DE4205803A1 - Emv-kammer und verfahren zur herstellung einer solchen emv-kammer - Google Patents
Emv-kammer und verfahren zur herstellung einer solchen emv-kammerInfo
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- H05K9/0001—Rooms or chambers
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Description
Die Erfindung betrifft eine EMV-Kammer (EMV steht für
elektromagnetische Verträglichkeit) gemäß dem Oberbegriff
des Patentanspruchs 1 sowie ein zugehöriges Verfahren zur
Herstellung einer solchen EMV-Kammer gemäß dem Oberbegriff
des Patentanspruchs 5.
Die Erfindung wird beispielsweise in EMV-Kammern, auch
EMV-Zellen oder Reflexionskammern genannt, eingesetzt und
kommt daher bevorzugt im Bereich der elektromagnetischen
Verträglichkeitsprüfung zur Anwendung.
Geschirmte EMV-Kammern werden häufig mit Absorbern an den
inneren Kammerwandungen der EMV-Kammern ausgekleidet, um
die Reflexionen von den Metallwänden zu unterdrücken.
Hierzu werden bevorzugt pyramidenförmige Absorber aus Po
lyurethanschaum an den Metallwänden fixiert.
Unterhalb von ca. 100-500 MHz sind diese pyramidenförmigen
Polyurethanschaum-Absorber bei ca. 1 m Länge aus elektri
scher Sicht kaum noch wirksam.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine EMV-Kammer
zu schaffen, die elektromagnetische Wellen auch im unteren
MHz-Bereich sowie im KHz- und Hz-Bereich absorbiert, sowie
ein Verfahren zur Herstellung einer solchen EMV-Kammer
anzugeben.
Die Buchstaben Hz stehen für Hertz, K für Kilo und M für
Mega.
Die erfindungsgemäße Lösung ist bezüglich der zu schaffen
den EMV-Kammer durch die kennzeichnenden Merkmale des Pa
tentanspruchs 1 und bezüglich des zu schaffenden Herstel
lungsverfahren durch die kennzeichnenden Merkmale des Pa
tentanspruchs 5 wiedergegeben. Die Unteransprüche 2-4 ent
halten vorteilhafte Aus- und Weiterbildungen der erfin
dungsgemäßen EMV-Kammer.
Der erfindungsgemäße Lösungsgedanke bezüglich der zu
schaffenden EMV-Kammer besteht darin, daß zumindest ein
Teil der Kammerinnenwände, vorzugsweise alle Kammerinnen
wände mit einer Beschichtung aus Widerstandsmaterial ver
sehen ist (sind).
Der erfindungsgemäße Lösungsgedanke bezüglich des zu
schaffenden Verfahrens zur Herstellung der genannten EMV-
Kammer besteht darin, daß die Beschichtung aus Wider
standsmaterial auf die Innenseite der zu beschichtenden
Kammerinnenwände in flüssiger Form aufgetragen wird, vor
zugsweise durch Spritzen oder Anstreichen.
Von Vorteil ist, daß leicht und preiswert EMV-Kammern her
stellbar sind, deren Absorbtionsbandbreite weit über die
der üblichen EMV-Kammern hinausgeht und dabei vor allem
bis hinunter in den Hertzbereich reicht. Ferner sind her
kömmliche EMV-Kammern preiswert umrüstbar.
Exemplarisch sei nachfolgend eine bevorzugte Ausführungs
form der erfindungsgemäßen EMV-Kammer betrachtet.
Die EMV-Kammer ist von ihren Kammerwänden berandet. Ein
Teil dieser Kammerinnenwände bzw. alle Kammerinnenwände
sind mit einer Beschichtung aus Widerstandsmaterial verse
hen. Das Widerstandsmaterial besteht aus einer Emulsion
aus Ni-Cr-Ferritverbindung oder aus einer Ni-Cr-Grafitver
bindung (oder ähnlichen Widerstandsmaterialien), welche z. B.
in flüssiger Form auf die Kammerinnenwandung der Kammer
aufgetragen oder aufgebracht wird und anschließend er
starrt und dadurch eine feste Schicht bzw. Beschichtung
der Kammerinnenwand bildet. Ni steht für Nickel, Cr für
Chrom.
In einer vorteilhaften Ausbildung der erfindungsgemäßen
EMV-Kammer liegt der Wert des Flächenwiderstands des Wi
derstandsmaterials im Bereich von in etwa 100-1000 Ω, vor
zugsweise im Bereich von etwa 250-500 Ω und beträgt in ei
ner besonders bevorzugten Ausführungsform etwa 377 Ω.
Die Absorbtionswirkung der Beschichtung aus Widerstandsma
terial besteht darin, daß die durch das Widerstandsmate
rial durchdringenden Feldstärken in ihr bedämpft werden
und zwar sowohl beim senkrechten Durchtritt durch das Wi
derstandsmaterial, als auch bei einem Durchtritt parallel
zur Kammerwandung, als auch bei einem Durchtritt mittels
induzierter Wirbelströme.
Die Widerstandsbeschichtung soll wegen des Skin-Effekts
mindestens den zwei- bis dreifachen Wert der bekannten
äquivalenten Leitschichtdicke haben. Die Widerstands
schicht kann allein oder in Verbindung mit Absorbern ange
wandt werden.
Claims (5)
1. EMV-Kammer, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest ein
Teil der Kammerinnenwände, vorzugsweise alle Kammerinnen
wände mit einer Beschichtung aus Widerstandsmaterial ver
sehen ist (sind).
2. EMV-Kammer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das Widerstandsmaterial aus Ni-Cr-Partikeln und Fer
ritpartikeln oder Ni-Cr-Partikeln und Grafitpartikeln be
steht.
3. EMV-Kammer nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der Wert des Flächenwiderstands des Widerstandsmate
rial im Bereich von etwa 100-1000 Ω, vorzugsweise im Be
reich von etwa 250-500 Ω insbesondere bei etwa 377 Ω
liegt.
4. EMV-Kammer nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Beschichtung aus
Widerstandsmaterial mindestens doppelt so dick ist wie die
äquivalente Leitschichtdicke.
5. Verfahren zur Herstellung einer EMV-Kammer nach einem
der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die
Beschichtung aus Widerstandsmaterial auf die Innenseite
der zu beschichtenden Kammerinnenwände in flüssiger Form
aufgetragen wird, vorzugsweise durch Spritzen oder An
streichen.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4205803A DE4205803A1 (de) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | Emv-kammer und verfahren zur herstellung einer solchen emv-kammer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4205803A DE4205803A1 (de) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | Emv-kammer und verfahren zur herstellung einer solchen emv-kammer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4205803A1 true DE4205803A1 (de) | 1993-09-02 |
Family
ID=6452563
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4205803A Withdrawn DE4205803A1 (de) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | Emv-kammer und verfahren zur herstellung einer solchen emv-kammer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4205803A1 (de) |
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-
1992
- 1992-02-26 DE DE4205803A patent/DE4205803A1/de not_active Withdrawn
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---|---|---|---|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: DAIMLER-BENZ AEROSPACE AKTIENGESELLSCHAFT, 80804 M |
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8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |