DE4211247A1 - Mit membran-drucksensorelementen ausgestatteter halbleiter-wafer und verfahren zur herstellung desselben - Google Patents

Description

Vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Halbleiter-Wafer, der mit einer Mehrzahl von Membran-Drucksensorelementen ausgestattet ist. Der Halbleiter-Wafer umfaßt ein Halbleiter- Substrat, auf dem die Membran-Drucksensorelemente gebildet sind, und einen Sockel mit einer Mehrzahl von Durchgangslöchern zum Zuführen von externem Druck zu jedem der Membran-Drucksensorelemente. In dieser Beschreibung wird der vorstehend erwähnte Halbleiter-Wafer als "endbearbeiteter bzw. fertiger Halbleiter-Wafer" bezeichnet. Vorliegende Erfindung bezieht sich auch auf ein Verfahren zum Herstellen eines solchen endbearbeiteten Halbleiter-Wafers.

Die Fig. 6, 7 und 8 (c) zeigen Drauf-, Unter- und Quer­ schnittsansichten eines herkömmlichen endbearbeiteten Halb­ leiter-Wafers 1. Wie in diesen Figuren gezeigt, sind Membran- Drucksensorelemente 2 in einer Matrix auf einem Halbleiter- Substrat 1a vorgesehen. Die Elemente 2 werden durch folgende Schritte hergestellt: auf der Bodenfläche des Halbleiter- Substrats 1a wird ein dünner Film mit einem vorgeschriebenen Muster ausgebildet, wonach das Halbleiter-Substrat 1a dann mit dem als eine Maske dienenden dünnen Film geätzt wird, wodurch eine Mehrzahl von Vertiefungen 3 in den Bodenabschnitten des Halbleiter-Substrats la gebildet werden (Fig. 8 (a)). Folglich werden Membranen 4 gebildet, die als jeweilige Erfassungsbe­ reiche der Membran-Drucksensorelemente 2 fungieren.

Fig. 9 zeigt eine Draufsicht auf einen Glas-Sockel, während Fig. 8 (b) eine Querschnittsansicht desselben zeigt. Wie in diesen Figuren dargestellt, ist der Glas-Sockel 5 mit Durch­ gangslöchern 6 versehen, derart, daß diese den Vertiefungen 3 gemäß Fig. 8 (a) entsprechen. Wenn der Glas-Sockel 5 an das Halbleiter-Substrat 1a angebondet bzw. mit diesem verbunden ist, haben diese Durchgangslöcher 6 die Funktion, äußeren Druck zu den Membran-Drucksensorelementen 2 zu führen. Das Bond- bzw. Verbindungsverfahren wird im folgenden noch näher beschrieben.

Im folgenden soll unter Bezugnahme auf die Fig. 8 (a) bis 8 (c) ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Drucksen­ sors erläutert werden. Zunächst werden das Halbleiter-Substrat 1a (Fig. 8 (a)) und der Glas-Sockel (Fig. 8 (b)) vorbereitet. Das Halbleiter-Substrat 1a wird auf den Glas-Sockel 5 derart aufgelegt, daß die Vertiefungen 3 mit den entsprechenden Durchgangslöchern 6 ausgerichtet sind. Dann werden das Halbleiter-Substrat 1a und der Glas-Sockel 5 miteinander durch das bekannte Anoden-Bonden (anode bonding) verbunden (Fig. 8 (c)). Damit ist der endbearbeitete Halbleiter-Wafer gebildet. Nach dem Bonden wird der endbearbeitete Halbleiter-Wafer 1 (Fig. 8 (c)) entlang von eingeritzten Linien bzw. Schneid- Linien (durchgehende Linien gemäß Fig. 6 und gestrichelte Linien gemäß Fig. 7) mittels einer Drahtsäge geschnitten, um in Halbleiter-Drucksensor-Chips unterteilt zu werden. Jedes der Halbleiter-Drucksensor-Chips wird dann einem Zusammenbau- bzw. Montageverfahren unterzogen, wodurch Halbleiter- Drucksensoren gebildet werden.

Wenn der endbearbeitete Halbleiter-Wafer 1 auf den Glas-Sockel 5 aufzulegen ist, ist es notwendig, den ersteren so bezüglich des letzteren auszurichten, daß die Vertiefungen 3 gerade oberhalb der Durchgangslöcher 6 in einer 1-zu-1-Entsprechung angeordnet sein sollten. Diese Einstellung wurde herkömmlicherweise durch visuelle Beobachtung mittels der Augen des Benutzers erreicht. Genauer gesagt richtet der Be­ nutzer das Halbleiter-Substrat 1a so bezüglich des Glas- Sockels 5 aus, daß alle Vertiefungen 3 den Durchgangslöchern 6 entsprechen. Dementsprechend wird viel Mühe und Zeit für die Einstellung verbraucht.

Vorliegende Erfindung ist auf einen Halbleiter-Wafer ge­ richtet, der mit einer Mehrzahl von Membran-Drucksensor­ elementen ausgestattet ist und ein Halbleiter-Substrat mit den Membran-Drucksensorelementen und einer Mehrzahl von ersten Durchgangslöchern, die eine vorbestimmte Beziehung bezüglich der Membran-Drucksensorelemente haben, und einen Sockel mit einer Mehrzahl von zweiten Durchgangslöchern zum Anlegen bzw. Zuführen von äußerem Druck zu den Membran-Drucksensorelementen und einer Mehrzahl von dritten Durchgangslöchern aufweist, wobei die Beziehung zwischen den zweiten und dritten Durchgangslöchern identisch mit der vorbestimmten Beziehung zwischen den ersten Durchgangslöchern und den Membran- Drucksensorelementen ist und der Sockel derart an das Halbleiter-Substrat angebondet ist, daß die ersten Durchgangslöcher gerade oberhalb der dritten Durchgangslöcher in einer 1-zu-1-Entsprechung angeordnet sind und die Membran- Drucksensorelemente oberhalb der zweiten Durchgangslöcher in einer 1-zu-1-Entsprechung positioniert sind.

Die Membran-Drucksensorelemente und die ersten Durchgangs­ löcher können in einer Matrix angeordnet sein.

Die zweiten und dritten Durchgangslöcher können in einer Matrix angeordnet sein, wobei die zweiten Durchgangslöcher den Membran-Drucksensorelementen entsprechen und die dritten Durchgangslöcher den ersten Durchgangslöchern entsprechen.

Vorliegende Erfindung ist weiterhin auf ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Wafers gerichtet, der mit einer Mehrzahl von Membran-Drucksensorelementen ausgestattet ist, wobei das Verfahren die Schritte (a) des Vorbereitens bzw. Be­ reitstellens eines Halbleiter-Substrats und eines Sockels, (b) der Ausbildung einer Mehrzahl von Membran-Drucksensorelementen am Halbleiter-Substrat und einer Mehrzahl von ersten Durchgangslöchern am Halbleiter-Substrat, wobei die ersten Durchgangslöcher in einer vorbestimmten Beziehung zu den Mem­ bran-Drucksensorelementen stehen, (c) des Bereitstellens einer Mehrzahl von zweiten Durchgangslöchern und einer Mehrzahl von dritten Durchgangslöchern im Sockel, wobei die zweiten Durchgangslöcher für die Zuführung äußeren bzw. externen Drucks zu den Membran-Drucksensorelementen dienen und die Be­ ziehung zwischen den zweiten und dritten Durchgangslöchern identisch mit der vorbestimmten Beziehung zwischen den ersten Durchgangslöchern und den Membran-Drucksensorelementen ist, und (d) des Anbondens des Halbleiter-Substrats am Sockel um­ faßt, derart, daß die dritten oder ersten Durchgangslöcher direkt oberhalb der zweiten oder dritten Durchgangslöcher angeordnet sind, wodurch die Membran-Drucksensorelemente ober­ halb der ersten oder zweiten Durchgangslöcher in einer 1-zu-1- Entsprechung positioniert sind.

Vorzugsweise umfaßt der Schritt (b) die Schritte (b-1) des Er­ zeugens erster und zweiter Schichten auf oberen bzw. unteren Flächen des Halbleiter-Substrats, (b-2) des selektiven Entfer­ nens der ersten Schicht zur Ausbildung einer ersten gemuster­ ten Schicht mit ersten Öffnungen, die den ersten Durchgangslö­ chern entsprechen, (b-3) des selektiven Entfernens der zweiten Schicht zur Ausbildung einer zweiten gemusterten Schicht mit zweiten Öffnungen, die den ersten Durchgangslöchern entspre­ chen, und (b-4) des selektiven Wegätzens des Halbleiter-Sub­ strats mit den ersten und zweiten gemusterten Schichten als Maske, um hierdurch die ersten Durchgangslöcher zu erzeugen.

Dementsprechend ist es eine Aufgabe vorliegender Erfindung, einen Halbleiter-Wafer zu schaffen, der mit einer Mehrzahl von Membran-Drucksensorelementen ausgestattet ist, wobei ein Halb­ leiter-Drucksensor leicht hergestellt werden kann.

Eine weitere Zielsetzung vorliegender Erfindung ist die Be­ reitstellung eines Verfahrens zum Herstellen eines derartigen Halbleiter-Wafers.

Diese und weitere Zielsetzungen, Merkmale, Aspekte und Vor­ teile vorliegender Erfindung werden aus der folgenden de­ taillierten Beschreibung vorliegender Erfindung in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen noch deutlicher.

Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbei­ spielen unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt

Fig. 1 eine Draufsicht auf ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel eines in Übereinstimmung mit vorliegender Erfindung stehenden Halbleiter-Wafers,

Fig. 2 eine Unteransicht des Halbleiter-Wafers,

Fig. 3 (a) bis 3 (d) ein Verfahren zur Herstellung des Halb­ leiter-Wafers gemäß Fig. 1 und 2,

Fig. 4 (a) bis 4 (c) ein Verfahren zur Herstellung eines Halb­ leiter-Substrats,

Fig. 5 eine Querschnittsansicht eines Halbleiter-Drucksensors,

Fig. 6 eine Draufsicht auf einen herkömmlichen Halbleiter-Wa­ fer,

Fig. 7 eine Unteransicht des Halbleiter-Wafers gemäß Fig. 6,

Fig. 8 (a) bis 8 (c) ein herkömmliches Verfahren zur Her­ stellung des Halbleiter-Wafers gemäß Fig. 6 und 7, und

Fig. 9 eine Draufsicht auf einen Glas-Sockel.

Fig. 1, 2 und 3 (c) zeigen eine Draufsicht, eine Unteransicht und eine Querschnittsansicht eines bevorzugten Aus­ führungsbeispiels eines Halbleiter-Wafers in Übereinstimmung mit vorliegender Erfindung. Das vorliegende bevorzugte Aus­ führungsbeispiel unterscheidet sich vom herkömmlichen Halb­ leiter-Wafer gemäß den Fig. 6, 7 und 8 (c) deutlich dahin­ gehend, daß ein Halbleiter-Substrat 1 (a) mit Positionierungs- Durchgangslöchern 10 in den Positionen versehen ist, in denen ursprünglich Membran-Drucksensorelemente 2 erzeugt wurden. Ge­ nauer gesagt stehen die Positionierungs-Durchgangslöcher 10 in einer vorbestimmten Beziehung mit den Membran-Drucksensorele­ menten 2. Die Positionierungs-Durchgangslöcher 10 und die Mem­ bran-Drucksensorelemente 2 liegen bei dieser Anwendung bzw. Ausgestaltung in Form einer Matrix vor. Der übrige Aufbau ist identisch mit demjenigen des herkömmlichen Halbleiter-Wafers, so daß dieser nicht nochmals erläutert wird.

Im folgenden wird nun ein Verfahren zum Herstellen des end­ bearbeiteten Halbleiter-Wafers 1 beschrieben. Wie in Fig. 4 (a) gezeigt, ist eine Mehrzahl von Erfassungsregionen 20 der Drucksensorelemente in den oberen Abschnitten des Halbleiter- Substrats 1a in regelmäßigen Intervallen gebildet. In dem vor­ liegenden bevorzugten Ausführungsbeispiel ist eine Mehrzahl von Diffusionswiderständen 21 in jeder Erfassungsregion 20 ge­ bildet. Ein Verfahren zur Ausbildung der Erfassungsregionen 20 ist wohlbekannt, so daß dieses hier nicht näher erläutert wird.

Danach werden Silicium-Oxid-Filme sowohl auf der oberen als auch auf der unteren Fläche des Halbleiter-Substrats 1a ge­ bildet. Danach wird der Silicium-Oxid-Film, der auf der oberen Fläche der Halbleiter-Oberfläche bzw. des Halbleiter-Wafers 1a gebildet ist, durch ein photolithographisches Verfahren mit Öffnungen 31 versehen, um hierdurch eine Maske (erste gemu­ sterte Schicht) 30 zu bilden, während ein weiterer Silicium- Oxid-Film, der an der Unterseite des Halbleiter-Substrats 1a gebildet ist, mit Öffnungen 32 und 33 versehen wird, um hier­ durch eine Maske (zweite gemusterte Schicht) 34 zu bilden (Fig. 4 (b)). Zu diesem Zeitpunkt sind die Öffnungen 31 und 32 in den Positionen gebildet, die im Glas-Sockel 5 vorgesehenen (nachfolgend beschriebenen) Positionierungs-Durchgangslöchern entsprechen, derart, daß diese einander zugewandt sind bzw. einander gegenüberliegen. Die Öffnungen 33 sind andererseits so gebildet bzw. geformt, daß sie den Erfassungsregionen 20 entsprechen.

Anschließend wird ein Ätzvorgang durchgeführt. Durch diesen Ätzvorgang werden Vertiefungen 3 in den Bodenabschnitten des Halbleiter-Substrats 1a in den Positionen gebildet, die den Öffnungen 33 (Fig. 4 (c)). entsprechen, wodurch Membranen 4 der Drucksensorelemente 2 gebildet werden. Gleichzeitig werden den Öffnungen 31 und 32 entsprechende jeweilige Bereiche gleichfalls geätzt, wodurch die Positionierungs-Durchgangslö­ cher 10 gebildet werden, wie in Fig. 4 (c) gezeigt. Demgemäß werden die Positionierungs-Durchgangslöcher 10 und die Vertie­ fungen 3 gleichzeitig gebildet, ohne daß ein weiterer neuer Ätzvorgang durchgeführt wird.

Im abschließenden Schritt werden die Masken 30 und 34 ent­ fernt, wodurch das Halbleiter-Substrat 1a gemäß Fig. 3 (a) er­ halten wird.

Erneut bezugnehmend auf die Fig. 3 (a) bis 3 (d) wird ein Ver­ fahren zum Herstellen eines endbearbeiteten Halbleiter-Wafers 1 beschrieben. Als erstes werden das mit einer Mehrzahl von Membran-Drucksensorelementen 2 (Fig. 3 (a)) versehene Halblei­ ter-Substrat 1a und der Glas-Sockel 5 (Fig. 3 (b) und 9) vor­ bereitet bzw. bereitgestellt. Vor der Herstellung des endbe­ arbeiteten Halbleiter-Wafers 1 werden aus den Durchgangs­ löchern 6, mit denen der Glas-Sockel 5 versehen ist, vier geeignete Durchgangslöcher ausgewählt, um als Positionierungs- Durchgangslöcher 6a eingesetzt zu werden.

Das Halbleiter-Substrats 1a wird auf den Glas-Sockel 5 derart aufgelegt, daß die Positionierungs-Durchgangslöcher 6a mit den entsprechenden Positionierungs-Durchgangslöchern 10 (Fig. 3 (c)) ausgerichtet sind. Beispielsweise bewegt eine Bedienungs­ person nach Montage des Halbleiter-Substrats 1a auf dem Glas- Sockel 5 das Halbleiter-Substrat 1a und den Glas-Sockel 5 re­ lativ zueinander unter Beobachtung einer Diskrepanz zwischen den Positionierungs-Durchgangslöchern 6a und den Positionie­ rungs-Durchgangslöchern 10 von oben. Zu dem Zeitpunkt, zu dem die Bedienungsperson die Sicht bzw. Unterlage unterhalb des Glas-Sockels 5 durch die Positionierungs-Durchgangslöcher 10 und 6a beobachten kann, d. h. wenn die Positionierungs- Durchgangslöcher 6a mit den entsprechenden Positionierungs- Durchgangslöchern 10 ausgerichtet sind und nicht länger eine Diskrepanz zwischen diesen vorliegt, wird die Relativ-Bewegung beendet. Folglich kann das Halbleiter-Substrat 1a in einfacher Weise mit dem Glas-Sockel 5 ausgerichtet werden, derart, daß die Vertiefungen 3 auf den Durchgangslöchern 6 in einer 1-zu­ 1-Entsprechung angeordnet sind.

Danach werden das Halbleiter-Substrat 1a und der Glas-Sockel 5 miteinander durch Anoden-Bonden (anode bonding) gebondet bzw. miteinander verbunden, so daß der endbearbeitete Halbleiter- Wafer 1 gebildet ist. Der endbearbeitete Halbleiter-Wafer 1 wird dann entlang von Schneidlinien 7 geschnitten, um in Halb­ leiter-Drucksensor-Chips (Fig. 5) unterteilt zu werden. Wie in Fig. 5 gezeigt, wird der derart unterteilte Halbleiter-Druck­ sensor-Chip in einem armierten bzw. verstärkten Gehäuse 52 in­ stalliert, das einen Druck-Einlaß 51 aufweist, während ein (nicht gezeigter) Elektroden-Anschluß des Halbleiter-Drucksen­ sor-Chips 40 elektrisch mit externen Anschlüssen 54 über Ver­ bindungsdrähte 53 verbunden wird. Im abschließenden Schritt wird eine Kappe 55 am Gehäuse 52 montiert, wodurch ein Halbleiter-Drucksensor fertiggestellt ist.

Gemäß dem vorstehend beschriebenen, gegenwärtig bevorzugten Ausführungsbeispiel sind die Positionierungs-Durchgangslöcher 10 derart an dem mit den Membran-Drucksensorelementen 2 ausge­ statteten Halbleiter-Substrat 1a vorgesehen, daß sie den Posi­ tionierungs-Durchgangslöchern 6a des Glas-Sockels 5 entspre­ chen. Folglich können die Vertiefungen 3 in einfacher Weise durch Ausrichtung der Positionierungs-Durchgangslöcher 6a mit den Positionierungs-Durchgangslöchern 10 leicht oberhalb der Durchgangslöcher 6 für die Zuführung äußeren Drucks zur Mem­ bran 4 positioniert werden. Daher läßt sich die Ausrichtung des Halbleiter-Substrats 1a mit dem Glas-Sockel 5 in einfa­ cher Weise in kurzer Zeit erreichen, was eine leichte Herstel­ lung eines Halbleiter-Drucksensors ermöglicht.

Gemäß dem vorstehend beschriebenen bevorzugten Ausführungs­ beispiel sind vier Durchgangslöcher 10 am Halbleiter-Substrat 1a vorgesehen. Die Anzahl der Durchgangslöcher 10 ist aller­ dings nicht auf vier beschränkt. Im Hinblick auf die Positio­ nierungsgenauigkeit oder dergleichen ist es bevorzugt, eine Mehrzahl von Durchgangslöchern auf Diagonalen vorzusehen.

In den letzten Jahren wurden Vorschläge bezüglich eines Bau­ elements unterbreitet, bei denen ein Drucksensor und eine elektronische Schaltung auf einem Halbleiter-Chip vorhanden sind. Vorliegende Erfindung ist auch auf diese Art von Bau­ elementen anwendbar.

Obwohl die Erfindung in Einzelheiten gezeigt und beschrieben wurde, dient vorstehende Beschreibung in jeglicher Hinsicht zur Veranschaulichung und ist nicht beschränkend. Es versteht sich daher, daß verschiedene Modifikationen und Abänderungen vorgenommen werden können, ohne den Rahmen der Erfindung zu verlassen.

Der beschriebene Halbleiter-Wafer weist somit ein Halbleiter- Substrat und einen Sockel auf, die miteinander verbunden sind. Das Halbleiter-Substrat umfaßt eine Mehrzahl von Membran- Drucksensorelementen und eine Mehrzahl von ersten Durch­ gangslöchern, die in einer vorbestimmten Beziehung mit den Membran-Drucksensorelementen stehen. Andererseits besitzt der Sockel eine Vielzahl von zweiten Durchgangslöchern und eine Vielzahl von dritten Durchgangslöchern, wobei die Beziehung zwischen den zweiten und dritten Durchgangslöchern identisch mit der vorstehenden genannten Beziehung zwischen den ersten Durchgangslöchern und den Membran-Drucksensorelementen ist. Wenn folglich das Halbleiter-Substrat derart am Sockel angebondet wird, daß die ersten Durchgangslöcher gerade oberhalb der dritten Durchgangslöcher in einer 1-zu-1-Entspre­ chung liegen, befinden sich die Membran-Drucksensorelemente oberhalb der zweiten Durchgangslöcher für die Zuführung exter­ nen Drucks zu den Membran-Drucksensorelementen in einer 1-zu­ 1-Entsprechung.

Claims (5)

1. Halbleiter-Wafer, der mit einer Mehrzahl von Membran- Drucksensorelementen ausgestattet ist, mit
einem Halbleiter-Substrat (1a), das die Membran- Drucksensorelemente (2) und eine Mehrzahl von ersten Durchgangslöchern (10) aufweist, die in einer vorbe­ stinmten Beziehung mit den Membran-Drucksensor­ elementen (2) stehen, und
einem Sockel (5) mit einer Mehrzahl von zweiten Durchgangslöchern (6) zum Anlegen äußeren Drucks an die Membran-Drucksensorelemente (2) und einer Mehr­ zahl von dritten Durchgangslöchern (6a), wobei die Beziehung zwischen den zweiten und dritten Durch­ gangslöchern identisch ist mit der vorbestimmten Be­ ziehung zwischen den ersten Durchgangslöchern (10) und den Membran-Drucksensorelementen (2) und wobei der Sockel (5) derart an das Halbleiter-Substrat (1a) gebondet ist, daß die ersten Durchgangslöcher (10) direkt oberhalb der dritten Durchgangslöcher (6a) in einer 1-zu-1-Entsprechung angeordnet sind und die Membran-Drucksensorelemente (2) oberhalb der zweiten Durchgangslöcher (6) in einer 1-zu-1-Ent­ sprechung positioniert sind.

2. Halbleiter-Wafer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß die Membran-Drucksensorelemente (2) und die ersten Durchgangslöcher (10) in einer Matrix angeordnet sind.

3. Halbleiter-Wafer nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zweiten und dritten Durchgangs­ löcher (6, 6a) in einer Matrix angeordnet sind, wobei die zweiten Durchgangslöcher (6) den Membran- Drucksensorelementen (2) entsprechen und die dritten Durchgangslöcher (6a) den ersten Durchgangslöchern (10) entsprechen.

4. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Wafers, der mit einer Mehrzahl von Membran-Drucksensorelementen ausgestattet ist, mit den Schritten.
(a) Bereitstellen eines Halbleiter-Substrats und eines Sockels;
(b) Ausbilden einer Mehrzahl von Membran- Drucksensorelementen im Halbleiter-Substrat und einer Mehrzahl von ersten Durchgangslöchern im Halb­ leiter-Substrat, wobei die ersten Durchgangslöcher in einer vorbestimmten Beziehung mit den Membran- Drucksensorelementen stehen
(c) Versehen des Sockels mit einer Mehrzahl von zweiten Durchgangslöchern und einer Mehrzahl von dritten Durchgangslöchern, wobei die zweiten Durch­ gangslöcher zum Zuführen externen Drucks zu den Mem­ bran-Drucksensorelementen dienen und die Beziehung zwischen den zweiten und dritten Durchgangslöchern identisch mit der vorbestimmten Beziehung zwischen den ersten Durchgangslöchern und den Membran- Drucksensorelementen ist, und
(d) Bonden des Halbleiter-Substrats mit dem Sockel, derart, daß die dritten Durchgangslöcher direkt oberhalb der zweiten Durchgangslöcher angeordnet sind, so daß die Membran-Drucksensorelemente ober­ halb der ersten Durchgangslöcher in einer 1-zu-1- Entsprechung positioniert sind.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt (b) die Schritte (b-1) des Ausbildens erster und zweiter Schichten auf oberen bzw. unteren Flächen des Halbleiter-Sub­ strats,
(b-2) des selektiven Entfernens der ersten Schicht zur Ausbildung einer ersten gemusterten Schicht mit ersten Öffnungen, die den ersten Durchgangslöchern entsprechen,
(b-3) des selektiven Entfernens der zweiten Schicht zur Erzeugung einer zweiten gemusterten Schicht mit zweiten Öffnungen, die den ersten Durchgangslöchern entsprechen, und
(b-4) des selektiven Wegätzens des Halbleiter-Sub­ strats mit den ersten und zweiten gemusterten Schichten als Maske umfaßt, um hierdurch die ersten Durchgangslöcher zu bilden.