DE4102524A1 - Infrarotsensor - Google Patents
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- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 229910021385 hard carbon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/12—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft einen Infrarotsensor mit einer Thermosäule oder dergleichen.
Es sind bereits mehrere berührungslose Infrarotsensoren bekannt, die Thermosäulen, Thermistoren
oder Stromkollektoren aufweisen. Beispielsweise ist ein Infrarotsensor mit einem
membranähnlichen Thermosäulenelement bekannt, der "Infrarotsensor vom Thermosäulentyp"
genannt wird (US-PS 41 11 717). Der grundsätzliche Aufbau eines Thermosäulenelements,
das bei einem Infrarotsensor vom Thermosäulentyp verwendet wird, ist in den
Fig. 1 und 2 dargestellt.
Die Fig. 1 zeigt einen Querschnitt durch das Thermosäulenelement des Infrarotsensors,
während die Fig. 2 eine Draufsicht auf den wesentlichsten Bereich des Thermosäulenelements
darstellt.
In der Fig. 1 enthält das Thermosäulenelement eine Siliziumscheibe 10, deren eine Seite
bearbeitet und mit einer Isolierschicht 11 versehen ist. Der zentrale Bereich der Siliziumscheibe
10 ist weggeätzt, so daß er eine Vertiefung 12 bildet. Der im Bereich der Vertiefung
12 verbleibende Teil der Isolierschicht 11 definiert eine Membran 13. Die Isolierschicht
11 kann aus einer einzigen Schicht aus Siliziumdioxid (SiO₂) oder aus einem dreilagigen
Film aus Siliziumnitrid (SiN₂), Siliziumoxid (SiO₂) und Siliziumnitrid (SiN₂) bestehen.
Mehrere Thermoelemente 14 sind auf der Isolierschicht 11 angeordnet und elektrisch miteinander
in Reihe geschaltet. Jedes dieser Thermoelemente 14 weist eine heiße Verbindung
14a an der Membran 13 und eine kalte Verbindung 14b an einer Wärmesenke 11a
auf, die durch den verbleibenden Teil der Siliziumscheibe 10 um die Peripherie der Membran
13 herum definiert ist und eine größere Wärmekapazität besitzt.
Die Zentralbereich der Membran 13 trägt einen schwarzen Körper 15 für die Absorption
von Infrarotstrahlen. Dieser schwarze Körper 15 kann aus ultrafeinen Goldteilchen bestehen,
die über die Membran 13 verteilt sind und die schwarz aussehen, weil sie sichtbare
Strahlen und Infrarotstrahlen ohne Reflexion absorbieren. Da Gold ein elektrischer Leiter
ist, muß der schwarze Körper 15 hinreichend von den heißen Verbindungsstellen 14a der
Thermoelemente 14 ohne Kurzschluß getrennt sein.
Aufgrund der Tatsache, daß der schwarze Körper 15 eines derartigen Infrarotsensors die
Infrarotstrahlen von einem zu messenden Objekt absorbiert, steigt die Temperatur der
Membran 13 an der heißen Verbindungsstelle 14a des Thermoelements 14 an. Somit entsteht
durch die Temperaturdifferenz zwischen der heißen und der kalten Verbindungsstelle
eines jeden Thermoelements 14 eine Ausgangsspannung. Da die Stärke der Inrarotstrahlung
von der Temperatur des Objekts abhängt, wirkt das Thermosäulenelement als ein berührungsloses
Thermometer. Bei einer Umwandlung der Temperatur muß indessen die
Temperatur an jeder der kalten Verbindungsstellen der Thermoelemente 14 stets genau gemessen
werden, da diese Temperatur als Bezugsgröße dient.
Ein einfaches Verfahren zur Messung der Temperatur an der Thermoelementverbindung
besteht darin, daß ein Thermistor auf der Außenseite der Platte angeordnet ist, auf der sich
die Thermoelemente 14 befinden. In einem solchen Fall befindet sich jedoch der Thermistor
nicht in direktem Kontakt mit der kalten Verbindungsstelle der einzelnen Thermoelemente.
Es entsteht somit ein Temperaturgradient, der verhindert, daß die Temperatur an
der kalten Verbindungsstelle genau angezeigt wird.
Um dieses Problem zu lösen, wurde vorgeschlagen, den Thermistor in der Platte und in der
Nähe der kalten Verbindungsstelle anzuordnen. Der Thermistor wird hierzu miniaturisiert
oder als Film ausgebildet und an der Wärmesenke 11a angeordnet, an welcher sich die kalte
Verbindung befindet. Die Wärmesenke 11a hat jedoch nur wenig Platz, um den Thermistor
11a anzuordnen. Deshalb sollten die Abmessungen des Thermistors etwa auf 1/10
der Abmessungen des Thermosäulenelements 1 reduziert werden. Weil das Thermosäulenelement
1 selbst allenfalls zwei Quadratmillimeter groß ist, ist die Reduzierung der Abmessungen
äußerst schwierig, verbunden mit einer geringen Zuverlässigkeit.
Andererseits erfordert ein Infrarotsensor nach dem Prinzip der Thermosäule eine Membran
13 aus einem Material, das eine möglichst kleine Wärmeleitfähigkeit besitzt, um leichter
eine unterschiedliche Temperatur zwischen den heißen und kalten Verbindungsstellen 14a
und 14b des Thermoelements 14 festzustellen. Wenn die verwendete Membran 13 eine geringere
Wärmeleitfähigkeit besitzt, gelangt die von dem zu messenden Objekt ausgestrahlte
und durch den schwarzen Körper 15 absorbierte Wärme nicht in ausreichendem Maß auf
die heiße Verbindungsstelle 14a. Dies wiederum bewirkt eine Verringerung der Empfindlichkeit.
Wie in der Fig. 2 im Detail gezeigt ist, weist jedes der Thermoelemente 14 ein Paar von ersten
und zweiten Leitern 141 und 142 auf, die aus verschiedenen metallischen Materialien
bestehen und miteinander in Reihe geschaltet sind. Die heiße Verbindungsstelle 14a des
Thermoelements 14 ist auf der Membran 13 angeordnet, während seine kalte Verbindungsstelle
14b außerhalb der Membran 13 vorgesehen ist, d. h. an der Wärmesenke 11a. Der
Zentralbereich der Membran 13 trägt einen elektrisch leitenden schwarzen Körper 15, der
von der heißen Verbindungsstelle 14a der Thermoelemente 14 normalerweise um mehrere
zehn Mikron entfernt ist, um eine Isolierung zu gewährleisten.
Die Energie der Infrarotstrahler, die von dem schwarzen Körper absorbiert wird, bewirkt
einen Anstieg der Temperatur der Membran 13 selbst, da sie sich von der heißen Verbindungsstelle
14a des Thermoelements 14 über die Membran bewegt. Hierdurch kann die
Temperatur der heißen Verbindungsstelle 14a nicht auf einen gewünschten Pegel ansteigen,
der eine gewünschte Ausgangsspannung bewirkt. Um diesen Nachteil zu beseitigen,
wurde bereits vorgeschlagen, die Zahl der Thermoelemente zu vergrößern, damit sich die
Ausgangsspannung erhöht. Ein solcher Vorschlag führt jedoch zu einer Zunahme von
schwierigen Schritten und verringert die Zuverlässigkeit.
Es wurde weiterhin vorgeschlagen, den schwarzen Körper aus einem Isolator herzustellen.
Dieser Vorschlag konnte jedoch noch nicht mit einem praktikablen Ergebnis realisiert werden.
Der Erfindung liegt deshalb die Aufgabe zugrunde, einen Infrarotsensor mit einem Thermoelement
zu schaffen, der die Temperatur an den kalten Verbindungsstellen der Thermoelemente
exakt messen und der leichter und einfacher hergestellt werden kann.
Diese Aufgabe wird gemäß den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst.
Der mit der Erfindung erzielte Vorteil besteht insbesondere darin, daß dem Infrarotsensor
eine erhöhte Empfindlichkeit besitzt. Außerdem weist der Infrarotsensor geringere Wärmeverluste
bei der Wärmeleitung zwischen dem elektrisch leitenden schwarzen Körper und
der heißen Verbindungsstelle des Thermoelements auf, wobei er im wesentlichen dieselbe
Temperatur der heißen Verbindungsstelle wie die des schwarzen Körpers erreichen kann.
Ferner wird der Energieverlust im schwarzen Körper reduziert und die Temperatur der heißen
Verbindungsstelle effizienter erhöht.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden
näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 einen Querschnitt durch ein Thermosäulenelement eines bekannten Infrarotsensors
nach dem Thermosäulenprinzip, und zwar entlang der Linie A-A
nach Fig. 2;
Fig. 2 eine Ansicht auf einen wesentlichen Teil des in Fig. 1 gezeigten Thermosäulenelements;
Fig. 3 eine schematische Querschnittansicht einer Ausführungsform eines temperaturkompensierten
Infrarotsensors gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 4 eine schematische Querschnittsansicht einer weiteren Auführungsform eines
temperaturkompensierten Infrarotsensors gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 5 eine schematische Ansicht eines Thermosäulenelements einer weiteren Ausführungsform
des temperaturkompensierten Infrarotsensors gemäß der vorliegenden
Erfindung;
Fig. 6 eine Ansicht auf ein Thermosäulenelement einer weiteren Ausführungsform
des temperaturkompensierten Infrarotsensors gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 7 einen Querschnitt durch einen temperaturkompensierten Infrarotsensor, der
mit einer Kappe versehen ist, um das in der Fig. 6 gezeigte Thermoelement
abzudecken, und zwar entlang der Linie B-B in Fig. 6.
In der Fig. 3 ist schematisch ein Querschnitt durch ein Ausführungsbeispiel eines temperaturkompensierten
Infrarotsensors dargestellt, der gemäß der Erfindung aufgebaut ist. Diejenigen
Bauteile, die Bauteilen der Fig. 1 und 2 entsprechen, sind mit denselben Bezugszahlen versehen.
Der Infrarotsensor weist ein Thermosäulenelement 1 und einen Thermistor 2 auf. Das
Thermosäulenelement 1 enthält ein Substrat 10, das aus einem Material mit guter Wärmeleitfähigkeit
besteht, z. B. aus einer Siliziumscheibe, und das als Wärmesenke 11a dient,
wobei es mit einer Isolierschicht 11 versehen ist.
Der zentrale Bereich des Thermosäulenelements 1 weist eine membranähnliche Struktur
auf. Das Thermosäulenelement 1 besitzt außerdem eine Ausnehmung 12, um eine Membran
13 und mehrere Thermoelemente 14 vorzusehen, die auf der Membran 13 angeordnet
sind, wobei die heiße Verbindungsstelle 14a jedes der Thermoelemente 14 auf dieser
Membran 13 angeordnet ist. Die kalte Verbindungsstelle 14b aller Thermoelemente 14 befindet
sich auf dem Substrat 10. Der zentrale Bereich der Membran 13 trägt einen schwarzen
Körper, der Infrarotstrahlen absorbiert. Obwohl man unter einer Thermosäule im allgemeinen
nur eine Reihenschaltung mehrerer Thermoelelemente versteht, wird der Ausdruck
Thermosäulenelement hier im Sinne einer Kombination der Elemente 10, 13, 14, 15 verstanden.
