DE3915472A1 - Antioxidationssystem eines kupferdraht verwendenden wire-bonders - Google Patents
Antioxidationssystem eines kupferdraht verwendenden wire-bondersInfo
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf eine
Wire-Bond-Vorrichtung und insbesondere auf einen
Wire-Bonder, der in der Lage ist, die Drahtoxidation bei
der Verwendung von Kupferdraht zu vermeiden, um die
Haftfestigkeit und die mechanische Festigkeit des
Verdrahtungsmaterials zu verbessern und insbesondere das
Wire-Bonden bei Halbleitervorrichtungen besser
einsetzbar zu machen.
Es ist allgemein bekannt, daß beim Anbringen von Drähten
zwischen einem Chip und einem Anschlußfleck eines
Anschlußrahmens bei der Halbleiterherstellung das
sogenannte ball-bonding Anwendung findet, bei dem man am
freien Ende eines Drahtes ein Kügelchen ausbildet. Es
ist aber auch das Hitze-Druck-Anschlußverfahren im
Einsatz, bei dem der Draht direkt an dem Anschlußfleck
ohne Zuhilfenahme eines Kügelchens befestigt wird. Das
ball-bonding-Verfahren wird jedoch bevorzugt, da es eine
größere Anschlußfläche und eine festere Verbindung
zwischen dem Draht und dem Anschlußfleck ergibt, als es
mit dem Hitze-Druck-Verfahren möglich ist.
Eine bekannte Wire-Bond-Vorrichtung ist, wie Fig. 1
zeigt, derart aufgebaut, daß ein zu einer Spule 2
aufgewickelter Draht 20 durch eine Abdeckung 1 gegen die
äußere Atmosphäre geschützt ist, und dieser Draht wird
durch ein Auslaßrohr 3 durch die Mitte der Spule 2
abgezogen und wird anschließend durch mehrere Klemmen 4
abgestützt und geführt. Anschließend durchläuft der
Draht ein Kapillarrohr 5, das benachbart der Klemme
angeordnet ist, und dieses Kapillarrohr führt den
Verdrahtungsvorgang aus, indem es sich zwischen dem
Anschlußrahmen und den Anschlußflecken des
Halbleiterchips bewegt und den Zwischenraum mit Draht
überspannt. Diese bekannte Wire-Bond-Vorrichtung weist
indessen als Nachteil auf, daß der Spulenhalter den
Draht nicht vollständig gegen die Umgebungsatmosphäre
abschirmt, so daß eine beachtliche Oxidation des Drahtes
auftreten kann. Für diese Technik wurde daher bislang
vornehmlich Golddraht verwendet, der jedoch ein
erheblicher Kostenfaktor bei der Herstellung von
Halbleitern und insbesondere integrierten Schaltungen
ist. Darüber hinaus entstand bislang ein Problem daraus,
daß die Ausbeute gelegentlich abfällt, weil der Draht
aufgrund der beim Wickel- oder Abpackvorgang zugeführten
Wärme erschlafft oder sich dehnt. Wenn man Kupferdraht
verwendet, der aufgrund seiner Materialeigenschaften
eine höhere mechanische Festigkeit aufweist, verbleibt
doch das Problem, daß Kupferdraht, insbesondere bei
erhöhten Temperaturen, leicht oxidiert, wodurch die mit
ihm hergestellte Anschlußverbindung in ihrer Festigkeit
leidet.
Die Erfindung möchte die vorgenannten Probleme
überwinden, und ihr liegt die Aufgabe zugrunde, ein
Antioxidationssystem für einen Spulenhalter eines
Wire-Bonders anzugeben, das in der Lage ist, eine
Oxidation des Drahtes zu verhindern, selbst wenn
Kupferdraht oder Aluminiumdraht damit verarbeitet wird,
indem der innere Abschnitt des Spulenhalters, der den
Draht enthält, vollständig von der äußeren Umgebung
abgeschlossen wird.
Eine weitere Aufgabe, die von der Erfindung gelöst
werden soll, besteht darin, ein Antioxidationssystem für
einen Wire-Bonder anzugeben, der die Oxidation eines
Kupferdrahtes verhindert, indem eine reduzierende
Atmosphäre um den Kupferdraht beim Bilden eines
Kügelchens aus dem Kupferdraht beim
ball-bonding-Verfahren geschaffen wird.
Gemäß der vorliegenden Erfindung ist das
Antioxidationssystem eines Wire-Bonders zur Verarbeitung
von oxidationsfähigem Drahtmaterial beim Herstellen von
elektrischen Verbindungen zwischen einem Halbleiterchip
und einem Anschlußrahmen derart aufgebaut, daß ein
reduzierendes Gas zur Verhinderung einer Oxidation des
Drahtes periodisch um eine Spule zugeführt wird, die mit
dem Draht bewickelt ist, wobei wenigstens ein Gasrohr
zur Zuführung des reduzierenden Gases gegen die Mündung
einer Kapillarvorrichtung gerichtet ist, aus der der
Draht herausgezogen wird, wobei das genannte Gasrohr
gerade unterhalb des Endes der Kapillarvorrichtung
angeordnet ist, und eine Schmelzvorrichtung ist so
angeordnet, daß sie einer Unterseite des Gasrohres
gegenübersteht und sich genau unterhalb der
Kapillarvorrichtung befindet.
Es können auch zwei Gasrohre vorhanden sein, die
einander gegenüberstehend enden. In diesem Falle
befindet sich die Schmelzvorrichtung unter dem einen
Gasrohr.
Eine Weiterbildung der Erfindung sind Gegenstand der
Unteransprüche.
Die Merkmale und Vorteile des Systems nach der Erfindung
werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen
näher erläutert. Es zeigt:
Fig. 1 eine schematische Darstellung eines konven
tionellen Wire-Bonders;
Fig. 2 eine schematische Darstellung eines Anti
oxidationssystems gemäß einer bevorzugten
Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 3 eine vergrößerte Detaildarstellung des
Mündungsbereiches der Kapillarvorrich
tung in dem System nach Fig. 2, und
Fig. 4A bis 4E schematische Darstellungen ver
schiedener Stufen im Betriebsablauf bei
der Verwendung des Systems und der Vor
richtung nach den Fig. 2 und 3.
In der nachfolgenden Beschreibung werden jene Elemente,
die unter Bezugnahme auf die Fig. 1 bereits erläutert
worden sind, als jenen vergleichbar angesehen, und sie
tragen auch die bereits verwendeten Bezugszeichen.
Fig. 2 zeigt einen Verteiler 6, der in einem inneren
oberen Abschnitt einer Abdeckung 1 angeordnet und mit
einem Gasbehälter 9 über eine Rohrleitung 8 und einen
Anschlußstutzen 7 verbunden ist. Ein Gasströmungsregler
10 und ein Elektromagnetventil 11 befinden sich in der
Rohrleitung 8, und das Elektromagnetventil 11 dient
dazu, periodisch für 10 Sekunden zu öffnen und für 20
Sekunden zu schließen. Die Steuerung dieser Vorgänge
erfolgt durch einen Zeitgeber 12. Hierfür kann jede Art
von Zeitgeber verwendet werden, der dazu geeignet ist,
die Zuführung von Gas durch die Rohrleitung 8 in der
vorerwähnten Weise zu steuern. Der Zeitgeber kann
beispielsweise einen elektronischen Zeitgeber 12 a und
einen Verstärker 12 b enthalten, die miteinander
verbunden sind und von denen letzterer das Öffnen und
Schließen des Elektromagnetventils 11 bewirkt. Weiterhin
sind, wie Fig. 3 zeigt, Gasrohre 31 und 32 zu beiden
Seiten einer Kapillarvorrichtung 5 angeordnet, durch die
der zu verschweißende Anschlußdraht 20 zugeführt wird.
Eine Schmelzvorrichtung, beispielsweise ein
Funkenerzeuger 30, befindet sich an der Unterseite eines
der genannten Gasrohre, gemäß Fig. 3 unterhalb des
Gasrohres 32, und das Ende der Schmelzvorrichtung ist
gerade unterhalb der Mündung der Kapillarvorrichtung 5
angeordnet.
