DE4137953A1 - Mikrowellenschaltkreis einer josephson-einrichtung und verwendung des schaltkreises - Google Patents
Mikrowellenschaltkreis einer josephson-einrichtung und verwendung des schaltkreisesInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Mikrowellenschaltkreis
einer Josephson-Einrichtung mit einer Anordnung aus mehreren
supraleitenden Wellenleitungsstücken mit jeweils vorbestimmter
longitudinaler Leitungslänge, auf denen jeweils mittels einer
angekoppelten Hochfrequenz(HF)-Quelle eine Welle mit vorbe
stimmter Wellenlänge λ auszubilden ist und die jeweils eine
Vielzahl von Josephson-Elementen aufweisen, sowie mit einer
Hintereinanderschaltung der Josephson-Elemente auf den Wellen
leitungsstücken zu mindestens einem von einem Gleichstrom
durchflossenen Strompfad. Ein derartiger Mikrowellenschalt
kreis geht z. B. aus dem Buch von J. Hinken: "Supraleiter-Elek
tronik: Grundlagen, Anwendungen in der Mikrowellentechnik",
Springer-Verlag 1988, insbesondere Seiten 87 bis 95 hervor.
Die Erfindung betrifft ferner Verwendungen dieses Mikrowellen
schaltkreises.
Josephson-Einrichtungen wie insbesondere Josephson-Spannungs
normale, die auf der Grundlage des sogenannten Wechselstrom-
Josephson-Effektes arbeiten, haben bereits in die Präzisions
meßtechnik Eingang gefunden. Bei diesen Spannungsnormalen
nutzt man die Frequenz-Spannungs-Umsetzung an einem Josephson-
Element aus. Bringt man nämlich ein Josephson-Element in ein
hochfrequentes Wechselfeld der Frequenz f ein, so wird die
interne Josephson-Oszillation durch das externe Wechselfeld
synchronisiert. Dabei treten in der Strom-Spannungs-Kennlinie
Stufen konstanter Spannung, sogenannte Shapiro-Stufen auf, die
auf folgende Weise mit der eingestrahlten HF-Frequenz ver
knüpft sind:
(h = Planck′sches Wirkungsquantum, eo = Elementarladung). Für
eine HF-Frequenz f von etwa 10 GHz beträgt die mit der Sha
piro-Stufe für n = 1 verknüpfte Spannung etwa 20 µV. Da in
diesem Frequenzbereich nur Stufen bis zur Ordnung n ≈ 30
sinnvoll genutzt werden können, sind Serienschaltungen von Jo
sephson-Elementen erforderlich, um z. B. ein 1-V-Spannungsni
veau zu erreichen.
Das aus der eingangs genannten Literaturstelle zu entnehmende
Josephson-Spannungsnormal ist wie folgt aufgebaut: Es enthält
1440 Josephson-Elemente, die in vier als Mikrostreifen gestal
teten Ketten mit jeweiligem Abschlußwiderstand äquidistant
hintereinander angeordnet sind. Zur Erhöhung der Ausgangs
spannung sind die vier Ketten gleichstrommäßig hintereinander
geschaltet. Um eine optimale Mikrowellenanregung der Joseph
son-Elemente gewährleisten zu können, werden die Ketten HF-
mäßig parallel geschaltet. Die entsprechenden Mikrowellen mit
einer Frequenz von 70 oder 90 GHz werden über einen Hohlleiter
und über einen sogenannten Flossenleitungsübergang (finline
taper) auf die einzelnen Mikrostreifen mit den Josephson-Ele
menten als fortlaufende Wellen transformiert (vgl. auch "Appl.
Phys. Lett.", Vol. 47, No. 11, 1.12.1985, Seiten 1222 und
1223).
Der Aufwand für die entsprechende Mikrowellentechnik ist je
doch bei den bekannten Josephson-Spannungsnormalen verhältnis
mäßig hoch. Der für 70 bzw. 90 GHz bekannte Aufbau läßt sich
auch nicht ohne weiteres auf den 10 GHz-Bereich übertragen,
da dann die für den Mikrowellenschaltkreis erforderlichen Ab
messungen zu groß würden.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, den Mikro
wellenschaltkreis für eine Josephson-Einrichtung mit den ein
gangs genannten Merkmalen dahingehend auszugestalten, daß eine
Referenzspannung von z. B. 1 V bei gleichzeitig niedrigen Be
triebsfrequenzen von unter 30 GHz, z. B. von 10 GHz, erzeugt
wird. Hierbei muß insbesondere eine homogene Hochfrequenzanre
gung der in den Mikrowellenschaltkreis integrierten Josephson-
Elemente gewährleistet sein.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß jedes
Wellenleitungsstück als ein Resonator aus wenigstens einem Re
sonatorelement gestaltet ist, der eine Leitungslänge von zu
mindest annähernd dem Ein- oder Mehrfachen der halben Wellen
länge λ aufweist und auf dem eine stehende Welle ausgebildet
ist, und daß die jedem Resonatorelement zugeordneten Joseph
son-Elemente nur in einem Bereich um das mindestens eine Maxi
mum der Schwingungsamplitude der stehenden Welle angeordnet
sind, dessen longitudinalen Grenzen höchstens um einen Betrag
λ/8 von dem Amplitudenmaximum entfernt sind. Dabei wird davon
ausgegangen, daß die longitudinale Ausdehnung jedes einzelnen
Josephson-Elementes durch die entsprechende Ausdehnung seiner
Tunnelbarriere bestimmt ist.
Bei dem erfindungsgemäßen Mikrowellenschaltkreis für eine Jo
sephson-Einrichtung wird demnach eine homogene Anregung der
Josephson-Elemente zu hochfrequenten Schwingungen durch eine
Einbettung (Integration) der Josephson-Elemente in besondere
Resonatorstrukturen erreicht. Dabei werden die Elemente nur am
Ort oder in der Nähe der maximalen Mikrowellenamplitude ausge
bildet. Die mit einem solchen Aufbau verbundenen Vorteile sind
dann insbesondere darin zu sehen, daß dieses Anregungsprinzip
keine Endlast zur Energieabsorption am Ende jedes Resonators
erfordert; zudem sind bei verhältnismäßig niedrigen Betriebs
frequenzen von höchstens 30 GHz, vorzugsweise höchstens
20 GHz, einfachere Formen einer Mikrowelleneinkopplung mög
lich. So kann z. B. der bei dem bekannten Mikrowellenschalt
kreis vorgesehene Flossenleitungsübergang entfallen. Deshalb
läßt sich der erfindungsgemäße Mikrowellenschaltkreis auf die
zu einem Array anzuordnenden Resonatoren und einem zugehörigen
Verteilerschaltungsteil für die Mikrowellenleistung beschrän
ken. Damit ist im Vergleich zu dem bekannten Aufbau eine Ver
einfachung des Schaltkreises verbunden.
Besonders vorteilhaft läßt sich der erfindungsgemäße Mikrowel
lenschaltkreis für ein Josephson-Spannungsnormal oder für eine
Josephson-Potentiometereinrichtung verwenden.
Vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Mikrowel
lenschaltkreises gehen aus den zugeordneten Unteransprüchen
hervor.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnung noch weiter
erläutert. Dabei zeigt Fig. 1 als Prinzipschaltbild einen er
findungsgemäßen Mikrowellenschaltkreis. In den Diagrammen der
Fig. 2 und 3 sind mögliche Wellenformen an einem Resonator
dieses Schaltkreises wiedergegeben. Aus den Fig. 4 und 5
gehen Schnitte durch einen solchen Resonator hervor. Fig. 6
zeigt eine weitere Ausführungsmöglichkeit für einen erfin
dungsgemäßen Mikrowellenschaltkreis. In den Figuren sind sich
entsprechende Teile mit denselben Bezugszeichen versehen.
Der erfindungsgemäße Mikrowellenschaltkreis ist insbesondere
Teil einer Einrichtung zur Erzeugung eines hochpräzisen Span
nungsstandards mit Hilfe von Josephson-Elementen. In den nur
schematisch ausgeführten Figuren der Zeichnung nicht darge
stellte Teile dieser Einrichtung sind der Fachwelt geläufig
(vgl. z. B. das gesamte eingangs genannte Buch oder die Litera
turstellen "IEEE Trans. Magn.", Vol. MAG-23, No. 2, März 1987,
Seiten 883 bis 890 oder "IEEE Trans. Instrum. Meas.", Vol. 39,
No. 6, Dez. 1990, Seiten 972 bis 975 oder "Phys. Stat. Sol.
(a)", Vol. 121, 1990, Seiten K73 bis K75). Ebensogut läßt sich
der Schaltkreis auch für hochpräzise Potentiometer-Einrichtun
gen mit Josephson-Elementen vorsehen (vgl. z. B. das Buch "Sti
mulated Effects in Josephson Devices" (Proceedings of the
Workshop on Stimulated Nonlinear Effects in Josephson Devices,
Capri, IT, 27.-30. Sept. 1988), Hrsg.: M. Russo, G. Costabile,
Scient. Pub. Co., 1990, Seiten 180 bis 206).
In Fig. 1 der Zeichnung ist als Aufsicht der erfindungswe
sentliche Teil eines vorzugsweise in Dünnfilmtechnik zu er
stellenden Mikrowellenschaltkreises S nach der Erfindung für
eine Einrichtung zur Erzeugung eines Spannungsnormals, z. B.
zur Erzeugung einer Standardspannung von 1 V, veranschaulicht.
Auf einem Substrat 2 ist ein Array(Feld) aus einer vorbestimm
ten Anzahl i (i = 1,2 . . .m) von Mikrostreifenresonatoren 3 i
ausgebildet. Diese Resonatoren mit einer Breite b von etwa
0,2 mm verlaufen untereinander parallel unter Einhaltung eines
gegenseitigen Abstandes a in derselben Größenordnung. Sie ha
ben jeweils eine Länge L, die an die Wellenlänge ¬ einer über
ihnen auszubildenden stehenden Mikrowelle mit einer Betriebs
frequenz f von höchstens 30 GHz, vorzugsweise unter 20 GHz an
gepaßt ist. Die Länge L soll dabei zumindest annähernd dem
Ein- oder ganzzahligen Mehrfachen der halben Wellenlänge der
eingestrahlten Mikrowelle entsprechen: L = k′(λ/2) mit
k=1, 2, 3 . . . Dabei wird ein Resonator mit der minimalen
Länge L = λ/2 als ein Resonatorelement 3* betrachtet, so daß
sich Resonatoren mit k <1 aus einer entsprechenden Anzahl k
von ohne Zwischenräume hintereinander angeordneten Resonator
elementen zusammensetzen. Da für das Ausführungsbeispiel gemäß
der Figur k = 1 angenommen ist, werden in diesem Falle die Re
sonatoren 3 i jeweils durch ein einziges Resonatorelement 3*
gebildet. Beispielsweise wäre für eine Frequenz von 10 GHz die
Länge L des Resonatorelementes 3 und damit auch des Resona
tors 3 i ungefähr 1,0 cm. Der genaue Wert für L hängt dabei
über die Phasenausbreitungsgeschwindigkeit insbesondere vom
Dielektrikum der gewählten Isolation des Mikrostreifenresona
tors ab. Bei Verwendung von allgemein üblichen Materialien für
die erfindungsgemäßen Resonatoren liegt die Phasenausbrei
tungsgeschwindigkeit etwa zwischen 1,6·108 m/s und 2,4·108
m/s, so daß dann für Frequenzen f von höchstens 20 GHz die
Wellenlänge λ 0,8 cm bzw. die Leitungslänge L 0,4 cm ist.
Die Wellenverhältnisse an einem Resonator 3 i mit k = 1 sind
aus dem Diagramm der Fig. 2 näher ersichtlich. In Abszissen-
und Ordinatenrichtung sind die Ortskoordinate x längs dieses
Resonators bzw. die Schwingungsamplitude A (jeweils in will
kürlichen Einheiten) aufgetragen. In dem Diagramm sind vier
Wellenkurven für vier verschiedene Zeitpunkte t1 bis t4 einge
zeichnet. Dabei soll die durchgezogene Kurve für t1 die maxi
male Schwingungsamplitude darstellen. Geht man von einer Länge
L=x=λ/2 des Resonators aus, so befindet sich die Maximal
amplitude Amax bei x = λ/4. Nur in einem vorgegebenen Bereich
B um diesen Wert der Ortskoordinate x sollen sich erfindungs
gemäß die einzelnen Josephson-Elemente befinden. Die longitu
dinale Ausdehnung 1 dieses Bereiches in Längsrichtung des Re
sonators soll maximal λ/4, vorzugsweise höchstens λ/5 be
tragen. Für das Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 mit 1 = λ/5
erstreckt sich der Bereich von x = (3/20) λ bis x = (7/20) λ
In diesem Bereich differiert die Schwingungsamplitude der
Kurve für t1 gegenüber Amax vorteilhaft nur um einen Betrag
von höchstens 20 %, so daß die geforderte weitgehend homogene
Anregung der einzelnen Josephson-Elemente gewährleisten ist.
Vorzugsweise wird die Bereichslänge l noch kleiner als λ/5,
beispielsweise λ/6, insbesondere λ/7 gewählt.
Das Diagramm der Fig. 3 unterscheidet sich von dem Diagramm
der vorherigen Figur dadurch, daß ein Resonator mit drei Reso
natorelementen 3 angenommen ist, d. h., daß k = 3 gewählt wur
de. Die Länge L dieses Resonators hat also einen Wert von
(3/2)λ. Dann ergibt sich an dem Resonator zum Zeitpunkt t₁
die dargestellte Kurve der maximalen Schwingungsamplitude. In
diesem Fall sind drei Amplitudenmaxima bei x = λ/4 (mit
Amax), x = (3/4)λ (mit Amax) und x = (5/4) λ (mit Amax) vor
handen, so daß drei Bereiche B1, B2 und B3 für die Anordnung
der Josephson-Elemente gegeben sind. Geht man z. B. davon aus,
daß vom Ort jedes Amplitudenmaximums die beiden longitudinalen
Grenzen jedes der Bereiche B1, B2 und B3 für die Josephson-
Elemente höchstens um einen Wert von λ/10 entfernt sein dür
fen, so erstrecken sich folglich B1 von x = (3/20) λ bis
x = (7/20) λ , B2 von x = (13/20) λ bis x = (17/20) λ und B3 von
x = (23/20) λ bis x = (27/20) λ. Hierbei wurde wie auch bei dem
Diagramm der Fig. 2 angenommen, daß die Längsausdehnung des
einzelnen Resonators von x = 0 bis x = L geht.
Wie ferner aus der Aufsicht der Fig. 1 zu entnehmen ist, läßt
sich über einen geeigneten Verteilerschaltungsteil 4 die von
einer Mikrowellenquelle gelieferte Mikrowellenleistung in die
einzelnen Resonatoren 3 i mittels eines geeigneten Koppelglie
des 5 i einkoppeln. Als Koppelglieder 5 i zwischen einem z. B.
kammähnlich ausgebildeten Endstück 4a des Schaltungsteils 4
und den einzelnen Resonatoren können beispielsweise Kapazitä
ten dienen, die gegebenenfalls auch induktive Komponenten bil
den; daneben ist auch eine rein induktive Kopplung möglich.
Um bei einer möglichst kleinen Schaltkreisabmessung eine hin
reichend große Gesamtspannung abgreifen zu können, muß sich in
jedem Resonator 3 i eine Vielzahl von in der Längsausdehnungs
richtung (L) zumindest annähernd äquidistant hintereinander
angeordneten Josephson-Elementen 6 j befinden. Erfindungsgemäß
sind diese Elemente 6 j aus den Gründen einer zumindest annä
hernd homogenen Schwingungsanregung nur im Bereich B bzw. B1,
B2 und B3 des jeweiligen Wellenbauchs der Mikrowelle angeord
net, wo die Amplitude weitgehend konstant ist (vgl. Fig. 2
und 3). Dementsprechend kommt für die Anordnung der einzelnen
Josephson-Elemente 6 j auf einem Resonatorelement 3* nur die
longitudinale Bereichslänge l von höchstens λ/4, vorzugsweise
von λ/5 in Frage. Unter Zugrundelegung der allgemein üblichen
Abmessungen von Josephson-Elementen 6 j und deren gegenseitigen
Entfernungen e können so bei Frequenzen f um 10 GHz etwa 20
bis 30 Josephson-Elemente auf einem λ/2-Resonatorelement 3
angeordnet werden. Geht man von 30 Josephson-Tunnelelementen
6 j pro Resonatorelement 3* aus, die bei 10 GHz auf der 20.
Stufe angeregt werden, so kann ein derartiges Element eine Jo
sephson-Spannung von etwa 12 mV (= 30 × 20 × 20 µV) erzeugen.
Folglich werden für eine Gesamtspannung U von etwa 1,2 V ins
gesamt etwa 100 Resonatorelemente 3 in einer entsprechenden
oder kleineren Zahl von Resonatoren mit ca. 3000 Josephson
Elementen benötigt. Zu einer Reihenschaltung aller Josephson-
Elemente 6 j dienen entsprechende Verbindungselemente 7 j zwi
schen den stirnseitigen Josephson-Elementen 6 j von benachbar
ten Resonatoren 3 i, so daß sich mit den Josephson-Elementen
eine etwa mäanderförmige Kette eines gemeinsamen Strompfades 7
ergibt. Die beiden Enden dieses Strompfades sind als Kontakt
flächen (Pads) 8a und 8b ausgebildet, über welche in bekannter
Weise ein Gleichstrom (Bias-Strom) I von einigen hundert µA
eingespeist bzw. abgeführt wird und zwischen denen die ge
wünschte Josephson-Gesamtspannung U abzugreifen ist. Gegebe
nenfalls kann man auch mehrere Teilpfade bilden und eine Addi
tion von entsprechenden Teilspannungen in einem weiteren
Schaltungsteil vorsehen.
Fig. 4 zeigt einen Querschnitt durch ein Resonatorelement 3
eines Resonators 3 i im Bereich eines Josephson-Elementes 6 j
nach Fig. 1 längs einer dort mit IV gekennzeichneten Schnitt
linie. Aus Fig. 5 geht eine Schrägansicht auf einen Längs
schnitt durch einen Teil dieses Resonators längs einer in Fig.
1 mit V gekennzeichneten Schnittlinie hervor. Der in den
Fig. 4 und 5 angedeutete Mikrostreifenresonator 3 i ist z. B.
auf einem geeigneten Substrat 2 aus beispielsweise Glas,
Quarzglas, Quarz oder Silizium in Dünnfilm-Technik erstellt.
Hierzu ist auf dem Substrat 2 eine supraleitende Schicht 10
z. B. aus Nb mit 200 nm Dicke als sogenannte supraleitende
Grundplatte (ground plane) abgeschieden. Diese dem Mikrostrei
fenresonator 3 i als eine erste Leiterbahn dienende supralei
tende Schicht 10 kann dabei Streifenform mit an die Abmessun
gen des Resonators angepaßter Ausdehnung haben. Das heißt, die
nebeneinander liegenden Resonatoren 3 i weisen jeweils einen
diskreten Leiterstreifen aus der supraleitenden Schicht auf.
Daneben ist es jedoch auch möglich, daß die supraleitenden
Schichten 10 mehrerer oder aller Resonatoren 3 i durch eine
gemeinsame, geschlossene Fläche (Ebene) gebildet werden. Auf
der in der Figur dargestellten Grundplatte ist eine Isolier
schicht 11 z. B. aus SiO mit 1 µm Dicke aufgedampft. Auf dieser
Isolierschicht 11 sind einzelne als Basiselektroden der Jo
sephson-Elemente 6 i dienende supraleitende Streifenstücke 12a
und 12b aufgebracht. Diese Streifenstücke bestehen z. B. aus Nb
mit einer Dicke von 200 nm. Dieser Aufbau ist dann mit einer
isolierenden Fensterstruktur 13, z. B. aus 0,6 µm dickem SiO,
versehen. Diese Struktur läßt fensterartige Bereiche der als
Basiselektrode dienenden supraleitenden Streifenstücke 12a und
12b frei. In diesen Bereichen sind die Tunnelbarrieren 14a,
14b und 14c der Josephson-Elemente erzeugt. Diese in der Figur
durch verstärkte Linien angedeuteten Tunnelbarrieren 14a bis
14c bestehen z. B. aus Nb2O5. Auf diesem Aufbau ist eine Struk
tur aus Deckschichtteilen 15a, 15b aus einem supraleitenden
Material wie z. B. 300 nm dickem PbAuIn aufgebracht. Diese
Deckschichtteile dienen als Gegenelektroden der Josephson-Ele
mente. Die Strukturierung der einzelnen Schichtteile 12a, 12b,
13, 14a bis 14c, 15a und 15b ist dabei in an sich bekannter
Weise so vorgenommen, daß sich eine Hintereinanderschaltung
der jeweils nur durch die Tunnelbarrieren 14a bis 14c getrenn
ten Elektrodenschichten 12a, 12b und 15a, 15b aufgrund einer
entsprechenden Überlappung der Schichtteile 15a mit 12a mit
15b mit 12b usw. ergibt. Selbstverständlich sind auch andere
Überlappungsstrukturen möglich. Die sich überlappenden supra
leitenden Schichtteile der Josephson-Elemente 6 i stellen zu
gleich eine zweite Leiterbahn des jeweiligen Resonators dar.
Im allgemeinen wird der in Fig. 5 veranschaulichte Aufbau
noch von mindestens einer weiteren, in der Figur nicht darge
stellten Schicht, insbesondere von einer Schutzschicht, über
zogen.
Statt des in den Fig. 4 und 5 dargestellten Aufbaus, wonach
die einzelnen Resonatoren auf einer Flachseite eines Substra
tes auszubilden sind, ist es gegebenenfalls auch möglich, das
Substrat selbst als eine Isolierschicht zwischen den beiden
parallelen Leiterbahnen der Resonatoren zu verwenden. In die
sem Falle liegen also die z. B. streifenförmigen, supraleiten
den Teile von Grundplatten oder von einer geschlossenen
Groundplane an der Unterseite des Substrates, während sich auf
dessen Oberseite die einzelnen Josephson-Elemente der Resona
toren befinden.
Gemäß dem den Fig. 1 und 2 zugrundegelegten Ausführungsbei
spiel wurde ferner davon ausgegangen, daß jeder Resonator 3 i
eine Länge L von λ/2 aufweist, d. h. nur durch ein einziges
Resonatorelement 3* gebildet wird, und daß alle derartigen
Resonatoren bezüglich der Mikrowelleneinspeisung parallelge
schaltet sind. Abweichend von einer solchen Verschaltung ist
es aber auch entsprechend Fig. 3 möglich, mehrere λ/2-Reso
natorelemente jeweils in Reihe zu einem Resonator zusammenzu
schalten und dann die Mikrowellenleistung in mehrere derartige
Reihen von λ/2-Resonatorelementen parallel einzuspeisen. In
Fig. 6 ist eine entsprechende Ausführungsform eines Mikrowel
lenschaltkreises S′ für z. B. 10 GHz angedeutet, wobei eine Fi
gur 1 entsprechende Darstellung gewählt ist. Wie aus Fig. 6
hervorgeht, weist jede Reihe Rn eine vorbestimmte Anzahl k von
ineinander übergehenden Resonatorelementen 3* auf. Die Anzahl
k kann z. B. 20 betragen. Jedes einzelne Resonatorelement 3*
hat wiederum eine Länge L* = λ/2, so daß dann die Gesamtlänge
L eines mit 3i′ bezeichneten Resonators k·L* beträgt. Auch
hier ist nur in einem mittlerem Bereich jedes Wellenamplitu
denmaximums mit der Bereichslänge l von z. B. λ/5 eine vorbe
stimmte Anzahl von beispielsweise 30 Josephson-Elementen 6 j
angeordnet sind. Die Elemente 6 j sind in der Figur nur durch
einzelne Kreuze angedeutet. In die nebeneinanderliegenden Rei
hen Rn von Resonatoren 3 i wird dann die Mikrowellenleistung
über einen geeigneten Verteilerschaltungsteil 4 parallel ein
gekoppelt. In der Figur sind ferner noch Filter 16a und 16b
angedeutet, die an dem zur Hintereinanderschaltung aller Jo
sephson-Elemente 6 j dienenden Strompfad 7′ kurz vor den Kon
taktflächen 8a und 8b zum Abgriff der Josephson-Gesamtspannung
angeordnet sind. Diese jeweils einen Tiefpaß bildenden Filter
sind zur Abblockung der Mikrowelle gegenüber dem Spannungsab
griff vorgesehen.
Die anhand der Fig. 1 bis 6 erläuterten Mikrowellenschalt
kreise S bzw. S′ nach der Erfindung sind nicht nur auf einen
Einsatz in Josephson-Spannungsnormal-Einrichtungen beschränkt.
Vielmehr können sie auch für hochpräzise Potentiometer-Ein
richtungen verwendet werden. Hierbei läßt sich durch Variation
der von einer HF-Quelle erzeugten Mikrowellenleistung eine
entsprechende Variation der an den Kontaktflächen 8a und 8b
abzugreifenden Josephson-Gesamtspannung erzeugen (vgl. die ge
nannte Literaturstelle "Stimulated Effects in Josephson
Devices").
Claims (8)
1. Mikrowellenschaltkreis einer Josephson-Einrichtung mit ei
ner Anordnung aus mehreren supraleitenden Wellenleitungsstücken
mit jeweils vorbestimmter longitudinaler Leitungs
länge,
- - auf denen jeweils mittels einer angekoppelten HF-Quelle eine Welle mit vorbestimmter Wellenlänge λ auszubilden ist und
- - die jeweils eine Vielzahl von Josephson-Elementen auf weisen, sowie mit einer Hintereinanderschaltung der Josephson-Elemente auf den Wellenleitungsstücken zu mindestens einem von einem Gleichstrom durchflossenen Strompfad, dadurch gekennzeichnet, daß jedes Wel lenleitungsstück als ein Resonator (3 i, 3i′) aus wenigstens ei nem Resonatorelement (3*) gestaltet ist, der eine Leitungslän ge (L) von zumindest annähernd dem Ein- oder Mehrfachen der halben Wellenlänge λ aufweist und auf dem eine stehende Welle ausgebildet ist, und daß die jedem Resonatorelement (3*) zuge ordneten Josephson-Elemente (6 j) nur in einem Bereich (B; B1, B2, B3) um das mindestens eine Maximum der Schwingungsamplitu de der stehenden Welle angeordnet sind, dessen longitudinalen Grenzen höchstens um einen Betrag λ/8 von dem Amplitudenmaxi mum entfernt sind.
2. Schaltkreis nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Grenzen jedes Anordnungsbe
reichs (B; B1, B2, B3) für die Josephson-Elemente (6 j) höch
stens um einen Betrag von λ/10, vorzugsweise λ/12 von dem
jeweiligen Amplitudenmaximum der stehenden Welle entfernt
sind.
3. Schaltkreis nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß jeder Resonator (3 i, 3i′) durch
eine supraleitende Grundplatte (10), eine darauf befindliche
Isolierschicht (11) sowie durch supraleitende Streifenstücke
der Josephson-Elemente (6 j) gebildet ist.
4. Schaltkreis nach Anspruch 3, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Isolierschicht durch ein
Substrat gebildet ist.
5. Schaltkreis nach einem der Ansprüche 1 bis 4, da
durch gekennzeichnet, daß die Resonatoren
(3 i) parallel zueinander und gegenseitig beabstandet angeord
net sind und daß der Strompfad (7) zur Hintereinanderschaltung
der Josephson-Elemente (6 j) zwischen diesen Resonatoren (3 i)
verlaufende supraleitende Verbindungsstege (7 i) aufweist (vgl.
Fig. 1).
6. Schaltkreis nach einem der Ansprüche 1 bis 4, da
durch gekennzeichnet, daß jeweils eine
Reihe (Rn) von mehreren hintereinander angeordneten Resonator
elementen (3*) einen Resonator (3 i′) bildet, daß mehrere derar
tige Reihen (Rn) parallel zueinander und gegenseitig beab
standet angeordnet sind und daß der Strompfad (7′) zur Hinter
einanderschaltung der Josephson-Elemente (6 j) zwischen diesen
Reihen (Rn) verlaufende supraleitende Verbindungsstege (7 j)
aufweist (vgl. Fig. 6).
7. Schaltkreis nach einem der Ansprüche 1 bis 6, ge
kennzeichnet durch eine Leitungslänge (L)
von mindestens 0,40 cm.
8. Verwendung des Schaltkreises nach einem der Ansprüche 1 bis
7 für ein Josephson-Spannungsnormal oder für eine Josephson-
Potentiometereinrichtung.
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
DE4137953A DE4137953C2 (de) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | Mikrowellenschaltkreis einer Josephson-Einrichtung und Verwendung des Schaltkreises |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
DE4137953A DE4137953C2 (de) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | Mikrowellenschaltkreis einer Josephson-Einrichtung und Verwendung des Schaltkreises |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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DE4137953A1 true DE4137953A1 (de) | 1993-05-19 |
DE4137953C2 DE4137953C2 (de) | 1994-12-22 |
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ID=6445084
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DE4137953A Expired - Fee Related DE4137953C2 (de) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | Mikrowellenschaltkreis einer Josephson-Einrichtung und Verwendung des Schaltkreises |
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1991
- 1991-11-18 DE DE4137953A patent/DE4137953C2/de not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
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