DE3889210D1 - Integrierte logische Schaltung mit Reduzierung der Effekte hochenergetischer Ladungsträger und Instabilitätsdämpfung. - Google Patents
Integrierte logische Schaltung mit Reduzierung der Effekte hochenergetischer Ladungsträger und Instabilitätsdämpfung.Info
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL8702781A NL8702781A (nl) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | Geintegreerde logische schakeling met "hot-carrier-stress"-reduktie en instabiliteiten-demping. |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3889210D1 true DE3889210D1 (de) | 1994-05-26 |
DE3889210T2 DE3889210T2 (de) | 1994-10-20 |
Family
ID=19850947
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3889210T Expired - Fee Related DE3889210T2 (de) | 1987-11-20 | 1988-11-15 | Integrierte logische Schaltung mit Reduzierung der Effekte hochenergetischer Ladungsträger und Instabilitätsdämpfung. |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4952822A (de) |
EP (1) | EP0322000B1 (de) |
JP (1) | JP2685251B2 (de) |
KR (1) | KR960009401B1 (de) |
DE (1) | DE3889210T2 (de) |
NL (1) | NL8702781A (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3813802A1 (de) * | 1988-04-23 | 1989-11-09 | Glyco Metall Werke | Schichtwerkstoff oder schichtwerkstueck mit einer auf einer traegerschicht angebrachten funktionsschicht, insbesondere gleitschicht mit der struktur einer festen, aber schmelzbaren dispersion |
US5049764A (en) * | 1990-01-25 | 1991-09-17 | North American Philips Corporation, Signetics Div. | Active bypass for inhibiting high-frequency supply voltage variations in integrated circuits |
US5428837A (en) * | 1993-01-13 | 1995-06-27 | Anadigics, Inc. | Method and apparatus for reducing local oscillator leakage in integrated circuit receivers |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5160440A (en) * | 1974-11-22 | 1976-05-26 | Hitachi Ltd | Kotaiatsuyo mis fet suitsuchingukairo |
US4209713A (en) * | 1975-07-18 | 1980-06-24 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit device in which difficulties caused by parasitic transistors are eliminated |
DE3138558A1 (de) * | 1981-09-28 | 1983-04-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Schaltungsanordnung zur erzeugung eines von schwankungen einer versorgungsgleichspannung freien gleichspannungspegels |
US4704547A (en) * | 1984-12-10 | 1987-11-03 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | IGFET gating circuit having reduced electric field degradation |
JPS62501043A (ja) * | 1984-12-10 | 1987-04-23 | アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニ− | 高信頼度相補論理回路 |
US4710726A (en) * | 1986-02-27 | 1987-12-01 | Columbia University In The City Of New York | Semiconductive MOS resistance network |
JPS62230220A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Toshiba Corp | 相補性絶縁ゲ−ト型論理回路 |
US4677312A (en) * | 1986-04-25 | 1987-06-30 | International Business Machines Corporation | High voltage swing open collector driver |
US4771189A (en) * | 1986-05-02 | 1988-09-13 | Ford Microelectronics, Inc. | FET gate current limiter circuit |
US4791323A (en) * | 1986-10-23 | 1988-12-13 | Silicon Systems, Inc. | Level translation circuit |
-
1987
- 1987-11-20 NL NL8702781A patent/NL8702781A/nl not_active Application Discontinuation
-
1988
- 1988-11-10 US US07/270,155 patent/US4952822A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-11-15 EP EP88202544A patent/EP0322000B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-11-15 DE DE3889210T patent/DE3889210T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-11-17 JP JP63288997A patent/JP2685251B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1988-11-17 KR KR1019880015104A patent/KR960009401B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0322000B1 (de) | 1994-04-20 |
US4952822A (en) | 1990-08-28 |
JP2685251B2 (ja) | 1997-12-03 |
JPH01162013A (ja) | 1989-06-26 |
NL8702781A (nl) | 1989-06-16 |
KR960009401B1 (ko) | 1996-07-18 |
DE3889210T2 (de) | 1994-10-20 |
KR890009093A (ko) | 1989-07-15 |
EP0322000A1 (de) | 1989-06-28 |
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8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
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|
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
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|
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