DE4024526A1 - Abschaltbares, mos-gesteuertes leistungshalbleiter-bauelement sowie verfahren zu dessen herstellung - Google Patents
Abschaltbares, mos-gesteuertes leistungshalbleiter-bauelement sowie verfahren zu dessen herstellungInfo
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4207569A1 (de) * | 1991-03-14 | 1992-09-17 | Fuji Electric Co Ltd | Steuerbarer thyristor mit isoliertem gate und verfahren zu seiner herstellung |
EP0507974A1 (de) * | 1991-04-11 | 1992-10-14 | Asea Brown Boveri Ag | Abschaltbares, MOS-gesteuertes Leistungshalbleiter-Bauelement |
EP0476815A3 (en) * | 1990-08-18 | 1992-11-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thyristor and method of manufacturing the same |
DE4135412A1 (de) * | 1991-10-26 | 1993-04-29 | Asea Brown Boveri | Mos-gesteuerter thyristor mct |
DE4135411A1 (de) * | 1991-10-26 | 1993-04-29 | Asea Brown Boveri | Abschaltbares leistungshalbleiter-bauelement |
EP0552905A1 (en) * | 1992-01-24 | 1993-07-28 | Texas Instruments Incorporated | Triac |
EP0538282A4 (en) * | 1990-06-14 | 1993-10-06 | North Carolina State University | Gated base controlled thyristor |
US5616938A (en) * | 1994-08-08 | 1997-04-01 | Asea Brown Boveri Ag | MOS-controlled power semiconductor component for high voltages |
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---|---|---|---|---|
DE3542570A1 (de) * | 1985-12-02 | 1987-06-04 | Siemens Ag | Gate-turnoff-thyristor mit integrierter antiparalleler diode |
US4779123A (en) * | 1985-12-13 | 1988-10-18 | Siliconix Incorporated | Insulated gate transistor array |
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-
1990
- 1990-08-02 DE DE4024526A patent/DE4024526A1/de not_active Withdrawn
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0538282A4 (en) * | 1990-06-14 | 1993-10-06 | North Carolina State University | Gated base controlled thyristor |
EP0476815A3 (en) * | 1990-08-18 | 1992-11-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Thyristor and method of manufacturing the same |
US5324670A (en) * | 1990-08-18 | 1994-06-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a thyristor device with improved turn-off characteristics |
DE4207569A1 (de) * | 1991-03-14 | 1992-09-17 | Fuji Electric Co Ltd | Steuerbarer thyristor mit isoliertem gate und verfahren zu seiner herstellung |
EP0507974A1 (de) * | 1991-04-11 | 1992-10-14 | Asea Brown Boveri Ag | Abschaltbares, MOS-gesteuertes Leistungshalbleiter-Bauelement |
US5698867A (en) * | 1991-04-11 | 1997-12-16 | Asea Brown Boveri Ltd. | Turn-off, MOS-controlled, power semiconductor component |
DE4135412A1 (de) * | 1991-10-26 | 1993-04-29 | Asea Brown Boveri | Mos-gesteuerter thyristor mct |
US5349213A (en) * | 1991-10-26 | 1994-09-20 | Asea Brown Boveri Ltd. | Turn-off power semiconductor device |
DE4135411A1 (de) * | 1991-10-26 | 1993-04-29 | Asea Brown Boveri | Abschaltbares leistungshalbleiter-bauelement |
EP0552905A1 (en) * | 1992-01-24 | 1993-07-28 | Texas Instruments Incorporated | Triac |
US5359210A (en) * | 1992-01-24 | 1994-10-25 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit |
US5616938A (en) * | 1994-08-08 | 1997-04-01 | Asea Brown Boveri Ag | MOS-controlled power semiconductor component for high voltages |
EP0697736A3 (de) * | 1994-08-08 | 1997-05-07 | Abb Management Ag | MOS-gesteuertes Leistungshalbleiterbauelement für hohe Spannungen |
EP0768717A3 (de) * | 1995-10-13 | 1998-01-28 | Asea Brown Boveri Ag | Leistungshalbleiterelement |
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