Die Abmessungen des Thermistors 2 sind geringfügig größer als die des Thermosäulenelements
1; es kann sich um einen handelsüblichen Massenartikel handeln, der eine Widerstandsscheibe
21 aus Metalloxid oder dergleichen sowie Elektroden 22a, 22b auf den gegenüberliegenden
Seiten der Widerstandsscheibe 21 aufweist. Das Thermosäulenelement 1
ist mit dem Thermistor 2 integral gekoppelt, so daß die Rückseite des Substrats 10 im
Thermosäulenelement 1 in gutem Kontakt mit der oberen Elektrode 22a des Thermistors 2
steht. Dies kann dadurch realisiert werden, daß die Komponenten ineinandergreifen und
ein geeigneter Kunststoff über beide Komponenten gegossen wird oder indem das Silizium
(Si)-Substrat 10 erhitzt und chemisch mit einer oberen Goldelektrode 22a des Thermistors
2 verbunden wird.
In dem auf diese Weise hergestellten Sensor befindet sich der für die Messung der Temperatur
der kalten Verbindungsstelle verwendete Thermistor 2 in Kontakt mit dem Substrat
10 und damit mit der Wärmesenke 11a. Folglich wird der Thermistor 2 ständig auf derselben
Temperatur wie die kalten Verbindungsstellen gehalten, um eine genaue Temperaturkompensation
zu erzielen. Da der Thermistor 2 eine große Wärmekapazität aufweist, verursacht
er geringere Temperaturveränderungen aufgrund von Änderungen der äußeren
Temperatur oder der Absorption von Infrarotstrahlen. Erfindungsgemäß ist es nicht erforderlich,
den Thermistor sehr klein zu halten oder ihn in Form eines Films auszuführen.
Vielmehr kann es sich um einen herkömmlichen großen Thermistor handeln, mit dem das
Meßverfahren präzise durchgeführt wird.
Obwohl in der vorstehend beschriebenen Ausführungsform Metalloxid verwendet wurde,
kann auch ein Chalcogenid oder ein anderes geeignetes organisches Material verwendet
werden.
Aufgrund der vorstehenden Ausführungsform ist ersichtlich, daß mit der Erfindung ein Infrarotsensor
von sehr einfacher Struktur aufgebaut werden kann, der jederzeit die Temperatur
der kalten Verbindungsstellen auf der Thermosäule anzeigt. Dieser Infrarotsensor ermöglicht
ein kontaktloses Thermometer, das genauer und kostengünstig hergestellt werden
kann und das nicht von der Umgebungstemperatur beeinflußt wird.
In der Fig. 4 ist schematisch ein Querschnitt durch ein Thermosäulenelement eines zweiten
Ausführungsbeispiels eines Infrarotsensors vom temperaturkompensierten Typ gemäß der
Erfindung dargestellt. In dieser Figur sind diejenigen Elemente, denen Elemente in der Fig.
1 entsprechen, mit denselben Bezugszahlen versehen.
Bei der zweiten Ausführungsform kann die Wärmeübertragung zwischen dem schwarzen
Körper 15 und der heißen Verbindungsstelle 14 der einzelnen Thermoelemente dadurch
verbessert werden, daß ein harter Karbonfilm 16 auf dem zentralen Bereich der Membran
aufgebracht wird und ultrafeine Goldpartikel auf den zentralen Bereich der Membran 13
niedergeschlagen werden, um den schwarzen Körper 15 für die Absorption der Infrarotstrahlen
zu bilden. Um den schwarzen Körper 15 herum ist eine Thermosäule angeordnet,
die mehrere Thermoelemente 14 aufweist, die zueinander im Serie geschaltet sind. Die heißen
Verbindungsstellen 14a der Thermoelemente 14 sind auf dem Hartkarbonfilm 16 angeordnet,
während die kalten Verbindungsstellen 14b an der Wärmesenke 11a liegen, die
um die Peripherie des Substrats 10 gebildet ist.
