DE4203603A1 - Verfahren zur herstellung eines halbleiterfilms - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines halbleiterfilms

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Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Halbleiterfilms und insbesondere auf ein Verfahren zur Bildung eines poly­ kristallinen Halbleiterfilms mit einer kontrollierten gleichmäßigen Korngröße bei einer niedrigen Temperatur durch ein Kristallwachstum, welches durch einen Ionenstrahl eingeleitet bzw. induziert ist.
Es ist bereits viel über das durch einen Ionenstrahl indu­ zierte Kristallwachstum berichtet worden. Ein Beispiel ist das epitaxiale Wachstum von amorphem Silicium in fester Phase auf einem Siliciumsubstrat durch Ionenimplantation (siehe J. Nakata und K. Kajiyama, Jpn. J. Appl. Phys. 21 (1982) Suppl. 21-1, Seite 211 und viele andere.
Es ist bereits dasselbe Beispiel bezüglich einer Ionen­ implantation in einen Halbleiterfilm auf einem Glassubstrat berichtet worden. Dieses Verfahren ist so ausgelegt, daß die Korngröße eines Silicium- oder Germaniumfilms gesteigert wird, der auf einem Siliciumdioxid-Glassubstrat dadurch ge­ bildet wird, daß eine Silicium- oder Germanium-Ionenimplan­ tation während dessen Erwärmung ausgeführt wird (siehe H. A. Atwater et al., J. Appl. Phys. 64 (1988), Seite 2337).
Es ist auch schon dasselbe Beispiel bezüglich der Her­ stellung eines polykristallinen Halbleiterfilms mit einer kontrollierten gleichmäßigen Korngröße berichtet worden. Der Herstellungsprozeß umfaßt die Bildung eines amorphen Halbleiterfilms, der eine Kristallphase aufweist, und die anschließende Auswahl und/oder Züchten der Kristallphase durch Ionenimplantation.
Die oben erwähnten Verfahren, die Ionenstrahlen verwenden, sind gegenüber anderen Verfahren insofern vorteilhaft, als sie das Wachsen der festen Phase bei niedrigen Tempera­ turen ermöglichen. Deshalb wird bezüglich der betreffenden Verfahren erwartet, daß sie die Verarbeitung von Halblei­ tern bei einer niedrigeren Temperatur als zuvor ermöglichen. Außerdem wird bezüglich der betreffenden Verfahren die Anwendung bei der Herstellung von dreidimensionalen inte­ grierten Schaltungen erwartet. Die Kombination des durch Ionenstrahlen induzierten Kristallwachstums und eines Plasma-CVD-Vorgangs (chemische Dampf-Niederschlagung) ermög­ licht die Bildung eines polykristallinen Halbleiterfilms bei niedrigen Temperaturen.
Eines der oben erwähnten konventionellen Verfahren (das die Bildung eines amorphen Halbleiterfilms durch einen Plasma-CVD-Vorgang, der eine Kristallphase aufweist, und die anschließende Auswahl und/oder das Züchten der Kristall­ phase durch Ionenimplantation umfaßt) weist einen Nachteil insofern auf, als der durch den Plasma-CVD-Vorgang gebildete Film etwa 10% Wasserstoff und/oder Fluor enthält (welches aus dem Ausgangsmaterial SiH4 oder SiF4 im Falle eines Siliciumfilms entsteht). Es hat sich herausgestellt, daß Wasserstoff und Fluor das durch einen Ionenstrahl induzier­ te Kristallwachstum unterbinden. Damit bringt das Vorhanden­ sein von Wasserstoff und Fluor ein ernsthaftes Problem hinsichtlich des Kristallwachstums mit sich. Dies bedeutet, daß der Wasserstoff und Fluor enthaltende Halbleiterfilm ohne Kristallwachstum amorph wird, wenn er mit einem Ionenstrahl unter der Bedingung bestrahlt wird, daß die Kristallphase in einem Halbleiterfilm bei Fehlen von Wasserstoff und Fluor wächst. (Die Bedingung für ein Kristallwachstum wird durch Erwärmen des Substrats auf 50 bis 800°C unter Verwendung einer Heizeinrichtung oder durch Ionenimplantation erzielt, wodurch der Siliciumfilm auf 220°C oder darüber erwärmt wird.)
Der Erfindung liegt demgemäß die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung eines polykristallinen Halb­ leiterfilms bei einer niedrigen Temperatur zu schaffen, die bei dem konventionellen Prozeß überhaupt nicht angewandt worden ist.
Die vorliegende Erfindung ist in einem Verfahren zur Her­ stellung eines Halbleiterfilms durch ein mittels eines Ionenstrahls induziertes Kristallwachstum verkörpert; dieses Verfahren umfaßt das Niederschlagen eines eine Kristallphase enthaltenden amorphen Films durch einen Plasma-CVD-Vorgang, das Ausführen eines Schrittes zum Herausbringen von Wasser­ stoff und/oder Fluor aus dem betreffenden Film und die Auswahl und/oder das Züchten der Kristallphase durch Ionenimplantation.
Anhand von Zeichnungen wird die Erfindung nachstehend bei­ spielsweise näher erläutert; in den Zeichnungen sind die gleichen oder entsprechenden Teile durch dieselben Bezugs­ zeichen bezeichnet.
Fig. 1a, 1b und 1c veranschaulichen in einem Verfahrens-Ablauf­ diagramm eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zur Herstellung eines Halbleiterfilms.
Nunmehr sei eine bevorzugte Ausführungsform detailliert beschrieben.
In Übereinstimmung mit dem erfindungsgemäßen Verfahren wird ein Halbleiterfilm in drei Stufen hergestellt. In der ersten Stufe wird ein eine Kristallphase aufweisender amorpher Halbleiterfilm in einem Plasma-CVD-Vorgang nie­ dergeschlagen. In der zweiten Stufe wird der amorphe Halb­ leiterfilm von Wasserstoff und/oder Fluor befreit, wobei die Kristallphase intakt gelassen wird. In der dritten Stufe erfährt der amorphe Halbleiterfilm ein durch einen Ionenstrahl induziertes Kristallwachstum.
Die Beseitigung von Wasserstoff und/oder Fluor kann durch Erwärmen mittels einer Heizeinrichtung, einer Lampe oder eines Laserstrahls bewirkt werden. Die maximale Entfer­ nungsrate kann bei 400-600°C erzielt werden. Die bevor­ zugte Heiztemperatur ist niedriger als 600°C. Mit anderen Worten ausgedrückt heißt dies, daß die Temperatur niedriger ist als die Temperatur, bei der das gewöhnliche CVD-Verfah­ ren ausgeführt wird. (Die Verarbeitung bei einer niedrigen Temperatur ist das Merkmal der vorliegenden Erfindung.) Die praktisch untere Grenze der Erwärmungstemperatur liegt bei 150°C. Dabei dauert es länger, um Wasserstoff und/oder Fluor bei einer äußerst niedrigen Erwärmungstemperatur freizusetzen.
Nach der Entfernung von Wasserstoff und/oder Fluor wird ein polykristalliner Halbleiterfilm durch ionenstrahl­ induziertes Kristallwachstum gebildet, welches auf einer Ionenimplantation mit einem fokussierten Ionenstrahl oder durch eine Maske basiert. Demgemäß wird ein polykristalli­ ner Halbleiterfilm mit gleichmäßiger Qualität und kontrol­ lierter Größe und Position erhalten.
In Übereinstimmung mit dem Verfahren gemäß der vorliegen­ den Erfindung, welches das Niederschlagen eines Halbleiter­ films durch einen Plasma-CVD-Vorgang und die Bildung von Polykristallen in dem Halbleiterfilm durch ein ionenstrahl­ induziertes Kristallwachstum umfaßt, ist es möglich, einen polykristallinen Halbleiterfilm bei einer niedrigeren Tempe­ ratur als zuvor zu erzeugen.
Darüber hinaus wird in Übereinstimmung mit dem erfindungs­ gemäßen Verfahren der durch einen Plasma-CVD-Vorgang nieder­ geschlagene Halbleiterfilm derart erwärmt, daß Wasserstoff und/oder Fluor aus dem Halbleiterfilm freigegeben werden, da in dem Halbleiterfilm verbleibender Wasserstoff und/oder verbleibender Fluor die Bewegung der Kristalldefekte unter­ binden, was eine bedeutende Rolle bei dem ionenstrahlin­ duzierten Kristallwachstum spielt und somit das Kristall­ wachstum verhindert.
Die Erfindung wird nunmehr unter Bezugnahme auf die Zeichnung detaillierter beschrieben werden.
Fig. 1 veranschaulicht in einem Verfahrens-Ablaufdiagramm eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung (zur Her­ stellung eines Halbleiterfilms). In Fig. 1(a) ist eine Probe 1 dargestellt, die aus einem Substrat 2 aus Silicium­ dioxidglas oder einem alkalischen Erd-Aluminiumoxid-Bor­ silicat-Glas (aus "7059-Glass" der Fa. Corning hergestellt) und einem darauf gebildeten 150 nm dicken amorphen Silicium­ film 4 besteht, der aus Siliciumalkylgas in einem Plasma- CVD-Vorgang gebildet ist. Der amorphe Siliciumfilm 4 weist eine Kristallphase 4 und Wasserstoff 5 auf.
Die Probe 1 wurde in einer Stickstoffatmosphäre bei 400°C drei Stunden lang mittels einer Heizeinrichtung 6 erhitzt, um Wasserstoff 5 aus dem amorphen Siliciumfilm 4 freizu­ setzen, wie dies in Fig. 1(b) veranschaulicht ist. Es zeigte sich durch Infrarot-Absorption, daß diese Wärmebehandlung den Wasserstoffgehalt von etwa 10% auf 1% oder weniger reduzierte.
Anschließend wurde der Probe 1 Silicium 7 durch Ionenimplan­ tation hinzugegeben, um die Kristallphase 3 unter den in Fig. 1(c) veranschaulichten folgenden Bedingungen zu züch­ ten:
Beschleunigungsenergie:|180 keV
Menge der Implantation: 5 × 10¹⁶ Ionen/cm²
Strahlstromdichte: 1 µA/cm²
Substrattemperatur: 350°C
Die Probe wurde mittels eines Durchstrahlungs-Elektronen­ mikroskops betrachtet und durch Durchstrahlungs-Elektronen­ strahlbeugung vor und nach der Ionenimplantation überprüft.
Es zeigte sich dabei, daß der Siliciumfilm 4 von einem die Kristallphase mit einer Größe von etwa 30 nm ent­ haltenden amorphen Film in einen polykristallinen Silicium­ film 9 geändert worden war, der aus Kristallkörnern 8 mit einer Größe von etwa 200 nm bestand.
Zum Vergleich wurde dieselbe Prozedur, wie sie oben erwähnt worden ist, bis auf die Wärmebehandlung wiederholt. Es zeigte sich, daß der Siliciumfilm 4 amorph geblieben war und daß die Kristallphase nach der Ionenimplantation verschwunden war.
Wie oben erwähnt, umfaßt das Verfahren gemäß der vorliegen­ den Erfindung den zusätzlichen Schritt der Freisetzung von Wasserstoff und/oder Fluor aus dem die Kristallphase aufweisenden niedergeschlagenen amorphen Film. Aufgrund dieses zusätzlichen Schrittes ermöglicht das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung die Herstellung eines polykristallinen Halbleiterfilms bei einer niedrigeren Temperatur als zuvor, ohne das Wachstum der Kristallphase zu unterdrücken. Mit Hilfe des Verfahrens gemäß der wor­ liegenden Erfindung ist es möglich, solche Substrate zu verwenden, die bei dem eine hohe Temperatur benötigenden, konventionellen Verfahren für Halbleiter nicht geeignet bzw. brauchbar waren, da diese einer thermischen Verformung und Diffusion der sie bildenden Elemente unterworfen sind. Somit kann das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zur Bildung von polykristallinen Dünnfilm-Transistoren für eine Flüssigkeitskristallanzeige auf einem Glassubstrat angewandt werden, welches einen niedrigen Glasumwandlungs­ punkt aufweist, der für das konventionelle Verfahren nicht geeignet ist. Darüber hinaus kann das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung zur Herstellung von dreidimensiona­ len integrierten Schaltungen angewandt werden.

Claims (1)

  1. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterfilms durch ein ionenstrahlinduziertes Kristallwachstum, dadurch gekennzeichnet,
    daß mittels eines Plasma-CVD- Verfahrens ein eine Kristallphase enthaltender amorpher Film niedergeschla­ gen wird,
    daß ein Schritt zur Freisetzung von Wasserstoff und/oder Fluor aus dem betreffenden Film durchgeführt wird
    und daß die Kristallphase durch Ionenimplantation ausge­ wählt und/oder gezüchtet wird.
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