DE3902579C2 - Optoelektronisches Bauteil - Google Patents

Optoelektronisches Bauteil

Info

Publication number
DE3902579C2
DE3902579C2 DE3902579A DE3902579A DE3902579C2 DE 3902579 C2 DE3902579 C2 DE 3902579C2 DE 3902579 A DE3902579 A DE 3902579A DE 3902579 A DE3902579 A DE 3902579A DE 3902579 C2 DE3902579 C2 DE 3902579C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
optoelectronic component
laser diode
semiconductor element
housing
connection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE3902579A
Other languages
English (en)
Other versions
DE3902579A1 (de
Inventor
Eiichi Nakagawa
Junichiro Yamashita
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE3902579A1 publication Critical patent/DE3902579A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3902579C2 publication Critical patent/DE3902579C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4204Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/42Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4248Feed-through connections for the hermetical passage of fibres through a package wall
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02251Out-coupling of light using optical fibres
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0427Electrical excitation ; Circuits therefor for applying modulation to the laser
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/06226Modulation at ultra-high frequencies

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauteil nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Dieses Bauteil ermöglicht einen Hochfrequenzbetrieb und koppelt die von einem lichtemittierenden Halbleiterelement ausge­ sandten, für eine optische Übertragung verwendeten Strahlen mit einer optischen Faser oder umgekehrt.
Im folgenden wird ein bekanntes optoelektronisches Bauteil, das mit einer Laserdiode ausgestattet ist, beschrieben.
Fig. 4 zeigt eine teilweise geschnittene Ansicht ei­ nes solchen optoelektronischen Bauteils. Eine Laser­ diode 1 und eine Linse 2 werden von einem metalli­ schen Träger 3 getragen, der über ein elektronisches Kühlelement 4 in einem luftdichten Gehäuse 5 befe­ stigt ist. Eine elektrische Verdrahtung zum Betreiben der Laserdiode 1 besteht aus zwei unabhängigen dünnen Golddrähten 7a und 7b. Der Draht 7a verbindet einen Eingangsanschluß 6a mit einem Anschluß der Laserdiode 1 zur Übertragung eines Signals, und der Draht 7b verbindet den anderen Eingangsanschluß 6b oder Masse­ anschluß über den Träger 3 mit dem anderen Anschluß der Laserdiode 1. Der Eingangsanschluß 6a ist durch isolierendes Glasmaterial 8 gegenüber dem Gehäuse 5 elektrisch isoliert. Von der Laserdiode ausgehende Strahlen 9 werden durch die Linse 2 gebündelt und verlassen das Gehäuse 5 durch ein Fenster 10, das am Gehäuse 5 mittels niedrigschmelzendem Glasmaterial 11 angebracht ist.
Das so ausgebildete optoelektronische Bauteil 12 wird normalerweise in Verbindung mit einer optischen Faser 13 verwendet, die in ihrer Lage so ausgerichtet ist, daß die von der Laserdiode 1 ausgesandten Strahlen 9 in die Faser 13 eintreten. Weiterhin wird die opti­ sche Faser 13 über einen Halter 14 am optoelektroni­ schen Bauteil 12 befestigt. Das elektronische Kühl­ element 4 ist so ausgestaltet, daß eine Temperatur­ differenz zwischen seiner den Träger 3 berührenden oberen Oberfläche und seiner das Gehäuse 5 berühren­ den unteren Oberfläche auftritt. In dieser Anordnung hat das Kühlelement 4 ein solches Kühlvermögen, daß die Temperatur des Trägers 3 und der Laserdiode 1 trotz etwaiger Schwankungen der Temperatur des Gehäu­ ses 5 konstant gehalten werden kann.
Fig. 5 zeigt ein vereinfachtes elektrisches Ersatz­ schaltbild des optoelektronischen Bauteils nach Fig. 4. Hierbei sind der Eingangsanschluß 6a und die La­ serdiode 1 über eine Induktivität (LA) 15 des dünnen Golddrahts (A) 7a miteinander verbunden.
Die Induktivität (LB) 16 des dünnen Golddrahtes 7b und die Kapazität (CP) 17, die durch das Kühlelement 4 als Streukapazität gebildet wird, sind zwischen dem Eingangsanschluß 6b und der Laserdiode parallelge­ schaltet. Der Ersatzschaltkreis nach Fig. 5 ist ein Filterkreis, in dem die Induktivität (LB) 16 und die Kapazität (CP) 17 zusammen eine parallele Resonanz bei der Frequenz
erzeugen, die eine hohe Impedanz ergibt. Daher ist das bekannte optoelektronische Bauteil insofern nachteilig, als die Amplitude und die Phase des zur Laserdiode 1 übertragenen Signals in der Nähe der Resonanzfrequenz fr großen Veränderungen unterworfen sind und damit eine getreue Übertragung des Signals verhindert wird.
Um diesen Nachteil zu verhindern, könnten die Induk­ tivität (LB) 16 oder Kapazität (CP) 17 reduziert wer­ den, wodurch der Frequenzbereich, bei dem der Effekt des vorbeschriebenen Filterkreises zum größten Teil auftritt, angehoben würde, so daß dieser Effekt in einem im allgemeinen in der Fernmeldetechnik benutz­ ten Frequenzbereich nicht so stark aufträte. Jedoch ist die Kapazität (CP) 17 dem elektronischen Kühlele­ ment 4 inhärent und kann daher nicht verringert wer­ den. Die Induktivität (LB) 16 könnte durch Verkürzung der Länge oder Vergrößerung des Durchmessers des Drahtes 7b verringert werden. Jedoch wäre jede dieser Maßnahmen dadurch nachteilig, daß der Wärmefluß vom Gehäuse 5 zum Träger 3 erhöht würde und dadurch das Kühlvermögen des elektronischen Kühlelements 4 ver­ schlechtert würde.
Aus der DE-PS 33 07 933 ist eine optoelektronische Sendeeinheit bekannt, die eine in einem Gehäuse auf­ genommene und auf einem metallischen Träger angeord­ nete Laserdiode aufweist, wobei ein auf die Laserdio­ de ausgerichteter Lichtwellenleiter durch das Gehäuse hindurchgeführt ist. Weiterhin ist ein Peltierelement mit dem metallischen Träger verbunden, das als Heiz- oder Kühlelement dient. In der Nähe der Laserdiode ist in dem Gehäuse eine auf einem Dünn- oder Dick­ schichtsubstrat aufgebrachte Ansteuer- und Regel­ schaltung mit einer Verbindungsleitung zur Laserdiode vorgesehen. Damit bei Temperaturänderungen der durch Materialausdehnung bewirkte Versatz des Lichtwellen­ leiters und der Laserdiode im wesentlichen gleich ist, werden die Materialien für die Gehäusewand und den Träger entsprechend ihren Temperaturkoeffizienten gewählt.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein optoelektronisches Bauteil nach dem Oberbegriff des Hauptanspruchs anzugeben, das die Wirkung der parasi­ tären Kapazität des Kühlelementes bei im wesentlichen unverändert gutem Kühlvermögen eliminiert und dadurch störungsarme Nachrichtenübertragung bei höchsten Fre­ quenzen ermöglicht.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch die im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen Merkmale. Eine vorteilhafte Ausgestaltung des erfin­ dungsgemäßen optoelektronischen Bauteils ergibt sich aus den Unteransprüchen.
Durch die Ausbildung der Übertragungsleitungen als Streifenleitung (18) ist die Wirkung der Kapazität des elektronischen Kühlelements vernachlässigbar, da die Kapazität durch die Masseleitung im wesentlichen kurzgeschlossen ist und keine unerwünschte Resonanz zur Folge hat. Somit ist ein Hochfrequenzbetrieb des elektrooptischen Halbleiterelements 1 möglich. Da weiterhin die Wärmeleitung der Übertragungsleitung gering ist - beispielsweise wird Keramik als Trägermaterial der Streifenleitung verwendet -, ist die Abnahme des Kühlvermögens des elektronischen Kühlelements vernachlässigbar klein.
Die Erfindung wird im folgenden anhand eines in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispiels näher er­ läutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine teilweise geschnittene Darstel­ lung eines optoelektronischen Bauteils gemäß der Erfindung,
Fig. 2 und 3 ein vereinfachtes Ersatzschaltbild des optoelektronischen Bauteils nach Fig. 1,
Fig. 4 eine teilweise geschnittene Darstel­ lung eines bekannten optoelektroni­ schen Bauteils, und
Fig. 5 ein vereinfachtes Ersatzschaltbild des optoelektronischen Bauteils nach Fig. 4.
Das optoelektronische Bauteil nach Fig. 1 enthält ebenfalls eine Laserdiode 1, eine Linse 2, einen me­ tallischen Träger 3, ein elektronisches Kühlelement 4 und ein luftdichtes Gehäuse 5. Der Eingangsanschluß 6a und der Masseanschluß 6b empfangen die elektri­ schen Signale zum Betreiben der Laserdiode 7a, iso­ lierendes Glasmaterial 8 zur gegenseitigen Isolierung der Eingangsanschlüsse 6a und 6b, von der Laserdiode 1 ausgehende Strahlen 9, ein Fenster 10 für die Strahlen 9, ein Glasmaterial 11 zum Abdichten des Spaltes zwischen dem Fenster 10 und dem Gefäß 5, so­ wie eine miniaturisierte Streifenleitung 18 als Lei­ tung mit verteilten Konstanten gezeigt.
Die miniaturisierte Streifenleitung 18 weist ein die­ lektrisches Keramiksubstratmaterial 19 auf, auf des­ sen beiden Seiten je eine Dünnschichtleitung aus Gold von mehreren µm Dicke aufgebracht ist. Weiterhin ist die obere Schichtleitung 20 mit dem Eingangsanschluß 6a und dem Draht 7a verbunden, während die untere Dünnschichtleitung 21 mit dem Masseanschluß 6b und einem Anschluß der Laserdiode 1 über den Träger 3 verbunden ist.
Fig. 2 enthält ein vereinfachtes elektrisches Ersatz­ schaltbild des optoelektronischen Bauteils nach Fig. 1. Gezeigt sind die Induktivität (LA) 15 des Drahts 7a und die Kapazität (CP) des elektronischen Kühlele­ ments 4. Die Induktivität 15 und die obere Dünn­ schichtleitung 20 der Streifenleitung 18 sind in Rei­ he miteinander zwischen die Laserdiode 1 und den Ein­ gangsanschluß 6a geschaltet, während die Kapazität 17 und die untere Dünnschichtleitung 21 der Streifenlei­ tung 18 parallel zueinander zwischen die Laserdiode 1 und den Masseanschluß 6b geschaltet sind.
Der elektrische Strom fließt vom Eingangsanschluß 6b zur Laserdiode 1 zum größten Teil durch die untere Dünnschichtleitung 21, jedoch kaum über die Kapazität (CP) 17. Dies folgt daraus, daß die untere Dünn­ schichtleitung 21 in einem weiten Frequenzbereich eine höhere elektrische Leitfähigkeit besitzt und eine stärkere elektromagnetische Kopplung mit der oberen Dünnschichtleitung 20 der Streifenleitung 18 aufweist als die Kapazität (CP) 17. (Nur eine Leitung mit verteilten Konstanten kann eine starke elektroma­ gnetische Kopplung herleiten.) Daher kann die Kapazi­ tät (CP) 17 vernachlässigt werden. Somit kann das elektrische Ersatzschaltbild nach Fig. 2 gemäß dem Ersatzschaltbild nach Fig. 3 vereinfacht werden. Das Ersatzschaltbild nach Fig. 3 erzeugt nicht die vor­ beschriebene schädliche Resonanz, da die Kapazität (CP) 17 durch die mit Masse verbundene Dünnschicht­ leitung 21 der Streifenleitung bzw. Leitung mit ver­ teilten Konstanten 18 kurzgeschlossen wird. Daher ermöglicht das vorliegende Ausführungsbeispiel eine getreue Signalübertragung, auch wenn die Laserdiode 1 in einem hohen Frequenzbereich betrieben wird.
Die Wärmeleitfähigkeit der miniaturisierten Streifen­ leitung 18 könnte einen Anstieg in dem Wärmefluß vom Gehäuse 5 zum Träger 3 bewirken. Da jedoch die obere und untere Dünnschichtleitung 20, 21 der Streifenlei­ tung 18 als dünne Goldschichten von einigen µm Dicke aufgebracht sind, ist diese Wärmeleitung ausreichend gering und kann vernachlässigt werden. Die Streifen­ leitung 18 kann in einer Dicke von etwa 0,4 mm und einer Breite von etwa 1 mm ausgebildet sein. Auch ist der Anstieg im Wärmefluß aufgrund des dielektrischen Keramikmaterials 19 vernachlässigbar, insbesondere, wenn ein Keramikmaterial mit einer extrem niedrigen Wärmeleitfähigkeit wie Forsterit, Steatit oder Zirkon als dielektrisches Keramikmaterial 19 der Streifen­ leitung 18 verwendet wird.
Im vorliegenden Fall wurde die Laserdiode 1 als elek­ trooptisches Halbleiter-Element eingesetzt, jedoch können auch andere Ausführungsformen, zum Beispiel solche, in denen andere lichtemittierende oder licht­ empfangende Halbleiter-Elemente verwendet werden, entsprechende Wirkungen zeigen.

Claims (4)

1. Optoelektronisches Bauteil bestehend aus
  • a) einem elektro-optischen Halbleiterelement, das einen ersten und einen zweiten elektrischen An­ schluß aufweist,
  • b) einem Kühlelement, das als Träger für das Halb­ leiterelement mit einer Seite mit diesem Halbleiter­ element verbunden ist, wobei diese Seite auf das­ selbe Potential wie der erste elektrische Anschluß des Halbleiterelementes gelegt ist,
  • c) einem luftdichten, elektrisch leitenden Gehäuse zur Aufnahme des Halbleiterelementes und des Kühl­ elementes, wobei das Gehäuse einen Signalanschluß und einen mit ihm elektrisch verbundenen Masse­ anschluß aufweist,
  • d) zwei Übertragungsleitungen zwischen dem Signalan­ schluß und dem ersten elektrischen Anschluß bzw. dem Masseanschluß und dem zweiten elektrischen An­ schluß
  • e) und einem im Gehäuse eingesetzten Fenster zum Durchtritt optischer Strahlung,
dadurch gekennzeichnet, daß die Übertragungsleitungen als Streifenleitung (18) ausgebildet sind, die ein dielektrisches Substrat (19) niedriger Wärmeleitfähigkeit aufweist, auf dessen oberer (20) und unterer Seite (21) Dünnschichtleitun­ gen aufgebracht sind.
2. Optoelektronisches Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das dielektrische Substrat (19) Keramikmaterial ist.
3. Optoelektronisches Bauteil nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Keramikmaterial Forsterit, Steatit oder Zirkon ist.
DE3902579A 1988-01-28 1989-01-25 Optoelektronisches Bauteil Expired - Lifetime DE3902579C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63018082A JPH0714102B2 (ja) 1988-01-28 1988-01-28 光結合装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3902579A1 DE3902579A1 (de) 1989-08-10
DE3902579C2 true DE3902579C2 (de) 1997-02-20

Family

ID=11961725

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3902579A Expired - Lifetime DE3902579C2 (de) 1988-01-28 1989-01-25 Optoelektronisches Bauteil

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4989930A (de)
JP (1) JPH0714102B2 (de)
DE (1) DE3902579C2 (de)
NL (1) NL193153C (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101538989B (zh) * 2009-04-10 2011-10-26 煤炭科学研究总院西安研究院 快换卡瓦液压胶筒卡盘

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5255333A (en) * 1989-08-09 1993-10-19 Siemens Aktiengesellschaft Opto-electronic transducer arrangement having a lens-type optical coupling
US5130761A (en) * 1990-07-17 1992-07-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Led array with reflector and printed circuit board
DE4110378A1 (de) * 1991-03-28 1992-10-01 Standard Elektrik Lorenz Ag Einrichtung mit einem traegerteil, einem halbleiterlaser und kontaktierungen
US5231686A (en) * 1992-07-17 1993-07-27 Honeywell Inc. Optical connector configured to facilitate active alignment of a photoelectric device with an optical fiber
DE4314235A1 (de) * 1993-04-30 1994-11-03 Bilz Otto Werkzeug Werkzeughalter, insbesondere Schnellwechselfutter
DE4342840C2 (de) * 1993-12-10 1995-09-28 Siemens Ag Elektrooptisches Modul
US5455386A (en) * 1994-01-14 1995-10-03 Olin Corporation Chamfered electronic package component
US6004044A (en) * 1995-05-03 1999-12-21 Itt Cannon, Inc. Optoelectric connector
JP3116777B2 (ja) * 1995-07-07 2000-12-11 日本電気株式会社 半導体レーザモジュール
US6020628A (en) * 1997-07-21 2000-02-01 Olin Corporation Optical component package with a hermetic seal
JPH11231173A (ja) * 1998-02-12 1999-08-27 Fujitsu Ltd 高速動作可能な光デバイス
DE59901985D1 (de) * 1998-05-26 2002-08-14 Infineon Technologies Ag Hochfrequenz-Lasermodul und Verfahren zur Herstellung desselben
CN1460309A (zh) * 2001-04-05 2003-12-03 住友电气工业株式会社 插头和信号线的连接结构以及使用此结构的半导体封装
JP4756769B2 (ja) * 2001-05-09 2011-08-24 三菱電機株式会社 光モジュール
US6920161B2 (en) * 2002-01-18 2005-07-19 Oepic Semiconductors, Inc. High-speed TO-can optoelectronic packages
WO2003088286A2 (en) * 2002-04-16 2003-10-23 Xloom Photonics Ltd. Electro-optical circuitry having integrated connector and methods for the production thereof
US20040021214A1 (en) * 2002-04-16 2004-02-05 Avner Badehi Electro-optic integrated circuits with connectors and methods for the production thereof
US7206518B2 (en) * 2002-11-19 2007-04-17 Bookham Technology, Plc High speed optoelectronic subassembly and package for optical devices
AU2003272062A1 (en) 2003-10-15 2005-04-27 Xloom Photonics Ltd. Electro-optical circuitry having integrated connector and methods for the production thereof
JP4599091B2 (ja) * 2004-05-19 2010-12-15 日本オプネクスト株式会社 光モジュールおよび光伝送装置
JP2007225904A (ja) * 2006-02-23 2007-09-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体光変調デバイス
US20090093137A1 (en) * 2007-10-08 2009-04-09 Xloom Communications, (Israel) Ltd. Optical communications module
JP5381074B2 (ja) 2008-12-16 2014-01-08 三菱電機株式会社 光変調装置および光変調装置の製造方法
JP2011129592A (ja) 2009-12-15 2011-06-30 Sumitomo Electric Ind Ltd 光半導体装置
GB2506861A (en) * 2012-10-09 2014-04-16 Oclaro Technology Ltd Optoelectronic assembly
US9379819B1 (en) * 2014-01-03 2016-06-28 Google Inc. Systems and methods for reducing temperature in an optical signal source co-packaged with a driver
JP6743880B2 (ja) * 2016-03-02 2020-08-19 ソニー株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP6881746B2 (ja) * 2016-04-25 2021-06-02 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 光半導体装置
DE102019127593B4 (de) * 2019-10-14 2021-08-26 Schott Ag Sockel für ein Gehäuse mit einer elektronischen Komponente zur Hochfrequenz-Signalübertragung

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3840889A (en) * 1973-07-11 1974-10-08 Rca Corp Laser diode package formed of ceramic and metal materials having high electrical and thermal conductivity
US4399541A (en) * 1981-02-17 1983-08-16 Northern Telecom Limited Light emitting device package having combined heater/cooler
US4615031A (en) * 1982-07-27 1986-09-30 International Standard Electric Corporation Injection laser packages
DE3307933A1 (de) * 1983-03-05 1984-10-11 ANT Nachrichtentechnik GmbH, 7150 Backnang Optoelektronische sendeeinheit
DE3337131A1 (de) * 1983-10-12 1985-04-25 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Glasfaserdurchfuehrung durch eine wandoeffnung eines gehaeuses
US4732446A (en) * 1985-10-02 1988-03-22 Lamar Gipson Electrical circuit and optical data buss
US4761788A (en) * 1985-10-28 1988-08-02 American Telephone And Telegraph Company Stripline mount for semiconductor lasers
EP0246270B1 (de) * 1985-10-28 1991-06-19 AT&T Corp. Mehrschichtige keramische lasereinheit
US4752109A (en) * 1986-09-02 1988-06-21 Amp Incorporated Optoelectronics package for a semiconductor laser
JPH073907B2 (ja) * 1987-07-03 1995-01-18 株式会社日立製作所 デュアルインラインパッケ−ジ形半導体レ−ザモジュ−ル

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101538989B (zh) * 2009-04-10 2011-10-26 煤炭科学研究总院西安研究院 快换卡瓦液压胶筒卡盘

Also Published As

Publication number Publication date
US4989930A (en) 1991-02-05
NL193153B (nl) 1998-08-03
DE3902579A1 (de) 1989-08-10
NL8900202A (nl) 1989-08-16
NL193153C (nl) 1998-12-04
JPH0714102B2 (ja) 1995-02-15
JPH01192188A (ja) 1989-08-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3902579C2 (de) Optoelektronisches Bauteil
DE3822312C2 (de)
DE69008426T2 (de) Laserdiodenmodul.
DE68905832T2 (de) Laserdiodenmodul.
EP1088378B1 (de) Gehäuseanordnung für lasermodul
DE69125703T2 (de) Packung für integrierte Mikrowellen-Schaltung
DE3855733T2 (de) Lichtquellen
EP0961372B1 (de) Hochfrequenz-Lasermodul und Verfahren zur Herstellung desselben
DE60105725T2 (de) Wellenleiterkopplung
DE2224942A1 (de) Übertragungsleitung für elektrische Signale
DE19714191C1 (de) Mikrowellenschaltkreis mit Josephson-Elementen und Verwendung des Schaltkreises
EP1101136B1 (de) Optoelektronische sende- und empfangseinheit
EP0175936B1 (de) Optoelektronische Anordnung
DE102021104885A1 (de) Sockel und Gehäuse mit integriertem Kühler für elektronische Bauelemente
DE10354986A1 (de) Hochfrequenzantenne
DE1935411C3 (de) Anordnung zur Tastung von periodischen Signalen
DE69211725T2 (de) Optisches Modulgehäuse für Höchstfrequenz-Anwendungen
EP0008707A2 (de) Richtungskoppler
DE4443630A1 (de) Optischer Modulatorschaltkreis
DE2503850A1 (de) Hohlleiterantenne mit aperturschalter
DE1929608A1 (de) Hochfrequenz-Bandfilter
DE2253175A1 (de) Zirkulator mit in mic-technik ausgebildeten anschlussarmen
DE2536910C3 (de) Elektrooptisches (insbes. Laser-) EntfernungsmeBsystem mit elektrisch geheizten Fensteröffnungen
DE4432666C2 (de) Übertragungssystem zur kombinierten Übertragung von Laserstrahlung, Hochfrequenz und Ultraschall
EP0163289A2 (de) Anordnung zur Herstellung eines Übergangs zwischen einer Mikrostripleitung und einer koplanaren Zweibandleitung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition