halbleitereinrichtung, die Schritte in der Reihenfolge eines Musterbildungsverfahrens durch Excimer-Laser-Lithographie unter Verwendung des Photolacks mit chemischer Verstärkung vom negativen Typ zeigen.
Wie in Fig. 9(a) gezeigt ist, wird für die Excimer-Laser- Lithographie auf einem Halbleitersubstrat 2 Photolack 8 mit chemischer Verstärkung vom negativen Typ mit einer Dicke von 1,0 bis 1,5 µm gebildet. Die Komponenten des Photolacks sind in den Fig. 8(a) bis 8(c) dargestellt. Die Photolackschicht 8 mit chemischer Verstärkung vom ,negativen Typ wird durch Zentrifugalbeschichtung mit einer Photolacklösung und anschließende Wärmehärtung bei 90 bis 130°C gebildet.
Wie in Fig. 9(b) dargestellt ist, wird Excimer-Laser-Licht durch eine Maskenplatte (Reticle) auf die Photolackschicht 8 gestrahlt. Durch die selektive Bestrahlung mit dem Excimer-Laser-Licht 12 wird, wie die Formel in Fig. 10 darstellt, Triphenylsulfoniumtriflat als säureerzeugendes Mittel zersetzt, und protonische Säure 9, nämlich Trifluormethansulfonsäure wird in einem freiliegenden Bereich 10 der Photolackschicht 8 erzeugt.
Wie in Fig. 9(c) gezeigt ist, wird anschließend eine Wärmenachbehandlung nach der Bestrahlung für ein bis zwei Minuten bei einer Temperatur von 110 bis 140°C ausgeführt. Nun wird unter Bezugnahme auf die Fig. 11(a) bis 11(e) der Abbindezustand durch die Wärmebehandlung im freiliegenden Bereich des Basisharzes beschrieben.
Fig. 11(a) zeigt den Zustand der Bestrahlung der Photolackschicht 8 durch z. B. das Excimer-Laser-Licht. Wie in Fig. 11(b) dargestellt ist, wird das Triphenylsulfoniumtriflat zersetzt, wenn das Excimer- Laser-Licht auf die Photolackschicht 8 strahlt, und die protonische Säure (H⁺) wird erzeugt. Wenn der Photolack erhitzt wird, bindet eines der Basisharze unter Verwendung der protonischen Säure (H⁺) als Katalysator ab, und die protonische Säure (H⁺) wird gleichzeitig als Nebenprodukt erzeugt, wie in Fig. 11(c) gezeigt ist. Wie in Fig. 11(d) dargestellt ist, werden die Basisharze unter Verwendung der protonischen Säure (H⁺) als Katalysator, die als Nebenprodukt entsteht, in einer Kettenreaktion nacheinander verbunden. Wie Fig. 11(e) zeigt, werden die Basisharze durch die oben beschriebene Kettenreaktion in einer Netzstruktur gebunden. Die Abbindereaktion wird durch die in den Fig. 12(a) bis 12(c) gezeigten Reaktionsformeln ausgedrückt. In den Reaktionsformeln bezeichnet Hx die protonische Säure (H⁺). Der abgebundene Bereich ist in einem alkalischen Entwickler unlöslich.
Der in Fig. 9(c) gezeigte abgebundene Bereich 11 der Photolackschicht 8 ist im alkalischen Entwickler unlöslich. Wenn die Photolackschicht 8 mit chemischer Verstärkung vom negativen Typ durch den alkalischen Entwickler mit einer geeigneten Konzentration entwickelt wird, löst sich der nicht-freiliegende Abschnitt (nicht­ abgebundene Abschnitt) durch den Entwickler auf, wie in Fig. 9(d) dargestellt ist, und auf dem Halbleitersubstrat 2 wird ein Photolackmuster 100 gebildet. Dann wird das Halbleitersubstrat (z. B. Silizium) unter Verwendung des Photolackmusters 100 als Maske geätzt. Somit wird z. B. die Gate-Elektrode oder ähnliches geschaffen.
Nach dem oben beschriebenen Verfahren zur Bildung des Photolackmusters wird ein bevorzugterweise kleines Photolackmuster mit rechteckigem Querschnitt mit hoher Empfindlichkeit auf einem flachen Halbleitersubstrat geschaffen.
Weil das als Basisharz dienende Poly-P-Hydroxystyren für das Excimer-Laser-Licht eine hohe Durchlässigkeit aufweist, wird es von den Auswirkungen mehrfacher Reflexionen im Film aufgrund einer Reflexion des Excimer-Laser-Lichts am darunterliegenden Halbleitersubstrat stark beeinflußt.
Wie in Fig. 13 dargestellt ist, werden die Effekte der Mehrfachreflexion im Film durch eine Interferenz des einstrahlenden Lichts 17 mit dem vom darunterliegenden Halbleitersubstrat reflektierten Licht erzeugt. Aufgrund der Mehrfachreflexionen im Film ändert sich die Ausdehnung des Photolackmusters mit einer Änderung der Filmdicke des Photolacks 8 erheblich, wie in den Fig. 13 und 14 dargestellt ist. Für den Fall, daß das Halbleitersubstrat 2 eine Stufe 2a aufweist, tritt daher das Problem auf, daß die Ausdehnung des Photolackmusters aufgrund der Variation der Filmdicke des Photolacks 8 nicht konstant wird, wie in Fig. 13 gezeigt ist.
Um die Effekte der Mehrfachreflexionen im Film zu verhindern, wird in einem Verfahren ein organischer Antireflexionsfilm verwendet. Der organische Antireflexionsfilm kann vor der Beschichtung durch den Photolack durch Aufbringen eines Novolak-Naphtoquinon-Diazid-Lacks auf das Halbleitersubstrat und Härten desselben erhalten werden. Dieses Verfahren führt jedoch zum unten beschriebenen Problem.
Wie in Fig. 15(a) gezeigt ist, wird aufgrund der fehlenden Anziehung zwischen dem Halbleitersubstrat und dem Novolak-Naphtoquinon-Diazid- Lack 30 ein Eckabschnitt 21 der Stufe 2a freigelegt, wenn der Novolak-Naphtoquinon-Diazid-Lack 30 dünn auf das Halbleitersubstrat 2 mit der Stufe 2a aufgetragen wird. Wenn der Novolak-Naphtoquinon- Diazid-Lack 30 so aufgebracht wird, daß er den Eckabschnitt 21 bedeckt, so wird die Filmdicke des Lacks 30 im Bodenbereich der Stufe 2a relativ dick, wie in den Fig. 15(b) und 15(c) dargestellt ist. Wenn die Höhe der Stufe z. B. 0,7 µm beträgt, erreicht die Filmdicke des Lacks 30 im Bodenbereich der Stufe 2a 1,5 µm.
Der Antireflexionsfilm wird durch Härten des dick aufgetragenen Novolak-Naphtoquinon-Diazid-Lacks 30 fertiggestellt. Wie in Fig. 15(d) gezeigt ist, wird dann ein Photolack 101 zur Lithographie auf den Antireflexionsfilm (30) aufgetragen, der gemustert werden soll. Unter Verwendung des gemusterten Lithographie-Photolacks 101 als Maske werden das Halbleitersubstrat 2 und der Antireflexionsfilm (30) gleichzeitig geätzt. Zu diesem Zeitpunkt gibt es einen kleinen Unterschied in den Ätzgeschwindigkeiten zwischen dem Antireflexionsfilm (30) und dem Lithographie-Photolack 101. Wie in Fig. 15(e) dargestellt ist, tritt damit das Problem auf, daß das Ätzen des Halbleitersubstrats 2 nicht mit einer gut steuerbaren Ausdehnungsgenauigkeit ausgeführt wird.
Bei einem Lithographieverfahren unter Verwendung des Photolacks mit chemischer Verstärkung vom negativen Typ tritt das oben beschriebene Problem auch dann auf, wenn die Musterung mit einem Elektronenstrahl ausgeführt wird.
Wie in Fig. 16(a) gezeigt ist, wird der Photolack mit chemischer Verstärkung vom negativen Typ auf das Halbleitersubstrat 2 aufgebracht. Dann wird der Elektronenstrahl selektiv auf den Photolack 8 mit chemischer Verstärkung vom negativen Typ gestrahlt.
Wie in Fig. 16(b) dargestellt ist, werden auf der Oberfläche des Photolacks Ladungen erzeugt, wenn der Elektronenstrahl selektiv auf den Photolack 8 mit chemischer Verstärkung vom negativen Typ gestrahlt wird, weil der Photolack 8 ein Isolator ist.
Damit erhält man das spitz zulaufende Lackmuster 101, wenn der Photolack 8 entwickelt wird, wie in Fig. 16(c) gezeigt ist. Das führt zu dem Problem, daß das Photolackmuster nicht mit einer gut steuerbaren Ausdehnungsgenauigkeit gebildet werden kann.
Wenn der Photolack mit chemischer Verstärkung vom negativen Typ benutzt wird, ergibt sich ferner das unten beschriebene Problem, wenn unter Verwendung des Photolacks als Maske Ionen implantiert werden.
Fig. 17 ist ein Diagramm, das die Implantation von Ionen 52 zur Bildung einer Source/Drain in der Hauptoberfläche eines Halbleitersubstrats 50 unter Verwendung eines Musters des Photolacks 30 als Maske darstellt. Wenn die Ionen implantiert werden, werden leicht Ladungen auf der Hauptoberfläche des Photolacks 30 erzeugt, weil der Photolack 30 ein Isolator ist. Wie in der Fig. dargestellt ist, tritt das Problem auf, daß im Photolack 30 ein Riß erzeugt wird (eine Erscheinung ähnlich wie ein Blitzschlag).
Aufgabe der Erfindung ist es, ein so verbessertes Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen zu schaffen, daß ein Photolackmuster selbst auf einem Substrat mit einer Stufe gebildet und das Ätzen des darunterliegenden Substrats mit gut steuerbarer Ausdehnungsgenauigkeit ausgeführt werden kann. Ferner soll ein Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen geschaffen werden, das so verbessert ist, daß keine Aufladung der Photolackoberfläche verursacht wird, wenn die Musterung mit Elektronenstrahlen ausgeführt wird. Außerdem soll ein Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen gebildet werden, das so verbessert ist, daß keine Aufladung der Photolackoberfläche verursacht wird, wenn Ionen in die Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats unter Verwendung des Photolackmusters als Maske implantiert werden.
Die Aufgabe wird gelöst durch das in Anspruch 1, 5 oder 10 gekennzeichnete Verfahren. Beim erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren für Halbleitereinrichtungen wird zuerst ein Grundierungsfilm aus organischen Substanzen mit Sublimationseigenschaft, Photoabsorption und Unlöslichkeit in einem organischen Lösungsmittel auf einem Halbleitersubstrat gebildet. Auf die Grundierungsschicht wird Photolack aufgebracht. Licht wird selektiv auf den Photolack gestrahlt. Durch Entwickeln des Photolacks wird ein Photolackmuster geschaffen. Das Halbleitersubstrat wird unter Verwendung des Photolackmusters als Maske geätzt.
Die organischen Substanzen sind bevorzugterweise konjugierte makrozyklische organische Substanzen aus der Gruppe der nicht­ metallischen Phthalocyanin-Derivate, Porphyrin-Derivate und Dihydro- Dibenzo-Tetraaza-Cyclotetradecyn-Derivate.
Beim erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren für Halbleitereinrichtungen nach einem weiteren Aspekt der Erfindung wird die Grundierungsschicht aus organischen Substanzen mit Sublimationseigenschaften und Unlöslichkeit in organischen Lösungsmitteln auf dem Halbleitersubstrat gebildet. Ein oxidierendes Gas wird in die Grundierungsschicht eingebracht, um eine Leitfähigkeit auszulösen. Der Photolack wird auf die Grundierungsschicht aufgebracht. Die Musterung des Photolacks wird mit einem Elektronenstrahl ausgeführt. Der Photolack wird entwickelt, um ein Photolackmuster zu bilden. Das Halbleitersubstrat wird unter Verwendung des Photolackmusters als Maske geätzt.
Bei der vorliegenden Erfindung sind die organischen Substanzen bevorzugterweise konjugierte makrozyklische organische Substanzen aus der Gruppe der nicht-metallischen Phthalocyanin-Derivate, Porphyrin-Derivate und Dihydro-Dibenzo-Tetraaza-Cyclotetradecyn- Derivate.
Das oxidierende Gas ist bevorzugterweise ein Gas aus der Gruppe NOx, Wasserstoffhalogenide, Halogengase und SOx.
Beim erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren für Halbleitereinrichtungen nach einem weiteren Aspekt der Erfindung wird zuerst die Grundierungsschicht aus organischen Substanzen mit Sublimationseigenschaften und Unlöslichkeit in organischen Lösungsmitteln auf dem Halbleitersubstrat gebildet. Das oxidierende Gas wird in die Grundierungsschicht eingebracht, um eine Leitfähigkeit auszulösen. Der Photolack wird auf die Grundierungsschicht aufgebracht. Der Photolack wird gemustert. Ionen werden unter Verwendung des Photolackmusters als Maske in das Halbleitersubstrat implantiert.
Bei der vorliegenden Erfindung weisen die organischen Substanzen bevorzugterweise konjugierte makrozyklische organische Substanzen aus der Gruppe der nicht-metallischen Phthalocyanin-Derivate, Porphyrin-Derivate und Dihydro-Dibenzo-Tetraaza-Cyclotetradecyn- Derivate auf. Das oxidierende Gas ist bevorzugterweise ein Gas aus der Gruppe NOx, Wasserstoffhalogenide, Halogengase und SOx.
Beim erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren für Halbleitereinrichtungen nach einem weiteren Aspekt der Erfindung wird die Grundierungsschicht aus organischen Substanzen mit einem Photoabsorptionsvermögen auf dem Halbleitersubstrat gebildet. Daher ist es möglich, das vom Halbleitersubstrat reflektierte Licht zu reflektieren, wodurch wiederum die Schwankung der Ausdehnung des Photolackmusters aufgrund der Mehrfachreflexionseffekte im Film unterdrückt werden kann.
Weil die Grundierungsschicht aus organischen Substanzen mit Sublimationseigenschaften gebildet ist, wird ein Verfahren zum Sublimieren der organischen Substanzen angewandt, so daß die Dicke des Grundierungsfilms einheitlich wird.
Weil die Grundierungsschicht nicht im organischen Lösungsmittel gelöst wird, mischt sie sich nicht mit dem Photolack, der als nächstes aufgebracht wird.
Beim erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren für Halbleitereinrichtungen nach einem weiteren Aspekt der Erfindung wird die mit einer Leitfähigkeit ausgestattete Grundierungsschicht auf dem Halbleitersubstrat geschaffen. Daher wird der Photolack nicht aufgeladen, wenn eine Musterung mit Elektronenstrahlen ausgeführt wird.
Beim erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren für Halbleitereinrichtungen nach einem weiteren Aspekt der Erfindung wird die mit einer Leitfähigkeit ausgestattete Grundierungsschicht auf dem Halbleitersubstrat geschaffen. Daher wird der Photolack nicht aufgeladen, selbst wenn Ionen unter Verwendung des Photolackmusters als Maske in die Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats implantiert werden.
Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:
Fig. 1(a) bis 1(f) Teilquerschnitte einer Halbleitereinrichtung, die die Schritte in der Reihenfolge eines Verfahrens zur Herstellung derselben nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen;
Fig. 2(a) bis 2(c) Darstellungen spezieller Beispiele konjugierter makrozyklischer organischer Verbindungen, die bei der vorliegenden Erfindung benutzt werden;
Fig. 3 das schematische Diagramm eines Verfahrens zur Bildung eines Grundierungsfilms aus konjugierten makrozyklischen organischen Substanzen auf einem Halbleitersubstrat durch ein Sublimationsverfahren.
Fig. 4 eine Darstellung zur Erläuterung von Auswirkungen der vorliegenden Erfindung;
Fig. 5(a) bis 5(d) Teilquerschnitte einer Halbleitereinrichtung, die die Schritte in der Reihenfolge eines Verfahrens zur Herstellung derselben nach einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen;
Fig. 6(a) eine Reaktionsformel für den Fall, daß NOx, das als oxidierendes Gas dient, in nicht-metallisches Phthalocyanin eingebracht wird;
Fig. 6(b) Auswirkungen der NOx-Konzentration auf die Leitfähigkeit des nicht-metallischen Phthalocyanins;
Fig. 7 ein Teilquerschnitt einer Halbleitereinrichtung, der ein Verfahren zur Herstellung derselben nach einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt;
Fig. 8(a) bis 8(c) chemische Strukturformeln, die die Hauptkomponenten eines benutzten Photolacks mit chemischer Verstärkung vom negativen Typ zeigen;
Fig. 9(a) bis 9(d) Teilquerschnitte einer Halbleitereinrichtung, die die Schritte in der Reihenfolge eines Verfahrens zur Herstellung derselben unter Verwendung des Photolacks mit chemischer Verstärkung vom negativen Typ darstellen;
Fig. 10 eine Reaktionsformel, die den Zustand der Photozersetzung eines säureerzeugenden Mittels darstellt, das im Photolack mit chemischer Verstärkung vom negativen Typ enthalten ist;
Fig. 11(a) bis 11(e) den Abbindezustand eines freiliegenden Abschnitts des Photolacks mit chemischer Verstärkung vom negativen Typ;
Fig. 12(a) bis 12(c) eine Reaktionsformel, die den Abbindezustand im freiliegenden Abschnitt des Photolacks mit chemischer Verstärkung vom negativen Typ darstellt;
Fig. 13 ein Diagramm zur Erläuterung der Auswirkungen von Mehrfachreflexionen im Film;
Fig. 14 eine Darstellung der Beziehung zwischen der Ausdehnung des Photolackmusters und der Filmdicke des Photolacks, wenn Effekte der Mehrfachreflexionen im Film existieren;
Fig. 15(a) bis 15(d) Teilquerschnitte einer Halbleitereinrichtung, die die Schritte in der Reihenfolge eines Verfahrens zur Herstellung der Halbleitereinrichtung mit einem Schritt der Bildung eines Antireflexionsfilms darstellen;
Fig. 16(a) bis 16(c) Teilquerschnitte einer Halbleitereinrichtung, die die Schritte in der Reihenfolge eines Verfahrens zur Herstellung der Halbleitereinrichtung unter Verwendung eines Elektronenstrahl-Lithographieverfahrens darstellen; und
Fig. 17 ein Verfahren zur Implantierung von Störstellenionen in die Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats unter Verwendung des Photolackmusters.
Die Fig. 1(a) bis 1(f) sind Teilquerschnitte einer Halbleitereinrichtung, die die Schritte in der Reihenfolge ihrer Herstellung nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen.
Wie in Fig. 1(a) dargestellt ist, wird ein Grundierungsfilm 7 aus organischen Substanzen mit Sublimationseigenschaft, Photoabsorption und Unlöslichkeit im organischen Lösungsmittel auf dem Halbleitersubstart 2 (z. B. Polysilizium) gebildet.
Die Fig. 2(a) bis 2(c) zeigen konjugierte, makrozyklische organische Verbindungen, die Beispiele der organischen Substanzen darstellen, die den Grundierungsfilm bilden.
Fig. 2(a) zeigt ein nicht-metallisches Phthalocyanin mit starker Absorption der UV-Strahlen, wie z. B. Excimer-Laser- und ähnliches Licht, und Unlöslichkeit in allen organischen Lösungsmitteln.
Fig. 2(b) zeigt Meso-Tetra- (P-R-Phenyl-) Porphyrin und Derivate mit starker Absorption der UV-Strahlen, wie z. B. Excimer-Laser- und ähnliches Licht, und Unlöslichkeit in allen organischen Lösungsmitteln. In der Figur bezeichnet R ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe.
Fig. 2(c) zeigt Dihydro-Dibenzo-[b, j] [1, 4, 8, 11] Tetraaza- Cyclotetradecyn und seine Derivate mit starker Absorption der UV- Strahlen, wie z. B. Excimer-Laser- und ähnliches Licht, und Unlöslichkeit in allen organischen Lösungsmitteln. In der Figur bezeichnen R11 R2 ein Wasserstoffatom oder eine Alkylgruppe.
Fig. 3 zeigt ein Konzeptdiagramm eines Verdampfungsverfahrens zur Abscheidung eines Grundierungsfilms auf einem Halbleitersubstrat mittels eines Sublimationsverfahrens unter vermindertem Druck. Es werden die in den Fig. 2(a) bis 2(c) gezeigten konjugierten, makrozyklischen organischen Substanzen verwendet. Eine Vorrichtung zum Bilden des Grundierungsfilms weist eine Glocke 25 auf. Die Glocke 25 ist auf der (nicht dargestellten) Grundplatte durch einen Vakuum-O-Ring 26 befestigt. Eine Quartzplatte 23, die eine konjugierte, makrozyklische organische Verbindung 21 trägt, ist in der Glocke 25 untergebracht. Eine Heizvorrichtung 24 ist unter der Quartzplatte 23 gebildet. Ein Halbleitersubstrat 22 ist oben in der Glocke 25 angeordnet. Die Glocke 25 weist eine Abpumpöffnung 25a auf. Die konjugierte, makrozyklische organische Verbindung 21 wird durch Heizen sublimiert, um sich auf dem Halbleitersubstrat 22 als Grundierungsfilm abzuscheiden. Man kann einen dünnen Film gleichmäßiger Dicke erhalten, wenn der Film durch das Sublimationsverfahren gebildet wird.
Die Sublimation wird unter vermindertem Druck bei einer Temperatur von 100 bis 300°C ausgeführt. Die Dicke des Grundierungsfilms beträgt bevorzugterweise 500 bis 2000 .
Wie in Fig. 1(b) gezeigt ist, wird die Photolackschicht 8 mit chemischer Verstärkung vom negativen Typ mit einer Dicke von 1,0 bis 1,5 µm auf dem Halbleitersubstrat 2 gebildet, auf dem der Grundierungsfilm 7 geschaffen ist. Die Photolackschicht 8 wird auf dem Halbleitersubstrat durch Zentrifugalbeschichtung mit einer Photolacklösung und Trocknen des Photolacks bei etwa 90 bis 130°C gebildet. Weil der Grundierungsfilm der konjugierten, makrozyklischen organischen Verbindung in allen organischen Lösungsmitteln unlöslich ist, tritt keine Vermischung von Photolackschicht 8 und Grundierungsfilm 7 auf.
Wie in Fig. 1(c) dargestellt ist, werden UV-Strahlen, wie z. B. Excimer-Laser-Licht 12 oder ähnliches Licht, durch die Maskenplatte 13 selektiv auf die Photolackschicht 8 mit chemischer Verstärkung vom negativen Typ gestrahlt. Aufgrund der selektiven Bestrahlung mit dem Excimer-Laser-Licht 12 wird im frei liegenden Bereich 10 der Photolackschicht 8 die protonische Säure 9 erzeugt. Die protonische Säure 9 fördert die Bindungsreaktion des Harzes, wie in Fig. 11 dargestellt ist. Weil die Grundierungsschicht 7 die UV-Strahlen 12 des Excimer-Laser- oder eines ähnlichen Lichts absorbiert, werden die Effekte von Mehrfachreflexionen im Photolackfilm im freiliegenden Bereich 10 erheblich vermindert.
Wie in Fig. 1 (d) dargestellt ist, wird der Photolack nach der Belichtung für ein bis zwei Minuten bei einer Temperatur von 110 bis 130°C "gebacken". Wie in Fig. 11 gezeigt ist, fördert die Erhitzung die Bindungsreaktion des Basisharzes im freiliegenden Bereich 10 des Photolacks 8. Die Löslichkeit des abgebundenen Abschnitts 11 im Alkalientwickler wird vermindert.
Wie in Fig. 1(e) dargestellt ist, löst sich bei der Entwicklung durch den Alkalientwickler mit einer geeigneten Konzentration der nicht-freiliegende Bereich des Photolacks 8 im Alkalientwickler, wodurch ein negatives Muster 100 gebildet wird.
Wie in Fig. 1(f) gezeigt ist, werden das Halbleitersubstrat 2 und der Grundierungsfilm 7 unter Verwendung des Photolackmusters 100 als Maske gleichzeitig geätzt. Der Grundierungsfilm 7 wird aufgrund seiner geringen Dicke schnell weggeätzt.
Beim Verfahren nach der Ausführungsform werden die Effekte der Mehrfachreflexionen erheblich vermindert, weil der Grundierungsfilm 7 benutzt wird. Das wiederum ermöglicht es, ein Ätzen des Halbleitersubstrats 2 mit gut steuerbarer Ausdehnungsgenauigkeit auszuführen. Somit wird z. B. die Gate-Elektrode zuverlässig gebildet.
Fig. 4 zeigt die Abhängigkeit der Ausdehnung des Photolackmusters von der Photolackdicke. Kurve (1) zeigt die Daten für den Fall, daß der Grundierungsfilm benutzt wird, Kurve (2) die Daten, wenn kein Grundierungsfilm gebildet wird. Wie aus Fig. 4 ersichtlich ist, werden die Effekte der Mehrfachreflexionen im Film beträchtlich vermindert, wenn der Grundierungsfilm aus konjugierten, makrozyklischen organischen Substanzen auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats vor der Beschichtung mit dem Photolack gebildet wird.
Die Fig. 5(a) bis 5(d) sind Querschnitte einer Halbleitereinrichtung, die die Schritte in der Reihenfolge ihrer Herstellung nach einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellen.
Wie in Fig. 5(a) gezeigt ist, wird der Grundierungsfilm 7 aus nicht­ metallischem Phthalocyanin (zur Abkürzung im weiteren als H2PC bezeichnet) auf dem Halbleitersubstrat 2 gebildet. NOx als oxidierendes Gas wird in den Grundierungsfilm 7 eingebracht. Wie die Reaktionsformel in Fig. 6(a) zeigt, werden durch NOx Elektronen teilweise vom nicht-metallischen Phthalocyanin (H2PC) mit konjugierten u-Elektronen abgezogen. Damit weist das nicht­ metallische Phthalocyanin die Eigenschaft eines P-Halbleiters auf, wodurch eine Leitfähigkeit auftritt.
Fig. 6(b) zeigt die Auswirkungen der NOx-Konzentration auf die Leitfähigkeit des nicht-metallischen Phthalocyanin (H2PC). Die Daten sind in J. Chem. Soc. Faraday Trans., 1, 80, 851 (1984) angegeben. Wie aus Fig. 6(b) ersichtlich ist, wird NOx im Bereich von 0,1 ppm bis 100 000 ppm bevorzugterweise benutzt, obwohl NOx mit 10 ppm bis 1000 ppm bevorzugterweise zum Grundierungsfilm hinzugefügt wird.
Obwohl ein Fall beschrieben worden ist, bei dem NOx als oxidierendes Gas verwendet wird, ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt. Bevorzugterweise auch Wasserstoffhalogenide, Halogengase und SOx können benutzt werden.
Wie in Fig. 5(a) dargestellt ist, werden Elektronenstrahlen selektiv auf den Photolack 8 gestrahlt.
Selbst wenn durch die selektive Bestrahlung mit den Elektronenstrahlen elektrische Ladung in der Oberfläche des Photolacks erzeugt wird, treten die elektrischen Ladungen über den Grundierungsfilm 7 mit der erzeugten Leitfähigkeit zur Masse aus, wie in Fig. 5(b) gezeigt ist. Damit wird in der Oberfläche des Photolacks 8 keine Ladung erzeugt.
Wie in Fig. 5(c) dargestellt ist, kann man das Photolackmuster 100 mit bevorzugter Gestalt erhalten, wenn der Photolack 8 entwickelt wird.
Wie in Fig. 5(d) gezeigt ist, werden das Halbleitersubstrat 2 und der Grundierungsfilm unter Verwendung des Photolackmusters 100 als Maske gleichzeitig geätzt. Der Grundierungsfilm 7 kann aufgrund seiner geringen Dicke einfach weggeätzt werden. Bei diesem Verfahren wird die Gestalt des Photolackmusters günstig, weil die Aufladung in der Oberfläche des Photolacks stattfindet. Das wiederum ermöglicht es, ein Ätzen des Halbleitersubstrats 2 mit gut steuerbarer Ausdehnungsgenauigkeit auszuführen.
Fig. 7 zeigt ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung nach einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Auf dem Halbleitersubstrat wird ein Photolackmuster 8 gebildet, wobei der Grundierungsfilm 7 dazwischen liegt, der eine Leitfähigkeit erhalten hat. Der Grundierungsfilm 7 wird durch Einlagern des oxidierenden Gases in die konjugierten, makrozyklischen organischen Substanzen gebildet. Um einen Source/Drain-Bereich 51 zu schaffen, werden N-Fremdionen 52 in die Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats 2 implantiert. Obwohl die N- Fremdionen in die Oberfläche des Photolacks 8 implantiert werden, kann die sich ergebende elektrische Ladung über den leitend gemachten Grundierungsfilm 7 zur Masse abfließen. Damit tritt kein Riß im Photolack 8 durch seine Aufladung auf. Das ermöglicht es, die Ionen 52 genau zu implantieren.
Obwohl bei den oben angeführten Ausführungsformen der Fall beschrieben worden ist, bei dem ein Photolack vom negativen Typ benutzt wird, ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt. Ein Photolack vom positiven Typ kann denselben Effekt wie bei den oben beschriebenen Ausführungsformen zeigen.
Wie oben beschrieben worden ist, wird beim Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen an einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ein Grundierungsfilm aus organischen Substanzen mit hohem Photoabsorptionsvermögen auf dem Halbleitersubstrat gebildet. Damit wird das vom Halbleitersubstrat reflektierte Licht vermindert. Das wiederum kann die Schwankung der Ausdehnung des Photolackmusters, die durch die Mehrfachreflexionen im Film verursacht wird, unterdrücken. Somit kann ein Ätzen des Halbleitersubstrats 2 mit gut steuerbarer Ausdehnungsgenauigkeit ausgeführt werden.
Beim Verfahren zur Herstellung der Halbleitereinrichtungen nach einem weiteren Aspekt der Erfindung wird der mit einer Leitfähigkeit versehene Grundierungsfilm vor der Photolackbeschichtung auf dem Halbleitersubstrat gebildet. Daher wird der Photolack nicht aufgeladen, wenn der Photolack durch einen Elektronenstrahl gemustert wird. Somit kann man Photolack einer gewünschten Gestalt zuverlässig erhalten, und es ist möglich, das Ätzen des Halbleitersubstrats 2 unter Verwendung des Photolacks als Maske mit gut steuerbarer Ausdehnungsgenauigkeit auszuführen.
Beim Verfahren zur Herstellung von Halbleitereinrichtungen nach einem weiteren Aspekt der Erfindung wird der mit einer Leitfähigkeit versehene Grundierungsfilm zwischen dem Photolackmuster und dem Halbleitersubstrat auf dem Halbleitersubstrat gebildet. Daher wird der Photolack selbst dann nicht aufgeladen, wenn Fremdionen unter Verwendung des Photolacks als Maske in die Hauptoberfläche des Halbleitersubstrats implantiert werden. Somit kann die Implantation der Fremdionen exakt ausgeführt werden.

Claims (15)

1. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung, gekennzeichnet durch die Schritte:
Bilden eines Grundierungsfilms (7) aus einer organischen Substanz mit Sublimationseigenschaft, Photoabsorptionsvermögen und Unlöslichkeit in einem organischen Lösungsmittel auf einem Halbleitersubstrat (2),
Aufbringen von Photolack auf den Grundierungsfilm (7),
selektives Strahlen von Licht (12) auf den Photolack (8),
Entwickeln des Photolacks (8) zur Bildung eines Photolackmusters, und
Ätzen des Halbleitersubstrats (2) unter Verwendung des Photolackmusters als Maske.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Ätzens des Halbleitersubstrats (2) zur Bildung einer Gate-Elektrode ausgeführt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des Grundierungsfilms (7) 500 bis 2000 beträgt.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die organische Substanz eine konjugierte makrozyklische organische Substanz aus der Gruppe der nicht-metallischen Phthalocyanin- Derivate, Porphyrin-Derivate und Dihydro-Dibenzo-Tetraaza- Cyclotetradecyn-Derivate aufweist.
5. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung, gekennzeichnet durch die Schritte:
Bilden eines Grundierungsfilms (7) aus einer organischen Substanz mit Sublimationseigenschaft und Unlöslichkeit in einem organischen Lösungsmittel auf einem Halbleitersubstrat (2),
Einlagern eines oxidierendes Gases in den Grundierungsfilm (7), um den Grundierungsfilm (7) leitend zu machen,
Aufbringen von Photolack (8) auf den Grundierungsfilm, Mustern des Photolacks (8) mit einem Elektronenstrahl,
Entwickeln des Photolacks (8) zur Bildung eines Photolackmusters, und
Ätzen des Halbleitersubstrats (2) unter Verwendung des Photolackmusters als Maske.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die organische Substanz eine konjugierte makrozyklische organische Substanz aus der Gruppe der nicht-metallischen Phthalocyanin- Derivate, Porphyrin-Derivate und Dihydro-Dibenzo-Tetraaza­ cyclotetradecyn-Derivate aufweist.
7. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Gas mit einer Konzentration von 0,1 ppm bis 100 000 ppm hinzugefügt wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das oxidierende Gas ein Gas aus der Gruppe NOx, Wasserstoffhalogenide, Halogengase und SOx ist.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des Grundierungsfilms (7) 500 bis 2000 beträgt.
10. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung, gekennzeichnet durch die Schritte:
Bilden eines Grundierungsfilms (7) aus einer organischen Substanz mit Sublimationseigenschaft und Unlöslichkeit in einem organischen Lösungsmittel auf einem Halbleitersubstrat (2),
Einlagern eines oxidierendes Gases in den Grundierungsfilm (7), um den Grundierungsfilm (7) leitend zu machen,
Aufbringen von Photolack (8) auf den Grundierungsfilm,
Mustern des Photolacks (8), und
Implantieren von Fremdionen in das Halbleitersubstrat (2) unter Verwendung des Photolackmusters als Maske.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt der Implantierung der Fremdionen ausgeführt wird, um einen leitenden Bereich im Halbleitersubstrat (2) zu bilden.
12. Verfahren nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß die organische Substanz eine konjugierte makrozyklische organische Substanz aus der Gruppe der nicht-metallischen Phthalocyanin- Derivate, Porphyrin-Derivate und Dihydro-Dibenzo-Tetraaza- Cyclotetradecyn-Derivate aufweist.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß das oxidierende Gas ein Gas aus der Gruppe NOx, Wasserstoffhalogenide, Halogengase und SOx ist.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Gas mit einer Konzentration von 0,1 ppm bis 100 000 ppm hinzugefügt wird.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke des Grundierungsfilms (7) 500 bis 2000 beträgt.
DE4317925A 1992-06-09 1993-05-28 Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung Expired - Fee Related DE4317925C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4149391A JPH05343308A (ja) 1992-06-09 1992-06-09 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE4317925A1 true DE4317925A1 (de) 1993-12-16
DE4317925C2 DE4317925C2 (de) 1996-10-02

Family

ID=15474104

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4317925A Expired - Fee Related DE4317925C2 (de) 1992-06-09 1993-05-28 Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5328560A (de)
JP (1) JPH05343308A (de)
KR (1) KR960016318B1 (de)
DE (1) DE4317925C2 (de)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06204162A (ja) * 1992-12-28 1994-07-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法および該方法に用いられるレジスト組成物
US6048785A (en) * 1997-06-16 2000-04-11 Advanced Micro Devices, Inc. Semiconductor fabrication method of combining a plurality of fields defined by a reticle image using segment stitching
US6027388A (en) * 1997-08-05 2000-02-22 Fed Corporation Lithographic structure and method for making field emitters
US6130173A (en) * 1998-03-19 2000-10-10 Lsi Logic Corporation Reticle based skew lots
JP2002131883A (ja) * 2000-10-27 2002-05-09 Hitachi Ltd フォトマスクの製造方法およびフォトマスク
US6409312B1 (en) 2001-03-27 2002-06-25 Lexmark International, Inc. Ink jet printer nozzle plate and process therefor
AU2003217542A1 (en) * 2002-02-15 2003-09-09 Janusz Murakowski Process for making photonic crystal circuits using an electron beam and ultraviolet lithography combination
JP2006019672A (ja) * 2004-06-02 2006-01-19 Seiko Epson Corp トランジスタの製造方法、電気光学装置の製造方法、および電子デバイスの製造方法
KR100904896B1 (ko) 2008-01-31 2009-06-29 재단법인서울대학교산학협력재단 패턴 형성을 위한 전자빔 레지스트 현상방법
JP5838815B2 (ja) * 2010-01-19 2016-01-06 日本電気株式会社 カーボンナノチューブ分散液および半導体装置の製造方法
US9583358B2 (en) 2014-05-30 2017-02-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Hardmask composition and method of forming pattern by using the hardmask composition
KR102287343B1 (ko) 2014-07-04 2021-08-06 삼성전자주식회사 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성방법
KR102463893B1 (ko) 2015-04-03 2022-11-04 삼성전자주식회사 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성방법
JP7325167B2 (ja) * 2017-03-16 2023-08-14 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
US11034847B2 (en) 2017-07-14 2021-06-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Hardmask composition, method of forming pattern using hardmask composition, and hardmask formed from hardmask composition
KR102433666B1 (ko) 2017-07-27 2022-08-18 삼성전자주식회사 하드마스크 조성물, 이를 이용한 패턴의 형성방법 및 상기 하드마스크 조성물을 이용하여 형성된 하드마스크
KR102486388B1 (ko) 2017-07-28 2023-01-09 삼성전자주식회사 그래핀 양자점의 제조방법, 상기 제조방법에 따라 얻어진 그래핀 양자점을 포함한 하드마스크 조성물, 이를 이용한 패턴의 형성방법 및 상기 하드마스크 조성물을 이용하여 형성된 하드마스크

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4224733A (en) * 1977-10-11 1980-09-30 Fujitsu Limited Ion implantation method
EP0159428A1 (de) * 1982-09-30 1985-10-30 Brewer Science, Inc. Antireflexionsschicht
GB2170649A (en) * 1985-01-18 1986-08-06 Intel Corp Sputtered silicon as an anti-reflective coating for metal layer lithography
US4702993A (en) * 1985-11-25 1987-10-27 Rca Corporation Treatment of planarizing layer in multilayer electron beam resist
EP0350873A2 (de) * 1988-07-11 1990-01-17 Hitachi, Ltd. Verfahren zum Ausbilden eines Musters und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
WO1990003598A1 (en) * 1988-09-28 1990-04-05 Brewer Science, Inc. Multifunctional photolithographic compositions
US4968583A (en) * 1987-10-31 1990-11-06 Fujitsu Limited Pattern forming method employing electron beam lithography
US5019485A (en) * 1988-10-13 1991-05-28 Fujitsu Limited Process of using an electrically conductive layer-providing composition for formation of resist patterns
US5075240A (en) * 1989-04-19 1991-12-24 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device manufactured by using conductive ion implantation mask
EP0470707A2 (de) * 1990-07-20 1992-02-12 AT&T Corp. Verfahren zur Herstellung eines Musters in einer Schicht

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4529685A (en) * 1984-03-02 1985-07-16 Advanced Micro Devices, Inc. Method for making integrated circuit devices using a layer of indium arsenide as an antireflective coating
US4810619A (en) * 1987-08-12 1989-03-07 General Electric Co. Photolithography over reflective substrates comprising a titanium nitride layer
US4826564A (en) * 1987-10-30 1989-05-02 International Business Machines Corporation Method of selective reactive ion etching of substrates
US5202061A (en) * 1989-05-26 1993-04-13 International Business Machines Corporation Electrically conductive polymeric materials and uses thereof
US5100503A (en) * 1990-09-14 1992-03-31 Ncr Corporation Silica-based anti-reflective planarizing layer

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4224733A (en) * 1977-10-11 1980-09-30 Fujitsu Limited Ion implantation method
EP0159428A1 (de) * 1982-09-30 1985-10-30 Brewer Science, Inc. Antireflexionsschicht
GB2170649A (en) * 1985-01-18 1986-08-06 Intel Corp Sputtered silicon as an anti-reflective coating for metal layer lithography
US4702993A (en) * 1985-11-25 1987-10-27 Rca Corporation Treatment of planarizing layer in multilayer electron beam resist
US4968583A (en) * 1987-10-31 1990-11-06 Fujitsu Limited Pattern forming method employing electron beam lithography
EP0350873A2 (de) * 1988-07-11 1990-01-17 Hitachi, Ltd. Verfahren zum Ausbilden eines Musters und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
WO1990003598A1 (en) * 1988-09-28 1990-04-05 Brewer Science, Inc. Multifunctional photolithographic compositions
US5019485A (en) * 1988-10-13 1991-05-28 Fujitsu Limited Process of using an electrically conductive layer-providing composition for formation of resist patterns
US5075240A (en) * 1989-04-19 1991-12-24 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device manufactured by using conductive ion implantation mask
EP0470707A2 (de) * 1990-07-20 1992-02-12 AT&T Corp. Verfahren zur Herstellung eines Musters in einer Schicht

Also Published As

Publication number Publication date
KR960016318B1 (en) 1996-12-09
JPH05343308A (ja) 1993-12-24
DE4317925C2 (de) 1996-10-02
KR940001294A (ko) 1994-01-11
US5328560A (en) 1994-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4317925C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung
EP0492253B1 (de) Photostrukturierungsverfahren
EP0164620B1 (de) Positiv-arbeitende strahlungsempfindliche Beschichtungslösung
EP0650608B1 (de) Positiv-arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes aufzeichnungsmaterial
DE102006049920B4 (de) Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements und Immersionslithographieverfahren
EP0000702B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer fliessbeständigen Resistmaske aus strahlungsempfindlichem Resistmaterial
DE19843179A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtungund dadurch hergestellte Halbleitervorrichtung
DE10014083A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE4414808A1 (de) Antireflexschicht und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes unter Verwendung derselben
DE112015000546T5 (de) Chemische Verstärkungsverfahren und -methoden für entwickelbare untere Antireflexbeläge und gefärbte Implantationsresists
DE10328610A1 (de) Mikromuster erzeugendes Material, Verfahren zum Erzeugen von Mikromustern und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE19825039B4 (de) Verfahren zum Strukturieren eines chemisch verstärkten Photoresists
DE4203557C2 (de) Verfahren zur Bildung eines Photoresistmusters und Verwendung einer organischen Silanverbindung
DE3541451A1 (de) Verfahren zum herstellen eines negativbildes
DE3134158A1 (de) "zusammensetzung und verfahren zur ultrafeinen musterbildung"
DE10120673B4 (de) Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht
DE3337315C2 (de)
EP0176871A2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Photoresists
DE4341302A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung und einer darin verwendeten Resistverbindung
EP0355015B1 (de) Verfahren zur Entwicklung positiv arbeitender Photoresists
DE4125042A1 (de) Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und damit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
EP0226741B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines positiv arbeitenden Photoresists
DE10120674B4 (de) Verfahren zur Strukturierung einer Photolackschicht
DE19536862A1 (de) Negativresist und Verfahren zum Bilden eines Resistmusters
EP0449272B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Mustern

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8125 Change of the main classification

Ipc: H01L 21/312

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee