DE4317899A1 - Verfahren zur Abbildung mittels Elektronenstrahl-Lithographie - Google Patents
Verfahren zur Abbildung mittels Elektronenstrahl-LithographieInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Abbildung mittels
Elektronenstrahl-Lithographie.
Die Elektronenstrahl-Lithographie bietet bei Anfertigung von
kleinen Strukturen viele Vorteile, wie etwa den Verzicht auf
eine aufwendige Maske, wodurch gewünschte Strukturen in
kleinen Stückzahlen kurzfristig hergestellt werden können.
Ein weiterer großer Vorteil ist die hohe Auflösung, die
durch die Verkleinerung der Bauelemente notwendig geworden
ist. Diese jedoch wird durch den Proximity-Effekt, insbeson
dere bei unterschiedlich dichten Strukturen, begrenzt. Der
Proximity-Effekt rührt von Streuprozessen der Elektronen im
Resist (elektronenempfindliche Schicht) her. Er entspricht
einer Faltung des geschriebenen Bildes mit der Proximity-
Funktion. Im Gegensatz zur optischen Lithographie, bei der
die Auflösungsgrenze physikalisch bedingt ist, läßt sich die
Auflösung durch eine Korrektur des Proximity-Effekts verbes
sern.
Die Berechnung der Proximity-Funktion kann durch Monte
Carlo-Simulationen erfolgen. In Fig. 1 sind Monte Carlo-Si
mulationen von Elektronenbahnen veranschaulicht. Es sind je
weils 100 Trajektorien dargestellt, für die Berechnung der
Proximity-Funktion werden etwa 104-5 Elektronenbahnen benö
tigt.
Von der Gestalt her setzt sich die Proximity-Funktion aus
zwei Anteilen, einem schmalen hohen Peak und einem breiten
Untergrund zusammen, der zu dem störenden Proximity-Problem
führt.
Eine oft verwendete Näherung der Proximity-Funktion stellt
eine Summe aus zwei Gauß-Funktionen dar,
die in Fig. 2 dargestellt ist und in die die Breite α der
Vorwärtsstreuung im Resist (direkte Belichtung) und die
Rückwärtsstreuung vom Substrat (β) sowie das Verhältnis von
direkten zu indirekten (rückwärtsgestreuten) Elektronen ein
gehen (η), wobei r die Reichweite ist. Die Proximity-Funk
tion hängt auch von der betrachteten Tiefe im Resist ab. Zur
Klassifizierung von Proximity-Funktionen werden meist nur
die Werte α, β und η herangezogen. Es tragen z. B. die rück
gestreuten Elektronen bei einem Siliciumsubstrat knapp die
Hälfte zur Belichtung bei.
Im Vergleich zu Mustern bzw. Strukturen in Bereichen mit
niedriger Musterdichte erhalten gleiche Muster in Bereichen
mit hoher Musterdichte eine höhere Dosis aufgrund der Dosis
verteilung rückwärtsgestreuter Elektronen mit hoher Reich
weite. Die resultierende Dosis hängt von der belichteten
Fläche in der Umgebung ab.
Die Auswirkung des Proximity-Effektes, der sich in einer Do
sisverteilung auswirkt, auf das Schreiben einer Struktur
bzw. eine Abbildung wird unter Bezug auf Fig. 7 erläutert,
die eine unkorrigierte Abbildung zeigt. Wird die verwendete
Dosis erhöht, so wächst der Spalt weiter zu, d. h. die Abbil
dungseigenschaften werden schlechter. Wird die Dosis hinge
gen herabgesetzt, so verschwinden die Linien. Es läßt sich
keine Dosis finden, die zufriedenstellende Abbildungsergeb
nisse liefert.
Der Proximity-Effekt kann durch verschiedene Maßnahmen redu
ziert werden:
- - Erhöhung der Beschleunigungsspannung. Der direkte Anteil wird schmäler, der indirekte Anteil wird über eine größe re Breite verteilt, d. h. der Effekt wird weniger lokal.
- - Verringerung der Spannung. Der indirekte Anteil wird schmaler, dies jedoch zu dem Preis eines breiteren direk ten Anteils.
- - Die Breite der Vorwärtsstreuung kann klein gehalten wer den, wenn die bildgebende Schicht dünn genug ist. Zusätz lich kann der Anteil der Rückstreuung klein gehalten wer den, wenn eine inaktive Abstandsschicht oder eine dünne Abschirmschicht mit hoher Kernladungszahl zwischen Resist und Substrat eingefügt wird.
Die Beschränkung der Reduktionsverfahren liegt darin, daß
ihre Anwendung die Berücksichtigung weiterer Kriterien er
fordert, die sie leider häufig als unpraktikabel erscheinen
lassen. So stehen oft nur bestimmte Strahlenergien zur Ver
fügung, und auch das Aufbringen von mehreren Schichten birgt
einen großen Aufwand in sich.
Auch wenn sich die Ursache des Proximity-Effekts nur mühsam
beseitigen läßt, kann man dessen Wirkung in hohem Maße kor
rigieren, indem man die Dosis entsprechend, d. h. in Ab
hängigkeit von der umgebenden Mustergeometrie, wählt. Ge
wünscht ist die Dosisverteilung, mit der man das Bild
schreiben muß, um nach der Faltung mit der Proximity-Funk
tion die vorgegebene Dosisverteilung zu erhalten.
Wegen der großen Bildkomplexität sind Verfahren, die Korrek
tur über Dosisvariation betreiben, sehr aufwendig. Eine Mög
lichkeit, den Aufwand zu minimieren, ist, nur die feinen
Strukturen zu korrigieren; grobe, unkritische Strukturen
bleiben unkorrigiert. Eine weitere Verbesserung ergibt sich
durch die Berücksichtigung des oft hierarchischen Aufbaus,
so daß das Korrekturverfahren nicht mehrmals auf gleiche
Strukturen angewendet werden muß. Da die einzelnen Sektoren
weitgehend unabhängig voneinander sind, kann man auch durch
Einsatz von Parallelrechnern die Rechenzeit reduzieren. Eine
Übersicht über Korrekturverfahren dieser Art ist in "Methods
for proximity effect correction in electron lithography",
Owen, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 1990 gegeben.
Ein derzeit übliches Korrekturverfahren ist die sogenannte
selbstkonsistente Methode, die z. B. in "Self-consistent pro
ximity effect correction technigue for resist exposure"
(SPECTRE), Parikh, J. Vac. Sci. Technol. 15, 1978 beschrie
ben ist. Hierbei wird die zu schreibende Struktur in Ele
mente aufgeteilt, im einfachsten Fall in die Strukturele
mente selbst, und die Wechselwirkung der einzelnen Elemente
untereinander wird ausgerechnet. D.h. es wird der Anteil ei
nes Bildelements auf die jeweiligen in Reichweite liegenden
Bildelemente betrachtet. Die erhaltene Dosis ergibt aus ei
nem größenabhängigen Faktor multipliziert mit der eigenen
Dosis, und aus den Dosen der umliegenden Elemente, die je
weils mit Gewichtsfaktoren multipliziert werden. Diese Ge
wichtsfaktoren hängen von Größe und Abstand ab. Hierbei fin
det jeweils eine Mittelung über die Bildelementfläche statt.
Es ergibt sich ein lineares Gleichungssystem. Um zu erfah
ren, welche Dosisverteilung geschrieben werden muß, um die
gewünschte Dosisverteilung zu erhalten, muß das Gleichungs
system invertiert werden. Selbst bei Berücksichtigung nur
der umliegenden Elemente durch Aufteilung in einzelne Sekto
ren ergibt sich für dieses Verfahren ein hoher Rechenbedarf
für größere Strukturen.
Es gibt ferner das iterative Verfahren. Bei dieser Methode
wird die Dosisverteilung simuliert, der Dosisanteil von Ge
bieten, die in der Simulation zuwenig Dosis erhalten haben,
wird erhöht und umgekehrt. Mehrere Iterationen führen zu ei
nem stabilen Ergebnis.
Ein weiterer Lösungsansatz besteht in der schon vorher be
schriebenen Entfaltung. Der Proximity-Effekt entspricht ei
ner Faltung und kann daher mit Entfaltung korrigiert werden.
Hierbei wird der Resist mit einer Dosisverteilung belichtet,
die eine Entfaltung der gewünschten Dosisverteilung mit der
Proximity-Funktion darstellt, so daß die anschließende un
vermeidliche Faltung im Resist zu der gewünschten Dosisver
teilung führt. Grundsätzlich ermöglicht dieser Ansatz eine
exakte Korrektur.
Die im Resist resultierende Dosis entspricht einer Faltung
der geschriebenen Struktur, d. h. eines Bildes, mit der Pro
ximity-Funktion, die in Fig. 2A dargestellt ist. Im Fou
rierraum entspricht das dem Produkt der Transformierten. Um
die Funktion zu entfalten, muß man die Transformierten im
Fourierraum dividieren und dann die Rücktransformation aus
führen. Die Transformierte einer Gaußfunktion ist wieder
eine Gaußfunktion, d. h. bei der Division ergibt sich ein ex
ponentieller Anstieg der hohen Frequenzen, der durch einen
Filter unterdrückt werden muß. In der Praxis entspricht dies
der Tatsache, daß man keine kleineren Strukturen als die
Primäraufweitung schreiben kann (Fig. 2F). Die Rücktrans
formation ergibt die zu schreibende Funktion (Fig. 2E) Bei
teilweiser Rücktransformation erhält man die Funktion, mit
der die gewünschte Funktion gefaltet werden muß, um die zu
schreibende Funktion zu erhalten (Fig. 2D).
Die in Fig. 2 dargestellten Zusammenhänge sind ergänzend in
Fig. 3 dargestellt. Diese zeigt die Flächendosis der Proxi
mity-Funktion in Abhängigkeit von der Reichweite (Fig. 3A)
sowie die invertierte transformierte, die fouriertransfor
mierte und die gefilterte invertierte transformierte Funk
tion, letztere mit einem durch das Filterverfahren bedingten
Abklingen des hochfrequenten Anteils, wodurch sich eine
leichte Verschmierung der Abbildung beim Schreiben ergibt.
Außerdem störend bei dem Entfaltungsverfahren ist das Auf
treten von negativen Dosen. Es ist vorgeschlagen worden,
diese einfach zu vernachlässigen oder einen Offset zu addie
ren, wodurch jedoch eigentlich nicht zu belichtende Felder
belichtet werden. Die bisherig aufgetretenen Schwierigkeiten
sind in der geforderten hohen Auflösung für das Entfaltungs
verfahren begründet.
Nachteilig bei derartigen Korrekturverfahren unter Verwen
dung der Fourier-Transformation, wie sie z. B. in "Submicron
proximity correction by the Fourier precompensation method",
McDonald Haslam, SPIE Vol. 632, 1986 und "Transform based
proximity corrections: Experimental results and compari
sons", McDonald Haslam, J. Vac. Sci. Technol. B 4, 1986 be
schrieben sind, sind die großen Datenmengen, die Notwendig
keit von langwierigen Berechnungen und u. U. einer zusätzli
chen Belichtung.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur
Abbildung mittels Elektronenstrahl-Lithographie zu schaffen,
bei dem durch Proximity-Effekt hervorgerufene Falschbelich
tungen korrigiert werden und das eine hohe Auflösung bei
vergleichbar geringem Aufwand ermöglicht.
Diese Aufgabe ist durch die Erfindung bei einem Verfahren
mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Ver
fahrensvarianten sind Gegenstand der Unteransprüche.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Abbildung mittels
Elektronenstrahl-Lithographie, bei dem durch Proximity-Ef
fekt hervorgerufene Falschbelichtungen korrigiert werden,
wird eine Vorkorrektur der Abbildung in bezug auf die Strah
lendosis durchgeführt. Es wird dazu eine grobe Faltung des
Bildes durchgeführt. Das grob gefaltete Bild wird mit dem
Ausgangsbild zusammengefügt. Dann wird das so gewonnene vor
korrigierte Bild durch Elektronenstrahlen abgebildet.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird eine Trennung von
Bild und der für das Bild notwendigen Korrektur durchge
führt. Hierbei wird ausgenutzt, daß der Anteil des schmalen
Peaks der Proximity-Funktion im wesentlichen strukturgebend
ist, d. h. eine hohe Auflösung zur Mustererhaltung erforder
lich ist, während der breite Untergrund für den Proximity-
Effekt verantwortlich ist und zur Korrektur führt. Infolge
der getrennten Behandlung von Bild und Korrektur muß die vom
Bild geforderte hohe Auflösung nicht mehr durch das für die
Abbildungskorrektur herangezogene System bereitgestellt wer
den, das mit einer groben Auflösung arbeiten kann. Nach dem
Korrekturschritt erfolgt wieder eine Zusammensetzung von
Bild und Abbildungskorrektur. Die Bildabmessungen werden bei
diesem Verfahren nicht durch mangelnde bzw. endliche Auflö
sung verfälscht. Für die Korrektur können somit Systeme mit
grober Auflösung herangezogen werden, wodurch der Aufwand
für die Realisierung der gewünschten Bilddarstellung außer
ordentlich herabgesetzt werden kann. Es kann eine hohe Lei
stung ohne wesentlichen Auflösungsverlust erzielt werden.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren ist in einer Reihe von
Anwendungsfällen erst eine wirtschaftliche Abbildungs- bzw.
Dosiskorrektur ermöglicht worden.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren kann die Ortsinformation
über die Gebiete verschiedener Dosen einfach erhalten wer
den, ohne daß eine a-priori-Festlegung der Gebiete erforder
lich ist. Dies ist z. B. bei einer großen Anzahl von Schrei
ber-Dosen vorteilhaft.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann sogar nicht hierarchisch
aufgebaute Muster mit überschaubarem Aufwand korrigieren. Es
ist in der Bestimmung des Dosisbereichs und der zu verwen
denden Auflösung sehr flexibel.
Wie erwähnt wird bei dem erfindungsgemäßen Verfahren durch
die Abtrennung der Korrektur vom eigentlichen Bild eine kon
stante Übertragungsfunktion bis in die hohen Frequenzen ge
währleistet. Die invertierte transformierte Proximity-Funk
tion wird bei einer vorteilhaften Verfahrensvariante ab der
nicht mehr sinnvoll erscheinenden Grenzfrequenz als konstant
weitergeführt. Diese Konstante im räumlichen Frequenzraum
entspricht bei der Faltung gerade der Identität (hier der
abzubildenden Struktur), mit dieser Konstanten multipli
ziert, die somit von der Faltungsfunktion abgetrennt wird.
Die Differenz dieser Konstanten im Frequenzraum ergibt eine
niederfrequente Faltungsfunktion, die somit mit geringer
Auflösung verarbeitet werden kann. Allerdings muß diese ab
gezogene Identität nach der Korrektur wieder zu dem Aus
gangsbild hinzugefügt werden. Die Abbildungskorrektur arbei
tet nur noch mit der für sie notwendigen Auflösung. Eine
hohe Auflösung für das Durchschleusen des Originalbildes
durch die Korrektur, wie bislang praktiziert wurde, ist
nicht mehr erforderlich. Ein exemplarischer Nachweis für die
Funktionstüchtigkeit konnte durch Computersimulation er
bracht werden.
Bei einer weiteren vorteilhaften Verfahrensvariante wird das
abzubildende Ausgangsbild in der gewünschten abzubildenden
Auflösung gespeichert und mit dem grobgefalteten Bild zusam
mengefügt. Diese Variante wird insbesondere angewendet, wenn
die Faltung nicht optisch durchgeführt wird.
Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren kann die Faltung op
tisch durchgeführt werden. Hierzu wird ein Linsen- und Fil
tersystem eingesetzt. Die Vorkorrektur kann ferner ein
schließlich der optisch durchgeführten Faltung mittels
Strahlteiler sowie Linsen- und Filtersystem durchgeführt
werden. Dabei wird parallel zu dem entsprechenden Korrektur
bildteil mittels Strahlteiler, Halbspiegel oder dergleichen
das unveränderte Bild übertragen.
Bei einer weiteren vorteilhaften Verfahrensvariante werden
die in den unbeschriebenen Gebieten auftretenden negativen
Dosen, hervorgerufen durch die Vorkorrektur der Abbildung,
bei der Korrektur in den beschriebenen Gebieten berücksich
tigt (Dosisreduktion). Negative Dosen an einer bestimmten
Stelle wirken sich in einer Reduktion der dort durch den
Proximity-Effekt von anderen Stellen deponierten Dosis aus;
sie sind schreibtechnisch nicht darzustellen. Bei der Kor
rektur über Entfaltung ist das Resultat aber danach ausge
richtet, daß negative Dosen geschrieben werden und dem Pro
ximity-Effekt unterliegen. Das Erfordernis negativer Dosen
wird dadurch beseitigt, daß lediglich die Auswirkungen der
negativen Dosen durch den Proximity-Effekt in das beschrie
benen Gebiet hinein berücksichtigt werden. Dies führt zu ei
ner Dosisabsenkung in der Nachbarschaft von Bildbereichen,
die nicht beschrieben werden, für die aber ein stark negati
ver Dosiskorrekturwert ermittelt wurde.
Als besonders zweckmäßig hat es sich bei der Ausführung des
erfindungsgemäßen Verfahrens erwiesen, mit sogenannten Ex
traktionen zu arbeiten. Dies bedeutet, daß eine Bilddarstel
lung mit weniger Daten realisiert werden kann. So kann gemäß
einer vorteilhaften Verfahrensvariante das Zusammenfügen des
grob gefalteten Bildes mit dem Ausgangsbild geschehen, indem
eine flächige Mittelung des grob gefalteten Bildes über ein
Bildelement erfolgt. Hierbei wirkt sich jede Einzelheit der
Korrektur aufgrund der Mittelung aus, in die sie eingeht.
Es kann auch alternativ vorgesehen werden, daß die Dosis ei
nes Bildelementes aus einem oder mehreren ausgewählten Punk
ten des grob gefalteten Bildes bestimmt wird. Diese Verfah
rensvariante läßt sich besonders schnell und einfach ausfüh
ren.
Es kann auch zur Erzielung einer möglichst genauen Dosisver
teilung vorgesehen werden, das Zusammenfügen des grob gefal
teten Bildes mit dem Ausgangsbild geschieht, indem eine Un
terteilung des Bildes entsprechend den Bereichen des grob
gefalteten Bildes nach unterschiedlicher Dosis durchgeführt
wird und in den Teilbereichen mit den betreffenden Dosen ge
schrieben wird.
Zusätzlich können technische Aspekte wie bestimmte vorgege
bene Winkel, Minimalabstände, etc. bei der Realisierung die
ser Verfahrensvariante berücksichtigt werden, wenn bei der
Bildunterteilung nach unterschiedlichen Dosen die Unter
teilung in Abhängigkeit von den Bildelementen des Ausgangs
bildes durchgeführt wird.
Die Erfindung wird im folgenden weiter anhand eines Ausfüh
rungsbeispiels und der Zeichnung beschrieben. Das Ausfüh
rungsbeispiel ist keinesfalls als die Erfindung einschrän
kend anzusehen, sondern dient lediglich zu Erläuterungs
zwecken, d. h. die Erfindung kann auf in zahlreichen Ausfüh
rungsvarianten im Rahmen des Schutzumfangs der Ansprüche
ausgeführt werden. Sie ist auch nicht auf die Merkmalskombi
nationen in den Ansprüchen beschränkt, sondern diese können
ungeachtet deren Zusammenfassung in den Ansprüchen kombi
niert werden.
In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 ein Diagramm, das ein Beispiel einer Monte Carlo-
Berechnung einer Dosisverteilung bei 50 keV veran
schaulicht, wobei in dem Diagramm die Eindring
tiefe gegen die Reichweite aufgetragen ist,
Fig. 2A bis 2F eine Veranschaulichung der Fouriertrans
formation, wobei Fig. 2A die Proximity-Funktion,
Fig. 2B die gewünschte Funktion, Fig. 2C das
unkorrigierte Ergebnis, Fig. 2D die zur Faltung
zu verwendende Funktion, Fig. 2E die zu schrei
bende Funktion und Fig. 2F das korrigierte Ergeb
nis darstellen, und
Fig. 3A bis 3D eine Veranschaulichung der Verarbeitung
der Proximity-Funktion nach der Entfaltungsme
thode,
Fig. 4A und 4B eine Veranschaulichung der Verarbeitung
der Proximity-Funktion nach dem erfindungsgemäßen
Verfahren,
Fig. 5 eine schematische Veranschaulichung einer Variante
mit optischer Vorkorrektur und Faltung,
Fig. 6 eine Darstellung eines Testmusters mit Spalt und
isolierten Linien,
Fig. 7 eine Darstellung einer unkorrigierten Abbildung
des Testmusters,
Fig. 8 ein Beispiel einer Dosisverteilung, die sich aus
einer Grobkorrektur ergibt, wobei die dunkleren
Bereiche höheren Dosen entsprechen und 8 verschie
dene Dosen verwendet worden sind, und
Fig. 9 eine Simulation des korrigierten Musters, geschrieben
mit einer 15% höheren Dosis.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung weiter
erläutert.
Fig. 4 veranschaulicht die erfindungsgemäße Korrekturme
thode. Schon ab einer relativ niedrigen Raumfrequenz ergibt
sich ein konstanter Anteil, der abgetrennt werden kann. Das
Ergebnis ist in Fig. 4B dargestellt. Ein Vergleich mit Fig. 3
zeigt die bessere Abbildungseigenschaft (Fig. 4A) bei
gleichzeitig deutlich geringerer Anforderung an die Auflö
sung der Korrektur (Fig. 4B).
Fig. 5 veranschaulicht eine Variante des erfindungsgemäßen
Verfahrens mit optischer Vorkorrektur und Faltung. Ein Bild
2 mit einer abzubildenden Struktur wird auf einen Teiler 4
gegeben, bei dem es sich z. B. um einen Halbspiegel handeln
kann. In diesem wird der Strahl in einen ersten Teilstrahl
6, der die unveränderte Bildinformation trägt, und in einen
zweiten Teilstrahl 8, der für die Korrektur vorgesehen ist,
aufgeteilt. Der zweite Teilstrahl 8 wird durch ein Linsen- und
Filtersystem 10 geführt, in dem eine Faltung gemäß der
Erfindung durchgeführt wird. Anschließend wird der Teil
strahl 8 ebenso wie der erste Teilstrahl 6 auf einen weite
ren Halbspiegel 12 gegeben, wo die Teilstrahlen wieder zu
sammengefügt werden. Anschließend werden sie für den Elek
tronenstrahlschreibvorgang ausgewertet bzw. weiterverarbei
tet.
Fig. 6 zeigt ein Testmuster mit Spalten und isolierten Li
nien. Fig. 7 veranschaulicht den Effekt der Proximity-Funk
tion bei einer unkorrigierten Abbildung. Weder die Spalte
noch die isolierten Linien sind scharf bzw. deutlich abge
bildet worden.
Fig. 8 zeigt ein Beispiel einer Dosisverteilung bei Anwen
dung des erfindungsgemäßen Verfahrens, die sich aus einer
Grobkorrektur ergibt. Es sind 8 verschiedene Dosen verwendet
worden. Die dunkleren Bereiche entsprechen höheren Dosen.
Fig. 9 zeigt eine Simulation des korrigierten Musters, ge
schrieben mit einer 15% höheren Dosis. Die Spalten und Li
nien sind scharf abgebildet worden.
Claims (11)
1. Verfahren zur Abbildung mittels Elektronenstrahl-Litho
graphie, bei dem Falschbelichtungen, hervorgerufen durch
Proximity-Effekt, korrigiert werden,
- - wobei eine Vorkorrektur der Abbildung in bezug auf die Strahlendosis durchgeführt wird,
- - wobei eine grobe Faltung des Bildes durchgeführt wird,
- - wobei das grob gefaltete Bild mit dem Ausgangsbild zusam mengefügt wird, und
- - das so gewonnene vorkorrigierte Bild durch Elektronen strahlen abgebildet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß das abzubildende Ausgangsbild in der
gewünschten abzubildenden Auflösung gespeichert wird und mit
dem grob gefalteten Bild zusammengefügt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Faltung optisch durchge
führt wird.
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Vorkorrektur einschließ
lich der optisch durchgeführten Faltung mittels Strahlteiler
sowie Linsen- und Filtersystem durchgeführt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß von der Faltungsfunktion
einer Identität entsprechender Anteil (Vielfaches einer δ-
Funktion) abgetrennt wird, die sich ergebende Funktion zur
Faltung verwendet wird und der abgetrennte Anteil durch die
Zusammenfügung mit dem Ausgangsbild berücksichtigt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß die Korrektur nur im Be
reich der beschriebenen Gebiete durchgeführt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekenn
zeichnet, daß die in den unbeschriebenen Gebieten
auftretenden negativen Dosen, hervorgerufen durch die Vor
korrektur der Abbildung, bei der Korrektur in den beschrie
benen Gebieten berücksichtigt werden (Dosisreduktion).
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, daß das Zusammenfügen des
grob gefalteten Bildes mit dem Ausgangsbild geschieht, indem
eine flächige Mittelung des grob gefalteten Bildes über ein
Bildelement erfolgt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, daß die Dosis eines Bildele
mentes aus einem oder mehreren ausgewählten Punkten des grob
gefalteten Bildes bestimmt wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch
gekennzeichnet, daß das Zusammenfügen des
grob gefalteten Bildes mit dem Ausgangsbild geschieht, indem
eine Unterteilung des Bildes entsprechend den Bereichen des
grob gefalteten Bildes nach unterschiedlicher Dosis durchge
führt wird und in den Teilbereichen mit den betreffenden Do
sen geschrieben wird.
11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekenn
zeichnet, daß bei der Bildunterteilung nach unter
schiedlichen Dosen die Unterteilung in Abhängigkeit von den
Bildelementen des Ausgangsbildes durchgeführt wird.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19934317899 DE4317899C2 (de) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | Verfahren zur Abbildung mittels Elektronenstrahl-Lithographie |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19934317899 DE4317899C2 (de) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | Verfahren zur Abbildung mittels Elektronenstrahl-Lithographie |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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DE4317899A1 true DE4317899A1 (de) | 1995-02-09 |
DE4317899C2 DE4317899C2 (de) | 1997-09-18 |
Family
ID=6489204
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19934317899 Expired - Fee Related DE4317899C2 (de) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | Verfahren zur Abbildung mittels Elektronenstrahl-Lithographie |
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