DE19604287C2 - Vorrichtung zur Beaufschlagung eines Drahtendes in einer Drahtbondeinrichtung mit einem Schutzmedium - Google Patents

Vorrichtung zur Beaufschlagung eines Drahtendes in einer Drahtbondeinrichtung mit einem Schutzmedium

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DE19604287C2
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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Beauf­ schlagung eines aus einer Bondkapillare einer Drahtbondein­ richtung herausgeführten Drahtendes eines Bonddrahts mit einem reduzierenden oder inerten fluiden Medium nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 oder 2.
Zur Herstellung von Bonddrahtverbindungen zwischen Anschluß­ flächen eines oder mehrerer Substrate wird häufig eine soge­ nannte "Ball-Wedge"-Drahtbondeinrichtung eingesetzt, mittels der an einer ersten Verbindungsstelle eine thermische Verbin­ dung zwischen einem aus einer Bondkapillare der Drahtbondein­ richtung herausgeführten Drahtende und an einer zweiten Ver­ bindungsstelle nach Ausbildung einer Drahtschleife zur Über­ brückung des Abstands zwischen den beiden Verbindungsstellen eine Verbindung zwischen einem laufenden Abschnitt des aus der Bondkapillare herausgeführten Bonddrahts unter Einwirkung von Druck und Temperatur hergestellt wird. Nach Herstellung der zweiten Verbindung wird der Verbindungsabschnitt des Bond­ drahts mittels eines an der Bondkapillare angeordneten Keils (Wedge) gegen die Verbindungsstelle gedrückt und gleichzeitig das laufende Drahtende abgerissen. Mit dem derart ausgebilde­ ten neuen freien Drahtende kann dann wie vorstehend beschrie­ ben wieder die Verbindung an einer ersten Verbindungsstelle erfolgen. Typisch für die Herstellung einer Drahtbondverbin­ dung zwischen zwei Verbindungsstellen mittels einer Ball- Wedge-Drahtbondeinrichtung ist, daß vor Herstellung der ersten Verbindungsstelle das aus der Bondkapillare herausgeführte freie Drahtende in eine Kugelform (Ball) umgeschmolzen wird und erst danach die Verbindung zwischen dem Drahtende und der ersten Verbindungsstelle unter Einwirkung von Druck und Tempe­ ratur erfolgt. In der Regel erfolgt dabei die Einleitung von Druck und Temperatur in die Verbindungsstelle über einen soge­ nannten "Transducer", mit dem Ultraschallschwingungen in die Bondkapillare eingeleitet werden.
Die als Bonddraht verwendeten Metalle oder Legierungen weisen je nach Art des Metalls bzw. der Legierungszusammensetzung un­ terschiedliche Oxidationsneigungen auf. Um zu verhindern, daß bei dem Umschmelzvorgang des Drahtendes schädliche, beispiels­ weise durch den Luftsauerstoff bedingte, Verunreinigungen oder Versprödungen im Gefüge des Drahtendes auftreten, ist man dazu übergegangen, diesen Umschmelzvorgang in einer Schutzgasatmo­ sphäre durchzuführen. Hierzu ist es bekannt, den Bereich der Drahtbondeinrichtung, in dem der Umschmelzvorgang des Drahten­ des bewirkt durch eine Abflammeinrichtung durchgeführt wird, mit einer Kammer abzuschließen, in der eine Schutzgasatmo­ sphäre herrscht. Hierdurch findet quasi eine Einkapselung des aus einem Mundstück der Bondkapillare herausgeführten Drahten­ des statt, die die Zugänglichkeit des Drahtendes bzw. des Ka­ pillarenmundstücks erheblich beeinträchtigt.
Aus der US 4,390,771 ist eine Vorrichtung zur Herstellung ei­ nes Kugelendes an einem Bonddraht mit den Merkmalen des Ober­ begriffs der Ansprüche 1 und 2 bekannt.
Die DE 39 15 472 A1 zeigt die Anordnung einer aus zwei Teil­ einrichtungen gebildeten Anströmeinrichtung im Bereich eines Kapillarenmundstücks einer Drahtbondeinrichtung.
Aus der DE 44 21 770 A1 ist die Anordnung einer Abflammein­ richtung, hier als Schweißelektrode ausgeführt, bekannt.
Aus der DE 43 17 131 A1 ist eine quer zur Drahtvorschubrich­ tung eines aus einer Bondkapillare herausgeführten Bonddrahts verschwenkbare Abflammeinrichtung bekannt.
Die DE 24 53 112 zeigt eine an einer Drahtbondeinrichtung an­ geordnete Abflammeinrichtung, die mit einer Anströmeinrichtung zur Zuführung eines inerten Gases kombiniert ist.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zur Beaufschlagung des Drahtendes eines in einer Drahtbondeinrichtung geführten Bonddrahtes mit einem re­ duzierenden oder inerten Medium zu schaffen, die die Ausbil­ dung einer oxidfreien Oberfläche einer am Drahtende gebildeten Bondkugel gewährleistet und einen nachfolgenden Bondvorgang nicht behindert.
Diese Aufgabe wird durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 oder 2 gelöst.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung nach Anspruch 1 weist zwei auf einer gemeinsamen Anströmachse mit Abstand zur Ausbildung eines Zwischenraums angeordnete Teileinrichtungen auf. Diese Ausbildung der Anströmeinrichtung ermöglicht eine diametrale Beaufschlagung des Drahtendes mit einander entgegengesetzten Anströmrichtungen, so daß eine eventuell asymmetrische Ausbil­ dung der Verformung am Drahtende des Bonddrahts infolge des Umschmelzvorgangs, bedingt durch eine asymmetrische Anströ­ mung, ausgeschlossen werden kann. Darüber hinaus wird verhin­ dert, daß sich Strömungsschatten ausbilden, die möglicherweise einen Kontakt zwischen dem Drahtende und der Umgebung ohne die abschirmende Wirkung des strömenden Mediums zulassen. Darüber hinaus sind die Teileinrichtungen quer zur Zustellrichtung der Abflammeinrichtung angeordnet und bewegungsgekoppelt mit der Abflammeinrichtung quer zur Anströmachsenrichtung zustellbar.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung nach Anspruch 2 ist im Unter­ schied zu der Vorrichtung nach Anspruch 1 mit einer in Anströ­ machsenrichtung zustellbaren Abflammeinrichtung versehen und weist eine Anordnung der Teileinrichtungen der Anströmeinrich­ tung in Zustellrichtung der Abflammeinrichtung auf, wobei eine Teileinrichtung bewegungsgekoppelt mit der Abflammeinrichtung verbunden und die andere Teileinrichtung ortsfest angeordnet ist.
Bei beiden vorgenannten erfindungsgemäßen Vorrichtungen ist es vorteilhaft, wenn die Teileinrichtungen der Anströmeinrichtung jeweils an ihrem dem Zwischenraum abgewandten Ende mit einem Druckanschluß zur Druckbeaufschlagung mit dem Medium versehen sind.
Als besonders vorteilhaft erweist es sich, wenn die Teilein­ richtungen einen profilierten Durchströmungsquerschnitt auf­ weisen, da die Geometrie des durch den Umschmelzvorgang des Drahtendes sich ausbildenden Formkörpers durch ein definiertes Strömungsprofil beeinflußbar ist.
Die Druckanschlüsse der zur Anströmeinrichtung gehörigen Teil­ einrichtungen können an eine Schutzgasversorgung oder an eine Versorgung mit einem flüssigen, organischen Medium, wie bei­ spielsweise einem Polyalkohol, anschließbar sein.
Nachfolgend werden Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Vorrichtung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Teildarstellung einer dem Stand der Technik entsprechenden Drahtbondeinrichtung mit einer Bondkapillare zur Führung eines Bonddrahts und einer relativ zur Bondkapillare verschwenkbaren Abflammeinrichtung;
Fig. 2 eine gegenüber der in Fig. 1 dargestellten Drahtbondeinrichtung durch Integration einer Ausführungsform einer Anströmeinrichtung modifi­ zierte Drahtbondeinrichtung;
Fig. 3 eine weitere Ausführungsform einer an einer Drahtbondeinrichtung installierten Anströmein­ richtung;
Fig. 4 noch eine weitere Ausführungsform einer an einer Drahtbondeinrichtung installierten Anströmein­ richtung;
Fig. 5 eine Teileinrichtung der in Fig. 4 dargestellten Anströmeinrichtung in Längsschnittdarstellung;
Fig. 6 die in Fig. 5 dargestellte Teileinrichtung in einer Querschnittdarstellung;
Fig. 7 eine weitere Ausführung einer Teileinrichtung;
Fig. 8 eine schematische Darstellung eines Schutzmedi­ umbeaufschlagungssystems.
Fig. 1 zeigt eine in Teilen dargestellte Drahtbondeinrichtung 10, wie sie derzeit üblicherweise zur Herstellung sogenannter Drahtbondverbindungen eingesetzt wird. Die Drahtbondeinrich­ tung 10 weist eine Bondkapillare 11 zur Führung eines Bond­ drahts 12 auf, der mit seinem freien Drahtende 13 um ein Stück aus einem Kapillarenmundstück 14 herausgeführt vorragt. Als Bonddraht wird in derartigen Drahtbondeinrichtungen üblicher­ weise Golddraht oder andere Metalle oder Legierungen mit mög­ lichst geringer Oxidationsneigung verwendet.
Neben der Bondkapillare 11 befindet sich um eine senkrecht zur Zeichenebene angeordnete Schwenkachse 15 verschwenkbar gela­ gert eine Abflammeinrichtung 16, die an ihrem dem Drahtende 13 benachbarten Ende mit einer Kathode 17 versehen ist. Die Ka­ thode 17 bildet zusammen mit dem als Anode 18 dienenden Drahtende 13 oder auch dem als Anode dienenden Kapillarenmund­ stück 14 eine Kathoden/Anoden-Anordnung 19, die nach Anlegen einer elektrischen Spannung an die Anode 18 und die Kathode 19 zur Ausbildung einer Funkenentladungsstrecke dient. Die Anord­ nung von Kathode und Anode kann auch umgekehrt sein. Als Folge der bei der Funkenentladung entstehenden hohen Temperatur bil­ det sich am Drahtende 13 ein in Fig. 1 mit gestricheltem Lini­ enverlauf angedeuteter Umschmelzformkörper 20 aus. Dieser ku­ gelförmig ausgebildete Umschmelzformkörper 20 kann nach Weg­ schwenken der Abflammeinrichtung 16 aus einem Drahtvorschubweg 21 unter gleichzeitiger Vorschubbewegung eines laufenden Drahtendes 22 gegen eine in Fig. 1 gestrichelt dargestellte Anschlußfläche 23 eines unterhalb des Kapillarenmundstücks 14 angeordneten Substrats 24 gefahren werden. Zur Ausbildung ei­ nes sogenannten "Ball-Bond" wird dann die Bondkapillare 11 mit dem Kapillarenmundstück 14 unter Zwischenlage des Umschmelz­ formkörpers 20 gegen das Substrat 24 verfahren, um unter Ein­ wirkung von Ultraschallschwingungen der Bondkapillare 11 eine stoffschlüssige Verbindung zwischen dem Umschmelzformkörper 20 und der Anschlußfläche 23 herzustellen.
Fig. 2 zeigt eine Drahtbondeinrichtung 25, die gegenüber der in Fig. 1 dargestellten konventionellen Drahtbondeinrichtung 10 um eine Anströmeinrichtung 26 einer Schutzmediumbeaufschla­ gungsvorrichtung 27 ergänzt ist. Die mit der in Fig. 1 darge­ stellten Drahtbondeinrichtung 10 übereinstimmenden Bauteile weisen auch bei der Drahtbondeinrichtung 25 dieselben Bezugs­ zeichen auf.
Bei dem in Fig. 2 dargestellten Ausführungsbeispiel weist die Anströmeinrichtung 26 zwei Teileinrichtungen 28 und 29 auf.
Die Teileinrichtung 28 ist als ein gekrümmtes Rohrstück ausge­ bildet und als Bestandteil einer Abflammeinrichtung 30 in diese integriert, derart, daß die Teileinrichtung 28 einen Schwenkarm 31 der Abflammeinrichtung 30 bildet, an dessen dem Drahtende 13 benachbarten Ende eine Kathode 32 angeordnet ist. Die Kathode 32 bildet zusammen mit dem Drahtende 13, das auch hier, wie im Zusammenhang mit Fig. 1 beschrieben, als Anode 18 dienen kann, eine Kathoden/Anoden-Anordnung 33, die wie vor­ stehend beschrieben zur Ausbildung des Umschmelzformkörpers 20 dient.
Im Gegensatz zu der Teileinrichtung 28 ist die Teileinrichtung 29 ortsfest angeordnet, ist jedoch ebenso wie die Teileinrich­ tung 28 als Rohrstück 34 ausgebildet. Beide Teileinrichtungen 28, 29 sind an ihrem vom Drahtende 13 entfernt angeordneten Ende mit einem Anschlußstutzen 35 bzw. 36 versehen, der zum Anschluß an eine Schutzmediumquelle, beispielsweise über ein entsprechendes, hier nicht näher dargestelltes Schlauchsystem, dient.
Wie aus Fig. 2 deutlich zu ersehen ist, sind die Teileinrich­ tungen 28, 29 mit ihren Austrittsenden 37 bzw. 38 zur Ausbil­ dung eines Zwischenraums 39 in einem Abstand 1 voneinander an­ geordnet. Weiterhin befinden sich die Teileinrichtungen 28, 29 zumindest im Bereich ihrer Austrittsenden 37, 38 mit ihren Mittelachsen auf einer gemeinsamen Strömungsachse 40.
Wie weiter aus Fig. 2 hervorgeht, dient der Zwischenraum 39 dazu, ein Einführen des Drahtendes 13 in den mit bei Ausströ­ mung aus den Austrittsenden 37, 38 der Teileinrichtungen 28, 29 mit dem Schutzmedium beaufschlagten Bereich zu ermöglichen. Wie durch die Strömungspfeile 41, 42 in Fig. 2 angezeigt, wer­ den die Teileinrichtungen 28, 29 in unterschiedlichen Richtun­ gen durchströmt, derart, daß das Drahtende 13 bei Ausbildung des Umschmelzformkörpers 20 diametral mit dem ausströmenden Schutzmedium 41, 42 beaufschlagt wird. Aufgrund der Beauf­ schlagung des Drahtendes 13 mit einem fluiden Schutzmedium, das gasförmig oder flüssig ausgebildet sein kann, ist es mög­ lich, für den Bonddraht 12 auch Materialien mit vergleichs­ weise großer Oxidationsneigung zu verwenden. Je nach Art der Metallisierung der Anschlußfläche ist beispielsweise die Ver­ wendung einer Palladium/Kupfer-, einer Gold/Zinn- oder auch einer Blei/Zinn-Legierung möglich, ohne die Gefahr der Ausbil­ dung von oxidbedingten Verunreinigungen oder Versprödungen im Gefüge des Drahtendes.
Die Teileinrichtungen 28, 29 sind zumindest im Bereich ihrer Austrittsenden 37, 38 mit einem ausreichend großen Durchströ­ mungsquerschnitt 34 (Fig. 5) versehen, um eine laminare Um­ strömung des sich ausbildenden Umschmelzformkörpers 20 zu er­ möglichen.
Fig. 3 zeigt eine Drahtbondeinrichtung 47 mit einer Anström­ einrichtung 48. Die Anströmeinrichtung 48 weist im vorliegen­ den Fall zwei identisch ausgebildete Teileinrichtungen 49, 50 auf, die auch unterschiedlich ausgebildet sein können, in je­ dem Fall jedoch beide mit einer Abflammeinrichtung 51 verbun­ den sind. Die Abflammeinrichtung 51 besteht im wesentlichen aus einem um eine seitlich (s) zur Strömungsachse 40 versetzt angeordnete Schwenkachse 52 verschwenkbaren Schwenkhebel 53, an dessen freiem Ende eine Kathode 54 ausgebildet ist, die im vorliegenden Fall auch als Aufnahme für die Teileinrichtungen 49 und 50 dient.
Die mit der in Fig. 1 dargestellten Drahtbondeinrichtung 10 bzw. der in Fig. 2 dargestellten Drahtbondeinrichtung 25 über­ einstimmenden Bauteile weisen auch bei der Drahtbondeinrich­ tung 47 dieselben Bezugszeichen auf.
Wie bereits vorstehend unter Bezugnahme auf die Fig. 2 aus­ führlich erläutert, erfolgt auch bei der Drahtbondeinrichtung 47 eine Beaufschlagung des in einen Zwischenraum 55 zwischen den Teileinrichtungen 49, 50 eingeführten Drahtendes 13, um das Drahtende 13 bei Ausbildung des Umschmelzformkörpers 20 diametral mit dem ausströmenden Schutzmedium 41, 42 zu beauf­ schlagen.
Als eine weitere Alternative ist in Fig. 4 eine Drahtbondein­ richtung 56 mit einer Anströmeinrichtung 57 dargestellt. Neben den mit identischen Bezugszeichen bezeichneten, mit den ent­ sprechenden Bauteilen der Drahtbondeinrichtungen 10, 25 und 47 übereinstimmenden Bauteilen weist die Drahtbondeinrichtung 56 abweichend von den Drahtbondeinrichtungen 10, 25 und 47 eine Abflammeinrichtung 58 auf.
Die Abflammeinrichtung 58 ist mit einem Schwenkarm 59 um eine lotrecht parallel zur Strömungsachse angeordnete Schwenkachse 60 verschwenkbar. Am freien Ende der Schwenkachse 60 befindet sich die Anströmeinrichtung 57 derart angeordnet, daß eine Teileinrichtung 61 unmittelbar mit einem Schwenkarmende 62 verbunden ist und eine Teileinrichtung 63 über ein Zwischen­ stück 64 mit der Teileinrichtung 61 zur Ausbildung der An­ strömeinrichtung 57 verbunden ist.
Übereinstimmend mit den in den Fig. 2 und 3 dargestellten Aus­ führungsbeispielen sind auch die Teileinrichtungen 61, 63 der Abflammeinrichtung 58 auf einer gemeinsamen Strömungsachse 40 unter Ausbildung eines Zwischenraums 65 einander diametral ge­ genüberliegend angeordnet. Im Bereich des Zwischenraums 65 weist das Zwischenstück 64 eine Kathode 66 auf oder ist als eine solche ausgebildet, um mit einer durch das Drahtende 13 oder das Kapillarenmundstück 14 gebildeten Anode 67 in bereits vorstehend beschriebener Art und Weise eine Kathoden/Anoden- Anordnung 68 zu bilden.
In den Fig. 5 und 6 ist eine Teileinrichtung 61, die in sämt­ lichen der vorbeschriebenen Ausführungsbeispiele der Anström­ einrichtung verwendbar ist, als Einzelteil dargestellt. Die Teileinrichtung 61 weist im Austrittsende 70 eines Rohrkörpers 71 einen Profilkörper 72 auf, der, wie insbesondere deutlich aus der Vorderansicht in Fig. 6 des Rohrkörpers 71 hervorgeht, 1 eine ringförmige Strömungsaustrittsfläche 73 bildet. Im vor­ liegenden Beispiel ist der Profilkörper 72 über Streben 74 an der Innenwandung des Rohrkörpers 71 abgestützt.
Die Ausgestaltung der anhand der Fig. 5 und 6 erläuterten Strömungsaustrittsfläche 73 kann auch auf andere Art und Weise erfolgen. Wesentlich ist, daß, wie in Fig. 5 angedeutet, durch die hier beispielhaft dargestellten, die Strömung beeinflus­ senden Maßnahmen ein ungleichmäßiges Strömungsprofil 75 im Zwischenraum 65 (Fig. 4) erzeugt wird, mit der die Form des Umformschmelzkörpers 20 beeinflußbar ist.
Als eine mögliche Alternative zu der in den Fig. 5 und 6 dar­ gestellten Teileinrichtung 61 ist in Fig. 7 eine Teileinrich­ tung 75 im Längsschnitt dargestellt. Die Teileinrichtung 75 weist einen sich zum Austrittsende 76 hin zu einem Erweite­ rungsteil 77 im Durchströmungsquerschnitt 78 vergrößerten Rohrkörper 79 auf. Hierdurch wird eine Verzögerung und eine Laminarisierung der auf den in Fig. 7 lediglich angedeuteten Umschmelzformkörper 20 auftreffenden Strömung 41 erreicht. Der Querschnitt des Austrittsendes 76 ist bei dem in Fig. 7 darge­ stellten Ausführungsbeispiel deutlich größer als der Durchmes­ ser des Umschmelzformkörpers 20.
Fig. 8 zeigt in einer schematischen Darstellung ein Schutzme­ diumbeaufschlagungssystem 80 mit der beispielsweise in Fig. 2 im Detail dargestellten Schutzmediumbeaufschlagungsvorrichtung 27 und einer eine Schutzmediumquelle 81 mit der Schutzmedium­ beaufschlagungsvorrichtung 27 verbindenden Schutzmediumzuführ­ einrichtung 82. Die in Fig. 8 beispielhaft dargestellte Schutzmediumzuführeinrichtung 82 weist neben einer Druck­ minderereinrichtung 83 eine Massendurchflußregeleinrichtung 84 auf, die zur Erzielung einer konstanten Strömungsbeaufschla­ gung des Umschmelzformkörpers 20 mit dem aus den Teileinrich­ tungen 28 und 29 ausströmenden Schutzmedium dient. Je nach Ausführung des Schutzmediumbeaufschlagungssystems kann anstatt der Massendurchflußregeleinrichtung 84 auch ein einfaches Dosierventil mit Durchflußanzeige, beispielsweise eine Schwe­ bekugel, verwendet werden, so daß gegebenenfalls auch durch manuelles Eingreifen eine Änderung bzw. Regelung des Durch­ flusses erfolgen kann.

Claims (6)

1. Vorrichtung zur Beaufschlagung eines aus einer Bondkapil­ lare einer Drahtbondeinrichtung herausgeführten Drahten­ des eines Bonddrahts mit einem reduzierenden oder inerten fluiden Medium, die eine das Bonddrahtende mit einer An­ strömung durch das Medium beaufschlagende Anströmeinrich­ tung und eine Abflammeinrichtung aufweist, wobei die An­ strömeinrichtung zumindest teilweise bewegbar angeordnet ist, derart, daß eine Zustell- und Wegführbewegung bezo­ gen auf einen Vorschubweg des Bonddrahts ausführbar ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Anströmeinrichtung (26, 48, 57) zwei auf einer gemeinsamen Anströmachse (40) mit Abstand zur Ausbildung eines Zwischenraums (55, 65) angeordnete Teileinrichtun­ gen (49, 50; 61, 63) aufweist, die quer zur Zustellrich­ tung der Abflammeinrichtung (51; 58) angeordnet sind und bewegungsgekoppelt mit der Abflammeinrichtung (51; 58) quer zur Richtung der Anströmachse (40) zustellbar sind.
2. Vorrichtung zur Beaufschlagung eines aus einer Bondkapil­ lare einer Drahtbondeinrichtung herausgeführten Drahten­ des eines Bonddrahts mit einem reduzierenden oder inerten fluiden Medium, die eine das Bonddrahtende mit einer An­ strömung durch das Medium beaufschlagende Anströmeinrich­ tung und eine Abflammeinrichtung aufweist, wobei die An­ strömeinrichtung zumindest teilweise bewegbar angeordnet ist, derart, daß eine Zustell- und Wegführbewegung bezo­ gen auf einen Vorschubweg des Bonddrahts ausführbar ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Anströmeinrichtung (26, 48, 57) zwei auf einer gemeinsamen Anströmachse (40) mit Abstand zur Ausbildung eines Zwischenraums angeordnete Teileinrichtungen (28, 29) aufweist, die in Zustellrichtung der Abflammeinrich­ tung (30) angeordnet sind, wobei eine Teileinrichtung (29) als fest angeordnet ist und die andere Teileinrich­ tung (28) bewegungsgekoppelt mit der Abflammeinrichtung (30) in Richtung der Anströmachse (40) zustellbar ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Teileinrichtungen (28, 29; 49, 50; 61, 63) der Anströmeinrichtung (26, 48, 57) jeweils an ihrem dem Zwi­ schenraum (55; 65) abgewandten Ende mit einem Druckan­ schluß (35, 36) zur Druckbeaufschlagung mit dem Medium versehen sind.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Teileinrichtungen (28, 29; 49, 50; 61, 63) einen profilierten Durchströmungsquerschnitt (34) aufweisen.
5. Vorrichtung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Teileinrichtungen (28, 29; 49, 50; 61, 63) der Anströmeinrichtung (26, 48, 57) über die Druckanschlüsse (35, 36) an eine Schutzgasversorgung anschließbar sind.
6. Vorrichtung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Teileinrichtungen (28, 29; 49, 50; 61, 63) der Anströmeinrichtung (26, 48, 57) über die Druckanschlüsse (35, 36) mit einem flüssigen, organischen Medium versorg­ bar sind.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2453112A1 (de) * 1974-04-26 1975-11-13 Hitachi Ltd Verfahren zur bildung einer metallperle
US4390771A (en) * 1981-05-11 1983-06-28 Fairchild Camera & Instrument Corp. Bonding wire ball forming method and apparatus
DE3915472A1 (de) * 1988-06-02 1989-12-07 Samsung Electronics Co Ltd Antioxidationssystem eines kupferdraht verwendenden wire-bonders
DE4317131A1 (de) * 1992-05-22 1993-11-25 Rohm Co Ltd Verfahren und Vorrichtung zur Durchführung eines drahtkontaktierens unter Verwendung von Lötdraht
DE4421770A1 (de) * 1993-06-30 1995-01-12 Mitsubishi Electric Corp Vorrichtung zur Kugelerzeugung beim Drahtbonden, sein Steuerverfahren und Drahtbondevorrichtung

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2453112A1 (de) * 1974-04-26 1975-11-13 Hitachi Ltd Verfahren zur bildung einer metallperle
US4390771A (en) * 1981-05-11 1983-06-28 Fairchild Camera & Instrument Corp. Bonding wire ball forming method and apparatus
DE3915472A1 (de) * 1988-06-02 1989-12-07 Samsung Electronics Co Ltd Antioxidationssystem eines kupferdraht verwendenden wire-bonders
DE4317131A1 (de) * 1992-05-22 1993-11-25 Rohm Co Ltd Verfahren und Vorrichtung zur Durchführung eines drahtkontaktierens unter Verwendung von Lötdraht
DE4421770A1 (de) * 1993-06-30 1995-01-12 Mitsubishi Electric Corp Vorrichtung zur Kugelerzeugung beim Drahtbonden, sein Steuerverfahren und Drahtbondevorrichtung

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