DE4021164C1 - Inductive proximity circuit for machine tool - has oscillator transistor output signal compared with external signal for switching initiation - Google Patents
Inductive proximity circuit for machine tool - has oscillator transistor output signal compared with external signal for switching initiationInfo
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- H03K17/95—Proximity switches using a magnetic detector
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Description
Die Erfindung betrifft einen induktiven Näherungsschalter gemäß dem Oberbegriff
des Anspruchs 1.
Kontakt- und berührungslos arbeitende Initiatoren enthalten gewöhnlich einen Hf-
Oszillator in einer Sperrschwingerschaltung mit einem aktiven LC-Schwingkreis.
Die Induktivität des LC-Schwingkreises ist als Spule mit gerichtetem Hf-Feld ausgebildet.
Wird in das Feld ein elektrisch leitendes Medium gebracht, tritt eine
Dämpfung im Schwingkreis auf. Bei genügend großer Dämpfung gemäß dem Abstand
des Mediums von der Spule des LC-Schwingkreises reißt die Schwingung
des Oszillators ab, wobei diese Zustandsänderung innerhalb eines Auswerters in
einen Schaltbefehl umgesetzt wird.
Derartige Schalter besitzen die Eigenschaft, daß der Schaltabstand von den Materialeigenschaften und der Beschaffenheit des zu detektierenden Körpers
abhängt. Dabei haben zu detektierende Körper aus magnetisch und elektrisch
leitfähigem Material einen höheren Schaltabstand, Körper aus magnetisch nichtleitfähigem,
aber elektrisch leitfähigem Material einen geringeren Schaltabstand.
Durch die DE 37 14 433 C1 ist ein induktiver Näherungsschalter mit einer Oszillatorschaltung
bekannt geworden, mit einem die Frequenz bestimmenden Frequenz-
Schwingkreis und mit einem die Verstärkung bestimmenden Impedanzglied,
welches einen Impedanzschwingkreis mit einer durch die Annäherung eines
metallischen Auslösers beeinflußbaren Sensorspule enthält. Damit der Näherungsschalter
für FE- und NF-Auslöser-Metalle den gleichen Schaltabstand aufweist,
sollen die Resonanzfrequenz des Oszillatorschwingkreises und der kritische
Impedanzwert des Impedanzgliedes auf die Koordinaten des Schnittpunktes
der für jeweils gleichen Schaltabstand sich ergebenden Impedanz/Frequenz-
Kennlinien für einen NF-Auslöser und einen FE-Auslöser abgestimmt sein. Diese
Schaltung benötigt allerdings Schwingkreise von hoher Güte und eine genaue Justierung
der kritischen Impedanz der Oszillatorschaltung, wozu ein gesondertes
Verstellglied im Impedanzzweig der Oszillatorschaltung vorgesehen werden muß.
Durch die DE 29 15 110 C2 ist ein induktiver Zweidraht-Näherungsschalter mit
einem Oszillator bekanntgeworden, der durch ein Anregungssignal in einen
schwingenden Zustand und durch Einbringen eines aus einem elektrisch leitenden
Material bestehenden Dämpfungselementes in sein Hochfrequenzfeld vom
schwingenden in den nichtschwingenden Zustand zu überführen ist. Der Oszillator
besitzt im schwingenden Zustand eine wesentlich höhere Stromaufnahme als im
nichtschwingenden Zustand. Über einen steuerbaren Halbleiterschalter, der durch
ein Steuersignal von einem sperrenden in einen leitenden Schaltzustand zu bringen
ist, wird dem Oszillator das Anregungssignal im leitenden Zustand des gesteuerten
Schalters zugeführt, wobei der Schalter vom nichtschwingenden Oszillator
in den gesperrten Zustand gebracht wird. Dadurch kann der Oszillator mit
Einschalten der Speisespannung nur im ungedämpften oder nichtschwingenden
Zustand durch ein kurzes oder impulshaftes elektrisches Signal in den schwingenden
Zustand versetzt werden.
Bei speziellen Anwendungen kann die Eigenschaft des unterschiedlichen Schaltabstandes
für unterschiedliche Materialeigenschaften des zu detektierenden
Körpers nachteilig sein. Zur Behebung dieses Nachteils wurde in der nicht vorveröffentlichten
DE-A 39 19 916 ein induktiver Näherungsschalter mit einem Hf-
Oszillator mit einem LC-Schwingkreis vorgeschlagen, dem ein weiterer LC-
Schwingkreis unter gegenseitiger magnetischer Beeinflussung dergestalt benachbart
ist, daß die Spulen der beiden Schwingkreise axial auf einer gemeinsamen
Achse sitzend innerhalb von aufeinander aufgesetzten Schalenkernen angeordnet
sind. Diese Anordnung bringt wohl eine gleichbleibende Ansprechempfindlichkeit
für unterschiedliche Metalle, sie ist jedoch sehr kritisch hinsichtlich der
magnetischen Kopplung der beiden Schwingkreise, die sich nach erfolgter Einstellung
nicht ändern darf und damit abhängig vom Abstand der beiden Spulen
voneinander. Schon sehr geringe Abstandsänderungen, beispielsweise aufgrund
von Temperaturänderungen, können die magnetische Kopplung der beiden LC-
Schwingkreise beeinträchtigen.
Der Erfindung liegt die Augabe zugrunde, einen Näherungsschalter der genannten
Gattung dergestalt zu verbessern, daß dieser praktisch keinen Reduktionsfaktor
aber eine hohe gleichbleibende Ansprechempfindlichkeit für magnetische und
unmagnetische zu detektierende Körper bei Vorliegen des Nenn-Schaltabstandes
besitzt, wobei eine magnetische Kopplung der beiden Spulen der Schwingkreise
gering und ohne Einfluß sein soll.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Merkmale des Patentanspruchs 1
gelöst. Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
Der erfindungsgemäße induktive Näherungsschalter weist den Vorteil auf, daß
zwischen den Spulen der beiden Schwingkreise praktisch keine oder nur eine
sehr geringe induktive Kopplung gegeben ist und deshalb eine Beeinflussung hinsichtlich
einer induktiven Kopplung entfällt. Dadurch besitzt der Näherungsschalter
eine erhöhte Ansprechempfindlichkeit auf unterschiedliche Metalle,
wobei der Reduktionsfaktor wesentlich verbessert ist, der in vorteilhafter Weise
für die gebräuchlichsten Metalle, wie Fe, Al, Cu, Ms, V2A oder Legierungen hiervon,
praktisch oder fast bei 1 liegt. Der induktive Näherungsschalter ist dadurch
sowohl für die Detektion von magnetischen wie unmagnetischen Metallgegenständen
geeignet. Der Einbau des zweiten LC-Schwingkreises in den Näherungsschalter
ist völlig unproblematisch, weil sich die beiden LC-Schwingkreise
nicht induktiv hinsichtlich ihrer geometrischen Lage und Anordnung beeinflussen,
sondern ausschließlich elektrisch über die Rückkopplung über den Transistor.
Des weiteren besitzt der erfindungsgemäße Näherungsschalter den Vorteil, daß
derselbe ohne Beeinträchtigung seiner vorteilhaften Eigenschaften in eine Metallwand
bündig eingebaut werden kann.
Dabei ist eine Detektion mittels des erfindungsgemäßen Näherungsschalters vorteilhafterweise
unabhängig von den Materialeigenschaften oder vom Metall des
zu detektierenden Körpers; der Schaltabstand entspricht mindestens dem Nenn-
Schaltabstand eines Näherungsschalters des Standes der Technik. In vorteilhafter
Weise beträgt der Reduktionsfaktor 1 oder praktisch 1, so daß der Schaltabstand
des Näherungsschalters vom Material des zu detektierenden Körpers
unabhängig ist. Zwischen den beiden Spulen des aktiven und des passiven
Schwingkreises besteht keine oder praktisch keine induktive Kopplung, weshalb
die geometrische Anordnung des passiven Schwingkreises zur Bewirkung des
Reduktionsfaktors 1 innerhalb des Gehäuses des Näherungsschalters beliebig ist
und allein den geometrischen Gegebenheiten des Gehäuses angepaßt werden
kann. Daher brauchen die Bauelemente nicht ähnlich zu sein, sondern können
beliebig sein.
Ein Beispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt, die ein prinzipielles
Schaltbild des induktiven Näherungsschalters zeigt.
Der Oszillator in Sperrschwingerschaltung besteht aus einem Oszillator-Transistor
1 - hier mit npn-Übergängen - an dessen Basiszuleitung 13 über einen Basisvorwiderstand
14 der positive Pol 18 einer Spannungsquelle 6 mit einem
Innenwiderstand Ri gelegt ist. Selbstverständlich kann die Schaltung auch mit
Transistoren mit pnp-Übergängen aufgebaut sein.
Der Emitter 7 des Transistors 1 ist über einen Widerstand 8 an die Anzapfung 9
einer Spule 11 gelegt, die parallel zu einem Kondensator 12 geschaltet ist, so daß
die Spule 11 und der Kondensator 12 einen LC-Schwingkreis 10 bilden, der aktiv
genannt wird, weil seine Schwingungen von einem sich der Spule 11 nähernden
metallischen Körper 21 beeinflußt werden. Der Schwingkreis ist vorzugsweise ein
Parallelschwingkreis.
Das eine Ende der Spule 11 bzw. des LC-Schwingkreises ist über eine Diode 15
mit der Basiszuleitung 13 des Transistors 1 und mit dem Basisvorwiderstand 14
verbunden. Das andere Ende der Spule 11 ist mit dem negativen Pol 19 der
Spannungsquelle 6 verbunden; zwischen beiden Polen 18 und 19 der Spannungsquelle
6 liegt ein weiterer Kondensator 17 parallel zur übrigen Schaltung.
An dem Kollektor 2 des Transistors 1 ist ein weiterer LC-Schwingkreis 3 aus einer
Spule 5 und einem Kondensator 4 angeordnet, die parallel geschaltet sein
können, wobei der LC-Schwingkreis 3 an den positiven Pol 18 der Spannungsquelle
6 gelegt ist. Dieser LC-Schwingkreis 3 kann als passiv bezeichnet werden,
da er weder von dem sich der Spule 11 des aktiven Schwingkreises 10
nähernden metallischen Körper 21, noch vom Magnetfeld der Spule 11 (nennenswert)
beeinflußt wird. Der Kollektor 2 des Transistors 1 ist zum Emitter 7 mittels
eines Kondensators 16 überbrückt.
Die Wirkungsweise des induktiven Näherungsschalters ist folgende:
Wenn sich innerhalb des induktiven Feldes der Spule 11 des aktiven LC-Schwingkreises 10 kein metallischer Körper befindet, schwingt die Schaltung, wobei der Oszillator-Transistor 1 am Kollektor 2 eine Phasendrehung der Schwingungen gegenüber dem Emitter 7 bewirkt. Über den Kondensator 16 werden die Schwingungen des passiven Schwingkreises 3 gegenphasig rückgekoppelt, was bewirkt, daß die Schwingungsamplitude am Kollektor 2 des aktiven Schwingkreises zurückgeht, aber dann stabil bleibt.
Wenn sich innerhalb des induktiven Feldes der Spule 11 des aktiven LC-Schwingkreises 10 kein metallischer Körper befindet, schwingt die Schaltung, wobei der Oszillator-Transistor 1 am Kollektor 2 eine Phasendrehung der Schwingungen gegenüber dem Emitter 7 bewirkt. Über den Kondensator 16 werden die Schwingungen des passiven Schwingkreises 3 gegenphasig rückgekoppelt, was bewirkt, daß die Schwingungsamplitude am Kollektor 2 des aktiven Schwingkreises zurückgeht, aber dann stabil bleibt.
Der zweite LC-Schwingkreis 3 innerhalb der Kollektorzuleitung 2 bewirkt, daß der
Reduktionsfaktor für unterschiedliche metallische Werkstoffe des Körpers 21
gleich 1 oder praktisch 1 beträgt. Dabei besteht zwischen den Spulen 11 und 5
des aktiven und des passiven Schwingkreises 10, 3 keine oder praktisch keine induktive
Kopplung, die von Bedeutung wäre, weshalb die geometrische Anordnung
des Schwingkreises 3 innerhalb des Gehäuses des Näherungsschalters beliebig
ist. Bauart und Bauform der Elemente der Schwingkreise, vorzugsweise der Spulen,
sind beliebig.
Nach Anlegen einer Spannung 6 an die Klemmen 18, 19 baut sich im passiven
LC-Schwingkreis 3 eine Schwingung mit relativ großer Amplitude auf, die
gegenüber der Schwingung im aktiven LC-Schwingkreis 10 aufgrund des dazwischengeschalteten
Transistors 1 phasenverschoben ist. Über einen Widerstand
20 innerhalb z. B. der negativen Spannungszuleitung 19 kann das Ausgangssignal
uA zur Auslösung eines Schaltvorganges abgegriffen werden.
Der Schaltabstand entspricht in vorteilhafter Weise dem Schaltabstand eines
Näherungsschalters des Standes der Technik. In vorteilhafter Weise ist aber der
Reduktionsfaktor 1, so daß der erfindungsgemäße Näherungsschalter von den
Materialeigenschaften des zu detektierenden Körpers 21 unabhängig ist.
Liste der Bezugszeichen:
1 Oszillator-Transistor
2 Kollektor
3 LC-Schwingkreis
4 Kondensator
5 Spule
6 Spannungsquelle
7 Emitter
8 Emitterwiderstand
9 Anzapfung
10 LC-Schwingkreis
11 Spule
12 Kondensator
13 Basiszuleitung
14 Basisvorwiderstand
15 Diode
16, 17 Kondensatoren
18, 19 Pole der Spannungsquelle
20 Widerstand zum Abgriff des Ausgangssignals
21 zu detektierender, metallischer Körper
Ri Innenwiderstand der Spannungsquelle
2 Kollektor
3 LC-Schwingkreis
4 Kondensator
5 Spule
6 Spannungsquelle
7 Emitter
8 Emitterwiderstand
9 Anzapfung
10 LC-Schwingkreis
11 Spule
12 Kondensator
13 Basiszuleitung
14 Basisvorwiderstand
15 Diode
16, 17 Kondensatoren
18, 19 Pole der Spannungsquelle
20 Widerstand zum Abgriff des Ausgangssignals
21 zu detektierender, metallischer Körper
Ri Innenwiderstand der Spannungsquelle
Claims (3)
1. Induktiver Näherungsschalter bestehend im wesentlichen aus einem Transistor-
Oszillator, dessen Zustand zur Ableitung eines Ausgangssignals (uA) benützt
wird, mit einem LC-Schwingkreis (10) zur Bestimmung des Weges und/oder der
Position im Raum und/oder der Materialeigenschaften eines zu detektierenden
elektrisch leitfähigen Körpers (21) durch Einbringen desselben in das elektromagnetische
Feld der Spule (11) des LC-Schwingkreises (10), mit einem Oszillator-
Transistor (1), dessen Kollektor (3) in Reihe mit einem aus einer Spule (5) und
einem Kondensator (4) bestehenden zweiten LC-Schwingkreis (3) geschaltet und
an den einen Pol (18) einer Spannungsquelle (6) gelegt ist dergestalt, daß bei Anwesenheit
in einem vorgegebenen Bereich des zu detektierenden Körpers entsprechend
seines Abstandes von der Spule (11) des ersten LC-Schwingkreises
(10) der Oszillator beeinflußt und bei Abwesenheit des zu detektierenden Körpers
der Oszillator nicht beeinflußt wird, wobei das Ausgangssignal mit einem Fremdsignal
verglichen wird und einen Schaltvorgang auszulösen imstande ist,
dadurch gekennzeichnet,
daß der Emitter (7) und der Kollektor (2) des Oszillator-Transistors (1) mit einem
Kondensator (16) überbrückt sind.
2. Näherungsschalter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Spule (5) und der Kondensator (4) des zweiten LC-Schwingkreises (3)
parallel geschaltet sind.
3. Näherungsschalter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die beiden LC-Schwingkreise (3, 10) die gleiche oder ungefähr die gleiche
Resonanzfrequenz aufweisen.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19904021164 DE4021164C1 (en) | 1990-07-03 | 1990-07-03 | Inductive proximity circuit for machine tool - has oscillator transistor output signal compared with external signal for switching initiation |
DE19914120806 DE4120806A1 (de) | 1990-07-03 | 1991-06-24 | Induktiver naeherungsschalter |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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ID=6409570
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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