DE4207226A1 - Integrierte schaltung - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft eine integrierte Schaltung nach der je
weiligen Gattung der einander nebengeordneten Patentansprüche 1 und
2.
Die Anforderungen an die Kenndaten integrierter Schaltungen werden
immer höher. Der Abgleich von Hybridschaltungen während der Ferti
gung, beispielsweise mittels eines Lasers, oder von monolithisch
integrierten Schaltungen auf dem Wafer beim Waferproben mittels
Stromstößen zum Durchbrennen von Leiterbahnbrücken oder Kurz
schließen von Komponenten, beispielsweise mittels Zener-Zapping, ist
ein bewährtes Mittel, um bereits relativ hohe Forderungen zu er
füllen. Diese Lösungen finden jedoch ihre Grenzen durch die Weiter
verarbeitung in der Montage. Hierbei treten nämlich mehr oder
weniger große mechanische Verspannungen auf, die die Kenndaten
einzelner Komponenten mehr oder weniger stark verändern.
Es ist deshalb bereits bekanntgeworden, verpackte Bauelemente ab
zugleichen bzw. zu korrigieren, wobei für jeden Abgleich- bzw.
Korrekturschritt eine zusätzliche Anschlußleitung erforderlich ist.
Die bekannten Verfahren werden auch zum Programmieren von
Funktionsvarianten bzw. in der Digitaltechnik zum einmaligen
Programmieren von ROMs eingesetzt.
Die europäische Patentanmeldungsveröffentlichung 02 51 212 bezüglich
eines Verfahrens zum Abgleich von Widerstandsnetzwerken enthält
einen Hinweis, daß sich das vorgeschlagene Verfahren auch zum
Abgleich verpackter Bauelemente eignet; hierzu ist jedoch für jeden
Abgleich- bzw. Programmierschritt mindestens eine zusätzliche
Anschlußleitung erforderlich.
Die erfindungsgemäße integrierte Schaltung mit den kennzeichnenden
Merkmalen des Anspruches 1 oder des Anspruches 2 hat demgegenüber
den Vorteil, daß sie es erlaubt, ohne zusätzliche Anschlüsse oder
mit einem Minimum an zusätzlichen Anschlüssen im verpackten Zustand
nachabgeglichen oder umprogrammiert zu werden. Hierdurch wird es
möglich, montagebedingte Driften des vor der Montage ausgeführten
Abgleichs zu kompensieren und damit die Ausbeute anzuheben oder aber
Funktionen bereits auf Lager liegender Bauelemente nachträglich
umzuprogrammieren. Beide Maßnahmen tragen zur Kostensenkung bei.
Weitere Vorteile ergeben sich aus den Unteransprüchen 3 bis 13.
Anhand der Zeichnung wird die Erfindung näher erläutert. Die Fig.
1 bis 10 zeigen je ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen
monolithisch integrierten Schaltung.
Die vorgesehenen Abgleichverfahren erfordern grundsätzlich Strom
stöße, um Leiterbahnen durchzubrennen, Schaltungselemente kurz
zuschließen oder dgl.; sie werden erzeugt durch Anlegen von Zünd
potentialen. Um nun reguläre Anschlüsse der integrierten Schaltung
dafür verwenden zu können, müssen diese Zündpotentiale außerhalb der
Betriebspotentiale dieser Anschlüsse liegen, etwa durch Ändern von
Polarität und/oder Amplitude. Mittels geeigneter Selektionsmittel
wird erreicht, daß die Abgleich- bzw. Programmierfunktion nur durch
die vorgesehenen Zündpotentiale ausgelöst wird. Als Selektionsmittel
eignen sich Halbleiterstrecken mit mindestens einem PN-Übergang, wie
Dioden, Z-Dioden, Transistoren, Thyristoren, Diacs oder dgl., sowie
Kondensator-Widerstandkombinationen als Differenzier- oder In
tegrierglieder. Die Schaltung zur Selektion der Zündimpulse kann aus
einer Kombination mehrerer der genannten Selektionsmittel bestehen.
Bei ihrer Dimensionierung ist darauf zu achten, daß auch während des
Betriebs einer integrierten Schaltung gemäß der Erfindung, etwa in
einem Kraftfahrzeug, leitungsgeführte und eingestrahlte Störgrößen
überlagert sein können und diese eine etwaige Abgleich- oder Pro
grammierfunktion nicht auslösen dürfen. Diese Forderung, vor allem
auch zusammen mit der Forderung, daß der betroffene Schaltungsteil
durch das Zündpotential nicht geschädigt werden darf, wird schal
tungstechnisch besonders einfach durch einen zusätzlichen Anschluß
erfüllt. Dieser kann auch vorteilhaft sein, wenn an der verpackten
integrierten Schaltung eine Vielzahl von Operationen auszuführen ist.
In allen Figuren sind gleiche Teile auch gleich bezeichnet. So ist
die gesamte integrierte Schaltung stets mit 1 bezeichnet. Sie be
steht aus einem regulären Schaltungsblock 2 und einem Schaltungs
block 3 oder mehreren Schaltungsblöcken 31, 32, . . ,die zum Ab
gleichen oder Programmieren dienen.
Von der Vielzahl möglicher Verknüpfungsglieder für logische Ope
rationen sind hier lediglich UND-Glieder 4 und Inverter 5 verwendet.
Nach außen führende Anschlüsse der integrierten Schaltung 1 sind mit
61, 62 und so fort bezeichnet; diese Bezeichnung wird auch für die
in das Innere führenden Leitungen beibehalten. Leitungszüge im
Innern der integrierten Schaltung, etwa nach einer logischen Ver
knüpfung, sind mit 7 bezeichnet. Der Eingriff des Schaltungsblocks 3
bzw. der Schaltungsblöcke 31, 32, . . in den regulären Schal
tungsblock 2 erfolgt über die Leitung 8 bzw. über die Leitungen 81,
82, . . .
Fig. 1 zeigt das Blockschaltbild mit einem Schaltungsblock 3, der
seinen Strom zum Durchbrennen der Leiterbahn oder dgl. aus den An
schlüssen für den Betriebsstrom der integrierten Schaltung und das
Zündpotential aus einer weiteren Klemme bezieht; in der Anordnung
nach Fig. 2 liefert die Quelle für das Zündpotential auch den Strom
zum Durchbrennen. In Fig. 3 ist die Anordnung nach Fig. 1 und in
Fig. 4 die nach Fig. 2 erweitert auf zwei Abgleich- bzw. Pro
grammierfunktionen. Fig. 5 zeigt zwei Abgleich- bzw. Pro
grammierfunktionen, davon je eine nach Fig. 1 und Fig. 2. In Fig.
6 wird das Zündpotential mittels einer UND-Verknüpfung aus zwei
Zündpotentialen gewonnen; in Fig. 7 ist dagegen dargestellt, wie
sich mittels eines Inverters mit einem Anschluß zwei Abgleich- bzw.
Programmierfunktionen bedienen lassen. In den Fig. 8 und 9 sind
die regulären Anschlüsse um einen zusätzlichen Anschluß für Zünd
potentiale erweitert. Die Fig. 10 schließlich zeigt die komplette
Schaltung des Schaltungsblocks 3 eines im einzelnen ausgeführten
Beispiels.
In Fig. 1 sind 61 der positive Pol und 64 der negative Pol der Be
triebsspannungsquelle für die integrierte Schaltung 1; beide
Anschlüsse sind auch in den Schaltungsblock 3 geführt als Quelle für
den Strom zum Durchbrennen. Das Zündpotential ist beispielsweise an
die Anschlüsse 62, 64; 62, 61 oder aber gegen beliebig andere
Anschlußpaare zu legen. Der Schaltungsblock 3 greift über die
Leitung 8 auf den regulären Schaltungsblock 2 ein, um dort einen
Abgleich, eine Programmierfunktion oder dgl. zu verändern. Dabei
kann die Spannung der Betriebsspannungsquelle im Bereich der
regulären Betriebsspannung liegen. Sie kann aber auch erheblich
höher gewählt werden, insbesondere dann, wenn sie synchron zum
Zündpotential nur kurzzeitig angelegt wird.
