DE4020319A1 - Verfahren zur herstellung eines um (lambda)/4-phasenverschobenen beugungsgitters - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines um (lambda)/4-phasenverschobenen beugungsgitters

Info

Publication number
DE4020319A1
DE4020319A1 DE19904020319 DE4020319A DE4020319A1 DE 4020319 A1 DE4020319 A1 DE 4020319A1 DE 19904020319 DE19904020319 DE 19904020319 DE 4020319 A DE4020319 A DE 4020319A DE 4020319 A1 DE4020319 A1 DE 4020319A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
resist
pattern
substrate
image reversal
diffraction grating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19904020319
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE4020319C2 (enrdf_load_stackoverflow
Inventor
Masatoshi Fujiwara
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE4020319A1 publication Critical patent/DE4020319A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE4020319C2 publication Critical patent/DE4020319C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/18—Diffraction gratings
    • G02B5/1847—Manufacturing methods
    • G02B5/1857—Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/001—Phase modulating patterns, e.g. refractive index patterns

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
DE19904020319 1989-07-28 1990-06-26 Verfahren zur herstellung eines um (lambda)/4-phasenverschobenen beugungsgitters Granted DE4020319A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1197803A JPH0361901A (ja) 1989-07-28 1989-07-28 λ／４シフト回折格子の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE4020319A1 true DE4020319A1 (de) 1991-02-07
DE4020319C2 DE4020319C2 (enrdf_load_stackoverflow) 1992-07-02

Family

ID=16380610

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19904020319 Granted DE4020319A1 (de) 1989-07-28 1990-06-26 Verfahren zur herstellung eines um (lambda)/4-phasenverschobenen beugungsgitters

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPH0361901A (enrdf_load_stackoverflow)
DE (1) DE4020319A1 (enrdf_load_stackoverflow)
GB (1) GB2234364B (enrdf_load_stackoverflow)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4322163A1 (de) * 1993-07-03 1995-01-12 Ant Nachrichtentech Auf DFB- oder DBR-Gitter basierendes optoelektronisches Bauelement mit quasi-kontinuierlich axial verteilbarer Brechungsindex-Variation, mit axial beliebig verteilbarer und variierbarer Phasenverschiebung, sowie mit axial quasi-kontinuierlich variierbarem Gitter-Kopplungskoeffizienten
DE4322164A1 (de) * 1993-07-03 1995-01-12 Ant Nachrichtentech Optoelektronisches Bauelement mit Rückkopplungsgitter, mit axial quasi-kontinuierlich und nahezu beliebig variierbarem Gitterkopplungs-Koeffizienten, mit quasi-kontinuierlich axial verteilbarer Brechungsindex-Variation, sowie mit axial nahezu beliebig verteilbarer und variierbarer Phasenverschiebung
JP3366441B2 (ja) * 1994-06-21 2003-01-14 三菱電機株式会社 λ／４シフト回折格子の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2855723C2 (de) * 1978-12-22 1985-11-28 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zum Herstellen eines Negativmusters einer Vorlage aus einem Positivlack
DE3842489A1 (de) * 1988-12-16 1990-06-21 Siemens Ag Verfahren zur herstellung von gitterstrukturen mit um eine halbe gitterperiode gegeneinander versetzten abschnitten

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4826291A (en) * 1985-07-16 1989-05-02 Kokusai Denshin Denwa Kabushiki Kaisha Method for manufacturing diffraction grating

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2855723C2 (de) * 1978-12-22 1985-11-28 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zum Herstellen eines Negativmusters einer Vorlage aus einem Positivlack
DE3842489A1 (de) * 1988-12-16 1990-06-21 Siemens Ag Verfahren zur herstellung von gitterstrukturen mit um eine halbe gitterperiode gegeneinander versetzten abschnitten

Also Published As

Publication number Publication date
GB2234364B (en) 1993-03-31
GB9006051D0 (en) 1990-05-09
DE4020319C2 (enrdf_load_stackoverflow) 1992-07-02
GB2234364A (en) 1991-01-30
JPH0361901A (ja) 1991-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19525745B4 (de) Verfahren zur Bildung eines Abdeckungsmusters
DE2624832C3 (de) Verfahren zum Herstellen von Lackmustern
DE2628099C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Maske
DE4440230C2 (de) Verfahren zur Bildung feiner Strukturen eines Halbleiterbauelements
DE69131878T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Phasenverschiebungs-Photomaske
DE69125195T2 (de) Phasenverschiebungsmaske und Verfahren zur Herstellung
EP0451307B1 (de) Phasenmaske für die Projektionsphotolithographie und Verfahren zu deren Herstellung
DE102004034572A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Struktur auf der Oberfläche eines Substrats
DE4306033A1 (de) Resistmuster und Verfahren zu deren Herstellung
DE3030653A1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen
DE4102422A1 (de) Verfahren zur herstellung einer in mehreren ebenen angeordneten leiterstruktur einer halbleitervorrichtung
DE4103565A1 (de) Verfahren zur bildung eines feinen musters auf einem halbleiter mit einer stufe
DE4413821A1 (de) Phasenschiebemaske und Verfahren zu deren Herstellung
DE2752378C2 (enrdf_load_stackoverflow)
DE19648075C2 (de) Phasenschiebemaske und Herstellverfahren für diese
DE4215210C2 (de) Herstellungsverfahren für eine Phasenverschiebungsmaske
DE68918177T2 (de) Feinstruktur-Herstellungsverfahren.
DE19740948A1 (de) Phasenschiebemaske und Verfahren zum Herstellen derselben
DE19727261B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer Phasenschiebemaske
DE2143737A1 (de) Photoaetzverfahren
DE4415136C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Lithographiemaske
DE19508749C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Phasenverschiebungsmaske
DE4020319A1 (de) Verfahren zur herstellung eines um (lambda)/4-phasenverschobenen beugungsgitters
DE2451486C2 (de) Verfahren zum Herstellen von integrierten Halbleiteranordnungen
DE4339466C2 (de) Verfahren zur Bildung von Mustern unter Verwendung eines Mehrschichtresists

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8320 Willingness to grant licenses declared (paragraph 23)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee