DE3881368T2 - Optische anordnung mit drei zustaenden. - Google Patents

Optische anordnung mit drei zustaenden.

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Description

    Technisches Gebiet
  • Die Erfindung betrifft nichtlineare optische Vorrichtungen und insbesondere solche Vorrichtungen, die zu mehrfachstabilen optischen Zuständen oder zu anderen nichtlinearen optischen Antworten führende Verstärkung oder Rückkopplung einsetzen.
  • Hintergrund der Erfindung
  • Eine bistabile optische Vorrichtung wurde zuvor in dem US-Patent 4 754 132 von H. S. Hinton, A. L. Lentine und D. A. Miller beschrieben, die ein Paar p-i-n-Fotodioden mit Quantentrögen in den Intrinsischen Bereichen enthält. Diese Vorrichtung arbeitet als bistabiles Speicherelement mit komplementären und symmetrischen optischen Ausgängen, wobei sie als optischer S-R-Signalspeicher mit bekannten Gesetzt- und Rückgesetzt-Zuständen funktioniert. Die Vorrichtung weist zeitlich sequentielle Verstärkung dahingehend auf, daß der Zustand der Einrichtung mit Strahlen niedriger Leistungspegel entweder gesetzt oder rückgesetzt werden kann und der Zustand der Einrichtung nachfolgend mit Strahlen hoher Leistungspegel bestimmt werden kann. Eine weitere Eigenschaft der Vorrichtung besteht darin, daß der Schaltpunkt durch das Verhältnis der zwei Eingangslichtstrahlen bestimmt ist, wodurch die Vorrichtung gegenüber optischen Versorgungsleistungsschwankungen, wenn beide der zwei Eingangsstrahlen von derselben Quelle erhalten werden, unempfindlich gemacht wird. Die komplementären Ausgangsstrahlen ermöglichen die Verwendung in bekannten logischen "Dual-Rail"- Anwendungen.
  • Jedoch können Anwendungen auftreten, bei denen eine optische Vorrichtung mit drei Zuständen erwünscht ist.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Das vorstehende Problem wird durch die Erfindung wie in den Ansprüchen dargestellt gelöst.
  • In einem erläuternden Ausführungsbeispiel, in dem der bipolare Schalter ein Transistor ist, arbeitet der Transistor, wenn das Verhältnis des Steuerstroms in der Basis des Transistors zu der optischen Leistung der auf jede der seriell verbundenen Quantentrog-p-i-n-Fotodioden fallenden Lichtstrahlen größer als ein Schwellwertbetrag ist, ähnlich einem Kurzschluß. Somit arbeitet die Tri-State-Vorrichtung wie die vorhergehend beschriebene, symmetrische optische Vorrichtung mit Ausgangslichtstrahlen, die einen der beiden komplementären und symmetrischen Pegel darstellen. Wenn jedoch das Verhältnis des Basissteuerstroms zu der Leistung der einfallenden Lichtstrahlen auf jede der Fotodioden geringer als ein zweiter Schwellwertbetrag ist, arbeitet der Transistor wie ein aufgetrennter Schaltkreis. In diesem Fall tritt die gesamte elektrische Versorgungsspannung über dem Kollektor und dem Emitter des Transistors auf. Im Ergebnis treten Null Volt über jeder der Quantentrog-p-i-n-Fotodioden auf, und der Pegel beider optischer Ausgangslichtstrahlen stellt einen logischen Pegel Null dar. Ein signifikanter Vorteil besteht darin, daß die optische Tri-State-Vorrichtung nicht nur die erwünschten drei Zustände aufweist, sondern ebenfalls sowohl photonisch als auch elektrisch steuerbar ist. Als Resultat ist die Tri-State-Vorrichtung in optischen Systemen, in denen sowohl photonische als auch elektrische Steuerung verwendet wird, extrem nützlich.
  • Alternativ wird ein Feldeffekttransistor in vorteilhafter Weise anstelle des bipolaren Transistors verwendet, um durch eine Spannungsansteuerung des Gates anstelle einer Stromansteuerung der Basis des bipolaren Transistors wirksam ein- und ausgeschaltet zu werden.
  • In einem dritten Ausführungsbeispiel wird ein photonisch gesteuertes Schaltelement, wie z.B. eine p-i-n-Fotodiode, in vorteilhafter Weise für den bipolaren Schalter ersetzt, um photonisch die optische Tri-State- Einrichtung zusätzlich zu den Steuerlichtstrahlen der Quantentrog- Fotodioden zu steuern. Dies stellt in vorteilhafter Weise externe photonische Steuerung der Tri-State-Vorrichtung zur Verfügung.
  • In vorteilhafter Weise kann jedes der drei vorstehend erwähnten Ausführungsbeispiele in einer monolithisch integrierten Struktur hergestellt werden, um große Felder dieser Vorrichtungen auszubilden.
  • Figurenbeschreibung
  • Fig. 1 stellt eine erläuternde optische Tri-State-Vorrichtung mit einer bistabilen optischen Vorrichtung und einem bipolaren Schalter dar,
  • Fig. 2 stellt ein zweites Ausführungsbeispiel der optischen Tri-State- Vorrichtung von Fig. 1 dar,
  • Fig. 3 stellt ein drittes Ausführungsbeispiel der optischen Tri-State- Vorrichtung von Fig. 1 dar,
  • Fig. 4 stellt eine monolithisch integrierte Version der optischen Tri- State-Vorrichtung von Fig. 1 dar,
  • Fig. 5 stellt eine monolithisch integrierte Version der optischen Tri- State-Vorrichtung von Fig. 2 dar, und
  • Fig. 6 stellt eine monolithisch integrierte Version der optischen Tri- State-Vorrichtung von Fig. 3 dar.
  • Detaillierte Beschreibung
  • In Fig. 1 ist eine erläuternde optische Tri-State-Vorrichtung 400 mit einer bistabilen optischen Vorrichtung 410 und einem bipolaren Schalter, einem n-p-n-Transistor 406, die in Serie mit einer elektrischen Potentialquelle 405 verbunden sind, dargestellt. Die bistabile optische Vorrichtung 410 enthält seriell angeschlossene p-i-n-Fotodioden 401 und 402, die jeweilige Mehrfach-Quantentrogbereiche 403 und 404 enthalten. Der Fotostrom 174 ist der resultierende Strom, der durch die optischen Signale 153 und 452 mit einer ersten verknüpften, auf die p-i-n- Fotodiode 401 fallenden optischen Leistung, und die optischen Signale 153 und 453 mit einer zweiten verknüpften, auf die p-i-n-Fotodiode 402 einfallenden optischen Leistung erzeugt ist. Wenn das Verhältnis des Basisstroms 173 zu jedem der ersten und zweiten verknüpften optischen Signalleistungen größer als ein erster vorbestimmter Betrag ist, ist der bipolare Transistor 406 in einem bekannten gesättigten Zustand und weist eine niedrige Spannung ( 0,2 V) über seine Kollektor-Emitter- Strecke auf. In diesem "gesättigten" Zustand arbeitet der Transistor als Kurzschluß, und die optische Vorrichtung 410 arbeitet wie in dem US- Patent 4 754 132 von H. S. Hinton, A. L. Lentine und D. A. Miller beschrieben. Wenn, wie in Kürze dargestellt, der Transistor 406 gesättigt ist, arbeitet sowohl die bistabile optische Vorrichtung 410 als auch die optische Tri-State- oder Drei-Zustands-Vorrichtung 400 als ein bistabiler optischer S-R-Signalspeicher. Mit dem Anlegen an die Fotodiode 401 setzt der Steuerlichtstrahl 452 den Zustand der Vorrichtung zu einem bekannten "Gesetzt"-Zustand. Mit dem Anlegen an die Fotodiode 402 setzt der Steuerlichtstrahl 453 den Zustand der Vorrichtung zu einem bekannten "Zurückgesetzt"-Zustand. Wenn der getaktete Vorbelastungs- oder Ruhebelastungsstrahl 153 simultan an die Fotodioden 401 und 402 angelegt wird, sendet die Vorrichtung von den Fotodioden 401 und 402 ein Paar komplementärer und symmetrischer Ausgangslichtstrahlen 450 und 451 aus, die den komplementären Zustand und den tatsächlichen Zustand Q der Vorrichtung jeweils darstellen.
  • Wenn das Verhältnis des Basisstroms 173 zu jedem der ersten und zweiten verknüpften optischen Leistungen geringer als ein zweiter vorbestimmter Betrag ist, arbeitet der n-p-n-Transistor wie ein aufgetrennter Schaltkreis, und die Kollektor-Emitter-Spannung des Transistors gleicht in etwa der Versorgungsspannung 405. In diesem Fall ist die Spannung über jede Fotodiode 401 und 402 und somit über jeden Quantentrogbereich 403 und 404 angenähert gleich Null, und die optische Absorption jedes Quantentrogbereichs ist maximiert. Als Ergebnis sind die Ausgangslichtstrahlen 450 und 451 nicht länger komplementär. Statt dessen hat jeder der Ausgangslichtstrahlen einen optischen Leistungspegel, der einen logischen Null-Pegel darstellt. Als Folge wird die optische Vorrichtung 400 als Tri-State-Vorrichtung bzw. Drei- Zustands-Vorrichtung bezeichnet. Ein p-n-p-Transistor mit entsprechenden Polaritätsänderungen kann ebenfalls anstelle des n-p-n-Transistors 406 verwendet werden.
  • Wie in Fig. 2 dargestellt, sind der bekannte Feldeffekttransistor 407 und die elektrische Potentialguelle 412 jeweils durch den n-p-n- Transistor 406 und die Stromquelle 411 von Fig. 1 ersetzt. Wenn die Gate-Source-Spannung des FET 407 ausreichend negativ ist, arbeitet die Vorrichtung als geöffneter Schaltkreis und sendet ein Paar von Ausgangslichtstrahlen aus, die jeder einen niedrigen, einen logischen "Null"-Pegel darstellenden Leistungspegel haben. Wenn die Gate-Source- Spannung des FET 407 ausreichend oberhalb einer Schwellwertspannung ist, arbeitet der FET 407 als Kurzschluß und sendet komplementäre Ausgangslichtstrahlen aus, die komplementäre logische niedrige und hohe Pegel "Null" und "Eins" darstellen.
  • Eine die Zustände der Leistungspegel der Ausgangslichtstrahlen darstellende Zustandwerte-Tabelle ist in Tabelle A gegeben. Tabelle A Eingang Ausgang deaktiviert aktiviert (EN)
  • Wie in Fig. 3 dargestellt, ersetzt eine dritte p-i-n-Fotodiode 408 mit einem Quantentrogbereich 409 den in Fig. 1 dargestellten n-p-n- Bipolartransistor 406. Diese Fotodiode kann zu den p-i-n-Fotodioden 401 und 402 identisch sein oder kann alternativ keinen Quantentrogbereich 409 enthalten. Wenn im Betrieb der Leistungspegel des Eingangssteuerlichtstrahls 175 wesentlich größer als die verknüpften Leistungspegel der optischen auf die erste p-i-n-Fotodiode einfallenden Eingangslichtstrahlen 153 und 542 und der auf die zweite p-i-n-Fotodiode 402 einfallenden optischen Elngangslichtstrahlen 153 und 453 ist, weist die p-i-n-Fotodiode 407 einen Spannungsabfall von ungefähr Null Volt auf, und die Vorrichtung wird als Kurzschluß arbeiten. Als Folge arbeitet die Tri-State-Vorrichtung 400 als optischer S-R-Signalspeicher, wie vorstehend beschrieben. Wenn alternativ der Leistungspegel des Eingangssteuerstrahls 175 wesentlich geringer als jeder der verknüpften Leistungspegel der optischen, auf die erste p-i-n-Fotodiode 401 fallenden Eingangssignale 153 und 452 und der verknüpften Leistungspegel der optischen auf die zweite p-i-n-Fotodiode 402 einfallenden optischen Signale 153 und 452 ist, ist die Spannung über der p-i-n-Fotodiode 408 angenähert gleich der Spannung der elektrischen Potentialquelle 405, und die Spannung an den Fotodioden 401 und 402 wird ungefähr Null Volt. Die Ausgangslichtstrahlen 450 und 451 werden beide bei einem einen logischen "Null"-Pegel darstellenden Leistungspegel sein, wie es bei dem als aufgetrennten Schaltkreis betriebenen n-p-n-Transistor 406 beschrieben wurde.
  • Eine integrierte Struktur wurde unter Verwendung der in Fig. 8 und 9 des US-Patents 4 754 132 von H. S. Hinton, A. L. Lentine und D. A. B. Miller beschriebene Struktur mit drei Mesas anstelle der zwei in Fig. 7 dargestellten Mesas dieser Anmeldung hergestellt. Eine monolithisch integrierte Version der optischen Drei-Zustands-Vorrichtung aus Fig. 3 ist in Fig, 6 dargestellt.
  • In Fig. 4 ist eine monolithisch integrierte Version der in Fig. 1 gezeigten Version dargestellt, die einen bipolaren n-p-n- Heteroübergangstransistor 607 mit zwei p-i-n-Fotodioden 602 und 603 mit Quantentrögen in jedem der intrinsischen Bereiche enthält. Der generelle Aufbau ist in dem US-Patent 4 716 449, das am 29. Dezember 1987 erteilt, am 14. Januar 1987 angemeldet wurde, von D. A. B. Miller mit dem Titel "Non-Linear and Bistable Optical Device" beschrieben, das eine Continuation der US-Patentanmeldung mit dem Aktenzeichen 785 546 ist, die am 8. Oktober 1985 angemeldet wurde, die eine Continuation des US- Patents 4 546 244 ist. Das Material kann durch Molekularstrahlepitaxie aufgewachsen und unter Verwendung von Standardhalbleiterprozeßtechniken verarbeitet werden. Das Substrat 601 ist unterhalb der p-i-n-Fotodioden 602 und 603 geätzt, um Licht den Durchtritt zu gestatten. Die optischen Eingangsstrahlen 605 und 606 fallen auf die Oberfläche der Vorrichtung ein; jeweilige optische Ausgangsstrahlen 607 und 608 treten aus dem Boden der Vorrichtung aus. Die Steuerleitung 609 ist unter Verwendung bekannter Standardtechniken an der Basis des Transistors 604 befestigt. Die Stromversorgungsverbindungen sind über Strom- bzw. Leistungsversorgungsanschlüsse 610 und 611 hergestellt.
  • In Fig. 5 ist die monolitisch integrierte Version der in Fig. 2 dargestellten Vorrichtung gezeigt, die einen GaAs-Metall-Halbleiter- Feldeffekttransistor, MESFET 704, mit zwei p-i-n-Fotodioden 702 und 703 mit Quantentrögen in den intrinsischen Bereichen integriert. Eingangslichtstrahlen 706 und 707 fallen auf die Oberfläche der Vorrichtung ein, und jeweilige Ausgangslichtstrahlen 708 und 709 treten aus dem Boden der Vorrichtung aus. Das Substrat und die N-GaAs-Schicht muß unter einem Teil des Bodens der p-i-n-Fotodioden 702 und 703 entfernt werden, um die Abschwächung der austretenden Strahlen zu beseitigen, welche diese Schichten beitragen würden. Der MESFET 704 ist unter Verwendung eines bekannten Standardprozesses hergestellt. Die Strom- bzw. Leistungsversorgungsverbindungen sind durch Leiter 710 und 711 dargestellt, und die Aktivierungssteuerleitung ist durch 705 dargestellt.
  • Zusätzlich kann der FET ein selektiv dotierter Heterostruktur- Feldeffekttransistor (SDHT) oder ein Transistor hoher Elektronenmobilität (HEMT) sein, oder die gesamte Vorrichtung kann unter Verwendung verschiedener Materialien, wie Indiumphosphid und Galliumindiumarsenidphosphid, aufgebaut sein.

Claims (8)

1. Optische Vorrichtung mit einer ersten und zweiten fotoempfindlichen Einrichtung (401, 402), die jede einen Quantentrogbereich hat, wobei die fotoempfindlichen Einrichtungen elektrisch in Serie verbunden sind und jede in Antwort auf einen jeweiligen Lichtstrahl (452, 453) zwischen zwei stabilen Zuständen schaltet, wobei in einem von diesen die erste fotoempfindliche Einrichtung eine höhere optische Absorption und die zweite fotoempfindliche Einrichtung eine niedrigere optische Absorption aufweist und in dem anderen von diesen die erste fotoempfindliche Einrichtung die niedrigere optische Absorption und die zweite fotoempfindliche Einrichtung die höhere optische Absorption aufweist, gekennzeichnet durch eine mit den fotoempfindlichen Einrichtungen elektrisch in Serie verbundene Schalteinrichtung (406, 407, 408), die in Antwort auf ein Signal den Strom durch die fotoempfindlichen Einrichtungen sperrt, um dabei einen dritten Zustand zu erzeugen, in dem beide fotoempfindlichen Einrichtungen die höhere optische Absorption aufweisen.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, in welcher jede der fotoemfindlichen Einrichtungen eine p-i-n- Fotodiode ist, die ihren Quantentrogbereich in ihrem intrinsischen Bereich hat.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, in der die Quantentrogbereiche Mehrfach-Quantentrogbereiche sind.
4. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, in welcher die Schalteinrichtung (406) ein bipolarer Transistor und das Signal eine Reduzierung des an die Basis des Transistors angelegten Stroms relativ zu der Intensität des weniger intensiven Lichtstrahls ist.
5. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche 1 bis 3, in welcher die Schalteinrichtung (407) ein Feldeffekttransistor und das Signal eine Veränderung der an das Gate des Transistors angelegten Spannung ist.
6. Vorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche 1 bis 3, in welcher die Schalteinrichtung eine dritte fotoempfindliche Einrichtung (408) ist, die auf einen dritten Lichtstrahl (175) anspricht, und das Signal eine Reduzierung der Intensität des dritten Lichtstrahls relativ zu der Intensität des weniger intensiven von beiden anderen Lichtstrahlen ist.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, in welcher die dritte fotoempfindliche Einrichtung eine p-i-n- Fotodiode ist.
8. Vorrichtung nach Anspruch 6, in welcher die dritte fotoempfindliche Einrichtung die gleiche Struktur wie die erste und zweite fotoempfindliche Einrichtung hat.
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Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4904859A (en) * 1989-01-17 1990-02-27 American Telephone And Telegraph Company Self electrooptic effect device employing asymmetric quantum wells
US4985621A (en) * 1989-04-11 1991-01-15 Massachusetts Institute Of Technology Electrooptical switch with separate detector and modulator modules
DE69030129T2 (de) * 1989-04-12 1997-10-09 Sumitomo Electric Industries Herstellungsverfahren einer integrierten Halbleiterschaltung
US4914286A (en) * 1989-04-20 1990-04-03 At&T Bell Laboratories Method and apparatus for increasing the processing capacity of optical digital processing systems having optically bistable devices
US4967068A (en) * 1989-08-28 1990-10-30 At&T Bell Laboratories Single-ended optical logic arrangement
FR2655433B1 (fr) * 1989-12-01 1992-06-26 France Etat Procede et dispositif de modulation electro-optique, utilisant la transition oblique a basse energie d'un super-reseau tres couple.
JPH03228032A (ja) * 1990-02-01 1991-10-09 Mitsubishi Electric Corp 光方向性結合器
US5093565A (en) * 1990-07-18 1992-03-03 At&T Bell Laboratories Apparatus for sequential optical systems where an independently controllable transmission gate is interposed between successive optoelectronic gates
US5126553A (en) * 1990-11-28 1992-06-30 Bell Communications Research, Inc. Bistable optically switchable resonant-tunneling device and its use in signal processing
US5130528A (en) * 1991-03-01 1992-07-14 International Business Machines Corporation Opto-photo-electric switch
JP2906713B2 (ja) * 1991-03-29 1999-06-21 三菱電機株式会社 光素子の多重安定性取得方法
US5198656A (en) * 1991-06-06 1993-03-30 At&T Bell Laboratories Dynamic optical logic using voltage pull up
JPH0782754B2 (ja) * 1991-08-02 1995-09-06 株式会社エイ・ティ・アール光電波通信研究所 半導体光素子
US5251052A (en) * 1992-09-02 1993-10-05 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy System for solving boolean equations using optical lookup tables
US5311008A (en) * 1992-12-28 1994-05-10 At&T Bell Laboratories Self-electrooptic effect device for providing integer gain to input optical signals having series connected quantum well diodes
US5408107A (en) * 1993-05-20 1995-04-18 The Board Of Regents Of The University Of Texas System Semiconductor device apparatus having multiple current-voltage curves and zero-bias memory
US5414785A (en) * 1993-09-13 1995-05-09 At&T Corp. Optical data bus having collision detection capability
EP0682373B1 (de) * 1994-05-12 1998-06-03 Hitachi Europe Limited Integrierte optoelektronische Schaltung
US5747791A (en) * 1996-04-25 1998-05-05 Coroy; Trenton G. Method and devices for wavelength and power demodulation based on the use of a quantum well electroabsorption filtering detector
US6198580B1 (en) 1998-08-17 2001-03-06 Newport Corporation Gimballed optical mount
US6516130B1 (en) 1998-12-30 2003-02-04 Newport Corporation Clip that aligns a fiber optic cable with a laser diode within a fiber optic module
US6996506B2 (en) * 1999-02-23 2006-02-07 Newport Corporation Process and device for displacing a moveable unit on a base
FR2790115B1 (fr) 1999-02-23 2001-05-04 Micro Controle Procede et dispositif pour deplacer un mobile sur une base montee elastiquement par rapport au sol
US6511035B1 (en) 1999-08-03 2003-01-28 Newport Corporation Active vibration isolation systems with nonlinear compensation to account for actuator saturation
US6655840B2 (en) 2001-02-13 2003-12-02 Newport Corporation Stiff cross roller bearing configuration
US6601524B2 (en) 2001-03-28 2003-08-05 Newport Corporation Translation table with a spring biased dovetail bearing
US6791058B2 (en) 2001-04-25 2004-09-14 Newport Corporation Automatic laser weld machine for assembling photonic components
US6568666B2 (en) 2001-06-13 2003-05-27 Newport Corporation Method for providing high vertical damping to pneumatic isolators during large amplitude disturbances of isolated payload
US6619611B2 (en) 2001-07-02 2003-09-16 Newport Corporation Pneumatic vibration isolator utilizing an elastomeric element for isolation and attenuation of horizontal vibration
US6754417B2 (en) 2002-04-24 2004-06-22 Agilent Technologies, Inc. Optical fiber tap capable of random placement along an optical fiber
US7184669B2 (en) 2002-04-26 2007-02-27 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical transceiver systems and methods
US6966535B2 (en) * 2002-05-07 2005-11-22 Newport Corporation Snubber for pneumatically isolated platforms
US7320455B2 (en) 2003-10-24 2008-01-22 Newport Corporation Instrumented platform for vibration-sensitive equipment
US8231098B2 (en) 2004-12-07 2012-07-31 Newport Corporation Methods and devices for active vibration damping of an optical structure
US11011666B2 (en) * 2018-08-15 2021-05-18 National Taiwan University Of Science And Technology Optoelectronic semiconductor structure having a bipolar phototransistor structure and manufacturing method thereof

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3753247A (en) * 1971-04-22 1973-08-14 Rca Corp Array of devices responsive to differential light signals
US4166224A (en) * 1977-06-17 1979-08-28 Hutson Jerald L Photosensitive zero voltage semiconductor switching device
CA1188753A (en) * 1981-07-30 1985-06-11 R. Ian Macdonald Optoelectronic logic
US4525687A (en) * 1983-02-28 1985-06-25 At&T Bell Laboratories High speed light modulator using multiple quantum well structures
US4716449A (en) * 1984-03-14 1987-12-29 American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories Nonlinear and bistable optical device
US4546244A (en) * 1984-03-14 1985-10-08 At&T Bell Laboratories Nonlinear and bistable optical device
US4691111A (en) * 1984-04-05 1987-09-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Multiple gap optically activated switch
DE3683370D1 (de) * 1985-10-08 1992-02-20 American Telephone & Telegraph Nichtlineares und bistabiles optisches bauelement.
US4720175A (en) * 1985-12-02 1988-01-19 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Composite logic gate element and multiplexer for optical computing and optical communication
US4751378B1 (en) * 1987-04-24 2000-04-25 Bell Telephone Labor Inc Optical device with quantum well absorption
US4754132A (en) * 1987-04-24 1988-06-28 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Symmetric optical device with quantum well absorption
US4749850A (en) * 1987-04-27 1988-06-07 American Telephone And Telegraph Company High speed quantum well optical detector

Also Published As

Publication number Publication date
DE3881368D1 (de) 1993-07-01
CA1299717C (en) 1992-04-28
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ES2040360T3 (es) 1993-10-16
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JPH0277039A (ja) 1990-03-16
US4800262A (en) 1989-01-24
EP0323074A2 (de) 1989-07-05
EP0323074B1 (de) 1993-05-26

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