Der auf die Spule 2 unter der Abdeckung 1 gewickelte
Draht 20 wird durch ein Abzugsrohr 3 hindurch abgezogen
und dann durch eine Anzahl von Klemmen 4 oder anderer
geeigneter Führungseinrichtungen der Kapillarvorrichtung
5 zugeführt. Unter der Steuerung durch den Zeitgeber 12,
der das Elektromagnetventil 11 periodisch öffnet und
schließt, wird zu diesem Zeitpunkt ein in dem
Gasbehälter 9 enthaltenes Inertgas durch den
Gasströmungsregler 10 intermittierend in den Raum unter
der Abdeckung 1 eingeleitet, d.h. für 10 Sekunden strömt
Gas zu, gefolgt von einer Pause von 20 Sekunden und
einer erneuten Gaseinleitphase von 10 Sekunden, u.s.f.
Als Inertgas kann ein Gemisch aus Wasserstoff und
Stickstoff oder aus Wasserstoff und Argon in
vorteilhafter Weise verwendet werden.
Die Gaszuführmenge wird durch den Gasströmungsregler 10
derart gesteuert, daß der Gasdruck unter der Abdeckung 1
eine Größe erreicht, daß der Draht 20 von der Spule 2
sanft abgegeben wird. Das in den Innenraum unter der
Abdeckung 1 eingeleitete Inertgas wird von dem Verteiler
6 um die Spule herum verteilt, ohne daß die zugeführte
Gasströmung direkt auf den Draht 20 aufprallt, und eine
Oxidation des Drahtes 20 wird verhindert, indem die
Umgebungsatmosphäre des Drahtes 20 im Raum unter der
Abdeckung 1 mit Inertgas ausgefüllt wird.
Der von der Spule 2 abgegebene Draht 20 wird nach
Verlassen des die Spule 2 zentral durchsetzenden
Abzugsrohres 3 von den Klemmen 4 gehalten und soweit aus
dem Abgaberohr herausgezogen, daß ein kurzes Drahtstück
aus der Mündung der Kapillarvorrichtung 5 vorsteht, wie
in Fig. 4A gezeigt. Sodann wird, wie in Fig. 4B
dargestellt, das aus der Kapillarvorrichtung 5
vorstehende Drahtstück von der Schmelzvorrichtung 30 von
einer an dieser entwickelten elektrischen Entladung
aufgeschmolzen, woraus sich aufgrund der
Oberflächenspannung des Materials ein Kügelchen 21
formt. In diesem Augenblick wird ein reduzierendes Gas
durch die Gasrohre 31 und 32 von links und rechts auf
das Kügelchen 21 geblasen, damit es sich nicht mit einer
Oxidschicht überzieht.
Obgleich verschiedene Arten von reduzierenden Gasen bei
der Erfindung eingesetzt werden können, sind Mischungen
aus Wasserstoff und Stickstoff oder aus Argon und
Wasserstoff vorzuziehen.
Anschließend wird das am Ende des aus der
Kapillarvorrichtung 5 vorstehenden Drahtstücks gebildete
Kügelchen 21 gemäß Fig. 4C auf einen Anschlußfleck 42
auf der Oberseite eines Chips 41 angeschweißt, wobei es
ebenfalls wünschenswert ist, eine reduzierende
Atmosphäre um das Kügelchen auszubilden, indem das
reduzierende Gas kontinuierlich geblasen wird, damit das
Kügelchen 21 beim Schweißen nicht oxidieren kann.
Nachdem das Kügelchen 21 an dem Anschlußfleck 42
angeschweißt worden ist, wird der Draht 20 aus der
Kapillarvorrichtung 5 gemäß Fig. 40 herausgezogen, indem
die Kapillarvorrichtung angehoben wird, und letztere
bewegt sich dann zur Seite, in den Fig. 4D und 4E nach
rechts, in Richtung auf einen Anschlußrahmen 43. Sodann
wird der Draht, wie in Fig. 4E gezeigt, auf eine
metallbeschichtete Oberfläche festgeschweißt, die an dem
Anschlußrahmen 43 ausgebildet ist, und sodann wird der
Draht 20 abgeschnitten.
Das vollständige Anschließen eines Halbleiterchips an
einen Anschlußrahmen besteht in der Wiederholung der
vorgenannten Vorgänge, wobei es wünschenswert ist, eine
reduzierende Atmosphäre aufrechtzuerhalten, indem das
reduzierende Gas kontinuierlich geblasen wird, womit
eine Oxidation des Drahtes vermieden wird.
