DE4201612A1 - Verfahren zur galvanischen metall- und legierungseinbringung in glas- oder glaskeramikkoerper und zum fuegen von metall mit glas bzw. glaskeramik - Google Patents

Verfahren zur galvanischen metall- und legierungseinbringung in glas- oder glaskeramikkoerper und zum fuegen von metall mit glas bzw. glaskeramik

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur galvanischen Metall- oder Legierungseinbringung in Glas- oder Glaskeramikkörper und zum Fügen von Metall mit Glas bzw. Glaskeramik.
Mit dem nachfolgend beschriebenen Verfahren wird eine spannungsarme Verbindung von Glas mit Metall realisiert. Verwendet man einen mikrostrukturierten Glaskeramikkörper, ist eine Fertigung von Mikrobaugruppen mit speziellen mechanischen, elektrischen und magnetischen Eigenschaften möglich.
Wird eine Hohlraumausfüllung- und/oder Hohlraumschaffung mehrere Male nacheinander durchgeführt, entstehen Mehrmetall- oder freie Metallstrukturen.
Glas- oder Glaskeramiksubstrate für die Elektrotechnik/Elektronik können mit isolierten Metalleinlagerungen, Leiterbahnen, Kontakt- und Kühlflächen durch ein und dasselbe Verfahren versehen werden.
Mit dem Verfahren ist des weiteren eine Gütekontrolle der eingebrachten Hohlräume möglich, indem die durchgehenden Hohlräume mit Metall ausgefüllt werden, anschließend der Glaskörper (z. B. durch Ätzen) entfernt wird und eine Beurteilung der freistehenden Metallstrukturen (z. B. REM) erfolgt.
Bekannt sind vielfältige Verfahren zur Aufbringung von Metallen auf die Oberfläche von Substraten jeglicher Art.
Speziell zur Metallisierung von Glas und Keramik sind Drucken mit mit Metall gefüllten Pasten oder Lacken, Zersetzung metallorganischer Verbindungen, Abscheiden von Metallschichten aus der Gasphase und naßmechanische Verfahren bekannt und teilweise verbessert bzw. weiterentwickelt worden (z. B. DE 40 23 619, DE 39 28 435).
Gemäß DE 37 10 190 und DE 39 22 233 ist mit Hilfe verschiedener Fotoverfahren ein selektives Aufbringen von Strukturen, vorzugsweise zum Zweck der Realisierung von Leiterbahnen, möglich.
Weiterhin gibt es Verfahren, die sich aus der Kombination Dickschichttechnik und galvanische Verstärkung der Metallschicht ableiten (z. B. DE 34 33 251).
Bei vorstehend genannten Verfahren, die ein Aufbringen von Metallen, leitfähigen Strukturen oder ähnlichem auf die Oberfläche eines Substrates beinhalten, ist die Haftung der aufgebrachten Schicht unsicher. Vielfach machen sich komplizierte Behandlungsverfahren der Oberfläche, Haftvermittler oder Adhäsionsmittel erforderlich. Es ist nur bedingt möglich, sehr feine Leiterzüge mit großem Querschnitt, verschleißfeste Kontakte und voluminöse Metallflächen (z. B. als Kühlflächen) mit dem gleichen Verfahren herzustellen. Bei einem weiteren bekannten Verfahren wird Metall- oder Metalloxidpulver auf die Oberfläche eines Glassubstrates aufgebracht, das Substrat über die Erweichungstemperatur erwärmt und das Metallpulver eingedrückt (DE 32 31 181). Dieses Verfahren beseitigt Haftungsprobleme auf der Substratoberfläche, jedoch sind die zu erreichenden Strukturbreiten und die Genauigkeit der Strukturen für Anwendungen in der Mikrosystemtechnik nicht ausreichend.
Dieses Verfahren kann nicht für Teile von Funktionseinheiten, Kühlflächen oder ähnliches genutzt werden.
Neben dem Aufbringen von Leiterbahnen ist bei einer anderen Gruppe von Lösungen (z. B. DE 39 28 832, DE 38 06 884) ein Durchkontaktieren möglich.
Diese Lösungen beziehen sich im wesentlichen auf polymere oder keramisches Trägermaterial und sind für die Herstellung von Leiterplatten, nicht aber für die Anwendung in der Mikrosystemtechnik, geeignet.
DE 31 21 131 beschreibt ein Verfahren, mit dem Leiterbreiten von 50 bis 100 Mikrometer zu realisieren sind und ein Durchkontaktieren möglich ist. Es kommt das Substraktionsverfahren zur Anwendung. Daraus ergibt sich das Problem, daß ein vollständig mit Metall beschichtetes Substrat nötig ist. Das Problem reduziert sich auf diese Metallbeschichtung, was einen Einsatz dieses Verfahrens für traditionelle Leiterplatten, nicht aber für Glassubstrate in der Mikrosystemtechnik rechtfertigt.
Eine Metallfüllung von Durchgangslöchern (0,33 mm Durchmesser) eines Al₂O₃-Substrates wird in DE 39 36 322 beschrieben.
Das Verfahren beruht auf dem Prinzip des Aufspachtelns von Metallpasten und einem nachfolgenden Sintern. Die eingebrachte Metallstruktur dient zur Wärmeabfuhr einer Hybrid-Mikroschaltung durch das Substrat hindurch. Für eine Realisierung feinster Leiterzüge ist es nur bedingt geeignet.
Ein Verfahren zum Aufbringen von Kontaktstellen auf die Oberfläche von Glassubstraten wird in DE 37 40 741 vorgestellt. Dieses Verfahren stellt eine Weiterentwicklung bereits behandelter Verfahren dar, bei dem der Schwerpunkt auf der Lötfähigkeit der aufgebrachten Strukturen liegt.
In DE 37 40 741 wird ein Verfahren beschrieben, bei dem Leiterstrukturen in Nuten eines Substrates, vorzugsweise aus Al₂O₃, die auf der Oberfläche angeordnet sind, eingebracht werden. Die Haftung der Leiterstrukturen erfolgt über eine geeignete Wahl der Nutengeometrie.
Ein Nachteil dieses Verfahrens ist es, daß die Leiterstrukturen nur auf der Oberfläche, bis in eine geringfügige Tiefe des Substrates, vorhanden sind, was sich sehr nachteilig auf die Wärmeabfuhr von Funktionseinheiten, für welche große durchgehende Metallflächen günstiger sind, auswirkt. Die Schaffung von freien Strukturen wird durch das verwendete Al₂O₃-Substrat relativ kompliziert, wenn nicht unmöglich. Des weiteren wird der verwendete Effekt der Abscheidung auf drei Seiten der Nuten, bei Nuten mit sich sehr stark unterscheidenden Breiten nicht zum vollständigen Ausfüllen der Nuten führen, was bedeutet, daß das Verfahren nur für bestimmte Nutenbreiten ohne größere Variation zum Einsatz kommen kann.
Aufgabe der Erfindung ist die Bereitstellung eines Verfahrens, mit dem Metall-Glas-Verbundkörper zur umfassenden Anwendung hergestellt werden können, wobei sowohl Makro- als auch Mikrometallstrukturen und Metallstrukturen mit extremem Aspektverhältnis mit ein und demselben Verfahren herzustellen sind, eine feste formschlüssige Verbindung Glas-Metall gegeben ist und die Möglichkeit einer Mehrfachstrukturierung besteht.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit den in den Ansprüchen 1 bis 7 angegebenen Merkmalen gelöst.
Dabei werden Glas- oder Glaskeramikkörper mit eingebrachten oder bereits vorhandenen durchgehenden Hohlräumen und einer Dicke von wenigen Mikrometern bis einigen Millimetern mit einer Metallschicht oder Metallfolie in Verbindung gebracht, wobei dies durch Anpressen, Kleben mittels spezieller Verfahren oder auf andere geeignete Weise erfolgen kann, die Glas- oder Glaskeramikkörper mittels einer Halterung in das Elektrolysebad eingebracht und die Strukturen durch galvanische Metallabscheidung gefüllt werden.
Nach der vollständigen Ausfüllung aller Strukturen wird der Glas- oder Glaskeramikkörper entnommen, gespült und je nach Verwendungszweck einer Nachbehandlung unterzogen. Ein besonderer Haftungseffekt des in das Substrat eingebrachten Werkstoffes wird durch eine Ausfüllung von kleinsten geometrischen Bezirken in den Seitenwänden der Strukturen erzielt. Als Herstellungsverfahren für die Strukturen kommen Ätzverfahren, Laserbearbeitung oder ähnliches zur Anwendung, vorausgesetzt, mit dem verwendeten Verfahren wird eine ausreichende Oberflächenstrukturierung der Seitenwände und ein durchgehender Hohlraum erreicht.
Die Ausfüllung dieser Mikrostruktur mit Metallen sowie ein nachfolgender Temperprozeß und damit eine Verstärkung der Haftung Glas-Metall durch Diffusion wirken sich positiv auf die mechanische und thermische Stabilität des Glas-Metall- Verbundes aus.
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbesondere darin,
daß unterschiedlichste Geometrien der Hohlräume mit ein und demselben Verfahren gleichzeitig auszufüllen sind (großes Aspektverhältnis, große Flächen, feinste Hohlraumbreiten),
daß immer wieder auftretende Haftungsprobleme bei der Aufbringung von Metallen auf die Oberfläche von Gläsern durch eine formschlüssige Verbindung Metall-Glas an den Hohlraumseitenwänden, die nach einem Temperprozeß durch Diffusion verstärkt werden kann, gelöst werden,
daß eine vielfältige Schutzfunktion des Glas- oder Glaskeramikkörpers für eingebrachte Metalle, insbesondere gegen mechanische Beschädigung, infolge der Einbringung ins Volumen besteht,
daß eine Verbindung der signifikanten Eigenschaften beider Werkstoffe in einem Körper (z. B. guter elektrischer Leiter - Isolator) möglich wird,
daß die Variation der Gläser und Metalle nur dahingehend eingeschränkt ist, daß die Gläser durchgehende Hohlräume aufweisen müssen und die Metalle bzw. Legierungen galvanisch abscheidbar sein müssen,
daß es möglich ist, in ein und demselben Hohlraum verschiedene Metalle/Legierungen mit völlig unterschiedlichen Eigenschaften schichtweise einzubringen,
daß in einem zweiten Ätzprozeß freigelegte Metallstrukturen mechanische, elektrische und/oder magnetische Funktionen übernehmen können und
daß ein mechanisch und thermisch belastungsarmes Verbinden von Metall mit Glas möglich wird, was zu einer relativ spannungsarmen Fügestelle führt.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. In den zugehörigen Zeichnungen sind dargestellt:
Fig. 1: Probenhalter,
Fig. 2: Schema der Kupferabscheidung in Hohlräumen (senkrechte Seitenwände),
Fig. 3: Schema der Kupferabscheidung in Hohlräumen (schräge Seitenwände).
Im ersten Ausführungsbeispiel wird die galvanische Einbringung von Kupfer in ein strukturiertes Substrat von 60 Millimeter Durchmesser zur Verwendung als Leiterzüge mit verschiedenen Querschnitten näher beschrieben.
Die elektrische Kontaktierung wird in diesem konkreten Anwendungsfall mittels einer Kupferfolie vorgenommen. Diese wird durch elektrolytisches Glänzen, alkalisches Entfetten und Dekapieren in geeigneten speziellen Bädern vorbehandelt. Das strukturierte Glassubstrat und die vorbehandelte Folie werden in einen Probenhalter, dargestellt als Fig. 1, eingelegt.
Durch das Verschrauben des Probenhalters werden ein Andrücken der Metallfolie an das Substrat durch die Platte 4 und die Feder 5 und über die Kathode 2, die Feder 5 sowie den Anschluß 6 die elektrische Kontaktierung realisiert. Ein Abdichten erfolgt durch Anpressen der Dichtung 3 an das Gehäuse 1.
Der Probenhalter wird in den Kupferelektrolyt eingebracht, und die Abscheidung erfolgt.
Nach vollständigem Ausfüllen aller Hohlräume wird das Substrat entnommen und gespült. Es schließen sich Arbeitsgänge zur Entfernung von Überwachsungen und der Metallfolie an.
Im zweiten Ausführungsbeispiel wird das "Nageln" einer Glasakeramikplatte an eine Kupferplatte beschrieben.
Eine Kupferplatte beliebiger Dicke und Größe wird durch elektrolytisches Glänzen, alkalisches Entfetten und Dekapieren vorbehandelt.
In eine Scheibe aus strukturierbarer Glaskeramik werden an den gewünschten "Nagelstellen" runde durchgehende Hohlräume eingebracht.
Die Glaskeramikplatte ist auf geeignete Weise an die Metallplatte anzudrücken. Ist die Metallplatte größer als die Glaskeramikplatte, werden die überstehenden Strukturen mit üblichen Mitteln isoliert.
Diese Anordnung wird in einen galvaniküblichen Kupferelektrolyten eingebracht, und die Abscheidung erfolgt (Fig. 2) beginnend an der kathodisch kontaktierten Kupferplatte 7 in den durchgehenden Hohlraum 8 des Glaskeramikkörpers 9 hinein. Ist der Hohlraum vollständig mit Metall ausgefüllt, beginnt infolge der primären Feldverteilung an den mit Kupfer gefüllten Hohlräumen die Ausbildung einer kugelförmigen Überwachsung 10.
Bei Erreichen der gewünschten Größe der Überwachung ist die Abscheidung abzubrechen.
Wird eine Strukturierung der Glaskeramikplatte entsprechend Fig. 3 durchgeführt, wird bei rechtzeitigem Abbrechen der Abscheidung (bevor die Oberkante 11 erreicht ist) eine versenkte Ausführung des "Nagelkopfes" möglich.
Im Ergebnis der Abscheidung entsteht eine mechanisch feste, formschlüssige Verbindung zwischen Glas- und Metallplatte, die infolge der galvanischen Metallabscheidung keine zusätzlichen Spannungen im Glas hervorruft.

Claims (7)

1. Verfahren zur galvanischen Metall- oder Legierungseinbringung in Glas- oder Glaskeramikkörper und zum Fügen von Metall mit Glas bzw. Glaskeramik, dadurch gekennzeichnet, daß
  • - sich durchgehende Hohlräume in einem Glas- oder Glaskeramikkörper befinden, wobei
  • - an dem Glas- oder Glaskeramikkörper zur kathodischen Kontaktierung eine Metallschicht als Substrat, vorzugsweise in Form einer Metallfolie, angebracht wird und
  • - die Ausfüllung der Hohlräume mit Metallen oder Legierungen an der kathodisch kontaktierten Basisfläche der Hohlräume beginnt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bereits vorhandene oder gezielt geschaffene Hohlräume verschiedenster Geometrie, auch mit extremem Aspektverhältnis, mit Metall gefüllt werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Werkstoffverbindung Glas-Metall formschlüssig, unter Nutzung der freigeätzten Mikrostruktur des Glases, ist und nach einem Temperprozeß durch Diffusion verstärkt werden kann.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß schichtweise verschiedene Metalle und/oder Legierungen in die Hohlräume eingebracht werden.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat nach der galvanischen Behandlung entfernt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Grenzfläche zwischen den Werkstoffen frei- bzw. der Glas- oder Glaskeramikkörper weggeätzt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die neu entstehenden Hohlräume erneut mit galvanisch abscheidbaren Metallen ausgefüllt werden.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19746871A1 (de) * 1997-10-23 1999-04-29 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum galvanischen Fügen von Funktionsteilen
EP1667509A1 (de) * 2003-09-09 2006-06-07 Hoya Corporation Verfahren zur herstellung einer doppelseitigen bedruckten glastafel
DE102011106294A1 (de) * 2011-07-01 2013-01-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur wiederlösbaren, stoffschlüssigen Verbindung mindestens zweier Körper und dessen Verwendung sowie entsprechende Verbundsysteme

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT24922B (de) * 1905-04-12 1906-07-10 Fritz Moldenhauer Verfahren zur Vereinigung von Glasstücken, insbesondere von Glasplatten oder dgl. auf galvanischem Wege.
DE3121131A1 (de) * 1981-05-27 1983-06-01 AEG-Telefunken Nachrichtentechnik GmbH, 7150 Backnang Verfahren zur herstellung von mit leiterbahnen versehenen schaltungsplatten mit metallischen durchkontaktierungen
DE3433251A1 (de) * 1984-08-16 1986-02-27 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zur herstellung von galvanischen lotschichten auf anorganischen substraten
DE3710190A1 (de) * 1987-03-27 1988-10-13 Licentia Gmbh Verfahren zum aufbringen eines loetfaehigen leiterbahnenmusters
DE3806884C1 (en) * 1988-03-03 1989-09-21 Blasberg-Oberflaechentechnik Gmbh, 5650 Solingen, De Through-plated contact printed circuit and method for fabricating it
DE3740741C2 (de) * 1987-12-01 1989-09-21 Interpane Entwicklungs- Und Beratungsgesellschaft Mbh & Co Kg, 3471 Lauenfoerde, De
DE3936322A1 (de) * 1988-11-03 1990-05-10 Micro Strates Inc Keramisches substrat mit metallgefuellten durchgangsloechern fuer hybrid-mikroschaltungen und verfahren zu deren herstellung
DE3922233A1 (de) * 1989-07-06 1991-01-17 Guenter Link Verfahren zur abscheidung von metallen aus metallorganischen verbindungen mittels photonenstrahlung
DE3928435A1 (de) * 1989-08-24 1991-02-28 Schering Ag Verfahren zur direkten metallisierung eines nicht leitenden substrats
DE3928832A1 (de) * 1989-08-31 1991-03-21 Blasberg Oberflaechentech Durchkontaktierte leiterplatte mit resist sowie verfahren zur herstellung derselben
DE4023619A1 (de) * 1990-07-25 1991-09-19 Daimler Benz Ag Verfahren zur metallisierung von anorganischem oder organischem substratmaterial

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT24922B (de) * 1905-04-12 1906-07-10 Fritz Moldenhauer Verfahren zur Vereinigung von Glasstücken, insbesondere von Glasplatten oder dgl. auf galvanischem Wege.
DE3121131A1 (de) * 1981-05-27 1983-06-01 AEG-Telefunken Nachrichtentechnik GmbH, 7150 Backnang Verfahren zur herstellung von mit leiterbahnen versehenen schaltungsplatten mit metallischen durchkontaktierungen
DE3433251A1 (de) * 1984-08-16 1986-02-27 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zur herstellung von galvanischen lotschichten auf anorganischen substraten
DE3710190A1 (de) * 1987-03-27 1988-10-13 Licentia Gmbh Verfahren zum aufbringen eines loetfaehigen leiterbahnenmusters
DE3740741C2 (de) * 1987-12-01 1989-09-21 Interpane Entwicklungs- Und Beratungsgesellschaft Mbh & Co Kg, 3471 Lauenfoerde, De
DE3806884C1 (en) * 1988-03-03 1989-09-21 Blasberg-Oberflaechentechnik Gmbh, 5650 Solingen, De Through-plated contact printed circuit and method for fabricating it
DE3936322A1 (de) * 1988-11-03 1990-05-10 Micro Strates Inc Keramisches substrat mit metallgefuellten durchgangsloechern fuer hybrid-mikroschaltungen und verfahren zu deren herstellung
DE3922233A1 (de) * 1989-07-06 1991-01-17 Guenter Link Verfahren zur abscheidung von metallen aus metallorganischen verbindungen mittels photonenstrahlung
DE3928435A1 (de) * 1989-08-24 1991-02-28 Schering Ag Verfahren zur direkten metallisierung eines nicht leitenden substrats
DE3928832A1 (de) * 1989-08-31 1991-03-21 Blasberg Oberflaechentech Durchkontaktierte leiterplatte mit resist sowie verfahren zur herstellung derselben
DE4023619A1 (de) * 1990-07-25 1991-09-19 Daimler Benz Ag Verfahren zur metallisierung von anorganischem oder organischem substratmaterial

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19746871A1 (de) * 1997-10-23 1999-04-29 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum galvanischen Fügen von Funktionsteilen
DE19746871C2 (de) * 1997-10-23 2000-05-25 Bosch Gmbh Robert Verwendung eines Fügeverfahrens zum Verbinden eines Rotors und einer Rotorwelle eines Mikroschrittmotors
EP1667509A1 (de) * 2003-09-09 2006-06-07 Hoya Corporation Verfahren zur herstellung einer doppelseitigen bedruckten glastafel
EP1667509A4 (de) * 2003-09-09 2009-05-20 Hoya Corp Verfahren zur herstellung einer doppelseitigen bedruckten glastafel
US7993509B2 (en) 2003-09-09 2011-08-09 Hoya Corporation Manufacturing method of double-sided wiring glass substrate
US8002959B2 (en) 2003-09-09 2011-08-23 Hoya Corporation Manufacturing method of double-sided wiring glass substrate
DE102011106294A1 (de) * 2011-07-01 2013-01-03 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur wiederlösbaren, stoffschlüssigen Verbindung mindestens zweier Körper und dessen Verwendung sowie entsprechende Verbundsysteme

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