DE4106993C2 - Elektro-optische Modulator-Anordnung - Google Patents
Elektro-optische Modulator-AnordnungInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft das Gebiet der optischen
Datenübertragung und speziell einen elektro-optischen Modu
lator für den Mikrowellenfrequenzbereich mit effektiver Ein
gangskopplung und glattem breitbandigem Frequenzgang.
Die Datenübertragung mittels optischer Medien ermöglicht
sehr hohe Bandbreiten und eine sehr große Zahl von Multi
plexkanälen mit geringem Signalverlust und geringer Signal
störung. Ein kohärenter Laserlichtstrahl wird mit einem Da
tensignal amplitudenmoduliert und breitet sich in Richtung
auf einen entfernten Empfänger entweder durch die Atmosphäre
oder durch ein System von optischen Fasern und Signalauf
frischvorrichtungen (repeater) aus. Der Lichtstrahl kann in
vorteilhafter Weise mit elektrischen Signalen im Mikrowel
lenbereich mittels eines elektro-optischen Modulators, wie
z. B. einem Mach-Zehnder-Modulator oder einem optischen Kopp
ler moduliert werden.
Ein auf einem Mach-Zehnder-Interferometer basierender elek
trooptischer Modulator umfaßt im allgemeinen ein monolithi
sches Substrat aus einem elektro-optischen Material wie Li
thiumniobat (LiNbO3). In dem Substrat wird ein optischer
Wellenleiter mit zwei Armen oder Zweigen gebildet, die sich
im allgemeinen parallel zueinander erstrecken. Der Bre
chungsindex des Wellenleitermaterials ist höher als der Bre
chungsindex des Substratmaterials.
In dem grundlegenden Mach-Zehnder-Modulator haben die Zweige
gleiche Länge. In Abwesenheit einer angelegten elektrischen
Vorspannung teilt sich ein auf den Wellenleiter einfallender
optischer Strahl oder ein einfallender Lichtstrahl, der
durch einen Laser oder ähnliches erzeugt wird, gleichmäßig
auf die beiden Zweige auf. Die sich durch die Zweige aus
breitenden optischen Signale vereinigen sich am optischen
Ausgang des Wellenleiters wieder in Phase miteinander, so
daß sich ihre Amplituden addieren und am Ausgang des Wellen
leiters erscheint ein optisches Ausgangssignal, das im we
sentlichen gleich dem optischen Eingangssignal ist.
Wird zwischen den Wellenleiterzweigen eine
elektrische Vorspannung angelegt, ergibt sich eine Differenz
in den Brechungsindizes der zwei Zweige aufgrund des
elektro-optischen Effekts mit einer korrespondierenden
Differenz der effektiven optischen Weglängen der Zweige. Mit
einer als Vπ bekannten Vorspannung variieren die effektiven
optischen Weglängen derart, daß die aus den Zweigen
austretenden optischen Signale um 180° außer Phase sind. Die
Amplituden der Signale werden subtraktiv kombiniert und
löschen sich gegenseitig aus, so daß am optischen Ausgang
ein Nullsignal erzeugt wird. Für die meisten optischen
Kommunikationsanordnungen ist es wünschenswert, den
Modulator mit einer Spannung Vπ/2 vorzuspannen, die einen
linearen Betrieb erzeugt.
Einige der Probleme, die zu einer Beschränkung von Mach-
Zehnder-elektro-optischen-Modulatoren bei hochfrequenten
breitbandigen Anwendungen führen, haben ihre Ursache in den
Modulatorelektroden. Derartige Probleme sind Verlust durch
Impedanzfehlanpassung am Modulatoreingang und das Vorhanden
sein von störenden Resonanzen im Frequenzgang des Modula
tors.
Ein elektro-optischer Mach-Zehnder-Modulator des Typs wie er
in der vorliegenden Erfindung weitergebildet wird, ist in
einem Artikel mit dem Titel "Traveling-wave 1.3-µm Interfe
rometermodulator with high bandwidth, low drive power, and
low loss" von D. Dolfi, in Applied Optics, Vol. 25, No. 15,
Aug. 1986, S. 2479-2480 beschrieben. Dieses dort beschrie
bene Gerät umfaßt eine Modulationssignalquelle mit einer
Ausgangsimpedanz von 50 Ω, die ein elektrisches Modulations-
Eingangssignal einer koplanaren Wellenleiterstruktur in dem
Modulator mit einer Eingangsimpedanz von 22 Ω zuführt. Refle
xionsverluste am Eingang aufgrund der Impedanzfehlanpassung
reduzierten die effektive Betriebsspannung auf 61% der
Quellspannung. Durch Verbindung eines 22 Ω-Serienwiderstands
zwischen der Quelle und dem Modulator wurde versucht, die
Reflexionen zu eliminieren und die Welligkeit zu minimieren.
Dies führte jedoch zu einer Reduzierung der effektiven Be
triebsspannung sogar auf 44% der Quellenspannung.
Ein vergleichbares Gerät ist in einem Aufsatz mit dem Titel
"Microwave integrated optical modulator" von P. Cross,
Applied Physics Letters 44(5), 1. März 1984, S. 486-488 be
schrieben. Die Reflexionsverluste stimmten mit denen von
Dolfi berichteten überein. Der Anschluß eines Widerstands
netzwerkes zwischen der Quelle und dem Modulator um die Wel
ligkeit des Antwortsignals zu minimieren, reduzierte die
effektive Betriebsspannung von 63% auf 27%. Das Gerät zeigte
weiterhin auch Störresonanzmoden im Frequenzverhalten, die
von einer unerwünschten Microstrip-Mode zwischen der "heißen
Leitung" der koplanaren Leitung und dem Metallgehäuse her
rührten.
Ein weiteres vergleichbares Gerät ist in dem Aufsatz mit dem
Titel "Traveling-wave elektrooptic modulator" von C. Gee et
al., in Applied Optics, Vol. 22, No. 13, Juli 1983, S. 2034-
2037 beschrieben.
Ein herausstechendes Merkmal dieses Modulators war eine be
richtete Resonanz bei 5,5 GHz, die in dem Gehäuse des Geräts
erzeugt wurde. Ein weiteres mit der vorliegenden Erfindung
im Zusammenhang stehendes Gerät ist in einem Aufsatz mit dem
Titel "10 GHz Bandwidth Traveling-Wave LiNbO3 Optical Wave
guide Modulator" von M. Izutsu et al. in IEEE Journal of
Quantum Electronics, Vol. QE-14, No. 6, Juni 1978, S. 394-
395 beschrieben. Dieses Gerät ist mehr ein Phasenmodulator
denn ein Amplitudenmodulator und erreicht ein glattes Fre
quenzverhalten durch Verwendung einer symmetrischen Elektro
denkonfiguration als Mikrowellenleiter.
Aus der EP-A-0 233 797 ist ein elektro-optischer Rich
tungskoppler mit Wanderwellen und alternierender Phasenver
schiebung bekannt. Der Richtungskoppler besteht aus zwei
optischen Leitern G1 und G2 sowie aus drei Elektroden, näm
lich einem zentralen Mikrostrip MB, einem ersten lateralen
Streifen BL1 und einem zweiten lateralen Streifen BL2. In
der Wechselwirkungszone weisen die lateralen Streifen eine
Breite W' auf, die erheblich größer ist als die Breite W
des zentralen Microstrips. Der dargestellte Koppler besteht
aus zwei Bereichen S1 und S2, sowie aus einem Übergang T.
Darüberhinaus ist der zentrale Microstrip von den lateralen
Streifen jeweils um D1 und D2 entfernt. Gemäß der in diesem
Dokument offenbarten Lehre werden die Beträge von W, D1 und
D2 so ausgewählt, daß die charakteristische Impedanz der
Ausbreitungsleitung, die durch diese Elektroden gebildet
wird, gleich einem gegebenen Anpassungswert ist, wobei die
ser Anpassungswert im Übergang aufrecht erhalten wird.
Das Dokument "Integrated-Optic Devices on LiNbO3 for
optical Communication" von Edgar Voges et al. in "Journal
of lightwave technology", Vol. 5, No. 9, 9/87, S. 1232
stellt einen Übersichtsartikel dar, in dem integrierte op
tische Komponenten auf LiNbO3 bezüglich Problemen der Fa
serkopplung, der Konfiguration der Elemente und der anzu
wendenden Technologie betrachtet werden. Es werden ver
schiedene Konfigurationen diskutiert, die Anwendungen mit
Mach-Zehnder-Modulatoren auf Z-geschnittenem und X-
geschnittenem LiNbO3, sowie eine Anordnung für einen Rich
tungskoppler umfassen. Eine dort vorgeschlagene Ausfüh
rungsform zeigt in schematischer Weise einen Aufbau eines
Wanderwellen-Mach-Zehnder-Modulator auf X-geschnittenem
LiNbO3, wobei das Elektrodendesign für Interferometermodu
latoren gemäß der dortigen Lehre illustriert ist. Der Modu
lator besteht aus drei Elektroden, nämlich einem zentralen
Mikrostrip, einem ersten lateralen Streifen und einem zwei
ten lateralen Streifen. Des weiteren verzweigt sich ein op
tischer Leiter in dem Bereich des zentralen Mikrostrips und
läuft schließlich wieder zusammen.
Die EP-A-0 427 092 offenbart einen elektro-optischen
Wanderwellenmodulator, der ein Substrat, einen optischen
Eingang, einen optischen Ausgang und eine elektro-optische
Modulationselektrodenanordnung aufweist, die einen Wellen
leiter enthält. Ferner weist der Wellenmodulator eine Ein
gangsanschlußeinrichtung zum Empfang eines elektrischen Mo
dulationseingangssignals, deren Ausgangsimpedanz sich von
der Eingangsimpedanz der Modulationselektrodenanordnung un
terscheidet. Eine Impedanzanpassungseinrichtung dient zum
Koppeln des Eingangssignals von der Eingangsanschlußein
richtung zu der Modulationselektrodenanordnung und zum je
weiligen Anpassen der Ausgangsimpedanz an die Eingangsimpe
danz, wobei die Impedanzanpassungseinrichtung einen sich
verjüngenden Wellenleiter umfaßt.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen elektroop
tischen Modulator zu schaf
fen, der eine effiziente Eingangskoppelung und ein glattes
breitbandiges Frequenzverhalten zeigt.
Die Lösung dieser Aufgabe erfolgt durch die Merkmale des An
spruchs 1.
Die vorliegende Erfindung stellt eine planare elektroopti
sche Modulator-Anordnung des Mach-Zehnder-Interferometer-
Typs zum Modulieren eines optischen Lichtstrahls mit einer
bevorzugten, jedoch nicht darauf beschränkten Wellenlänge
von 1,3 µm bereit. Hierbei wird eine koplanare Wellenleiter
elektroden-Struktur für Wanderwellen verwendet, die zum Be
trieb von faseroptischen Einrichtungen im Hochmikrowellen
frequenzbereich geeignet ist. Das Problem der großen Impe
danzfehlanpassung konventioneller Mach-Zehnder-Modulatoren
ist auf eine ineffiziente Eingangkoppelung zurückzuführen.
Der Modulator gemäß der vorliegenden Erfindung überwindet
dieses Problem durch Hinzunahme eines Hochfrequenzimpedanz
paßwandlers und Übergängen, um eine effiziente Kopplung zu
einem 50 Ω-System unter Verwendung von Standardverbindungs
elementen bereitzustellen. Das Problem von Störresonanzen im
Frequenzverhalten des Modulators basiert auf einer Fehlan
passung der dielektrischen Konstante an der Schnittstelle
des Modulatorsubstrats und der Montagestruktur, die den Mo
dulator trägt, da Modulatorsubstrate üblicherweise auf einen
Plastik- oder Keramikblock oder sogar der Luft ausgesetzt
montiert wurden. Der erfindungsgemäße Modulator überkommt
dieses Problem, indem das Modultorsubstrat, bei dem es sich
vorzugsweise um Lithiumniobat handelt, auf einem Block aus
mikrowellenabsorbierendem Material montiert wird.
Die erfindungsgemäße Modulator-Anordnung ermöglicht eine
effiziente HF-Kopplung zwischen einem konventionellen 50 Ω-
Eingangsstecker zu dem HF/Optik-Wechselwirkungsbereich des
Modulators bis hinauf zu sehr hohen Mikrowellenfrequenzen
für optische Wellenlängen von 1,3 µm. Koplanare Wanderwel
lenelektroden für Lithiumniobat-Modulatoren benötigen nied
rige charakteristische Impedanzen (ungefähr 25 Ω) wegen der
geringen Dimensionen des Elektrodenabstands (weniger als
12 µm) für X-geschnittene Substrate, die notwendig sind, um
genügend große elektrische Felder zu erzeugen, um eine aus
reichende elektro-optische Phasenmodulation in jedem Arm des
Mach-Zehrader-Interferometers bei vernünftigen Eingangslei
stungen (weniger als 100 mW für 50% Modulation) zu erzeugen.
Bekannte Mach-Zehrader-Modulatoren weisen keinerlei Einrich
tungen zur HF-Impedanzanpassung im Modulator auf, woraus die
oben diskutierten hohen Werte für Reflexionsverluste resul
tieren. Die vorliegende Erfindung umfaßt eine Impedanzanpassungseinrichtung
mit einem sich verjüngenden koplanaren Wellenleiter,
vorzugsweise einen Tschebyschev-Wandler, um den HF-Impedanzpe
gel auf den gewünschten Wert zu bringen, im vorliegenden
Fall 50 Ω. Zusätzlich ist das Substrat des erfindungsgemäßen
Modulators mit einem Block aus mikrowellenabsorbierendem Ma
terial verbunden bzw. verklebt, was störende bzw. unerwünschte Resonanzen eli
miniert. Obwohl die vorliegende Erfindung besonders für
Mach-Zehrader-Modulatorkonfigurationen geeignet ist, läßt es
sich auch auf andere Typen von elektro-optischen Wanderwel
lenmodulatoren, wie z. B. optischen Kopplern, anwenden.
Im speziellen weist ein elektro-optischer Wanderwellen-Mach-
Zehrader-Modulator zum Betrieb bei elektrischen Mikrowellen
eingangssignalfrequenzen eine Elektrodenstruktur zum elek
trischen Modulieren mit koplanaren Wellenleitern auf. Ein
Verbindungselement für elektrische Eingangssignale umfaßt
einen Microstripleiter bzw. einen Mikrostreifenleiter mit einer Ausgangsimpedanz, die sich
signifikant von der Eingangsimpedanz des Wellenleiters un
terscheidet. Eine Tschebyschev-Impedanzanpassungseinrichtung koppelt
das Eingangssignal aus dem Eingangsverbindungselement bzw. der Eingangsanschlußeinrichtung auf
die Modulationselektrode, während die Ausgangsimpedanz des
Microstripleiters der Eingangsimpedanz des Wellenleiters an
gepaßt wird, um die Kopplungseffizienz zu maximieren und
Rückstrahlverluste zu minimieren. Der Modulator ist auf
einem Block aus magnetisch geladenem Epoxidmaterial mon
tiert, das störende resonante Mikrowellenemissionen absor
biert und ermöglicht, daß der Modulator mit einem glatten
Frequenzgang über einen weiten Bereich der Eingangsmikrowel
lenfrequenzen arbeitet.
Die Unteransprüche beziehen sich auf vorteilhafte Ausgestal
tungen der Erfindung.
Weitere Einzelheiten, Aspekte und Vorteile der vorliegenden
Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung
unter Bezugnahme auf die Zeichnung, wobei einander entspre
chende Bauteile mit den gleichen Bezugszeichen versehen
sind.
Es zeigt:
Fig. 1 eine schematische Darstellung einer elektro-opti
schen Mach-Zehnder-Modulatoranordnung gemäß einer
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, in der
die koplanaren optischen Wellenleiter in stark ver
größertem Maßstab dargestellt sind;
Fig. 2 eine ebene Darstellung einer Tschebyschev-Impedanz
wandlerkonfiguration der erfindungsgemäßen
Modulatoranordnung;
Fig. 3 eine perspektivische Darstellung der Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 4 eine Explosionszeichnung der erfindungsgemäßen Modu
latoranordnung und einer mechanischen Einrichtung
zur Montage derselben.
Unter Bezugnahme auf die Fig. 1 und 3 wird nachfolgend eine
elektro-optische Modulatoranordnung für Wanderwellen be
schrieben. Die elektro-optische Modulatoranordnung basiert
auf einem ebenen Mach-Zehnder-Interferometer 10 und weist
ein Substrat 12 aus einem Material, wie z. B. Lithiumniobat,
das den benötigten elektro-optischen Effekt zeigt, auf. Ein
optischer Wellenleiter 14 wird durch einen geeigneten Pro
zeß, z. B. mittels Eindiffusion von Titan gebildet. Der Wel
lenleiter 14 umfaßt einen optischen Eingang 16 zum Empfangen
eines optischen Signales in Form eines Lichtstrahls, der
durch ein Mikrowellenfrequenzeingangssignal moduliert wird,
und den optischen Ausgang 18 zum Verbinden mit einem An
schlußelement für optische Fasern. Das opti
sche Eingangssignal wird durch einen Halbleiterlaser oder
eine andere geeignete nicht dargestellte Quelle erzeugt,
vorzugsweise aber nicht darauf begrenzt, mit einer Wellen
länge von 1,3 µm. Der Wellenleiter 14 umfaßt desweiteren zwei
Zweige 20 und 22, die vom optischen Eingang 16 aus auseinan
derlaufen und sich generell parallel zueinander erstrecken.
Die Zweige 20 und 22 konvergieren am anderen Ende in den op
tischen Ausgang 18. In der grundlegenden Mach-Zehnder-Mo
dulatorkonfiguration sind die Zweige 20 und 22 gleich lang.
Der Modulator 10 umfaßt desweiteren einen elektrischen ko
planaren Wellenleiter 24, bei dem zum Einkoppeln eines elektrischen Mikrowellenfre
quenzeingangssignales auf den optischen Wellenleiter 14 der eigentliche Leiter
und die Basisebene kopla
nar sind.
Der koplanare Wellenleiter 24 um
faßt einen Mittelleiter 26 mit einem Eingangsbereich 28,
einen Mittelbereich 30 und einen Ausgangsbereich 32. Ein
größerer äußerer Leiter 34 umgibt den Mittelleiter 26 und
ist mit einem passenden Referenzpotential wie z. B. Masse
verbunden.
Der Mittelleiter 26 ist mit einer passenden Vorspannung aus
einer nicht näher dargestellten Quelle beaufschlagt, um den
Modulator 10 auf einen linearen Arbeitspunkt vorzuspannen.
Das Beaufschlagen des Mittelleiters 26 mit einem Mikrowel
lensignal verursacht eine Änderung der Brechungsindizes des
Materials der Zweige 20 und 22 des optischen Wellenleiters
14 in ungleicher Weise aufgrund des elektro-optischen
Effekts gemäß dem Indexellipsoiden und der trigonalen Kri
stallsymmetrie von Lithiumniobat, wodurch sich ein Unter
schied in den Phasen der sich durch die Zweige 20 und 22 und
auf den optischen Ausgang 18 hin ausbreitenden Signale er
gibt. Dadurch wird eine Interferenz zwischen den optischen
Signalen in den Zweigen 20 und 22 in einer Größe bewirkt,
die mit dem augenblicklichen Potential des Mikrowellenein
gangssignals korrespondiert. Es ergibt sich eine entspre
chende Variation der Energie des optischen Signals am opti
schen Ausgang 18 und dadurch eine Amplitudenmodulation des
optischen Signals.
Desweiteren ist in den Fig. 1 und 3 ein Substrat 36 aus
einem Block bestehend aus einem Material wie z. B. Alumini
umoxid bzw. Tonerde dargestellt, auf dem eine konventionelle
Microstripeingangsleitung 38 mit einer typischen Impedanz
von 50 Ω ausgebildet ist. Die einander gegenüberliegenden
Kanten der Substrate 12 und 36 sind stumpf aneinandergefügt
und der Microstripleiter 38 ist mit dem Eingangsbereich 28
des Mittelleiters 26 des koplanaren Wellenleiters 24 mittels
eines Bondstreifens 37 aus Gold verbunden. Der äußere Leiter
34 des Wellenleiters 24 ist mit einer Grundplatte 39 des
Microstripleiters 38 mittels eines Bondstreifens 40 aus Gold
verbunden, wobei der Bondstreifen 40 aus Gold von der oberen
Fläche des Substrats um dessen Ecke zu der unteren Fläche
des Substrats gebogen ist. Ein entsprechendes Substrat 42,
eine 50 Ω-Microstripausgangsleitung 44, eine Basisplatte 45
und Bondstreifen 46 und 48 aus Gold sind mit dem Ausgangsbe
reich 32 des Mittelleiters 26 des Wellenleiters verbunden.
Gemäß der vorliegenden Erfindung sind auf dem elektro-opti
schen Substratmaterial ausgebildete Impedanzanpassungseinrichtungen
zwischen den Microstripleitungen 38 und 44, die typi
scherweise Impedanzen von ungefähr 50 Ω aufweisen, und dem
koplanaren Wellenleiter 24, der typischerweise eine Impedanz
in der Größenordnung von 25 Ω aufweist, vorgesehen. Dadurch
wird die Impedanzfehlanpassung der Vorrichtung 10 minimiert
und ein maximaler Anteil des Mikrowelleneingangssignals wird
in den koplanaren Wellenleiter 24 zur Modulation des opti
schen Signals eingekoppelt. In Fig. 2 sind die Wellenleiter
14 und 24 aufgrund des gewählten Zeichnungsmaßstabes nicht
im Detail sichtbar. Die elektro-optische Wechselwirkungs
länge des Modulators liegt typischerweise im Bereich von 3,5
mm, wobei die vorliegende Erfindung natürlich nicht auf
diese Dimension beschränkt ist. Eine Eingangsimpedanzanpas
sungseinrichtung 50 umfaßt einen Eingangsbereich 28 des Mittel
leiters 26 des koplanaren Wellenleiters. Kanten 52 und 54
des Eingangsbereichs 28 sind bezüglich gegenüberliegenden
Kanten 56 und 58 des äußeren Leiters 34 des koplanaren Wel
lenleiters 24 derartig ausgebildet, daß die charakteristische Im
pedanz des Eingangsbereichs 28 glatt bzw. weich von 50 Ω
auf 25 Ω übergeht, und zwar vom Eingangsende her, das an die Microstripleitung 38 zu dem Ausgangsende hin
ankoppelt, das an den Mittelbereich
30 ankoppelt. Eine entsprechende Impedanzanpassungseinrichtung
60 ist am Ausgangsende des Mittelleiters 26 vorgesehen und
umfaßt Kanten 62 und 64 des Ausgangsbereichs 32 des Mittel
leiters 26 und gegenüberliegende Kanten 66 und 68 des äuße
ren Leiters 34.
Die Form der Kanten 52, 54, 56, 58, 62, 64, 66 und 68 ist
vorzugsweise so ausgebildet, daß die Wandler 50 und 60
Tschebyschev-Wandler bilden. Die charakteristische Impedanz in
dem Eingangsbereich 28 kann anhand der Veröffentlichung "A
Transmission Line Taper of Improved Design", von R. Klopfen
stein, in Proceedings of the IRE, 1956, S. 31-35 berechnet
werden. Die Verjüngung der Kanten als Funktion der charak
teristischen Impedanz kann anhand des Lehrbuchs "Microstrip
Lines and Slotlines", von K. Gurta, Artech House, 1979, S.
275 berechnet werden. Die jeweilige Dimensionierung der
Kanten hängt vom jeweiligen speziellen Anwendungsfall ab,
können aber unter Verwendung der Tschebyschev-Beziehungen in
diesen Druckschriften errechnet werden. Es hat sich gezeigt,
daß die konische Ausgestaltung in Form einer Tschebyschev-Kon
figuration optimal ist, da sie für eine bestimmte Länge der
Verjüngung im Durchlaßband einen minimalen Reflexionskoeffi
zienten aufweist und dafür eine bestimmte maximale Größe des
Reflexionskoeffizienten im Durchlaßband die Verjüngung eine
minimale Länge aufweist. Es wurde herausgefunden, daß eine
tatsächliche Modulator-Anordnung mit einem Rückstrahlverlust
in der Größenordnung von 20 dB möglich ist.
In der nachfolgenden Tabelle sind beispielhafte Dimensionie
rungen für einen Wandler 50 angegeben, der für die Anpassung
einer 50 Ω Microstripleitung 38 zu einem 25 Ω koplanaren Wel
lenleiter 24 geeignet ist, wie er oben beschrieben ist, wo
bei die Länge der Mittellinie des Eingangsbereichs 28 von
der Microstripleitung 38 zu dem Mittelbereich 30 2723,7 µm
beträgt. Die Strecke ist in 21 gleich große Inkremente von
je 129,7 µm geteilt. Die Weite W des Eingangsbereichs 28
zwischen den Kanten 52 und 54 und der Basisebenenabstand D
zwischen den Kanten 56 und 58 des äußeren Leiters 34 für je
des Inkrement sind in Mikrometer angegeben.
Gemäß einem weiteren wichtigen Merkmal der Erfindung, wie
sie in Fig. 4 dargestellt ist, ist das Modulatorsubstrat 12
unter Verwendung von Zement oder Kleber
oder sonstiger geeigneter Mittel auf einem Block 70 aus mi
krowellenabsorbierendem Material montiert. Der Block 70 ist
vorzugsweise aus einem magnetisch geladenen Epoxidmaterial
gefertigt, wie es beispielsweise von der Fa. Emerson and
Cumming Company unter dem Handelsnamen "Eccosorb" herge
stellt wird. Der Block 70 absorbiert störende resonante Mi
krowellenemissionen, die von einer Fehlanpassung der dielek
trischen Konstanten an der Schnittstelle des Substrats 12
und des Blocks 70 herrühren, als auch unerwünschte
Microstripmoden oder andere resonante Moden, die in der Vor
richtung 10 erzeugt werden. Die Reduktion von Störresonanzen
auf ein vernachlässigbares Niveau mittels Absorption durch
den Block ermöglicht, daß der Modulator über einen weiten
Bereich von Mikrowelleneingangsfrequenzen mit einem glatten
Frequenzverhalten bzw. mit einem glatten Frequenzgang arbei
tet. Ein annähernd flacher Frequenzgang zwischen 8 GHz und
18 GHz wurde durch Verwendung von Eccosorb-MF-124-Material
erreicht, das bei 18 GHz einen Eingangsverlust von 149 dB/cm
aufweist. Neben dem Absorbieren von Störemissionen von Mi
krowellen weist das Material Eccosorb auch den Vorteil auf,
daß es leicht in jede beliebige Form gearbeitet werden kann.
Obwohl mit dem Eccosorb-Material hervorragende Ergebnisse
erzielt worden sind, ist die vorliegende Erfindung natürlich
nicht darauf beschränkt, sondern es können auch andere ge
eignete Materialien verwendet werden, die störende Resonanz
emissionen absorbieren.
Eine robuste Anordnung zur Montage der Vorrichtung 10 und
zur Halterung und Verbindung mit den standarisierten opti
schen Verbindungselementen ist in Fig. 4 dargestellt und um
faßt einen Block 72, der aus Metall oder einem anderen dau
erhaften Material hergestellt ist. Der Block 70 ist in eine
tiefe Rinne 74 in dem Block 72 eingepaßt und ist darin ein
zementiert oder in anderer Weise fixiert. Die Substrate 36
und 42 sind mit Abschnitten 76 bzw. 68 des Blocks 72 an aufein
ander gegenüberliegenden Seiten der Rinne 74 aufgeklebt.
Ein Eingangsverbindungselement 80, das vorzugsweise eine
konventionelle 50 Ω-SMA-Konfiguration (Sub-Miniatur-A) auf
weist, ist auf eine Seitenplatte 82 mittels eines Flansches
84 und Schrauben 86, befestigt. Der Mittelleiter des Verbin
dungselementes 80 ist elektrisch mit der Eingangs-
Microstripleitung 38 durch ein Loch 88 in der Seitenplatte
82 mittels eines Bondstreifens aus Gold oder ähnlichem ver
bunden, was nicht in der Zeichnung dargestellt ist. Ein Aus
gangsverbindungselement 90 ist mit der Ausgangsmicrostrip
leitung 44 in gleicher Weise verbunden, wobei die entspre
chenden Bauteile mit den gleichen Bezugszeichen versehen
sind. Der Block 72 weist auf gegenüberliegenden Seiten ver
tikale Vertiefungen 92 auf, die in entsprechend geformte
Wülste 94 auf den Seitenplatten 82 passen, wodurch sich die
einzelnen Bauteile der Anordnung 10 schnell und in präziser
Ausrichtung zueinander mittels Schrauben 96 befestigen las
sen. Desweiteren sind Druckwülste 98 und 100 dargestellt,
die an dem Block 72 ausgebildet sind, um zwischen den
Microstripmasseebenen und der Masse des SMA einen guten
elektrischen Kontakt herzustellen.
Es wird somit ein elektro-optischer Wanderwellen-Mach-Zehn
der-Modulator 10 zum Betrieb mit elektrischen
Mikrowelleneingangssignalfrequenzen angegeben, der eine
elektrische Modulationselektrodenstruktur 26, 34, die einen
koplanaren Wellenleiter 24 bildet, umfaßt. Ein elektrisches
Eingangssignalverbindungselement 80 ist mit einer
Microstripleitung 38 gekoppelt, die eine Ausgangsimpedanz
aufweist, die sich signifikant von der Eingangsimpedanz des
Wellenleiters 24 unterscheidet. Ein Tschebyschev-Impedanzanpas
sungswandler 50 koppelt die Eingangssignale von dem Ein
gangsverbindungselement 80 zu der Modula
tionselektrodenstruktur 26, 34, während die Ausgangsimpedanz
der Microstripleitung 38 der Eingangsimpedanz des Wellenlei
ters 24 angepaßt wird, um die Kopplungseffizienz zu maximie
ren und die Rückstrahlverluste zu minimieren. Der Modulator
10 ist auf einem Block 70 aus magnetisch geladenem Epoxidma
terial montiert, das störende resonante Mi
krowellenemissionen absorbiert und den Modulator 10 in die
Lage versetzt, mit einem glatten Frequenzgang über einen
weiten Bereich der Mikrowelleneingangsfrequenzen zu arbei
ten.
Claims (5)
1. Elektro-optische Modulator-Anordnung, mit:
einem elektro-optischen Wanderwellenmodulator (10), der ein elektro-optisches Substrat (12), einen optischen Eingang (16), einen optischen Ausgang (18) und eine Modula tionselektrodenanordnung (26, 34) aufweist, die einen elek trischen Wellenleiter (24) enthält;
einer Eingangsanschlußeinrichtung (80, 37, 38) zum Empfang eines elektrischen Modulationseingangssignals, de ren Ausgangsimpedanz sich von der Eingangsimpedanz der Mo dulationselektrodenanordnung (26, 34) unterscheidet, wobei die Eingangsanschlußeinrichtung (80, 37, 38) einen Strei fenleiter (38) enthält;
einer mit dem elektro-optischen Substrat (12) des elektro-optischen Wanderwellenmodulators (10) verbundenen Mikrowellenabsorptionsvorrichtung (70) zur Absorption von unerwünschten resonanten Mikrowellenenergieemissionen von dem elektro-optischen Wanderwellenmodulator (10); und
einer Impedanzanpassungseinrichtung (50) zum Koppeln des Modulationseingangssignales von der Eingangsan schlußeinrichtung (80, 37, 38) zu der Modulationselektro denanordnung (26, 34) und zum jeweiligen Anpassen der Aus gangsimpedanz an die Eingangsimpedanz bei Mikrowellensi gnalfrequenzen, wobei die Impedanzanpassungseinrichtung (50) einen sich verjüngenden Wellenleiter umfaßt.
einem elektro-optischen Wanderwellenmodulator (10), der ein elektro-optisches Substrat (12), einen optischen Eingang (16), einen optischen Ausgang (18) und eine Modula tionselektrodenanordnung (26, 34) aufweist, die einen elek trischen Wellenleiter (24) enthält;
einer Eingangsanschlußeinrichtung (80, 37, 38) zum Empfang eines elektrischen Modulationseingangssignals, de ren Ausgangsimpedanz sich von der Eingangsimpedanz der Mo dulationselektrodenanordnung (26, 34) unterscheidet, wobei die Eingangsanschlußeinrichtung (80, 37, 38) einen Strei fenleiter (38) enthält;
einer mit dem elektro-optischen Substrat (12) des elektro-optischen Wanderwellenmodulators (10) verbundenen Mikrowellenabsorptionsvorrichtung (70) zur Absorption von unerwünschten resonanten Mikrowellenenergieemissionen von dem elektro-optischen Wanderwellenmodulator (10); und
einer Impedanzanpassungseinrichtung (50) zum Koppeln des Modulationseingangssignales von der Eingangsan schlußeinrichtung (80, 37, 38) zu der Modulationselektro denanordnung (26, 34) und zum jeweiligen Anpassen der Aus gangsimpedanz an die Eingangsimpedanz bei Mikrowellensi gnalfrequenzen, wobei die Impedanzanpassungseinrichtung (50) einen sich verjüngenden Wellenleiter umfaßt.
2. Elektro-optische Modulator-Anordnung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Impedanzanpassungseinrich
tung (50) einen Tschebyschev-Wandler (50) aufweist.
3. Elektro-optische Modulator-Anordnung nach wenigstens
einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß der elektro-optische Wanderwellenmodulator (10) einen
Wanderwellen-Mach-Zehnder-Modulator umfaßt.
4. Elektro-optische Modulator-Anordnung nach einem der
Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Mi
krowellenabsorptionsvorrichtung (70) ein magnetisch gelade
nes Epoxidmaterial aufweist.
5. Elektro-optische Modulator-Anordnung nach einem der
Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der elektro
optische Wanderwellenmodulator (10) ein Lithium-
Niobatsubstrat (12) umfaßt und die Mikrowellenabsorpti
onsvorrichtung (70) Mikrowellenemissionen aus dem Lithium-
Niobatsubstrat (12) absorbiert.
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