Nach Fig. 2 kann die Quelle für das Zündpotential gleichzeitig
auch den Strom zum Durchbrennen liefern. Die Anschlüsse 61, 64
können wie in Fig. 1 wieder der positive und negative Pol der
Betriebsspannung oder aber auch beliebig andere Anschlüsse der
integrierten Schaltung sein.
In den Fig. 3 bis 5 ist gezeigt, wie sich Anordnungen nach den
Fig. 1 und 2 erweitern und kombinieren lassen auf zwei
Schaltungsblöcke 31, 32; das Vorgehen läßt sich grundsätzlich auf
weitere Schaltungsblöcke 33, 34, . . , anwenden.
In Fig. 6 wird der Schaltungsblock 3 über die Leitung 7 mit einem
Zündpotential getriggert, das durch Verknüpfen von zwei gleichzeitig
anzulegenden Zündpotentialen - Anschlüsse 62, 63 - gebildet ist.
Dieses Vorgehen kann auch dann große Sicherheit gegen ungewolltes
Zünden des Schaltungsblocks 3 bieten, wenn den regulären
Betriebspotentialen Störgrößen überlagert sind. Ist sichergestellt,
daß die Betriebspotentiale von zwei Anschlüssen Potentialbereiche
aufweisen, die nicht gleichzeitig durchlaufen werden, so können die
Zündpotentiale auch innerhalb des regulären Betriebsbereichs liegen.
Das Verfahren läßt sich auch auf die Verknüpfung von mehr als zwei
Anschlüssen ausdehnen.
In einer Anordnung nach Fig. 7 ist mittels des Inverters 5 sym
bolisch angedeutet, wie sich mittels nur eines Anschlusses 65 zwei
Schaltungsblöcke 31 und 32 ansteuern lassen, beispielsweise durch
positive und negative Polarität der beiden Zündpotentiale.
Durch nur einen zusätzlichen Anschluß 67 lassen sich, wie bereits
eingangs erwähnt, Probleme vermeiden. Fig. 8 zeigt ein mögliches
Ausführungsbeispiel, wobei beispielsweise die Zündpotentiale für den
Schaltungsblock 31 an die Anschlüsse 67, 61 und für den Schaltungs
block 32 an die Anschlüsse 67, 65 anzulegen sind. In Fig. 9 ist
wieder beispielhaft ein Inverter 5 eingeführt, wodurch über den An
schluß 67 beide Schaltungsblöcke 31 und 32 mit je einem positiven
und negativen Zündpotential zu bedienen sind.
In dem ausgeführten Beispiel nach Fig. 10 ist die Eingangsschaltung
eines steuerbaren, durch Abgleiche beim Waferproben eng tolerierten
Stromreglers wiedergegeben. Die Steigung seiner Transferkennlinie
läßt sich nachträglich mit dem Verfahren gemäß der Erfindung korri
gieren, in diesem Fall geringfügig absenken. Es bedeuten 62 den
Masseanschluß der integrierten Schaltung, 61 den Anschluß für die
zwischen Null und +7,5 V variierende Steuerspannung. 10 ist die
Brennstrecke, 11× sind Widerstände, und zwar 112, 113 ein Spannungs
teiler, durch den die Steigung der Transferkennlinie bestimmt wird.
Sein Abgriff ist durch die Leitung 9 mit der eigentlichen Regler
schaltung verbunden. 111 ist der Korrekturwiderstand, dem die Brenn
strecke 10 parallelgeschaltet ist. Der Spannungsteiler mit den
Widerständen 114, 115 dient zum Festlegen des Zündpotentials. 116
ist der Basisbahnwiderstand des NPN-Transistors 14 im Zündkreis des
planaren Thyristors 15, der in Reihe zur Brennstrecke 10 zwischen
den Anschlüssen 61, 62 liegt. Der Widerstand 117 verbindet das
kathodenseitige Gate des Thyristors 15
mit seiner Kathode und bestimmt so den Zündstrom mit, der vom Tran
sistor 14 zum anodenseitigen Gate fließen muß, um die Zündung auszu
lösen. Neben dem Spannungsteiler 114, 115 wird das Zündpotential
hauptsächlich noch bestimmt durch die Z-Diode 132, der noch die
Diode 131 in Reihe liegt, um den Zweig zum Zünden im Bereich der
regulären Steuerspannung an den Anschlüssen 61, 62 aufzutrennen. Mit
12 ist ein Sperrschichtkondensator bezeichnet.
Der Schaltungsblock 3 arbeitet nach dem Prinzip von Fig. 2, d. h.,
daß die Quelle für das Zündpotential auch den Strom zum Durchbrennen
der Brennstrecke 10 liefert, wobei der Anschluß 62 positiv und der
Anschluß 61 negativ ist. Als Quelle für das Zündpotential dient der
Stoßkondensator 17, dessen Stoßstrom durch den niederohmigen Wider
stand 118 begrenzt ist; er wird von der Spannungsquelle 16 über den
hochohmigen Widerstand 119 auf ca. 40 V aufgeladen. Um die Steigung
der Transferkennlinie zu reduzieren, wird der Stoßkondensator
mittels des Schalters 20 auf die Anschlüsse 61, 62 geschaltet. Es
fließt Strom im Zündkreis des Thyristors, von dem Anschluß 62 durch
den Widerstand 116 zur Basis des Transistors 14, weiter zu dessen
Emitter, parallel durch die Anode des Thyristors 15 und das anoden
seitige Gate zum Kollektor des Transistors 14, dann weiter durch die
Z-Diode 132, die Diode 131 und den Widerstand 114 zum Anschluß 61.
Selektionsmittel in dieser Schaltung sind die Diode 131 und die
Z-Diode 132, ergänzt durch das aus den Widerständen 114, 115 und dem
Kondensator 12 gebildete Integrierglied. Letzteres ist erforderlich,
da die Anschlüsse 61, 62 mit einem relativ langen Kabel verbunden
sind, auf dem im hochfrequenten Störfeld Amplituden bis zu 20 V
influenziert werden. Diese würden ausreichen, den Thyristor 15 leit
fähig zu machen und so die Funktion des Stromreglers zu stören. Die
Brennstrecke wäre bei dem zu erzielenden geringen Strom nicht ge
fährdet.
Claims (13)
1. Integrierte Schaltung, insbesondere monolithisch integrierte
Schaltung, von der im verpackten Zustand mindestens ein Kennwert
und/oder mindestens eine Funktion veränderbar ist, dadurch gekenn
zeichnet, daß zum Verändern des mindestens einen Kennwerts und/oder
der mindestens einen Funktion Mittel zum Durchbrennen von Leiter
bahnen oder zum Kurzschließen von Schaltungselementen vorgesehen
sind, die über wenigstens zwei (61, 64) der nach außen führenden
regulären Anschlüsse (61, 62, 63, 64, 65, 66) der integrierten
Schaltung (1) durch Anlegen mindestens eines Zündpotentials betätig
bar sind.
2. Integrierte Schaltung, insbesondere monolithisch integrierte
Schaltung, mit nach außen führenden regulären Anschlüssen, von der
im verpackten Zustand wenigstens zwei Kennwerte und/oder wenigstens
zwei Funktionen durch Mittel zum Durchbrennen von Leiterbahnen oder
zum Kurzschließen von Schaltungselementen veränderbar sind, dadurch
gekennzeichnet, daß außer den nach außen führenden regulären An
schlüssen wenigstens ein zusätzlicher Anschluß (67) vorgesehen ist
in Verbindung mit logischen Verknüpfungsgliedern zum Ansteuern der
Mittel zum Durchbrennen von Leiterbahnen oder zum Kurzschließen von
Schaltungselementen.
3. Integrierte Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das mindestens eine Zündpotential außerhalb des während des Be
triebszustands der integrierten Schaltung an den betreffenden An
schlüssen liegenden regulären Potentialbereichs ist.
4. Integrierte Schaltung nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch
mindestens ein den Mitteln zum Durchbrennen von Leiterbahnen bzw.
zum Kurzschließen von Schaltungselementen vorgeschaltetes Se
lektionsmittel zum Abtrennen des Zündpotentials von den während des
Betriebszustands der integrierten Schaltung an den betreffenden An
schlüssen liegenden regulären Potentialen.
5. Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüche 1 oder 3 oder 4,
dadurch gekennzeichnet, daß zum Auslösen eines Abgleich- bzw.
Funktionsänderungs-Vorgangs mindestens zwei Zündpotentiale vor
gesehen sind, die durch Mittel innerhalb der integrierten Schaltung
logisch verknüpft sind.
6. Integrierte Schaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet,
daß zum Auslösen eines Abgleich- bzw. Funktionsänderungs-Vorgangs
mindestens zwei Zündpotentiale vorgesehen sind, die durch Mittel
innerhalb der integrierten Schaltung logisch verknüpft sind, wobei
mindestens eines der Zündpotentiale innerhalb des während des Be
triebszustands der integrierten Schaltung an den betreffenden An
schlüssen liegenden regulären Potentialbereichs ist.
7. Integrierte Schaltung, insbesondere monolithisch integrierte
Schaltung, von der wenigstens zwei Kennwerte und/oder Funktionen im
verpackten Zustand veränderbar sind durch Mittel zum Durchbrennen
von Leiterbahnen oder zum Kurzschließen von Schaltungselementen,
nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel innerhalb der
integrierten Schaltung zum logischen Verknüpfen von mindestens zwei
Zündpotentialen vorgesehen sind.
8. Integrierte Schaltung, insbesondere monolithisch integrierte
Schaltung, von der wenigstens zwei Kennwerte und/oder Funktionen im
verpackten Zustand veränderbar sind durch Mittel zum Durchbrennen
von Leiterbahnen oder zum Kurzschließen von Schaltungselementen,
nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
zwei verschiedene Zündpotentiale über einen Anschluß zum Auslösen
von zwei Abgleich- bzw. Funktionsänderungs-Vorgängen in Verbindung
mit Selektionsmitteln vorgesehen sind.
9. Integrierte Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß als Mittel zum Durchbrennen von Leiter
bahnen oder zum Kurzschließen von Schaltungselementen Transistoren
und/oder Thyristoren verwendet sind.
10. Integrierte Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß als Stromquelle zum Durchbrennen von
Leiterbahnen oder zum Kurzschließen von Schaltungselementen die Be
triebsstromquelle der integrierten Schaltung verwendet ist.
11. Integrierte Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß als Stromquelle für die Mittel zum
Durchbrennen von Leiterbahnen oder zum Kurzschließen von Schaltungs
elementen eine Stromquelle vorgesehen ist, die mit den Anschlüssen
für die Betriebsstromquelle der integrierten Schaltung verbunden
ist, und daß ihre Spannung außerhalb des Betriebsspannungsbereichs
liegt.
12. Integrierte Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß als Stromquelle zum Durchbrennen von
Leiterbahnen oder zum Kurzschließen von Schaltungselementen min
destens eine der Zündpotential-Quellen verwendet ist.
13. Integrierte Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß als Selektionsmittel Halbleiterstrecken
mit mindestens einem PN-Übergang, beispielsweise Dioden, Zener
dioden, Transistoren und Thyristoren und/oder Konden
sator-Widerstandskombinationen als Differenzier- oder Integrier
glieder und Kombinationen daraus verwendet sind.
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Family
ID=6453455
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE4207226A Expired - Lifetime DE4207226B4 (de) | 1992-03-07 | 1992-03-07 | Integrierte Schaltung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
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R071 | Expiry of right | ||
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