DE4022545A1 - Verfahren zum aufbringen von loetkontaktstellen auf eine kontaktschicht eines halbleiterchips - Google Patents
Verfahren zum aufbringen von loetkontaktstellen auf eine kontaktschicht eines halbleiterchipsInfo
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- H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
- H01S2301/176—Specific passivation layers on surfaces other than the emission facet
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufbringen von Lötkon
taktstellen auf eine Kontaktschicht von auf einem Wafer erzeug
ten Halbleiterchips, bei dem die gesamte Kontaktschicht der zu
vereinzelnden Halbleiterchips auf der Waferoberfläche mit einer
Lötkontaktstellenstruktur versehen wird.
Zu einer optimalen ohmschen und auch thermischen Verbindung
eines Halbleiterchips bzw. eines monolithischen Mikrobausteins,
beispielsweise eines LED- oder Laserdiodenchips, mit einem wei
teren Bauteil bzw. einer Baugruppeneinheit, beispielsweise einem
Kupferteil, einem Keramikteil, einem Glasträger oder einem Sili
ziumträger, werden an den Halbleiterchips Lötkontaktstellen bzw.
Lötkontakthügel, sogenannte Lot-Pads bzw. Bumps benötigt.
Bei den heute üblichen Verbindungen von Halbleiterchips mit einem
weiteren Bauteil wird der Halbleiter entweder legiert oder ver
lötet oder mittels Kleber thermisch oder elektrisch leitend auf
das Bauteil aufgebracht.
Ein zur Zeit bevorzugtes Verfahren zum Aufbringen von Lötkontakt
stellen auf Halbleiterchips besteht darin, daß Lotschichten, z. B.
aus Zinn, Blei und Silber, auf eine beispielsweise aus einer Ti
tan, Palladium oder Platin und Gold bestehenden Schichtenfolge
gebildete Kontaktschicht aufgebracht werden. Aus stöchiometri
schen Gründen werden dabei die Metalle der Lotschicht durch soge
nanntes Blitzverdampfen (flash-evaporation) auf die Kontakt
schicht aufgebracht. Zu diesem Zweck werden die Halbleiterchips
auf einem Wafer bzw. einer Halbleitersubstratscheibe als Schicht
träger erzeugt, das dann auf einer Seite ganzflächig mit einer
Kontaktschicht bzw. Kontaktschichtenfolge für beispielsweise La
serdiodenchips versehen wird. Auf diese Wafer- bzw. Kontaktober
fläche wird die später als Verbindungselement dienende Lotschicht
aufgebracht, und zwar wiederum ganzflächig durch Flash-Bedampfung.
Zum Bilden der gewünschten Lötkontaktstellenstruktur wird die Lot
schicht mit einer entsprechend strukturierten Maske versehen, aus
geätzt und dann die Maske entfernt, so daß schließlich nur die
gewünschten Lot-Pads bzw. Bumps stehenbleiben, und zwar jeweils
mehrere für jeweils einen Halbleiterchip, die dann aus dem Wafer
beispielsweise durch Sägen vereinzelt werden.
Ein derartiges Verfahren ist allerdings mit folgenden Nachteilen
behaftet. Zum Flash-Bedampfen benötigt man lange Aufdampfzeiten,
d. h. die Aufdampfrate ist klein. Zudem ist man bei der Maskierung
auf eine komplizierte Fototechnik angewiesen und benötigt even
tuell eine zusätzliche Maske bzw. Fotolackschicht. Auch das Aus
ätzen der gewünschten Anschlußflecken bzw. Lötkontakthügel berei
tet Schwierigkeiten, zumal es sich bei dem abzuätzenden Material
um eine Lotmetallegierung handelt. Schließlich ist auch der ab
schließende Reinigungsprozeß zeitraubend, so daß für ein derarti
ges Verfahren ein Zeitaufwand von mehreren Stunden nötig ist.
Nahezu die gleichen Probleme entstehen bei dem Aufbringen einer
Lotschicht mittels Sputtern oder Aufdampfen - abgesehen davon,
daß die Stöchiometrie der Materialien bei dieser Art der Technik
nicht eingehalten werden kann.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, diese Nachteile zu ver
meiden und ein Verfahren zum Aufbringen von Lötkontaktstellen auf
eine Kontaktschicht eines Halbleiterchips zu schaffen, das wesent
lich vereinfacht, zeitsparend und damit besonders rationell ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren mit den
Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen bzw. Weiterbildungen der Erfindung
sind Gegenstand zusätzlicher Ansprüche.
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbesondere
darin, daß anstelle eines aufwendigen Flash-Aufdampfens von Lot-
Pads und deren komplizierten Ausätzen, die Lötkontaktstellen
struktur lediglich mit einer Oxidschicht als Abdeckschicht bzw.
Strukturmaske innerhalb kürzester Zeit durch Tauchlöten herge
stellt wird. Die verwendete Oxidschicht, vorzugsweise eine
SiO2- oder Al2O3-Schicht, bringt dabei noch weitere Vorteile mit
sich. Zum einen läßt sich eine solche Schicht wesentlich leichter
ätzen bzw. strukturieren als Lotschichten. Zum anderen bleibt
diese Oxidschicht nach ihrem Aufbringen und Strukturieren stehen.
Das wiederum hat zur Folge, daß die Oxidschicht in vorteilhafter
Weise beim Verbinden der einzelnen Halbleiterchips mit weiteren
Bauteilen als Lötstopp verwendet werden kann.
Anhand eines in den Figuren der Zeichnung dargestellten Ausfüh
rungsbeispiels wird die Erfindung im folgenden näher erläutert.
Es zeigen
Fig. 1 eine Draufsicht auf einen Ausschnitt einer erfindungsgemä
ßen Lötkontaktstellenstruktur und
Fig. 2 einen Laserdiodenchip mit aufgebrachten Lötkontaktstellen.
Die in der Fig. 1 dargestellte Lötkontaktstellenstruktur für
einen Halbleiterchip, vorzugsweise für einen Laserdiodenchip ge
mäß Fig. 2, wird folgendermaßen hergestellt. Ausgegangen wird von
einem Wafer, auf dem eine Vielzahl von Halbleiterchips, bei
spielsweise Laserdiodenchips, monolithisch bereits hergestellt
worden ist. Je nachdem, ob die Halbleiterchips später mit anderen
Bauteilen in upside up- oder upside down-Montagetechnik weiter
verarbeitet werden sollen, wird die eine der Waferoberflächen
insgesamt mit einer Kontaktschicht versehen. Dabei wird als Kon
taktschicht eine Schichtenfolge aus beispielsweise Titan als
Haftschicht, Palladium oder Platin als Diffusionsbremse und Gold
als elektrisch leitende Schicht bevorzugt verwendet. Auf diese
auf eine Waferseite ganzflächig aufgebrachte Kontaktschicht 3
wird wiederum ganzflächig eine Oxidschicht 2, vorzugsweise SiO2-
oder Al2O3-Schicht aufgebracht. Diese Oxidschicht 2 wird anschlie
ßend durch Ausätzen so strukturiert, daß die Kontaktschicht 3 an
den Stellen freigelegt wird, an denen die aufzubringenden Lötkon
taktstellen 1 vorgesehen sind. Sobald die Kontaktschicht 3 ent
sprechend strukturiert ist, wird das Wafer mit der durch die
Oxidmaske 2 strukturierten Seite in ein geeignetes Lot einge
taucht und die Lötkontaktstellenstruktur 1 auf dieser Waferseite
somit durch Tauchlöten hergestellt. Als Lot ist beispielsweise
eine Zinn-Blei-Silber-Legierung besonders geeignet. Nach dem
Tauchlöten können die Halbleiterchips vereinzelt werden. Jeder
einzelne Chip besitzt dann auf seiner Kontaktfläche 3 mehrere
Lötkontaktstellen 1, deren Anzahl und Umriß von der Struktur
abhängig ist, die der Oxidschicht 2 verliehen wurde. Die Reste
der Oxidschicht 2 umgeben dabei die Lötkontaktstellen und dienen
beim Verbinden der Halbleiterchips mit anderen Bauteilen in vor
teilhafter Weise als Lötstopp.
In Fig. 2 ist als Halbleiterchip ein Laserdiodenchip in Gestalt
eines Metal-Clad-Ridge-Waveguide-(MCRW-)Lasers dargestellt.
Teile, die nicht unbedingt zum Verständnis der Erfindung beitra
gen, sind dabei unbezeichnet. Als Grundsubstrat für den Wafer
wird beispielsweise InP verwendet. Auf das hochdotierte n⁺-InP-
Substrat, das an der einen Oberfläche des Wafers bzw. der ver
einzelten Laserdioden liegt, ist die Kontaktschicht 3 aufgebracht.
In diesem Beispiel ist die Kontaktschicht 3 eine Schichtenfolge
von einer inneren Titanschicht, einer mittleren Platinschicht
und einer äußeren Goldschicht als eigentliche Kontaktoberfläche.
Auf der Oberfläche der Kontaktschicht 3 sind die Lötkontaktstel
len 1 durch Tauchlöten unter Verwendung der durch Ätzen struktu
rierten Oxidschicht 2 angebracht. Als Material für die Lötkontakt
stellen wird vorzugsweise eine Zinn-Blei-Silber-Legierung
verwendet.
Claims (6)
1. Verfahren zum Aufbringen von Lötkontaktstellen auf eine Kon
taktschicht von auf einem Wafer erzeugten Halbleiterchips, bei
dem die gesamte Kontaktschicht der zu vereinzelnden Halbleiter
chips auf der Waferoberfläche mit einer Lötkontaktstellenstruktur
versehen wird, dadurch gekennzeichnet,
daß die Struktur der Lötkontaktstellen (1) mittels einer Oxid
schicht (2) vorgegeben wird, die auf die Kontaktschicht (3) auf
gebracht und entsprechend ausgeätzt wird, und daß die Lötkontakt
stellen (1) durch Tauchlöten gebildet werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die strukturierte Oxidschicht (2) als
Lötstopp verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß als Oxidschicht (2) eine Al2O3-
Schicht auf die Kontaktschicht (3) aufgebracht wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß als Oxidschicht (2) eine SiO2-
Schicht auf die Kontaktschicht (3) aufgebracht wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß als Material für die Lötkon
taktstellen (1) eine Zinn-Blei-Silber-Legierung verwendet wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, gekenn
zeichnet durch seine Verwendung zum Aufbringen
von Lötkontaktstellen (1) auf eine Kontaktschicht (3) von Laser
diodenchips.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4022545A DE4022545C2 (de) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | Verfahren zum Aufbringen von Lötkontaktstellen durch Tauchlöten auf eine Kontaktschicht eines Halbleiterchips |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4022545A DE4022545C2 (de) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | Verfahren zum Aufbringen von Lötkontaktstellen durch Tauchlöten auf eine Kontaktschicht eines Halbleiterchips |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4022545A1 true DE4022545A1 (de) | 1992-01-23 |
DE4022545C2 DE4022545C2 (de) | 2002-08-08 |
Family
ID=6410358
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4022545A Expired - Fee Related DE4022545C2 (de) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | Verfahren zum Aufbringen von Lötkontaktstellen durch Tauchlöten auf eine Kontaktschicht eines Halbleiterchips |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE4022545C2 (de) |
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