DE3902579C2 - Optoelektronisches Bauteil - Google Patents
Optoelektronisches BauteilInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauteil
nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Dieses Bauteil
ermöglicht einen Hochfrequenzbetrieb und koppelt die
von einem lichtemittierenden Halbleiterelement ausge
sandten, für eine optische Übertragung verwendeten
Strahlen mit einer optischen Faser oder umgekehrt.
Im folgenden wird ein bekanntes optoelektronisches
Bauteil, das mit einer Laserdiode ausgestattet ist,
beschrieben.
Fig. 4 zeigt eine teilweise geschnittene Ansicht ei
nes solchen optoelektronischen Bauteils. Eine Laser
diode 1 und eine Linse 2 werden von einem metalli
schen Träger 3 getragen, der über ein elektronisches
Kühlelement 4 in einem luftdichten Gehäuse 5 befe
stigt ist. Eine elektrische Verdrahtung zum Betreiben
der Laserdiode 1 besteht aus zwei unabhängigen dünnen
Golddrähten 7a und 7b. Der Draht 7a verbindet einen
Eingangsanschluß 6a mit einem Anschluß der Laserdiode
1 zur Übertragung eines Signals, und der Draht 7b
verbindet den anderen Eingangsanschluß 6b oder Masse
anschluß über den Träger 3 mit dem anderen Anschluß
der Laserdiode 1. Der Eingangsanschluß 6a ist durch
isolierendes Glasmaterial 8 gegenüber dem Gehäuse 5
elektrisch isoliert. Von der Laserdiode ausgehende
Strahlen 9 werden durch die Linse 2 gebündelt und
verlassen das Gehäuse 5 durch ein Fenster 10, das am
Gehäuse 5 mittels niedrigschmelzendem Glasmaterial 11
angebracht ist.
Das so ausgebildete optoelektronische Bauteil 12 wird
normalerweise in Verbindung mit einer optischen Faser
13 verwendet, die in ihrer Lage so ausgerichtet ist,
daß die von der Laserdiode 1 ausgesandten Strahlen 9
in die Faser 13 eintreten. Weiterhin wird die opti
sche Faser 13 über einen Halter 14 am optoelektroni
schen Bauteil 12 befestigt. Das elektronische Kühl
element 4 ist so ausgestaltet, daß eine Temperatur
differenz zwischen seiner den Träger 3 berührenden
oberen Oberfläche und seiner das Gehäuse 5 berühren
den unteren Oberfläche auftritt. In dieser Anordnung
hat das Kühlelement 4 ein solches Kühlvermögen, daß
die Temperatur des Trägers 3 und der Laserdiode 1
trotz etwaiger Schwankungen der Temperatur des Gehäu
ses 5 konstant gehalten werden kann.
Fig. 5 zeigt ein vereinfachtes elektrisches Ersatz
schaltbild des optoelektronischen Bauteils nach Fig.
4. Hierbei sind der Eingangsanschluß 6a und die La
serdiode 1 über eine Induktivität (LA) 15 des dünnen
Golddrahts (A) 7a miteinander verbunden.
Die Induktivität (LB) 16 des dünnen Golddrahtes 7b
und die Kapazität (CP) 17, die durch das Kühlelement
4 als Streukapazität gebildet wird, sind zwischen dem
Eingangsanschluß 6b und der Laserdiode parallelge
schaltet. Der Ersatzschaltkreis nach Fig. 5 ist ein
Filterkreis, in dem die Induktivität (LB) 16 und die
Kapazität (CP) 17 zusammen eine parallele Resonanz
bei der Frequenz
erzeugen, die
eine hohe Impedanz ergibt. Daher ist das bekannte
optoelektronische Bauteil insofern nachteilig, als
die Amplitude und die Phase des zur Laserdiode 1
übertragenen Signals in der Nähe der Resonanzfrequenz
fr großen Veränderungen unterworfen sind und damit
eine getreue Übertragung des Signals verhindert wird.
Um diesen Nachteil zu verhindern, könnten die Induk
tivität (LB) 16 oder Kapazität (CP) 17 reduziert wer
den, wodurch der Frequenzbereich, bei dem der Effekt
des vorbeschriebenen Filterkreises zum größten Teil
auftritt, angehoben würde, so daß dieser Effekt in
einem im allgemeinen in der Fernmeldetechnik benutz
ten Frequenzbereich nicht so stark aufträte. Jedoch
ist die Kapazität (CP) 17 dem elektronischen Kühlele
ment 4 inhärent und kann daher nicht verringert wer
den. Die Induktivität (LB) 16 könnte durch Verkürzung
der Länge oder Vergrößerung des Durchmessers des
Drahtes 7b verringert werden. Jedoch wäre jede dieser
Maßnahmen dadurch nachteilig, daß der Wärmefluß vom
Gehäuse 5 zum Träger 3 erhöht würde und dadurch das
Kühlvermögen des elektronischen Kühlelements 4 ver
schlechtert würde.
Aus der DE-PS 33 07 933 ist eine optoelektronische
Sendeeinheit bekannt, die eine in einem Gehäuse auf
genommene und auf einem metallischen Träger angeord
nete Laserdiode aufweist, wobei ein auf die Laserdio
de ausgerichteter Lichtwellenleiter durch das Gehäuse
hindurchgeführt ist. Weiterhin ist ein Peltierelement
mit dem metallischen Träger verbunden, das als
Heiz- oder Kühlelement dient. In der Nähe der Laserdiode
ist in dem Gehäuse eine auf einem Dünn- oder Dick
schichtsubstrat aufgebrachte Ansteuer- und Regel
schaltung mit einer Verbindungsleitung zur Laserdiode
vorgesehen. Damit bei Temperaturänderungen der durch
Materialausdehnung bewirkte Versatz des Lichtwellen
leiters und der Laserdiode im wesentlichen gleich
ist, werden die Materialien für die Gehäusewand und
den Träger entsprechend ihren Temperaturkoeffizienten
gewählt.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein
optoelektronisches Bauteil nach dem Oberbegriff des
Hauptanspruchs anzugeben, das die Wirkung der parasi
tären Kapazität des Kühlelementes bei im wesentlichen
unverändert gutem Kühlvermögen eliminiert und dadurch
störungsarme Nachrichtenübertragung bei höchsten Fre
quenzen ermöglicht.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch die
im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen
Merkmale. Eine vorteilhafte Ausgestaltung des erfin
dungsgemäßen optoelektronischen Bauteils ergibt sich
aus den Unteransprüchen.
Durch die Ausbildung der Übertragungsleitungen als
Streifenleitung (18) ist die Wirkung der Kapazität
des elektronischen Kühlelements vernachlässigbar, da
die Kapazität durch die Masseleitung im wesentlichen
kurzgeschlossen ist und keine unerwünschte Resonanz
zur Folge hat. Somit ist ein Hochfrequenzbetrieb des
elektrooptischen Halbleiterelements 1 möglich. Da
weiterhin die Wärmeleitung der Übertragungsleitung
gering ist - beispielsweise wird Keramik als
Trägermaterial der Streifenleitung verwendet -, ist
die Abnahme des Kühlvermögens des elektronischen
Kühlelements vernachlässigbar klein.
Die Erfindung wird im folgenden anhand eines in den
Figuren dargestellten Ausführungsbeispiels näher er
läutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine teilweise geschnittene Darstel
lung eines optoelektronischen Bauteils
gemäß der Erfindung,
Fig. 2 und 3 ein vereinfachtes Ersatzschaltbild des
optoelektronischen Bauteils nach Fig.
1,
Fig. 4 eine teilweise geschnittene Darstel
lung eines bekannten optoelektroni
schen Bauteils, und
Fig. 5 ein vereinfachtes Ersatzschaltbild des
optoelektronischen Bauteils nach Fig.
4.
Das optoelektronische Bauteil nach Fig. 1 enthält
ebenfalls eine Laserdiode 1, eine Linse 2, einen me
tallischen Träger 3, ein elektronisches Kühlelement 4
und ein luftdichtes Gehäuse 5. Der Eingangsanschluß 6a
und der Masseanschluß 6b empfangen die elektri
schen Signale zum Betreiben der Laserdiode 7a, iso
lierendes Glasmaterial 8 zur gegenseitigen Isolierung
der Eingangsanschlüsse 6a und 6b, von der Laserdiode
1 ausgehende Strahlen 9, ein Fenster 10 für die
Strahlen 9, ein Glasmaterial 11 zum Abdichten des
Spaltes zwischen dem Fenster 10 und dem Gefäß 5, so
wie eine miniaturisierte Streifenleitung 18 als Lei
tung mit verteilten Konstanten gezeigt.
Die miniaturisierte Streifenleitung 18 weist ein die
lektrisches Keramiksubstratmaterial 19 auf, auf des
sen beiden Seiten je eine Dünnschichtleitung aus Gold
von mehreren µm Dicke aufgebracht ist. Weiterhin ist
die obere Schichtleitung 20 mit dem Eingangsanschluß
6a und dem Draht 7a verbunden, während die untere
Dünnschichtleitung 21 mit dem Masseanschluß 6b und
einem Anschluß der Laserdiode 1 über den Träger 3
verbunden ist.
Fig. 2 enthält ein vereinfachtes elektrisches Ersatz
schaltbild des optoelektronischen Bauteils nach Fig.
1. Gezeigt sind die Induktivität (LA) 15 des Drahts 7a
und die Kapazität (CP) des elektronischen Kühlele
ments 4. Die Induktivität 15 und die obere Dünn
schichtleitung 20 der Streifenleitung 18 sind in Rei
he miteinander zwischen die Laserdiode 1 und den Ein
gangsanschluß 6a geschaltet, während die Kapazität 17
und die untere Dünnschichtleitung 21 der Streifenlei
tung 18 parallel zueinander zwischen die Laserdiode 1
und den Masseanschluß 6b geschaltet sind.
Der elektrische Strom fließt vom Eingangsanschluß 6b
zur Laserdiode 1 zum größten Teil durch die untere
Dünnschichtleitung 21, jedoch kaum über die Kapazität
(CP) 17. Dies folgt daraus, daß die untere Dünn
schichtleitung 21 in einem weiten Frequenzbereich
eine höhere elektrische Leitfähigkeit besitzt und
eine stärkere elektromagnetische Kopplung mit der
oberen Dünnschichtleitung 20 der Streifenleitung 18
aufweist als die Kapazität (CP) 17. (Nur eine Leitung
mit verteilten Konstanten kann eine starke elektroma
gnetische Kopplung herleiten.) Daher kann die Kapazi
tät (CP) 17 vernachlässigt werden. Somit kann das
elektrische Ersatzschaltbild nach Fig. 2 gemäß dem
Ersatzschaltbild nach Fig. 3 vereinfacht werden. Das
Ersatzschaltbild nach Fig. 3 erzeugt nicht die vor
beschriebene schädliche Resonanz, da die Kapazität
(CP) 17 durch die mit Masse verbundene Dünnschicht
leitung 21 der Streifenleitung bzw. Leitung mit ver
teilten Konstanten 18 kurzgeschlossen wird. Daher
ermöglicht das vorliegende Ausführungsbeispiel eine
getreue Signalübertragung, auch wenn die Laserdiode 1
in einem hohen Frequenzbereich betrieben wird.
Die Wärmeleitfähigkeit der miniaturisierten Streifen
leitung 18 könnte einen Anstieg in dem Wärmefluß vom
Gehäuse 5 zum Träger 3 bewirken. Da jedoch die obere
und untere Dünnschichtleitung 20, 21 der Streifenlei
tung 18 als dünne Goldschichten von einigen µm Dicke
aufgebracht sind, ist diese Wärmeleitung ausreichend
gering und kann vernachlässigt werden. Die Streifen
leitung 18 kann in einer Dicke von etwa 0,4 mm und
einer Breite von etwa 1 mm ausgebildet sein. Auch ist
der Anstieg im Wärmefluß aufgrund des dielektrischen
Keramikmaterials 19 vernachlässigbar, insbesondere,
wenn ein Keramikmaterial mit einer extrem niedrigen
Wärmeleitfähigkeit wie Forsterit, Steatit oder Zirkon
als dielektrisches Keramikmaterial 19 der Streifen
leitung 18 verwendet wird.
Im vorliegenden Fall wurde die Laserdiode 1 als elek
trooptisches Halbleiter-Element eingesetzt, jedoch
können auch andere Ausführungsformen, zum Beispiel
solche, in denen andere lichtemittierende oder licht
empfangende Halbleiter-Elemente verwendet werden,
entsprechende Wirkungen zeigen.
Claims (4)
1. Optoelektronisches Bauteil bestehend aus
- a) einem elektro-optischen Halbleiterelement, das einen ersten und einen zweiten elektrischen An schluß aufweist,
- b) einem Kühlelement, das als Träger für das Halb leiterelement mit einer Seite mit diesem Halbleiter element verbunden ist, wobei diese Seite auf das selbe Potential wie der erste elektrische Anschluß des Halbleiterelementes gelegt ist,
- c) einem luftdichten, elektrisch leitenden Gehäuse zur Aufnahme des Halbleiterelementes und des Kühl elementes, wobei das Gehäuse einen Signalanschluß und einen mit ihm elektrisch verbundenen Masse anschluß aufweist,
- d) zwei Übertragungsleitungen zwischen dem Signalan schluß und dem ersten elektrischen Anschluß bzw. dem Masseanschluß und dem zweiten elektrischen An schluß
- e) und einem im Gehäuse eingesetzten Fenster zum Durchtritt optischer Strahlung,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Übertragungsleitungen als Streifenleitung (18)
ausgebildet sind, die ein dielektrisches Substrat (19)
niedriger Wärmeleitfähigkeit aufweist, auf dessen
oberer (20) und unterer Seite (21) Dünnschichtleitun
gen aufgebracht sind.
2. Optoelektronisches Bauteil nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß das dielektrische Substrat (19) Keramikmaterial
ist.
3. Optoelektronisches Bauteil nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Keramikmaterial Forsterit, Steatit oder
Zirkon ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63018082A JPH0714102B2 (ja) | 1988-01-28 | 1988-01-28 | 光結合装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3902579A1 DE3902579A1 (de) | 1989-08-10 |
DE3902579C2 true DE3902579C2 (de) | 1997-02-20 |
Family
ID=11961725
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3902579A Expired - Lifetime DE3902579C2 (de) | 1988-01-28 | 1989-01-25 | Optoelektronisches Bauteil |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4989930A (de) |
JP (1) | JPH0714102B2 (de) |
DE (1) | DE3902579C2 (de) |
NL (1) | NL193153C (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101538989B (zh) * | 2009-04-10 | 2011-10-26 | 煤炭科学研究总院西安研究院 | 快换卡瓦液压胶筒卡盘 |
Families Citing this family (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5255333A (en) * | 1989-08-09 | 1993-10-19 | Siemens Aktiengesellschaft | Opto-electronic transducer arrangement having a lens-type optical coupling |
US5130761A (en) * | 1990-07-17 | 1992-07-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Led array with reflector and printed circuit board |
DE4110378A1 (de) * | 1991-03-28 | 1992-10-01 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Einrichtung mit einem traegerteil, einem halbleiterlaser und kontaktierungen |
US5231686A (en) * | 1992-07-17 | 1993-07-27 | Honeywell Inc. | Optical connector configured to facilitate active alignment of a photoelectric device with an optical fiber |
DE4314235A1 (de) * | 1993-04-30 | 1994-11-03 | Bilz Otto Werkzeug | Werkzeughalter, insbesondere Schnellwechselfutter |
DE4342840C2 (de) * | 1993-12-10 | 1995-09-28 | Siemens Ag | Elektrooptisches Modul |
US5455386A (en) * | 1994-01-14 | 1995-10-03 | Olin Corporation | Chamfered electronic package component |
US6004044A (en) * | 1995-05-03 | 1999-12-21 | Itt Cannon, Inc. | Optoelectric connector |
JP3116777B2 (ja) * | 1995-07-07 | 2000-12-11 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザモジュール |
US6020628A (en) * | 1997-07-21 | 2000-02-01 | Olin Corporation | Optical component package with a hermetic seal |
JPH11231173A (ja) * | 1998-02-12 | 1999-08-27 | Fujitsu Ltd | 高速動作可能な光デバイス |
DE59901985D1 (de) * | 1998-05-26 | 2002-08-14 | Infineon Technologies Ag | Hochfrequenz-Lasermodul und Verfahren zur Herstellung desselben |
CN1460309A (zh) * | 2001-04-05 | 2003-12-03 | 住友电气工业株式会社 | 插头和信号线的连接结构以及使用此结构的半导体封装 |
JP4756769B2 (ja) * | 2001-05-09 | 2011-08-24 | 三菱電機株式会社 | 光モジュール |
US6920161B2 (en) * | 2002-01-18 | 2005-07-19 | Oepic Semiconductors, Inc. | High-speed TO-can optoelectronic packages |
WO2003088286A2 (en) * | 2002-04-16 | 2003-10-23 | Xloom Photonics Ltd. | Electro-optical circuitry having integrated connector and methods for the production thereof |
US20040021214A1 (en) * | 2002-04-16 | 2004-02-05 | Avner Badehi | Electro-optic integrated circuits with connectors and methods for the production thereof |
US7206518B2 (en) * | 2002-11-19 | 2007-04-17 | Bookham Technology, Plc | High speed optoelectronic subassembly and package for optical devices |
AU2003272062A1 (en) | 2003-10-15 | 2005-04-27 | Xloom Photonics Ltd. | Electro-optical circuitry having integrated connector and methods for the production thereof |
JP4599091B2 (ja) * | 2004-05-19 | 2010-12-15 | 日本オプネクスト株式会社 | 光モジュールおよび光伝送装置 |
JP2007225904A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光変調デバイス |
US20090093137A1 (en) * | 2007-10-08 | 2009-04-09 | Xloom Communications, (Israel) Ltd. | Optical communications module |
JP5381074B2 (ja) | 2008-12-16 | 2014-01-08 | 三菱電機株式会社 | 光変調装置および光変調装置の製造方法 |
JP2011129592A (ja) | 2009-12-15 | 2011-06-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光半導体装置 |
GB2506861A (en) * | 2012-10-09 | 2014-04-16 | Oclaro Technology Ltd | Optoelectronic assembly |
US9379819B1 (en) * | 2014-01-03 | 2016-06-28 | Google Inc. | Systems and methods for reducing temperature in an optical signal source co-packaged with a driver |
JP6743880B2 (ja) * | 2016-03-02 | 2020-08-19 | ソニー株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP6881746B2 (ja) * | 2016-04-25 | 2021-06-02 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 光半導体装置 |
DE102019127593B4 (de) * | 2019-10-14 | 2021-08-26 | Schott Ag | Sockel für ein Gehäuse mit einer elektronischen Komponente zur Hochfrequenz-Signalübertragung |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3840889A (en) * | 1973-07-11 | 1974-10-08 | Rca Corp | Laser diode package formed of ceramic and metal materials having high electrical and thermal conductivity |
US4399541A (en) * | 1981-02-17 | 1983-08-16 | Northern Telecom Limited | Light emitting device package having combined heater/cooler |
US4615031A (en) * | 1982-07-27 | 1986-09-30 | International Standard Electric Corporation | Injection laser packages |
DE3307933A1 (de) * | 1983-03-05 | 1984-10-11 | ANT Nachrichtentechnik GmbH, 7150 Backnang | Optoelektronische sendeeinheit |
DE3337131A1 (de) * | 1983-10-12 | 1985-04-25 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Glasfaserdurchfuehrung durch eine wandoeffnung eines gehaeuses |
US4732446A (en) * | 1985-10-02 | 1988-03-22 | Lamar Gipson | Electrical circuit and optical data buss |
US4761788A (en) * | 1985-10-28 | 1988-08-02 | American Telephone And Telegraph Company | Stripline mount for semiconductor lasers |
EP0246270B1 (de) * | 1985-10-28 | 1991-06-19 | AT&T Corp. | Mehrschichtige keramische lasereinheit |
US4752109A (en) * | 1986-09-02 | 1988-06-21 | Amp Incorporated | Optoelectronics package for a semiconductor laser |
JPH073907B2 (ja) * | 1987-07-03 | 1995-01-18 | 株式会社日立製作所 | デュアルインラインパッケ−ジ形半導体レ−ザモジュ−ル |
-
1988
- 1988-01-28 JP JP63018082A patent/JPH0714102B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-01-25 US US07/301,437 patent/US4989930A/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-01-25 DE DE3902579A patent/DE3902579C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-01-27 NL NL8900202A patent/NL193153C/nl active Search and Examination
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101538989B (zh) * | 2009-04-10 | 2011-10-26 | 煤炭科学研究总院西安研究院 | 快换卡瓦液压胶筒卡盘 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4989930A (en) | 1991-02-05 |
NL193153B (nl) | 1998-08-03 |
DE3902579A1 (de) | 1989-08-10 |
NL8900202A (nl) | 1989-08-16 |
NL193153C (nl) | 1998-12-04 |
JPH0714102B2 (ja) | 1995-02-15 |
JPH01192188A (ja) | 1989-08-02 |
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