DE4119531A1 - Epitaxierte halbleiterscheiben mit sauerstoffarmer zone einstellbarer ausdehnung und verfahren zu ihrer herstellung - Google Patents
Epitaxierte halbleiterscheiben mit sauerstoffarmer zone einstellbarer ausdehnung und verfahren zu ihrer herstellungInfo
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|---|---|---|---|---|
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| US5342805A (en) * | 1993-07-01 | 1994-08-30 | G.I. Corporation | Method of growing a semiconductor material by epilaxy |
| JP3312553B2 (ja) * | 1996-03-09 | 2002-08-12 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶およびシリコン単結晶薄膜の製造方法 |
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| US6022793A (en) * | 1997-10-21 | 2000-02-08 | Seh America, Inc. | Silicon and oxygen ion co-implantation for metallic gettering in epitaxial wafers |
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Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
| EP0745704A3 (de) * | 1995-06-01 | 1996-12-18 | Wacker Siltronic Gesellschaft für Halbleitermaterialien Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung einer epitaktisch beschichteten Halbleiterscheibe |
| US5897705A (en) * | 1995-06-01 | 1999-04-27 | Wacker Siltronic Gesellschaft Fur Halbeitermaterialien Mbh | Process for the production of an epitaxially coated semiconductor wafer |
| DE19740905C1 (de) * | 1997-09-17 | 1999-03-04 | Siemens Ag | Verfahren zum Beseitigen von Sauerstoff-Restverunreinigungen aus tiegelgezogenen Siliziumwafern |
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