Die Erfindung ermöglicht somit den Einsatz von an sich
oxidationsfähigen Materialien als Anschlußdrähte, wie
beispielsweise Kupfer oder Aluminium mit den damit
verbundenen Vorteilen hinsichtlich der
Materialfestigkeit, was die Zuverlässigkeit der Produkte
verbessert. Da die Geschwindigkeit der Kompountbildung
zwischen dem Metall des Anschlußflecks und dem anderen
Metall des Chips im allgemeinen niedrig ist, kann die
Zuverlässigkeit des Produkts weiter verbessert werden.
Claims (4)
1. Antioxidationssystem eines Wire-Bonders zum Anbringen
eines Drahtes zwischen einem Halbleiteranschlußfleck und
einem Anschlußrahmen einer Halbleitervorrichtung, wobei
der Draht aus einem oxidationsfähigen Material, wie
beispielsweise Kupfer oder Aluminium, besteht, dadurch
gekennzeichnet, daß ein reduzierendes Gas zur
Verhinderung einer Oxidation des Drahtes periodisch in
die Umgebung einer mit dem Draht bewickelten Spule
zugeführt wird, daß wenigstens ein Gasrohr zum Zuführen
des reduzierenden Gases gegen den Auslaß einer
Kapillarvorrichtung, die den Draht abgibt, gerichtet
ist, wobei das genannte wenigstens eine Gasrohr gerade
unter der Mündung der Kapillarvorrichtung endet, und daß
eine Schweiß- oder Schmelzvorrichtung vorgesehen ist,
die der Unterseite eines Gasrohres und der Mündung der
Kapillarvorrichtung gegenübersteht.
2. Antioxidationssystem nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß das reduzierende Gas ein Gasgemisch
aus Wasserstoff und Stickstoff oder aus Wasserstoff und
Argon oder eine Kombination aus diesen Gemischen ist.
3. Antioxidationssystem nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß zwei Gasrohre vorgesehen sind, die
an der Mündung der Kapillarvorrichtung enden und deren
Enden einander gegenüberstehen, wobei die Schweiß- oder
Schmelzvorrichtung nur an einem der Gasrohre angebracht
ist.
4. Antioxidationssystem nach einem der vorherigen
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Schweiß- oder
Schmelzvorrichtung eine elektrische
Funkenentladungsvorrichtung ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019880006623A KR920000628B1 (ko) | 1988-06-02 | 1988-06-02 | 와이어 본더의 스풀마운터 산화방지시스템 |
KR1019880008038A KR900001010A (ko) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 동(銅)선을 이용한 와이어 본딩 방법 및 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3915472A1 true DE3915472A1 (de) | 1989-12-07 |
DE3915472C2 DE3915472C2 (de) | 1995-11-30 |
Family
ID=26627855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3915472A Expired - Lifetime DE3915472C2 (de) | 1988-06-02 | 1989-05-11 | Bondvorrichtung |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4995552A (de) |
JP (1) | JPH0618223B2 (de) |
DE (1) | DE3915472C2 (de) |
FR (1) | FR2632229B1 (de) |
GB (1) | GB2220101B (de) |
NL (1) | NL192313C (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3911027A1 (de) * | 1989-04-05 | 1990-10-11 | Siemens Ag | Verfahren zum verbinden von anschlusselementen mit lackisolierten draehten |
DE19604287A1 (de) * | 1996-02-07 | 1997-08-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung zur Beaufschlagung eines Drahtendes in einer Drahtbondeinrichtung mit einem Schutzmedium |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2888463B2 (ja) * | 1991-09-23 | 1999-05-10 | 健 柳沢 | 2次元運動機構 |
JP2776100B2 (ja) * | 1991-12-10 | 1998-07-16 | 日本電気株式会社 | ワイヤボンディング装置 |
NL9200396A (nl) * | 1992-03-03 | 1993-10-01 | Nedap Nv | Radiofrequente identificatielabel met relatief grote detectie-afstand en een minimum aantal electronische componenten. |
US5603892A (en) * | 1994-06-09 | 1997-02-18 | Fujitsu Limited | System for maintaining a controlled atmosphere in an electronic circuit package |
CA2377628A1 (en) * | 1999-06-28 | 2001-01-04 | Jurgen Ramm | Component and method for the production thereof |
US6373137B1 (en) * | 2000-03-21 | 2002-04-16 | Micron Technology, Inc. | Copper interconnect for an integrated circuit and methods for its fabrication |
US6630910B2 (en) | 2001-10-29 | 2003-10-07 | Marconi Communications Inc. | Wave antenna wireless communication device and method |
US20070251980A1 (en) * | 2006-04-26 | 2007-11-01 | Gillotti Gary S | Reduced oxidation system for wire bonding |
CN105149808B (zh) * | 2015-09-30 | 2017-03-29 | 河南科技大学 | 一种可控制钎焊球大小的钎焊球加工装置及加工方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0111427A2 (de) * | 1982-10-08 | 1984-06-20 | Fairchild Semiconductor Corporation | Bedeckungsgasregelung für die Herstellung einer Bondkugel |
EP0169574A2 (de) * | 1984-07-27 | 1986-01-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparat zum Herstellen einer Halbleiteranordnung |
US4674671A (en) * | 1985-11-04 | 1987-06-23 | Olin Corporation | Thermosonic palladium lead wire bonding |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3125906A (en) * | 1964-03-24 | Lead bonding machine | ||
JPS55128396A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-04 | Packer Eng Ass | Zn alloy wax and its use |
US4549059A (en) * | 1982-11-24 | 1985-10-22 | Nec Corporation | Wire bonder with controlled atmosphere |
JPS607137A (ja) * | 1983-06-27 | 1985-01-14 | Shinkawa Ltd | ワイヤボンダ用ボ−ル形成装置 |
JPS61159743A (ja) * | 1985-01-07 | 1986-07-19 | Toshiba Corp | ワイヤボンディング方法および装置 |
DE3851901T2 (de) * | 1987-01-26 | 1995-04-13 | Hitachi Ltd | Anschweissen eines Drahtes. |
-
1989
- 1989-05-11 DE DE3915472A patent/DE3915472C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-23 JP JP1127972A patent/JPH0618223B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1989-05-23 US US07/356,547 patent/US4995552A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-05-30 FR FR898907102A patent/FR2632229B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-01 NL NL8901395A patent/NL192313C/nl not_active IP Right Cessation
- 1989-06-02 GB GB8912761A patent/GB2220101B/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0111427A2 (de) * | 1982-10-08 | 1984-06-20 | Fairchild Semiconductor Corporation | Bedeckungsgasregelung für die Herstellung einer Bondkugel |
EP0169574A2 (de) * | 1984-07-27 | 1986-01-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparat zum Herstellen einer Halbleiteranordnung |
US4674671A (en) * | 1985-11-04 | 1987-06-23 | Olin Corporation | Thermosonic palladium lead wire bonding |
Non-Patent Citations (6)
Title |
---|
JP 60-7137 A. In: Pat.Abstr. of JP, E-316 * |
JP 61-159743 A. In: Pat.Abstr. of JP, E-461 * |
JP 61-296731 A. In: Patents Abstracts of Japan, 1987,Vol. 11, Nr. 165, E-510 * |
JP 61-58246 A. In: Patents Abstracts of Japan, 1986, Vol. 10, Nr. 221, E-424 * |
JP 62-16536 A. In: Patents Abstracts of Japan, 1987, Vol. 11, Nr. 187, E-516 * |
JP 62-30344 A. In: Patents Abstracts of Japan, 1987, Vol. 11, Nr. 209, E-521 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3911027A1 (de) * | 1989-04-05 | 1990-10-11 | Siemens Ag | Verfahren zum verbinden von anschlusselementen mit lackisolierten draehten |
DE19604287A1 (de) * | 1996-02-07 | 1997-08-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung zur Beaufschlagung eines Drahtendes in einer Drahtbondeinrichtung mit einem Schutzmedium |
DE19604287C2 (de) * | 1996-02-07 | 1999-12-09 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung zur Beaufschlagung eines Drahtendes in einer Drahtbondeinrichtung mit einem Schutzmedium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0618223B2 (ja) | 1994-03-09 |
FR2632229B1 (fr) | 1991-11-29 |
NL192313B (nl) | 1997-01-06 |
DE3915472C2 (de) | 1995-11-30 |
GB2220101A (en) | 1989-12-28 |
US4995552A (en) | 1991-02-26 |
FR2632229A1 (fr) | 1989-12-08 |
GB8912761D0 (en) | 1989-07-19 |
GB2220101B (en) | 1992-09-09 |
JPH0225044A (ja) | 1990-01-26 |
NL8901395A (nl) | 1990-01-02 |
NL192313C (nl) | 1997-05-07 |
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