DE4005756A1

DE4005756A1 - Praezisions-referenzspannungsquelle

Info

Publication number: DE4005756A1
Application number: DE4005756A
Authority: DE
Inventors: Gerhard Dipl Phys Conzelmann; Karl Nagel; Gerhard Dipl Ing Fiedler; Andreas Dipl Ing Junger
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 1989-04-01
Filing date: 1990-02-23
Publication date: 1990-10-04
Also published as: EP0466717A1; WO1990012353A1; JP2818289B2; DE59002341D1; US5258702A; JPH04504320A; ES2042287T3; EP0466717B1

Description

Stand der Technik

Die Erfindung betrifft eine Präzisions-Referenzspannungsquelle nach der Gattung des Hauptanspruchs.

Die Anforderungen an die Kenndaten monolithisch integrierter Schaltungen für das Kraftfahrzeug werden laufend höher. Wegen des großen Temperaturbereichs von

-40°C Tj +150°C

und darüber sind Referenzspannungsquellen mit extrem kleinem bzw. definiert vorgebbarem Temperaturkoeffizienten (TK) und geringer Piezo-Empfind lichkeit besonders wichtig.

Aus dem Aufsatz von G. C. M. Meÿer, P. C. Schmale und K. van Zalinge "A New Curvature-Corrected Bandgap Reference" in IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. SC-17, Nr. 6, Dezember 1982 ist bereits eine Präzisions-Referenzspannungsquelle nach der Gattung des Hauptanspruchs bekannt, die 47 Komponenten auf einer Chipfläche von 4 mm² enthält und einen IC-Herstellungsprozeß mit Nickel- Chrom-Widerstands-Technologie erfordert. Ihr Temperaturkoeffizient wird mit 50 ppm in einem Temperaturbereich von

25°C Tj 85°C

angegeben.

Aus dem Aufsatz von A. P. Brokaw "A Simple Three-Terminal IC Bandgap-Reference" in IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. SC-9, Nr. 6, Dezember 1974 ist des weiteren bereits eine nach dem Bandgap-Prinzip arbeitende monolithisch integrierte Referenz spannungsquelle bekannt, die 29 Komponenten auf einer Chipfläche von 1,47 mm² enthält und ebenfalls mit Nickel-Chrom-Widerstands-Tech nologie hergestellt wird. Ihr Temperaturkoeffizient wird mit 5 bis 60 ppm für einen Temperaturbereich von

-55°C Tj 125°C

angegeben.

Vorteile der Erfindung

Die erfindungsgemäße Präzisions-Referenzspannungsquelle mit den kennzeichnenden Merkmalen des Hauptanspruchs hat demgegenüber den Vorteil, daß bei ihr der in etwa parabelförmige Verlauf des Temperaturkoeffizienten der Bandabstands-Referenz entgegen den bekannten an Schaltmitteln aufwendigen Lösungen durch einfache Maßnahmen linearisiert ist und daß bei ihr die Piezo-Empfindlichkeit gesenkt ist.

Der Temperaturkoeffizient der Bandgap-Spannung von Silizium enthält Terme höherer Ordnung (Tsividis, Y. P.: "Accurate Analysis of Temperature Effects in I _C-V _BE Characteristics with Application to Bandgap Reference Sources", IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. SC-15, Nr. 6, Dezember 1980).

Für die monolithisch integrierte Schaltung stehen folgende Zonen zur Verfügung: Substrat (P^-), Isolierungs-Diffusion (P-P⁺), Epitaxie (N^-), buried-layer-Diffusion (N⁺), deep-collector-Diffusion (N⁺), Basis-Diffusion (P), Emitter-Diffusion (N⁺), Metalli sierung und evtl. weitere Zonen wie dotiertes Polysilizium bzw. Cr/Ni-Widerstände (für "fused-links"); auch weitere Zonen können prozeßbedingt vorhanden sein, wie etwa eine obere und untere Isolierungs-Diffusion oder eine Basisanschluß-Diffusion.

Betrachtet man die Temperaturkoeffizienten der spezifischen bzw. flächenhaften Widerstände

R(Δ T) = R _To [1 + α(Δ T) + b (Δ T) ² + γ (Δ T) ³]

dieser Zonen, so finden sich welche mit (nahezu) linearem Tempera turkoeffizienten wie die N⁺-dotierten bzw. metallischen Zonen und solche mit einem mehr oder weniger hohen Anteil an Termen höherer Ordnung wie die P-dotierten. Ebenso finden sich Zonen mit mehr oder weniger hoher Piezo-Empfindlichkeit.

Der Gegenstand der Erfindung beruht nun darauf, den in etwa parabel förmigen Temperaturverlauf der Bandgap-Spannung gegenüber dem Bekannten weiter zu linearisieren bzw. durch einen Widerstand mit einem Temperaturkoeffizienten mit ebenfalls einem Anteil an Termen höherer Ordnung zu kompensieren. Eine hinreichend gute Kompensation läßt sich bereits durch Berücksichtigen des quadratischen Terms erreichen. Da es Zonen mit großem und mit kleinem quadratischem Term gibt, läßt sich der richtige Wert durch eine geeignete Kombination von mindestens zwei verschiedenen Zonen erzielen. Hierdurch ergibt sich gegenüber dem Stand der Technik nicht nur eine drastische Vereinfachung von Schaltung und Technologie, sondern damit verbunden auch eine erheblich geringere Chipfläche. Letzteres ist besonders wichtig:

Da die zu den obengenannten Beispielen mit ihrer durch die zusätz lichen Komponenten zwar aufwendigen, aber theoretisch guten Kompen sation angegebenen Temperaturkoeffizienten mit 5 bis 50 ppm noch relativ zu groß sind, werden sie durch andere Effekte hervorgerufen wie etwa durch die Piezo-Empfindlichkeit ihrer Komponenten als Folge temperaturabhängiger mechanischer Spannungen (siehe hierzu: G. C. M. Meÿer: "Integrated Circuits and Components for Bandgap References and Temperature Transducers", Dissertation TH Delft, 18.3.1982, 18). Schaltungen, die weniger Chipfläche beanspruchen, sind von Haus aus leichter zu beherrschen, vor allem dann, wenn entsprechend der Erfindung weniger piezoempfindliche Zonen für die Darstellung kritischer Widerstände verwendet und dazuhin im Layout Kompen sationsmethoden angewandt werden.

Zeichnung

Die Erfindung sei anhand der Fig. 1 bis 11 erläutert. Fig. 1 zeigt die Grundschaltung einer Bandgap-Referenz nach Brokaw, ergänzt durch eine Anwerfschaltung. In den Fig. 2 bis 4 sind die Tempera turgänge der Referenzspannungen einer beispielhaften Schaltung für Widerstände mit drei verschiedenen Temperaturkoeffizienten im Temperaturbereich von

-40°C Tj + 160°C

wiedergegeben. Die Fig. 5 und 6 stellen erfindungsgemäße Modifikationen der Schal tung nach Fig. 1 dar, Fig. 7 den damit erzeugten Temperaturgang der Referenzspannung. In Fig. 8 ist die Schaltung und in Fig. 9 das Layout überkreuzgekoppelter Lateraltransistoren zur Verminderung ihrer Piezoempfindlichkeit aufgezeigt, ebenso in Fig. 10 und 11 die Anordnung im Layout für die kritischen NPN-Referenz-Transistoren.

Beschreibung der Ausführungsbeispiele

Die Bandgap-Referenz nach Fig. 1 besteht aus den beiden Referenz-Transistoren 23 und 24, wobei der Transistor 24 in der Regel durch Parallelschalten von K gleichen Transistoren 23 mit 2K16 hergestellt ist. Wegen der formalen Abhängigkeit von lnk ist K=4 bereits ausreichend und K über 8 kaum gebräuchlich. Zusammen mit dem Widerstand 22 erzeugt die Anordnung am Widerstand 21 eine temperaturproportionale Spannung, die den negativen Temperaturgang der Basis-Emitter-Spannung des Transistors 23 bei richtiger Auslegung bereits recht gut kompensiert. Die Potential differenz 17/15 stellt die Summenspannung dar. Sie entspricht recht genau dem Potential des Bandabstands (von Silizium).

Die beiden Referenz-Transistoren 23, 24 arbeiten auf den Strom spiegel mit den beiden lateralen PNP-Transistoren 25, 26, deren gemeinsame Basis über den PNP-Emitterfolger 27 am Kollektor 24 liegt. Entsprechend wird mit dem PNP-Emitterfolger 6 vom Kollektor des Transistors 23 ausgekoppelt, dessen Emitter mit der Basis des NPN-Emitterfolgers 7 verbunden ist. Um auch größere Spannungen als die Bandgap-Spannung zu erhalten, ist der Emitter des Transistors 7 nicht direkt am Punkt 17, sondern über den Widerstand 8 am Punkt 17 angeschlossen. Die an der Klemme 18 abzunehmende Referenzspannung ist somit entsprechend dem Transformationsverhältnis der Widerstände 8, 9 höher. Die Transistoren 25, 26, 27, 6, 7 bilden einen Operationsverstärker, der mittels des Kondensators 10 dynamisch stabilisiert ist. Der ebenfalls als Stromspiegel arbeitende Transistor 4 mit Widerstand 5 liefert einen hinreichend kleinen "Anlaufstrom" in die Schaltung. Der positive Pol der Betriebs spannung ist mit der Klemme 16, der negative mit der Klemme 15 verbunden.

Den Temperaturverlauf der Referenzspannung eines Beispiels in der Schaltung nach Fig. 1 zeigt Fig. 2. Dort ist die Bandgap-Spannung als Funktion der Temperatur zwischen -40°C und +160°C für eine Ausführung wiedergegeben, bei der die horizontale Tangente in die Mitte des Temperaturbereichs gelegt ist und die Widerstände 21 und 22, wie bei einfachen Referenzen üblich, mittels der Basis-Diffusion dargestellt sind. Wie daraus hervorgeht, weist die Referenzspannung einen ziemlich parabelförmigen Temperaturverlauf auf, der bekannt lich vom Herstellungsprozeß, also von Dotierungen und Dotierungs profilen abhängig ist und somit bei anderen Ausführungen auch noch Terme höherer Ordnung enthalten kann. An den beiden Ecktemperaturen beträgt die Ablage etwas mehr als -5 mV, entsprechend einem mittleren Temperaturkoeffizienten von -4%.

In diesem Beispiel läßt sich der Temperaturgang bereits dadurch deutlich verbessern, daß für die Widerstände 21, 22 die Emitter diffusion anstelle der Basisdiffusion herangezogen wird, wie die Fig. 3 erkennen läßt. Werden ferner in unserem Beispiel - rein theoretisch - die Widerstände 21 und 22 mit dem Temperaturkoeffi zienten "0" versehen, so zeigt die in Fig. 4 wiedergegebene Rechnung immer noch eine Abweichung von ca. -2,3 mV mit Anteilen höherer Ordnung.

Dieser stets in etwa parabelförmige Verlauf läßt sich nun dadurch kompensieren, daß in Fig. 1 dem Widerstand 21 ein Temperatur koeffizient mit größeren Anteilen an Termen höherer Ordnung gegeben wird als dem Widerstand 22.

Fig. 5 zeigt eine erfindungsgemäße Modifikation der Schaltung für eine Ausführung der Widerstände mit einer Zone des Prozesses, die einen größeren quadratischen Term β₂₁ enthält. Da nun β₂₂ stets kleiner sein muß als β₂₁, ist in diesem Fall der Widerstand 22 in mindestens zwei Teil-Widerstände 32, 42 aufzuspalten und für den Kompensations-Widerstand 42 eine Zone mit kleinerem β zu verwenden. Eine hinreichend gute Kompensation für dieses Beispiel ergibt sich, wenn die Differenz der Koeffizienten der quadratischen Terme β₂₁ und β₂₂ bei 0,74 · 10^-6 liegt. Führt man die Widerstände 21, 32 mittels der Basisdiffusion und den Widerstand 42 mittels der Emitterdiffusion aus, so ergibt sich der Temperaturverlauf nach Fig. 7 mit 3435 Ω für den Widerstand 21, 393 Ω für den Widerstand 32 und 60 Ω für den Widerstand 42.

Wie bereits erwähnt, sollten die Widerstände mit Zonen gebildet werden, die einen möglichst geringen Piezoeffekt aufweisen, wie etwa der Emitterdiffusion oder anderer stärker n-dotierter Zonen. In diesem Fall enthält der Temperaturkoeffizient des Quadratwiderstands praktisch keine Terme höherer Ordnung. Die Lösung hierzu ist in Fig. 6 wiedergegeben. Damit sich der Widerstand 21 mit einem höheren quadratischen Anteil als der Widerstand 22 darstellen läßt, ist er in die Teil-Widerstände 31 und 41 aufzuspalten und der Kom pensations-Widerstand 41 mittels einer Zone mit größerem quadra tischem Term auszuführen. Die Differenz β₂₁-b₂₂ sollte jetzt 0,49 · 10^-⁶ betragen. Enthält die Emitterdiffusions-Zone keine Terme höherer Ordnung und weist die für den Kompensations-Widerstand 41 benutzte Basisdiffusion wieder den gleichen quadratischen Term auf wie im vorigen Beispiel, so erhält der Widerstand 31 den Wert 3135 Ω und der Widerstand 22 den Wert 453 Ω, die Korrektur in Basisdiffusion 41 erhält den Wert 300 Ω. Der Verlauf des Tempera turgangs entspricht ebenfalls dem von Fig. 7.

Werden zur Kompensation des quadratischen Terms der Referenzspannung prozeßbedingte Streuungen berücksichtigt, so liegt die Differenz der resultierenden quadratischen Terme bei einer Kompensation im Wider stand 22 mittels des Widerstands 42 im Bereich

0,3 · 10^-⁶ β₂₁ - β₂₂ 1,2 · 10^-⁶.

Wird dagegen im Widerstand 21 mittels des Widerstands 41 kompensiert, so ist der Bereich mit

0,2 · 10^-⁶ β₂₁ 0,8 · 10^-⁶

anzusetzen.

Die resultierenden Terme β₂₁ und β₂₂ lassen sich aus den bekannten Termen der für die Widerstände verwendeten Zonen berechnen. Für eine Kompensation im Bereich des Widerstands 21 ist allgemein

β₂₁ = (β₃₁ · R₃₁ + β₄₁ · R₄₁) · (R₃₁ + R₄₁)^-¹

bzw. für eine Kompensation im Bereich des Widerstands 22

β₂₂ = (β₃₂ · R₃₂ + β₄₂ · R₄₂) · (R₃₂ + R₄₂)^-¹ .

Treten, wie aus der Literatur ersichtlich, beim Temperaturgang der Referenzspannung auch Terme höherer Ordnung auf, so ist es vorteil haft, auch diese zu berücksichtigen.

Widerstände mit differierenden Temperaturkoeffizienten lassen sich wegen des unterschiedlich großen Anteils der seitlichen Unter diffusion am Gesamt-Widerstand auch durch eine Modulation der Breite der Widerstände im Design darstellen, zumal ja nur geringfügige Differenzen im quadratischen Term zu erzeugen sind bzw. ein Term dritter Ordnung zu erzeugen ist. Beobachtungen nach scheinen Terme dritter Ordnung bei besonders schmalen Widerständen aufzutreten. Wegen der generellen Abhängigkeit der Temperaturkoeffizienten vom Herstellungsprozeß können hierzu keine konkreten Angaben gemacht werden.

Die angegebenen Kompensationen sind einigermaßen exakt nur einzu halten, sofern der Istwert des Maximums der Bandgapspannung auch bei der der Rechnung zugrundegelegten Temperatur liegt. Es ist deshalb vorteilhaft, auf dieses Maximum hin abzugleichen.

Bei den vorgeschlagenen Lösungen sind die Widerstände 21 und 22 durch mehr als eine Zone dargestellt. Dies bedeutet, daß auch mit unterschiedlichen Prozeß-Streuungen, also Widerstands-Streuungen zu rechnen ist, die zu einer Streuung des Teilerverhältnisses führen. Bei einer Präzisions-Referenzspannungsquelle ist das Teilerverhält nis auf seinen Sollwert abzugleichen durch Verändern des Kompen sations-Widerstands 41 oder 42. Methoden zum Abgleich von Wider stands-Netzwerken beim Waferproben sind in A. B. Grebene: "Bipolar and MOS Analog Integrated Circuit Design" by John Wiley & Sons, 1984, Seiten 155 bis 159 beschrieben und nicht Gegenstand der Erfindung.

Obwohl die Präzisions-Referenzspannungsquelle nach der Erfindung trotz mittels der relativ niederohmigen Emitterdiffusion darge stellten Widerständen 31 und 22 einschließlich eines vierstufigen Abgleich-Netzwerks nur eine Chipfläche von ca. 0,3 mm² benötigt, sind Maßnahmen zur Verringerung der Piezoempfindlichkeit vorteil haft. Die Kollektoren der beiden PNP-Lateraltransistoren 25 und 26 sind deshalb entsprechend der Schaltung nach Fig. 8 in jeweils zwei gleiche Teilkollektoren aufgespalten und kreuzweise miteinander ver bunden. Zwischen den Transistoren 25 und 26 ist zum Ableiten even tueller Basisströme ein weiterer Transistor 11 eingefügt, um so höhere Betriebstemperaturen zu erreichen.

Ein mögliches Layout hierzu zeigt Fig. 9. Auch die NPN-Refe renz-Transistoren 23 und 24 sind symmetrisch zueinander angeordnet, und zwar für ein Emitterverhältnis 1 : 2 und 1 : 4 nach Fig. 10 und für ein Emitterverhältnis 1 : 4 und 1 : 8 nach Fig. 11. In letzterer sind nur vier Teiltransistoren 24 eingezeichnet. Durch Auffüllen der freien Plätze mit weiteren vier Teiltransistoren läßt sich leicht das in etwa piezokompensierte Verhältnis 1 : 8 herstellen. Die Ver drahtung ist auch bei acht um den Transistor 23 angeordneten Teil transistoren 24 kein Problem, da sich die acht Teiltransistoren in einer einzigen Kollektorwanne unterbringen lassen.

Präzisions-Referenzspannungsquellen sind mit den bisherigen Methoden selbst mit aufwendigen Technologien kaum gezielt herzustellen und deshalb in der Regel teure Selektionstypen aus einem größeren Fertigungslos. Demgegenüber lassen sie sich nach den Vorschlägen der Erfindung gezielt mit Standard-Technologien herstellen. Ihr Flächen bedarf ist kaum größer als der gewöhnlicher Referenzspannungs quellen.

Claims

1. Für einen weiten Temperaturbereich geeignete monolithisch inte grierte Präzisions-Referenzspannungsquelle nach dem Bandgap-Prinzip, dadurch gekennzeichnet, daß der parabelförmige Verlauf des Tempera turgangs der Referenzspannung unter Verzicht auf zusätzliche aktive Komponenten wie Transistoren oder Dioden durch in der monolithischen Integration zur Verfügung stehende Prozeß-Mittel linearisiert ist.

2. Präzisions-Referenzspannungsquelle nach Anspruch 1 mit einem ersten Widerstand (21) und einem zweiten Widerstand (22), dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstände (21, 22) dargestellt sind durch die n-dotierte Emitterdiffusionszone (Fig. 1).

3. Präzisions-Referenzspannungsquelle nach Anspruch 1 mit einem ersten Referenz-Transistor (23) und einem zweiten Referenz-Tran sistor (24), dadurch gekennzeichnet, daß der in den beiden mit unterschiedlicher Stromdichte betriebenen Referenz-Transistoren (23, 24) verbleibende Temperaturkoeffizient höherer Ordnung weitgehend kompensiert ist (Fig. 1).

4. Präzisions-Referenzspannungsquelle nach Anspruch 3 mit einem ersten Widerstand (21) und einem zweiten Widerstand (22), dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstände (21, 22) mindestens teilweise durch Zonen mit unterschiedlichen Temperaturkoeffizienten dar gestellt sind.

5. Präzisions-Referenzspannungsquelle nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der quadratische Term β (Δ T)² des Temperatur koeffizienten des ersten Widerstands (21) größer ist als der des zweiten Widerstands (22) (Fig. 1).

6. Präzisions-Referenzspannungsquelle nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß bei einer Darstellung des ersten Widerstands (21) mittels einer Zone mit größerem quadratischem Term des Temperaturkoeffizienten der zweite Widerstand (22) aufgespalten ist in die Reihenschaltung aus einem ersten Teilwiderstand (32) und einem zweiten Teilwiderstand (42), wobei der erste Teilwiderstand (32) mittels der gleichen Zone wie der erste Widerstand (21) und der als Kompensations-Widerstand dienende zweite Teilwiderstand (42) mittels einer Zone mit kleinerem quadratischem Term ausgeführt ist (Fig. 5).

7. Präzisions-Referenzspannungsquelle nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Differenz der quadratischen Terme der Temperaturkoeffizienten β₂₁ des ersten Widerstands (21) und β₂₂ des durch die Summe der Teilwiderstände (32, 42) erzeugten resultierenden zweiten Widerstands (22) im Bereich liegt von 0,3 · 10^-⁶ β₂₁ - β₂₂ 1,2 · 10^-⁶.

8. Präzisions-Referenzspannungsquelle nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Widerstand (21) und der erste Teil widerstand (32) dargestellt sind mittels der Basisdiffusionszone und der als Kompensations-Widerstand dienende zweite Teilwiderstand (42) mittels der Emitterdiffusionszone (Fig. 5).

9. Präzisions-Referenzspannungsquelle nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß bei einer Darstellung des zweiten Widerstands (22) mittels einer Zone mit kleinerem quadratischem Term der erste Widerstand (21) aufgespalten ist in die Reihenschaltung aus einem dritten Teilwiderstand (31) und einem vierten Teilwiderstand (41), wobei der dritte Teilwiderstand (31) mittels der gleichen Zone wie der zweite Widerstand (22) und der als Kompensations-Widerstand dienende vierte Teilwiderstand (41) mittels einer Zone mit größerem quadratischem Term ausgeführt ist (Fig. 6).

10. Präzisions-Referenzspannungsquelle nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Differenz der quadratischen Terme der Temperaturkoeffizienten β₂₁ des durch die Summe der Teilwider stände (31, 41) erzeugten resultierenden ersten Widerstands (21) und β₂₂ des zweiten Widerstands (22) im Bereich liegt von 0,2 · 10^-⁶ β₂₁ - β₂₂ 0,8 · 10^-⁶.

11. Präzisions-Referenzspannungsquelle nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Widerstand (22) und der dritte Teil widerstand (31) dargestellt sind mittels der Emitterdiffusionszone und der als Kompensations-Widerstand dienende vierte Teilwiderstand (41) mittels der Basisdiffusionszone (Fig. 6).

12. Präzisions-Referenzspannungsquelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch einen Abgleich des durch unvermeid bare Fertigungsstreuungen vom Sollwert abweichenden Istwerts der Referenzspannung auf den Sollwert.

13. Präzisions-Referenzspannungsquelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch einen Abgleich durch Verändern mindestens eines der beiden als Kompensations-Widerstände dienenden Teilwiderstände (41 bzw. 42).

14. Präzisions-Referenzspannungsquelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Darstellung der Widerstände durch Zonen mit geringem piezoresistivem Effekt.

15. Präzisions-Referenzspannungsquelle nach Anspruch 14, gekenn zeichnet durch eine Darstellung des dritten Teilwiderstands (31) und des zweiten Widerstands (22) durch die Emitterdiffusionszone als Zone mit geringem piezoresistivem Effekt.

16. Präzisions-Referenzspannungsquelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche mit einem dritten Transistor (25) und einem vierten Transistor (26), dadurch gekennzeichnet, daß zur Verminderung der Einwirkung des Piezoeffekts auf die beiden genannten, als PNP-Lateraltransistoren ausgebildeten weiteren Transistoren (25, 26) deren Kollektoren in ihrem Umfang halbiert und die Hälften jeweils über Kreuz miteinander verbunden sind (Fig. 8, Fig. 9).

17. Präzisions-Referenzspannungsquelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zur Verminderung der Ein wirkung des Piezoeffekts auf die als NPN-Transistoren ausgebildeten Referenz-Transistoren (23, 24) die mindestens zwei gleichen Teil transistoren des zweiten Referenz-Transistors (24) bezüglich des Piezoeffekts symmetrisch zum ersten Referenz-Transistor (23) ange ordnet sind.

18. Präzisions-Referenzspannungsquelle nach Anspruch 17, gekenn zeichnet durch einen zweiten Referenz-Transistor (24), der aus vier bzw. acht gleichen Teiltransistoren besteht (Fig. 10, Fig. 11).

19. Präzisions-Referenzspannungsquelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auch der Term γ (Δ T)³ für die Korrektur des in den beiden mit unterschiedlicher Stromdichte betriebenen Referenz-Transistoren (23, 24) verbleibenden Temperatur koeffizienten höherer Ordnung mit berücksichtigt ist.

20. Präzisions-Referenzspannungsquelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Temperaturkoeffizient mindestens eines Teilwiderstands der Widerstandskombinationen (21 und 22; 31, 41 und 22; bzw. 21, 32 und 42) veränderbar ist durch Verändern seiner Breite im Design.

21. Präzisions-Referenzspannungsquelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein vom Temperaturkoeffizien ten "0" abweichender definierter Temperaturkoeffizient eingestellt ist durch Verändern des Teilerverhältnisses der Widerstände [21, 22; 21, (32+42); oder 22, (31+41)] bezogen auf den Wert des Teiler verhältnisses zum Erreichen des Temperaturkoeffizienten "0".