Der Hartkarbonfilm 16 ist ein amorpher Karbonfilm, der durch eine Verbindung von Kohlenstoff
mit Wasserstoff gebildet ist, der seinerseits aus einer Plasmapolymerisation in
einer Atmosphäre von Kohlenwasserstoff entsteht. Ein solches Material ist im allgemeinen
als "diamantähnlicher Kohlenstoff"-Film (DLC = diamond-like carbon) bekannt (vgl. Lars
Peter Anderson, "A Review of recent work on hand i-c films", in Thin Solid Film, 86',
Seiten 193 bis 200, veröffentlicht 1981). Dieses Material weist eine Härte und eine elektrische
Isolation auf, die nahe an die entsprechenden Werte eines Diamanten herankommen.
Außerdem ist seine Wärmeleitfähigkeit etwa fünfmal größer als die von Kupfer.
Die Wärmemenge in dem schwarzen Körper 15, der Infrarotstrahlung absorbiert und dessen
Temperatur zunimmt, wird somit über den Hartkarbonfilm 16 schneller zu den heißen
Verbindungsstellen 14b der Thermoelemente 14 übertragen, wodurch die Empfindlichkeit
des Infrarotsensors verbessert wird. Außerdem wird jeder Temperaturunterschied zwischen
den heißen Verbindungsstellen 14a durch den Hartkarbonfilm 16 ausgeglichen.
Andererseits ist die Wärmesenke 11a, auf welcher die kalten Verbindungsstellen 14b der
Thermoelemente 14 angeordnet sind, vom Hartkarbonfilm 16 getrennt. Nur wenig Wärme
gelangt von dem schwarzen Körper 15 zur Wärmesenke 11a. Somit entsteht ein sehr großer
Temperaturgradient zwischen den heißen und kalten Verbindungsstellen 14a, 14b der
Thermoelemente 14, wodurch eine große elektromotorische Kraft erzeugt wird.
Von besonderer Bedeutung ist bei der zweiten Ausführungsform, daß der Hartkarbonfilm
16 nicht die Wärmesenke 11a überlappt. Wenn der Hartkarbonfilm 16 die Wärmesenke
11a überdeckt, entweicht Wärme und reduziert die thermoelektrische Kraft.
Die Fig. 5 zeigt in schematischer Form eine Draufsicht auf ein Thermosäulenelement bei
einem dritten Ausführungsbeispiel für einen Infrarotsensor nach dem erfindungsgemäßen
Temperaturkompensationsprinzip.
Bei diesem dritten Ausführungsbeispiel wird die Wärmeübertragung zwischen dem
schwarzen Körper und den heißen Verbindungsstellen der Thermoelemente verbessert.
Wie bei dem Stand der Technik weist der Infrarotsensor eine Membran 13 auf, die aus drei
aufeinanderliegenden Schichten besteht, und zwar aus einer oberen SiNx-Schicht, einer
mittleren SiO₂-Schicht und einer unteren SiNx-Schicht. Erste Leiterbahnen 141 werden
dessiniert, nachdem ein Wismutfilm mit einer Dicke von einem Mikron auf einem nicht
dargestellten Isolierungsfilm aufgebracht wurde. Jeder der dessinierten Leiterbahnen 141
ist 20 Mikron breit und 200 Mikron lang. Der Abstand zwischen den benachbarten Leiterbahnen
beträgt 60 Mikron. Hierauf werden zweite Leiterbahnen 142 aufgebracht, indem
ein Antimonfilm gebildet und wie der Wismutfilm dessiniert wird. Wie man aus der Fig. 5
ersieht, werden durch diesen Prozeß mehrere Thermoelemente 14 gebildet, die heiße und
kalte Verbindungsstellen 14a, 14b aufweisen, die miteinander in Reihe geschaltet sind.
Anschließend wird ein elektrisch leitender schwarzer Körper 15′ aufgebracht, der eine entsprechende
heiße Verbindungsstelle 14a einschließt und der elektrisch von jeder anderen
heißen Verbindungsstelle isoliert ist. Der elektrisch leitende schwarze Körper 15′ wird
durch Aufdampfen von ultrafeinen Goldteilchen in Vakuum gebildet, die einen Film mit
einer Dicke von 5 Mikron bilden. Das Dessinieren wird mittels des Widerstandsabhebeverfahrens
durchgeführt. Es hat sich herausgestellt, daß eine derartige Struktur die Ausgangsspannung
um 20% anhob, obwohl die gesamte Oberfläche der elektrisch leitenden Körper
15′ abnahm. Um einen elektrischen Kurzschluß zu vermeiden, der sich aufgrund einer Berührung
zwischen dem Wismut und den Goldteilchen ergeben könnte, wenn die ersten Leiterbahnen
141 gebildet werden, können die Antimonschichten, welche die zweiten Leiterbahnen
142 bilden, an den heißen Verbindungsstellen größer als beim Stand der Technik
ausgebildet werden. Hierdurch wird der Oberflächenbereich der Goldteilchen an jeder heißen
Verbindungsstelle vergrößert.
Obwohl jede der heißen Verbindungsstellen 14a in direktem Kontakt mit einem jeweils zugeordneten
schwarzen Körper 15′ beim dritten Ausführungsbeispiel in Verbindung steht,
werden die einzelnen schwarzen Körper 15′ von den anderen getrennt, damit ein Kurzschluß
in der Thermosäule verhindert wird.
Die Fig. 6 und 7 zeigen eine weitere Ausführungsform eines Infrarotsensors vom temperaturkompensierten
Typ gemäß der Erfindung. Die Fig. 6 stellt eine Draufsicht auf ein
Thermosäulenelement ohne Haube dar, während die Fig. 7 einen Schnitt durch die Mitte
eines Thermosäulenelements zeigt.
Der Infrarotsensor weist einen Thermistor 2 mit einer oberen Elektrode 22a, eine Widerstandsscheibe
21 und eine untere Elektrode 22b auf. Der Thermistor 2 ist mittels eines
elektrisch leitenden Klebers 4a mit dem Substrat 3 verklebt. Das Substrat 3 weist vier Leitungen
5a, 5b, 5c und 5d auf, die mittels hermetischer Versiegelungen 4b (luftdichtes Siegelmaterial,
z. B. Glas) in das Substrat 3 eingeschlossen sind. Die untere Elektrode 22b des
Thermistors 2 ist mit der Leitung 5a über den elektrisch leitenden Kleber 4a verbunden,
während die obere Elektrode 22a über einen Verbindungsdraht 6a mit der Leitung 5b verbunden
ist. Ein membranähnliches Thermosäulenelement 1 ist auf dem Thermistor 2 angeordnet
und mit diesem über einen geeigneten und nicht dargestellten Kleber verbunden.
Das Thermosäulenelement 1 enthält außerdem zwei Anschlüsse 1a und 2b, die über Verbindungsdrähte
6b und 6c mit den Leitungen 5c bzw. 5d verbunden sind. An das Substrat 3
ist eine metallische Haube 7 angelötet. Diese Haube 7 besitzt ein Fenster 7a, durch das Infrarotlicht
treten kann und das mit einer durchsichtigen Silikonplatte 8 dicht verschlossen
ist. Das Innere der Haube 7 ist luftleer gepumpt, so daß ständig ein Vakuum herrscht.
Auch das Anlöten wird durch Reibungsschweißen unter Vakuum durchgeführt.
Ein solcher Infrarotsensor kann Wärme auf die heißen Verbindungsstellen leiten, ohne daß
ein Energieverlust auftritt von den schwarzen Körpern zum umgebenden Gas, wie dies
beim Stand der Technik der Fall ist. Somit entsteht eine große thermoelektromotorische
Kraft an den Leitungen 5a, 5b, 5c und 5d.
In der nachfolgenden Tabelle ist das Verhältnis zwischen dem Grad des Vakuums in der
Haube 7 und der Empfindlichkeit dargestellt, und zwar im Vergleich mit dem Stand der
Technik, wenn Gas in die Haube eingegeben wird.
Wie man aus der vorstehenden Tabelle erkennt, kann die Vakuumabdichtung
die Nachweisempfindlichkeit
gegenüber dem Stand der Technik um das Vierfache erhöhen, so daß
der Infrarotsensor wesentlich verbessert wird.
Obwohl die beschriebenen Ausführungsbeispiele eine Festkörperphase für den Erhalt einer
Dekompressionsstruktur verwenden, ist die Erfindung nicht auf eine solche Phase beschränkt
und kann auch mit einer anderen Technik realisiert werden, beispielsweise mittels
Schweißen oder dergleichen.
Obgleich das Thermosäulenelement als Beispiel für ein kontaktloses Infrarotdetektorelement
beschrieben wurde, ist die Erfindung nicht auf ein Thermosäulenelement beschränkt
und kann auf jedes beliebige andere Thermoelement angewandt werden, beispielsweise auf
einen Thermistor, Stromkollektor und dergleichen.
Da die Energie erfindungsgemäß mit hohem Wirkungsgrad von dem schwarzen Körper zu
den heißen Verbindungsstellen übertragen werden kann, wird der Infrarotsensor bezüglich
seiner Empfindlichkeit im Vergleich zum Stand der Technik erheblich verbessert.
Obgleich die Erfindung anhand verschiedener Ausführungsformen beschrieben wurde, ist
sie dennoch nicht auf die Beispiele des Thermosäulen-Infrarotsensors beschränkt, sondern
kann auch auf jeden anderen geeigneten Infrarotsensor angewandt werden, beispielsweise
auf Sensoren von Thermistor- oder Stromkollektortyp oder auf andere Sensoren.
Claims (6)
1. Infrarotsensor, gekennzeichnet durch
- a) ein Substrat (10) mit einer zentralen Ausnehmung (12),
- b) eine Isolationsschicht (11), die auf der Oberseite des Substrats (10) angeordnet ist und die über der Ausnehmung (12) eine Membran (13) definiert,k
- c) mehrere Thermoelemente (14), die auf der Isolationsschicht (11) angeordnet und in Serie geschaltet sind, wobei jedes der Thermoelemente (14) eine heiße Verbindungsstelle (14a) auf der Membran (13) und eine kalte Verbindungsstelle (14b) auf dem Substrat (10) hat,
- d) ein Thermosäulenelement (1) mit einem schwarzen Körper (15) im zentralen Bereich der Membran (13) in der Isolationsschicht (11), das zum Absorbieren von Infrarotstrahlen dient, wobei dieses Thermosäulenelement auf einer Thermistorscheibe (2) angeordnet ist, um die Temperatur zu kompensieren.
2. Infrarotsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Haube (7) für eine
Vakuumabdichtung zwischen dem Thermosäulenelement (1) und der Thermistorscheibe
(2) vorgesehen ist, die ein für Infrarotstrahlen durchlässiges Fenster (8) aufweist.
3. Infrarotsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der schwarze Körper
(15) in dem Thermosäulenelement (1) einen Abstand zu der heißen Verbindungsstelle
(14a) der Thermoelemente (14) aufweist.
4. Infrarotsensor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der schwarze Körper
(15) mit der heißen Verbindungsstelle (14a) der Thermoelemente (14) über einen Hartkarbonfilm
(16) in Verbindung steht.
5. Infrarotsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der schwarze Körper
(15) in mehrere schwarze Körper (15′) aufgeteilt ist, wobei jeder einzelne der schwarzen
Körper in direktem Kontakt mit der heißen Verbindungsstelle in den entsprechenden
Thermoelementen steht.
6. Infrarotsensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jedes Thermoelement
(14) zwei verschiedene miteinander verbundene Metalle aufweist, wobei eines dieser Metalle
einen vergrößerten Verbindungsteil aufweist, der mit dem schwarzen Körper in Kontakt
steht.
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ID=27454638
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |